Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Физико-химические закономерности получения допированных галогенами пленок PbS для быстродействующих фотодетекторов

Диссертация: Физико-химические закономерности получения допированных галогенами пленок PbS для быстродействующих фотодетекторов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Основные результаты и положения диссертационного исследования докладывались и обсуждались на VII Международной научной конференции «Прикладная оптика — 2006» (С. Петербург, 2006), IV Международной научной конференции «Кинетика и механизм кристаллизации. Нанокристаллизация. Биокристаллизация» (Иваново, 2006), Fifth International Conference on Inorganic Materials (Ljubljana, 2006), VIII… Читать ещё >

Физико-химические закономерности получения допированных галогенами пленок PbS для быстродействующих фотодетекторов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Методы обнаружения пламени и очагов возгорания
    • 1. 2. Фотодетекторы излучения ближнего и среднего ИК-диапазона
    • 1. 3. Методы получения тонких пленок сульфида свинца
    • 1. 4. Гидрохимическое осаждение пленок сульфида свинца
    • 1. 5. Влияние условий осаждения на микроструктуру пленок РЬБ и их фоточувствительные свойства
    • 1. 6. Методы сенсибилизации пленок сульфида свинца к ИК-излучению
  • Выводы
  • Глава 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ УСЛОВИЙ ПОЛУЧЕНИЯ И СВОЙСТВ ПЛЕНОК СУЛЬФИДА СВИНЦА
    • 2. 1. Химические реактивы
    • 2. 2. Методика гидрохимического синтеза пленок Р
    • 2. 3. Кинетические исследования образования твердой фазы Р
    • 2. 4. Определение толщины пленок РЬБ
    • 2. 5. Структурные исследования пленок Р
    • 2. 6. Исследование фазового и элементного состава пленок Р
    • 2. 7. Исследование микроструктуры пленок Р
    • 2. 8. Нанесение электрохимических контактов
    • 2. 9. Исследование спектральных и фотоэлектрических характеристик пленок Р
    • 2. 10. Низкотемпературные исследования пленок Р
  • Глава 3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ СУЛЬФИДА СВИНЦА И ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ ЕГО
  • ОСАЖДЕНИЯ В ПРИСУТСТВИИ ГАЛОГЕНИДОВ АММОНИЯ
    • 3. 1. Анализ условий образования сульфида свинца в аммиачно-цитратной системе
    • 3. 2. Синтез пленок сульфида свинца из аммиачно-цитратных растворов
      • 3. 2. 1. Кинетика осаждения пленок РЬ8 из аммиачно-цитратной системы
      • 3. 2. 2. Кинетические особенности образования пленок РЬ при введении в реакционный раствор галогенид-ионов
  • Выводы
  • Глава 4. СТРУКТУРА, СОСТАВ, МОРФОЛОГИЯ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК РЬ8,
  • ДОТИРОВАННЫХ ГАЛОГЕНАМИ
    • 4. 1. Состав, микроструктура и морфология пленок РЬ8, осажденных в присутствии галогенидов аммония
    • 4. 2. Фотоэлектрические и спектральные характеристики пленок РЬ8, допированных галогенами
    • 4. 3. Низкотемпературные исследования допированных галогенами пленок Р
  • Выводы
  • Глава 5. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ОБРАЗЦОВ ФОТОДЕТЕКТОРОВ НА ОСНОВЕ ГАЛОГЕНСОДЕРЖАЩИХ ПЛЕНОК Р
    • 5. 1. Технология изготовления одноэлементных фоторезисторов на основе химически осажденного сульфида свинца
    • 5. 2. Исследование спектральных, частотных и фотоэлектрических характеристик фоторезисторов на основе галогенсодержащих пленок Р
    • 5. 3. Исследование эксплуатационных характеристик фоторезисторов
    • 5. 4. Рекомендации по использованию разработанных фоторезисторов на основе галогенсодержащих пленок Р
  • Выводы

Актуальность работы. Ущерб от пожаров — в настоящее время одна из важнейших проблем не только в России, но и во всем мире. Очень часто площадь пожара увеличивается за считанные секунды, в результате чего уже через незначительное время после возгорания справиться с развитыми пожарами бывает достаточно сложно, а иногда и невозможно. В итоге остро стоит проблема их быстрого обнаружения на стадии возникновения горения.

Своевременное обнаружение очагов возгорания наиболее эффективно при использовании пожарных извещателей, в основе работы которых лежит оптический принцип детектирования. Их чувствительными элементами являются фотоприемники видимого и инфракрасного излучения. Они способны своевременно и дистанционно обнаруживать открытое пламя, тлеющие очаги возгорания, а таюке нагретые свыше допустимого узлы и агрегаты технологического оборудования.

Особенно важной задачей является раннее обнаружение возгораний на объектах, где в большом количестве присутствуют взрывоопасные вещества, в двигателях самолетов, в угольных шахтах, в замкнутых пространствах подводных аппаратов и космических кораблей, в других помещениях, где есть высокая опасность гибели людей.

Одними из лучших по своей детектирующей способности в видимой и ближней ИК-области спектра (0,4−3,2 мкм) являются фотоприемники на основе сульфида свинца. Однако предлагаемые коммерческими фирмами образцы фоторезисторов на его основе имеют постоянную времени при 298 К не менее 200−400 мкс, что является достаточно большими величинами для детектирования быстро протекающих процессов. К тому же технология гидрохимического осаждения пленок, как правило, включает в себя операцию термосенсибилизации, которая не всегда обеспечивает хорошую воспроизводимость свойств. В связи с этим вопросы повышения быстродействия пленок сульфида свинца и совершенствования технологии их гидрохимического осаждения являются очень актуальными. Их решение позволило бы создать фотодетекторы, обеспечивающие более раннее включение систем пожаротушения с целью предотвращения развития пожара. Одним из путей совершенствования технологии синтеза и улучшения фотоэлектрических характеристик PbS является разработка условий получения пленок, допированных такими электроактивными примесями как хлор, бром и йод.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты № 05−08−50 249а, № 06−03−8 103 офи).

