Эмиссионные свойства автокатодов на основе углеродных наноструктурированных материалов
Диссертация
Научная новизна: В диссертации впервые предложена комплексная теоретическая модель, описывающая процессы деградации автокатодов на основе углеродных наноматериалов в условиях технического вакуума. Также впервые формализована программа и методика испытаний АЭК на основе углеродных наноматериалов, позволяющая унифицировать процесс исследования и сравнения результатов для катодов различного типа… Читать ещё >
Список литературы
- Kroto H.W., Heath J.R., O’Brein S.C., Curl R.F., Smalley R.1. // Nature, 1985 -V. 318-P. 162−163.2. lijima S. // Nature, 1991 V. 354 — P. 56−58.
- Косаковская З. Я, Чернозатонский Л. А., Федоров E.A. // Письма в ЖЭТФ, 1992 -Т. 56-В. 1, С 26−30.
- Chernozatonskii L.A., Gulyaev Yu.V., Kosakovskaja Z.Ja., Sinitsyn N.I., Torgashov G.V., Zakharchenko Yu.F., Fedorov E.A., Val’chuk V.P. // Chem. Phys. Lett., 1995-V. 233-P. 63.
- Chernozatonskii L.A., Kosakovskaja Z.Ja., Kiselev A.N., Kiselev N.A. // Chem. Phys. Lett., 1994 V. 228-P. 94.
- Бондаренко Б.В., Шешин Е. П., Щука А. А. // Приборы и устройства электронной техники на основе автокатодов. В кн.: Зарубежная электронная техника. — М.: ЦНИИ «Электроника», 1979, № 2.
- Бондаренко Б.В., Рыбаков Ю. Л., Шешин Е. П., Щука А. А. // Обзоры по электронной технике, сер. 4, «Электронные и газоразрядные приборы» — М.: ЦНИИ «Электроника», 1981 В. 4.
- Electron device with a sharp edged cathode // Pat. 3 109 123 (USA), 29.10.63.
- Electron-beam microanalyses apparatus // Pat. 1 389 119 (England), 03.04.75.
- Crandall W.E., Traveling wave tube amplifier employing field emission cathodes // Pat. 4 091 332 (USA), 23.05.78.
- Shigeo I., Current Status of Field Emission Display // ASET International Forum on Low Power Displays, Shinagawa, 2000.
- Варламов В .А., Шехмейстр Е. И. // Сборочные операции в электровакуумном производстве М.: Высшая школа, 1979.
- Шешин Е.П. // Структура поверхности и автоэмиссионные свойства углеродных материалов М.: МФТИ, 2001.
- Ajayan P.M., Terrones М., De La Guardia A., Hue V., grobert N., Wei B.Q., Lezec H" Ramanath G., Ebbe T.W. // Science, 2002 V. 296 — № 5568, P. 705.
- Shang N.G., Au F.C.K., Meng X.M., Lee C.S., Bello I., Lee S. Y, II Chem. Phys. Lett., 2002-V. 358-P. 187−191.
- Елецкий A.B.II Успехи физических наук, 1997 -T.167 № 9, С. 945−972.
- Journet С., Maser W.K., Bernier P. // Nature, 1997 V. 388 — P. 756−758.
- Ren Z.F., Huang Z.P., Xu J.W. // Science, 1998 V. 282 — P. 1105−1107.
- Царева С.Ю., Жариков E.B., Аношкин И. В., Коваленко А. В. // Электроника, 2003- № 1 С. 20−24.
- Guo Т., Nikolaev P., Thess A., Colbert D.T., Smalley R.E. // Chem. Phys. Lett. 1995- № 243 P. 49−54.
- Thess A., Lee R" Nikolaev P., // Science, 1996 -V. 273 № 5274, P. 483−487.
- De Heer W.A., Chatelain A., Ugarte D. II Science, 1995 V. 270 — P. 1179.
- Bonard J.-M., Salvetat J.-P., Stockli Т., De Heer W.A., Forro L" Chatelain A. // Appl. Phys. Lett., 1998 V. 73 — P. 918−920.
- Gulyaev Yu.V., Chernozatonskii L.A., Kosakovskaya Z.Ja., Sinitsyn N.I., Torgashov G.V., Zakharchenko Yu.F. // J. Vac. Sci. Technol. B, 1995 V. 13 -P. 435−436.
- Косаковская З.Я., Чернозатонский Л. А., Федоров E.A. Письма в ЖЭТФ, 1992 -Т. 56-В.1, С. 26−30.
