Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия

Диссертация: Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Предложен механизм образования аномально большой ПФЭДС и изменения РВЭ через модель поверхностного фотогальванического эффекта (ПФГЭ). Модель основана на появлении фототока по поверхч ностным состояниям (ПС) вдоль полярного направления 112 > плоскости (III) цри оптических переходах электронов между двумя зонами ПС «оборванных» связей кремния. На основании экспериментальных результатов… Читать ещё >

Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Электронная и атомная структура чистой поверхности полупроводниковых кристаллов — современная точка зрения и существующие проблемы
    • I. IД. Кремний
    • I. 1V2, Германий
    • I. I.3. Фосфид галлия
      • 1. 2. Методектропии поверхнной фото-э.д — вкочувительный метод ледования поверхнныхстояний в запрещенной зоне полупроводников
  • Выводы главы I .'.*.-'. «
  • Глава II. МЕТОДЫ И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Свервысоковакуумная установка для исследования фотоэлектрических свойств чистой поверхности полупроводников
    • 2. 2. Приготовление образцов
    • 2. 3. Установка для исследования рельефа сколотой поверхности методом оптического отражения
    • 2. 4. Методики измерений работы выхода электрона, ектропии поверхнной фото-э.д и фотопроводими
  • Выводы главы П
  • Глава III. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА СКОЛОТОЙ ПОВЕРХНОСТИ
    • III. ) КРЕМНИЯ
      • 3. 1. Исследование рельефа сколотой поверхности (III) кремния методом оптического отражения
      • 3. 2. Обратный фотовольтаический эффект на кремнии, сколотом в вакууме 3 10 торр. с парциальным давлением Hg0 -2−1СГ9торр
      • 3. 3. Спектроскопия ПФЭДС чистой поверхности So (III) — 2×1 (Т=130 К)
  • Выводы главы Ш
  • Глава 17. АНОМАЛЬНО БОЛЬШАЯ ПФЭДС И МОДЕЛЬ ПОВЕРХНОСТНОГО ФОТОГАЛЬВАШМЕСКОГО ЭФФЕКТА НА ЧИСТОЙ ПОВЕРХНОСТИ Sc (III) — 2x
    • 4. 1. Экспериментальные результаты
    • 4. 2. Обсуждение экспериментальных результатов
      • 4. 2. 1. Введение
      • 4. 2. 2. Аномально большая ПФЭДС, вызванная неоднородностью поверхности
      • 4. 2. 3. Поверхностный фотогальванический эффект
    • 4. 3. Дополнительные эксперименты и их обсуждение
  • Выводы главы 1У
  • Глава V. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ЧИСТЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ ГЕРМАНИЯ И ФОСФИДА ГАЛЛИЯ. СРАВНЕНИЕ СО
  • СТРУКТУРОЙ Si (III) — 2x
    • 5. 1. Спектроскопия ПФЭДС чистой поверхности £е (III) — 2x
    • 5. 2. Электронная структура чистой поверхности (НО)
    • 5. 3. Сравнение фотоэлектрических свойств чистых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия
  • Взводы главы У
  • ВЫВОДЫ

Поверхность твердого тела превратилась в настоящее время в один из важных объектов физических исследований. Чистая поверхность представляет особое состояние конденсированного вещества, свойства которого существенно отличаются от объемных свойств твердых тел. Изучение физических свойств чистой поверхности является неотъемлемым этапом в понимании строения веществ в целом.

Несмотря на более чем двадцатилетнюю историю интенсивного экспериментального и теоретического исследования электронной и атомной структуры чистой поверхности полупроводников, данная проблема остается до конца не решенной. Получение новых экспериментальных сведений о фотоэлектрических свойствах чистой поверхности представляет интерес как с научной, так и с практической точек зрения. Уровень понимания электронных и оптических явлений на чистой поверхности полупроводников определяет сейчас дальнейший прогресс в таких областях как микроэлектроника, эмиссионная электроника, гетерогенный катализ и др.

Делью работы являлось изучение фундаментальных свойств чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия — таких как термодинамическая работа выхода электрона, изгиб зон в приповерхностной области полупроводника, плотность и энергетическое расположение поверхностных состояний в запрещенной зоне, взаимодействие света с носителями зарядов на поверхностных состояниях (ПС), электронный обмен между поверхностью и объемом.

Научная новизна".

I. Обнаружен и изучен новый поверхностный фотоэлектрический эффект — возникновение аномально большой поверхностной фото-э.д.с. (ПФЭДС) на чистой поверхности Sc (III) — 2×1, в несколько раз превышающей ширину объемной запрещенной зоны при оптическом межзонном (поверхностном) поглощении.

