Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электронный спектр многофазной системы неравновесных носителей заряда и условия возникновения коллективных эффектов в полупроводниковых квантоворазмерных гетероструктурах

Диссертация: Электронный спектр многофазной системы неравновесных носителей заряда и условия возникновения коллективных эффектов в полупроводниковых квантоворазмерных гетероструктурах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Коллективные взаимодействия неравновесных носителей заряда и экситонов в полупроводниковых кристаллах широко и подробно исследовались начиная с 70-х годов. За последние годы этой проблеме посвящено огромное количество теоретических и экспериментальных работ, где с учетом индивидуальных характеристик объемных полупроводниковых кристаллов изучены различные многочастичные состояния в неравновесной… Читать ещё >

Электронный спектр многофазной системы неравновесных носителей заряда и условия возникновения коллективных эффектов в полупроводниковых квантоворазмерных гетероструктурах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Обзор литературы
  • 1. Зонная структура
  • 2. Экситоны в
  • 3. Электронно-дырочная жидкость
  • 4. Электронно-дырочная плазма
  • 5. Зонная структура напряженной пленки Б^-яСехД^
  • 6. Фотолюминесценция квантовых ям 81/811хСех/
  • 7. Фазовые переходы в низкоразмерных системах
  • Глава 1. Эксперимент
    • 1. 1. Гетероструктуры Бц-яСех/Э!
    • 1. 2. Фотолюминесценция
  • Глава 2. Экситонная люминесценция 81Се/81 квантовых
    • 2. 1. Экспериментальные результаты
    • 2. 2. Анализ формы линии экситонного излучения
    • 2. 3. Выводы главы
  • Глава 3. Фазовые переходы «газ — жидкость» и «металл — диэлектрик» в квазидвумерной системе
    • 3. 1. Электронно-дырочная плазма
    • 3. 2. Электронно-дырочная жидкость
    • 3. 3. Выводы главы
  • Глава 4. Влияние зонной структуры на многочастичные состояния и связанные с ними фазовые переходы
    • 4. 1. Фазовый переход «газ — жидкость» в квазидвумерных системах с барьером
    • 4. 2. Многочастичные состояния в сжатом экситонном газе
    • 4. 3. Выводы главы

Актуальность работы.

Изучение физических процессов, протекающих в сильнокоррелированных системах пониженной размерности, является одной из ключевых проблем, успешное решение которой определяет прогресс современных нанотехнологий в области полупроводниковой оптоэлектроники и лазерной физики. В частности, исследование коллективных эффектов в неравновесной электронно-дырочной системе объемных полупроводников и полупроводниковых наноструктур необходимо для получения качественных и количественных данных используемых при разработке оптоэлектронных устройств. Не решенной фундаментальной задачей, связанной с этими исследованиями, является описание сильнокоррелированных систем взаимодействующих фермионов в условиях пониженной размерности.

Коллективные взаимодействия неравновесных носителей заряда и экситонов в полупроводниковых кристаллах широко и подробно исследовались начиная с 70-х годов. За последние годы этой проблеме посвящено огромное количество теоретических и экспериментальных работ, где с учетом индивидуальных характеристик объемных полупроводниковых кристаллов изучены различные многочастичные состояния в неравновесной электронно-дырочной системе и связанные с ни ми фазовые переходы. В частности, для целого ряда кристаллов экспериментально обнаружено образование электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ)[1] металлического типа, а также вырожденной электронно-дырочной плазмы (ЭДП) и подробно исследованы условия их возникновения и свойства. Тем не менее, даже в случае объемных кристаллов остается нерешенным широкий круг вопросов, касающихся, например, природы низкочастотного размытия спектров излучения ЭДЖ и ЭДП в полупроводниках, как с прямой [2], так и непрямой щелью [3], возможности образования второй конденсированной фазы и ее свойств [4], исследований конкурирующих многочастичных эффектов, осложняющих экспериментальное наблюдения ЭДЖ в некоторых бинарных соединениях [5] и т. д.