- De Heer W.A., Chatelain A., Ugarte D. // Science, 1995 V. 270 — № 5239, P. 1179.
- Bonard J.-M., Salvetat J.-P., Stockli Т., Forro L., Chatelain A. // Appl. Phys. A, 1999- V. 69 P. 245−254.
- Wang Q.H., Corrigan T.D., Dai J.Y., Chang R.P.H., Krauss A.R. II Appl. Phys. Lett., 1997-V. 70-P. 3308−3310.
- Maiti A., Brabec C.J., Roland C., Bernholc J. // Phys. Rev. Lett., 1994 V. 73 -P. 468.
- Dean K.A., Chalamala B.R. II J. Appl. Phys., 1999 V. 85 — P. 3832.
- Tsang S.C., Harris P.J.F., Green M.L.H. II Nature, 1993-V. 362-P. 520.
- Fan S" Chapline M.G., Franklin N.R., Tombler T.W., Cassell A.M., Dai H. // Science, 1999-V. 283-P. 512−514.
- Rinzler A.G., Hafner J.H., Nikolaev P. Lou L" Kim S.G., Tomanek D., Nordlander P., Colbert D.T., Smalley R.E. // Science, 1995 V. 269 — P. 1550−1553.
- Schmid H" Fink H.-W. II Appl. Phys. Lett., 1997 V. 70 — P. 2679−2680.
- Chen Y., Patel S., Ye Y., Shaw D" Guo L. // Appl. Phys. Lett., 1998 V. 73 -P. 2119−2121.
- Гуляев Ю.В., Синицын Н. И., Торгашов Г. В., Чернозатонский Л. А., Косаковская З. Я., Захарченко Ю. Ф. // Микроэлектроника, 1997 Т. 26 — В. 2, С. 84−88.
- Filip V., Nicolaescu D., Tanemura M., Okuyama F. // J. Vac. Sci. Technol. B, 2003 -V. 21 P. 382−390.
- Choy T.C., Harker A.H., Stoneham A.M. // J. Phys. Condes. Matter., 2004 V. 16 -P. 861−880.
- Choy T.C., Stoneham A.M., Harker A.H. // J. Phys. Condens. Matter., 2005 V.17 -P. 1505−1528.
- Obraztsov A.N., Pavlovsky I.Yu., Volkov A.P. // J. Vac. Sci. Technol. B, 1999 V. 17- P. 674−678.
- Образцов A.H., Волков А. П., Павловский И. Ю., Чувилин А. Л., Рудина Н. А., Кузнецов В. Л. // Письма в ЖЭТФ, 1999 Т. 69 — В. 5, С. 381−386.
- Волков А.П. // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук, 2001.
- Захидов А.А. // Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук, 2006.
- Hiura Н., Ebbesen T.W., Fujita J., Tanigaki К., Takada Т. // Nature, 1994 V. 367 -P. 148−151.
- Salver-Disma F., Tarascon J.-M., Clinard C., Rouzaund J.-N. // Carbon, 1999 V. 37-P. 1941−1959.
- Huang J.Y., Yasuda H., Mori H. II Chem. Phys. Lett., 1999 -V. 303 p. 130−134.
- Moriguchi K., Munetoh S., Abe M., Yonemura M., Kamei K., Shintani A., Maehara Y" Omaru A., Nagamine M. // J. Appl. Phys., 2000 -V. 88 P. 6389−6377.
- Robinson K.E., Edie D.D. II Carbon, 1996 V. 34 — P. 13−36.
- Hong S.-H., Korai Y., Mochida I. II Carbon, 2000 V. 38 — P. 805−815.
- Елинсон М.И. // Ненакаливаемые катоды M.: Советское радио, 1971.
- Binh V.T., Adessi Ch. // Phys. Rev. Lett., 2000 V. 85 — P. 864−867.
- Лобанов B.M. // ЖТФ, 2005 T. 75 — B. 11, C. 92−96.
- Frolov V.D., Karabutov A.V., Pimenov S.M., Konov V.I., Ageev V.P. // Diam. Rel. Mater., 2001 -V. 10-P. 1719−1726.
- Елинсон М.И., Васильев Г. Ф. // Автоэлектронная эмиссия М.: Гос. изд. физ.-мат. лит., 1958.
- Zheng X., Chen G., Li Z" Deng S., Xu N. // Phys. Rev. Lett., 2004 V. 92 -P. 106 803−1-4.