Объект исследования — пленки сульфида свинца, синтезированные гидрохимическим способом из цитратно-аммиачной реакционной смеси в присутствии галогенид-ионов, и фотодетекторы на их основе.

Цель работы. Разработка физико-химических основ гидрохимического осаждения пленок сульфида свинца, допированных галогенамиизготовление на их основе быстродействующих экспериментальных образцов фотодетекторов для пожарных извещателей, исследование их фотоэлектрических и эксплуатационных характеристик.

Для достижения цели работы были поставлены следующие задачи:

1) проведение анализа ионных равновесий в цитратно-аммиачной реакционной смеси, содержащей в качестве халькогенизатора тиомочевину, с целью определения условий осаждения твердой фазы сульфида свинца;

2) исследование кинетики химического осаждения PbS в зависимости от содержания компонентов реакционной смеси, в том числе NH4CI, NH4Br, NH4I, и температуры процесса с определением частных порядков по компонентам и составлением формально-кинетического уравнения скорости;

3) получение пленок сульфида свинца в присутствии галогенидов аммония, определение их состава, структуры и морфологии;

4) изучение фотоэлектрических и спектральных характеристик пленок PbS, допированных галогенами, с определением вольт-ваттной чувствительности и постоянной времени, проведение их низкотемпературных исследований;

5) изготовление экспериментальных образцов одноэлементных фоторезисторов на основе допированных галогенами пленок PbS для пожарных увещателей, исследование их частотных, температурных и эксплуатационных характеристик.

Научная новизна работы.

1. Установлено влияние присутствующих в реакционной смеси солей галоге-нидов аммония на константу скорости осаждения сульфида свинца и энергию активации процесса. Константа скорости осаждения снижается при одном и том же содержании солей в ряду NH4C1—>NH4Br—>NH4I.

2. Показано влияние добавок галогенидов аммония на состав, структуру и морфологию пленок PbS. Кристалличность и размеры микрокристаллов пленок уменьшаются в ряду от NH4CI к NH4I.

3.

Введение

в реакционную смесь галогенидов аммония значительно повышает уровень фотоответа пленок PbS к инфракрасному излучению.

4. По результатам низкотемпературных исследований пленок сульфида свинца, допированных хлором и бромом, впервые установлен собственный тип проводимости до температур 160 и 180 К соответственно.

5. Впервые установлены аномально низкие значения постоянной времени (3−12 мкс) пленок PbS, допированных хлором и бромом.

Практическая ценность.

1. Показано, что введение в реакционную смесь галогенидов аммония при гидрохимическом осаждении пленок PbS повышает их чувствительность к ИК-излучению, исключая тем самым операцию термосенсибилизации.

2. Разработаны условия гидрохимического осаждения фоточувствительных пленок сульфида свинца с постоянной времени 3−12 мкс.

3. Изготовлены и внедрены экспериментальные образцы одноэлементных быстродействующих фоторезисторов для пожарных извещателей.

Положения, выносимые на защиту 1. Результаты кинетических исследований осаждения пленок PbS в присутствии хлорида, бромида и йодида аммония.

2. Результаты экспериментальных исследований состава, структуры и морфологии пленок PbS, допированных галогенамиданные их низкотемпературных исследований.

3. Результаты исследований фотоэлектрических и пороговых характеристик пленок PbS, допированных галогенами.

4. Технологические условия изготовления одноэлементных быстродействующих фоторезисторов для использования их в качестве чувствительных элементов пожарных извещателей и их эксплуатационные характеристики.

Публикации и апробация работы. По результатам исследований опубликовано 15 печатных работ (в том числе 2 статьи в журналах из списка ВАК), 1 статья в сборнике научных трудов, 11 тезисов докладов на Международных и Всероссийских конференциях, получен патент на полезную модель.

Основные результаты и положения диссертационного исследования докладывались и обсуждались на VII Международной научной конференции «Прикладная оптика — 2006» (С. Петербург, 2006), IV Международной научной конференции «Кинетика и механизм кристаллизации. Нанокристаллизация. Биокристаллизация» (Иваново, 2006), Fifth International Conference on Inorganic Materials (Ljubljana, 2006), VIII Всероссийской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2007» (Екатеринбург, 2007), VII International Scientific Conference «Solid State Chemistry and Modern microand nanotechnolo-gies» (Kislovodsk, 2007), VI Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов «РСНЭ-2007» (Москва, 2007), Второй Международной научно-практической конференции «Актуальные проблемы обеспечения безопасности в Российской Федерации» (Екатеринбург, 2008), Международной научно-практической конференции «Актуальные проблемы пожарной безопасности» (Москва, 2008), II Всероссийской конференции «Безопасность критичных инфраструктур и территорий» (Екатеринбург, 2008).

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, общих выводов и приложения, содержит 124 страницы, включая 7 таблиц.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ.

1. Проведен анализ ионных равновесий и определены граничные условия осаждения сульфида и гидроксида свинца в цитратно-аммиачной системе, в том числе с учетом кристаллизационного фактора.

2. Выявлены физико-химические закономерности осаждения PbS в зависимости от допирующей добавки галогенов. Установлено, что введение в реакционную смесь галогенидов аммония (NH4CI, NH4Br, NH4I) ингибирует процесс образования твердой фазы сульфида свинца. Энергия активации процесса образования PbS в присутствии в реакционной смеси NH4CI, NHLtBr, NH4I составила 46,1±3,6- 50,1±4,1- 79,6±1,6 кДж/моль.