В ранних теоретических работах было показано, что у ряда модельных квазиодномерных и квазидвумерных систем, общей чертой которых является сильная анизотропия электронного спектра, возможна дополнительная стабилизация конденсированного состояния, по сравнению с трехмерным случаем. Кроме того, ввиду изменения характера экранировки кулоновского взаимодействия в таких системах и усиления вклада в коллапс экситонов фактора заполнения электронных и дырочных состояний [6−11], исследования фазовых переходов в системах с пониженной размерностью представляют особый интерес.

Цель диссертационной работы* состоит в исследовании фазовых переходов в электронно-дырочной системе с пониженной размерностью, определении условий образования и основных свойств коллективных состояний.

Для достижения поставленных целей были решены следующие задачи:

1. Был произведен выбор оптимальных для изучения коллективных состояний параметров структур 311жСеж/81;

2. Исследованы экситонные состояния в квантовых ямах и слоях кремния и условия перехода «экситонный газ — плазма» в квазидвумерной системе;

3. Проведено исследование коллективных состояний методами стационарной и разрешенной по времени низкотемпературной фотолюминесценции, а также 2Ед люминесценции при различных температурах и плотностях мощности лазерного возбуждения;

4. На основе модели квазидвумерной плазмы, разработана методика для описания формы линии излучения электронно-дырочной жидкости в ИК и 2Ед спектрах с учетом однородного уширения.

Научная новизна.

1. Обнаружена двумерная электронно-дырочная жидкость в квантовых ямах БЮв/Б! с низким (< 7%) содержанием германия;

2. Исследовано влияние барьера для — электронов на свойства фазового перехода «экситонный газ — ЭДЖ»;

3. В спектрах 2Ед люминесценции обнаружен новый канал рекомбинации, предположительно, связанный с излучением заряженных многоэкситонных комплексов.

Практическая значимость Результаты, изложенные в диссертации, могут быть использованы для конструирования и разработки оптоэлектронных устройств, совместимых с кремниевой технологией.

На защиту выносятся следующие основные результаты и положения:

1. Обнаружено образование электронно-дырочной жидкости в квантовых ямах ЗЦ-жСе^/З! шириной 5нм и определена критическая для конденсированной фазы концентрация германия х = 7%.

2. Основные характеристики ЭДЖ в квантовой яме с содержанием германия 5% имеют следующие значения: равновесная концентрация носителей п ~ 1012 см-2, критическая температура Тс = 25 К, работа выхода из ЭДЖ ср = 0,8 мэВ, время жизни носителей т = 400 не.

3. Работа выхода из ЭДЖ на пару частиц монотонно увеличивается при понижении содержания германия в слое твердого раствора и достигает бмэВ при х = 2,9%.

4. Расчет формы линии ЭДЖ в 2Ед спектрах, основанный на модели квазидвумерной плазмы с учетом однородного уширения, находится в хорошем согласии с экспериментальными данными.

5. Обнаруженный в 2Ед спектрах новый канал рекомбинации наблюдается в температурном диапазоне 5−32 К и сохраняет спектральное положение своей линии излучения неизменным.

Апробация работы Основные результаты диссертации докладывались на следующих конференциях:

1. 29th International Conference on the Physics of Semiconductors, Rio de Janeiro (Brazil), 27 July-1 August 2008.

2. XII школа молодых ученых «Актуальные проблемы физики», Звенигород, 23−27 ноября, 2008.

3. 51-я научная конференции МФТИ «Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук», Москва—Долгопрудный, ноябрь 2008.

4. XIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектрони-ка», Нижний Новгород, 16−20 марта, 2009.

5. IX Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск—Томск, 2009.

6. 52-я научная конференции МФТИ «Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук», Москва—Долгопрудный, ноябрь 2009.

7. XIV международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектрони-ка», Нижний Новгород, 15−19 марта, 2010.

8. 53-я научная конференция МФТИ «Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук», Москва—Долгопрудный, 2010.

9: XIII школа молодых ученых «Актуальные проблемы физики», Звенигород, 14−19 ноября, 2010.

