Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Физические механизмы повреждения интегральных микросхем в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения

Диссертация: Физические механизмы повреждения интегральных микросхем в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Модель накопления повреждений ИМС в интенсивных импульсных полях радиоизлучения, описывающая процессы повреждения ИМС относительно слабыми импульсами, длительность паузы между которыми настолько больше тепловых постоянных, что эффект накопления тепла отсутствует. В отличие от тепловой модели модель накопления повреждений утверждает, что действие одного импульса приводит к несущественным для… Читать ещё >

Физические механизмы повреждения интегральных микросхем в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Анализ состояния вопроса и постановка задач исследований
    • 1. 1. Физические механизмы нарушения работоспособности интегральных микросхем при воздействии импульсным радиоизлучением
    • 1. 2. Выводы
    • 1. 3. Постановка задач диссертационных исследований
  • 2. Экспериментальные исследования нарушения работоспособности интегральных микросхем
    • 2. 1. Методика проведения экспериментальных исследований
    • 1. 2. Исследование эффектов воздействия радиоизлучения на интегральные микросхемы
    • 2. 3. Результаты исследований повреждения ИМС
    • 2. 4. Статистическая обработка результатов экспериментальных исследований
    • 2. 5. Физико-технический анализ поврежденных интегральных микросхем
    • 2. 6. Экспериментальные исследования воздействия радиоизлучения на СВЧ микросхемы
    • 2. 7. Выводы
  • 3. Тепловая модель повреждения интегральных микросхем
    • 3. 1. Описание модели, основные результаты
    • 3. 2. Полиимпульсный режим тепловыделения
    • 3. 3. Тепловой пробой р-п-переходов с различной геометрией
    • 3. 4. Выгорание токоведущих линий
    • 3. 5. Оценка интенсивности радиоизлучения приводящего к повреждению микросхем
    • 3. 6. Выводы
  • 4. Статистическая модель повреждения интегральных микросхем импульсным радиоизлучением
    • 4. 1. Результаты экспериментальных исследований
    • 4. 2. Модель накопления повреждений
    • 4. 3. Выводы

Нарушения работоспособности изделий микроэлектроники зачастую связаны с сильными импульсными электрическими перегрузками в цепях электронных систем. В основе таких нарушений работоспособности, как правило, лежат отказы элементной базы — аналоговых или цифровых микросхем, диодов и т. д. Повышение стойкости элементной базы микроэлектроники (в том числе интегральных микросхем (ИМС), которые являются основными структурными элементами) к внешним воздействиям становится особенно актуальным в последнее время в связи с разработками* мощных источников радиочастотного излучения [1−10] (случайные и преднамеренные воздействия, «электронный терроризм» [11−12]). Особенно остро этот вопрос стоит для «ответственных» устройств военной и гражданской техники, от нормальной работы которых зависит жизнь людей (датчики на АЭС, пилотажно-навигационное оборудование самолетов, кораблей и т. п.) или нарушение работы которых могут приводить к крупным материальным потерям (устройства хранения информации, ЭВМ) [13−21].

В этой связи задачи исследования физических механизмов повреждения и повышения стойкости элементной базы микроэлектроники к интенсивным электромагнитным импульсам излучения, как на уровне конструктивного исполнения изделий, так и на уровне логики их работы в составе радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) являются актуальными [22−31].

Требования по электромагнитной стойкости элементной базы, т. е. способности выполнять свои функции и сохранять параметры в пределах установленных норм во время, и после воздействия радиоизлучения, влияют на конструирование РЭА. Естественно, перед разработчиками возникает задача свести к минимуму нежелательные последствия, обусловленные действием внешнего радиоизлучения, путем рационального выбора существующей и разрабатываемой элементной базы, идущей на комплектацию аппаратуры, применение специальных схемотехнических, технологических и конструктивных решений. При этом эффективность принимаемых мер тем выше, чем на более ранних этапах разработки РЭА они реализуются.

Анализ экспериментальных исследований, проведенных другими авторами, показывает, что достаточно четких гипотез относительно механизмов пробоя и повреждения полупроводниковых элементов (диодов, транзисторов и ИМС) на сверхвысоких частотах пока что нет. Весьма вероятно, что на высоких частотах действуют те же механизмы, что и в режиме видеоимпульса, однако эти механизмы (так же детально и подробно) не идентифицированы. По всей видимости, это связано со сложностью регистрации быстро протекающих процессов и изменений в структуре полупроводниковых элементов, происходящих при воздействии радиоимпульса. Поэтому практически все авторы ограничиваются описанием условий возникновения и констатацией внешних особенностей отказа, что, конечно, не позволяет точно установить физическую причину повреждений.

В работах, посвященных воздействию импульсного радиоизлучения на интегральные микросхемы, были получены данные в относительно узких диапазонах параметров излучения и поэтому носят отрывочный характер. Это также не позволяет установить какие-либо функциональные зависимости и проводить оценки областей параметров радиоимпульсов, при которых обеспечивается работоспособность ИМС и РЭА в целом. Помимо этого предшествующие работы многое теряли из-за неопределенности в схемах и условиях испытания, вопросов контроля стойкости и регистрации результатов.

Практический интерес вызывают также вопросы определения зависимостей уровней помеховых сигналов, возникающих в ИМС, от параметров воздействующих радиоимпульсов и условий воздействия, которые сегодня можно получить только экспериментальным путём. В связи г с этим оценка стойкости ИМС экспериментальным путем является исключительно актуальной задачей.

Как известно [32−35], для описания повреждения полупроводниковых элементов используется модель, предложенная Воншем и Беллом [36] и впоследствии развитой Таска [37], которая описывает повреждение одного изолированного р-п перехода под действием одного импульса. При пол и импульсном воздействии появляются качественно новые особенности, связанные как с тем, что многие активные элементы ИМС (диоды, транзисторы), расположенные на кристалле, становятся полиимпульсными источниками тепловыделения, так и со статистическим характером повреждения полупроводниковых приборов. Однако в литературе практически отсутствует анализ характеристик повреждения микросхем, связанный с полиимпульсным характером излучения.

Настоящая диссертационная работа посвящена исследованию физических механизмов и эффектов, приводящих к нарушению работоспособности интегральных микросхем в интенсивных электромагнитных полях импульсного радиочастотного диапазона.

Целью работы является исследование физических механизмов повреждения ИМС и нахождение плотности потока энергии (интенсивности) электромагнитного излучения, приводящего к нарушению работоспособности ИМС в широкой области параметров излучения — длительности, частоты повторения импульсов и несущей частоты излучения.

Основная часть работы носит экспериментальный характер. Она содержит разработку и описание методик проведения экспериментов и анализ полученных результатов.

Теоретические исследования включают моделирование физических процессов, вызывающих необратимые отказы интегральных микросхем. Для объяснения наблюдаемых эффектов при отказах ИМС в зависимости от длительности импульсов использована тепловая модель, а для объяснения зависимости от частоты повторения радиоимпульсов предложена и проанализирована модель накопления повреждений.

Достоверность научных положений и выводов подтверждается:

— корректностью использования математического аппарата и методов испытаний;

— сравнением полученных данных с результатами других авторов;

— сравнением результатов моделирования с полученными экспериментальными данными;

— апробацией и публикациями основных результатов исследований;

— результатами внедрения разработанных методов и рекомендаций в практику.

Содержание диссертационной работы по главам.

Первая глава содержит обзор литературы, посвященной вопросам нарушения работоспособности полупроводниковых приборов, в том числе ИМС, под действием мощных электромагнитных импульсов.

На основе анализа экспериментальных и теоретических исследований, проведенных другими авторами, сформулированы задачи для достижения поставленной в диссертационной работе цели.

При решении этих задач использовались теория электромагнитного поля, теоретические и экспериментальные методы исследования, принципы системного анализа и математического моделирования.

Во второй главе представлены методика [38] и результаты экспериментальных исследований по необратимым отказам интегральных микросхем в электромагнитных полях интенсивного радиоизлучения [39−44]. Исследования проводились на мощных СВЧ установках, работающих в импульсно-периодическом режиме. Представлены результаты исследований более чем 200 образцов ИМС, выполнен анализ и проведена статистическая обработка полученных данных. Проведен физико-технический анализ поврежденных интегральных микросхем.

Изучены физические механизмы и эффекты, приводящие к нарушению работоспособности интегральных микросхем. Исследованы зависимости возникающих эффектов от ориентации, длины выводов интегральных микросхем, параметров радиоизлучения (интенсивности, длительности и частоты повторения радиоимпульсов).

