Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In (Ga) As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией

Диссертация: Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In (Ga) As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Основные результаты работы докладывались на 9 всероссийской конференции GaAs — 2006 «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (г. Томск, 2006 г.), 7 Российской конференции по физике полупроводников^ «Полупроводники 2007» (г. Екатеринбург, 2007 г.), Всероссийских молодежных конференциях по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (г. С. Петербург, 2006… Читать ещё >

Фотоэлектрические явления и эффект поля в квантово-размерных гетеронаноструктурах In (Ga) As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. '. 1. Фотоэлектрические явления в КРС и методики исследования фотоэлектрических спектров
    • 1. 2. Фотоэлектрическая спектроскопия КРС, выращенных газофазной эпитаксией
    • 1. 3. Исследование дефектообразования в КРС методами фотоэлектрической спектроскопии
    • 1. 4. Свойства-дефектных комплексов Е
    • 1. 5. Методы исследования параметров глубоких уровней в КРС
      • 1. 5. 1. Метод вольт-емкостного (С-У) профилирования
      • 1. 5. 2. Метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней (БЬТБ)
    • 1. 6. Метод эффекта поля
    • 1. 7. Планарный электронный транспорт в гетероструктурах с КЯ
  • 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Типы исследованных КРС и методика’их получения
    • 2. 2. Методики фотоэлектрической спектроскопии
    • 2. 3. Методики исследования, эффекта поля
      • 2. 3. 1. Методика динамического эффекта поля
      • 2. 3. 2. Методика спектроскопии малосигнального эффекта поля
    • 2. 4. Другие методики исследования
  • 3. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ Ь (<�За)Аз/СаА
    • 3. 1. Особенности диагностики КРС 1п (Са)АзЛлаА8 методами спектроскопии
  • ФПЭ, ФБШ и ФП
    • 3. 1. 1. Спектроскопия ФПЭ и ФП
    • 3. 2. Исследование методами фотоэлектрической спектроскопии дефектообразования при нанесении кобальта на поверхность квантоворазмерных структур In (Ga)As/GaAs
    • 3. 3. Влияние толщины спейсерного слоя на спектры фоточувствительности
  • КРС с КТ и КЯ In (Ga)As/GaAs и 5-слоем Мп
    • 4. ЭФФЕКТ ПОЛЯ В КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ GaAstfn (Ga)As
    • 4. 1. Разработка методики динамического эффекта поля
    • 4. 2. Эффект поля в однородном слое GaAs
    • 4. 3. Эффект поля в гетеронаноструктурах с КТ
    • 4. 4. Температурная зависимость эффекта поля в структурах с КТ
    • 4. 5. О механизме ДЭП в КРС с КТ
    • 4. 6. Эффект поля в структурах с КЯ
    • 4. 7. Динамический эффект поля в КРС, содержащих дельта- слои Мп

Актуальность темы

.

В последние годы не ослабевает интерес исследователей к изучению свойств квантово-размерных структура (КРС) на основе прямозонных полупроводников АЗВ5, в частности КРС типа 1пОаАз/СаАз с квантовыми ямами (КЯ) и самоорганизованными квантовыми точками (КТ). Помимо интереса к фундаментальным свойствам этих КРС, ведутсяи прикладные исследования, связанные с применением КРС в приборах оптои наноэлектроники [1,2], элементов памяти [3, 4], приборов спинтроники [5].

Одной из важнейших характеристик КРС является их энергетический спектр, причем не только спектр размерного квантования, но и спектр примесно-дефектных центров в структуре, которые могут существенно влиять на электронные и оптоэлектронные свойства КРС. Такие центры могут возникать при" встраивании квантово-размерных слоев вматрицу, селективном легировании КРС, создании контактов из химически активных металлов’И^ при некоторых других технологических операциях. В? связи с этим-развитие методов! диагностики-энергетического* спектра КРС и изучение их энергетического спектра в связи с технологией* выращивания КРС было" и остается актуальной задачей.

Цели и основные задачи работы.

Основной целью данной работы является изучение энергетического спектра собственных и примесно-дефектных состояний и некоторых оптоэлектронных характеристик КРС с КЯ и КТ типа 1п (Оа)Аз/ОаАз методами фотоэлектрической спектроскопии и динамического эффекта поля (ДЭП). Последний метод разработан и применен для исследования КРС впервые. Объектом исследования были КРС, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (МОС) при атмосферном давлении водорода — газа-носителя паров МОС (метод ГФЭ МОС АДВ).

В работе решались следующие основные задачи:

1. Выяснение на ряде модельных КРС с КТ и КЯ особенностей применения и диагностических возможностей" разных методик фотоэлектрической спектроскопии: спектроскопии планарной, фотопроводимости (ФП), спектроскопии, фотоэдс (фототока) на барьере КРС/металл — барьере Шоттки (ФБШ), фотоэдс (фототока) на барьере КРС/электролит (ФПЭ), фотоэдс на барьере КРС/диэлектрик (конденсаторной фотоэдс, КФЭ).

2. Исследование методами фотоэлектрической спектроскопии дефектообразования при' выращивании КРС методом ГФЭ М0С АДВ, нанесении, ферромагнитного Со контакта на поверхность «КРС и» встраивании 5-слоя Мп в КРС с КЯ и КТ 1п (Оа)АзЛлаА8. Полупроводниковые структуры с ферромагнитыми слоями представляют интерес для спинтроники.

