Фотоэлектромагнитные и магнитооптические методы определения электрофизических и рекомбинационно-диффузионных параметров носителей заряда в узкозонных полупроводниках
Диссертация
Экспериментальными методами измерения холловского напряжения и маг-нитосопротивления определялись концентрации и подвижности основных носителей заряда в ГЭС ЖФЭ КРТ и InSb n-типа. Для эпитаксиальных плёнок ГЭС МЛЭ КРТ р-типа с приграничными варизонными областями концентрации и подвижности основных носителей заряда определялись по результатам измерений магнитополевых зависимостей холловского… Читать ещё >
Список литературы
- Рогальский, А. Инфракрасные детекторы / А. РогальскиЙ. Новосибирск: Наука, 2003. — 636 с.
- Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона / В. Н. Овсюк и др. Новосибирск: Наука, 2001. — 376 с.
- Сапцов, В. И. Гармоники циклотронного резонанса с участием глубокого уровня в n-InSb / В. И. Сапцов, Э. М. Скок//ФТТ. 1985. — Т. 27, № 11. — С. 3481−3484.
- Воробьёв, Ю. В. Методы исследования полупроводников / Ю. В. Воробьёв, В. Н. Добровольский, В. И Стриха. Киев.: Выща Школа, 1988. — 232 с.
- Рыбкин, С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках / С. М. Рыбкин. М.: Физматгиз, 1963. — 496 с.
- Nimitz, G. Transient carrier decay and transport properties in Hgi. xCdxTe / G. Nimitz, G. Bauer, R. Dornhaus, K.H. Muller // Phys. Rev. B. 1974. — Vol. 10. -P. 3302−3310.
- Lopes, V. С. Characterization of (Hg, Cd) Te by the photoconductive decay technique / V. C. Lopes, W. H. Wright, A. J. Syllaios // J.Vac.Sci.Technol. A. 1990. -Vol. 8.-P. 1167.
- Zucca, R. Minority carrier lifetimes of metalorganic chemical vapor deposition long-wavelength infrared HgCdTe on GaAs / R. Zucca, D.D. Edwall, J.S. Chen, S.L. Johnson, C.R. Younger // J.Vac.Sci.Technol. B. 1991. — Vol. 9. -P.1823.
- Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hgi. xCdxTe (х = 0,22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Вой-цеховский, Ю. А. Денисов, А. П. Коханенко, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий,
- B. Т. Либерман, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров // ФТП. 1997. — Т. 31, № 7.1. C. 774−776.
- Kunst, N. The study of charge carrier kinetics in semiconductors by microwave conductivity measurements / N. Kunst, G. Beck // J. Appl. Phys. 1986. — Vol. 60, N 10. — P.945−947.
- Chen, M. C. Photoconductivity lifetime measurements on HgCdTe using a contactless microwave technique // J. Appl. Phys. 1988. — Vol. 6, N 2. -P. 3558−3566.
- Бородовский, П. А. СВЧ-методы измерения параметров эпитаксиальных пленок КРТ / П. А. Бородовский, А. Ф. Булдыгин, С. А. Студеникин // Автометрия. 1996. — № 4. — С. 59−72.
- Chang, Y. Carrier recombination lifetime characterization of molecular beam epitaxially grown HgCdTe / Y. Chang, С. H. Grein, J. Zhao, C. R. Becker, M. E.
- Flatte, P.-K. Liao, F. Aqariden, S. Sivananthan // Appl. Phys. Lett. 2008. — Vol. 93. -192 111−3pp.
- Механизмы рекомбинации неравновесных носителей в эпитаксиальных слоях CdxHgl-xTe (х=0,20−0,23) / Д. Г. Икусов, Ф. Ф. Сизов, С. В. Старый, В. В. Тетеркин // ФТП. 2007. — Т. 41, вып. 2. — С. 134−139.
- Lopes, V. С. Minority carrier lifetime in mercury cadmium telluride / V.C. Lopes, A.S. Syllaios, M.C. Chen//Sem. Sci. Technol. 1993. — Vol. 8. -P. 824−841.
- Kinch, M. A. Recombination mechanisms in 8−14-ц HgCdTe / M. A. Kinch,
- M. J. Brau, A. Simmons // J. Appl. Phys. 1973. — Vol. 44. — P. 1649−1663.I
- Nemirovsky, Y. Growth and properties of Hgi. xCdxTe epitaxial layers / Y. Nemirovsky, S. Margalit, E. Finkman, Y. Shacham-Diamand, I. Kidron// J. Electron. Mater.- 1982.-Vol. 11.-P. 133−153.
- Fastow, R. Transient and steady-state excess carriers lifetimes in p-type HgCdTe/R. Fastow, Y. Nemirovsky//Appl. Phys. Letters. 1989. — Vol. 55. -P. 1882−1884.
- Schacham, S. E. Light-modulated Hall effect for extending characterization of semiconductors materials / S. E. Schacham, E. Finkman // J. Appl. Phys. 1986. -Vol. 60, N8.-P. 2860−2865.
- Fastow, R. Shockley-Read recombination and trapping in p-type HgCdTe / R. Fastow, D. Goren, Y. Nemirovsky // J. Appl. Phys. 1990. — Vol. 68. -P. 3405−3412.
- Barton, S. C. Determination of Shockley-Read trap parameters in n- and p-type epitaxial CdxHgixTe / S. C. Barton, P. Capper, C. J. Jones, N. Metcalfe, D. Duffon // Sem. Sei. Technol. 1996. — V. 11. — P. 1163−1167.
