Спектроскопия электронных состояний и неравновесных носителей заряда в низкоразмерных гетероструктурах на основе арсенида галлия
Диссертация
Спектры фотолюминесценции, полученные при большой мощности оптического возбуждения, когда межзонная рекомбинация не ограничивается только основным переходом, а осуществляется и с возбужденных состояний размерного квантования, могут содержать информацию не только об энергетических уровнях, но и о распределении носителей по этим уровням. Исследования процессов заполнения носителями возбужденных… Читать ещё >
Список литературы
- A23. Данильцев B.M., Дроздов Ю. Н., Мурель A.B., Хрыкин О. И., Шашкин В. И., Ревин Д. Г., Гапонова Д. М. Оптические и электрофизические свойства эпитаксиальных слоев
- GaAsxN.x, выращенных на GaAs методом МОГФЭ. // Материалы совещания «Нанофото-ника». Н.Новгород. 2001. — С.102−105.
- А36. Aleshkin V.Ya., Gaponova D.M., Revin D.G., Vorob’ev L.E., Danilov S.N., Panevin
- V.Yu., Fedosov N.K., Firsov D.A., Shalygin V.A., Andreev A.D., Zhukov A.E., Ledentsov N.N.,
- Ustinov V.M., Cirlin G.E., Egorov V.A., Fossard F., Julien F., Towe E., Pal D., Schmidt S.R.,
- Seilmeier A. Light absorption and emission in InAs/GaAs quantum dots and stepped quantumthwells. // Proceedings of 10 Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology». St. Petersburg, Russia. 2002. — P.229−232.
- Weyers М., Sato М., Ando Н. Red shift of photoluminescence and absorption in dilute GaAsN alloy layers. // Jpn. J. Appl. Phys 1. 1992. — Y.31. — P. L853.
- Sakai S., Ueta Y., Teauchi Y. Band gap energy and band lineup of III-V alloy semiconductors incorporating nitrogen and boron // Jpn. J. Appl. Phys. 1. 1993. — V.32. -P.4413.
- Makimoto Т., Saito H., Nishida Т., Kobayashi N. Excitonic luminescence and absorption in dilute GaAsi. xNx alloy (x<0.3%). //Appl. Phys. Lett. 1997. — V.70. — P.2984−2986.
- Bellache L., Wei S.-H., Zunger A. Localization and percolation in semiconductor alloys: GaAsN vs GaAsP. // Phys. Rev. B. 1996. — V.54. — P.17 568−17 576.
- Neugebauer Jorg, Van de Walle Chris G. Electronic structure and phase stability of GaAsi. XNX alloys. // Phys. Rev. B. 1995. — V.51. — P. 10 568−1057.1
- Weyers M., Sato M. Growth of GaAsN alloys by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition using plasma-cracked NH3. // Appl. Phys. Lett. 1993. — V.62. — P.1396−1398.
- Malikova L., Pollak Fred H., Bhat Raj. Composition and temperature dependence of the direct band gap of GaAsixNx (0
- Liu H.C., Gao M., McCaffy J., Wasilewski Z.R., Fafard S. Quantum dot infrared detectors. //Appl. Phys. Lett. 2001. — V.78-№ 1. — P.79−81.
- Jantsch W., Brucker Н. Determination of nonequilibrium electron distribution functions in degenerate GaAs. // Phys. Rev. B. 1977. — V.15-№ 8. — P.4014−4019.
- Jantsch W., Heinrich H. Experimental determination of the electron temperature from Burstein-shift experiments in gallium antimonide. // Phys. Rev. B. 1971. — V.4-№ 8. — P.2504−2508.
- Burstein E. Anomalous optical absorption limit in InSb. // Phys. Rev. 1954. — V.93. -P.632−633.
- Gribnikov Z.S., Hess K., Kosinovsky G.A. Nonlocal and nonlinear transport in semiconductors: Real-space transfer effects. // J. Appl. Phys. 1995. — V.77-№ 4. — P.1337−1373.
- Воробьев J1.E. Внутризонная инверсия населенности и усиление ИК излучения носителей заряда в квантовых ямах и квантовых точках. // Письма в ЖЭТФ. 1998. — Т.68-№ 5. -С.392−399.
- Kastalsky A., Vorobjev L.E., Firsov D.A., Zerova V.L., Towe E. A dual-color injection laser based on intra- and inter-band carrier transitions in semiconductor quantum wells or quantum dots. // IEEE J. Quantum Electron. 2001. — V.37-№ 10. — P.1356−1362.
- Bellache L., Wei S.-H., Zunger A. Composition dependence of interband transition intensities in GaPN, GaAsN and GaPAs alloys. // Phys. Rev. B. 1997. — V.56. — P.10 233−10 240.