10. XV международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектрони-ка», Нижний Новгород, 14−18 марта, 2011.

Публикации. Материалы диссертации опубликованы в 15 печатных работах, из них 4 статьи в рецензируемых журналах, 4 статьи в сборниках трудов конференций и 7 тезисов докладов.

Список публикаций:

1. В. С. Багаев, В. В. Зайцев, В. С. Кривобок и др. Каналы излуча-тельной рекомбинации и фазовые переходы в системе неравновесных носителей в тонкой квантовой яме 81о, 9зСео, о7/31 // ЖЭТФ. 2008. — 11. Т. 134, N0 5. С. 988−994.

2. С. Н. Николаев, В. С. Кривобок, А. Ю. Клоков, В. С. Багаев. Система для регистрации слабых световых сигналов с наносекунд-ным временным разрешением // ПТЭ. 2009. Т. 52. С. 121−124.

3. Bagaev V. S., Krivobok V. S., Nikolaev S. N. et al. Observation of the electronhole liquid in SiixGex /Si quantum wells by steady-state and time-resolved photoluminescence measurements // Phys. Rev. B. 2010. — Sep. Vol. 82, no. 11. P. 115 313.

4. В. С. Багаев, В. С. Кривобок, С. Н. Николаев и др. Влияние барьера для электронов на конденсацию экситонов и спектр многочастичных состояний в квантовых ямах SiGe/Si // Письма в ЖЭТФ. 2011. — 7. Т. 94. С. 63.

Личный вклад автора Содержание диссертации и основные положения, выносимые на защиту, отражают персональный вклад автора в опубликованные работы. Подготовка к публикации полученных ре, зультатов проводилась совместно с соавторами, причем вклад диссертанта был определяющим. Все представленные в диссертации результаты получены лично автором.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, обзора литературы, 4 глав, заключения, библиографии и приложения. Общий объем диссертации 120 страниц, из них 102 страницы текста, включая 34 рисунка и 6 таблиц. Библиография включает 89 наименований на 14 страницах.

4.3. Выводы главы.

Показано, что возможность образования конденсированной фазы в квантовых ямах Б^-жСва-/^ шириной 5нм определяется величиной барьера для элементов в слое 81Се, высота которого монотонно возрастает при увеличении концентрации германия. С уменьшением содержания германия растет как равновесная концентрация, так и энергия связи носителей в ЭДЖ, достигая бмэВ при х ~ 2,9 — 3,5%. В системе с барьером, близким к критическому для образования ЭДЖ, конденсированная фаза наблюдается при аномально высоких температурах (25 К), несмотря на очень низкую энергию связи (0,8мэВ). Данное явление объясняется влиянием квадрупольного отталкивания пространственно непрямых экситонов на химический потенциал газовой фазы и скорость испарения ЭДЖ. При температурах ~ 5 — 25 К в спектрах 2Ед люминесценции обнаружен новый канал рекомбинации, смещенный в коротковолновую область относительно линии локализованных мно-гоэкситонных комплексов. Данный канал характеризуется неизменным спектральным положением линии излучения, ее значительным низкочастотным размытием и экспоненциальным коротковолновым спадом, зависящим от плотности мощности возбуждения и температуры.

Заключение

.

В узких (5 нм) квантовых ямах 811жСех/81 с низким (< 7%) содержанием германия обнаружено образование электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ), подтвержденное методами как стационарной, так неразрешенной по времени, спектроскопии в ИК и видимой (2Ед спектры) — области: '.

Показано^ что при гелиевых температурах в структурах с квантовой ямой 81о, 95С^Об/Зг толщиной ^ 5 нм с ростом плотности мощности возбуждения образуется конденсированная фаза с концентрацией ~ 1,0 • 1012 см-2 и временем жизни ~ 400 не. Характер перехода «газ-жидкость» зависит от соотношения флуктуаций-дна экситонной зоны — о и тепловой энергии /гТ. При температурах, не превосходящих критическую температуру ЭДЖ и таких, что о «С кТ с ростом плотности мощности возбуждения наблюдается расслоение системына фазы эк-ситонов и ЭДЖ характерное для переходов первого рода.