3. С использованием полнопрофильного метода Ритвелда произведен расчет периода кристаллической решетки пленок PbS, синтезируемых из реакционных смесей, включающих галогениды аммония. Сделан вывод, что в ряду NH4CI—"NtLfBr—"NHjI наблюдаемое увеличение постоянной кристаллической решетки (0,59 318+0,6, 0,59 332±0,8- 0,59 331±0,12 нм) обусловлено ростом содержания галогена в пленке (С1—1,6 ат.%- Вг-1,9 ат.%- 1−2,8 ат. %).

4. Размеры микрокристаллитов пленок PbS (Cl), PbS (Br), PbS (I), оцененные по формуле Дебая (140, 120, 40 нм) удовлетворительно согласуется с данными электронной микроскопии (170, 120, 40 нм).

5. Низкотемпературными исследованиями установлен переход квазисобственного типа проводимости в выраженный «р» -тип с увеличением термической ширины запрещенной зоны, составляющей 0,37−0,38- 0,40- 0,51−0,53 эВ, в ряду PbS (Cl), PbS (Br), PbS (I).

6. Впервые синтезированы фоточувствительные пленки сульфида свинца с аномально малой постоянной времени (3—12 мкс), которая в 100—200 раз меньше аналогичного параметра известных образцов.

7. Разработаны и изготовлены экспериментальные образцы одноэлементных фоторезисторов на основе допированных хлором и бромом пленок PbS. Исследованы их частотные, температурные и эксплуатационные характеристики. Фоторезисторы на основе пленок сульфида свинца с добавкой брома внедрены для изготовления экспериментальной партии пожарных извещателей.