3. Разработка методики исследованиядинамического эффекта поля (ДЭП) в КРС и изучение основных закономерностей ДЭП в КРС с КТ и КЯ, в частности влияния на. характеристики эффекта поля типа и> места-расположенияквантово-размерных слоев," дельта-легирования КРС марганцем.

Научная новизна работы1.

1. На ряде модельных. КРС с разным типом и местом расположения квантово-размерных слоев проведено комплексное исследование диагностических возможностей и особенностей применения нескольких методик фотоэлектрической спектроскопии: фотовольтаического эффекта на барьерах КРС с металлом, жидким электролитом и диэлектриком, планарной фотопроводимости.

2. Впервые методами фотоэлектрической спектроскопии исследованио низкотемпературное дефектообразование при нанесении на КРС ферромагнитного металла Со.

3. Впервые исследован эффект поля в КРС с КЯ и КТ 1п (Оа)Аз/ОаА8, Разработана новая методика исследованиям динамического эффекта поля. С применением методик ДЭП и спектроскопии малосигнального эффекта поля установлены закономерности влияния" квантово-размерных слоев < и дельта-слояМп на характеристики эффекта поля. Выяснены ' возможности^ определения из характеристик эффекта поля-ряда параметров КРС.

Практическая ценность работы а.

Результаты работы могут быть использованы для экспресс-анализа, качества выращенных КРС и усовершенствования технологии ГФЭ’МОС при создании' приборных структур. Метод ДЭП может быть использован для диагностики процессов медленного захвата носителей на ловушки и определения высоты эмиссионного барьера в КТ,. а также для определения дрейфовой подвижности носителей в. одиночных КЯ. Частично эти методики применяются в ННГУ при выращивании КРС.

На*защиту выносятся следующие основные положения:

1. Комплексное применение методик. фотоэлектрической" спектроскопии квантово-размерных структур (фотовольтаического эффекта на' барьерах КРС с металлом, жидким электролитом, диэлектриком и планарной фотопроводимости) — позволяет определять собственный и примесно-дефектный энергетический спектра сложных структур со слоями квантовых точек и квантовых ям, расположенными практическив. любом месте структуры от поверхности до внутренней границы КРС/подложка. При анализе спектров планарной фотопроводимости необходимо учитывать барьерный механизм фотопроводимости как на поверхностном, так и на внутреннем барьере КРС/подложка.

2. Динамический эффект поля является эффективным методом изучения процессов захвата неравновесных основных носителей в квантово-размерные слои и дефектные состояния в квантово-размерных структурах.

Метод позволяет определять концентрацию центров захвата и высоту эмиссионного барьера в квантовых точках, дрейфовую подвижность ¦ основных носителей в одиночных квантовых ямах и некоторые другие характеристики квантово-размерных структур.

3. При газофазной МОС-гидридной эпитаксии, нанесении ферромагнитного Со контакта, встраивании дельта-слоя' Мп в квантово-размерные структуры In (Ga)As/GaAs генерируются дефекты с глубокими уровнями, существенно влияющие на оптоэлектронные характеристики структур. Определены некоторые электронные параметры этих дефектов.

Личный вклад автора?

Автором внесен определяющий вклад в, получение основных экспериментальных результатов. Планирование экспериментов, обсуждение и анализ результатов проводились совместно с научным руководителем’работы проф. И. А. Карповичем. Часть результатов по ДЭП" получена совместно с доц. C.B. Тиховым. Исследованные в работе структуры выращены! в группе эпитаксиальной технологии НИФТИННРУ Б.Н.- Звонковым.

Апробация работы".

Основные результаты работы докладывались на 9 всероссийской конференции GaAs — 2006 «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (г. Томск, 2006 г.), 7 Российской конференции по физике полупроводников^ «Полупроводники 2007» (г. Екатеринбург, 2007 г.), Всероссийских молодежных конференциях по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (г. С. Петербург, 2006, 2007 г.), 12 и 14 международных симпозиумах «Нанофизика и наноэлектроника» (г. Нижний Новгород, 2008, 2010 г.), 6 всероссийской молодежной научной школы (г. Саранск, 2007 г.), нижегородских сессиях молодых ученых (г. Н. Новгород, 2006, 2007, 2008 г. г.), 8 конференции «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение» (г. Нижний Новгород, 2007 г.).

Публикации.

По материалам диссертационной работы опубликованы 17 научных работ: 5 статей, входящих в перечень ВАК, и 12 публикаций в материалах конференций.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, 4 глав и заключения. Общий объем диссертации составляет 137 страниц, включая 53 рисунка. Список цитируемой литературы содержит 106 наименований, список работ автора по теме диссертации 17 наименований.

Заключение

.

1. На модельных КРС с разным типом и расположением квантово-размерных слоев (КЯ, КТ, КЯ/КТ) установлены особенности спектров ФПЭ и планарной ФП и их связь с энергетическим спектром КРС. Показано, что спектры планарной ФП могут существенно отличаться от спектров ФПЭ. Они более сложны в «интерпретации в связи с необходимостью учета вклада в ФП барьерной ФП на поверхностном и внутреннем барьерах и объемной примесной ФП.

2. Методами спектроскопии ФП и ФПЭ обнаружено образование в ваАБ при МОС-гидридной эпитаксии метастабильных дефектных центров с глубоким, уровнем Ес — 0,65 эВ, которые самопроизвольно1 распадаются при комнатной температуре с временем релаксации порядка 10−20 дней.

