Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Формирование рельефа поверхности углеродных конденсатов, получаемых импульсным вакуумно-дуговым методом

Диссертация: Формирование рельефа поверхности углеродных конденсатов, получаемых импульсным вакуумно-дуговым методом
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Исследования процессов формирования рельефа поверхности углеродной пленки и, в конечном итоге, получение возможности управления ими, открывают новые области применения, в частности, при создании твердотельных электронных элементов нового типа: эмиттеров на основе углеродных пленок, а также в технологии изготовления микрозондов (кантилеверов), применяемых в сканирующей зондовой микроскопии… Читать ещё >

Формирование рельефа поверхности углеродных конденсатов, получаемых импульсным вакуумно-дуговым методом (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Основные методы исследования и анализа микрорельефа 12 поверхности углеродного конденсата
    • 1. 1. Основные методы исследования поверхности, их сравнительный 12 анализ
    • 1. 2. Физические основы и особенности применения сканирующей 20 зондовой микроскопии для исследования поверхности тонких пленок
      • 1. 2. 1. История возникновения и развития сканирующей зондовой 20 микроскопии
      • 1. 2. 2. Основные области применения сканирующей зондовой 28 микроскопии
      • 1. 2. 3. Общие принципы работы сканирующего зондового микроскопа
      • 1. 2. 4. Потенциал взаимодействия зонда с образцом. Режимы работы 31 ^ атомно-силового микроскопа
      • 1. 2. 5. Основные типы сил взаимодействия в атомно-силовой микроскопии
      • 1. 2. 6. Физические модели взаимодействия кантилевера (микрозонда) с 42 поверхностью
    • 1. 3. Основные методы анализа микрорельефа поверхности
      • 1. 3. 1. Статистический анализ поверхностей в сканирующей зондовой 52 микроскопии
      • 1. 3. 2. Фрактальный анализ поверхностей в сканирующей зондовой 54 микроскопии
    • 1. 4. Результаты исследований поверхности углеродных покрытий, 62 получаемых различными методами
      • 1. 4. 1. Структурные особенности углеродного конденсата
      • 1. 4. 2. Аморфный углерод
      • 1. 4. 3. Исследования поверхности углеродного конденсата с помощью 69 сканирующей зондовой микроскопии
      • 1. 4. 4. Фрактальный анализ поверхности углеродного конденсата
  • Выводы к главе
  • Глава 2. Анализ влияния свойств углеродных сверхтвердых 82 покрытий на процесс сканирующей зондовой микроскопии их поверхности
    • 2. 1. Упругие взаимодействия. Задача Герца
    • 2. 2. Капиллярные силы
    • 2. 3. Сила Ван-дер-Ваальса
    • 2. 4. Адгезионные силы
    • 2. 5. Предельное разрешение в контактном режиме
    • 2. 6. Влияние коэффициента трения на сигнал обратной связи
    • 2. 7. Деформации микрозонда и исследуемого образца покрытия
    • 2. 8. Влияние упругих свойств поверхности углеродных покрытий на 115 процесс СЗМ в режимах прерывистого контакта и модуляции силы
  • Выводы к главе
  • Глава 3. Результаты экспериментальных исследований
    • 3. 1. Сканирующий зондовый микроскоп Смена-А
    • 3. 2. Экспериментальная установка УВНИПА
    • 3. 3. Измерение толщины тонких пленок, получаемых вакуумно- 129 дуговым методом с использованием сканирующей зондовой и оптической микроскопии
    • 3. 4. Исследование топографии поверхности кремниевых подложек до и 133 после процесса ионного травления
    • 3. 5. Исследование микрорельефа переходного подслоя T
    • 3. 6. Динамика изменения микрорельефа углеродного конденсата в 140 * диапазоне толщин 10 нм — 10 мкм, полученного импульсным вакуумнодуговым методом
    • 3. 7. Влияние ионной бомбардировки на формирование микрорельефа 148 углеродного конденсата
    • 3. 8. Влияние искусственно созданного геометрического фактора на 150 подложке (выступа, впадины, ступени) на формирование микрорельефа углеродного конденсата
    • 3. 9. Влияние сепарации плазменного потока углерода на микрорельеф и 154 степень шероховатости углеродного конденсата
  • Выводы к главе
  • Глава 4. Начальная стадия формирования микрорельефа 159 поверхности углеродного конденсата по результатам сканирования в полуконтактном режиме с модуляцией колебаний кантилевера
  • Выводы к главе
  • Глава 5. Феноменологическая модель формирования рельефа поверхности углеродного конденсата в условиях ионной бомбардировки
    • 5. 1. Начальная стадия формирования фрактальных кластеров с 169 критическим размером на активных центрах
    • 5. 2. Укрупнение фрактальных кластеров, образование свободного 170 объема и уплотнение фрактальной структуры под действием сжимающих напряжений
    • 5. 3. Формирование поверхностного рельефа
  • Выводы к главе