- Phillips A.F., Sweeney S.J., Adams A.R., Thijs P.J.A. The temperature dependence of 1.3-and 1.5-цт compressively strained InGaAs (P) MQW semiconductor lasers. // IEEE J. Of Selected topics in Quantum Electronics. 1999. — V.5. — P.401−413.
- Wei S.-H., Zunger A. Giant and composition-dependent optical bowing coefficient in GaAsN alloys. // Phys. Rev. Lett. 1996. — V.76. — P.664−667.
- Bi W.G., Tu C.W. Growth and characterization of InNxAsyPi.x.y/InP strained quantum well structures. // Appl. Phys. Lett. 1998. — V.72. — P. 1161−1163.
- Xin H.P., Tu C.W. GalnNAs/GaAs multiple quantum wells grown by gas-source molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett. 1998. — V.72. — P.2442−2444.
- Ballache L., Wei S.-H., Zunger A. Band gaps of GaPN and GaAsN alloys. // Appl. Phys. Lett. 1997. — V.70. — P.3558−3560.
- Бонч-Бруевич B.JI., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1997. -672 с.
- Slater J.C., Koster G.F. Simplified LCAO method for periodic potential problem. // Phys. Rev. 1954. — V.94. — P.1498−1524.
- Leitch A.W., Ehlers H.L. The characterization of GaAs and AlGaAs by photoluminescence. // Infrared Phys. 1988. — V.28-№.6. — P.433−440.
- Huang K.F., Tai K., Chu S.N.G.and Cho A.Y. Optical studies of InxGai-xAs/GaAs strained-layer quantum wells. // Appl. Phys. Lett. 1989. — V.54. — P.2026−2028.
- Gershoni D., Vandenberg J.M., Chu S.N.G., Temkin H., Tanbun Т., Logan R.A. Excitonic transitions in strained-layer InGaAs/GaAs quantum wells. // Phys. Rev. B. 1989. — V.40-№ 14. -P.10 017−10 020.
- Hou H.Q., Segawa Y., Aoyagi Y., Namba S. Exciton binding energy in InxGaixAs/GaAs strained quantum wells. // Phys. Rev. B. 1990. — V.42-№.2. — P. 1284−1289.
- Marzin Y., Gerard J.M., Izrael A., Barrier D., Bastard G. Photoluminescence of Single InAs Quantum dots Obtained by Self-Organized Growth on GaAs. // Phys. Rev. Lett. 1994. — V.73. -P.716.
- Fasty W. Image forming properties of Ebert monochromator. // JOSA. 1952. — V.42. -P.647.
- Kondow М., Uomi К., Hosomi К., Mozume Т. // 8th International МВЕ Conference. Osaka, Japan, August 29-September 2. 1994. — Paper A11−2.
- Levine B.F. Quantum-well infrared photodetectors. // J. Appl. Phys. 1993. — 74-№ 8. — Rl-R81.
- Liu H.C., Gunapala S.D., Bandara S.V. Intersubbund Transitions in Quantum Wells: Physics and Device Applications I. // Academic, San Diego, CA, edited by H.C.Liu and F.Capasso. -2000. Chap.3. — P.129−196. — Chap.4. — P.197−282.
- Finkman E., Maimon S., Immer V., Bahir G., Schacham S.E., Fossard F., Julien F.H., Brault J., Gedry M. Polarized front-illumination response in intraband quantum dot infrared photodetectors at 77 K. // Phys. Rev. B. 2001. — V.63. — P.45 323−45 329.
- Maimon S., Finkman E., Bahir G., Schacham S.E., Garsia J.M., Petroff P.M. Intersublevel transitions in InAs/GaAs quantum dots infrared photodetectors. // Appl. Phys. Lett. 1998. -V.73. — P.2003−2005.
- Pan D., Towe E., Kennerly S. A five-period normal-incidence (In, Ga) As/GaAs quantum-dot infrared photodetector. // Appl. Phys. Lett. 1999. — V.75. — P.2719−2721.
- Stiff A.D., Krishna S., Bhattacharya P., Kennerly S. High-detectivity, normal-incidence, mid-infrared (A,~4 |im)InAs/GaAs quantum-dot detector operating at 150 K. // Appl. Phys. Lett. -2001. V.79. — P.421−423.
- Tang S.-F., Lin S.-Y., Lee S.C. Near-room-temperature operation of an InAs/GaAs quantum-dot infrared photodetector. // Appl. Phys. Lett. 2001. — V.78. — P.2428−2430.