- Nakaoka N. Watanabe К. II Phys. Rev. B, 2002 -V. 65 P. 155 424−1-5.
- Sveningson M., Jonson M., Nerushev O.A., Robmund F., Campbell E.E.B. // Appl. Phys. Lett., 2002- V.81 P. 1095−1097.
- Umnov A.G., Mordkovich V.Z. // Appl. Phys. A, 2001 V. 73 — P. 301−304.
- Collins P.G., Zettl A. // Phys. Rev. B, 1997 V. 55 — P. 9391.
- Bonard J.-M., Maier F., Stockli Т., Chatelain A., De Heer W.A., Salvetat J.-P., Forro L. // Ultramicroscopy, 1998 V. 73 — P. 7.
- Xu X., Brandes G.R. // Appl. Phys. Lett., 1999 V. 74 — P. 2549.
- Dean K.A., Chalamala B.R. II Appl. Phys. Lett., 2000 V. 76 — P. 375.
- Zhu X.Y., Lee S.M., Lee Y.H., Frauenheim T. // Phys. Rev. Lett. 2000 V. 85 -P. 2757.
- Kim C., Choi Y.S., Lee S.M., Kim В., Lee Y.H. // J. Am. Chem. Soc., 2002 V. 124 -P. 9906.
- Ramprasad R., Von Allmen P., Fonseca L.R.C. // Phys. Rev. B, 1999 V. 60 -P. 6023.
- Zhao J., Buldum A., Han J., Lu J.P. // Nanotechnology, 2002 -V. 13 P. 195.
- Luo J., Zhang Z.X., Peng L.-M., Xue Z.Q., Wu J.L. // J. Phys. D: Appl. Phys., 2003 -V. 36 P. 3034.
- Maiti A., Andzelm J., Tanpipat N" Von Allmen P. // Phys. Rev. Lett., 2001 V. 87 -P.155 502.
- Grujicic M., Cao G" Gersten B. // Appl. Surf. Sci., 2003 V. 206 — P. 167.
- Colazzo R., Schlesser R., Sitar Z. // Appl. Phys. Lett., 2001 V. 78 — P. 2058−2060.
- Lee C.J., Park J., Han S., Ihm J. // Chem. Phys. Lett., 2001 V. 337 — P. 398−402.
- Kim J.M., Choi W.B., Lee N.S., Jung J. E II Diam. Rel. Mater., 2000 V. 9 — P. 1184.
- Chen K.-H., Wu J.-J., Chen L.C., Wen C.Y., Kichambare P.D., Tarntair F.G., Kuo P.F., Chang S.W., Chen Y.F. // Diam. Rel. Mater., 2000-V. 9- P. 1249−1256.
- Shim J.Y., Baik H.K. // Diam. Rel. Mater., 2001 V. 10 — P. 847−851.
- Chung S.J., Lim S.H., Jang J. // Thin Solid Films, 2001 V. 383 — P. 73−77.
- Mao D.-S., Li W., Wang Xi, Liu X., Li Q" Xu J. // Diam. Rel. Mater., 2000 V. 9 -P. 1876−1880.
- Chen C.-L., Chen C.-S., Lue J.-T. // Solid-State Electr., 2000 V. 44 — P. 1733.
- Shih C.-F., Liu K.-S., Lin l.-N. // Diam. Rel. Mater., 2000 V. 9 — P. 1591 -1599.
- Lee C.J., Park J., Kang S.-Y., Lee J.H. // Chem. Phys. Lett., 2000 V. 326 — P. 175.
- Mao D.-S., Zhao J., Li W" Chen Z.Y., Wang Xi, Liu X., Li Q., Xu J., Zhu Y.K., Fan Z., Zhou J.Y.//Mater. Lett., 1999-V. 41 P. 117−121.
- Alexandrou I., Baxendale M., Rupesinghe N.L., Amaratunga G.A. J., Kiely C.J. // J. Vac. Sci. Technol. B, 2000 V. 18 — P. 2698−2703.
- Cho Y.-R., Lee J.H., Jung M.-Y., Song Y.-H., Kang S.-Y., Cho K., Hwang C.-S. // J. Vac. Sci. Technol. B, 2001 -V. 19-P. 1012−1015.
- Milne W.I., llie A., Cui J.B., Ferrari A., Robertson J. // Diam. Rel. Mater., 2001 -V. 10-P. 260−264.