Актуальность темы

Нанотехнология является одним из наиболее интенсивно развивающихся разделов науки, показательно, что Соединенные Штаты Америки значительно увеличили финансирование научных исследований в данном направлении, начиная с 2003 года. Одна из перспективных областей нанотехнологии — это нанесение тонких пленок в вакууме (нанослоев) и модифицирование поверхности пленок с использованием ионных пучков. Уже определены в основном возможные области применения нанослоев. Это защитные покрытия на различных видах деталей, покрытия с улучшенными трибологическими характеристиками, термобарьеры, диффузионные барьеры, биосовместимые покрытия, полупроводниковые датчики и т. д.

В последние годы во всем мире значительно вырос интерес к вакуумно-дуговым методам получения углеродных покрытий. Это подтверждается большим количеством научных исследований и публикаций, а также повышенным интересом к этой технологии отечественных и западных компаний. К примеру, сверхтонкие (порядка нескольких нанометров) и сверхтвердые пленки углерода, получаемые вакуумно-дуговым методом, предполагается использовать для защиты тонкого магнитного слоя жестких дисков компьютеров, толщина которого уменьшается по мере повышения емкости накопителей. Перспективной областью использования углеродных конденсатов является твердотельная электроника, а также защита голографического и дифракционного микрорельефа.

Исследования поверхности тонких слоев толщиной от долей нанометров до десятков микрон с использованием современных методов, таких как сканирующая зондовая микроскопия, требуют проведения большого объема исследовательских работ для получения достоверного результата применительно к углеродному конденсату.

В настоящее время известно, что при конденсации углеродной плазмы на поверхности покрытия образуются микровыступы (конусы, вискеры), механизм образования которых во многом неясен. В научной литературе нет данных об исследованиях рельефа поверхности углеродного покрытия в зависимости от энергии ионов, его толщины, а также о влиянии исходного профиля подложки на топографию формируемого на нем покрытия. Особый интерес представляет начальная стадия, формирования рельефа на поверхности. Кроме того, необходимы дополнительные исследования, направленные на определение методов воздействия на растущий конденсат с целью улучшения качества его поверхности.

Исследования процессов формирования рельефа поверхности углеродной пленки и, в конечном итоге, получение возможности управления ими, открывают новые области применения, в частности, при создании твердотельных электронных элементов нового типа: эмиттеров на основе углеродных пленок, а также в технологии изготовления микрозондов (кантилеверов), применяемых в сканирующей зондовой микроскопии.

Таким образом, тема исследований является актуальной как в научном плане, так и в ее прикладном аспекте.

Цель работы. Экспериментальное и аналитическое исследование закономерностей процесса формирования рельефа поверхности углеродных конденсатов, получаемых импульсным вакуумно-дуговым методом с использованием сканирующей зондовой микроскопии.

Научная новизна работы.

1. На основании анализа теоретических моделей взаимодействия микрозонда с поверхностью установлено, что микротвердость и модуль упругости углеродного конденсата могут приводить к деформации микрозонда и должны учитываться при обработке результатов.

2. Установлено, что образование нановыступов начинается при достижении толщины конденсата 80 — 100 нм.

3. На основании исследования динамики роста покрытий установлен немонотонный характер зависимости степени шероховатости от толщины, связанный с пороговым характером релаксации внутренних напряжений в покрытии, формируемом в термодинамически неравновесных условиях.

4. Установлено, что отношение между диаметром микровыступов и их высотой сохраняется примерно постоянным для различных их размеров по мере роста толщины углеродного покрытия.

5. Показано, что ионная бомбардировка и сепарация плазменного потока углерода от макрочастиц позволяют уменьшить степень шероховатости получаемых пленок.