- Kim J.-W., Oh J.-E., Hong S.-C., Park C.-H., Yoo T.-K. Room temperature far infrared (8^-10 (im) photodetectors using self-assembled InAs quantum dots with high detectivity. // IEEE Electron Devices Letters. 2000. — V.217. — P.329−331.
- Kamiya I., Tanaka Ichiro, Sakaki H. Optical properties of near surface-InAs quantum dots and their formation processes. // Physica E. 1998. — V.2. — P.637−642.
- Lee S.-W., Hirakawa K., Shimada Y. Modulation-doped quantum dot infrared photodetectors using self-assembled InAs quantum dots. // Physica E. 2000. — V.7. — P.499−502.
- Chu L., Zrenner A., Bohm G., Abstreiter G. Lateral intersubband photocurrent spectroscopy on InAs/GaAs quantum dots. // Appl. Phys. Lett. 2000. — V.76-№ 14. — P. 1944−1946.
- Chu L., Zrenner A., Bichter M., Abstreiter G. Quantum dot infrared photodetector with lateral carrier transport. // Appl. Phys. Lett. 2001. — V.79-№ 14. — P.2249−2251.
- Bulsara Mayank Т., Leitz Chris, Fitzerald Eugene A. Relaxed InxGai. xAs graded buffers grown with organometallic vapor phase epitaxy on GaAs. // Appl. Phys. Lett. 1998. -V.72-№ 13. — P.1608−1610.
- Lavoie C., Pinnington Т., Nodwell E., Tiedje Т., Goldman R.S., Kavanagh K.L., Hutter J.L. Relationship between surface morphology and strain relaxation during growth of InGaAs strained layers. // Appl. Phys. Lett. 1995. — V.67-№ 25. — P.3744−3746.
- Luryi S., Suhir E. New approach to the high quality epitaxial growth of lattice-mismatched materials. // Appl. Phys. Lett. 1986. — V.49-№ 3. — P. 140−142.
- Zhu Z.H., Shou R" Ejeckham F.E., Zhang Z., Zhang J., Greenberg J., Lo Y.H., Hou H.Q., Hammons B.E. Growth of InGaAs multi-quantum wells at 1.3 jam wavelength on GaAs compliant substrate. // Appl. Phys. Lett. 1998. — V.72-№ 20. — P.2598−2600.
- Zhu Z.H., Ejeckham F.E., Qian Y., Zhang J., Zhang Z., Christenson G.L., Lo Y.H. // IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 1997. — V.3. — P.927.
- Buzynin Yu" Gusev S.A., Danil’tsev V.M., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Murel A.V., Khrykin O.I., Shashkin V.I. Epitaxial layers of GaAs, AlGaAs and InGaAs on porous GaAs. //
- Abstracts of 10th International cnference on vapor growth and epitaxy, Jerusalem, July 26−31, Israel. 1998. -P.332.
- Matthews J.W., Blakeslee A.W. // J.Cryst.Growth. 1974. — V.27. — P. l 18.
- В artels W.J., Nijman W. // J.Cryst.Growth. 1978. — V.44. — P.518.
- Kang J.M., Son C.S., Kim Moo-Sung, Kim Yong, Min Suk-Ki, Kim C.S. Origin of crystallographic tilt in InGaAs/GaAs (001) heterostructure. // Appl. Phys. Lett. 1995. -V.67-№ 5.-P.641−643.
- Canham L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers. // Appl. Phys. Lett. 1990. — V.57-№ 10. — P.1046−1048.
- Schmuki P., Lockwood D.J., Labbe H.J., Fraser J.W. Visible photoluminescence from porous GaAs. //Appl. Phys. Lett. 1996. — V.69-№ 11. — P.1620−1622.
- Lebedev A.A., Rud' Yu.V. Visible photoluminescence of gallium arsenide. // Tech. Phys. Lett. 1996. — V.22-№ 6. — PP.483−484.
- Горячев Д.Н., Сресели O.M. Фотолюминесценция пористого арсенида галлия. // ФТП. 1997. — Т.31-№ 11. — С.1383−1386.
- Opt. Quantum Electronics. / Special issue on far infrared semiconductor lasers. 1991. -V.23. — 135 p.
- Faist J., Capasso F., Sivco D.L., Sirtori C., Hutchinson A.L., Cho A.Y. Quantum cascade laser. // Science. 1994. — V.264. — P.553−556.
- Faist J., Capasso F., Sitori C., Sivco D.L., Baillargeon J.N., Hutchinson A.L., Chu S.-N.G., Cho A.Y. High power mid-infrared (/—5 |im) quantum cascade lasers operating above room temperature. // Appl. Phys. Lett. 1996. — V.68-№ 26. — P.3680−3682.
- Казаринов Р.Ф., Сурис P.A. // ФТП. 1971. — T.5. — C.707- 1972. — T.6. C.120.