Показать весь текст

Список литературы

  1. НПБ 76−98. Извещатели пожарные. Общие технические требования. Методы испытаний Текст. — Введ. 1998−12−24. — М.: ВНИИПО МВД России, 2000.-19 с.
  2. НПБ 72−98. Извещатели пожарные пламени. Общие технические требования. Методы испытаний Текст. Введ. 1998−07−27. — М.: ВНИИПО МВД России, 2000.-21 с.
  3. , Н. Новые оптоэлектронные датчики пламени Текст. / Н. Горбунов [и др.] // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2005. — № 2. — С. 30−33.
  4. , В. Н. Состояние и перспективы микрофотоэлектронного комплекса в Черновицком регионе Украины Текст. / В. Н. Годованюк [и др.] // Прикладная физика. — 2003. — № 3. С. 72−83.
  5. , В. Г. Фотоприемники на основе халькогенидов свинца: состояние работ в ГУП «НПО „Орион“» и перспективы развития Текст. / В. Г. Буткевич [и др.] // Прикладная физика. — 1999. № 2. — С. 87.
  6. , В. П. Фотоприемники и фотоприемные модули нового поколения (к 55-летию НИИ-801 — НПО «Орион») Текст. / В. П. Пономаренко,
  7. A. М. Филачев // Прикладная физика. — 2001. — № 6. — С. 20−38.
  8. , В. Г. Фотоприемники и фотоприемные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца Текст. /
  9. B. Г. Буткевич, В. Д. Бочков, Е. Р. Глобус // Прикладная физика. -2001. № 6.1. C. 66−112.
  10. Полупроводниковые фотоприемники. Ультрафиолетовый, видимый и инфракрасный диапазоны спектра Текст. / И. Д. Анисимова [и др.]. -М.: Радио и связь, 1984. 216 с.
  11. Hamamatsu Photodiodes Text. / Cat. № KPD0001E06. Dec. 1997.
  12. EG&G Optoelectronics: Short From Catalog Emitters and Detectors1. Text. 1996.-Issue 1.
  13. , Д. В. Проблемы рынка фотоэлектроники Текст. / Д. В. Кадельник, В. Д. Фотий // Эффективность реализации научного, ресурсного и промышленного потенциала в современных условиях / УИЦ «Наука, Техника. Технология». Киев, 2001. — С. 176—177.
  14. Nair, Р.К. Semiconductor thin films by chemical bath deposition for solar energy related applications Text. / P.K. Nair [et al.] // Solar Energy Materials and Solar Cells. 1998. — V. 52 — P. 313−344.
  15. , P. Тонкопленочная технология Текст. / P. Берри, П. Холл, М. Гаррис. М.: Энергия, 1972. — 336 с.
  16. , Б. С. Вакуумное нанесение тонких пленок Текст. / Б. С. Данилин. М.: Энергия, 1967. — 312 с.
  17. , Н. В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок Текст. / Н. В. Суйковская. Л.: Химия, 1971. — 200 с.
  18. Физика и химия соединений, А В Текст. / под ред. Авена и Пренера. -М.: Мир, 1970.-300 с.
  19. , Л. С. Эпитаксиальные пленки Текст. / Л. С. Палатник, И. И. Папиров. М.: Наука, 1971.-480 с.
  20. , Ю. Д. Получение эпитаксиальных слоев полупроводниковых2 6соединений типа, А В Текст. / Ю. Д. Чистяков, Т. М. Рачева-Стамболиева, Д. X. Джоглев // Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники. — М., 1975.-Вып. 20.-С. 215.
  21. , Б. Д. Электронографическое исследование тонких пленок CdS Текст. / Б. Д. Галкин, Н. В. Троицкая, Р. Д. Иванов // Кристаллография. — 1967. -Т. 12.-С. 878.
  22. Simov, S. Cubic forms in the surface morphology of CdS evaporated films Text. / S. Simov // Thin solid films. 1973. — V. 15. — P. 79.
  23. , Л. Нанесение тонких пленок в вакууме Текст. / Л. Холлэнд. М.- Л.: Госэнергоиздат, 1963. — 608 с.
  24. , С. Тонкие пленки, их изготовление и измерение Текст. / С. Метфессель. М.- Л.: Госэнергоиздат, 1963. 272 с.
  25. , Г. А. Осаждение монокристаллических пленок сульфида кадмия в квазиравновесных условиях Текст. / Г. А. Красулин, A.B. Ванюков // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1970. — Т. 6. — С. 122.
  26. , А. В. Механизм роста эпитаксиальных пленок сульфида и се-ленида кадмия в различных технологических процессах Текст. / А. В. Ванюков [и др.] // Процессы роста кристаллов и пленок полупроводников. Новосибирск, 1970.-С. 192.
  27. , А. В. Термодинамическое вакуумное напыление эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений AIVBVI Текст. / А. В. Матвеенко, Ю. В. Медведев, Н. Н. Берченко // Зарубежная электронная техника. 1982. № 11. — С. 54−115.
  28. , Ю. М. Ориентированная кристаллизация сульфида кадмия по дальнодействующему механизму при катодном распылении Текст. / Ю. М. Герасимов // Физика твердого тела. — 1968. — Т. 10. С. 270.
  29. , JI. А. Осаждение тонких пленок CdS в плазме газового разряда низкого давления Текст. / JI. А. Насонова, Н. Н. Парфенова, С. Н. Погодин // Электронная техника. — М., 1971. — № 6. С. 76.
  30. , Я. А. Электрохимический способ получения пленок содержащих сульфиды кадмия свинца Текст. / Я. А. Угай [и др.] // Электрохимия. 1976. — Т.12.-С. 835.
  31. , Я. А. Особенности получения пленок CdS электрохимическим методом Текст. / Я. А. Угай [и др.] // Полупроводниковые материалы и их применение / Воронежский гос. ун-т. Воронеж, 1977. — С. 198−200.
  32. Chamberlin, R. R. Chemical Spray Deposition Process for Inorganic Films / R. R. Chamberlin, I. S. Charman //1. Electrochem. 1966. — V. 113. — № 1. — P. 8689.
  33. , В. H. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений Текст.: дис.. д-ра хим. наук / В. Н. Семенов. Воронеж, 2002. — 355 с.
  34. , В. Ф. К вопросу о механизме формирования химически осажденных пленок сульфидов металлов и твердых растворов на их основе / В. Ф. Марков и др. // Вестник УГТУ УПИ. Сер. химическая. — 2004. — № 14. -С. 126−134.