6. Установлено, что использование полуконтактного режима сканирования с модуляцией колебаний кантилевера позволяет значительно повысить разрешающую способность метода и наблюдать границы между микрокластерами.

7. На основе анализа феноменологической модели формирования углеродного покрытия в условиях ионной бомбардировки показано, что внутренние напряжения в углеродном конденсате определяющим образом могут влиять на формирование микрорельефа поверхности покрытия.

Практическая ценность работы.

Результаты экспериментальных исследований, полученные в работе, расширяют представления о закономерностях формирования тонких пленок углерода в условиях ионной бомбардировки. Экспериментальные зависимости могут быть использованы в нанотехнологии для выбора толщины защитного покрытия ответственных деталей электронной техники, в частности, жестких магнитных дисков компьютеров, в технологии изготовления полевых эмиссионных дисплеев на основе углеродных пленок, а также при изготовлении микрозондов (кантилеверов), применяемых в сканирующей зондовой микроскопии.

Результаты работы могут быть использованы для совершенствования технологии нанесения защитных и функциональных тонких пленок углерода различного назначения в микроэлектронике, оптике, медицине.

На защиту выносятся следующие основные результаты и положения:

1. Результаты теоретического анализа особенностей сканирующей зондовой микроскопии и возможных артефактов для сверхтвердого углеродного конденсата, полученные с использованием моделей взаимодействия микрозонда с поверхностью, и рекомендации по выбору режимов сканирования.

2. Результаты экспериментальных исследований рельефа поверхности углеродного конденсата в зависимости от его толщины, ионного облучения и предварительно сформированного микрорельефа с использованием контактного режима сканирования.

3. Результаты исследований начальной стадии формирования микрорельефа на поверхности углеродного конденсата с использованием полуконтактного режима сканирования с модуляцией колебаний кантилевера.

4. Феноменологическая модель формирования микрорельефа поверхности углеродного конденсата в условиях ионной бомбардировки.

Апробация результатов работы. Основные результаты работы были представлены на следующих научно-технических конференциях:

• IX Межгосударственной конференции «Радиационная повреждаемость и конструкционная способность материалов». — Белгород, 2001.

• 6 Международной конференции «Вакуумные технологии и оборудование». — Харьков: ННЦ ХФТИ, 2003.

• 15 Международном симпозиуме «Тонкие пленки в оптике и электронике». — Харьков: ННЦ ХФТИ, 2003.

• 14th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubues, Nitrides & Silicon Carbide, 7−12 Septembers 2003, Salzburg Congress Center, Salzburg, Austria.

• 9th International Conference on New Diamond Science and Technology, March 26 — 29, 2004, Waseda University International Conference Center Tokyo, Japan.

Публикации. Основные результаты работы опубликованы в девяти статьях.

Объем и структура диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения, списка использованной литературы и приложения.

Выводы к главе 5.

1. Причиной возникновения микровыступов на поверхности углеродного конденсата, формируемого в условиях ионной бомбардировки, может являться неоднородное электрическое поле, неоднородность свойств покрытия, макрочастицы (кластеры), генерируемые с поверхности катода, а также высокий уровень внутренних напряжений сжатия в покрытии.

2. Фрактальная поверхностная структура углеродного конденсата может влиять на циклический характер изменения микрорельефа на поверхности покрытия.

3. Ионная бомбардировка способствует образованию большого количества радиационных дефектов на поверхности подложки, которые являются активными центрами для гетерогенного перехода к конденсированной фазе с образованием устойчивых зародышей с минимальным размером.

4. Увеличение степени шероховатости поверхности углеродного покрытия по мере увеличения толщины покрытия связано с диссипацией избыточной поверхностной энергии более мелких кластеров (фрактальных агрегатов), в результате их объединения в более крупные кластер — кластерная агрегация).

Заключение

.

1. На основании анализа теоретических моделей взаимодействия микрозонда с поверхностью установлено, что микротвердость и модуль упругости углеродного конденсата могут приводить к деформации микрозонда и должны учитываться при обработке результатов. По результатам этих исследований разработаны рекомендации по выбору режимов сканирования сверхтвердого углеродного конденсата.

2. Установлено, что образование нановыступов начинается при достижении толщины конденсата 80 — 100 нм.

3. На основании исследований динамики роста покрытий установлен немонотонный характер зависимости степени шероховатости от толщины, связанный с пороговым характером релаксации внутренних напряжений в покрытии, формируемом в термодинамически неравновесных условиях.