- Gopal, V. Surface recombination in photoconductors // Infr. Phys. 1985. -Vol. 25.-P. 615−618.
- Properties of Narrow Gap Cadmium-based Compounds // EMIS Datareviews Series / edited by P. Capper. London: IEE, 1994. — N 10.
- Chattopadhyay, D. Mobility of electrons in Hgi. xCdxTe / D. Chattopadhyay, B. Nag // J. Appl. Phys. 1974. — Vol. 45, N 3. — P. 1463−1465.
- Yadava, R. D. S. Hole scattering mechanisms in Hg!.xCdxTe / R. D. S. Yadava, A. K. Gupta, A. V. R. Warrier // J. Electron. Mater. 1994. — Vol. 23, N 12.-P. 1359−1378.
- Gold, M. C. Variable magnetic-field hall-effect measurements and analyses of high-purity, Hg vacancy (p-type) HgCdTe / M. C. Gold, D. A. J. Nelson // Vac. Sei. Technol. A. 1986. — Vol. 4. — P. 2040−2046.
- Moravec, P. Galvanomagnetic and thermoelectric properties of p-Hgi.xCdxTe (x approximate to 0.22) / P. Moravec, R. Grill, J. Franc, R. Varghova, P. Hoschl, E. Belas // Sem. Sei. Technol. 2001. — Vol. 16. — P. 7−13.
- Блатт, Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах / Ф. Блатт. М.: Мир, 1971.-470 с.
- Beck, W. A. Determination of electrical transport properties using a novel magnetic field-dependent Hall technique / W. A. Beck, J. R. Anderson // J. Appl. Phys. 1987. — Vol. 62. — P. 541−554.
- Antoszewski, J. Analysis of magnetic field dependent Hall data in narrow bandgap Hgi. xCdxTe grown by molecular beam epitaxy / J. Antoszewski, L. Faraone // J. Appl. Phys. 1996. — Vol. 80, N 7. — P. 3881−3892.
- Meyer, J.R. Quantitative mobility spectrum analysis of multicarrier conduction in semiconductors / J. R. Meyer, C. A. Hoffman, J. Antoszewski, L. Faraone // J. Appl. Phys. 1997.-Vol. 81, N2.-P. 709−713.
- Baturina, T.I. Microwave waveguide method for the measurement of electron mobility and conductivity in GaAs/AlGaAs heterostructures / Т. I. Baturina, P. A. Borodovski, S. A. Studenikin // Appl. Phys. A. 1996. — Vol. 63. — P. 293−298.
- Shim, J. C. The minority carrier mobility of HgCdTe measured by the modulated Hall effect / J. C. Shim, Y. G. Kim, Y. T. Song, J. K. Hong, S. K. Hong, S. U. Kim, M. J. Park // J. Cryst. Growth. 2000. — Vol. 214/215. — P. 260−264.
- Chu, J. Physics and properties of narrow gap semiconductors / J. Chu, A. Sher // New York: Spinger, 2008. 605 p.
- Schacham, S. E. Magnetic filed effect on the RoA product of HgCdTe diodes / S. E. Schacham, E. Finkman // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. — Vol. 7, N 2. -P. 387−390.
- Gordon, N. T. Electron-mobility in p-type epitaxially grown HgixCdxTe / N. T. Gordon, S. Barton, P. Capper, C. L. Jones, N. Metcalfe // Sem. Sci. Technol. -1993. Vol. 8. — P. S221-S224.
- Barton, S. Electron-mobility in p-type epitaxially grown CdxHgixTe / S. Barton, P. Capper, C. L. Jones, N. Metcalfe, N. T. Gordon // Sem. Sci. Technol. -1995.-Vol. 10.-P. 56−60.
- Sang Dong Yoo. Analysis of carrier concentration, lifetime, and electron mobility on p-type HgCdTe / Sang Dong Yoo, Kae Dal Kwack // J. Appl. Phys. 1998. -Vol. 83, N5.-P. 2586−2592.
- Yongsheng Gui, Biao Li, Guozhen Zheng, Yong Chang, Shanli Wang, Li He and Junhao Chu. Evaluation of the densities and mobilities for heavy and light holes in p-type Hgl-xCdxTe molecular beam epitaxy films from magnetic-field-dependent
- Hall data / Yongsheng Gui, Biao Li, Guozhen Zheng, Yong Chang, Shanli Wang, Li He, Junhao Chu // J. Appl. Phys. 1998. — Vol. 84, N 8. — P. 4327−4331.
- Lang D. V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors // J. Appl. Phys. -1974. Vol. 45, N 7. — P. 3023−3032.
- Polla, D. L. Deep level transient spectroscopy in HgixCdxTe / D. L. Polla, C. E. Jones // Solid State Commun. 1980. — Vol. 36. — P. 809−812.
- Polla, D. L., Jones C. E. Deep level studies of Hgi.xCdxTe. I: narrow-bandgap space-charge spectroscopy / D. L. Polla, C. E. Jones // J. Appl. Phys. 1981. -Vol. 52.-P. 5118−5131.
- Cotton, V. A. Effects of ion implantation on deep electron traps in Hgo.7Cdo.3Te / V. A. Cotton, J. A. Wilson. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1986. — Vol. 4. -P. 2177−2180.
- Chen, M. C. Observation of a deep level in p-type Hgo.78Cdo.22Te with high dislocation density / M. C. Chen, R. A. Schiebel. // J. Appl. Phys. 1992. — Vol. 71. -P. 5269−5271.