Третья глава посвящена развитию тепловой модели вторичного пробоя применительно к микросхемам при различных длительностях и частотах повторения импульсов [45−47]. В рамках тепловой модели рассматриваются виды источников тепловыделения, учитывается наличие большого числа таких источников тепловыделения на кристалле микросхемы.

Проведена оценка уровней интенсивности импульсного радиоизлучения, приводящего к повреждению ИМС. На основе методологии, разработанной в [48,49], проводился анализ способ проникновения СВЧ излучения (точки входа) в микросхему и путей его прохождения к возможным уязвимым элементам микросхемы [50−53]- с использованием развитой тепловой модели определяется уровень интенсивности импульсного радиоизлучения, необходимого для повреждения наиболее уязвимого элемента микросхемы.

Четвертая глава посвящена построению модели накопления повреждений при воздействии последовательности импульсов радиоизлучения и статистическому анализу вероятности отказа ИМС от числа и интенсивности воздействующих СВЧ-импульсов [54−59].

В заключении приводятся основные результаты диссертационной работы.

Научная новизна.

Разработана методика, на основе которой получены экспериментальные результаты для интенсивности радиоизлучения (приводящего к необратимым отказам широкого класса ИМС) в области параметров излучения (длительностей и частоты повторения импульсов, несущей частоты излучения), в которой ранее исследования не проводились.

Развита тепловая модель разрушения элементов ИМС мощными и частыми по сравнению с тепловыми константами радиоимпульсами. При расчете тепловых процессов, приводящих к тепловому пробою р-п перехода ИМС, впервые аналитически осуществлен учет нескольких источников тепловыделения на кристалле ИМС и полиимпульсный характер тепловыделения.

Предложена модель накопления повреждений при действии редко следующих (с паузой между импульсами, большей тепловых постоянных) и относительно слабых импульсов. В рамках модели накопления повреждений определена и физически обоснована зависимость энергии отказа от частоты повторения радиоимпульсов.

Практическая ценность.

На основе разработанной методики и полученных в диссертации данных можно проводить оценки стойкости элементной базы изделий радиоэлектроники к воздействию интенсивного радиоизлучения и принимать* соответствующие этим оценкам меры защиты.

Предложен способ оценки параметров радиоизлучения, приводящего к повреждению существующих и перспективных ИМС.

Внедрение результатов диссертационной работы.

Результаты диссертационной работы были использованы при проведении НИР в ФГУП «МРТИ РАН», основные результаты вошли в научно-технические отчеты.

Личный вклад автора.

Результаты, составляющие основу диссертации, получены автором лично. В опубликованных работах по теме диссертации с соавторами автору диссертации принадлежат разработка методики проведения экспериментальных исследований, построение моделей и проведение численных исследований, анализ и интерпретация полученных теоретических и экспериментальных результатов.

Апробация результатов работы.

Основные результаты исследований, приведенных в диссертации, представлены и обсуждались на ведущих международных отечественных и зарубежных конференциях и симпозиумах:

Всесоюзный симпозиум по проблемам электромагнитной совместимости технических средств, Суздаль, 1991.

— 9-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуни-кационные технологии», Севастополь, 1999.

— 10-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуни-кационные технологии», Севастополь, 2000.

— 11-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуни-кационные технологии», Севастополь, 2001.

— 14-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуни-кационные технологии», Севастополь, 2005.

— 15-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и: телекоммуни-кационные технологии», Севастополь, 2006.

— 18-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуни-кационные технологии», Севастополь, 2008.

— 20-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуни-кационные технологии», Севастополь, 2010.

— IV Всероссийская научно-техническая конференция «Радиолокация и радиосвязь», Москва, 2010.

Публикация результатов работы.

По теме диссертации опубликовано 21 печатная работа, в том числе, 8 статей в журналах, рекомендованных ВАК для публикации научных результатов диссертаций. Основные результаты представлены также в материалах российских и международных конференций.

Объем работы.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения,.

4.3 Выводы.

Представленные экспериментальные результаты показывают, что повреждение полупроводниковых элементов под воздействием пачки радиоимпульсов носит статистический (вероятностный) характер. Выход элемента из строя может рассматриваться на основе модели накопления повреждений и происходит при достижении некоторого критического числа дефектов, формирующихся под действием каждого импульса в пачке.

Построена модель накопления повреждений, основанная на активационной теории Аррениуса, в которой статистические особенности процесса повреждения определяются флуктуациями активационной энергии. Она позволяет описывать зависимость мощности повреждения ИМС и СВЧ диодов от числа воздействующих радиоимпульсов ./V, их частоты повторения Т7 и от мощности Р (или энергии).

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Основным содержанием работы являются экспериментальные исследования нарушения работоспособности цифровых интегральных микросхем под действием интенсивного радиоизлучения.

Экспериментальные исследования проводились при различных режимах облучения с целью определения критических значений интенсивности облучения, при которой происходит выход ИМС из строя.

В работе получена зависимость интенсивности излучения, вызывающей необратимые отказы микросхем, от длительности СВЧ импульсов (в режиме с малой частотой повторения импульсов Р<�ЮГц). Для большей части микросхем уровни необратимых отказов лежат в диапазоне 50. 100 Вт/см2 при г — 5 мкс и возрастают до ~ 1000 Вт/см2 при т= 0,1. .0,3 мкс.

Для микросхем памяти (ИМС 155РУ7 и 561РУ2) с высокой степенью интеграции уровни отказов оказались значительно меньше, чем для Цифровых микросхем с низким уровнем интеграции элементов на кристалле. Особенно заметно отличие в области коротких импульсов.

Проведенные исследования показали, что в диапазоне частот повторения импульсов /^о, 1.10Гц уровни интенсивности СВЧ излучения, вызывающие отказы микросхем, меняются слабо. С увеличение частоты повторения СВЧ импульсов Р уровни интенсивности, необходимые для отказа микросхем, уменьшаются. Это характерно, в том числе при частотах повторения Р < Ркр ~ 1 кГц, где повреждение связано с накоплением дефектов, а не с накоплением тепла от импульса к импульсу СВЧ излучения.

Результаты измерений носят статистический характер. Даже на идентичных микросхемах выход из строя регистрировался при разных параметрах СВЧ излучения (отличалась интенсивность или время выхода из строя). Это связано, в частности, с различием в таких слабо контролируемых параметрах ИМС, как число и распределение дефектов внутри р-п переходов И других элементах микросхем.

По результатам статистической обработки экспериментальных исследований была построена зависимость вероятности повреждения интегральных микросхем 133 серии от интенсивности импульса СВЧ излучения, которая представлена на рисунке 2.26.

Наличие порога по интенсивности, ниже которого отказов нет, говорит о том, что физические механизмы повреждения «запускаются» только при превышении определенной мощности радиоимпульса. флуктуации интенсивности для микросхем одной серии оказываются меньше среднего значения. Для ИМС различных типов разброс пороговых значений интенсивности оказывается существенно больше.

Физико-технический анализ поврежденных ИМС показал, что для микросекундных радиоимпульсов 60% отказов связано с пробоем р-п переходов и 40% - с плавлением металлизации: Плавление чаще всего наблюдалось в области контактных площадок и поворотов токоведущих линий. Наиболее уязвимыми оказываются входные элементы ИМС, на которые сигнал СВЧ наводки поступает непосредственно с выводов ИМС.

Расчеты, выполненные в рамках тепловой модели, показали, что в области длительностей радиоимпульсов 1.40мкс энергия Ес вторичного пробоя ИМС пропорциональна ~Уг, что довольно хорошо согласуется с экспериментальными данными.

В области коротких импульсов или импульсов с крутым фронтом возможно значительное уменьшение энергии вторичного пробоя по сравнению с хорошо известным выражением обобщенной модели Вонша-Белла (1).

На основе решения уравнения теплопроводности на примере простых моделей выполнена оценка зависимости энергии повреждения ИМС с учетом большого числа источников тепловыделения на поверхности кристалла микросхемы и с учетом полиимпульсного характера тепловыделения.

Получена аналитическая зависимость энергии вторичного пробоя ИМС от частоты повторения импульсов (в области высоких частот повторения.

Р >

Результаты экспериментов показывают, что отказы микросхем в режиме одиночного импульса происходят при энергии и мощности импульса больших, чем мощность и энергия одного импульса в пол и импульсном режиме. С увеличением частоты повторения импульсов мощность импульса, приводящая к необратимому отказу, уменьшается. Эффект наблюдается и в том случае, когда пауза между импульсами значительно больше тепловых постоянных, например, на частотах в десятки и сотни Гц.