  35. , JI. Н. Гидрохимический синтез, структура и свойства пленок пересыщенных твердых растворов замещения MexPbjxS (Me Zn, Cd, Cu, Ag) Текст.: дис.. д-ра хим. наук / JI. Н. Маскаева. — Екатеринбург, 2004. — 386 с.
  36. , Г. А. Исследование процессов получения пленок халькогенидов в водных растворах, содержащих тио-, селеномочевину и селеносульфат натрия Текст.: дис. д-ра хим. наук / Г. А. Китаев. Свердловск, 1971. — 431 с.
  37. Kicinski, F. The preparation of photoconductive cells by chemical deposition of lead sulphide Text. / F. Kicinski // Chem. Ind. 1948. — № 4. — P. 54−57.
  38. Norr, M. K. The lead salt-thiourea reaction Text. / M. K. Norr // J. Phys. Chem. 1961. — V. 65. — № 7. — P.1278−1279.
  39. , Г. А. Условия химического осаждения сульфида кадмия на твердой поверхности Текст. / Г. А. Китаев, А. А. Урицкая, С. Г. Мокрушин // Журн. физ. химии. 1965. — Т. 39. — № 8. — С. 2065−2066.
  40. , А. Б. Кинетика осаждения тонких пленок селенида свинца Текст. / А. Б. Лундин, Г. А. Китаев // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1965.-Т. 1. -№ 12. — С. 1201−1207.
  41. , Г. А. Термодинамическое обоснование условий осаждения сульфидов металлов тиомочевиной из водных растворов Текст. / Г. А. Китаев [и др.] // Труды УПИ. Свердловск, 1968. — № 170. — С. 113−126.
  42. , Г. А. Синтез и исследование пленок твердых растворов CdxPb! xS различного состава Текст. / Г. А. Китаев [и др.] // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1990. — Т. 26. — № 2. — С. 248−250.
  43. , К. Тонкопленочные солнечные элементы Текст. / К. Чопра, С. Дас. М.: Мир, 1986. — 440 с.
  44. , N. С. Electroless deposition of semiconductor films Text. / N. C. Sharma [et al.] // Thin Solid Films. 1979. — V. 58. — № 1. — P. 55−59.
  45. , Я. А. Оптические свойства пленок сульфидов свинца и кадмия, полученных химическим способом Текст. / Я. А Угай, О. Б. Яценко, Е. М. Авербах // Твердотельная радиоэлектроника. Воронеж, 1973. — С. 77−81.
  46. , Я. А. Получение пленок PbS и CdS из водного раствора тиомоче-вины Текст. / Я. А. Угай [и др.] // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1975. — Т. 11. — № 5. — С. 947−956.
  47. , Д. Е. Детекторы на основе солей свинца Текст. / Д. Е. Боде // Физика тонких пленок. Пер. с англ. М.: Мир. 1968. — Т. 3. — С. 299−327.
  48. , S. // The Glass Industry. 1959. — V.40. — № 359. p. 424.
  49. , Т. С. Современные приемники инфракрасного излучения Текст. / Т. С. Мосс // Успехи физических наук. 1962. -Вып. 1. — С. 93−121.
  50. , А. Б. Химическое осаждение из растворов на поверхности стекла пленок сульфида и селенида свинца Текст.: дис.. канд. хим. наук / А. Б. Лундин. — Свердловск, 1967. 133 с.
  51. , Г. М. Анализ условий химического осаждения пленок сульфида и селенида свинца из растворов на поверхности стекла Текст.: дис.. канд. хим. наук / Г. М. Фофанов. Свердловск, 1968. — 121 с.
  52. , Н. М. Исследование процесса химического осаждения фоточувствительных слоев PbS Текст.: дис.. канд. хим. наук / Н. М. Кондратьева. Свердловск, 1971. — 223 с.
  53. , И. А. Физико-химические закономерности процесса получения твердых растворов CdxPbixS химическим осаждением Текст.: дис.. канд. хим. наук / И. А. Криницина. — Свердловск, 1980. 174 с.
  54. , В. Ф. Физико-химические закономерности направленного химического синтеза пленок халькогенидов металлов и их твердых растворов осаждением из водных сред Текст.: дис.. д-ра хим. наук / В. Ф. Марков. -Екатеринбург, 1998. 366 с.
  55. Pop, I. Structural and optical properties of PbS thin films obtained by chemical deposition Text. /1. Pop [et al.] // Thin Solid Films. 1997. — V. 307. — P. 240−244.
  56. Tottiant, Iris С. The influence of H202 on crystalline orientation of chemically deposited PbS thin films Text. / Iris С Tottiant and [et al.] // Thin Solid Films. -1981.-V. 77.-№ 4.-P. 347−356.
  57. Pintilie, L. Field-effect-assisted photoconductivity in PbS films deposited on silicon dioxide Text. / L. Pintilie [et al.] //J. of Appl. Phys. 2002. — V. 91. — № 9. -P. 5782−5786.
  58. Puiso, J. Growth of PbS thin films on silicon substrate by SILAR technique Text. / J. Puiso [et al.] // Thin Solid Films. 2002. — V. 403−404. — P. 457−461.
  59. Rogacheva, E. I. Effect of thickness on the thermoelectric properties of PbS thin films Text. / E. I. Rogacheva [et al.]. // Thin Solid Films. 2003. — V. 423. -№ l.-P. 115−118.
  60. Puigo, J. Growth of ultra thin PbS films by SILAR technique Text. / J. Puigo [et al.] // Thin Solid Films. 2003. — V. 428. — P. 223−226.
  61. Shaw, W. H. R. The decomposition of thiorea in water solutions Text. / W. H. R. Shaw, S. J. Walker // J. Amer. Chem. 1956. — V. 78. — № 20. — P. 57 695 772.
  62. , К. К. Влияние концентраций щелочи и ацетата свинца на фоточувствительность химически осажденного сульфида свинца Текст. / К. К. Мищенко, В. С. Манько // Оптико-механическая промышленность. — 1978.- -№ 10.-С. 47−49.
  63. , Р. Д. Исследование кинетики роста поликристаллических пленок CdxPbixS при химическом осаждении из водного раствора Текст. / Р. Д. Мухамедьяров [и др.] // Известия АН СССР. Неорганические материалы. -1981.-Т. 17.-№ 10.-С. 1739−1741.
  64. Najdoski, М. Optical properties of thin solid films of lead sulfide Text. / M. Najdoski [et al.] //J. of molecular structure. 1995. — V. 349. — P. 85−88.
  65. Larramendi, Т. V. Effect of surface structure on photosensitivity in chemically deposited PbS thin films Text. / Т. V. Larramendi [et al.] // Thin Solid Films. -2001.-V. 389.-P. 301−306.