- Zachman, S. J. Adaptation of deep level transient spectroscopy for narrow bandgap semiconductor materials / S. J. Zachman, E. Finkman, G. Bahir // Semicond. Sci. Technol. 1993. — Vol. 8. — P. S90-S94.
- Zhou Jiey. Characterization of recombination centres in n-type HgixCdxTe / Zhou Jiey, Feng Songliny, Lu Liwuy, Si Chengcaiz, Li Yanginz, Hu Xiaoning // Semicond. Sci. Technol. 1996. — Vol. 11. — P. 1878−1881.
- Polla, D.L. Admittance spectroscopy of deep levels in HgixCdxTe / D. L. Polla, C. E. Jones // J. Appl. Phys. 1980. — Vol. 51. — P. 6233−6237.
- Hu, X. W. A deep level induced by gamma irradiation in HgixCdxTe / X. W. Hu, J. X. Fang, Q. Wang, J. Zhao, H. Q. Lu, H. M. Gong, S. K. Zhang, F. Lu // Appl. Phys. Lett. 1998. — Vol. 73. — P. 91−92.
- Hu, X. W. Gamma irradiation on room temperature short-wavelength HgCdTe photovoltaic device studied by admittance spectroscopy / X. W. Hu, J. Zhao, H. Q. Lu, X. Y. Li, J. X. Fang // Acta Physica Sinica. 1999. — Vol. 48, Iss. 6. — P. 1107−1112.
- Elliott, C. T. Carrier freeze-out and acceptor energies in nonstoichiometric p-type HgCdTe / C. T. Elliott, I. Melngailis, T. C. Harman, A. G. Foyt // J. Phys. Chem. Solids. 1972.-Vol. 33.-P. 1527−1531.
- Polla, D. L. Below band-gap photoluminescence of HgixCdxTe / D. L. Polla, R. L. Aggarwa // Appl. Phys. Lett. 1984. — Vol. 44. — P. 775−779.
- Yue, F. Deep/shallow levels in arsenic-doped HgCdTe determined by modulated photoluminescence spectra / F. Yue, J. Wu, J. Chu // Appl. Phys. Lett. 2008. -Vol. 93.-P. 131 909−3.
- Robin I. С. Photoluminescence Studies of HgCdTe Epilayers / I. C. Robin, M. Taupin, R. Derone, P. Ballet, A. Lusson // J. Electron. Mater. 2010. — Vol. 39, N. 7.-P. 868−872.
- Wong, J. Y. Effect of trap tunneling on the performance of long-wavelength HgCdTe photodiodes // IEEE Trans. Electron. Device. 1980. — ED-27, N. 1. — P. 48−52.
- Anderson W. W. Tunnel contribution to HgCdTe and PbSnTe p-n junction diode characteristics // Infrared Phys. 1980. — Vol. 20. — P. 353−361.
- Anderson W. W. Field induced tunneling in HgCdTe photodiodes // Appl. Phys. Lett. 1982. — Vol. 41. — P. 1080−1082.
- Кравченко, А. Ф. Механизмы переноса носителей заряда в диффузионных n-р переходах, изготовленных на основе CdHgTe / А. Ф. Кравченко, В. Н. Овсюк, Л. Н. Ромашко // Автометрия. 1998. — № 4. — С. 78−87.
- Туринов, В. И. Исследование глубоких уровней в CdHgTe методом туннельного тока фотодиодов / В. И. Туринов // ФТП. 2004. — Т. 38, Вып. 9. — С. 1129−1134.
- Trapping effect in HgCdTe / Y. Nemirovsky, R. Fastow, M. Meyassed, A. Unikovsky//J. Vac. Sci. Technol. B. 1991. — Vol. 9, N 3. — P. 1829−1839.
- Кикоин, И. К. О новом фотоэлектрическом эффекте в закиси меди / И. К. Кикоин, М. М. Носков // Phys. Zs. Sow. Un. 1934. — № 5. — С. 586.
- Френкель, Я. И. Объяснение фотоэлектромагнитного эффекта в полупроводниках /Я. И Френкель // Phys. Zs. ol. Sow. Un. 1934. — № 5. — С. 597.
- W. van Roosbroeck. Theory of the Photoelectromagnetic Effect in Semiconductors//Phys. Rev. 1956.-Vol. 101, N6.-P. 1713−1725.
- Равич, Ю. И. Фотоэлектромагнитный эффект в полупроводниках и его применение / Ю. И. Равич. М.: Сов. радио, 1967. — 93 с.
- Nowak, М. Photoelectromagnetic effect in semiconductors and its application // Prog. Quant. Electr. 1987. — Vol. 11. — P. 205−346.
- Гринберг, А. А. Фотомагнитный эффект в изотропных полупроводниках и его использование для измерения времени жизни неосновных носителей тока / А. А. Гринберг // ФТТ. 1960. — Т. 11, № 5. — С. 836−847.
- Lile, D. L. Generalized photoelectromagnetic effect in semiconductors // Phys. Rev. В. 1973.-Vol. 8, N 10.-P. 4708722.
- Лягушенко, P. И. Фотомагнитный эффект в квантующем магнитном поле при разогреве электронов светом / Р. И. Лягушенко, И. Н. Яссиевич // ЖЭТФ. 1969. — Т. 56, № 4. — С. 1432−1440.
- Finkman, E. Surface recombination velocity of anodic sulfide and ZnS coated p-HgCdTe / E. Finkman, S. E. Schacham // J. Vac. Sei. Technol. A. 1989. -Vol. 7, N 2. — P. 464−468.
- Konczak, S., Nowak, M. Some comments on the photoelectromagnetic effect / S. Konczak, M. Nowak // Surf. Sei. 1979. — N 87. — P. 228−238.