Для объяснения этого явления в диссертации предложена модель «накопления повреждений». Она состоит в том, что под действием одного импульса происходит локальное изменение структуры, например, образование дефекта. Выход прибора из строя будет происходить при достижении некоторого критического числа дефектов. Размеры дефекта зависят от энергии импульса, а их число определяется структурой полупроводника, его однородностью. Таким образом, число импульсов, необходимых для повреждения, может сильно изменяться от образца к образцу. Наблюдаемое уменьшение мощности, необходимой для повреждения диода, с увеличением частоты повторения обусловлено тем, что отказ полупроводникового элемента может происходить путем создания большого числа небольших дефектов.

На основании представленной модели приведены результаты расчетов вероятности отказов микросхем от числа импульсов N и мощности воздействующих радиоимпульсов в области малых {Г < Ркр) частот повторения радиоимпульсов.

На защиту выносятся следующие основные результаты.

1. Методика проведения исследований отказов интегральных микросхем в электромагнитных полях интенсивного импульсного радиоизлучения. Методика предусматривает проведение комплекса измерений контрольных параметров таких, как несущая частота радиоизлучения, плотность потока энергии, длительность импульса, частота повторения радиоимпульсов, поляризация и угол падения мощного радиоизлучения, а также конструктивные и функциональные характеристики микросхем. Созданный для реализации этой методики набор экспериментальных приспособлений позволяет уменьшить разброс и повысить стабильность определения уровня повреждений (стойкости) ИМС при значительном разнообразии типов микросхем и различии режимов их функционирования. На основе разработанной методики определены значения интенсивностей радиоизлучения, приводящего к повреждению ИМС в широком диапазоне значений длительностей и частот повторения импульсов.

2. Тепловая модель повреждения ИМС в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения. В основе разработанной модели лежит утверждение, что падающее излучение создает СВЧ токи и напряжения на всех выводах интегральной микросхемы. В результате источниками тепловыделения становятся многие элементы ИМС, причем не только р-я-переходы, резисторы и омические контакты, но и токоведущие линии, сопротивление которых возрастает с увеличением несущей частоты радиоимпульсов.

Для достаточно длинных импульсов (область стационарного распределения тепла в модели Вонша-Белла), например, энергия повреждения р-п перехода Ес пропорциональна длительности импульса г. Однако, когда области интенсивного перегрева от разных источников тепловыделения начинают перекрываться, то энергия повреждения становится пропорциональна «Уе.

При полиимпульсном режиме тепловыделения, когда частота повторения радиоимпульсов Е достаточно велика, накопление тепла происходит в верхних слоях чипа микросхемы, где расположены активные элементы. Перекрытие тепловых потоков от разных элементов микросхемы приводит к тому, что с увеличением частоты Е происходит уменьшение мощности импульсов, достаточной для повреждения р-п-переходов в этих верхних слоях чипа ИМС.

3. Модель накопления повреждений ИМС в интенсивных импульсных полях радиоизлучения, описывающая процессы повреждения ИМС относительно слабыми импульсами, длительность паузы между которыми настолько больше тепловых постоянных, что эффект накопления тепла отсутствует. В отличие от тепловой модели модель накопления повреждений утверждает, что действие одного импульса приводит к несущественным для работы ИМС локальным изменениям структуры и выход прибора из строя происходит при достижении критического числа дефектов. Наблюдаемое уменьшение мощности повреждения с увеличением частоты повторения импульсов обусловлено тем, что повреждение полупроводникового элемента происходит путем создания при этом большего числа локальных дефектов. Вывод из строя ИМС одним мощным импульсом требует формирования одного крупного дефекта, эквивалентного закритическому набору локальных повреждений.