3. Показана возможность определения энергетического спектра квантово-размерных слоев, расположенных вблизи внутреннего барьера КРС на границе с полуизолирующей подложкой, с помощью спектроскопии КФЭ всистеме ЭДП или? МДП-структуре с полуизолирующей подложкой в качестве диэлектрика.

4. Показано, что сравнительное изучение спектров ФБШ и ФПЭ" является эффективным методом обнаружения низкотемпературного образования дефектов с глубокими" уровнями при нанесении химически активных металлов на КРС. С применением этой методики установлено, что нанесение ферромагнитного Со выпрямляющего контакта при 100 °C приводит к образованию вблизи него собственного дефектного комплекса ЕЬ2. В комбинированных слоях КЯ/КТ квантовая яма эффективно защищает КТ от проникновения в них дефектов при поверхностном дефектообразовании.

5. Установлено сильное влияние встраивания 8-слоя Мп на фоточувствительность в области поглощения КЯ или КТ, зависящее от толщины спейсерного слоя между ними. При толщине спейсера около 1 нм в.

КРС с КЯ и около 10 нм в КРС с КТ фоточувствительность от квантово-размерных слоев практически исчезает. Эффект подавления фоточувствительности связан с проникновением дефектов, генерированных встраиванием дельта-слоя Мп, в квантово-размерные слои, которое приводит к увеличению скорости рекомбинации неравновесных носителей в них и, следовательно, к уменьшению эффективности их эмиссии из КЯ и КТ.

6. Развит новый метод исследования эффекта поля" — динамический эффект поля, основанный^ на измерении нестационарного изменения квазиповерхностной проводимости под действием монополярного пульсирующего напряжения, инжектирующего основные носители в полупроводник. Метод позволяет определять дрейфовую подвижность носителей в одиночных КЯ, концентрацию центров захвата и высоту эмиссионного барьера в слоях КТ и некоторые другие параметры КРС.

7. ДЭП в однородных слоях пи р-ваАБ характеризуется высоким значением подвижности в эффекте поля, близким к значению холловской подвижности основных носителей, и малой шириной* петли гистерезиса, отсутствует дисперсия подвижности в МЭП вдиапазоне 10 — 106 Гц при комнатной температуре. Дисперсия МЭП при повышенных температурах описывается частотной зависимостью с одним временем релаксации, которое экспоненциально уменьшается при повышении температуры. Относительно слабый захват инжектированных носителей в темноте сильно увеличивается при освещении слоев. Закономерности эффекта поля в однородных слоях ваАБ описываются моделью захвата инжектированных носителей через поверхностный барьер высотой 0,5 — 0,6 эВ на поверхностные состояния с квазинепрерывным распределением по энергии.

8. Встраивание слоя КТ 1пАз в поверхностный барьер ОаАэ приводит к уменьшению наклона кривой ДЭП и значительному уширению петли гистерезиса, смещению в область высоких частот и сильному уширению области дисперсии МЭП, что обусловлено захватом инжектированных носителей в слой КТ. Захват наиболее сильно проявляется, когда слой КТ встроен вблизи границы ОПЗ с квазинейтральной, областью.

9. Определенная из ДЭП поверхностная концентрация захваченных электронов в слой КТ примерно на порядок превышает поверхностную концентрацию КТ, а энергия активации процесса захвата близка к высоте-эмиссионного барьера в КТ («0,2 эВ). В однородных слоях п-ОаАэ она близка к высоте поверхностного барьера («0,6 эВ). Предложена модель двухступенчатого захвата инжектированных в эффекте поля электронов в слой КТ, согласно которой первичный захват на основной уровень размерного квантования в КТ сопровождается последующим туннельным переходом их на дефектные состояния вблизи КТ.

10. Показана возможность определения методом ДЭП дрейфовой подвижности электронов в одиночных КЯ, встроенных на границе ОПЗ с квазинейтральной областью. В исследованных КРС п-типа она примерно в три раза меньше подвижности электронов в квазинейтральной области.

11. Встраивание дельта-слоя Мл в приповерхностную область однородного слоя ваАБ, в КРС с КЯ и КТ приводит к сильному захвату основных носителей на ловушки, связанные с дельта-слоем Мш Концентрация захваченных на ловушки носителей практически не зависит от наличия и типа-квантово-размерного слоя (КЯ, КТ).

Автор выражает глубокую благодарность научному руководителю Игорю Алексеевичу Карповичу за предложенную тему исследования постоянное внимание к работе, помощь в планировании, подготовке экспериментов и обсуждении результатов. Автор благодарен Б. Н. Звонкову за изготовление гетероструктур, необходимых для исследований, П. Б. Деминой и М. В. Дорохину за измерения спектров фотолюминесценции, С В. Тихову за помощь в разработке метода динамического эффекта поля и создание диодов Шоттки, O.E. Хапугину и A.B. Здоровейщеву за техническое содействие при разработке метода динамического эффекта поля, О. В. Вихровой за измерения эффекта Холла, а так же доценту А. П. Горшкову за помощь в проведении некоторых экспериментов.

Основные публикации по теме диссертации, опубликованные в изданиях перечня ВАК.