  66. Nascu, К. The study of PbS films: Influence of oxidants on the chemically deposited PbS thin films Text. / K. Nascu [et al.] // Mater. Sei. Eng. 1996. — V. 41. -P. 235−239.
  67. , M. S. Влияние гидрата гидразина на получение тонкой пленки сульфида свинца Текст. / M. S. Ghamsari, Araghi M. H. // Иранский журнал науки и технологии. 2005. — № 29. — С. 151.
  68. , П. Н. Моделирование кинетики роста пленок сульфидов металлов при гидрохимическом осаждении с помощью тиомочевины Текст. / П. Н. Иванов, JI. Н. Маскаева, В. Ф. Марков // Вестник УГТУ УПИ. Сер. химическая. — 2005. — Т. 57. — № 5. — С. 212−215.
  69. Bruckmann, G. Darstellung und Eigenschaften dunner bleisulfid Schichten unten besonderer Beruchsichtigung ihner detektorwirkung Text. / G. Bruckmann // Kolloid Zeihschrift.-1933.-B. 61.-№ l.-S. 1−11.
  70. Pick, H. Hestellung spiegelunder Niedersch lage durch chemische reactionen Text. / H. Pick // Ztschr. Phys. 1949. — B. 126. — № 1. — S. 12−19.
  71. , Г. И. Осаждение сульфида свинца тиомочевинной Текст. / Г. И. Дистлер, С. А. Дарюсина // Кристаллография. 1962. — № 7. — С. 107.
  72. , Т. П. Исследование тиомочевины для осаждения из растворов осадков и пленок сульфидов серебра и меди Текст.: дис.. канд. хим. наук / Т. П. Болыцикова. — Свердловск, 1969. — 163 с.
  73. , В. 3. Осаждение сульфидов металлов с использованием ал-лилтиомочевины Текст.: дис.. канд. хим. наук / В. 3. Миролюбов. -Свердловск, 1973.- 143 с.
  74. , JI. Е. Условия химического осаждения тонких пленок CdS на твердую поверхность с помощью аллилтиомочевины Текст. / JI. Е. Ятлова, Г. А. Китаев // Известия ВУЗов. Химия и химическая технология. 1969. — T. 12.-С. 709−713.
  75. , Н. А. Исследование условий осаждения пленок и осадков сульфидов цинка и кадмия из растворов, содержащих тиоацетамид Текст.: дис.. канд. хим. наук / Н. А. Кодомская. Свердловск, 1972. — 190 с.
  76. , А. Б. Исследование процессов химического осаждения сульфидов металлов в виде осадков и пленок тиосемикарбазидом Текст.: дис.. канд. хим. наук / А. Б. Катунина. Свердловск, 1978. — 173 с.
  77. , Т. Ю. Получение тонких пленок сульфида свинца из щелочных растворов при помощи тиосемикарбазида Текст. / Т. Ю. Преображенская, Р. А. Юсупов // Журн. физ. химии. 1975. — Т. 48. — № 3. — С. 724−725.
  78. , А. Б. Кинетика осаждения тонких пленок сульфида свинца на границе раздела фаз PbS — раствор Текст. / А. Б. Лундин, Г. А. Китаев // Известия ВУЗов. Химия и хим. технология. 1967. — Т. 10. — С. 408411.
  79. , К. Получение полупроводников Текст. / К. Фрицше. -М.: Мир, 1964.-436 с.
  80. Bauer, R. Thiohanstoffais Tallunhamittel far Schwermetallsulfide Text. / R. Bauer, I. Wehling // Ztschr. Analyt. Chem. 1964. — B. 199. — S. 171−173.
  81. , Г. И. Ранние стадии кристаллизации как метод установления неоднородности кристаллических поверхностей Текст. / Г. И. Дистлер, С. А. Дарюсина, Ю. М Герасимов // Докл. акад. наук СССР. 1964. — Т. 154. -В. 6.-С. 1328−1331.
  82. , Г. И. Электронно-микроскопическое исследование образования слоев сернистого свинца Текст. / Г. И. Дистлер, С. А. Дарюсина // Кристаллография. 1962. -№ 7. — С. 107−111.
  83. , В. Ф. Применение тиомочевины для осаждения сульфидов таллия и свинца Текст. / В. Ф. Торопова, В. В. Белозерская, А. И. Черницын // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1964. — № 7. — С. 898−903.
  84. , Г. А. Кинетика разложения тиомочевины в щелочных средах Текст. / Г. А. Китаев, И. Т. Романов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. -1974.-Т. 17.-№ 9.-С. 1427−1428.
  85. , И. Т. Исследование реакции разложения и синтеза тиомочевины в водных растворах Текст.: дис.. канд. хим. наук. / И. Т. Романов. -Свердловск, 1975. 131 с.
  86. , Г. А. Синтез тиомочевины из сероводорода и цианамида Текст. / Г. А. Китаев, И. Т. Романов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. — 1976. — Т. 19. -№ 6.-С. 941−943.
  87. , А. А. Кинетика и механизм образования пленок сульфида кадмия на поверхности стекла Текст. / А. А. Урицкая, Г. А. Китаев, С. Г. Мок-рушин // Колл. журн. 1967. — Т. 27. — № 5. — С. 767−772.
  88. , А. А. Химическое осаждение из растворов тонких пленок сульфида кадмия на поверхность стекла Текст.: дис.. канд. хим. наук /
  89. A. А. Урицкая. — Свердловск, 1966. 121 с.
  90. , Г. А. Условия образования тонких пленок сульфида кадмия на поверхности стекла / Г. А. Китаев, С. Г. Мокрушин, А. А. Урицкая // Колл. журн. 1965.-Т. 25.-№ 1.-С.51−56.
  91. , С. Г. Образование Сс18 на границе раздела фаз твердое тело раствор Текст. / С. Г. Мокрушин, Ю. Д. Ткачев // Коллоидный журнал -1961. — Т. 23. — № 4. — С. 438−441.
  92. , Т. Г. Ступенчатая адсорбция коллоидных частиц сернистого кадмия на стекле Текст. / Т. Г. Леонова, Т. В. Крамарева, В. М. Шульман // Колл. журн. 1968. — Т. 30. — № 1. — С. 61−64.
  93. , Г. А. Условия химического осаждения зеркальных пленок сульфида свинца Текст. / Г. А. Китаев, Г. М. Фофанов, А. Б. Лундин // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1967. — Т. 3. — С. 473−478.
  94. , Н. Д. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок. 1. Осаждение пленок сульфида кадмия из растворов на поверхности стекла Текст. / Н. Д. Бетенеков, В. П. Медведев, Г. А. Китаев // Радиохимия. 1978. -Т. 20. — В. 3. — С. 431438.
  95. , Н. Д. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок. 11. Кинетика роста сульфида кадмия на поверхности стекла Текст. / Н. Д. Бетенеков, В. П. Медведев, А. С. Жуковская // Радиохимия. 1978. — Т. 20.1. B. 4.-С. 608−616.