- Ландау Л.Д., Лившиц Е. М. // Квантовая механика М.: Наука, 1974.
- Nordheim L.W. // Proc. Roy. Soc. 1928 V. А121 — P. 626.
- Fowler R.H., Nordheim L.W.//Proc. Roy. Soc. 1928-V. A119-P. 173.
- Bobkov A., Davidov E., Zaitsev S., Karpov A.V., Kozodaev M.A., Nikolaeva I.N., Popov M.O., Skorokhodov E.N., Suvorov A.L., Cheblukov Yu.N. // J. Vac. Sci. Technol. В 2000-V.19-P. 32.
- Bormashov V.S., Baturin A.S., Nikolski K.N., Sheshin E.P. II Tech. Digest, of 15th IVMC and 48th IFES, 2002 V. 2/2 — P. 64.
- Forbes R.G. // J. Vac. Sci. Technol. B, 1999 V. 17 — P. 534.
- Forbes R.G.//J. Vac. Sci.Technol. B, 1999-V. 17-P. 526.
- Murphy E.L., Good R.H. // Phys. Rev., 1956 V. 102 — P. 1464.
- Bonard J.-M., Salvetat J.-P., Stockli Т., Forro L., Chatelain A. // Appl. Phys. Lett., 1999-V. 69-P. 245.
- Zhu W" Koshanski G., Sungho J., Bower C" Zhou O. // Appl. Phys. Lett., 1999 -V. 75 P. 873.
- Bormashov V.S., Baturin A.S., Nikolski K.N., Sheshin E.P. II Appl. Surf. Sci., 2003 -V. 215-P. 178−184.
- Bormashov V.S., Nikolski K.N., Sidorenkov S.V., Sheshin E.P. // Technical Digest of 15th IVMC and 48th IFES, 2002 V. 2/2 — P. 72.
- Dyke W.P., Trolan J.K., Martin E.E., BarbourJ.P. // Phys. Rev, 1953 V. 91 — N 5 -P. 1043−1053.
- Сокольская И.Л., Фурсей Г. Н. // РиЭ, 1962 Т. 7 — № 9, С. 1474−1483.
- Фурсей Г. Н., Толкачева И. Д. // РиЭ, 1963 Т. 8 — № 7, С. 1210−1221.
- Фурсей Г. Н. //ЖТФ, 1964 Т. 34 — В. 7 — № 9, С. 1310−1315.
- Батраков А.В., Проскуровский Д. И. // Письма в ЖТФ, 1999 Т. 25 — В. 11, С. 57.
- Никольский К.Н., Батурин А. С., Князев А. И., Чесов Р. Г., Шешин Е. П. // ЖТФ, 2004 Т. 74 — № 3, С. 62−64.
- Бормашов B.C., Батурин А.С.//Материалы международной конференции «Образовательные, научные и инженерные приложения в среде LabVIEW и технологии National Instruments» Москва, 2003 С. 130.
- Бондаренко Б.В., Макуха В. И., Рыбаков Ю. Л., Шаров В. Б., Шешин Е. П. // Физические явления в электронных приборах-М.: МФТИ, 1986 С.18−21.
- Кузнецов В.А. // Труды МФТИ: Сер. «Радиотехника и электроника» 1970 -С. 136−142.
- Bhushan В. // Handbook of Micro/Nano Tribology. Second edition CRC Press, ISBN 849 384 028 — P. 880.
- Frolov V.D., Karabutov A.V., Pimenov S.M., Konov V.I. // Diam. Rel. Matt., 2000 -V. 9-P. 1196−1200.
- Makovicka C" Gartner G., Hardt A., Hermann W" Wiechert D.U. // Appl. Surf. Sci., 1997-V. 111 P. 70−75.
- Bormashov V.S., Sherstnev P.V., Baturin A.S., Nikolski K.N., Sheshin E.P. // J. Phys. Chem. Sol., 2004 V. 65 — P. 159−163.
- Heinz W.F., Hoh J.H. //Tibtech, 1999-V. 17-P. 143−150.
- Rodriguez T.R., Garsia R. II Appl. Phys. Lett., 2002 V. 80 — P. 1646−1648.
- Sebastian A., Salapaka M.V., Chen D.J. // J. Appl. Phys., 2001 V. 89 — P. 6473.
- Butt H.-J., Jaschke M. //Nanotechnology, 1995-V. 6-P. 1.