Показано, что возможность образования конденсированнойфазы в квантовых ямах 81]хСеж/8г шириной- 5 нм определяется величиной барьера для электронов в слое ЭЮе, высота которого монотонно возрастает при увеличении концентрации германияС уменьшением содержания германия растет как равновесная концентрация, таки, энергия связи носителей в ЭДЖ, достигая бмэВ при а- ~ 2,9−3,5%.

Обнаружено повышение стабильности и уменьшение работы выхода. изЭДЖ. при: повышении концентрации Се до 5−7%, связанные с квадрупольным отталкиванием пространственно непрямых экситонов в структурах II рода.

При температурах ~ 5−25 К в спектрах 2Ед люминесценции обнаружен новый канал рекомбинации, смещенный в коротковолновую область относительно линии локализованных многоэкситонных комплексов. Данный канал характеризуется неизменным спектральным положением линии излучения, ее значительным низкочастотным размытием и экспоненциальным коротковолновым спадом, зависящим от плотности мощности возбуждения и температуры.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Электронно-дырочные капли в полупроводниках, Под ред. К. Д. Джефрис, J1. В. Келдыш. Современные проблемы науки о конденсированных средах. Наука, 1988.
  2. О., Goebel Е. О., Romanek К. М. et al. Electron-hole plasma in direct-gap semiconductors with low polar coupling: GaAs, InP, and GaSb // Phys. Rev. B. 1978. -Jun. Vol. 17, no. 12. Pp. 4775−4787.
  3. Landsberg P. Radiative decay in compound semiconductors // Solid-State Electronics. 1967. Vol. 10, no. 6. Pp. 513−537. URL: http://www. sciencedirect.com/science/article/pii/38 110 167 901 347.
  4. Smith L. M., Wolfe J. P. Time-resolved study of electron-hole plasmas near the liquid-gas critical point in Si: Evidence for a second condensed phase // Phys. Rev. B. 1995.-Mar. Vol. 51, no. 12. Pp. 7521−7543.
  5. В. С. Багаев, В. В. Зайцев, Ю. В. Клевков, В. С. Кривобок. Экситон-дырочное рассеяние в ZnTe // ФТТ. 2005. Т. 47, № 10. С. 1758−1761.
  6. N., Gibbs Н. М., Jewell J. L. et al. Blue Shift of the Exciton Resonance due to Exciton-Exciton Interactions in a Multiple-Quantum-Well Structure // Phys. Rev. Lett. 1984. —Dec. Vol. 53, no. 25. Pp. 2433−2436.
  7. Hulin D., Mysyrowicz A., Antonetti A. et al. Well-size dependence of exciton blue shift in GaAs multiple-quantum-well structures // Phys. Rev. B. 1986.-Mar. Vol. 33, no. 6. Pp. 4389−4391.
  8. H., Reinholz. Mott effect for an electron-hole plasma in a two-dimensional structure // Solid State Communications. 2002. Vol. 123, no. 11. Pp. 489−494. URL: http://www.sciencedirect.com/ science/article/pii/S0038109802004234.
  9. Ben-Tabou de Leon S., Laikhtman B. Mott transition, biexciton crossover, and spin ordering in the exciton gas in quantum wells // Phys. Rev. B. 2003.-Jun. Vol. 67, no. 23. P. 235 315.
  10. Lozovik Yu. E., Berman O. L. The excitonic superfluid liquid in the system of spatially separated electrons and holes // Physica Scripta. 1997. Vol. 55, no. 4. P. 491. URL: http://stacks.iop.org/1402−4896/55/ i=4/a=021.
  11. П. Ю, M. Кардона. Основы физики полупроводников. Физматлит, 2002.
  12. Kohn W., Luttinger J. M. Quantum Theory of Cyclotron Resonance in Semiconductors // Phys. Rev. 1954.-Oct. Vol. 96. Pp. 529−530. URL: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.96.529.2.