- Gauthier-Lafaye O., Boucaud P., Julien F.H., Sauvage S., Cabaret S., Lourtioz J.-M., Thierry-Mieg V., Planel R. Long-wavelength (-15.5 цт) unipolar semiconductor laser in GaAs quantum wells. // Appl. Phys. Lett. 1997. — V.71-№ 25. — P.3619−3621.
- Yang Rui Q., Xu J.M. Population inversion through resonant interband tunneling. // Appl. Phys. Lett. 1991. — V.59-№ 2. — P.181−182.
- Алешкин В.Я., Андронов A.A. Гигантская инверсия населенности горячих электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs с квантовыми ямами. // Письма в ЖЭТФ. 1998. — Т.68-№ 1. — С.73−77.
- Aleshkin V.Ya., A.A.Andronov, E.V.Demidov. New type intraband quantum well laser. // Proceedings of the 7th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology». St. Petersburg, Russia. 1999. — P.427−430.
- Pinson W.E., Bray R. Experimental determination of the energy distribution functions and analisis of the energy-loss mechanisms of hot carriers in p-type germanium. // Phys. Rev. A. -1964. V.136-№ 5A. — P. A1449-A1466.
- Mooradian A., McWhorter A.L. // Proc. Int. Conf. On Light Scatt. Spectra of Sol. 1969. -№ 4. — P.380.
- Southate P.D., Hall D.S., Dreeben A.B. // J. Appl. Phys. 1971. — V.42. — P.2868.
- Воробьев Л.Е., Пожела Ю. К., Реклайтис А. С., Смирницкая Е. С., Стафеев В. И., Федор-цев А.Б. Функция распределения горячих дырок в германии при малых концентрациях. // ФТП. 1978. — Т.12-№ 4. — С.742−747.
- Воробьев Л.Е., Пожела Ю. К., Реклайтис А. С., Смирницкая Е. С., Стафеев В. И., Федор-цев А.Б. Влияние примесного и междырочного рассеяния на функцию распределения горячих дырок в германии. //ФТП. 1978. — Т.12-№ 4. — С.754−757.
- Kane Е.О. Hi. Phys. Chem. Solids. 1956. — V.l. — P.82.
- Jantsch W., Heinrich H. Experimental determination of electron distribution function in degenerate GaAs at high electric fields. // Solid State Communications. 1973. — V. l3. — P.715−718.
- Jantsch W., Heinrich H. High-Field transport in the three-valley conduction band of gallium antimonide. // Phys. Rev. B. 1971. — V.3-№ 2. — P.420−426.
- Kane E.O. Band structure of indium antimonide. //J. Phys. Chem. Solids. 1957. — V. l-№ 4.- P.249−261.
- Bastard G. Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures. Les Editions de Physique Press, 1988. — 365 p.
- Авруцкий И.А., Осауленко О. П., Плотниченко В. Г., Пырков Ю. Н. //ФТП. 1992. -Т.26. — С.1907−1911.
- Ревин Д.Г. Спектроскопия возбужденных электронных состояний в квантово-размерных гетероструктурах InGaAs/GaAs: Автореф. Дис. канд.физ.-мат.наук. -Н.Новгород, 1999. -24 с.
- Choi H.K., Turner G.W., Manfra M.J., Connors M.K. 175 К continuous wave operation of InAsSb/InAlAsSb quantum-well diode lasers emitting at 3.5 um. II Appl. Phys. Lett. 1996. -V.68. — P.2936−2938.
- Tacke M. // Infrared Phys. Technol. 1995. — V.36. — PP.44 789. Faist J., Beck M., Aellen Т., Gini E. Quantum-cascade lasers based on bound-to-continuum transition. //Appl. Phys. Lett. — 2001. — V.78-№ 2. — P.147−149.
- Kozlov V.A. Tunable far infrared semiconductor lasers. // Phys. Scr. 1987. — V. T19. -P.215−225.
- Kastalsky A. Infrared intraband laser induced in a multiple-quantum well interband laser. // IEEE J. Quantum Electron. 1993. — V.29. — P. 1112−1115.
- Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках. Минск, «Наука и техника», 1975. 464 с.
- Dargys A., Kundrotas J. Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP. Vilnius. Science and Encyclopedia Publishers, 1994. — 268 p.
- Kinsler P., Harrison P., Kelsall R.W. Intersubband electron-electron scattering in asymmetric quantum wells designed for far-infrared emission. // Phys. Rev. B. 1998. — V.58. — P.4771−4778.
- Dumke W.P. Optical transitions involving impurities in semiconductors. // Phys. Rev. -1963.-V.132.-P.1998−2002.Q