2. Впервые обнаружено значительное изменение работы выхода электрона (единицы вольт при Т = 90 К) на чистой поверхности (III) — 2×1 с понижением. температуры, начиная с Т = 120 К,.

3. Для объяснения указанных выше экспериментальных результатов предложена модель поверхностного фотогальванического эффекта. Впервые проведена оценка проводимости по поверхностным состояниям при Т = 90 К.

4. Впервые на чистой поверхности Si (III) — 2×1 п-типа обнаружены отрицательные сигналы ПФЭДС и фотопроводимости в интервале энергий фотонов, соответственно, 0,36 эВ ^ <�¦ 0,72 эВ и 0,4 эВ <

Ai) < 0,6 эВ.

5. Впервые изучены спектральная зависимость и кинетика ПФЭДС на чистой сколотой поверхности фосфида галлия и определены параметры ПС: энергетическое положение, концентрация, сечения захвата фотона и электрона.

6. Впервые прямым экспериментом по «спрямлению» энергетических зон светом определен изгиб зон на чистой поверхности Qo-P (ПО).

7. Впервые обнаружено отражение света в направлении [lI2] от сколотой поверхности (III) кремния. Предложена модель этой поверхности, в которой террасы, ограниченные моноатомными ступенями Î-I2,прерываются макроступенями 112 .

8. Впервые обнаружен обратный фотовольтаический эффект (увеличение первоначального изгиба зон) на кремнии, сколотом в Q вакууме 3'ICn7 торр.

Основные научные положения, выносимые на защиту.

I* Экспериментальные результаты по электронной структуре сколотой поверхности кремния.

2. Аномально большая поверхностная фото-э.д.с. и модель поверхностного фотогальванического эффекта на чистой поверхности Яс (III) — 2×1 .

3. Экспериментальные результаты по электронной структуре чистой поверхности С-аР (НО) .

4. Экспериментальные результаты по спектроскопии ПФЭДС чистой поверхности (III) — 2×1 •.

ВЫВОДЫ.

1. Исследованы спектральные зависимости поверхностной фото-э.д.с. (ПФЭДС) и фотопроводимости (ФП) чистой поверхности ч.

III) — 2×1 ри п-типа (соответственно, Р — 2000 Ом-см и 750 Ом-см), полученной сколом в сверхвысоком вакууме 5-Ю-** торр., в температурном интервале 90*300 К. Впервые обнаружены на кремнии п-типа отрицательные сигналы ПФЭДС и ФП в интервалах энергий фотонов соответственно 0,36 эВ * М * 0,72 эВ и 0,4 эВ hJ < 0,6 эВ. При низких температурах (Т = 90 К) обнаружен новый поверхностный фотоэлектрический эффект — возникновение аномально большой ПФЭДС, в несколько раз превышающей ширину объемной запрещенной зоны при межзонном {поверхностном) оптическом поглощении (~ 0,45 эВ).

2. Установлено, что термодинамическая работа выхода электрона (РВЭ) чистой поверхности Sc (III)-2×1 ри п-типа црактич чески не изменяется в температурном интервале 300+120 К, что подтверждает модель закрепления уровня Ферми. При понижении температуры от 120 К до 90 К впервые обнаружено значительное изменение РВЭ (единицы вольт), причем для Sc р-типа работа выхода уменьшается, а для п-типа увеличивается.

3. Предложен механизм образования аномально большой ПФЭДС и изменения РВЭ через модель поверхностного фотогальванического эффекта (ПФГЭ). Модель основана на появлении фототока по поверхч ностным состояниям (ПС) вдоль полярного направления 112 > плоскости (III) цри оптических переходах электронов между двумя зонами ПС «оборванных» связей кремния. На основании экспериментальных результатов и предложенной модели ПФГЭ впервые проведена оценка проводимости по ПС чистой поверхности A (III)-2×1 при Т = 90 К.

4. Методом оптического отражения света исследована сколотая поверхность кремния. Впервые обнаружено отражение света в направлении [112] слабой интенсивности (по сравнению с отражением 112) и углом отклонения, достигающий 45°. Предложена модель сколотой поверхности (III) кремния, в которой террасы, ограненные моноатомными ступенями 112, прерываются ступенями I12. а.