- Mordovich, D. Photoelectromagnetic effect in p-type HgCdTe layers grown by liquid phase epitaxy / D. Mordovich, A. Zemel, A. Zussman, D. Eger // J. Appl. Phys. 1987. — Vol. 51, N 26. — P. 2239−2241.
- Kumar, V. A CdTe passivation process for long wavelength infrared HgCdTe photo-detectors / V. Kumar, R. Pal, P. K. Chaudhury, B. L. Sharma, V. Gopal // J. Electr. Mater. 2005. — Vol. 34, N 9. — P. 1225−1229.
- Welker, H. Zur Theorie der galvanomagnetischen Effekte bei gemischten Leitung // Zs. Naturforsch. 1951. — Vol. 6a, N 1. -P. 184−191.
- Weisshaar, E. Magnetische Sperrschihten in Germanium/ E. Weisshaar, H. Welker // Zs. Naturforsch. 1953. — Vol. 8a, N 11. — P. 681−686.
- Madelung, O. Zur Theorie der magnetischen Spperschischte in Halbleitern / O. Madelung, L. Tewordt, H. Welker //Zs. Naturforsch. 1955. — Vol. 10a, N 7. -P. 476−488.260 ff
- Бойко, И. И. Электрический пинч в полупроводниках с анизотропной биполярной проводимостью в случае биомолекулярной рекомбинации носителей тока / И. И. Бойко, В. К. Малютенко //УФЖ. 1969. — Т. 14, № 9. — С.1449−1457.
- Malyutenko, V. К. Magnetoconcentration effect at nonlinear recombination of current carriers / V. K. Malyutenko, S. S. Bolgov, Y. M. Malozovsky // Phys.Stat.Sol. (a). 1978. — Vol. 50, N 2. — P. 723−732.
- Кравченко, А. Ф. Магнитоконцентрационный размерный эффект в ан-тимониде индия / А. Ф. Кравченко, Б. В. Морозов, Э. М. Скок // ФТП. 1974. -Т. 8,№ 10.-С. 2035−2038.
- Малютенко, В. К. Новые методы определения параметров неравновесных носителей заряда в узкозонных полупроводниках / В. К. Малютенко, Л. Л. Федоренко //Оптоэл-ка и полупр. техн. Киев: Наук. Думка. — 1988. -№ 13.-С. 1−13.
- Богданов, Е. В. Неустойчивости в электронно-дырочной плазме полупроводников / Е. В. Богданов, Л. С. Флейшман // Вестник МГУ. М.: Физ., ас-трон. — 1985. — Т. 26, № 2. — С. 91−94.
- Schneider, W. Application of photoconductivity mesurements in n-InSb under crossed field/W. Schneider, K. Behler // Appl. Phys. 1978. — Vol. 17. -P. 249−256.
- Cristoloveanu, S. The field-assisted photoelectromagnetic effect: theory and experiment in semi-insulating GaAs / S. Cristoloveanu, K.N. Kang // J. Phys. C: Solid State Phys. 1984. — Vol. 17. — P. 699−712.
- Kurnick, S.W. Photoconductive and Photoelectromagnetic Effects in InSb/S. W. Kurnick, R. N. Zitter//J. Appl. Phys. 1956. — Vol. 27, N 3. — P. 278−285.
- Goodwin, P. W. Reports of Meeting on Semiconductors // Phys. Soc. London. 1956.-P. 137.
- Konczak, S. The estimation of semiconductors parameters using least squares in photomagnetoelectric investigations / S. Konczak, M. Nowak // Phys. Stat. Sol. (a). -1981.-Vol. 63.-P. 305−311.
- Пека, Г. К. Варизонные полупроводники / Г. К. Пека, В. Ф. Коваленко, А. Н. Смоляр // Киев: Выща школа. 1989. — 251 с.
- Kroemer, Н. Quasi-electric and quasi-magnetic fields in nonuniform semiconductors // RCA Review. 1957. — Vol. XVIII, N 3. — P. 332−342.
- Царенков, Г. В. Фотоэффект в варизонной р-n структуре // ФТП. 1975. — Т. 9, № 2. — С. 253−262.
- Константинов, О. В. Фотопроводимость и эффект Дембера в варизон-ных полупроводниках / О. В. Константинов, Г. В. Царенков // ФТП. 1976. — Т. 10, № 4.-С. 720−728.
- О фоточувствительности варизонной структуры / А. Я. Вуль, С. Г. Пет-росян, А. Я. Шик, Ю. В. Шмарцев // ФТП. 1976. — Т. 10, № 4. — С. 673−676.
- Фотоэлектрический эффект в варизонных поверхностно-барьерных структурах (теоретическое рассмотрение) / В. А. Бывалый, А. С. Волков, Ю. А. Гольдберг, А. Г. Дмитриев, Б. В. Царенков // ФТП. 1979. — Т. 13, № 6. -С. 1110−1115.
- Клецкий, С. В. Спектральные характеристики варизонных структур с нелинейным профилем состава / С. В. Клецкий // ФТП. 1992. — Т. 26, № 9. — С. 1631−1634.
- Петросян, С. Г. Теоретическое исследование фотомагнитного эффекта в варизонных полупроводниках / С. Г. Петросян // ФТП. 1977. — Т. 11, № 5. — С. 886−891.
- Габарев, Р. С. Особенности фотомагнитного эффекта в варизонных структурах GaAixySbxPy / Р. С. Габарев, В. А. Калухов, С. И. Чикичев // ФТП. -1985. Т. 19, № 4. — С. 742−744.