  13. P. С. Нокс. Теория экситонов. Москва: Мир, 1966. URL: http: //books.google.com/books?id=uUmhPgAACAAJ.
  14. Dexter P. J., Knox R. S. Excitons. New York: Wiley, 1965.
  15. Dean P. J., Haynes J. R., Flood W. F. New Radiative Recombination Processes Involving Neutral Donors and Acceptors in Silicon and Germanium // Phys. Rev. 1967.-Sep. Vol. 161, no. 3. Pp. 711−729.
  16. Nilsson G., Nelin G. Study of the Homology between Silicon and Germanium by Thermal-Neutron Spectrometry // Phys. Rev. B. 1972. — Nov. Vol. 6, no. 10. Pp. 3777−3786.
  17. Weber W. Adiabatic bond charge model for the phonons in diamond, Si, Ge, and a- Sn // Phys. Rev. B. 1977.-May. Vol. 15, no. 10. Pp. 4789−4803.
  18. R. В., Smith D. L., McGill Т. C. Temperature Dependence of Silicon Luminescence Due to Splitting of the Indirect Ground State // Phys. Rev. Lett. 1975. Dec. Vol. 35, no. 22. Pp. 1535−1538.
  19. Sauer R. Evidence for Bound Multiple-Exciton Complexes in Silicon // Phys. Rev. Lett. 1973.-Aug. Vol. 31, no. 6. Pp. 376−379.
  20. JI. В. Келдыш // Тр. 9-й Междунар. конф. По физике полупроводников. Л.: Наука, 1968. С. 1303.
  21. В. С. Багаев, Т. И. Галкина, Н. А. Пенин и др. Осцилляции излучения электронно-дырочной Ферми жидкости в германии в сильны магнитных полях // Письма в ЖЭТФ. 1972. Т. 16. С. 120.
  22. В. С. Багаев, Т. И. Галкина, О. В. Гоголин, Л. В. Келдыш. Движение электронно-дырочных капель в германии // Письма в ЖЭТФ. 1969. Т. 10. С. 309.
  23. Voisin P., Etienne В., Voos М. Investigations of the Nucleation of Electron-Hole Drops in Si // Phys. Rev. Lett. 1979. —Feb.
  24. Vol. 42. Pp. 526−529. URL: http://link.aps.org/doi/10.1103/ PhysRevLett.42.526.
  25. Westervelt R. M. Nucleation Phenomena in Electron-Hole Drop Formation in Ge and Si. IL Application to Observable Phenomena // physica status solidi (b). 1976. Vol. 76, no. 1. Pp. 31−43. URL: http://dx.doi.org/10.1002/pssb.2 220 760 103.
  26. Л. В. Келдыш, Ю. В. Копаев. Возможная неустойчивость полуметаллического. состояния относительно кулоновского взаимодействия // ФТТ. 1964. Т. 6. С. 2791.
  27. Cloizeaux J. D. Exciton instability and crystallographic anomalies in semiconductors // Journal of Physics and Chemistry of Solids: 1965. Vol. 26, no. 2. Pp: 259−266. URL: http://www.sciencedirect. com/-science/article/pii/22 369 765 901 538.
  28. Mott N. Electrons in disordered structures // Advances in Physics: 1967. Vol. 16, no. 61. Pp. 49−144. http: //www.tandfonline.com/doi/pdf/10.1080/18 736 700 101 265^ URL: http://www.tandfonline.eom/doi/abs/10.1080/ 18 736 700 101 265.
  29. Mott N. F. Metal-insulator transitions. New York: Barnes and Noble, 1974.
  30. В. Д. Кулаковский, И. В. Кукушкин, В. Б. Тимофеев. Partial composition of a dense electron-hole system and exciton-plasma transition in uniaxially stressed silicon // ЖЭТФ. 1980. T. 78. C. 381.
  31. Yang L., Watling J. R., Wilkins R. C. W. et al. Si/SiGe heterostruc-ture parameters for device simulations // Semiconductor Science and Technology. 2004. Vol. 19, no. 10. P. 1174. URL: http://stacks. iop.org/0268−1242/19/i=10/a=002.
  32. Rieger M. M., Vogl P. Electronic-band parameters in strained Sii-aGe^ alloys on Sii-yGe^ substrates // Phys. Rev. B. 1993.— Nov. Vol. 48. Pp. 14 276−14 287. URL: http://link.aps.org/doi/10. 1103/PhysRevB.48.14 276.
