Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Атомно-силовая микроскопия сегнетоэлектрических кристаллов ТГС

Диссертация: Атомно-силовая микроскопия сегнетоэлектрических кристаллов ТГС
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Определены границы возможностей метода АСМ при изучении доменной структуры сегнетоэлектрических кристаллов ТГС. На примере кристаллов ТГС выявлены условия для получения высококонтрастных изображений доменов в контактном и прерывисто-контактном режимах в статике и динамике. Установлено, что один тип линзовидных образований отражает реально существующую доменную структуру, а другой тип представляет… Читать ещё >

Атомно-силовая микроскопия сегнетоэлектрических кристаллов ТГС (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Гласа 1. Атомно-спловап микроскопия как метод исследования морфологии поверхности кристаллов с высоким пространственным разрешением (Литературный обзор)
  • Принцип действия и основные режимы работы лтомно-силового микроскопа
  • Контактный режим АСМ
  • Неконтактный режим АСМ
  • Прерывисто-контактныйреэ/сим АСМ
  • Режим боковых сил
  • Режим фазового контраста
  • Сканер сканирующего зондового микроскопа
  • Искажения (артефакты) АСМ-изображений и методы их компенсации
  • Методики снижения величины искажений
  • Исследование доменной структуры и микрорельефа поверхности сегнетоэлектрических кристаллов методом атомно-силовой микроскопии
  • Глава 2. Методики подготовка образцов и исследования слоистых кристаллов с помощью атомпо-енлового микроскопа. подготовка образцов
  • Методики исследования
  • Кантилеверы, их свойства и выбор
  • Форма острия и разрешение
  • Обработка изображений
  • Глава 3. АСМ исследование поверхности естественного скола ссгнстоэлектрнчсскнх кристаллов ТГС. j Особенности строения полярной поверхности скола (010) кристалла ТГС
  • Топкая структура поверхности кристаллов без специально введенных примесей
  • Тонкая структура поверхности дефектных кристаллов ТГС
  • Исследование влияния внешних воздействий на поверхность кристаллов триглицинсульфата методом атомно-силовой микроскопии
  • Особенности модификации поверхности сегпетоэлектрического кристалла под воздействием зондирующего острия
  • Влияние нагрева на тонкие детали ступенчатой структуры поверхности
  • Влияние влажности на стабильность поверхности
  • Глава 4. Исследование доменном структуры в кристаллах ТГС в статике н динамике
  • Контактный режим
  • Прерывисто-контактный режим. v Движение доменных стенок при нагреве
  • Движение доменных стенок под воздействием электрического поля
  • Глава 5. Использование поверхности скола кристалла ТГС в качестве эталонной структуры
  • От сверхтонких деталей рельефа кристаллов ТГС к эталонной структуре
  • Поиск естественных эталонов среди кристаллов, обладающих спайностью: бифталаты цезия и аммония
  • Выводы
  • Благодарности

Развитие работ в области создания новых наноматериалов и на-нотехнологий тесно связано с разработкой адекватных методов исследования и контроля характеристик материалов и приборов в наномет-ровом масштабе. Наиболее перспективным для этих целей представляется метод атомно-силовой микроскопии (АСМ), в котором достигается атомарное разрешение. Этот метод открыл принципиально новые возможности в исследовании структуры и локальных физических свойств поверхности. При всем многообразии возможностей, которые дает метод атомно-силовой микроскопии, в процессе исследования поверхности различных материалов и при интерпретации полученных результатов возникает ряд сложностей. Часть из них вызвана артефактами (искажениями изображения исследуемого объекта, обусловленными конструктивными особенностями прибора и ограничениями режима работы), а часть — наложением на изображение микрорельефа поверхности дополнительной картины, связанной с физическими особенностями объекта. Последнее как раз имеет место при исследовании поверхности сегнетоэлектриков.

Исследования физических свойств, структуры и морфологии поверхности сегнетоэлектриков приобрели в последние годы большую актуальность в связи с возможностью их применения в различных областях техники. Сегнетоэлектрические пленки (двумерные наноструктуры) вызывают большой интерес у конструкторов СВЧ устройств для наноэлектроники, таких как устройства энергонезависимой памяти, динамической памяти с произвольной выборкой, приемники инфракрасного излучения, оптические процессоры, волноводы, разнообразные акустооптические устройства, изменяющие заданным образом спектральный состав, амплитуду и направление распространения светового сигнала.