- Cohen-Solal, G. Transport of photocarriers in CdxHgixTe graded-gap structures/G. Cohen-Solal, Y. Marfaing// Sol. St. Electr. 1968. — Vol. 11, N 12. — P. 1131−1147.
- Kasprzak, J.F. Spectral characteristic of the PEM-effect in graded-gap CdxHg!.xTe / J. F. Kasprzak, J. M. Pawlikowski, P. Besla, H. Maychrowska // Acta. Phys. Polon. 1980. — Vol. A57. — P. 311−322.
- Genzow, D. Photoelectromagnetic effete in CdxHgj. xTe graded-gap structures / D. Genzow, A. Jozwikowska, K. Jozwikowski, T. Niedzeila, J. Piotrovski // Infrared Phys. 1984. — Vol. 24, N 1. — P. 21−24.
- Studenikin, S. A. Recombination parameters of epitaxial CdxHgixTe/CdTe layers from photoelectromagnetic and photoconductivity effects / S. A. Studenikin, I. A. Panaev // Sem. Sei. Technol. -1993. Vol. 8. — P. 1324−1330.
- Штурбин, A.B. Определение диффузионно-рекомбинационных параметров полупроводников бесконтактным методом / А. В. Штурбин, В. А. Шалыгин, В. И. Стафеев // ФТП. 1995. -Т. 29, № 11. — С. 2039−2052.
- Михайлов, Н. Н. Способ создания варизонных структур на основе твердых растворов CdxHgixTe / Н. Н. Михайлов, А. М. Мищенко, В. Г. Ремесник//ГК по делам изобретений и открытий. Патент № 2 022 402, приоритет от 14.04.98, публ. 30.10.94. БИ. № 20, с 310.
- Осадчий, В. М. Эффективное время жизни носителей заряда в варизонных структурах на основе CdHgTe / В. М. Осадчий, А. О. Сусляков, В. В. Васильев, С. А. Дворецкий // ФТП. 1999. — Т. 33, № 3. — С. 293.
- Ландау, Л. Д. Собрание трудов / Л. Д. Ландау. М.: Наука. — 1969. — Т. 1.-С. 47.
- Landau, L. Diamagnetism des Metalls // Zeitschr. der Physik. 1930. — Bd. 64.-P. 629.
- Ландау, Л. Д. Квантовая механика / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. М.: Наука, 1974.-552 с.
- Брандт, Н. Б. Эффект Шубникова де Гааза и его применение для исследования энергетического спектра металлов, полуметаллов и полупроводников/Н. Б. Брандт, С. М. Чудинов//УФН. — 1982. — Т. 137, вып. 3. — С. 479+499.
- Schubnikow, L. W., de Haas W.I. Leiden Comm. Kamerlingh Onnes Lab., 1930, N.207, 207a, 210a, 210b // Proc. Netherlands Roy Acad. Sei. 1930. — Vol. 33. -P. 130,163.
- Titeica, S. Uber die Widerstandsanderung von Metallen im Magnetfeld // Annalen der Physik. 1935. — B. 22. — P. 129.
- Ахиезер, А. Об изменении сопротивления металлов в магнитном поле / А. Ахиезер // ЖЭТФ. 1939. — Т. 9, Вып. 4. — С. 426.
- Румер, Ю. Б. К теории электропроводности металлов в магнитном поле / Ю. Б. Румер // ЖЭТФ. 1952. — Т. 22, вып. 2. — С. 214.
- Клингер, М. И. К теории гальваномагнитных явлений в полупроводниках / М. И. Клингер // ЖЭТФ. 1956. — Т. 31, вып. 6. — С. 1055.
- Зырянов, П. С. Квантовая теория явлений переноса в кристаллических полупроводниках / П. С. Зырянов, М. И. Клингер. М.: Наука, 1976. — 437 с.
- Adams, Е. N. Quantum theory of transverse galvanomagnetic phenomena / E. N. Adams, T. D. Holdstein // J. Phys. Chem. Solids. 1959. — Vol. 10, N 4. — P. 254.
- Kubo, R. Quantum theory of galvanomagntic effect. I. Basic considerations / R. Kubo, H. Hasegawa, N. Hashitsume // J. Phys. Soc. Japan. 1959. — Vol. 14, N l.-P. 56.
- Шалыт, С. С. К вопросу о квантовой осцилляции гальваномагнитных эффектов в арсениде и антимониде индия / С. С. Шалыт, A. JL Эфрос // ФТТ. -1962.-Т. 4.-С. 1233.
- Bawers, R. Energy levels of conduction in a magnetic field / R. Bawers, Y. Yafet // Phys. Rev. 1959. — Vol. 115, N 5. — P. 1165.
- Аскеров, Б. M. Электронные явления переноса в полупроводниках / Б. М. Аскеров. М.: Наука, 1985. — Гл. 6. — 223 с.
- Капе, О. Band structure of indium antimonide // J. Phys. Chem. Solids. -1957.-Vol. 1, N4. P. 249.
- Маделунг, О. Физика полупроводниковых соединений элементов 3 и 5 группы / О. Маделунг. М.: Мир, 1967. — С. 46.
- Sailer, D. G. Shubnikov-de Haas effect studies on optically heated electrons in n-InSb / D. G. Sailer, L. K. Hanes, M. W. Goodwin, A. E. Stephens // J. of Magnetism and Magnetic Materials. 1979. — Vol. 11. — P. 247.