AI. Влияние модификации* покровного слоя на свойства, водородочувствительных диодных гетероструктурс квантвой ямой Pd/GaAs/InGaAs / С. В. Тихов, ША. Карпович, Ю. Ю: Гущина, JI.A. Истомин // ПЖТФ — 2007 — Т. 33, вып. 15 — С. 69 — 74.

А2. Влияние квантово-размерных слоев! In (Ga)As на эффект поля в слоях GaAs / И. А. Карпович, C.B. Тихов, JliA. ИстоминO.E. Хапугин // Вестник Нижегородского университета, серия физическая — 2008 — № 1 — С. 25−29:

A3. О< применении-фотоэлектрической спектроскопии для исследования энергетического спектра квантово-размерных гетеронаноструктур InGaAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией- // JI.A. Истомин, И. А. Карпович, А. П. Горшков, Б. Н. Звонков, А. П. Павлов // Вестник Нижегородского университета, серия физическая — 2008 —№ 4 — С. 43 — 48.

A4. Горшков, А. П. Влияние встраивания дельта-слоя Мл на фотоэлектрические спектрыгетеронаноструктур с квантовыми ямамии точками In (Ga)As/GaAs / А. П: Горшков, JLA. Истомин, OiE. Хапугин // Вестник Нижегородского университета, серия физическая/- 2010 — № 5, ч. 2-С. 243−246.

А5. Карпович, И. А. Динамический эффект поля* в"легированных дельта-слоем Мп гетеронаноструктурах с квантовой ямой и квантовыми-точками In (Ga)As/GaAs> // И. А. Карпович, JI'.A. Истомин // Известия РАН: Серия физическая.- 2011 — Т. 75- № 1 — С. 27 — 30:

Публикации в «сборниках тезисов конференций по/геме диссертации.

А6. Истомин, Л. А. Влияние модификации1 покровного слоя на фотоэлектронные спектры квантово-размерных диодных структур In (Ga)As/GaAs / Л. А. Истомин, И. А. Карпович, П1Б. Демина // Материалы нано-, микро-, и оптоэлектроники: физические свойства. и применение. Сборник трудов 5-й межрегиональной молодежной научной школы, Саранск, 3−6 октября 2006 г. — Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2006 — С. 114.

А7. Эффект поля в гетеронаноструктурах с квантовыми точками InAs/GaAs / И. А. Карпович, С. В1. Тихов, Л. А. Истомин, А. В: Кутузов // Девятая конференция «Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V» (3−5 октября 2006 г., Томск, Россия) «GaAs-2006»: Материалы конференции. — Томск: Томский госуниверситет, 2006 — С. 345−348.

А8. Исследование процесса захвата, неравновесных носителей Вз слои квантовых точек и ям In (Ga)As/GaAs методом нестационарного эффекта поля / И-А. Карпович, G.B. Тихов, Л-А. Истомин,. G.E. Хапугин, П. Н. Мишин // Тезисы докладов VIII Российской конференции по физике полупроводниковЕкатеринбург, 30< сентября — 5 октября* 2007 г. — Екатеринбург: Институт физикишеталлов Ур (c)ФАН, 2007 —G. 263-.

А9. ИстоминЛ. А." Эффект поляв квантово-размерных гетеронаноструктурах GaAs/In (Ga)As / Л: А. ИстоминИ! А. Карпович, С. ВТихов- 0-Е. Хапугин, П: Н. Мишин // Материалы, нано-, микро-, и оптоэлектроники: физические свойства-и применение. Сборник трудов 6-й всероссийской молодежной научной школы. Саранск, 2−5 октября 2007 г. — Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2007 — С. 37.

А10. Эффект поля в гетеронаноструктурах с квантовыми точками InAs/GaAs / Л А. Истомин, И. А. Карпович, С. В. Тихов, // Восьмаявсероссийская молодежная конференция? по физике полупроводников и полупроводниковой опто-. и наноэлектронике. Тезисы докладов. 4−8 декабря^ 2006 г. С. Петербург. — Санкт-Петербург: Изд-во Политехи, унта, 2006;С. 35.

All. Влияние нанесения ферромагнитных контактов1, (Со) на фотоэлектронные спектры квантово-размерных структур InGaAs/GaAs / И. А. Ккрпович, А-П: Павлов-. Л. А. Истомин // XII Нижегородская5 сессия? молодых ученых. Естественнонаучные дисциплины-г. Нижний Новгород, 16 — 21 апреляс2007 г. — Н. Новгород: Изд-во «Издательский салон» ИП Гладкова О. В., 2007 — С.' 67. '.

А12'. Истомин* Л1А, Влияние квантово-размерных слоев и создаваемых ими примесно-дефектных центров" на эффект поляв гетеронаноструктурах In (Ga)A*s/GaAs / Л^А. Истомин, И! А. КарповичС.В. Тихов, Б. Н. Звонков // Тезисы* докладов? XIIIконференции «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение» Нижний Новгород, 28−31 мая 2007 года — Изд. Ю.А. Николаев-, 2007 — С. '262−263-: ' !¦.'.'.

А13. Динамический эффект поля в гетероструктурах с квантовыми точками InAs/GaAs / Л. А. Истомин, С. В! Тихов, И-А. Карпович// Девятая? всероссийская? молодежнаяконференция" по физике полупроводников и наноструктур* полупроводниковойоптои наноэлектронике 3−7 декабря 2007 г. С. Петербург — Санкт-Петербург: Изд-во Политехи, ун-та, 2007 -С. 39.