5. На образцах кремния р-типа, сколотых в вакууме 3−10 торр. с парциальным давлением 10 2-Юторр., при исследовании спектральной зависимости ПФЭДС обнаружен обратный фотовольта-ический эффект (увеличение первоначального изгиба зон) в области энергий фотонов I эВ < /п? 1,2 эВ. Предложена модель, согласно которой данный эффект обусловлен оптическим поглощением электронов двумя уровнями (зонами) несобственных ПС адсорбированных молекул воды на моноатомных ступенях сколотой поверхности кремния.

6. Впервые исследованы спектральная зависимость и кинетика ПФЭДС чистой поверхности? аР{ПО). Предполагается, что сигнал ПФЭДС в интервале энергий фотонов 1,75 эВ ^ ^ < 2,24 эВ обусловлен оптическим переходом электронов с ПС, расположенных на 0,5 эВ выше потолка валентной зоны, в зону проводимости. Определены параметры этих ПС: концентрация, сечение захвата фотона и электрона, соответственно:

5-Ю10, (ИГ14, Ю-15) см -2, (см2).

7. Впервые прямым экспериментом по спрямлению энергетических зон светом определен изгиб зон 0,75 эВ на чистой поверхности.

Со.Р (ПО) п-типа, что подтверждает модель «закрепления» уровня 4.

Ферми зоной незаполненных ПС «оборванных» связей атомов галлия.

8. Исследована спектральная зависимость ПФЭДС чистой поверхности германия (III) — 2×1 ри п-типа. Сделано предположение, что сигнал ПФЭДС чистой поверхности германия р-типа в интервале энергий фотонов 0,55 эВ ^ Е^ обусловлен оптическим переходом электронов из объемной валентной зоны на незаполненные несобственные ПС (дефекты), расположенные на 0,55 эВ выше края объемной валентной зоны.

9, В результате проведенных исследований ПФЭДС на чистых поверхностях Л'(III)-2×1, СаР (ПО) и Ь е (ш)-2×1 установ * ^ лено, что величина и направление электрического поля на чистой поверхности существенно определяют вклад в величину ПФЭДС двух типов оптических переходов электронов: зона заполненных ПСзона проводимости и валентная зона — зона незаполненных ПС. Для изгиба зон вверх превалирующий вклад в ПФЭДС вносит первый переход, для изгиба зон вниз — второй переход.