Показать весь текст

Список литературы

  1. С.П., Канаев В. И., Кошелев В. И., Черепенин В. А. Релятивистские многомодовые СВЧ-генераторы. Новосибирск: Наука. Сиб.отд., 1991.- 293с.
  2. Gold S.H., Nusinovich G.S. Review of high-power microwave source research // Review Science Instrument, 1997, v. 68, N11, pp.3945−3974.
  3. Э.Б., Денисенко A.H., Ковалев Н. Ф., Копелович Е. А., Савельев А. В., Солуянов Е. И., Фукс М. И., Ястребов В. В. Релятивистская лампа обратной волны с селективным трансформатором мод //ЖТФ, 1999, т.69, вып.11, с. 102−105.
  4. С.А., Климов А. И., Коровин С. Д., Куркан И. К., Пегель И. В., Полевин С. Д. Резонансная релятивистская ЛОВ дециметрового диапазона с импульсной мощностью 5 GW// Письма в ЖТФ, 2003, т.29, вып.6, с.87−93.
  5. И.И., Жерлицын А. Г., Рябчиков А. И., Юшков Ю. Г. Разработка релятивистских СВЧ генераторов в НИИ Ядерной Физики при ТПУ // Известия Томского политехнического университета, 2003, т.306, № 1, с. 101−115.
  6. Giri D.V., Tesche F.M. Classification of international Electromagnetic Environments (IEME) // IEEE Transactions on EMC, 2004, v.46, N3, pp.322−328.
  7. А.И., Куркан И. К., Полевин С. Д., Ростов В. В., Тотьменинов Е. М. Мультигигаваттная релятивистская лампаобратной волны сантиметрового диапазона с модулирующим резонансным рефлектором //Письма в ЖТФ, 2008, т.34, вып.6, с.23−29.
  8. Р. П., Черепенин В. А. Теоретическое обоснование возможностей применения метода генерации мощных наносекундных импульсов электромагнитного излучения при создании радиолокационных систем // журнал Радиоэлектроники, 2010, № 4, с. 1−22.
  9. Korovin S.D. High-Power Microwave Sources at the Institute of High Current Electronics // at http://www.congress-2006.hcei.tsc.ru /cat/proc 2004/13/Paper054.pdf.
  10. Gurevich V. Electromagnetic Terrorism: New Hazards // Електро-TexHiKa i Електромехашка. 2005. № 4, c.81−83.
  11. T.P. Преднамеренные электромагнитные помехи и авионика. // Успехи современной радиоэлектроники, 2004, № 2, с.37−51.
  12. Backstrom, M.G., Lovstrand, K.G. Susceptibility of Electronic Systems to High-Power Microwaves: Summary of Test Experiences // IEEE Trans. on EMC, 2004, v. 46, N. 3, pp. 396−403.
  13. A.B. Влияние воздействия мощных СВЧ-импульсов на УКВ-радиостанцию // Антенны, 2001, №.5, с.57−60.
  14. Sanders F.H., Sole R.L., Bedford B.L., David Franc D., Pawlowitz T. Effects of RF Interference on Radar Receivers // NTIA Report TR-06−444, 2006 at http://www.its.bldrdoc.gov/pub/ntia-i-pt/06−444/06−444.pdf
  15. Arnesen O.H., Backstrom M., et al. High Power Microwave Effects on Civilian Wireless Equipment // EMC Europe Conference, Rome, September 2005 at http://www.ursi.org/Proceedings/ProcGA05/pdf/ E03.2(0528). pdf.
  16. Ю.Г., Чумерин П. Ю., Артёменко C.H., Новиков С.А, Зеленцов Д. В. Экспериментальное исследование воздействия свч импульсов на работу персонального компьютера // РЭ, 2001, т.46, № 8, с. 1020−1024.
  17. Carter R.J., Grothaus M.G., Lucas J.H. Intentional electromagnetic interference test of a facility security entry system // at http:/^.iszf.irk.ru/hawk/URSI2002/URSI-GA/papers/pl426.pdf.
  18. Mansson, D. Thottappillil, R. Nilsson, T. Lunden, O. Backstrom, M-Susceptibility of Civilian GPS Receivers to Electromagnetic Radiation // IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility, 2008, v.50, N2, pp.434−437.
  19. К.Ю., Михеев O.B., Туркин В. А., Корнев А. Н. Долбня С.Н., Певнев А.В Исследование функционирования локальных вычислительных сетей в условиях воздействия сверхкоротких электромагнитных импульсов // Технологии ЭМС, 2006, № 3, с.36−46.
  20. Идиатуллов 3, Р. Анализ и прогнозирование воздействия СВЧ-помех на низкочастотные радиоэлектронные устройства: Дисс. к.т.н. Казань: КГТУ им. А. Н. Туполева, 1996. — 142с.
  21. Н.В. Исследование влияния СВЧ излучения высокого уровня мощности на структуры с р-n переходами: Дисс. к. ф-м.н., -Саратов: СГУ, 1998. 113с.
  22. . Б. Теоретические и экспериментальные методы оценки устойчивости терминалов к воздействию сверхширокополосныхэлектромагнитных импульсов: Дисс. к.т.н. Москва: МГИЭМ, 2005. — 159с.
  23. Г. К. Нелинейные процессы в усилительных каскадах СВЧ под воздействием интенсивных импульсных помех: Дисс. к. ф-м.н. -Воронеж: ВГУ, 2006. 178с.
  24. А. В. Особенности воздействия СВЧ и оптического излучения на полупроводниковые приборы СВЧ-диапазона: Дисс. к. ф-м.н. Саратов: СГУ им. Н. Г. Чернышевского, 2005. — 147с.
  25. В. Н. Влияние сверхкоротких импульсов электромагнитного излучения на электрические параметры биполярных и полевых структур: Дисс. к.т.н. ВоронежЖ ВГТУ, 2008. — 132с.
  26. В. А. Обеспечение стойкости бортовых цифровых вычислительных машин к воздействию сверхкоротких электромагнитных импульсов: Дисс. к.т.н. Москва: МГИЭМ, 2009. — 152с.
  27. A.B. Стойкость полупроводниковых приборов СВЧ к импульсным электромагнитным воздействиям: Дисс. к.ф.-м.н. -Санкт-Петербург: ГТУ, 1995. 170с.
  28. В.В. Полупроводниковые приборы, интегральные микросхемы и устройства на их основе в условиях воздействия мощного и импульсного СВЧ излучения: Дисс. к.т. н. Москва: МИФИ, 1996. -254с.
  29. А.Н. Экспериментальная оценка устойчивости устройств телекоммуникационных сетей при деструктивном воздействии сверхкороткоимпульсного электромагнитного излучения: Дисс. к.т.н. Москва: МГИЭМ, 2010. — 126с.
  30. Antinone R.J. Young P.A., Wilson D.D., and et al. Electrical overstress protection for electronic devices. Noyes Publications, 1986. — 394 p.
  31. Messenger G.C., Ash M.S. The Effects of radiation on Electronic System’s. Van Nostrad, Reinhold Co. N.-Y. 1986. — 183 p.
  32. JT.У., Бриджес Дж. Э., Майлетта Дж. Электромагнитный импульс и методы защиты. М., Атомиздат, 1979. — 328 с.
  33. В.В., Годовицын В. А., Громов Д. В., Кожевников А. О., Раваев A.A. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы // Зарубежная радиоэлектроника, 1995, № 1, с. 37−52.
  34. Waunch D.C., Bell R.R. Determination of threshold failure levels semiconductor diodes and transistors due to pulse voltage // IEEE Trans. Nucl. Sciens, 1968, Vol. NS 15, N6, pp. 244−259.
  35. Tasca D.M. Pulse power failure modes in semiconductors // IEEE Trans. Nucl. Sciens, 1970, Vol. NS-17,N2, pp. 364−372.
  36. A.B., Пирогов Ю. А., Солодов A.B. Методические аспекты исследования стойкости интегральных микросхем в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения // журнал Радиоэлектроники, 2010, № 8, с. 1−27.
  37. A.B., Пирогов Ю. А., Солодов A.B., Тюльпаков В. Н. Влияние радиоимпульсов высокого уровня мощности на работу смесителей // РиЭ, 2011, т. 56, № 3, с.370−374.
  38. А.В., Пирогов Ю. А., Солодов А. В. Исследование стойкости интегральных микросхем в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения // РиЭ, 2011, т. 56, № 3, с.375−378.
  39. А. V. Klyuchnik, Yu. A. Pirogov, А. V. Solodov, and V. N. Tyul’pakov. Effect of High Power RF Impulses on the Mixer Operation // Journal of Communications Technology and Electronics, 2011, Vol. 56, N. 3, pp. 347−350.
  40. A. V. Klyuchnik, Yu. A. Pirogov, A. V. Solodov. Investigation of the 1С Resistance to Pulsed Electromagnetic Radiation //Journal of Communications Technology and Electronics, 2011, Vol. 56, N. 3, pp. 342−346.
  41. A.B., Солодов А. В. Тепловой пробой р—"-переходов и выгорание токоведущих линий // Тезисы докл. всесоюзн. симл. по проблемам электромагнитной совместимости технических средств. Суздаль, 1991, с. 43.
  42. А.В., Маслов Д. Е., Солодов А. В. Тепловое повреждение интегральных микросхем //Электр. Техн. Сер. СВЧ техн. 1994, Вып. 1 (461), с. 46−48.
  43. Garver R.V., Tatum J.T. Assessment Methodology for radio frequency effects // IEEE National Symposium on electromagnetic compatibility, 1989, pp.137−142.