Интерес к исследованию поверхности сегнетоэлектрических кристаллов обусловлен важной ролью, которую играет поверхность в сегнетоэлектрических явлениях. Поверхностные слои в зависимости от способа получения и обработки, наряду с дефектами, содержащимися в объеме кристалла, оказывают значительное влияние на диэлектрические параметры сегнетоэлектриков, а, следовательно, и на устройства из них. Таким образом, возникает потребность в развитии методики АСМ исследования топографии поверхности и доменной структуры сегнетоэлектриков и в повышении достоверности результатов исследования, что представляет собой большой интерес для современной физики поверхности и учения о сегнетоэлектричестве.

Цели диссертационной работы:

1) получение данных о морфологии поверхности и доменной структуре трнглицинсульфата (ТГС) различными методами АСМ;

2) выявление природы формирования тонкой структуры на поверхности скола ТГС;

3) четкое разделение контраста от доменной структуры и особенностей микрорельефа поверхности ТГС;

4) развитие методик АСМ для наиболее информативного исследования микрорельефа поверхности и доменной структуры сегнетоэлектриков;

5) развитие АСМ методик, направленное на повышение достоверности результатов измерений (снижение величины ряда искажений, обусловленных конструктивными особенностями атомно-силового микроскопа).

Научная новизна работы.

1. Впервые выявлены различия морфологии поверхности состаренных и отожженных кристаллов ТГС. Проведено сопоставление морфологии поверхности дефектных кристаллов ТГС (ТГС с хромом) с морфологией поверхности «чистых» кристаллов. Изучено влияние внешних воздействий (ударное воздействие, нагрев) на морфологию поверхности кристалла ТГС.

2. На основе полученных данных впервые показано, что тонкая структура поверхности скола кристалла ТГС тесно связана с его сег-нетоэлектрической природой, степенью дефектности и характером вхождения примеси в кристаллическую решетку и является устойчивым микрорельефом, образующимся под действием декомпенсирую-щих полей в момент раскола сегнетоэлектрического кристалла.

3. Изучена доменная структура ТГС и проведено сопоставление результатов, полученных в различных режимах АСМ. Впервые обнаружено, что на АСМ-изображениях встречаются линзовидные образования, отображающиеся на АСМ-изображениях двояко. Изучено влияние нагрева и внешнего электрического поля на линзовидные образования обоих типов.

4. По результатам эксперимента впервые установлено, что линзовидные образования одного типа отражают реальную доменную структуру, а образования другого типа представляют собой лишь элементы микрорельефа поверхности.

Практическая значимость работы.

1. На основе полученных данных разработаны рекомендации, позволяющие исследовать морфологию поверхности и доменную структуру сегнетоэлектриков без их модификации и четко отделять на АСМ-изображениях реальную доменную структуру от сходного по морфологии микрорельефа поверхности.

2. Предложено использовать поверхность скола кристалла ТГС в качестве тестовой структуры для калибровки пьезоэлектрического сканера АСМ по координате Z в диапазоне высот (0.1 — 2 нм). Показана высокая воспроизводимость основного параметра тестовой структуры и ее устойчивость к различным внешним воздействиям.

Апробация результатов.

Результаты работы докладывались на следующих российских и международных конференциях:

• Всероссийское совещание «Зондовая мнкроскопия-2000» (Нижний Новгород, 2000 г);

• Российская конференция по электронной микроскопии, 2000, (Черноголовка), Россия;

• Национальная конференция по росту кристаллов, 2000, (Москва), Россия;

• Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, 2001, (Черноголовка), Россия;

• RCBJSF Symposium on ferroelectricity, 2002, Portugal;

• 7th International Symposium on Ferroic Domains and Mesoscopic Structures, 2002, (Giens), France;

• Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков, сентябрь, 2002, (Тверь), Россия;

• Международная научная конференция «Кристаллизация в нано-системах», 2002, (Иваново), Россия;

• International Workshop «Scanning Probe Microscopy — 2003», 2003, (Nizhniy Novgorod), Russia;

• Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, 2003, (Черноголовка), Россия;

• Российская конференция по электронной микроскопии, 2004, (Черноголовка), Россия;

• XVII Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков, сентябрь, 2005, (Пенза), Россия.