- Sasaki N" Tsukada M. //Appl. Surf. Sci., 1999-V. 140-P. 339.
- Сивухин Д.В. // Курс общей физики: Механика М: Наука, 1989 — С. 576.
- San Paulo A., Garsia R. // Phys. Rev. В, 2002 V. 66 — P. 41 406.
- San Paulo A., Garsia R. II Phys. Rev. B, 2001 -V. 64-P. 193 411.
- Aime J.P., Couturier G" Boisgard R., Nony L. // Appl. Surf. Sci., 1999 V. 140 -P. 333.
- Boisgard R., Michel D., Aime J.P.//Surf. Sci., 1998-V. 401 P. 199.
- Sasaki N., Tsukada M., Tamura R., Sate N. II Appl. Phys. A, 1998 V. 66 — P. 287.
- Sasaki N., Tsukada M. // Appl. Surf. Sci., 1999 V. 140 — P. 339−343.
- Ландау Л.Д., Лившиц Е.М.// Теория упругости -М.: Наука, 1987-С. 246.
- Сивухин Д.В. // Курс общей физики: Эпектричество М.: Наука, 1983 — С. 687.
- Israelachvili J.N. // Intermolecular and Surface Forces Academic Press, 1992 -P. 560.
- Maugis D.J.//J. Colloid. Interface Sci., 1992-V. 150-P. 243.
- Sader J.E., James W., Chon M" Mulvaney P. // Rev. Sci. Instrum., 1999 V. 70 -P. 3967.
- Худсон Д. II Статистика для физиков М.: Мир, 1970.
- Бормашов B.C., Батурин А. С., Шешин Е. П. // Труды международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросхемы», 2005 -С. 35.
- Бормашов B.C., Чесов Р. Г., Батурин А. С., Никольский К. Н., Князев А. И., Шешин Е. П. // Нано- и микросистемная техника, 2003 № 5 — С. 26−29.
- Saito Y., Hamaguchi К., Mizushima R., Uemura S., Nagasako Т., Yotani J., Shimojo T. // Appl. Surf. Sci. 1999 V. 146 — P. 305−311.
- Bonard J.-M., Stockli Т., Nilsson L.-O., Kind H. // Solid-State Electr. 2001 V. 45 -P. 893.
- Bormashov V.S., Tchesov R.G., Baturin A.S., Sheshin E.P. // Nuclear Inst, and Methods in Phys. Research A, 2006 V. 558 — P. 256−259.
- Силин В.П. // Введение в кинетическую теорию газов М.:Наука, 1971.
- Черепнин Н.В. // Сорбционные явления в вакуумной технике М.: «Советское радио», 1973-С. 130.
- Grujicic М&bdquo- Cao G., Gersten В. //Appl. Surf. Sci. 2003-V. 206 P. 167.
- Плешивцев Н.В. // Катодное распыление М.: Атомиздат, 1968.
- Каминский М. // Атомные и ионные столкновения на поверхности металла -пер. с англ. под ред. Л. А. Арцимовича М.: Мир, 1967.
- Baturin A.S., Sheshin Е.Р., Anashchenko A.V. // 43rd IFES, 1996 P. 96.
- Muller E.W. // J. Appl. Phys., 1955 V. 26 — P. 732.
- Дикова Л.К., Сытая Е. П., Шуппе Г. Н. // ФТТ, 1966 Т. 8 — С. 936.
- Rasor N.S., Warner С. // J. Appl. Phys. 1964 V. 35 — P. 2589.
- Macdolnald J.R., Barlow C.A. Jr. // J. Chem. Phys. 1966 V. 44 — P. 202.
- Zhu X.Y., Lee S.M., Lee Y.H., Frauenheim Т. II Phys. Rev. Lett., 2000 V. 85 -P. 2757.
- Huang N.Y., She J.C., Chen J., Deng S.Z., Xu N.S., Bishop H" Huq S.E., Wang L., Zhong D.Y., Wang E.G., Chen D.M. // Phys. Rev. Lett., 2004 V. 93 — № 7, P. 75 501−1.
- Wei Y., Xie Ch., Dean K.A., Coll B. // Appl. Phys. Lett., 2001 V. 79 — № 27, P. 4527−4529.
- Бормашов B.C., Лешуков М. Ю., Шешин Е. П. // Труды XV международного совещания «Радиационная физика твердого тела», 2005 С. 205−210.