4. Установлено, что отношение между диаметром микровыступов и их высотой сохраняется примерно постоянным для различных их размеров.

5. Показано, что ионная бомбардировка и сепарация плазменного потока углерода позволяют уменьшить степень шероховатости получаемых пленок.

6. Определено, что ионное травление ионами воздуха приводит к сглаживанию рельефа углеродного покрытия и уменьшению степени шероховатости в два раза.

7. Установлено, что использование полуконтактного режима сканирования с модуляцией колебаний кантилевера позволяет значительно повысить разрешающую способность метода и наблюдать границы между микрокластерами.

8. Показано, что при подаче ускоряющего потенциала на подложку происходит уменьшение размеров микрокластеров углерода от 300 до 100 нм.

9. По результатам исследований влияния искусственно созданного геометрического фактора на подложке (выступа, впадины, ступени) на формирование микрорельефа углеродного конденсата установлено, что профиль полученного углеродного покрытия повторяет профиль титанового конденсата с высокой степенью точности.

Ю.На основе анализа феноменологической модели формирования углеродного покрытия в условиях ионной бомбардировки показано, что внутренние напряжения в углеродном конденсате определяющим образом могут влиять на формирование микрорельефа поверхности покрытия.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.Г. Поверхность твердого тела и поверхностные фазы // Соросовский образовательный журнал. 1995. — № 1. — С.99−107.
  2. И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии: Пер. с англ. -М.: Мир, 1985.-496 с.
  3. Р.З. Сканирующая туннельная микроскопия новый метод изучения поверхности твердых тел // Соросовский образовательный журнал. — 2000. — Т.6. — № 11. С. 1−7.
  4. Э.В. Мюллер, Т. Т. Цонг. Полевая ионная микроскопия, полевая ионизация и полевое испарение: Перевод с англ. М., 1980.
  5. Г. И., Клименко И. С. Электронная микроскопия М.: Знание, 1968.
  6. А.В., Кокорин Г. А., Полонская С. М. Электронная микроскопия в металловедении (справ, изд.) М.: Металлургия, 1985. — 192с.
  7. С.С. Оже-электронная спектроскопия // Соросовский образовательный Журнал. 2001. — Т.7. — № 2. — С.82 — 88.
  8. Г., Рорер Г. Сканирующая туннельная микроскопия от рождения к юности // УФН. — Т. 154. — Вып.2. — С.261−278.
  9. G. Binnig, Н. Rohrer. Scanning tunneling microscopy // Helv. Phys. Acta. -1982. V. 55. — № 6. — P. 726 — 735.
  10. G. Binnig, H. Rohrer, Ch. Gerber, E. Weibel. Tunneling through a controllable vacuum gap // Appl. Phys. Lett. 1982. — V. 40. — P. 178.
  11. G. Binnig H. Rohrer. Scanning tunneling microscopy // IBM Journal of Research Development. 1986. — V. 30. — N.4.
  12. U.R.D. Young. II Rev. Sci. Instrum. 37, 275 (1966).
  13. В.К. Физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии // Учебное пособие. М: МИЭТ, 1996. — 91с.
  14. Неволин В. К, Коньков A.C. «Растровый туннельный микроскоп» // A.C. № 1 471 232 с приоритетом от 14 июля 1987.
  15. В.А. Приборы и методы сканирующей зондовой микроскопии для исследования и модификации поверхностей // Дисс. докт. техн. наук. М. -2000.
  16. И.БарашЮ.С. Силы Ван-дер-Ваальса. M.: Наука, 1988. — 344 с.
  17. С.Ш. Современные методы сканирующей зондовой микроскопии и спектроскопии // Приборы и техника эксперимента. -2002. № 5. — С. 149−152.
  18. A.A., Овчинников Д. В., Бухараева A.A. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии (обзор) // Заводская лаборатория. 1996. — № 5. — С. 10−26.