Публикации.

Результаты работы представлены в статьях в российских и зарубежных журналах, в авторских свидетельствах и тезисах докладов на научных конференциях. По материалам диссертации опубликовано 5 работ.

Выводы.

1. Разработана методология ЛСМ исследования поверхности сегнетоэлектрических кристаллов ТГС, позволяющая путем подбора оптимальных параметров режимов работы микроскопа распознавать элементы микрорельефа и доменной структуры, отсекая артефакты АСМ-изображений и возможное влияние зондирующего острия.

2. Определены границы возможностей метода АСМ при изучении доменной структуры сегнетоэлектрических кристаллов ТГС. На примере кристаллов ТГС выявлены условия для получения высококонтрастных изображений доменов в контактном и прерывисто-контактном режимах в статике и динамике. Установлено, что один тип линзовидных образований отражает реально существующую доменную структуру, а другой тип представляет собой лишь элементы микрорельефа поверхности, в прошлом связанные с доменами.

3. Показано, что двумерные образования на атомарно гладкой полярной поверхности естественного скола кристалла ТГС с высотой (глубиной) ~ 0.6 нм являются устойчивой характерной деталью его нано-рельефа, а не доменами. Они образуются естественным образом при раскалывании кристалла в сегнетофазе и искусственно могут быть получены направленным воздействием на поверхность зондирующего острия кантилевера (многократное сканирование или ударное воздействие).

4. Показано, что устойчивость по отношению к внешним воздействиям и во времени элементов нанорельефа — выступов (ямок) на естественной плоскости скола соответствует требованиям к эталонным структурам. Получен патент на способ калибровки пьезосканера атомно-силового микроскопа на основе кристаллов ТГС при измерениях нанорельефа в диапазоне высот до ~ 3 нм.

5. АСМ изучение поверхности сколов кристаллов ТГС со специально введенной примесыо хрома показало, что на поверхности дефектных кристаллов, как и в чистых кристаллах ТГС выявляется нанорельеф в виде двумерных островков и ямок. Плотность двумерных образовании, латеральные размеры и их разброс в несколько раз больше, чем в чистых кристаллах, что объясняется наличием хелатных комплексов в кристаллах ТГС с хромом.

Благодарности.