  44. Methodology guidelines for high power microwave (HPM) susceptibility assessments. Ed. By N.J. Chesser. Report. Chairman A. Pesta. Jan-1990 г. ДСП.
  45. А.В., Ключник А. В., Пирогов Ю. А., Солодов А. В. Работа детекторных диодов под действием коротких радиоимпульсов // РиЭ, 2011, т. 56, № 6, с. 760−764.
  46. Zaleshin А. V., Klyuchnik А. V., Pirogov Yu. A., and Solodov А. V. Operation of Detector Diodes under the Action of Short RF Puises. // Journal of Communications Technology and Electronics, 2011, Vol. 56, No. 6, pp.708—711.
  47. A.B. Вероятность повреждения ИМС интенсивным радиоизлучением // 16-я Междунар. Крымская конфер. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». (КрыМиКо'2006): материалы конф. Севастополь: Вебер, 2006, с. 719−720.
  48. A.B., Солодов A.B. Статистическая модель повреждения цифровых интегральных микросхем импульсным радиоизлучением // Радиотехника, 2010, № 2, с. 37−41.
  49. A.B., Пирогов Ю. А., Солодов A.B. Модель накопления повреждений интегральными микросхемами в электромагнитных полях импульсного радиоизлучения // журнал Радиоэлектроники, 2010, № 7, с. 1−12.
  50. A.B., Пирогов Ю. А., Солодов A.B. Моделирование вероятности повреждения СВЧ диодов импульсным радиоизлучением // IV Всероссийская научно-техническая конференция Радиолокация и радиосвязь 29 ноября 3 декабря 2010 г., Москва, с. 565−569.
  51. A.B., Пирогов Ю. А., Солодов A.B. Статистика повреждения СВЧ диодов импульсным радиоизлучением // журнал Радиоэлектроники, 2010, № 12, с. 1−13.
  52. Taylor C.D., Harrison C.W. On the coupling of microwave radiation to wire structures // IEEE Trans., 1992, vol. EMC-34, N 3, pp. 183−188.
  53. А.Г., Григорьев E.B., Старостенко B.B. Влияние ориентации электромагнитного поля при воздействии на интегральные микросхемы // Электронная техника. Сер. Упр. кач-вом., 1992, Вып. 2(149), с. 16−18.
  54. Дементьев Ю. В, Каплун В. Г, Кучеров Ю. С, Сытник А. Ф. Влияние длины волны внешнего СВЧ излучения на стойкость элементной базы радиоэлектронной аппаратуры // Радиотехника, 1996, № 2, с.125−126.
  55. В.В., Ильин Ю. Д. Воздействие ВЧ- и СВЧ- помех па полупроводниковые приборы и интегральные схемы // Электронная техника. Сер. 1, Электроника СВЧ, 1986, Вып. 9(393), с. 25−28.
  56. И.А., Обрезан О. И., Ропий A.M. Стойкость твердотельных модулей СВЧ к кратковременным электроперегрузкам // Обзоры по электронной технике. Сер. 1. СВЧ-техника. 1997. 111с.
  57. Виненко В. Г, Красовский С. В, Усанов Д. А. Спектральный состав выходного сигнала СВЧ ограничителей мощности на p-i-n диодах // Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ, 1987, вып. 8 (402), с.7−9.
  58. А.В., Щеренков В. В. Энергетические и временные характеристики сверхвысокочастотного импульса на выходе антенно-фидерного тракта радиоэлектронного средства // Физика волновых процессов и радиотехнические системы, 2003, т. 6, № 2, с. 52−57.
  59. Amdory R.A., Puglielly V.C.G., Richardson R.E. Microwave interference effect in bipolar transistors // IEEE Trans., 1975, vol. EMC-19, N2, pp.49−56.
  60. Forchier M.L., Richardson R.E. Microwave-rectification RFI response in field-effect transistors. // IEEE Trans., 1979, vol. EMC-21, N4, pp. 312−315.
  61. AndtrsonW.T., Simons M., King E.E. Dietrich H.B., Lombert R.J. Reduction of long-term transient radiation response in ion implanted GaAs FETs //IEEE Trans., 1982, v. NS-29, N 6, pp. 1533−1538.
  62. Kocot С., S to Iter C.A. Backgating in GaAs MESFETs // IEEE Trans., 1982, vol. ED-29, N7, pp 1059−1064.
  63. Роу Дж. M. Воздействие электромагнитных помех на схемы с транзистороно-транзистороной логикой // Труды конференции, Англия, Саутгемптон, 1980.
  64. Le Vine S. D., Richardson R. E. Measurement techniques and instrumentation for detennining sensitivity of digital 1С's to radio-frequency // IEEE Instrum. and Meas. Conf. Bolder, March 25−27, 1986.
  65. Н.И., Поборцев П. Н., Ясюля Г. И. Влияние помеховых сигналов на характеристики цифровых ИС // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника, 1988, вып.1(125), с.130−132.
  66. A.M., Титович Н. А., Кириллов В. М., Влияние электромагнитных помех на цифровые интегральные схемы // Эл. тех-ка. Сер. Упр. качеством, стандартизация, метрология, испытания. 1989, вып.5 (137), с. 55−57.
  67. Clayborne D. Taylor, Nicolas H. Younau. Effects from high power microwave illumination // Microwave Journal, 1988, vol.35, № 6, pp.8096.
  68. A.B., Ивойлов В. Ф., Исайкин A.B., Козирацкий Ю. Л., Щереиков В. В., Ярыгин А. П. Экспериментальные исследования воздействия СВЧ импульсов на содержащие интегральные микросхемы радиоэлектронные устройства //Радиотехника, 2003, № 6, с.85−88.
  69. W.W. Everett III and W.W.Everett Jr. Microprocessor susceptibility to RF signals experimental results // Proceedings of the 1984 Scutheastcon, April, 1984, pp.512−516.
  70. Kleiner С., Nelson J., Vassallo F., Heaton E. Integrated circuit model development for EMP //IEEE Trans., 1974, vol. NS-21, N6, pp. 323 331.
  71. Whalen J.J., Trout J.G., Larson C.E., Roe J.M. Computer-aided analysis of RFI effects in digital Integrated circuits //IEEE Trans, on EC., 1979, vol.21, N4, pp.291−297.
  72. Tront J.G., Whalen J.J. et al. Computer-aided analysis of RFI effects in operational amplifiers. // IEEE Trans., 1979, vol. EMC-21, N4, pp.297 306.
  73. Tront J.G. Predicting URF upset of MOSFET digital IC’s. // IEEE Trans., 1985, vol. EMC-27, N2, pp.64−69.
  74. Strickland R., Auden N.F. Numerical analysis technique for diode-loaded dipole antennas. // IEEE Trans. EMC, 1993, v.35, N4, p.480−484.
  75. В. Д. Кллапш В.В., Черенсниг В.А, Помехи и сбои при нетепловом воздействии короткого электромагнитного импульса на радиоэлектронные устройства // Электромагнитные волны и электронные системы, 2003, т. 8, № 1, с. 64−73.
  76. СЛ., Репецкая JI.B., Черепенин В. А. Воздействие мощных колебаний на импульсные устройства // Электромагнитные волны и электронные системы, 2008, т. 13, № 6, с. 16−17.
  77. К. Gong, Н. Feng, R. Zhan, and A. Z. Н. Wang. A Study of Parasitic Effects of ESD Protection on RF ICs // IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, 2002, vol. 50, N. l, pp. 393−402.
  78. D. J. Kenneally, D. D. Wilson, and S. Epshtein. RF upset susceptibilities of CMOS and low power Schottky 4-Bit magnitude comparators // 1990 IEEE Int. Symp. on Electromag. Compat., Wash. DC, 21−23 Aug. 1990, pp. 671−677.
  79. Т. M. Firestone, J. Rodgers, and V. L. Granatstein. Investigation of the Radio Frequency Characteristics of CMOS Electrostatic Discharge
  80. Protection Devices // http://www.ireap.umd.edu/MURI-2001/ Publications/HPM%20upset%20paper.pdf.
  81. Rodgers J., Firestone Т. M., Granatstein V. L., Walter M. Experimental Study of EMP Upset Mechanisms in Analog and Digital Circuits // http://www.ipr.umd.edu/MURI-2001/Review8June 02/09 Rodgers. pdf
  82. Rodgers J., Firestone Т. M., Granatstein V. L. Diffusion Model of Nonlinear HPM Effects in Advanced Electronics // http://www.ipr. umd.edu /MURI-2001/FinalReview-71 406/05 Rodgers.pdf.
  83. Nilsson, Т., Lunden, O., Backstrom, M. HPM Susceptibility Measurements on GPS and WLAN Systems // Proceedings of EMC Europe Workshop, Electromagnetic Compatibility of Wireless Systems, Rome, Italy, 19−21 September 2005.
  84. LoVetri J., Wibers A.T.M., Zwamborn A.P.M. Microwave Interactionwith a personal computer: experiments and modeling. // Proc of the 13th1.t. Zurich Symp. On EMC. Zurich, Switzerland, February 16−18, 1999, pp.203−206.
  85. Rodgers J., Firestone T.M., Granatstein V. L. Nonlinear Effects in Advanced Communications Circuits Excited by Pulsed RF // http://www.ipr.umd.edu/MURI-2001/Review14Nov03/10rodgers.pdf
  86. К.Ю., Михеев О. В., Туркин В. А., Корнев А. Н. Долбня С.Н., Певнев А. В., Акбашев Б. Б. Исследование функционирования персональных компьютеров в условиях воздействия сверхкороткихэлектромагнитных импульсов. // Технологии ЭМС, 2006, № 2, с.44−49.