  96. , Н. А. Физико-химические закономерности формирования пленок сульфидов металлов при взаимодействии сорбированной тиомочевины с растворами солей металлов Текст.: дис.. канд. хим. наук / Н. А. Сулейманова. Свердловск. — 1982. — 193 с.
  97. , Б. Б. Адсорбция органических соединений на электродах Текст. / Б. Б. Дамаскин, О. А. Петрий, В. В. Батраков. М.: Наука, 1968. — 333 с.
  98. , Г. А. Исследование сорбционных процессов на пленках сульфида серебра Текст. / Г. А. Китаев, А. С. Жуковская // Журн. физ.химии. 1975. -Т. 39.-№ 2.-С. 478−480.
  99. , И. М. Исследование взаимодействия целлюлозы и димети-лэтиленмочевины Текст. / И. М. Великанова [и др.] // Журн. прикл. химии. — 1973. Т. 46. — № 9. — С. 2062−2066.
  100. , А. Исследование взаимодействия целлюлозы с метилтиомоче- . виной методом ИК-спектроскопии Текст. / А. Адылов // Узб. Химич. журн. — 1964.-Т. 9. -В. 1. С. 87−90.
  101. , В. И. Физикохимия процессов на межфазных границах Текст. / В. И. Двойнин, Ю. А. Кононов, В. Р. Миролюбов // Труды ВУЗов РФ. Свердловск, 1976.-С. 39−43.
  102. Orozco-Teran, R. A. PbS CdS bilayers prepared by the chemical bath deposition technique at different reaction temperatures Text. / R. A. Orozco-Teran [et al.] // Thin Solid Films. — 1999. — V. 343−344. — P. 587−590.
  103. Valenzuela-Jauregui, J. J. Optical properties of PbS thin films chemically deposited at different temperatures Text. / J. J. Valenzuela-Jauregui [et al.] // Thin Solid Films. 2003. — V. 441. — P. 104−110.
  104. , JI. H. Очерк истории приемников инфракрасного излучения на основе халькогенидов свинца Текст. / JI. Н. Курбатов // Вопросы оборонной техники. Сер. 11. 1995. — Вып. 3−4. — С. 3−32.
  105. , В. Г. Фотоприемники и фотоприемные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца Текст. /
  106. В. Г. Буткевич, В. Д. Бочков, Е. Р. Глобус // Прикладная физика. 2001. — № 6. -С. 66−112.
  107. , Т. А. Температурная «память» водного раствора соли свинца: кинетика осаждения, структура и свойства пленок PbS Текст. / Т. А. Петухова [и др.] / Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.-2007.-№ 2.-С. 101−107.
  108. , V. М. Influence of impuriries on photosensitivity of chemically deposited lead sulfide layers Text. / V. M. Simic, Z. B. Marinkovich // J. Infrared Phys. -1968. -V.8.-№ 8.-P. 189−195.
  109. Marinkovich, Z. B. Influence of conditions of PbS layers preparation on their short wavelength limit of transmission and grain size Text. / Z. B. Marinkovich, V. M. Simic // J. Infrared Phys. 1970. — V. 10. — № 4. — P. 187−190.
  110. Kothiyal, G. P. Effect of morphological structure on photosensitivity of chemically deposited PbS thin films Text. / G. P. Kothiyal, B. Ghosh, R. V. Deshpande // J. Phys D: Appl.Phys. 1980. — V. 13. -№ 5. — P. 869−873.
  111. Saloniemi, H. Electrodeposition of PbS, PbSe and PbTe thin films Text. / H. Saloniemi // Electronic Materials and Components. — 2000. 82 p.
  112. Wolten, G. M. A. Note on the chemically of lead sulfide sensitization for infrared detection Text. / G. M. A. Wolten // J. Electrocem. 1975. — V. 122. — № 8. -P. 1149−1150.
  113. Pentia, E. Chemically prepared nanocrystaline PbS thin films Text. / E. Pentia [et al.] // J. of optoelectronic and advanced materials. — 2001. — V. 3. — № 2. P. 525−530.
  114. , И. M. Физические свойства осажденных в активируемых условиях слоев A1VBVI Текст. / И. М. Раренко [и др.] // Надежность микроэлектронных схем и элементов. Киев, 1982. С. 101−119.
  115. , Т. Б. Низкотемпературное окисление PbS Текст. / Т. Б. Федорова, А. В. Вишняков, П. В. Ковтуненко // Исследование в области химии и химической технологии материалов для электронной техники. 1978. -№ 133.-С. 73−78.
  116. , А. А. Оже-электронный микроанализ окисленного поликристаллического слоя сульфида свинца Текст. / А. А. Гаськов [и др.] // Доклады АН СССР. 1983. — Т. 269. — Вып. 3. — С. 607 — 609.
  117. , В. И. Исследование состава, структуры и фотоэлектрических свойств тонкопленочных элементов PbS Текст./ В. И. Петров, В. А. Прохоров // Известия АН СССР. Сер. физическая. 1984. — Т. 48. — № 2. — С. 263−265.
  118. , Г. А. Окисление химически осажденного сульфида свинца Текст. / Г. А. Китаев [и др.] // Известия РАН. Неорганические материалы. — 1993.-Т. 29.-№ 7.-С. 1017−1018.
  119. Espevik, S. Mechanism of photoconductivity in chemically deposited lead sulfide layers Text. / S. Espevik, C. Wu // J. Appl. Phys. 1971. — V. 42. — № 9. -P. 3513−3529.
  120. Blount, G. H. Variation of the properties of chemically deposited lead sulfide film witch the use of an oxidant Text. / G. H. Blount [et al.] // J. Appl. Phys. 1973. V. 44. № 3. — P. 978−981.
  121. Kothiyal, G.P. Effect of morphological structure on photosensitivity of chemically deposited PbS thin films Text. / G. P. Kothiyal, B. Ghosh, R. V. Deshpande // Thin Solid Films. 1979. — V. 58. — № 1. — P. 36.
  122. , С. А. Особенности механизма самокомпенсации легирующего действия примеси хлора в PbSe Текст. / С. А. Немов, М. К. Житинский,
  123. B. И. Прошин // Физика и техника полупроводников. 1991. — Т. 25. — Вып. 1.1. C. 114−117.
  124. , JI. Н. Исследование восстановления Cr (VI) полиолефинами Текст. / Л. Н. Маскаева [и др.] // Журнал физической химии. 1975. — Т. 69. -№ 4. -С. 1042−1044.