В заключении хотелось выразить глубокую благодарность своему руководителю к.ф.-м.н. Ллле Леонидовне Толстихиной за предложенную тему и постоянное внимание к работе. Также хочется поблагодарить сотрудников сектора «Сканирующая зондовая микроскопия» к.ф.-м.н. Наталью Васильевну Белугину, Максима Леонидовича Занавескина и сотрудников лаборатории «Электронографии» к.ф.-м.н. Киру Львовну Сорокину и Ирину Сергеевну Занавескину за поддержку и помощь, оказанную во время выполнения этой работы. Сотрудникам лаборатории «Малоуглового рассеяния» к.х.н. Владимиру Владимировичу Волкову, к.х.н. Нине Дмитриевне Степени, сотруднику лаборатории «Механических свойств кристаллов» д.ф.-м.н. Марату Шнхаповичу Акчурину и д.ф.-м.н. Равилу Вагизовичу Галиулину я признателен за полезные дискуссии и советы. Особую благодарность хочу выразить своему учителю ныне покойному профессору Петру Ашотовичу Арутюнову.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Binning G., Quate С. F. and Gerber Ch., Atomic force microscope. Phys. Rev. Lett., (1986), 56, 930 — 933.
  2. Magonov S.N., Whangbo M-H., Surface analysis with STM and AFM: experimental and theoretical aspects of image analysis. WeinHeim- New York- Basel- Cambridge- Tokyo: VHC. 1996. 318 p.
  3. В.А., Приборы и методы сканирующей зондовой микроскопии для исследования и модификации поверхностей. Докторская диссертация. Москва. 2000. 393 с.
  4. А.А., Овчинников Д. В., Бухараева А. А., Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии (обзор). Зав. лаб., (1997), 5. 10−27.
  5. В.Л., Исследование и модификация локальных свойств тонкопленочных структур. Кандидатская диссертация. Нижний Ново-город. 2001. 153 с.
  6. Т. R., Akamine S., Carver Т. Е., and Quate С. F., Microfab-rication of cantilever styli for the atomic force microscope. J. Vac. Sci. Technol. A., (1990), 8, 3386 3396.
  7. Wolter O., Bayer Th., and Greschner J., Micromachined silicon sensors for scanning force microscopy. J. Vac. Sci. Technol. В., (1991), 9, 1353- 1357.
  8. Meyer G., Amer N.M., Novel optical approach to atomic force microscopy. Appl. Phys. Lett., (1988), 53, 1045 1047.
  9. Martin Y., Williams С. C. and Wickramasinghe H. K., Atomic force microscope-force mapping and profiling on a sub 100-A scale. J. Appl. Phys., (1987), 61, 4723−4729.
  10. Meyer G., Amer N.M., Erratum: Novel optical approach to atomic force microscopy. Appl. Phys. Lett., (1988), 53, 2400 2402.ч
  11. U., Gimzewski J. К. and Pohl D. W., Experimental observation of forces acting during scanning tunneling microscopy. Phys. Rev. Lett, (1986), 57,2403−2406.
  12. Zhong Q, Inniss D, Kjoller K. and Elings V. В., Fractured polymer/silica fiber surface studied by tapping mode atomic force microscopy. Surf. Sci. Lett, (1993), 290, L688 L692.
  13. Mate С. M, McClelland G. M, Erlandsson R. and Chiang S, Atomic-scale friction of a tungsten tip on a graphite surface. Phys. Rev. Lett, (1987), 59, 1942- 1945.
  14. Binnig G. and Smith D. P. E, Single-tube three-dimensional scanner for scanning tunneling microscopy. Rev. Sci. Instrum, (1986), 57. 1688 -1689.
  15. Бухараев А. А, Диагностика поверхности с помощью сканирующей туннельной микроскопии (обзор). Завод, лаб, (1994), 10, 15 -26.
  16. Hicks T. R, Atherton P. D, The nanopositioning book: moving and measuring to better than a nanometre. Berkshire, England: Queensgate Instruments/Penton Press. 1997.
  17. Ge P, Jouaneh M, Tracking control of a piezoceramic actuator. IEEE Trans. Control. Syst. Technol, (1996), 4, 209 216.
  18. Griffin J. E, Grig D. A, Dimensional metrology with scanning probe microscopes. J. Appl. Phys, (1993), 74, R83 R109.
  19. Edwards H., McGlothlin R., U E., Vertical metrology using scanning-probe microscopes: Imaging distortions and measurement repeatability. J. Appl. Phys., (1998), 83, 3952 3971.
  20. Ge P., Jouaneh M., Modeling hysteresis in piezoceramic actuators. J. Am. Soc. Prccis. Eng., (1995), 17, 211 -221.