  87. Backstrom M. Is Intentional EMI a Threat Against the Civilian Society? // at http://www.el-qa.dk/Moeder/20 069 999-moedel5/15IEMI.pdf
  88. Bayram Y., Chang P.C., Volakis J.L., Kim K., Iliadis A. High Power EMI on Digital Circuits Within Automotive Structures // http://www.ece.uic.edu/MURI-RF/PublicationsCanta/emc2006.pdf
  89. Porter J.D., Billo R.E., Mickle M.H. Effect of active interference on the performance of radio frequency identification systems // at http://www.engr2.pitt.edu/SITE/RFID/papers/IJRFITAPorterBilloMickle.pdf
  90. Gavar J. Main effect of mutual interference in radio communication systems using broadband transmitters. // IEEE Trans., 1986, vol. EMC-28, N4, pp.211−219.
  91. Chase W.M., Rockway J.W., Salisbury G.C. A method of detecting significant sources of intermodulation interference. // IEEE Trans., 1975, vol. EMC-17, N2, pp.47−50.
  92. А.И. Термо ЭДС горячих носителей заряда на р-п переходе // ФТП, 1975, т.9, вып.9, с. 216−224.
  93. Н.А., Вейнгер А. И., Питанов B.C. Электрические свойства кремниевых р-п переходов в сильных СВЧ полях // ФТП, 1988, т.22, вып. 11, с. 2001−2007.
  94. Н.А., Вейнгер А.И., Питанов В. С. Влияние СВЧ поля на фотоэлектрические характеристики кремниевых р-п переходов // ФТП, 1992, т.26, вып.8, с. 1041−1047.
  95. Д.А.Усанов и др. Снятие вырождения в р- и п- областях туннельного диода внешним СВЧ сигналом // Письма в ЖТФ, 1990, т. 16, вып.8, с.50−51.
  96. Д.А. и др. Влияние греющего СВЧ поля на вольтамперные характеристики туннельного диода // Письма в ЖТФ, 1993, т. 19, вып.7, с.81−85.
  97. Р., Хамидова Б. Влияние геометрии образца на вольтамперную характеристику р-п перехода в сильном СВЧ поле. // ФТП, 1996, т. ЗО, вып.5, с.769−776.
  98. Д.А., Скрипаль А. В., Угрюмов Н. В. Возникновение отрицательного сопротивления в структурах на основе р-n перехода в СВЧ поле // ФТП, 1998, т.32, вып.11, с. 1399−1402.
  99. Прогнозирование надежности полупроводниковых лавинных диодов /Конакова Р.В., Кордош П., Тхорик Ю. А. и др. Киев.: Наука думка. 1986.-168с.
  100. П.Т., Рыжков С. В. Барьерный слой как резонатор при поверхностно-барьерной неустойчивости // ФТП, 1984, т. 18, № 6, с.1102−1105.
  101. Baliga B.J., Ehle R., Sears A. et al. Breakdown stability of. gold, aluminum and tungsten Schottky barriers on gallium arsenide // IEEE Electron Devices Letters, 1982, v. EDL-3, N 7, pp. 177−179.
  102. Katsukawa K., Taheuchi Т., Tokunaga K., Nagasako I. Failure analysis and reliability for X-band power GaAs FET //NEC Research and Development, 1983, N71, pp.82−87.
  103. Dumas J.M., Paugam J., Le Mouellic C., Boulaire J.Y. Long term degradation of GaAs power MESFET’s induced by surface effects // In.:21th Ann.Proc.Reliab.Phys., Phoenix, Arizona, 1983, pp.226−228.
  104. Г. В., Корнилова Т. А. Исследование дефектов в арсениде галлия, вводимых при термокомпрессии // Электронная техника, Сер. 3, Микроэлектроника, 1980, вьтп.1, с. 61−64.
  105. Ю. А. Генезис деформаций и деформационные эффекты в полупроводниковых гетеросистемах // Автореф. дис. д-ра ф.-м.н., Вильнюс, 1980,41с.
  106. Вальд-Перлов В. М., Вейц В. В., Сибирцев JI. С. Лавинно-пролетные диоды сантиметрового диапазона // Электронная техника, Сер. 2, Полупроводниковые приборы, 1978, вып.5/6, с. 87 102.
  107. Р. В., Филатов М. 10. Проблемы получения высокоэффективных лавинно-пролетных диодов на основе арсенида галлия // ПТМ, 1981, вып.34, с. 21 -40.
  108. SasagawaK., Kazushi N. Masimii S., Hiroyuki A. A method to predict electromigration failure of metal lines // Jour., Appl. Phys., 1999, vol.86, № 11, pp. 6043−6051.
  109. К. А., Гольдштейн P. В., Житников Ю. В., Махвиладзе Т. М., Сарычев M. Е. Теория и моделирование разрушения тонкопленочных проводников, и долговечность металлизации интегральных микросхем.
  110. I. Общая теория переноса вакансий, генерации механических напряжений и зарождения микрополостей при электромиграции. Деградация и разрушение многоуровневой металлизации //Микроэлектроника, 2009, т. 38, № 6, с. 404−427.
  111. II. Деградация и объемное разрушение поликристаллической проводящей линии // Микроэлектроника, 2010, т. 39, № 3, с. 163 176.
  112. Г. В., Джафаров Т. Д. Атомная диффузия в полупроводниковых структурах. М.: Атомиздат, 1980. — 280 с.
  113. Физические основы надежности интегральных схем. / Сыноров В. Ф., Пивоваров Р. П., Петров Б. К., Долматов Т. В. /Под ред. Ю. Г. Миллер. М.: Сов. Радио, 1976. — 320 с.
  114. М. И.,. Строганов А. В. Геронтология интегральных схем. Долговечность алюминиевой металлизации // Петербургский журнал электроники, 1997, № 1, с.27−37
  115. М. А. Эффекты горячих электронов в МОП- транзисторах // Обзоры по электронной технике. Серия 2 Полупроводниковые приборы, 1989, вып. 2(1431), 57с.
  116. П.К., Чайка Г. Е., Шишияну Ф. С. Радиационно-стимулированная диффузия атомов в контакте металл-полупроводник // ФТП, 1985, т. 19, вып.4, с. 674−677.
  117. Д.Е. и др. Изменение свойств полупроводниковых материалов в результате воздействия СВЧ импульсов наносекундной и микросекундной длительности // МЭ, 1991, т.20, вып. 1, с.21−25.
  118. Д.Е., Верещагин В. Л., Калинушкин В. П. и ДР// Краткие сообщения по физике. 1991, № 6, с.27−29.
  119. T.G., Lytvin P.M., Masin M.A., Prokorenko I.v. // Metal Phys. and Technol., 1997, vol. 19, N3, pp.71−77.
  120. A.A., Беляев A.E., Ермолович1 И.Б., Комиренко C.M. и ДР-Влияние сверхвысокочастотной обработки на электрофизические характеристики технически важных полупроводников и поверхностно-барьерных структур // ЖТФ, 1998, т.68, № 12, с.49−53.
  121. E.B. и др. Использование мощного СВЧ излучения для быстрого отжига GaAs // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1989, № 15, с.48−50.
  122. H.A. Козлов Э. В. Природа субструктурного упрочнения // Изв.вузов. Физика, 1982. № 8, с.3−14.
  123. A.B. и др. СВЧ нагрев как метод термообработки полупроводников.// Письма в ЖТФ, 1981, т.7, вып.20, с. 1221−1223.
  124. А. Н. Козлов Э.В. Шаркеев Ю. П. и др. Дефектная структура меди после воздействия мощного импульсного электромагнитного излучения СВЧ-диапазона.//Докл. РАН, 1994, т.346, № 5, с.918−926.
  125. B.C. и др. «Залечивание» неоднородностей р-n переходов в светодиодах при пропускании обратного тока. // Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы, 1987, вып.4, с. 16−19.
  126. К.И., Конакова Р. В., Тхорик Ю. А. и др. Удаление микроплазм в лавинно-пролетных диодах при электрической тренировке. // Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы, 1989, вып.5, с.64−66.
  127. К.И., Конакова Р. В., Тхорик Ю. А., Хазан Л. С. Эффекты релаксации внутренних напряжений в генераторах СВЧ диапазона под действие сильных электрических полей. // Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы, 1989, вып.5, с.23−27.
  128. Ю.П. и др. Новый метод отжига радиационных дефектов, обусловленный лавинным пробоем р-п перехода. // Письма в ЖТФ, 1989, т.15, вып.6, с.5−6.
  129. С.Н., Супрунов В. В. Лавинно-инжекционный отжиг дефектов в приповерхностной области кремния. // Письма в ЖТФ, 1992, т. 18, вып.9, с.49−52.
  130. Х.А. Вторичный пробой. // ТИИЭР, 1967, т.55, № 8, с. ЗЗ-80.
  131. И.В., СережкинЮ.Н. Лавинный пробой р-n перехода в полупроводниках. М., Энергия, 1980. 152 с.
  132. Sunshine R. A., Lampert М. A. Second-breakdown phenomena m avalanching silicon-on-sapphire diodes // IEEE Trans. Electron Dev., 1972, vol. 19, № 7, pp.873−885.
  133. Haitz K.P. Mechanisms contributing to the noise pulse rate of avalanche diodes//J.Appl.Phys, 1963, vol.36, N10, pp.3132−3141.
  134. Enhlish. A.C. Mesoplasmas and second breakdown in silicon junctions // Solid State Electronics, 1963, N6, pp.511−521.