- Jablonovitch, E. Dispersion of the nonlinear optical susceptibility in n- InSb / E. Jablonovitch, N. Blombergen // Phys. Rev. 1971. — Vol. 3, N 6. — P. 2062.
- Бреслер, M. С. Циклотронный резонанс нелинейной оптической восприимчивости в InSb / M. С. Бреслер, О. Б. Гусев // ЖЭТФ. 1979. — Т. 76, № 2. — С. 724.
- Missell, F. P. Study of the optical Shubnikov de Haas effect / F. P. Missell, M. S. Dresselhaus // Phys. Rev. — 1972. — Vol. 5, N 4. — P. 1364.
- Скок, Э. M. Спиновый резонанс магнитосопротивления и фотоэдс в п-InSb при комбинационном рассеянии / Э. М. Скок, С. А. Студеникин // ФТТ. -1983.-Т. 25, № 11.-С. 3361.
- Природа осцилляций оптических и кинетических коэффициентов в ан-тимониде индия / А. В. Вдовин, Н. А. Калугина, В. И. Сапцов, С. А. Студеникин, Э. М. Скок // Изв. Ак. Наук СССР. 1986. — Т. 50, № 2. — С. 304.
- Оптические свойства полупроводников (полупроводниковые соединения А3В5) / под ред. Р. Уиллардсона и А. Бира- пер. с англ. под. ред. Е. Ф. Гросса. М.: Мир. — 1970. — С. 486.
- Сапцов, В. И. Магнитооптические эффекты в антимониде индия / В. И. Сапцов, Э. М. Скок: Препринт 15, ИФП СО АН СССР. Новосибирск, 1987. -25 с.
- Корнилович, А. А. Способ определения концентрации носителей заряда в вырожденных полупроводниках / А. А. Корнилович, С. А. Студеникин, Е. И. Уваров // A.c. 1 694 018, Б.И. 1991. № 43. с. 228.
- Gui, Y. S. Electrical characterization of subbands in the HgCdTe surface layer / Y. S. Gui, G. Z. Zheng, J. H. Chu, S. L. Guo, X. C. Zhang, D. Y. Tang, Y. Cai // J. Appl. Phys. 1997. — Vol. 82, Iss. 10. — P. 5000−5004.
- Бесконтактные методы исследования нелинейного спинового резонанса и эффекта Шубникова де Гааза в объёмных полупроводниках и низкоразмерных системах / А. В. Вдовин, А. А. Корнилович, Э. М. Скок, Е. И. Уваров // Автометрия. — 2001. — Т. 4. — С. 62−75.
- Kostyuchenko V. Y. Magneto-resonant absorbtion from a local center in degenerate n-InSb / V. Y. Kostyuchenko, E. M. Skok, S. A. Studenikin // Phys. Stat. Sol. (b). 1989. -Vol. 152. — P. k59-k62.
- Студеникин, С. А. Фотомагнитный эффект и фотопроводимость тонких эпитаксиальных слоев CdxHg^x^ Те/ CdTel С. А. Студеникин, И. А. Панаев, В. Я. Костюченко, Х.-М. 3. Торчинов // ФТП. 1993. — Т. 27, № 5. — С. 600−612.
- Thomas, P. Е. Low level second harmonic defection system / P. E. Thomas, J. M. Rowell // Rev. Sci. Instrum. 1965. — Vol. 36, N 9. — P. 1301−1306.
- Kahlert, N. Magnetic field modulation technique for study of hot carrier oscillatory magnetoresistance phenomena / N. Kahlert, D. G. Seiler // Rev. Sci. Instrum.- 1977.-Vol. 48, N8.-P. 1017.
- Бубякин, Б. Б. Лазер на окиси углерода / Б. Б. Бубякин, А. В. Елецкий,
- B. Ф. Папуловский // УФН. 1972. — Т. 106, № 4. — С. 723−735.
- Peters, P. J. Tunable sealed-off СО laser at room temperature / P. J. Peters, W.J. Witterman, Z. Krzyzanovski //Opt.Commun. 1980. — Vol.45, N3. — P. 193−195.
- Todd, Т. H. Infrared emission of 12C160,, 3C160 and 12C180 / Т. H. Todd,
- C. M. Clayton, W. B. Telfair, Т. K. McCubbin, Jr. Pliva, J. Phiva // J. Mol. Spectrosc.- 1976. Vol. 62. — P. 201−227.
- Vdovin, A. V. Spinflip detector-spectrometer of IR laser radiation / A. V. Vdovin, A. V. Rzanov, E. M. Skok, S. A. Studenikin // 13th Intern. Symposium of the Technical Commitee on Photonic Measurements (Photon-Detectors). Braun-schweiy, 1987.-245 p.
- Anderson, W.W. Absorption constant of PbixSnxTe and Hg! xCdxTe alloys// Infr. Phys. 1980. — Vol. 20. — P. 363−372.
- Varavin V. S. HgCdTe epilayers on GaAs: growth and devices / V. S. Varavin, V. V. Vasiliev, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, V. N. Ovsyuk, Yu. G. Sidorov, A. O. Suslyakov, M. V. Yakushev, A. L. Aseev // Proceedings SPIE. -2003.-Vol. 5136.-P. 381−395.
- Spicer, W. E. Metal contacts on Hgi. xCdxTe // J. Vac. Sei. Technol. A. -1990.-Vol. 8.-P. 1174−1176.
- Мосс, T. Полупроводниковая оптоэлектроника / T. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. M.: Мир, 1976. — 430 с.
- Кикоин, И. К. Фотоэлектромагнитный эффект/ И. К. Кикоин, С. Д. Лазарев // УФН. 1978. — Т. 124, Вып. 4. — С. 597−617.