Al 4. Карпович, И. А. Динамический эффект поля в гетеростртурктурах с квантовыми точками InAs/GaAs / И. А. Карпович, С. В. Тихов, Л. А. Истомин // Нанофизика и наноэлектроника XII Международный Симпозиум 10 — 14 марта 2008 г. — Н. Новгород: ИФМ РАН, 2008 — Т. 2, С. 319 — 320:

Al 5. Павлов* А. П. Применение методов. фотоэлектрической спектроскопии для исследования энергетического спектра гетеронаноструктур In (Ga)As/GaAs / А. П. Павлов, Л. А. Истомин, И.А.

Карпович // XIII Нижегородская сессия молодых ученых. Естественнонаучные дисциплины г. Нижний Новгород, 20 — 25 апреля 2008 г. — Н. Новгород: Изд-во «Издательский салон» ИП Гладкова О. В., 2008;С. 71.

А16. Влияние встраивания слоя квантовых точек In As в приповерхностную область GaAs на характеристике барьеров Шоттки Au/GaAs / И. А. Карпович, C.B. Тихов, JI.A. Истомин // XXVII научные чтения имени академика Н. В. Белова. Тезисы докладов конференции 16 — 17 декабря 2008 г. — Н. Новгород: ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2008. -С. 125−127.

А17. Истомин, Л. А. Динамический эффект поля в гетеронаноструктурах с квантовой ямой и квантовыми точками In (Ga)As/GaAs, легированных 8-слоем Мп / Л. А. Истомин, И. А. Карпович // Нанофизика и наноэлектроника XIV Международный Симпозиум 15 — 19 марта 2010 г. — Н. Новгород: ИФМ РАН, 2010 — Т. 2, С. 553 — 554.