Показать весь текст

Список литературы

  1. H cinc ft И/. PiifSccs of reconstructed .s ?Ce со/ь surfaces.-- Surf. ., 1979, f.86, р. Ш с. 672−699.
  2. С ft a dt 0- J. /ttomic structure uf Si (ni) surfaces. ~ Surf. Sei 1980, v.90, «I, p. I-I2.
  3. East ma a DE. GeometricaC a л с! е (&с/ъоыс siracft/re. of St (001) and Si'(III) surfaces: л s/afas repos-/.- j. Vac. Set. TecA^o?., 1980, 17, № 1, p.492−500.
  4. .А., Снитко O.B. Физические свойства атомарно-чистой поверхности полуцроводников. Киев: Наук, думка, 1983 — 264 с.
  5. Нерввгг M. L с L tf? o /u0/? еб e Und fe€dc!e ffect rei fier s?6?e?UJ7bspcuifeco с&аъ.
  6. PAtfS. s/*/ 5об., 1967, V. 19, p.833−845.
  7. Moncfi И/. Surface о л с Ceo я and о л се ¿-¡-¿-и /л coveredсСса, ecl 9iacofb surfaces.-/%. sU1970, tf40, p.257−266.
  8. С., Левин Дж. Поверхностные (таммовские) состояния.- M.: Мир, 1973 232 с. 10. flristou VJu-, ?aiov I E-, Gr-asau€cs i/, ?- toca temperature L EED Q. ud eEeceric. conde/ctefrfy measureme/?h for uEea-i/ed
  9. I) surface^- 4urf. Sc?., 1983, u 132, № 1−3, ' p. 73−81.
  10. Fisher Т.Е. Surface f?*iope2t?es of S? fio/n pfrotoeEectric emisse огь a? room iehiparaiuf^ and 80 К. Surf Sb'-1968, I/10., p. 399−409.
  11. Ciia.ro tt i G., /Van/ш rone Pastore — ?. 9 CPior-odio, P. Opt? -tai akoiptco/h of surface states in uCtrbkgh тип m ctoai/edi (III) s? ir/uecs of ee Q/iJC-.-/^c. Rev. В, 1971, у. 4, МО, р. 3398−3402.
  12. Сйсигсьс/сси P., ChcaroUi sVct
  13. CftiaradicL P, Afannarone S ¦ Opt ¿-сов f?2o/>erf?ts cf tAe cà-û-s/г and sCoivCy oy,/d (?ed surfaces of si&co/b.- Surf. Sec., 1976, /54, p.547−552.
  14. Cf? la rotte G., Manna rone S-, ЬрИсов detect? on of surfacestates го semiconductors- /Vuo№ C? rr>. f 1977, V39B, Ш, p.739−747.
  15. Mdffer W. j Моле ft Ц/. DetcrnnnaKoa nf мфаг sbte at Свесь/ь с Ceased si? cca, snrfaee^ fwm j>fpi о conduct ?^(ttj. ~-Pkjsfav.M., 1971, t/ 27, Jfo, p.250−253.
  16. Катрке М, Иепввег М. ffurface. siames fropereies of c&q/i c&a. -•W ZlEicml as derii/eci from? fie ee/>i/x.rafure с (ерсло!елсе of tAe Su фее pUoi/оСЩа.- SurfSd,, 1976, ?/54, p. III-I20.
  17. C&ies J., HenzCer- M. Oefern/i^o h’o/i of ъцфсе S fahs on Se (III) ву su фее. pnoeoi/oftQ^ s/>ec/rosccpcf/?еи Q 1980, ¦ i/ 21, Ж, p .625−631.
  18. КиЬв/лат НепгСег Af. А/оп- eyuiari?//» sur face sfafe proper бсеъ ai с&ал, c^eai/ed st?? cca su фее as mmsared surfice. p^oioi/oC^- Zurf. Sc/., 1980, i/ 99, p.45−58.
  19. Assmann J., M’onef, W. Optica? procer/?es of с/ал^/уд eonds Shtes a { c&aved siacon surfoees Syrf. ?c?.? 1980, И 99, р.34−44.
  20. Нй nema, а Р. Surfaee. struefures and properec’e^ of d/crno/id-- siruciure. Semiconductor-s.- PAys. Rev-1961, 1/I2I, № 4, p. I093-II00.
  21. С filara citoy Р., C&arotfi Q., Se вес J?. ffrc/roMc sur-faea shies ai skf>s ?n (III)-2×1 Surf. £/., 1983, и 132, р.62−67.
  22. Не n ъ Ce г М. LEED -?шЖда&ол of siep> arraya о/? efecuedyermanium (tn)snrfrees SurfSci., 1970, V 19, p. I59-I7I.
  23. Hender U., C6aies -J. &гис{игав a/iofe.6ecfro/?tc p>ro/ber??es of steppeof se/bicondudor surface^r Jap^n. J. /^, 1974, SuppC.2, Pt. 2, p. 389−396.
  24. Неигвег* M- Tfe roujufiess of cEearect se^iconducfor surfae&b. Sc/rf. Sc?.? 1973, f 36, p. 109−122.