- Мецик, М. С. Методы обработки экспериментальных данных и планирование эксперимента по физике. Иркутск: Изд-во ИГУ, 1981. — 112 с.
- Измерение резонансов в антимониде индия. Полупроводниковая тензометрия / А. В. Вдовин, С. А. Студеникин, А. А. Корнилович, Е. И. Уваров // Межвуз. сб. науч. тр., НЭТИ. Новосибирск, 1988. — С. 86.
- Kornilovich, A. A. Investigation of semiconductor structures and two-dimensional systems by non-destructive contactless methods // Proc. IEEE-Russia Conference ME-MIA'2001. Novosibirsk, 2001.
- Аскеров, Б. М. Кинетические эффекты в полупроводниках / Б. М. Аскеров. Л.: Наука, 1978. — С. 172−303.
- Argyres, Р. N. Quantum theory of longitudinal magnetoresistance // J. Phys. Chem. Solids. 1958. — Vol. 4, N 1. — P. 19−26.
- Азбель, М. JI. Квантовая теория высокочастотной проводимости металлов // ЖЭТФ. 1958. — Т. 34, № 4. — С. 969−983.
- Dresselhaus Н. S. J. Optical de haas-Spubnikov effect in antimonide/ H. S. Dresselhaus, J. Mavroides //Sol.State Commun. 1964. — Vol.2, N10. — P. 297−301.
- Achard, J. Comments on the appearance of «mirror» peaks in mobility spectrum analysis of semiconducting devices / J. Achard, C. Varenne-Guillot, F. Barbarin, M. Dugay // Appl. Surf. Sci. 2000. — Vol. 158. — P. 345−352.
- Шуп, Т. E. Решение инженерных задач на ЭВМ: Практическое руководство/ Т. Е. Шуп. М.: Мир, 1982. — 235 с.
- Зеегер, К. Физика полупроводников / К. Зеегер. М.: Мир, 1977. -615 с.
- Кучис, Е. В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования / Е. В. Кучис. М: Радио и связь, 1990. — 264 с.
- Jones, С. Е. Effects of deep-level defects in HgixCdxTe provided by DLTS / С. E. Jones, V. Nair, J. Lindquist, D. L. Polla // J. Vac. Sei. Technol. 1982. — Vol. 21, N 1. — P. 187−190.
- Подвижность неосновных носителей заряда в пленках p-HgCdTe / В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, В. Я. Костюченко, В. Н. Овсюк, Д. Ю. Протасов // ФТП. 2004. — Т. 38, №. 5. — С. 532−537.
- Протасов, Д. Ю. Подвижность равновесных и неравновесных неосновных носителей заряда в p-Hg!.xCdxTe / Д. Ю. Протасов, В. Я. Костюченко // Вестник Сиб. гос. геодез. акад. 2002. — Вып. 7. — С. 202−205.
- Овсюк, В. Н. Метод дифференциального магнитосопротивления для определения концентрации и подвижности электронов и легких дырок в CdxHgi.xTe р-типа / В. Н. Овсюк, Д. Ю. Протасов, Н. X. Талипов // Автометрия. 1998. — № 5. — С. 99−107.
- Protasov, D. Yu. Determination of Charge Carriers Mobility in p-HgCdTeby Magnetophoto-conductivity Method / D. Yu. Protasov, V. Ya. Kostuchenko, th
- V. N. Ovsyuk // 5 International Siberian Workshop and Tutorial of Electron Devices and Materials EDM (1−5 July 2004). Russia: Erlagol, 2004. — P. 54−57.
- Tanaka, M. Electrical Properties of HgCdTe epilayers doped with silver using an AgN03 solution / M. Tanaka, K. Ozaki, H. Nishino, H. Ebe, Y. Miyamoto // J. Electron. Mater. 1998. — Vol. 27, N 6. — P. 579−582.
- Nishino, H. Acceptor level related Shockley-Read-Hall centers in p-HgCdTe / H. Nishino, K. Ozaki, M. Tanaka, T. Saito, H. Ebe, Y. Miyamoto // J. Cryst. Growth. 2000. — Vol. 214/215. — P. 275−279.
- Определение времени жизни основных и неосновных носителей заряда в CdHgTe р-типа методом фотопроводимости в магнитном поле / Д. Ю. Протасов, В. Н. Овсюк, В. Я. Костюченко, В. С. Крылов // Прикладная физика. 2007. — № 6. — С. 27−30.
- Малютенко, В. К. Стационарная фотопроводимость электроннодыроч-ной плазмы в скрещенном электрическом и магнитных полях / В. К. Малютенко, Г. И. Тесленко, И. И. Бойко // ФТП. 1974. — № 8. — С. 2120.
- Malutenko, V. К. Photoconductor in transverse sweep-out conditions / V. К. Malutenko, G. I. Teslenko // Infr. Phys. 1985. — Vol. 25, N 1. — P. 337−342.
- Смит, P. Полупроводники / P. Смит // Пер. с англ. M.: Мир. — 1982. -560 с.
- Кичигин, Д. А. Фототермомагнитный эффект в CdxHgixTe в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах / Д. А. Кичигин, И. М. Раренко, Э. Б. Тальянский, Д. Д. Халамейда // ФТП. 1981. — Т. 15, № 2. — С. 375−378.
- Ансельм, А. И. Введение в теорию полупроводников / А. И. Ансельм. -М.: Наука, 1978.-616 с.