Показать весь текст

Список литературы

  1. H.' Леденцов и др. // ФТП. — 1998. Т. 32, вып. 4. — С. 38510.
  2. Bimberg, D. Quantum dot heterostructures / D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. // N.Y. USA: John Wiley & Sons. 1999 — 338 p.
  3. Sze, S.M. Evolution of Nonvolatile Semiconductor Memory: From Floating-Gate to Single-Electron-Memory Cell / S.M. Sze //Future Trends in Microelectronics. John Wiley & Sons, Inc. 1999 — P. 291−303.
  4. Balocco, C. Room-temperature operations of memory devices based on self-assembled InAs quantum dot structures / C. Balocco, A.M. Song, M. Missous // Appl. Phys. Lett. -2004 Vol. 85, n. 24. — P. 5911 — 5913.
  5. Matsukura, F. III-V Ferromagnetic Semiconductors / F. Matsukura, H. Ohno, T. DietlV/ Handb. Magn. Mater. 2002 — Vol-. 14 — P. 1−87.
  6. Effect of an electric field' on the luminescence of GaAs quantum wells / E.E. Mendes et al. // Phys. Rev. В 1986 — Vol. 26, n. 12 — P. 7101' - 7104.
  7. Carrier relaxation and electronic structure in InAs self-assembled quantum dots / К. H. Schmidt et al. // Phys. Rev. В 1996 — Vol. 54- n. 16 — P. 11 346 — 11 353.
  8. Reflectance line shapes from GaAs/Ga^Al.As quantum well structures / X.L. Zheng et al'. // Appl. Phys. Lett. 1988 — Vol. 52, n. 4 — P. 287−289.
  9. Photovoltage and photoreflectance spectroscopy of InAs/GaAs self-organized quantum dots / B.Q. Sun et al. // Appl. Phys. Lett. 1998 — Vol. 73, n.18 — P. 2657−2659.
  10. Electron-filling modulation reflectance in charged self-assembled InxGai. xAs quantum dots / T.M. Hsu et al. // Phys. Rev. В 1999 — Vol. 60, n. 4 — P. R2189 -R2192.
  11. Электроотражение и отражение структуры GaAs/AlGaAs с одиночной квантовой ямой при комнатной температуре / А. А. Герасимович и др. // ФТП 2005 — Т. 39, вып. 6. — С. 729 — 734.
  12. Kronik, L. Surface photovoltage phenomena: theory, experiment, and applications / L. Kronik, Y. Shapira // Surface Science Reports 1999 — Vol. 37, n. 1-P. 1−206.
  13. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи. — М.: Мир, 1984. — 842 с.
  14. Lang, D.V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize in semiconductors / D.V. Lang // J. Appl. Phys. 1974 -Vol. 45, n. 7 — P. 3023 -3032.
  15. Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенноей на поверхности квантвой гетероямой / И. А. Карпович и др. // ФТП 1992 — Т. 26, вып. 11.-С. 1886−1893.
  16. Photovoltage and photocurrent spectroscopy ofp+ i- n GaAs/AlGaAs quantum well heterostructures / L. Tarricone et al. // J. Appl. Phys. — 1992 — Vol. 72, n. 8 -P. 3578−3583.
  17. Determination of transition energies and oscillator strengths in GaAs-AlxGai.xAs multiple quantum wells using photovoltage-induced photocurrent spectroscopy / P.W. Yu et al. // Phys. Rev. В 1987 — Vol. 35, n. 17 — P. 9250 — 9258.
  18. Excitonic transitions and optically excited transport in GaAs/AlxGaixAs quantum wells in an electric field / R. T. Collins et al.// Superlattices and microstructures 1987 — Vol. 3, n. 3. — P. 291 — 293.
  19. Фотоэлектрические свойства* гетероструктур GaAs/InAs с квантовыми точками / Б. Н. Звонков и др. // ФТП 1997 — Т. 31, вып. 9. — С. 1100 — 1105.
  20. , А.В. Микроэлектронные датчики химического состава газов / А. В. Евдокимов, М. Н: Мушурудли, А. В. Ржанов // Зарубеж. электрон, техника -1988-вып. 2-С. 231.
  21. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с контактом Шоттки «ферромагнитный металл"/ЧЗаА8 / М. В. Дорохин и др.// Письма в ЖТФ 2006 — Т. 32, вып. 24. -С. 46−52.
  22. Образование дефектов в GaAs и Si при осаждении-Pd на поверхность. / И. А. Карпович и др.// ФТП 2006 — Т. 40, вып. 3. — С. 319 — 323:
  23. Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP / И. А. Карпович и др. // ФТП—1989 Т. 23, вып. 12 — С. 2164 — 2170.
  24. , Э. Физика поверхности / Э: Зенгуил. М.: Мир, 1990: — 536 с.
  25. Steady-state carrier escape from single quantum wells / J. Nelson et al. // IEEE J. Quantum Electron 1993 — Vol. 29, n. 6 — P. 1460 — 1468.
  26. Photocurrent studies of the carrier escape process from InAs self-assembled quantum dots / W.H. Chang et al.'// Phys. Rev. B. 2000 — Vol. 62, nt 11 — P. 6959 — 6962.
  27. Grundmann, M. InAs/GaAs pyramidal quantum dots: Strain distribution, optical phonons, and- electronic structure / M. Grundmann, O. Stier, D. Bimberg // Phys. Rev. В.-1995-Vol. 52, n. 16-P: 11 969- 11 981.
  28. Marzin, J-Y. Calculation of the energy levels in- InAs/GaAs quantum dots / J-Y.Marzin, G. Bastard // Solid State Commun 1994 — Vol. 92, n. 5 — P. 437 — 442'.
  29. Medeiros — Ribeiro, G. Electron and hole energy levels in InAs self-assembled quantum dots / G. Medeiros Ribeiro- D. Leonard- P.M. Petroff // Appl. Phys. Lett. -1995 -Vol. — 66, n. 14 — P: — 1767 — 1769:
  30. Electric-field-dependent'carrier capture and’escape in self-assembled InAs/GaAs quantum dots / P.W. Fry. et al.// Appl- Phys. Lett. 2000— Vol:.77, n. 26 — P. 43 444 346.
  31. Photocurrent and capacitance spectroscopy of Schottky barrier structures incorporating InAs/GaAs quantum dots / P.N. Brunkov et al. // Phys. Rev. В -2002 Vol. 65, n: 8 — P. 85 326 — 85 326.