  25. Ioncft H, Hora Оог/г? ???A //. 7tfe adsorcionof о?(/уел W sc&con. (III) si/rfaces.. I Surf. Ясс., 1973, 38, р.433−454.
  26. PvA ?W/7/? M/., Hender M. ?r>ffue/ice, fa/owc sM/>s on if? fL eCecironic. prope. r??of c tean. cfeaved s?6tco/i, as derite4 /rom if)& surfoce. ptofovoCIQtje. $urf. Se/., 1977,^69,p.533−546.
  27. Stecnnsser E, VeincA n-E. H/ave fe/y ?A defe/)dence of? de. surfaee. f>/ovo6frctge. ?n i/acuc/m efeai/ed CdS.- Sut-f. ?c/., 1971, U28, p.607−620.
  28. Rolde J.E.j Cfircs-f/nnnn S. 6., IfacJl M PAotoe/n/'sst'on mea-Suremenh of siep de/e/idenf surfa
  29. Krueqer S./ Ploncf0 l?/.? fe cfao<> of sfeps 0/1 cCea ved se/vtcoi dac /or faces. —- Sarf. Ce/., 1980, t/99, p.157−164.
  30. Ciado D. J^ CAc&eowsetf Stef> for/naUorL e/iercj?c<> fond domain, on’e/t/a/-?ons ai Ci (m) surfaces.-PAys. Nev. B91981, 1/24, JP6, p.4892−4895.
  31. Bcttericlcje G. P. Hetue H. Ca6cuCah'o/i of Me ojbtccoa ai sor/Mo h Coinueeu sorfae^ s Mes of s? freo/? .- Surf.1974, 1/43, p.417−430.43. Feo re s F., Page o J.
  32. SeCecJ-co/L ruees /or op{?caC aesorpt^u/L on,
  33. S? (m) faces. PAifS- 3M. soC.7 (B), 1975, i/68, P. KI7-K20.
  34. Cf0 K? PaseT. Podan? alon dejbcudc/ice vf fAe. aesorph’o/t speebum of /Ae recohdruded surface. S? (IH)-2xI SoCt’d
  35. Se*l Potnm., 1978,28, № 4, p.333−335.
  36. Cfadi D.J., Pc e Sofa P. z/ieory of (fie. e&c/romc Wcuio/vec si ru dure 5? (III): surface. Sficn. fioChrc? q A? ou effech.- Pfys. Peu.ltfr., 1982, v2I, №t p.319−326.
  37. Pan dey P.C. d/ecO P- go/icJed cAa?/> rtodeC for Si (/n)-?x (
  38. Surface.r Pfys. Re*.Leti.f 1981, /47, «86, p. I9I3-I9I7.47. fforttrup xPP. y {Ponen Af. P P&c (route structure cf//te. F-eo"-ded cfcur? o? odeg fine! -f-As. /?o/ieucPed a/j/c ferro/nayci?c tu su 6a /or /r?odce for? Ac? (III) sur/^ce.-J.
  39. W/"X982, i/ 21, № 2, p.333−336.
  40. Lancier J.J., ff^ecCt J., /Yorr/so/i V. S/rue Aura P ^roferh'ci of cCeaved s? C?cojv ond ger/naftium surfaces. J 4pp6. P/ys.1963, i/34, № 8, p.2298−2306.
  41. Se ?Conc A), To3qef? E. A/oJeC gaud dructur-e sf recofidruc-?ej (///)-2*/ surface of s? Ucon So?. CM Coa,*,., 1975, u 17, 3, p.387−390.
  42. НоЫШу Е у G-асе for? /V., Р/л cPcli/X, Pe ¿-г off / f&ciro -hic ihfes of Ci{IIl) surfaces. J. Vac. Sc,'. PectnoC., 1981, ^ 18,3, p.860−865.
  43. Fecfer P., P? ncPL И/., Puer P P. /оШ слегдр евс-С^ол diffraction from (IH)-2xI: tfeory алс! experiment- J. PAys. С: 1979, v. 12, L 179- 184.
  44. HimpseE F.J. ?Heinmunn P. Eastman O.E. Surface staleso/i Si (III)-2×1- PAifs. Rev. Bf 1981,1/.24, № 4, p.2003−2008.
  45. F. -J. > Hein man P., Pfiang EC. Ecid man. O.E. Geometry- dependent Si (2p) surface core-?eveE excitations ?>i (III)anJ Ъ{100) w/acei.-Pfafiev./etf., 1980,1/. 45, № 13, p. III2-III5.
  46. Вгелгт ri S., S/oar xTгедег R. t Ро’сое J f. Core Pei/eE Binding -energy S Pdf s due to reconstruction on tAe. fr t"0−2* I surface.- P? cp.Rau. Lett.? 1980, 1/.45, M7, p. I4I4-I4I8
  47. Redondo PyCEam Ц/.^CaEdomo A. Summary detract? Hott insulator mocteC of tfe Si (HI)-2×1 --surface J.Vac.
  48. ScL. Tccf) not.} 1982, i/. 21, № 2, p.328−329.58. /?CEcrt Q. Uonoo M. P r? eiO /Ptcfanis/п for tAe 2×1 reconstruction of tAe ^lCicd/i s?/rfcce CurfCc/., 1977, и.63, p.11−20.