  21. Okayama S., Kajimura K., Watanabe S., Honma A., High resolution piezoelectric actuator for STM. J. Japan. Soc. Precis. Eng., (1988), 54, 817 -821.
  22. Griffith J.E., Miller G.L., Green C.A., Grig D.A., Russel P.E., A scanning tunneling microscope with a capacitance-based position monitor. J. Vac. Sci. Technol. В., (1990), 8, 2023 2027.
  23. Jusko O., Zhao X., Wolff H., Wilkening G., Design and three dimensional calibration of a measuring scanning tunneling microscope for me-trological applications. Rev. Sci. Instrum., (1994), 65, 2514−2518.
  24. Xu Y., Smith S.T., Atherton P.D., A metrological scanning force microscope. Prec. Eng., (1996), 19, 46 55.
  25. Picotto G.B., Desogus S., Lanyi S., Nerino R., Sosso A., Scanning tunneling microscopy head having integrated capacitive sensors for calibration of scanner displacements. J. Vac. Sci. Technol. B, (1996), 14, 897 -900.
  26. Holman A.E., Laman C.D., Scholte P.M.L.O., Heerens W.Chr., Tuinstra F., A calibrated scanning tunneling microscope equipped with capacitive sensors. Rev. Sci. Instrum., (1996), 67,2274 2280.
  27. Teague E.C., The National Institute of Standards and Technology molecular measuring machine project: Metrology and precision engineering design. J. Vac. Sci. Technol. В., (1989), 7, 1898 1902.
  28. Yamada H., Fujii Т., Nakayama K. Linewidth measurement by a new scanning tunneling microscope. Jpn. J. Appl. Phys., (1989), 28, 2402 -2404.
  29. Schneir J., McWaid Т.Н., Alexander J., Wilfley B.P., Design of an atomic force microscope with interferometric position control. J. Vac. Sci. Tcchnol. В., (1994), 12, 3561 -3566.
  30. Fujii Т., Yamaguchi M., Suzuki M. Scanning tunneling microscope with three-dimensional interferometer for surface roughness measurement. Rev. Sci. Instrum., (1995), 66, 2504 2507.
  31. Miller J.A., Hockcn R., Smith S.T., Harb S., X-ray calibrated tunneling system utilizing a dimensionally stable nanometer positioner. Precision Eng., (1996), 18, 95- 102.
  32. Chernof D. A, Lohr J.D., Hansen D.P., Lines M., High-precision calibration of a scanning probe microscope (SPM) for pitch and overlay measurements. Proc. SPIE. Int. Soc. Opt. Eng., (1997), 3050, 243 249.
  33. Nakayama Y., Toyoda K., New submicron dimension reference for electron-beammetrology system. Proc. SPIE. Int. Soc. Opt. Eng., (1994), 2196, 74.
  34. Misumi I., Gonda S., Kurosawa Т., Takamasu K., Uncertainty in pitch measurements of one-dimensional grating standards using a nanome-trological atomic force microscope. Meas. Sci. Technol., (2003), 14, 463 -471.
  35. Franks A., Progress towards traceable nanometric surface technology. Nanotcchnology, (1993), 4, 200 205.
  36. VLSI Standards STM-1000A № 2344−009−023.
  37. Brand U., Hillmann W., Calibration of step height standards for nanometrology using interference microscopy and stylus profilometry. Prec. Eng., (1995), 17, 22−33.
  38. Kerssemakers J. Concepts of interactions in local probe microscopy. Netherlands: Groningen University. 1997. 164 p.
  39. Plomp M., Buijnsters J.G., Bogels G., van Enckevort W. J. P., Bollen D., Atomic force microscopy studies on the surface morphology of {111} tabular AgBr crystals. J. Cryst. Growth., (2000), 209, 911 923.
  40. Cui N.-Y., Brown N.M.D., McKinley A., An exploratory study of the topography of a Cdl2 single crystal using AFM. Appl. Surface Sci., (1999), 152,266−270.
  41. Campbell P.A., Sinnamon L.J., Thompson C.E., Walmsley D.G., Atomic force microscopy evidence for K+ domains on freshly cleaved mica. Surface Sci. Lett., (1998), 410, L768 L772.
  42. Ahn C.H., Tybell Т., Antognazza L., Char K., Hammond R. H., Bea-sley M. R., Fischer O., Triscone J., Local, nonvolatile electronic writing of epitaxial Pb (Zr0.52Tio.48)03/SrRu03 heterostructures. Science, (1997), 276, 1100- 1103.