  32. Emission of electrons from the ground and first excited states of self-organized InAs/GaAs quantum dot structures / P.N. Brunkov et al. // Journal of electronic materials 1999 — Vol. 28, n.5 — P. 486 — 490.
  33. Quantum-confined Stark shift in electroreflectance of InAs/Ir^Ga^As self-assembled quantum dots / Т. M. Hsu et al. // Appl. Phys. Lett. 2001 — Vol. 78, n. 12 — P. 1760 — 1762.
  34. Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нм с широкими туннельно-связанными волноводами- / Н. Б. Звонков и др. // Квантовая электроника 1999. — Т. 26, № 3 — С. 217 — 218.
  35. Saito, N. Influence of GaAs capping on the optical properties of InGaAs/GaAs surface quantmn dots with 1.5 //m emission /N. Saito, K. Nishi- S- Sugou7/ Appl. Phys. Lett. 1998 — Vol. 73, n. 19 — P. 2742 — 2744.
  36. Управление энергетическим спектром квантовых точек InAs/GaAs изменением толщины и состава тонкого- двойного) покровного слоя GaAs/InGaAs / И. А. Карпович и др. 7/ ФТП 2004 — Т. 38, вып: 4 — С. 448 -454., • ¦¦"-'¦
  37. Влияние1 легирования слоя квантовых точек InAs висмутом на морфологию! и фотоэлектронные свойства гетерострукгур GaAs/InAs, полученных газофазнощэпитаксией / БМЗвонков и // ФТП 200В — Т. 35, вып. 1-С. 92 -97.
  38. Применение размерно-квантовых структур для исследования дефектообразованияша поверхности полупроводников / И. А. Карпович, А. В. Аншон, Н.В. Байдусьи^др. //ФТП— 1994-т. 28, № Г -С. 104−112.
  39. Chen, Y.C. Suppression of defect propagation in> semiconductors by pseudomorphic layers / Y.C. Chen, J. Singh' E.K. Bhattacharya // J. Appl. Phys. -1993 Vol.' 74, n. 6 — P. 3800 — 3804.
  40. Перестройки дефектов структуры полупроводников, стимулированные химическими реакциями' на поверхности кристалла / А. Ф. Вяткин и др. // Поверхность 1986 — Т. 11 — С. 67 — 72.
  41. Optical investigation of highly strained InGaAs-GaAs .-multiple quantum wells / G. Huang et al. //. J. Appl. Phys. 1987 — Vol. 62- n. 8 — P. 3366 — 3373.
  42. Влияние водорода на свойства» диодных структур, с квантовыми1 ямами Pd/GaAs/InGaAs / И. А. Карпович, и др. // ФТП 2002. — Т. 36, вып. 5 — С. 582−586.
  43. , Н.Т. ЕЬ2-центр в GaAs: симметрия, и метастабильность / Н. Т. Баграев // ЖЭТФ 1991 — Т. 100, выт 4 — С. 1378 -1391.
  44. , G. М: The Mid-gap donor level EL2 in, gallium arsenide / G. M. Martin, • S. Makram-Ebeid // Deep Centers in Semiconductors — Gordon and Breach, New York-1986-P. 457−546.
  45. Figielski, T. Symmetry of the EL2 defect in GaAs / T. Figielski, T. Wosinski // Phys. Rev. В 1987 — Vol. 36, n. 2 — P. 1269 — 1272.
  46. Wager, J. F. Atomic model for the EL2 defect in GaAs / J. F. Wager, J. A. Van Vechten // Phys. Rev. В 1987 — Vol:, 35, n: 5 — P. 2330 — 2339:
  47. Baraff, G. A. Bistability and Metastability of the Gallium Vacancy in GaAs: The Actuator of EL 2? / G. A. Baraff, M. Schluter // Phys. Rev. Lett. 1985 — Vol. 55, n. 21-P. 2340−2343.
  48. Bardeleben, H. J. Identification of EL2 in GaAs / H. J. von Bardeleben, D. Stievenard- J. C. Bourgoin // Appl. Phys. Lett. 1985 — VoL 47, n. 9 — P. 970 — 971.
  49. Identification of a defect in a semiconductor: EL2 in GaAs / H. J. von Bardeleben et al. // Phys. Rev. В 1986 — Vol. 34, n. 10 — P. 7192 — 7202.
  50. Bourgoin, J. C. Native defects in gallium arsenide / J. C. Bourgoin, H. J. von Bardeleben // J. Appl. Phys. 1988 — Vol. 64, n. 9 — P: R 65.
  51. Arsenic antisite defect AsGa and’EL2 in GaAs / В. K. Meyer et al. // Phys. Rev. В 1987 — Vol. 36, n. 2 — P. 1332 — 1335.
  52. Metastable state of EL2 in GaAs / C. Delerue et al. // Phys. Rev. Lett. 1987 -Vol. 59, n. 25 — P. 2875 — 2878.
  53. Baraff, G. A. Electronic structure and binding energy of the AsGa As, pair in GaAs: EL2 and the mobility of interstitial arsenic / G. A. Baraff, M. Schluter // Phys. Rev. В — 1987 — Vol. 35, n. 12 — P. 6154 — 6164.
  54. Kaminska, M. Identification of the 0.82-eV Electron Trap, EL2 in" GaAs, as an Isolated Antisite Arsenic Defect / M. Kaminska, M: Skowronski, W. Kuszko // Phys. Rev. Lett. 1985 — Vol: 55, n. 20 — P. 2204 — 2207.
  55. Losee, D.L. Admittance spectroscopy of impurity levels in Schottky barriers / D.L. Losee // J. Appl. Phys. 1975 — Vol. 46, n. 5 — P. 2204 — 22 141.
  56. Measurement of isotype heterojunction barriers by C-V profiling / H. Kroemer et al. // Appl. Phys. Lett. 1980 — Vol. 36, n. 4 — P. — 295 — 296.
  57. Measurement of the conduction-band discontinuity of molecular beam epitaxial grown In0.52Alo .isAs/Ino.53Gao 47As, N-n heterojunction by С- V profiling / R. People et al. // Appl. Phys. Lett. 1983 -Vol. 43, n. 1 -P: 118 — 119.
  58. Исследование квантовых ям C-V-методом / В. Я. Алешкин и др. 7/ ФТП -1991 Т. 25, вып. 6 — С. 1047 — 1052.
  59. Spatial resolution of the capacitance-voltage profiling technique on semiconductors with quantum confinement / E.F. Schubert et al. // Appl. Phys. Lett. 1990 — Vol. 57, n. 5 — P. 497 — 499.
  60. Brunkov, P.N. Simulation of the capacitance-voltage characteristics of a single-quantum-well structure based on the self-consistent solution of the Schrodinger and