  49. Nor tnrup J. E., I?/n J., РоРе/ъ P/.l. Sp? n робъri? црол u/ict atome geometry uf ffe Si {Ц)sarfQeer Pfitp.ß-euШ981, 47,1. Jfe6, p.1910−1913.
  50. Duke. C.B.ford W.U. TJIe /у! structure of S? (ш).sirofly corrections in outface dde gauds.- So 4- ^'-1981, YIII, p.685- 689.
  51. Ufaeerej PI-Cr., Hanson V.,icAoCss J.M., feodstro/n S. A Fxperi-rimenf*? evidence for we tyhfy dispersive dififty-AanJ fand fl^III)-2×1- Ptys ¦ Rev. tetF., 1982, U. 48, № 15, p. 1032−1035.
  52. Luii //-, Rd* d., tiah R 7%e. I-bonded efiaifi-/node? -for (III)-2×1 in ylek) t? f recent u>#ve vector reiaCved electron e/ier~ W Poss spectra Surf. Te/., 1983, *I32, p.46−48.
  53. Feder R>. Fest of a, /ku) Si (HI)-2×1 surface /node 6 fy foeO energy electron, diffraction- SoP.St. Cc*>/». % 1983, 1/45, n. I, p.5I-52.
  54. Monci itt.?Ro4e P., ttrueger S. bn tAe electronic structure oftfCea,/b, 2×1 reconstructed, siFcon, (001) Surfaces- diue. Ccl. TtcRndd.,, 1981, V. 19, № 3, p.313−318.
  55. CAaeat Y. J., CR ri st m dp- S.B., CAaeart F.f., /?7z tf.T. Summary distract: Surface s fa ix. opt? cat adsorption, oft t. fie eFeasi (jqo)2×1 surface -J.l/ie-Sei. TecA^e.? 1983, v I «?, p. I24I-I242.
  56. Cfiadi D J. frt&mLeiiwi 'electronic structures ofreconsbM ?(100)surfaces.- PAijs.Pev. Utt.7 1979, ?/.43, № 1, p.43−47.
  57. Cfioidi. D.d. Reexamination of t/e ?'(100) surface reconstruction- flppt. optics, 1980, (/. 19, № 23, p.3971−3973.
  58. Ptys., 1964, 1/. 35, № 3, p. 597−605.
  59. HeiCand G. > LamoFcF P. Surface series o/? cFea/t siFico/i-Surf Sa'., 1964, i/ 2, p.18−25.
  60. FrCudat. tt., FiscAer FF. Pe&liohsAip fetioecn, atomicstructure qnd electronic properties of (HI) Surface, of siuco/i.- PAys. PevML, iortZ% (/29, HI, p.732−735.72.cfmer DM. 3 VIЫе C-W., НестЛП Р., fe? A? 8., tamftsee F J, Easf
  61. Mp.fi, /)?. Sim?6^r?{^ of -?fie &ser o/?cf -?fier/г?а€бу оппеа6е?
  62. S? (III) surfacas г Mp. Я*- S., 1981, V. 24, № 8, p.4875−4878.73. /l/ec/c/ermeyer H-, ft’sse. U., Pvp? c/>er P. PPofoe/??/ssIo/i- sfc/c/y of? fe sc/фее efecfro/??c sfrucfure SV (ui)-IxI и
  63. Se (III)-7×7.» Su Sct, 1982, V. П7, p.405−4I6.
  64. Cf?((?roe{? CAtaradia, P, Мал na голе S. &pf?c?>6 uisorpeio/i, vf sWifaee s/q/es а/ 5V (ni)-7×7.~ 5V/ SW., 1975, I/. 49, p.315−317.75. l/?o Я. /¡-леи) ъЬас^чге. л? ос?ев for //e 5?('")-?y? sc/rfaczsiructure-Jqp. J. A/>?? PJp., 1980, 19, Ш, p. 61- 64.
  65. AJ., Но nema a P- ?isaaiao/? of rece* e SV (III) -7×7 Surfacc fnodz&.-SurfiZci1980, и 94, р.555−563.
  66. Me Rae. Б .6- • Serudure of /5?(lll)-7x7Surf. SV., 1983, V. 124, p. 106−128.
  67. P/>?f€?/>c S.C. Меш /noJe{? -for reembudd Si (III)-7×7 sinfaee
  68. Supereaiiees.-Pev. ?e#., 1980, /.45, MI, p.905−911.
  69. Cordt fio М- /.У* fu re of /?t ?(III)-7×7 reco^/rac/fo/i.
  70. В у 1981,1/.23, № 8, p.4279−4282.83. f.G.fioedwceeс.ш. of z/aii)-™ И-рл^. Reu. letf-j 1981,1/-46, № 25, p. I632-I635.
  71. Pandey КС. Sitfnmqry Afeirad of re/tuco*-Mor surfm: 5/(111)-2×1, S? (III)-7×7, andP"As (но) / ¡-/яс.
  72. Se/. Tectnoe. (A), 1983, (/-I, № 2, p. I099-II00.85. (oa? У. Pouje J.f., ?>.&. rzco/is 1 ruchan on easer a/jnea6ec (S? («0. — /%