  125. , В. П. Исследование процесса травления полимеров в растворах бихромата калия в серной кислоте Текст. / В. П. Пильников [и др.] // Известия ВУЗов. Химия и хим. технология. — 1976. — Т. 19. — Вып. 7. — С. 1093— 1098.
  126. , Г. Комплексометрическое титрование Текст. / Г. Шварценбах, Г. Флашка. М.: Химия, 1970. — 360 с.
  127. Rietveld, H. M. A profile refinement method for nuclear and magnetic structures Text. / H. M. Rietveld // Appl. Cryst. 1969. — V. 2. — № 2. — P. 65−71.
  128. Bush, D. L. A survey of using programs for the Rietveld profile refinement Text. / D. L. Bush, J. E. Post // Reviews in mineralogy. 1990. — V. 20. — P. 369.
  129. Rodriges-Carvajal, J. The programs for Rietveld refinement Text. / J. Rodriges-Carvajal // Physica B. 1993. — V. 192. — P. 55.
  130. , P. Д. Установка для ' измерения пороговых параметров фотоприемников Текст. / Р. Д. Мухамедьяров [и др.] // Приборы и техника эксперимента. — 1976. — № 6. — С. 234.
  131. , С. С. Электроотрицательность элементов и химическая связь Текст. / С. С. Бацанов. Новосибирск: СО АН СССР, 1962. — 386 с.
  132. , Л. Н. Расчет условий образования твердой фазы халькогени-дов металлов при гидрохимическом осаждении Текст. / Л. Н. Маскаева, В. Ф. Марков, П. Н. Иванов // Конденсированные среды и межфазные границы. — 2004.-Т. 6.-№ 4.-С. 374−380.
  133. , Ю. Ю. Справочник по аналитической химии Текст. / Ю. Ю. Лурье. М.: Химия, 1971. — 456 с.
  134. , А. С. Исследование лимоннокислых комплексных соединений свинца в зависимости от рН водной среды Текст. / А. С. Тихонов // Труды Воронежского гос. ун-та. — 1958. — Т. 59. С. 79−94.
  135. , Г. Методы аналитической химии Текст. / Г Шарло. М.-Л.: Химия, 1965.-975 с.
  136. , В. Ф. Влияние хлор-ионов на кинетику химического осаждения тонких пленок сульфида свинца Текст. / Марков В. Ф. [и др.] - Урал, политехи, ин-т, 1988, 1 с. — Деп. в ОНИИТЭИ, Черкассы. — № 27-Х1188.
  137. , Г. А. Кинетика химического осаждения тонких пленок сульфида свинца в присутствии иодид-ионов Текст. / Китаев Г. А. [и др.] - Урал, политехи. ин-т, 1988, 1 с. — Деп. в ОНИИТЭИ, Черкассы. — № 277-Х1188.
  138. , В. А. Краткий химический справочник Текст. / В. А. Рабинович, 3. Я. Хавзин. JL: Химия, 1977. — 367 с.
  139. Lach-hab, М. Electronic structure calculations of lead chalcogenides PbS, PbSe, PbTe Text. / M. Lach-hab, D. A Papaconstantopoulos, M. J. Mehl // J. of Phys. and Chem. of Solids. 2002. — V. 63. — P. 833−841.
  140. Pick, H. Reception of thin films Text. / H. Pick // Ann. Phisic. 1955. — V. 3. -P. 255.
  141. , В. H. Термообработка тонких пленок Текст. / В. Н. Шевелев, Т. М. Зинкина // ФТТ. 1960. — № 2. — С. 1643.
  142. , А. И. Рентгеноструктурный анализ мелкодисперсных и аморфных тел Текст. / А. И. Китайгородский. — М. — JI.: Гос. изд. технико-теорет. лит-ры, 1952. — 588 с.
  143. Gusev, A. I. Disorder and Order in Strongly Nonstoichiometric Compounds. Transition Metal Carbides, Nitrides and Oxides Text. /А. I. Gusev, A. A. Rempel, A. J. Magerl. Berlin — Heidelberg — New York: Springer, 2001. — 607 p.
  144. , А. И. Нестехиометрия, беспорядок и порядок в твердом теле Текст. / А. И. Гусев, А. А. Ремпель. Екатеринбург: УрО РАН, 2001. — 580 с.
  145. , W. Н. X-ray line broadening in metals Text. / W. H. Hall // Proc. Phys. 1949. — V.62 —No359A. -P.741−743.
  146. Hall, W. H. The diffraction pattern of cold worked metals: I. The nature of extinction Text. / W. H. Hall, G. K. Williamson // Proc. Phys. 1951. — V.64, -No 383 В. -P.937−946.
  147. Williamson, G. K. X-ray line broadening from filed aluminium and wolfram Text. / G. K. Williamson, W. H. Hall // Act. Metal. 1953. — V. 1. — №. 1. -P. 22−31.
  148. , M. К. Глубокая самокомпенсация в системе «Cl, SeH3G» Текст. / Житинский М. К., Немов С. А., Прошин В. И. // Физика и техника полупроводников. 1990. — Т. 24. — Вып. 6. — С. 1116−1118.
  149. , JI. И. Самокомпенсация акцепторных вакансий в сульфиде и селениде свинца, легированного Т1 Текст. / Бытенький JI. И. [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 1980. Т. 14. — Вып. 1 — С. 74—79.
  150. , В. И. Особенности компенсации донорного действия галогенов в теллуриде свинца Текст. / В. И. Кайданов [и др.] // Физика и техника полупроводников. 1985. — Т. 19. — Вып. 10. — С. 1857−1860.
  151. , В. В. Физика и химия полупроводников Текст. / В. В. Митрофанов, В. А. Фогель. JI.: Судостроение, 1965. — 219 с.
  152. , Т. А. Вхождение примеси в халькогенид свинца Текст. / Т. А. Смородина, Н. Н. Шефтель // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1970. — Т. 6. — № 1. — С. 135−139.
  153. , Т. Полупроводниковая оптоэлектроника Текст. / Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. М.: Мир, 1976. — 369 с.
  154. , К. В. Физика полупроводников. Учебное пособие Текст. / К. В. Шалимова. -М.: Энергия, 1976. С. 125.
  155. , Е. Сульфид, селенид и теллурид свинца Текст. / Е. Патли // Материалы, используемые в полупроводниковых приборах. — 1968. -С. 98−114.
  156. , А. В. Быстродействующие инфракрасные детекторы обнаружения очагов открытого пламени и тления Текст. / А. В. Шнайдер [и др.] // Пожаровзрывобезопасность. — 2008. № 2. — С. 14−17.
  157. Получение высокочувствительных к ИК-излучению пленок PbS, осажденных из галогенидсодержащих растворов Текст. / В. Ф. Марков, А. В. Шнайдер, М. П. Миронов, В. Ф. Дьяков, JI. Н. Маскаева // Перспективные материалы. 2008. — № 3. — С. 28−32.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!