  19. С.А. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур. С. -Петербург: Наука. — 2001. — 52с.
  20. B.JI. Основы сканирующей зондовой микроскопии (Учебное пособие для студентов высших учебных заведений). Институт физики микроструктур РАН. — Нижний Новгород, 2004. — 114с.
  21. А.Б. Биофизика: Теоретическая биофизика. М.: Книжный дом Университет, 1999. — 448с.
  22. А. Физическая химия поверхностей. М.: Мир, 1979. — 568с.
  23. Д.В. Курс общей физики: Термодинамика и молекулярная физика. -М.: Наука, 1983.-551с.
  24. Д.В. Курс общей физики: Электричество. М.: Наука, 1983. -687с.
  25. О. Teschke, M.U. Kleinke, M.E.R. Dotto et al, Magnetic force images of nanomagnetic domains taken with platinum-coated tips // J. Appl. Phys. 2003.- V. 94. Issue 1. — P.626 — 633.
  26. P.F. Hopkins, J. Moreland, S.S. Malhotra et al. Superparamagnetic magnetic force microscopy tips. // J. Appl. Phys. 1996. — V. 79. — Issue 8. — P. 6448 -6450.
  27. H.J. Mamin, D. Rugar, P. Gruetter et al, Bull. II Am. Phys. Soc. 35, 420 (1990).
  28. P. Grutter, D. Rugar, H.J. Mamin et al, Batch fabricated sensors for magnetic force microscopy // Appl. Phys. Lett. 1990. — V.57. — Issue 17. — P. 1820 -1823.
  29. ЪЪ.Фейнман P., Лейтон P., Сэндс M. Фейнмановские лекции по физике:
  30. Физика сплошных сред. М.: Мир, 1977. — 300с. Ъб. Зимон А. Д. Адгезия жидкости и смачивание. — М.: Химия, 1974. — 416с. 37. Handbook of Micro/Nanotribology / Ed. by Bhushan Bharat. — 2d ed. — Boca
  31. Raton etc.: CRC press, 1999. 859 c. ЪЪ. Фейнман P., Лейтон P., Сэндс M. Фейнмановские лекции по физике, 7часть. М.: МИР, 1966. — 292с. Ъ9. Горшков А. Г., Трошин В. Н., Шалашилин В. И. Сопротивление материалов.- М.: ФИЗМАТЛИТ, 2002. 544 с.
  32. В.И. Сопротивление материалов. М.: МГТУ, 2000 — 392с.
  33. Л.Д., Лившиц Е. М. Теория упругости. М.: Наука, 1987. — 246с.
  34. Derjaguin B.V., Muller V.M., Toropov Yu.P., J. Colloid. Interface Sei. 53, 314 (1975).
  35. .В., Чураев Н. В., Муллер В. М. Поверхностные силы. М.: Наука, 1985.
  36. K.JI. Механика контактного взаимодействия. М.: Мир, 1987.
  37. MaugisD.J., J. Colloid. Interface Sei. 150, 243 (1992).
  38. П.А. Арутюнов, A.JI. Толстихина, В. И. Демидов. Система параметров для анализа шероховатости и микрорельефа поверхности материалов в сканирующей зондовой микроскопии // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. № 9. — Т.65. — С. 27−37.
  39. П.А. Арутюнов, A.JI. Толстихина. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники. Часть 1. // Микроэлектроника. 1999. — Т.28. — № 6. — С. 405−414.
  40. Mandelbrot B.B. The Fractal Geometry of Nature. San Francisco: Freeman, 1982.
  41. E. Фракталы. M.: Мир, 1991. — 254 с.
  42. .М. Физика фрактальных кластеров. М.: Наука, 1991. — 136 с.
  43. АД. Введение в теорию фракталов. Учебное пособие. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского университета, 1999. — 140с.
  44. ЫЖиков В. В. Фракталы // Соросовский образовательный журнал. 1996. -№ 12.-С. 109−117.53 .И. В. Золотухин. Фракталы в физике твердого тела // Соросовский образовательный журнал. 1998. — № 7. — С. 108−113.
  45. А.И., Флат А. Я. Использование концепции фрактала в физике конденсированной среды // УФН. Т. 163. -№ 12. — С. 1−50.
  46. Fractals in Physics // Ed. by L. Pietronero, E. Tosatti. Amsterdam.: North Holland., 1986. (Фракталы в физике // Пер. с англ. — М.: Мир, 1988).
  47. Б.М. Смирнов. Кластеры с плотной упаковкой и заполненными оболочками // Успехи физических наук. 1993. — Т. 163. — № 10. — С.29−56 185 v