  73. Mclinfetj A., W?№ams Я//¦, PorAe A., Qr/i/ash^ G. P.
  74. W/ sidicon. 5urfaeo. -efecironic sirudure ahd s?/r/w Chista Мод-kctwK } 1981, v 31, МО-12, р.549−552.
  75. B.E., Чалдышев В. А., Чернышов В. Н. Теория поверхностных состояний в полупроводниках. В кн.: Проблемы физической химии поверхности полупроводников / Под ред. А.В.Ра-синова. Новосибирск: Наука, 1978, с. 5−43.
  76. Г. А., Сарбей О. Г. 0 поверхностной проводимости германия, легированного золотом. ФТТ, 1963, т.5, в.11, с.3321−3322.
  77. ChQht Jp P.) lA/eesfer PS. Purface. ccncladivdy of с ве^ ved per-тпЫт strrfaees-J tifas., 1968,^39, W7, p.3I29−3I3I.
  78. Wietisioidski J.V. ,/Yo/7cA И/. ?%a/t/?e€ eMebch’isity ef C&ai/ecf a/id й/ineaCect дегмаЫмч ft^.JjJl (B), 1971,^45,p.583−589.
  79. Her??€er Pf. Corre tiflon, Between Svrftee. ?fr?/cf?r*e ?Wsofoca 5/4 ?es ai Me eeka/i ?er/"a/i (f/) Svrfaee. J-#/>/>e. Pfys. 1969, v. 40, № 9, p.3758−3765.
  80. Pni??roff? St? iore Уаллагрле S- боссов c/efec/con of’Surf?tee 5Ufas о/? cPcai/
  81. Mloro&c ?, М>г>/и?го/?е S. ?ffi>c? of евес/гсс freedor> fAe ор/сслв ?ty ?f ge (III)-2×1 surface sbfes.-P?ys.
  82. Rev. Lett., 1976, v.37, $ 14, p.934−936.
  83. Buc?et /У., ?u ?A И. Surface ^ofoi/оЩс sfiecfbxco/y of electronic surface s/z/es ол c&aved qe, rstahiuM (Ш) s^m- Surf. Sd.,, 1975, V- 50, p.451−464.
  84. A.A., Выговская E.A., Сулеева JI.В., Пархоменко D.H. Исследование электронной структуры атомарно-чистой поверхности (III) Изв. АН СССР, сер.физ., 1979, т.43, № 3, с. 469−472.
  85. В.Ю., Батов И. Е., Головко Н. И., Гражулис В. А., Тальянский В. И. Исследование электрических и структурных свойств поверхности скола и бе В кн.: Физика поверхности. Тезисы оригинальных докладов Всесоюзной школы. Ташкент, 1983, с. 4.
  86. Гаи л венчай /Л, 5с? Л Ra Я ft А., farA Р. ??o/nie ?truc}"-re
  87. PaCngerq P. 14/. S’erudttre iransforfc}t (o/t$ ол c&avecf anci алпеаЫ Ge (m)surfaces- Surf. 9с/., 1967, i/.6, p.57−97.
  88. PnCmier^ P.W. fou> ъ/tergy e вес fron d’i // c-f/oh sfctc/ies.о л ёе (III) ahef tft- сouerre} V/^I968,1/. 11, p. 153 158.
  89. Arisfov I/. Уч. > воео,?о A/.I., eras? ae/s VA-, Os/fVQh y».h"
  90. To, eyans&?? I/. Structure. of (Ш) sur frets0@eai/ieaf fy C&iii/tvge ?" super i/acius/" о/ /ел?peuhres. Surf. 9C? 1982, 117, p.204−207.
  91. Pa As (ПО) Nev. Lett., i976j №I7> p. i058-I06I.
  92. CaC&ndrch С., ^?L/){oro 7/?/г/л sc’c sorfiiee s/a/es ?/t
  93. А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. Новосибирск: Наука, 1971. -480 с.
  94. Си г ret С. С. В., B>ra-frqih w.H. Pisir/Gu /?oh and cbosssec/c o/jS of /W <>Mes ол уегматт* sorfaees. Be/!в 5p. Tect, h. J. t 1956, p.1041−1058.
  95. JoA/^son ??. 0. large st'
  96. Wi^t'tims /?¦ W- Surface. pAoiovoUagc hieasure/nehh 0/1 cadni-m suCficfe J PAys.. 5Ы?.? 1962,1/23, p. I057-I066.
  97. Bui м> sirdv I/? оrfa/v A. P., ??Awctfetdo I/. 6. A^O /0 ?/€>???1 -je. ?hducecf -fy carfare of? pAofa eerners- Ад surfaet irfysSc/rf.
  98. Sci.} 1965, 1/. 3, p.445−460.
  99. FrahM ¿-/¿-/пег ?.A. TAeorjf rf iA* ~ ffio-fovo&a-cje. a/ se/mlcoridbcfor Surfaces. ~ S/urfCc, f 1966, f 6, p. I15−123.
  100. Bodes-fra, P. A., Aa