  135. Ford G.M. Collector to emitter breakdown related to thermal runaway in homogeneous base germanium power transistors // Solid State Design, 1963, vol.4, pp.29−36.
  136. H.Melchior (Мелчиор), M.J. Strutt (Струтт). ВП в транзисторах // ТИИЭР, 1964, т.52, № 4, с.472−473.
  137. Я. К, Пуритис Т. Я. Механизм воздействия микрогшазм на развитие вторичного пробоя в переходах кремния // Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1978, № 6, с. 29−38.
  138. ПентюшЭ.В., ДекенаЭ.К., Пуритис Т. Я. Динамика распространения предмезоплазменного состояния // Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1978, № 6, с. 39−44.
  139. Э.В., Эглитис В. Я., Лусис А. Р., Фонав Э. А. Основные процессы при образовании и гашении вторичного пробоя низковольтных р-п переходов кремния //Изв. АН ЛатвССР. СеР-физ. и техн. наук, 1989, № 3, с. 36−42.
  140. А.С., Power Y.V. Мезоплазменный пробой в кремневых р-п-переходах // ТИИЭР, 1963, т.51, № 3, с.534−535.
  141. Weitzsch F. A discussion of some known physical models for second breakdown // IEEE Trans. Electron Dev., 1966, vol. ED-13, N11, pp.731−734.
  142. Fujumuka K. Transistor failure by second breakdown // IEEE Trans. Electron. Dev., 1966, v. ED-13, N8/9, pp.651−655.
  143. Smith W.B., Pentins D.H. Budenstein P.P. Second breakdown and damage injunction diodes // IEEE Trans. Electron. Dev., 1973, v. ED-20, N8, pp.731−744.
  144. Brown W.D. Semiconductor device degradation by high amplitude pulses // IEEE Trans., 1972, v. NS-19, N6, pp.68−75.
  145. Э.В., Фонав Э.А, Эглитис В. Я. Развитие деградации кремниевых переходов при многократном образовании вторичного пробоя // Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук, 1978, № 6, с. 4144.
  146. А.И., Осипов В. В. Шнурование тока при тепловом пробое // МЭ, 1972, т.1, вып.1, с.63−72.
  147. Schaft Н.А., French J.C. Second breakdown and current distribution in transistors // Solid State electronics, 1966, vol.9, N7, pp.681−688.
  148. B.M. и др. Исследование электрофизических свойств кремния в широком интервале температур // Электронная техника. Сер.6, Материалы. 1990, вып. 4(249), с.53−58.
  149. В.Ч. и др. Сдвиг температуры фазового перехода металл-полупроводник за счет примеси и дефектов // ФТТ, 1989, т.31, № 10, с.261−264.
  150. Кардо-Сысоев А.Ф., Козлов В. А. Высокотемпературные токовые неустойчивости в кремнии //ФТП, 1980, т. 14, вып.6, с.1167−1172.
  151. А.Р. Физические свойства электронных расплавов. М.: 1980. 296с.
  152. Э.В., Тарасова А. В. Шулекин А. Ф., Юферев В. С. Высокотемпературная стадия теплового пробоя полупроводников //ЖТФ, 1991, т.61, вып.6, с.76−80.
  153. Antinone R.J. and et al. Electrical overstress for electronic devices. 1986.
  154. Messenger G.C., Ash M. S. The Effects of radiation on Electronic System’s. Van Nostrad, Reinhold Co. N.-Y. 1986.
  155. В.А. Образование и эволюция сгустков электронно-дырочной плазмы и нитей лавинного тока в структурах GaAs, а-SiC, Si. / Дис. к.ф.-м.н., МФТИ, 1990, 125с.
  156. Bowers R. A. Space-charge-induced negative resistance in avalanche diodes. // IEEE Trans., 1970, vol. ED-15, N 6, pp. 343−350.
  157. А. С. Об ударной ионизации в полупроводниках в сильных электрических полях. // ФТП, 1976, т. 10, вып.4, с.690−694.
  158. Muller М. W. Current filaments in avalanching p-i-n- diodes // Appl. Phys. Letters, 1968, vol. 12, N 6, pp. 218−219.
  159. В. В., Дацко Б. И., Кернер Б. С., Осипов В. В. Микроплазмы в идеально однородных p-i-n-структурах // ФТП, 1990, т. 24, вып. 4, с. 724−730.
  160. .С., Осипов В. В. Самоорганизация в активных распределенных средах // УФН, 1990, т. 160, в.9, с. 1−74- Автосолитоны // УФН, 1989, т. 157, в.2, с.201−266.
  161. В. В., Дацко Б. И., Кернер Б. С., Осипов В. В. Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных р-п-структурах //ФТП, 1990, т.24, вып. 7, с.1282−1290.
  162. .С., Козлов Н. А., Нечаев A.M., Синкевич В. Ф. Светящиеся точки и пробой в структуре транзисторов на GaAs //ФТП, 1983, т. 17, вып. 11, с.1931−1934.
  163. .С., Козлов Н. А., Нечаев A.M., Синкевич В. Ф. Исследование механизмов пробоя в структуре полевых транзисторов на GaAs. // Микроэлектроника, 1983, т. 12, вып. З, с.217−224.
  164. Tsironis С. Microplasma effect in gallium arsenide epi layers and FEIMs // Solid-St. Electron, 1980, voi.23, N3, pp.249−254.
  165. Vashenko V.A., Sinkevitch V.F. Current instability and burnout of HEMT structure //Solid-State Electronics, 1996, vol.36, N6, pp.801−806.
  166. Vashenko V.A., Martynov V.B., Sinkevitch V.F., Tayer A.S. Simulation of the gate burnout of the GaAs MESFET // Microelectronic-Reliability, 1996, vol.36, № 11/12, pp.1887−1890.
  167. Wemple S.H., Niehous W.C., Fukui H. et al. Long-term and instantaneous burnout in GaAs power FET’s: mechanisms and solutions // IEEE Trans. Electron Devices, 1981, vol. ED-28, N 7, pp.854−840.
  168. М.Г., Освеыский В. Б., Шершакова И. Н. Полу изолирующий арсенид галлия для СВЧ-электроники // Известия вузов СССР. Физика, 1983, № 10, с.5−17.
  169. И.В., Кардо-Сысоев А.Ф. Формирование субнаносекундных перепадов тока при задержке пробоя кремниевых р-n переходов // Письма в ЖТФ, 1979, т.5, вып. 15, с. 950−953.
  170. И.В., Тучкевич В. М., Новые принципы коммутации больших Мощностей полупроводниковыми приборами. Ленинград, Наука, 1988.
  171. О.В., Мезрин О. А. Волна туннельной ионизации // Письма в ЖТФ, 1987, т. 13, в.8, с.476−81.
  172. Deloach V.S., Scharfetter D.L. Device physics of TRAPATT oscillators // IEEE Trans. Electron Devices, 1970, vol. ED-17, N1, pp.9−21.
  173. И.В., Родин П. Б. О модели мультистримерного переключения высоковольтных кремниевых р-n переходов за порогом Зинеровского пробоя // Письма в ЖТФ, 2007, т. 33 вып.4, с.87−94.
  174. Rodin P., Grekhov I. Dynamic avalanche breakdown of a reversely biased p-n junction: Deterministic triggering of a planar streamer front. //Applied Physics Letters, 2005, vol.86, 24 3504(1−3).
  175. Rodin P., Rodina A., Grekhov I. Field enhanced ionization of deep-level centers as a triggering mechanism for superfast impact ionization fronts in Si structures. // Journal of Applied Physics, 2005, vol.98, 94 506 (111).
  176. С.С., Толбанов О. П. Механизм высокоскоростного переключения в GaAs структурах с глубокими уровнями //фТП, 1992, т.26, в.2, с. 386−389.
  177. И.В., Ефанов В. М. О возможности генерации стимулированного излучения с помощью ударно-ионизационных волн в полупроводниках. //Письма в ЖТФ, 1990, т. 16, вып. 17, с.9−14.
  178. С.Н., Жиляев Ю. В., Левинштейн М. Е., Визуализация субнаносекундного процесса переключения арсенид-галлиевых диодных структур // Письма в ЖТФ, 1988, т. 14, с. 1526−1530.
  179. М.И., Кагаровский В. Ю. К теории стримерного разряда в полупроводниках // ЖТФ, 1989, т.59, вып.8, с.7−13
  180. .И., Грехов И. В. Формирование высоковольтных перепадов напряжения пикосекундной длительности на GaAs диодах//Письма в ЖТФ, 1987, т. 13, вып. 18, с. 1089−1093.
  181. A.M., Родин П. Б. Длинноволновая поперечная неустойчивость ударно-ионизационных волн в диодных структурах // Письма в ЖТФ, 1994, т. 20, вып. 12, с. 38−42.
  182. A.M., Родин П. Б. О поперечной устойчивости фронтаударной ионизации в Si pin-структуре // ФТП, 1997, т. 31, вып.4, с.432−436.
  183. Minarsky A., Rodin P. Transverse Stability and Inhomogeneous Dynamics of Superfast Impact Ionization Fronts in Diode Structures // Solid State Electronics, 1997, vol.41, N6, pp.813−824.
  184. Э. Самоорганизация в полупроводниках. Москва: Мир, 1991.
  185. Wang С.М., Tron J.J., Yang C.Y. Hot-induced latch up and trapping/ detrapping phenomena//27th Annual Proc. Reliab. Phys. 1989. pp. 110−113.
  186. Цифровые интегральные микросхемы: Справочник/ П. П. Мальцев, Н. С. Долидзе, М. И. Критенко и др. М.: Радио и связь, 1994.- 240 с.