  33. Penn C., Schaffler F., Bauer G., Glutsch S. Application of numerical exciton-wave-function calculations to the question of band alignment in Si/Sil xGex quantum wells // Phys. Rev. B. 1999. — May. Vol. 59, no. 20. Pp. 13 314−13 321.
  34. D. J., Canham L. Т., Barnett S. J', et al. Near-band-gap photoluminescence from pseudomorphic Sil-xGex single layers on silicon // Journal of Applied Physics. 1992. Vol. 71, no. 3. Pp. 1407−1414. URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.351 262.
  35. T. M. Бурбаева, E. A. Бобрика, В. A. Курбатова и др. Электронно-дырочная жидкость в напряженных SiGe-слоях кремниевых гетеро-структур // Письма в ЖЭТФ. 2007. Т. 85, № 7. С. 410−413.
  36. L. С., Thewalt M. L. W., Houghton D. С. et al. Photoluminescence mechanisms in thin SiixGex quantum wells // Phys. Rev. В. 1993.-Jun. Vol. 47. Pp. 16 655−16 658. URL: http: //link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.47.16 655.
  37. Shum K., Mooney P. M., Tilly L. P., Chu J. O. Quantum-confined biexcitons in SiixGex grown on Si (001) // Phys. Rev. В. 1997. — May. Vol. 55. Pp. 13 058−13 061. URL: http://link.aps.org/doi/ 10.1103/PhysRevB.55.13 058.
  38. Shiraki Y., Fukatsu S. Investigation of luminescence in strained SiGe/Si modulated quantum well and wire structures // Semiconductor Science and Technology. 1994. Vol. 9, no. US. P. 2017. URL: http://stacks. iop.org/0268−1242/9/i=llS/a=027.
  39. Xiao X., Liu C. W., Sturm J. C. et al. Photoluminescence from electron-hole plasmas confined in Si/Sil-xGex/Si quantum wells // Journal of Applied Physics. 1992. Vol. 60, no. 14. Pp. 1720−1722. URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.107 196.
  40. Ogawa Т., Tomio Y., Asano K. Dynamical mean-field theory for the exciton Mott transition in electron-hole systems // Journal of Physics: Conference Series. 2005. Vol. 21, no. 1. P. 112. URL: http://stacks. iop.org/1742−6596/21/i=l/a=018.
  41. Kappei L., Szczytko J., Morier-Genoud F., Deveaud B. Direct Observation of the Mott Transition in an Optically Excited Semiconductor Quantum Well // Phys. Rev. Lett. 2005.-Apr. Vol. 94, no. 14. P. 147 403.
  42. С. И. Губарев, И. В. Кукушкин, С. В. Товстоног и др. Экранирование экситонных состояний двумерными носителями заряда низкой плотности в GaAs/AlGaAs квантовых ямах // Письма в ЖЭТФ. 2000. Т. 72. С. 496.
  43. С. И. Губарев, О. В. Волков, В. А. Ковальский и др. Влияние экранирования двумерными носителями заряда на энергию связи экситонных состояний в GaAs/AlGaAs квантовых ямах // Письма в ЖЭТФ. 2002. Т. 76. С. 672.
  44. Ando Т., Nakayama М., Hosoda М. Stability of electron-hole plasma in type-I and type-II GaAs-GaAlAs single quantum wells // Phys. Rev.
  45. B. 2004.-Apr. Vol.69. P. 165 316. URL: http://link.aps.org/ doi/10.1103/PhysRevB. 69.165 316.
  46. Bansal B., Hayne M., Geller M. et al. Excitonic Mott transition in type-II quantum dots // Phys. Rev. B. 2008. Jun. Vol. 77. P. 241 304. URL: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.77.241 304.
  47. Stern M., Garmider V., Umansky V., Bar-Joseph I. Mott Transition of Excitons in Coupled Quantum Wells // Phys. Rev. Lett. 2008. — Jun. Vol. 100, no. 25. P. 256 402.