  48. Б.М. Смирнов. Кластерная плазма // Успехи физических наук. 2000. -Т.170. -№ 5. -С.495−534.
  49. Б.М. Смирнов. Плавление кластеров с парным взаимодействием атомов // Успехи физических наук. 1994. — Т. 164. — № 11. — С. 1170−1200.
  50. Б.М. Смирнов. Процессы в плазме и газах с участием кластеров // Успехи физических наук. 1997. — Т.167. — № 3. — С. 289−1185.
  51. Б.М. Смирнов. Генерация кластерных пучков. // Успехи физических наук, 2003. Т.173. — № 6. — С. 609−646.
  52. N. Almqvist. Fractal analysis of scanning probe microscopy images // Surface Science 355 (1996) 221−228.
  53. Е.Ф., Власенко C.C. Образование фрактальных структур в газовой фазе // Успехи физических наук. 1995. — Т.165. — № 3. — С.263−283.
  54. A. Mannelqvist, N. Almqvist, S. Fredriksson. Influence of tip geometry on fractal analysis of atomic force microscopy images// Appl. Phys. A 66, S891-S895 (1998).
  55. Renato В., Boragno C., Biscarini F., Buatier de Mongeot F., Valbusa U. The contact mechanics of fractal surfaces // Nature, march. 2003. — P. 1−4.61 .Федосеев Д. В., Новиков H.B., Вишневский А. С. Алмаз. Справочник. -Киев.: Наукова думка, 1981. 78 с.
  56. КВ. Фуллерит новая форма углерода // Соросовский образовательный журнал. — 1996. — № 2.
  57. А.В., Смирнов Б. М. Фуллерены и структура углерода // УФН. -1995.- № 9.
  58. Ю.Золотухин И. В. Углеродные нанотрубки // Соросовский образовательный журнал. 1999.-№ 3.-С.111−115.
  59. Х.Нагорный В. Г., Котоносов А. С., Островский B.C. Свойства конструкционных материалов на основе углерода. Справочник. М.: Металлургия, 1975. — 335 с.
  60. Pirio G, Legagneux Р, Pribat D, Тео К В К, Chhowalla М, Amaratunga G A J and Milne W I. Fabrication and electrical characteristics of carbon nanotube field emission microcathodes with an integrated gate electrode // Nanotechnology 13 (2002) 1−4.
  61. B.K. Белый, В. П. Варнин, С. А. Гаврилов, Э. А. Ильичев, Э. А. Полторацкий, Г. С. Рычков, ИГ. Теремецкая. Использование тонких алмазных пленок для формирования интегральных схем. // Письма в ЖТФ. 2003. — Т.29. -Вып. 9. — С. 64−68.
  62. Mihalcea C., Scholz W., Malave A., Albert D., Kulisch W., Oesterschulze E. Fabrication of monolithic diamond probes for scanning probe microscopy applications. // Appl. Phys. A 66, S87-S90 (1998)
  63. Niedermann Ph., Hanni W., Morel D., Perret A., Skinner N., Indermtihle P.-F., N.-F. de Rooij, Buffat P.-A. CVD diamond probes for nanotechnology // Appl. Phys. A 66, S31-S34 (1998).
  64. Warren B.E. X-ray diffraction study of carbon black // J.Chem. Phys. 1934. -V.2 — No 9. — P.551−555.
  65. С.С., Толстихина А. Л., Сергеев М. С. и др. Особенности структуры и химического состава алмазоподобных пленок // Поверхность. 1982.-№ 7.-С. 118−125.
  66. E.I. Tochitsky, A.V. Stanishevskii, I.A.Kapustin е.а. Structure and properties of carbon films prepared by pulsed vacuum arc depisition // Surface and Coatings Technology, 47 (1991) 292 298.
  67. К К Akulich, N.M. Chekan, E.I. Tochitcky Intrinsic Stresses Dynamics in Diamond-Like Carbon Films Growing from Pulsed Arc Plasma Flows // Journal of Chemical Vapor Deposition. 1995. — Vol.3. — P. 324−331.
  68. Grossman E., Lempert G.D., J. Kulik, D. Marion, J. W. Rabalais, Lifshitz Y. Role of ion energy in determination of the sp3 fraction of ion beam deposited carbon films II Appl.Phys.Lett. 68 (9), 1996, p.1214−1216.
  69. Lifshitz Y. Diamond-like present status, // Diamond and Related Materials 8 (1999) 1659−1676.