  187. Г. И. Отказ МДП-транзисторов, вызванный пробоем тонкого окисла. В кн.: Микроэлектроника. Под ред. Ф. В. Лукина. Вып.4, М., «Сов. радио». — 1971
  188. Jenkibs C.R., Durgin D.I. EMP susceptibility of integrated circuits // IEEE Trans., 1975, v. NS-22, N6, p.2494−2499.
  189. Sowa A. The susceptibility of semiconductors to the voltage surges which simulated the danger caused by lighting over voltages //7th Symp. Reliability Electron., Rudapest. Aug.29 Sept.2, 1988, p.594−597.
  190. Antinone R.J. How to prevent circuit zapping // IEEE spectrum, 1987, N4, pp.34−38.
  191. Anand Y., Moroney W.J. Microwave mixer and detector diodes. //Proc. IEEE, 1971, vol.59, N8, pp.1182−1190.
  192. Anand Y. X-band high burnout silicon Shottky barrier diodes // Microwave Journal, March, 1979.
  193. Christon A. GaAs mixer burnout mechanisms at 36−94 GHz //Annual Proc.Rliab. Physics, 1980, pp. 140−144.
  194. Dale В., Neylon S., Condie A., Kearacy M.J. Planar doped barrier diodes offering improved microwave burnout performance over Si and GaAs Shottky diodes. //19 Europe Microwave Cnf. Proc., 1989, pp.237−243.
  195. Garver R.V., Fazi C., Druns H. Dynamic diode mixer damage measurements // 1985 IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest., pp.535−536.
  196. Glan Chance V. Transit mixer damage // IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Digest., 1989, pp. 475−477.
  197. Whalen J. J The RF pulse susceptibilities of UHF transistors // IEEE Trans. 1975, v. EMC-17, N1, pp.220−225.
  198. Whalen J. J A comparison of DC and RF pulse susceptibilities of UHF transistors // IEEE Trans., 1977, v. EMC-19, N2, pp.49−56.
  199. Wemple S.H., Niehous W.C., Fukui H. et al. Long-term and instantaneous burnout in GaAs power FET’s: mechanisms and solutions // IEEE Trans. Electron Devices, 1981, v. ED-28, N 7, pp.854−840.
  200. Tiwari S., Eastman L.F., Rathbun L. Physical and material limitations on burnout voltage of GaAs power MESFETs //IEEE Trans. Electron Devices, 1980, v. ED-27, № 6, pp. 1045−1054.
  201. Whalen J., Calcatera M., Thorn M. Microwave nanosecond pulse bumout properties of GaAs MESFET’s //IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 1979, v. MTT-27, N 12, pp. 1026−1031.
  202. Whalen J., Kemerley R.T., Rastefano E. X-band burnout characteristics of GaAs MESFET’s //IEEE Trans. Micro wave Theory Tech., 1982, v. MTT-30, N 12, pp.2206−2211.
  203. Anderson W.T., Cristou J.A., Wikins B.R. GaAs FET high power pulse reliability // 21 st Annual Proc. reliability Physics,! 983, p.218−225.
  204. Anderson W.T., Bout F.A., Cristou J.A. High power pulse reliability of GaAs power FET’s // 22 th Annual Proc. reliability Physics, 1986, pp. 144−149.
  205. Garver R.V. Single-pulse RF damage of GaAs FET amplifiers //1988 MTT Symp. Digest, pp.289−294.
  206. Titinet G.C., Polino E., Riva D.E. Reliability pf compound semiconductor microwave field-effect devices: failure mechanisms and test methods //CSELT Technical reports, v. 17, N6, December, 1989, pp.427−431.
  207. B.B., Годовицын В. А., Громов Д. В., Раваев А. А. Деградация малошумящих СВЧ полевых транзисторов с затвором Шотки на арсениде галлия при воздействии мощных импульсных микроволновых помех // Радиотехника, 1994, № 8, с.34−38.
  208. Finlay H.J., Roberts B.D. Improvements in receiver RF bumout characteristics and reduction of post overload degradation in low noise
  209. GaAs FETs //Conf. Proc., 12 th European Microwave Conf., Helsnki, Finland, 13−17Sept., 1982, pp.121−126.
  210. А. В., Якимов А. В. Изменение характеристик малошумящего GaAs полевого транзистора после интенсивного СВЧ-воздействия//РиЭ, 1994, т.39, № 12, с.2078−2083.
  211. И. В., Усыченко В. Г., Якимов А. В. Стойкость к СВЧ выгоранию приборов с барьером Шоттки // Петербургский >курнал электроники, 1985, № 2, с.40−45.
  212. В. В., Годовицын В. А., Громов Д. В., Кожевников А- О., Раваев А. А. Изменение параметров малошумящего усилителя при воздействии мощных импульсных помех //Радиотехника, 1991? № 8, с. 18−20.
  213. Chen D, Xu L.M., Zhang B.S., Ma H.G. Research on the Effect of High Power Microwave on Low Noise Amplifier and Limiter Based on the Injection Method // J. Electromagnetic Analysis & Applications, 2010, № 2, pp.111−115.
  214. Nilsson Т., Jonsson R. Investigation of HPM front-door protection devices and component susceptibility // simbilder.com/./Bilaga13 IEMIESW2006BackstromFinalreprinttext. pdf
  215. Antinone R. and Ng W.G. HPM testing of electronic components //Technical report UCID-21 687, Lawrence Livermore national Laboratory, Livermore, CA
  216. TaylorC.D., Younan .H. Effects from High Power Microwave Illumination // Microwave journal, 1992, vol.35, N6, pp.80, 82, 86, 88, 93−96.
  217. И.И., Блудов С. Б., Гадецкий Н. П., Кравцов 1С-А., Пушкарев С. С., Ткач Ю. В., Чумаков В. И., Лобков М. М. Механизмы деградации ИЭТ в полях мощного СВЧ излучения // Петер (5уРг-жур. Электроники, 1995, № 3, с. 56−59.
  218. В.В., Таран Е. П., Григорьев E.B., Борисов A.A. Воздействие электромагнитных поле на интегральные микросхемы // Измерительная техника, 1998, № 4, с. 65−67.
  219. H.A. Перетрухин В. Д., Рогашков С. А., Яременко Ю. Г. Исследование времени формирования и характеристик безэлектродного разряда. //Радиофизика, сб. МРТИ, М.-1991.- С. 122−134.
  220. Г. И., Хворостяной Ю. И. Экспериментальная установка для формирования мощного сфокусированного потока СВЧ-излучения в свободном пространстве.// Радиотехника и Электроника, 1995, Т. 37, № 2, с. 311−315.
  221. Г., Еггер Д. Теплопроводность твердых тел. М.: «Наука». 1964.-487 с.
  222. Л.Д., Лифшиц Е. М. Гидродинамика. М.: «Наука», 1989.420 с.
  223. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984.
  224. В.Ф., Пивоваров Р. П., Петров, Т.В. Долматов Б. К. Физические основы надежности интегральных схем. М.: Сов. Радио.- 1976.- 230 с.
  225. А. В. Оценка долговечности БИС по результатам ускоренных испытаний. //Технологии в электронной промышленности, 2007, № 3, с.90−96.5.
  226. A.B., Ключник A.B., Солодов A.B., Тюльпаков В.Н.
  227. Динамика изменения параметров детекторных диодов под
  228. Действием коротких СВЧ импульсов.// 18-я Междунар. Крымскаяконф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии».
  229. КрыМиКо'2008): материалы конф, Севастополь: Вебер, 2008, с. 670−671.8. «Залешин A.B., Ключник A.B., Пирогов Ю. А., Солодов A.B. Работа Детекторных диодов под действием коротких радиоимпульсов. // РиЭ, 2011, т. 56, № 6, с. 760−764.
  230. Zaleshin A.V., Klyuchnik A.V., Pirogov Yn.A., and Solodov A.V.
  231. Operation of Detector Diodes under the Action of Short RF Pulses. //
  232. Journal of Communications Technology and Electronics, 2011, Vol. 56, No. 6, pp.708−711.
  233. Klyuchnik А.V., Pirogov Yu.A., Solodov A.V., and TyuPpakov V.N. Effect of High Power RF Impulses on the Mixer Operation. // Journal of
  234. Communications Technology and Electronics, 2011, Vol. 56, No. 3, pp. 347−350.14. *Ключник A.B., МасловД.Е., Солодов A.B. Тепловое повреждение интегральных микросхем. // Электр. Техника. Сер. СВЧ техника, 1994, Вып. 1 (461), с. 46−48.
  235. А.В., Солодов А. В. Тепловой пробой />я-переходов и выгорание токоведущих линий //Тезисы доклада на Всесоюзн. симп. по проблемам электромагнитной совместимости технических средств.- Суздаль, 1991, с. 43.
  236. А.В., Пирогов Ю. А., Солодов А. В. Моделирование вероятности повреждения СВЧ диодов импульсным радиоизлучением // IV Всероссийская научно-техническая конф.
  237. Радиолокация и радиосвязь», 29 ноября 3 декабря 2010 г.- М.: ИРЭ РАН, с. 565−569.
  238. A.B., Пирогов Ю. А., Солодов A.B. Статистика повреждения СВЧ диодов импульсным радиоизлучением // Журнал радиоэлектроники, 2010, № 12, с. 1−13.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!