  48. Bugajski M., Kuszko W., Reginski K. Diamagnetic shift of exciton energy levels in GaAs-Gal-xAlxAs quantum wells // Solid State Communications. 1986. Vol. 60, no. 8. Pp. 669−673. URL: http://www. sciencedirect. com/ science/article/pii/38 109 886 902 656.
  49. Koch S. W., Hoyer W., Kira M., Filinov V. S. Exciton ionization in semiconductors // physica status solidi (b). 2003. Vol. 238, no. 3. Pp. 404−410. URL: http: //dx. doi. org/10.1002/pssb. 200 303 153.
  50. Alen B., Fuster D., Munoz Matutano G. et al. Exciton Gas Compression and Metallic Condensation in a Single Semiconductor Quantum Wire // Phys. Rev. Lett. 2008.-Aug. Vol. 101, no. 6. P. 67 405.
  51. Timofeev V. B., Larionov A. V., Grassi-Alessi M. et al. Phase diagramof a two-dimensional liquid in GaAs /AlxGal—xAs biased double quantum wells // Phys. Rev. B. 2000. Mar. Vol. 61- no. 12. Pp. 8420−8424.
  52. De Palo S., Rapisarda F., Senatore G. Excitonic Condensation in a Symmetric Electron-Hole Bilayer // Phys. Rev. Lett. 2002. —May. Vol. .88. P. 206 401. URL: http://link. aps. org/doi/10.1103/PhysRevLett. 88.206 401.
  53. Inagaki A., Katayama S. Ground state energy of the electron-hole liquid in type-II quantum wells // Science and Technology of Advanced Materials. 2003. Vol. 4, no. 1. P. 51. URL: http://stacks. iop.org/ 1468−6996/4/i=l/a=A10.
  54. Pauc N., Calvo V., Eymery J- et al. Electronic and optical properties of Si/SiQ2 nanostructures.T. Electron-hole collective processes in single Si/Si02 quantum wells // Phys. Rev. B. 2005. Nov. Vol. 72, no. 20. P. 205 324.
  55. Т. M. Бурбаев, Ml H. Гордеев, Д. H. Лобанов и др. Электронно- дырочная жидкость и экситонные молекулы в квазидвумерных SiGe-слоях гетероструктур Si/SiGe/Si // Письма в ЖЭТФ. 2011. Т. 92, № 5. С. 341.
  56. В. С. Вагаев, В. С. Кривобок,.В. П. Мартовицкий, А. В. Новиков. Распределение германия в зависимости от толщины слоя Si-xGex на (001)Si при малом его содержании (х<0.1) // ЖЭТФ. 2009- Т. 136, № 6. С. 1154−1169.
  57. Floro J., Chason Е., Lee S. et al. Real-time stress evolution during Sii-xGea- Heteroepitaxy: Dislocations, islanding, and segregation //
  58. Journal of Electronic Materials. 1997. Vol. 26. Pp. 969−979. 10.1007/sll664−997−0233−2. URL: http://dx.doi.org/10.1007/ S11664−997−0233−2.
  59. Tersoff J., LeGoues F. K. Competing relaxation mechanisms in strained layers // Phys. Rev. Lett. 1994.-May. Vol. 72. Pp. 3570−3573. URL: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.72.3570.
  60. Denton A. R., Ashcroft N. W. Vegard’s law // Phys. Rev. A. 1991.— Mar. Vol. 43. Pp. 3161−3164. URL: http://link.aps.org/doi/10. 1103/PhysRevA.43.3161.
  61. Hornstra J., Bartels W. J. Determination of the lattice constant of epitaxial layers of III-V compounds // Journal of Crystal Growth. 1978. Vol. 44, no. 5. Pp. 513−517. URL: http://www.sciencedirect.com/ science/article/pii/22 024 878 902 920.
  62. Savage D. E., Kleiner J., Schimke N. et al. Determination of roughness correlations in multilayer films for x-ray mirrors //J. Appl. Phys. 1991. Vol. 69, no. 3. Pp. 1411−1424. URL: http://dx.doi.org/10.1063/ 1.347 281.
  63. Fullerton E. E., Pearson J., Sowers C. H. et al. Interfacial roughness of sputtered multilayers: Nb/Si // Phys. Rev. B. 1993. —Dec. Vol. 48, no. 23. Pp. 17 432−17 444.