  70. Buzio R., Gnecco Е., Boragno С., Valbusa U., Piseri P., Barborini E., Milani P. Self-affme properties of claster-assembled carbon thin films // Surface Science 444 (2004) L1-L6.
  71. Иванов-Омский В.И., Лодыгин А. Б., Ястребов С. Г. Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия аморфного углерода // Физика и техника полупроводников. 2000. — Т.34. — Вып.12. — С.1409−1416.
  72. В. Marchon, М. Salmeron, W. Siekhaus. Observation of graphitic and amorphous structures on the surface of hard carbon films by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. B, 39 (17), 12 907 (1989).
  73. N.H. Cho, D. K Veirs, J.W. Ager III, M.D. Rubin, C.B. Hopper, D.В. Bogy. Effects of substrate temperature on chemical structure of amorphous carbon films // J. Appl. Phys., 71 (5), 2243 (1992).
  74. V.L. Arbuzov, V.B. Vykhodets, I.Sh. Trakhtenberg, A.E. Davletshin, O.M. Bakunin, S.A. Plotnikov, J.H. Lee, S.J. Kim, B.S. Chung. II J. de Psusique IV, 6 (5), 185 (1996).
  75. A.A: Gorbunov, S.M. Pimenov, A.A. Smolin, H.-J. Schiebe, D. Drescher. II Phys. St. Sol. (a), 145, 393 (1994).
  76. T.W. Mercer, N.J. DiNardo, J.P. Sullivan, J.P. Friedmann, M.P. Siegal, L.J. Martinez-Miranda. Diamond for Electronic Applications, ed. by D.L. Dreifus (1995) p. 175.
  77. ИВ., Соколов Ю. В., Иевлев В. П. Структура, внутреннее трение и модуль упругости фрактального углеродного депозита // Физика твердого тела. 1998. — Т.40. — № 3. — С.584−586.
  78. Ю.В., Железный B.C. Фрактальная структура углеродного депозита, получаемого при распылении графита в электрической дуге // Письма в ЖТФ. Т.29. — Вып.8. — С.91−94.
  79. Ю.В., Железный B.C. Получение, структура и некоторые физические свойства углеродного депозита и хрома, имеющих фрактальное строение // Письма в ЖТФ. 2003. — Т.29. — Вып.15. — С.24−28.
  80. Bogana М., Donadio D., Benedek G., Colombo L. Simulation of atomic force microscopy of fractal nanostructured carbon films // Europhys. Lett., 54 (1), p.72−76 (2001).
  81. Л.Д. Квантовая механика: Нерелятивистская теория. М.: Наука, 1989.-767 с.
  82. И.О. Сканирующая зондовая микроскопия нуклеиновых кислот и тонких органических пленок // Дисс. канд. физ.-мат. наук М., 2000.-228с.
  83. А.И., Дмитриев Г. К., Чистяков Ю. Д. Импульсный источник углеродной плазмы для технологических целей. // Приборы и техника эксперимента. 1985. -N3. — С. 146−149.
  84. Inkin V.N., Kolpakov A.Y., Oukhanov S.I., Barbakov V.I., Galkina M.E., Goncharov I.U. Change of internal stress of carbon superhard condensates at a process of annealing // Diamond and Related Materials. 2004. — Vol. 13. — P. 1474 — 1479.
  85. D. Drescher, J. Koskinen, H.-J. Scheibe, A. Mensch. A model for particle growth in arc deposited armophous carbon films. // Diamond and Related Materials 7 (1998) 1375−1380.
  86. Magonov S.N., Elings V. and Whangbo M.-H., Phase imaging and stiffness in tapping-mode atomic force microscopy. // Surf. Sci. Lett. 375 (1997) L385.
  87. Ahn H.-S., Chizhik S.A., Dubravin A.M., Kazachenko V. P. and Popov V. V. On the use of phase image of atomic force microscopy for the characterization of the tribolayer on a DLC film. // Tribology Letters. 2000.
  88. David T. Britton, Margit Harting. The influence of strain on point defect dynamic // Advanced engineering materials. 2002. — V.4. — No. 8.
  89. Eshelby J. D-, J. Appl. Phys., 25, 255, (1954)
  90. Eshelby J. D., Solid State Phys., 3, 107, (1956)
  91. O.H., Лебедев B.B. Обработка результатов наблюдений -М.: Наука, 1970.192
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!