- Glukhova О.Е., Zhbanov A.I., Torgashov I.G., Sinitsyn N.I., Torgashov G.V. // Appl. Surf. Sci., 2003-V. 215-P. 149.
- Савельев И.В. II Курс общей физики. Молекулярная физика и термодинамика. М.: ООО «Издательство ACT», 2005.
- Xie S., Li W., Pan Z" Chang В., Sun L. II J. Phys. Chem. Solids, 2000 V. 61 -P. 1153−1158.
- Falvo M.R., Clary G.J., Taylor II R.M., Chi V., Brooks F.P. Jr., Washburn S., Superfine R. // Nature, 1997 V. 389 — P. 582−584.
- Wong E.W., Sheehan P.E., Lieber C.M. II Science, 1997 -V. 277 P. 1971−1975.
- Blank V.D., Polyakov E.V., Batov D.V., Kulnitskiy B.A., Bangert U., Gutierrez-Sosa A., Harvey A.J., Seepujak A. // Diam. and Rel. Mater., 2003 V. 12 — P. 864−869.
- Wada Y., Yap Y.K., Mori Y., Yoshimura M" Sasaki T. // Diam. and Rel. Mater., 2000- V. 9 P. 620−624.
- Terrenes M., Terrenes H., Grobert N" Hsu W.K., Zhu Y.Q., Hare J.P., Kroto H.W., Walton D.R., Zhang J.P., Cheetham A.K. // Appl. Phys. Lett., 1999 V. 75 -P. 3932−3936.
- Kurt R" Bonard J.M., Karimi A. // Thin Solid Films, 2001 V. 398 — P. 193−198.
- Кудашов А.Г., Окотруб A.B., Юданов Н. Ф., Романенко А. И., Булушева Л. Г., Абросимов А. Г., Чувилин А. Л., Пажетов Е. М., Воронин А. И. // ФТТ, 2002 Т. 44- В. 4, С. 626−629.
- Terrenes М. // XV International Winterschool on electronic properties of novel materials. Austria, 2001 P. 63.
- Kimura Ch., Yamamuro Y., Aoki H., Sugino T. // 17th European Conference on Diamond, Diamond- Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides. Portugal, 2006- P. 380.
- Stephan O., Ajayan P.M., Coliex C., Redlich Ph., Lambert J.M., Bernier P., Lefin P. // Science, 1994 V. 266 — P. 1683.
- Zhang G.Y., Ma X.C., Zhong D.Y., Wang E.G. // J. Appl. Phys., 2002 V. 91 -P. 9324−9327.
- Blank V.D., Polyakov E.V., Kulnitskiy B.A., Nuzhdin A.A., Alshevskiy Yu.L., Banget U" Harvey A.J. II Thin Solid Films, 1999 V. 346 — P. 86−92.
- Bormashov V.S., Sheshin E.P., Batov D.V., Blank V.D., Buga S.G. // Technical Digest of 19lh IVNC and 50th IFES, 2006 P. 293.
- Blank V.D., Gorlova I.G., Hutchison J.L., Kiselev N.A. Ormont A.B. Polyakov E.V. // Carbon, 2000-V. 38-P. 1217−1240.
- Zhang Z.J., Fan S" Lieber C.M. II Appl. Phys. Lett., 1995 V. 56 — P. 3582−3584.
- Бормашов B.C., Шешин Е. П., Бланк В. Д., Буга С. Г., Батов Д. В., Альшевский Ю.Л. II Нано- и микросистемная техника, 2007 № 3, принята в печать.
- Chung D. D. L. II J. Mater. Sci., 1989 -У. 22- P. 4190−4198.
- Fonseca A., Hernadi K., Piedigrosso P., Colomer J.-F., Mukhopadhyay K., Doome R., Lazarescu S., Biro L.P., Lambin Ph., Thiry P.A., Bernaerts D" Nagy J.B. II Appl. Phys. A, 1998 V. 67 — P. 11.
- Bulusheva L.G., Okotrub A.V., Asanov I.P., Fonseca A., Nagy J.B. // J. Phys. Chem., 2001 -V. 105−1.4, P. 853.
- Satyanarayana B.S., Robertson J., Milne W.I. II Diam. and Rel. Mater., 2000 V. 9 -P. 1190−1195.
- Service R.F. II Science, 1995 V. 270 — P. 111.
- Talin A.A., Dean K.A., Jaskie J.E. II Solid-State Electr., 2001 -V. 45 P. 963−976.