  61. Poisson equations / P.N. Brunkov, T. Benyattou, G. Guillot // J. Appl. Phys. 1996 -Vol. 80, n. 2 — P. 864−871.
  62. Electronic structure of self-assembled InAs quantum dots in GaAs matrix / P.N. Brunkov et al. // Appl. Phys. Lett. 1998 -Vol. 73, n. 8 — P. 1092 — 1094.
  63. Kim, J. Comparison of the electronic structure of InAs/GaAs pyramidal quantum dots with different facet orientations / J: Kim, L.-W. Wang, A. Zunger // Phys. Rev В 1998-Vol. 57, n. 16-P. R9408 -R94011.
  64. Deep level transient spectroscopy of InP quantum dots / A. Anand et al. // Appl. Phys. Lett. 1995 — Vol. 67, n. 20 — P. 3016 — 3018.
  65. Hole and5 electron emission «from InAs quantum dots / C.M.A. Kapteyn, M. Lion, R. Heitz et al. // Appl. Phys. Lett. 2000 — Vol. 76, n. 12 — Pf 1573 — 1575.
  66. Electron escape from lnAs quantum dots / C.M.A. Kapteyn et al. i// Phys. Rev. В 1999 — Vol. 60, n. 20 — P. 14 265 — 14 268.
  67. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в лазерных структурах InAs/GaAs с вертикально связанными квантовыми точками / М. М. Соболев и др.//ФТП-1997-Т. 31, вып. 10-С. 1249−1254.
  68. Room-temperature operation of a memory-effect AlGaAs/GaAs heterojunction field-effect transistor with self-assembled InAs nanodots / K. Koike et al.' // Appl. Phys. Lett. 2000 — Vol. 76, n. 11 — P. 1464 — 1466.
  69. Емкостная спектроскопия глубоких состояний в- InAs/GaAs-гетероструктурах с квантовыми точками / М. М. Соболев и др. // ФТП — 1999 -Т. 33- вып. 2 С. 184 -192.
  70. , Ф.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников / Ф. В. Ржанов. М.: Наука — 1971. — 480 с.
  71. , Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов / Л. П. Павлов. — М.: Высшая школа- 1985. — 240 с.
  72. , Г. П. Физика поверхности полупроводников / Г. П. Пека. — Киев.: Издательство Киевского университета, 1967.— с. 190.
  73. Schockley, W. Modulation of Conductance of Thin Films of Semi-Conductors by Surface Charges / W. Schockley, G.L. Pearson // Phys. Rev. 1948 — Vol. 74, n. 2-P. 232−233.
  74. Schrieffer, J.R. Effective Carrier Mobility in Surface-Space Charge Layers / J.R. Schrieffer // Phys. Rev. 1955 — Vol. 97, n. 3 — P. 641 — 646.
  75. Appl. Phys. Lett. 1991 — Vol. 75, n. X-P. 1075.
  76. Parallel conduction in GaAs/AlxGaixAs modulation doped heterojunctions / M. J>. Kane, N. Apsley, D. A. Anderson et al. // J. Phys. С 1985 — Vol. 18, n. 29 — P. 5629−5636.
  77. Electrical transport of holes in GaAs/InGaAs/GaAs single strained quantum wells /1 J. Fritz et al. // Appl. Phys. Lett. 1986 — Vol. 48, n. 24 — P. 1678 — 1680.
  78. Magnetotransport and luminescence mesurements in an n-type selectively doped InGaAs/GaAs strained quantum well structure /1 J. Fritz et al. // Appl. Phys. Lett. 1987 — Vol. 50, n. 19 — P. 1370 — 1372.
  79. Room-temperature determination of two-dimensional electron gas concentration and mobolity in heterostructures / S. E. Schacham et al. // Appl. Phys. Lett. 1993 -Vol. 62, n. 11-P. 1283−1285.
  80. Fritz, I J. Electron Mobilities in In0.2Ga0.sAs/GaAs strained-layer superlattices / I J. Fritz L.R. Dawson, Т.Е. Zipperian // Appl* Phys. Lett. 1983 — Vol. 43, n. 9 -P. 846 — 848.
  81. Гетероэпитаксиальная пассивация поверхности GaAs / И. А. Карпович, Б. И. Бедный, Н. В. Байдусь и др. // ФТП 1993 — т. 27, № 10. — С. 1736 — 1742.
  82. Surfactant effect of bismuth in MOVPE growth of the InAs quantum dots on GaAs/ B.N.Zvonkov et al. // Nanotechnology 2000. — Vol. 11, n. 4 — P. 221 -226.
  83. Montgomery, Н.С. Field, Effect in Germanium at High • Frequencies / H.C. Montgomery // Phys. Rev. 1957 — Vol. 106, n. 3 — P. 441−445.
  84. Карпович, Hi А. Эффект поля в монокристаллических пленках GdSe / И. А. Карпович, C.B. Тихов, А. И. Калинин // Изв. вузов, Физика — 1971 — № 3 С. 43−47.
  85. , В.Н. Электронные' процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда / В. Н. Овсюк. СО. Новосибирск.: Наука, 1984 -255 с.
  86. G. Lucovsky // Sol. st. Commun. 1965 — Vol. 3 — Pi 299.
  87. Electrical study of Schottky barriers on atomically clean GaAs (100) surfaces-/ N. Newman et al. // Phys. Rev. B. 1986. — V.33, n. 2. — P. l 146−1159.
  88. Effect of carrier emission and retrapping on luminescence time decays in InAs/GaAs quantum dots / W. Yang et al. // Phys. Rev. В 1997 — Vol. 56, n. 20 -P. 13 314−13 320.
  89. Near-surface GaAsZGao.7Alo.3As quantum wells: Interaction with the surface states / J.M. Moison et al. // Phys. Rev. B 1990 — Vol. 41, n. 18 — P. 12 945 -12 948.
  90. Warburton, RJ. Charged excitons in self-assembled quantum dots / R.J. Warburton et. al. // Phys. Rev. Lett. 1997 — Vol. 79, n. 26 — P. 5282 — 5285.
  91. Miller, B.T. Few-electron ground states of charge-tunable self-assembled quantum dots / B.T. Miller et. al. // Phys. Rev. B 1997 — Vol. 59, n. 11 — P. 6764 -6769.
  92. Photocurrent studies of the carrier escape process from InAs self-assembled quantum dots / W.-H. Chang et al. // Phys. Rev. B 2001 — Vol. 62, n. 11 — P. 6959−6962.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!