  43. Eng L.M., Nanoscale domain engineering and characterization of ferroelectric domains. Nanotechnology, (1999), 10,405 411.
  44. Жслудев И. С, Физика кристаллических диэлектриков. М.: Наука. 1968.463 с.
  45. Н.В., Доменная структура, неоднородность поляризации и некоторые физические свойства кристаллов ТГС с различной степенью дефектности. Кандидатская диссертация. Москва 1977. 140 с.
  46. Цедрик М. С, Физические свойства кристаллов семейства триг-лицинсульфата. Мн.: Наука и техника. 1986. 216 с.
  47. Мелешина В. А, Рез И. С, К методике одновременного избирательного травления доменов и дислокаций и их идентификации в кристаллах триглицинсульфата. Кристаллография, (1964), 9, 381 387.
  48. Константинова В. П, Применение избирательного травления при изучении двойниковой и дислокационной структур. Кристаллография, (1962), 7, 748−754.
  49. Дистлер Г. И, Власов В. П, Герасимов Ю. М, Кобзарева С. А, Кортукова Е. И, Лебедева В. Н, Москвин В. В, Шенявская JI. A, Декорирование поверхности твердых тел. М.: Наука. 1976. 111 с.
  50. Мелешина В. А, Желудев И. С, Рез И. С, Применение метода заряженных порошков для изучения доменной структуры и морфологических особенностей роста кристаллов триглицинсульфата. Кристаллография, (1960), 5, 322 323.
  51. Шенявская JI. A, Дистлер Г. И, Визуализация электрической структуры триглицинсульфата. ФТТ, (1976), 18, 1451 1455.
  52. Tikhomirova N. A, Pikin S. A, Shuvalov L. A, Visualization of static and dynamics of domain structure in triglycine sulfate by liquid crystals. Ferroelectrics, (1980), 29, 145 148.
  53. Liithi R, Haefke H, Meuer K.-P, Meyer E, Howald L, Guntherodt H.-J, Surface and domain structures of ferroelectric crystals studied with scanning force microscopy. J. Appl. Phys, (1993), 74, 7461 7471.
  54. Вас М.-.К., Horiuchi Т., Нага К., Ishibashi Y., Matsushicc К., Direct observation of domain structure in triglycinc sulfate by atomic force microscopy. Jpn. J. Appl. Phys., (1994), ЗА, 1390.
  55. Haefke H., Luthi R., Meyer K.-P., Guntherodt H.-J., Static and dynamic structures of ferroelectric domains studied with scanning force microscopy. Ferroelectrics, (1994), 151, 143 149.
  56. К., Вас M.-K., Okabe H., Horiuchi Т., Matsushice K., Ishibashi Y., AFM observations of TGS crystal surface in microscopic and semi-microscopic levels. Ferroelectrics, (1995), 170, 101 109.
  57. H.B., Толстнхина A.JI., Исследование микрорельефа поверхности кристаллов сегнетоэлектриков ТГС и Rb2ZnC14 методом атомно-силовой микроскопии. Кристаллография, (1996), 41, 1072 -1076.
  58. Ohgami J., Sugawara Y., Morita S., Ozaki T. Growth of a two-dimensional nucleus on a cleaved (010) surface of (NH2CH2C00H)3H2S04 J. Phys. Soc. Jpn., (1997). 66, 2747 2750.
  59. Ohgami J., Sugawara Y., Morita S., Nakamura E., Ozaki Т., Time evolution of surface topography around a domain wall in ferroelectric (NH2CH2C00H)3H2S04. Jpn. J. Appl. Phys., (1996), 35, 5174−5177.
  60. Ohgami J., Sugawara Y., Morita S., Nakamura E., Ozaki Т., Determination of sign of surface charge of ferroelectric TGS using Electrostatic force microscope combined with the voltage modulation technique. Jpn. J. Appl. Phys., (1996), 35, 2734 2739.
  61. Bluhm H., Wiesendanger R., Meyer K.-P., Topographical structure of the domain boudary on the triglycine sulfate (010) surface. Ferroelectrics, (1997), 200,327−341.
  62. Bluhm H., Wiesendanger R., Meyer K.-P., Surface structure of ferroelectric domains on triglycine sulfate (010) surface. J. Vac. Sci. Technol. В., (1996), 14,1180- 1183.
  63. Bluhm H., Schwarz U.D., Wiesendanger R., Origin of the ferroelectric domain contrast observed in lateral force microscopy. Phys. Rev. В., 1998), 57, 161 169.
  64. Eng L.M., Fousek J., Gunter P., Ferroelectric domains and domain boundaries observed by scanning force microscopy. Ferroelectrics, (1997), 191,211−218.