  64. Time-correlated Single Photon Counting, Ed. by D. O’Connor, D. Phillips. Academic, 1984.
  65. В. В. Данилевич, E. В. Новиков // Приборы и техника эксперимента. 1987. С. 7.
  66. JI. В. Вихарев. Многостоповый преобразователь время-код // Приборы и техника эксперимента. 1997. С. 164.
  67. К. Д. Щелевой. Быстродействующий дифференциальный дискриминатор-счетчик импульсов // Приборы и техника эксперимента. 1985. С. 105−107.
  68. С. Н. Николаев, В. С. Кривобок, А. Ю. Клоков, В. С. Багаев. Система для регистрации слабых световых сигналов с наносекундным временным разрешением // ПТЭ. 2009. Т. 52. С., 121−124.
  69. И. Е. Тамм. О возможности связанных состояний электронов на поверхности кристалла // ЖЭТФ. 1933. Т. 3. С. 34−43.
  70. Shockley W. On the Surface States Associated with a Periodic Potential // Phys. Rev. 1939.-Aug. Vol. 56. Pp. 317−323. URL: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRev.56.317.
  71. H. А. Дроздов, А. А. Патрин, В. Д. Ткачев. Рекомбинационное излучение на дислокациях в кремнии // Письма в ЖЭТФ. 1976.— 11. Т. 23. С. 651−653. '
  72. Drozdov N. A., Patrin A. A., Tkachev V. D. On the nature of the dislocation luminescence in silicon // physica status solidi (b). 1977. Vol. 83, no. 2. Pp. K137-K139. URL: http://dx.doi.org/10.1002/ pssb.2 220 830 245.
  73. Christen J., Bimberg D. Line shapes of intersubband and excitonic recombination in quantum wells: Influence of final-state interaction, statistical broadening, and momentum conservation // Phys. Rev. B. 1990.-Oct. Vol. 42, no. 11. Pp. 7213−7219.
  74. Cingolani R., Ploog K. Frequency and density dependent radiative recombination processes in III-V semiconductor quantum wells and su-perlattices // Adv Phys. 1991. —09. Vol. 40, no. 5. Pp. 535−623.
  75. В. С. Вагаев, В. В. Зайцев, В. С. Кривобок и др. Каналы излуча-тельной рекомбинации и фазовые переходы в системе неравновесных носителей в тонкой квантовой яме Si^mGe0m/Si // ЖЭТФ. 2008.-11. Т. 134, № 5. С. 988−994.
  76. Bagaev V. S., Krivobok V. S., Nikolaev S. N. et al. Observation of the electron-hole liquid in Si-xGex!Si quantum wells by steady-state and time-resolved photoluminescence measurements // Phys. Rev. B.2010.-Sep. Vol. 82, no. 11. P. 115 313.
  77. В. С. Вагаев, В. С. Кривобок, С. Н. Николаев и др. Влияние барьера для электронов на конденсацию экситонов и спектр многочастичных состояний в квантовых ямах SiGe/Si // Письма в ЖЭТФ.2011.-7. Т. 94. С. 63.
  78. Esser A., Runge Е., Zimmermann R., Langbein W. Photoluminescence and radiative lifetime of trions in GaAs quantum wells // Phys. Rev. B. 2000.-Sep. Vol. 62, no. 12. Pp. 8232−8239.
  79. Stoica Т., Vescan L. Line shape analysis of electron-hole plasma electroluminescence in fully strained SiGe epitaxial layers //J. Appl. Phys.2003. Vol. 94, no. 7. Pp. 4400−4408. URL: http://link.aip.org/ link/?JAP/94/4400/1.
  80. Martin R., Stornier H. On the low energy tail of the electron-hole drop recombination spectrum // Solid State Communications. 1977. Vol. 22, no. 8. Pp. 523 526. URL: http://www.sciencedirect. com/science/article/pii/38 109 877 914 065.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!