  101. Sfxichoflt&try:Ce/S- Surf. 1971, ?/26, p.317−320.
  102. La (joiv??y -J., fa&stra, в. A., ?a?os //.C. PAoAovo&age. ?Aversion effect and c? s ярр&еа ??oh /0 se/n/со*due/or sctrfitee. shJies: Й/? S"//. SC., I9? I f «я, p.547−558.
  103. La?ou)S$C J., ?a&strcb C.I., fos //. e. Pg, cfio"-c tfaracterts-tics of геов ejs sc/фееъ, — Sarf. 5с/., 1972, ?29, p.213−229.
  104. U?Oivsii J., fa&sfra, e.l., //-С. Pzfer/yii/izf/oi. of Surface 5/4/e fiarGtoe-f-er? from surface pDofoi/off^e irartiet
  105. СМ.- V/So, 1972, 1/. 29, p.203−212.125. ?afesircb C. i-j la? oujsic J 6a As HC- Defer/л t fish on sf Surface
  106. X. Работа выхода. Измерения и результаты. В. кн.: Поверхностные свойства твердых тел. Под ред. М.Грина. — М.: Мир, 1972, с. 208.
  107. Sfct/o г esse г F, Hefrtc & £^ecfго/?fecß-/if'f ле, for wea-Sur/fig aovo^f C? afiqes ih? obfacf/yo/efift'a?'.- flev. Sb/.1971, v 42, p.304 308.
  108. Ger/nwo i/?v K.G., /Со/75 A /, i ¿-/у ou /. /., Ь/га u.?. Su@~?a/>c? surface jb? o/o vpe^jQ ?b dee/? ?tufar'^
  109. Semi сон Julon. Suri Sc?., J983, к 128, p. 447−463.133. bshpkovt’d P.?., РалавЛ /V. //>— бк/ъ/ее» optical or? eh та ft oh accuracy, а и с/ iliue.- J. /1Cectrec?e*. 50c. , 1959, H06, p.315−317.
  110. В.Р. Технология полуцроводникового кремния. -М.: Металлургия, 1969, с. 132.
  111. A.A., Свиридовский Л. С., Суховский В. Н. Поляризационная зависимость поверхностной фото-э.д.с. сколотой поверхности A (III). В кн. Шизика поверхности. Тезисы оригинальных докладов Всесоюзной школы. Ташкент, 1983, с. 79.
  112. Л.С., Галаев A.A., Горюнова И. И. Спектроскопия поверхностной фото-э.д.с. сколотого в сверхвысоком вакууме кремния. В кн.: Физика поверхности твердых тел. Тезисы докладов Всесоюзного симпозиума. — Киев. Наук. думка, 1983, с. 28.
  113. Л.С., Галаев A.A., Горюнова И. И. Чистая поверхность A- (III)-2xI: большие неравновесные изгибы зон.-Письма в ЖЭТФ, 1983, т.38, в. II, с.527−529.
  114. . Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973, с. 346.
  115. В.М., Попов Б. Н. Аномальный фотовольтаический эффект в сегнетоэлектриках. УФН, т.126, с.657−671.
  116. В.И., Стурман Б. И. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии. УФН, 1980, т.130, в. З, с.415−458.
  117. В.И. Фотосегнетоэлектрики М.: Наука, 1979, — 264 с.
  118. Е.Л., Пикус Г. Е. Фотогальванические эффекты в полупроводниках. В кн.: Проблемы современной физики. — Л.: Наука, 1980, с. 275−293.
  119. A.B., Энтин М. В. Поляризационно-зависящие фотопроводимость и поверхностный фототок в многодолинных полупроводниках. ФТП, 1982, т.16, в.4, с.662−668.
  120. В.И., Ивченко Е. Л., Стурман Б. И. Кинетическая теория сдвигового фотогальванического эффекта в пьезоэлект-риках. ЖЭТФ, 1982, т.83, в.2, jc. 649−661.
  121. Л.С., Галаев A.A., Горюнова И. И. Пархоменко Ю.Н., Новаковекая Т. Т. Фотоэлектрические свойства чистой поверхности G&P (IIO). В кн.: Физика поверхности. Тезисы оригинальных докладов Всесоюзной школы. Ташкент, 1983, с. 80.
  122. Н.Л., Лшенко В. И., Терещенко А. К. Влияние света на работу выхода монокристаллов G& 0s при низких температурах. УМ, 1972, т.17, Ш, с. 1356−1358.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!