  65. Eng L.M., Abplanalp M., Giinter P., Ferroelectric domain switching in triglycine sulfate and barium-titanate bulk single crystals by scanning force microscopy. Appl. Phys., (1998), A66, S679 S683.
  66. Likodimos V., Labardi M., Allegrini M., Kinetics of ferroelectric domains investigated by scanning force microscopy. Phys.Rev., (2000), 61, 14 440−14 447.
  67. Labardi M., Likodimos V., Allegrini M., Force microscopy contrast mechanisms in ferroelectric domain imaging. Phys. Rev., (2000). 61, 14 390 14 398.
  68. Eng L.M., Friedrich M., Fousek J., Gunter P., Deconvolution of topographic and ferroelectric contrast by noncontact and fricrtion force microscopy. J. Vac. Sci. Technol. В.,(1996), 14, 1191 1196.
  69. Eng L.M., Friedrich M., Fousek J., Gunter P., Scanning force microscopy of ferroelectric crystals. Ferroelectrics, (1996), 186,49 52.
  70. Tsunckawa S., Fukuda Т., Ozaki Т., Yoneda Y., Terauchi H., Atomic force and scanning electron microscopic observations of surfaceand domain structures of ВаТЮЗ films and bulk crystals. Appl. Phys. Lett., 1997), 71, 1486- 1488.
  71. Takashige M., Hamazaki S.-I., Fukurai N., Shimizu F., Kojima S., Atomic force microscope observation of ferroeletrics: Barium Titanate and Rochelle Salt. Jpn. J. Appl. Phys., (1996), 35, 5181 -5184.
  72. Abplanalp M., Eng L.M., Gunter P., Mapping the domain distrubu-tion at ferroelectric surface by scanning force microscopy. Appl. Phys., 1998). A66, S231-S234.
  73. Wang Y.G., Dec J., Kleemann W., Study on surface and domain structures of PbTi03 crystals by atomic force microscopy. J. Appl. Phys.1998), 84, 6795−6799.
  74. Luthi R., Haefke H., Grutter P., Guntherodt H.-J., Szczesniak L., Meyer K.P., Surface and domain structures of ferroelectric GASH crystals studied by scanning force microscopy. Surf. Sci. Lett. (1993), 285, L498 -L502.
  75. Gruverman A., Kolosov 0., Hatano J., Takahashi K., Tokumoto H., Domain structure and polarization reversal in ferroelectrics studied by atomic force microscopy. J. Vac. Sci. Technol. В.,(1995), 13, 1095 1099.
  76. Kolosov O., Gruverman A., Hatano J., Takahashi K., Tokumoto H., Nanoscale visualization and control of ferroelectric domains by atomic force microscopy. Phys. Rev. Lett., (1995), 74, 4309−4312.
  77. Bliihm H., Wadas A., Wiesendanger R., Rochko A., Aust J.A., Nam D., Imaging of domain invertad gratings in LiNb03 by electrostatic force microscopy. Appl. Phys. Lett., (1997), 71, 146- 148.
  78. Tsunekawa S., Ichikawa J., Nagata H., Fukuda Т., Observation of ferroelectric microdomains in LiNb03 crystals by electrostatic force microscopy. Appl. Surf. Sci., (1999), 137, 61 -70.
  79. Balakumar S., Zcng H.C., Surface reconstraction in TGS family crystals under humidity and temperature controls. Mat. Res. Innovat., 1999), 2, 289−298.
  80. .Л., Левашок Л. П., Физические основы сегнетоэлек-трических явлений в кристаллах. М.: Наука. Физматлит. 1995. 304 с.
  81. Г. А., Боков В. А., Исупов В. А., Крайник Н. Н., Пасынков Р. Е., Шур М.С. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. М.: Наука. 1971.476 с.
  82. Н.В., Классен-Неклгадова М.В. // ЖТФ, (1943), 18,265.
  83. Н.В., Толстихина А. Л., Исследование влияния внешних воздействий на поверхность кристаллов триглицинсульфата методом атомно-силовой микроскопии. Поверхность, (2000), 6, 72 78.
  84. Tolstikhina A.L., Belugina N.V., Shikin S.A. AFM Characterization of domain structure of ferroelectric TGS crystals on a nanoscale. Ultrami-croscopy, (2000), 82, 149 152.
  85. Tolstikhina A.L., Belugina N.V., Gainutdinov R.V., About the nature of two-dimesional formations at the polar surface of cleaved triglycinc sulfate crystals. Ferroelectrics, (2000), 82, 149.
  86. А.Л., Белугина H.B., Гайнутдинов P.B. О природе двумерных образований на полярной поверхности скола кристаллов ТГС. Поверхность, (2000), 12, 19−22.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!