- Костюченко, В. Я. Исследование фотомагнитного эффекта и фотопроводимости в слоях p-CdHgTe / В. Я. Костюченко, Д. Ю. Протасов, С. А, Студе-никин // Автометрия. 1996. — № 4. — С. 77−81.
- Протасов, Д. Ю. Эффективные темы оптической генерации и скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в варизонных плёночных фотоприемных структурах р-КРТ МЛЭ / Д. Ю. Протасов, В. Я. Костюченко // Автометрия. 2008. — Т. 44, № 6. — С. 103−108.
- Protasov, D. Yu. Surface Recombination and Charge Carriers Generation by
- Radiations in MBE p-HgCdTe films with Graded-Gap Near-Border Layth •ers / D. Yu. Protasov, V. Ya. Kostuchenko // 8 International Siberian Workshop and Tutorial of Electron Devices and Materials EDM (1−5 July 2007). Russia: Erlagol, 2007.-P. 54−57.
- Костюченко, В. Я. Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в варизонных фотоприёмных структурах р-CdHgTe/ В. Я. Костюченко // Автометрия. 2009. — Т. 45, вып. 4. — С. 418.
- Блатт, Фрэнк Дж. Теория подвижности электронов в твердых телах / Фрэнк Дж. Блатт. Д.: Физматгиз, 1963. — 224 с.
- Lou, L.F. Hall effect and resistivity in liquid-phase-epitaxial layers of HgCdTe / L. F. Lou, W. H. Frye // J.Appl. Phys. 1984. — Vol. 56, N 8. — P. 2253−2267.
- Протасов, Д. Ю. Немонотонное поведение магнитофотопроводимости в HgCdTe р-типа / Д. Ю. Протасов, В. Я. Костюченко, В. Н. Овсюк // ФТП. -2006. Т. 40, вып. 6. — С. 663−666.
- Dhar, V. Optimum diode geometry in a two-dimensional photovoltaic array / V. Dhar, V. Gopal // Opt. Eng. 2000. — Vol. 39, N 8. — P. 2022−2030.
- Dhar, V. Dependence of zero-bias resistance-area product and quantum efficiency on perimeter-to-area ratio in a variable-area diode array / V. Dhar, V. Gopal // Sem. Sci. Technol. 2001. — Vol. 16. — P. 553−561.
- Frank, J. Determination of diffusion length of minority carriers in Cdi xZnxTe (x=0,04) by the EBIC method / J. Frank, E. Belas, A. L. Toth, Yu. M. Ivanov, H. Sitters, P. Moravec, P. Hoshl // Sem. Sci. Tech. 1998. — Vol. 13. — P. 314−317.
- Haakenaasen, R. Electron beam induced current study of ion beam milling type conversion in molecular beam epitaxy vacancy-doped CdxHgjxTe / R. Haakenaasen, T. Colin, H. Steen, L. Trosdahl-Iversen // J. Electr. Mat. 2000. — Vol. 29, N 6.-P. 849−852.
- Redfern, D. A. Correlation of laser-beam-induced current with current-voltage measurements in HgCdTe photodiodes / D. A. Redfern, C. A. Musca, J. M. Dell, L. Faraone // J. Electr. Mat. 2004. — Vol. 33, N 6. — P. 560−571.
- Определение нормальной и латеральной компонент темнового тока п-р-фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных структур p-CdxHgixTe с х = 0,22 / В. Я. Костюченко, Д. Ю. Протасов и др. // Письма в ЖТФ. 2009. — Т. 35, вып. 12.-С. 32−37.
- Костюченко, В.Я. Влияние профиля варизонных приграничных областей гетероструктур кадмий-ртуть-теллур р-типа на скорость поверхностной рекомбинации / В. Я. Костюченко, Д. Ю. Протасов, А. В. Войцеховский // Известия ВУЗов. 2011. — Т.54, № 7. с. 53−58.
- Agnihotri, О. P. Current status and issues in the surface passivation technology of mercury cadmium telluride infrared detectors / O. P. Agnihotri, C. A. Musca, L. Faraone // Sem. Sci. Technol. 1998. — Vol. 13. — P. 839−845.
- Madarasz, F. L. Barrier formation in graded HgixCdxTe heterojunction / F. L. Madarasz, F. Szmulowicz // J. Appl. Phys. 1987. — Vol. 62, N 8. — P. 3267−3277.
- Meyer, J. R. Method for characterization of IR detector materials / J. R. Meyer, C. A. Hoffman, F. J. Bartoli, D. J. Arnold, S. Sivananthan, J. P. Faurie // Sem. Sci. Technol. 1993.-Vol. 8.-P. 805−823.
- Студеникин, С. А. Примесное магнитопоглощение в узкозонных полупроводниках / С. А. Студеникин, Е. И. Уваров, В. Я. Костюченко // Материалы 2 Всесоюз. семинара по физике и химии полупроводников. Павлодар, 1989. -Т. З.-С. 19−23.
- Цидильковский, И. М. Зонная структура полупроводников / И. М. Ци-дильковский. М.: Наука, 1978. — 328 с.
- Kaplan, R. Acceptor excitation spectra in InSb // Solid State Commun. -1973.-Vol. 12, N3.-P. 191−194.
- Вдовин, А. В. Спиновый резонанс и зонные параметры InSb / А. В. Вдовин, Э. М. Скок: препринт № 9−86 / Ин-т физики полупроводников СО АН СССР. -Новосибирск, 1986. 16 с.
- Goodwin, М. W. Infra conduction-band magnetooptical studies on InSb / M. W. Goodwin, D. G. Seiler // Phys.Rev.B. 1983. — Vol. 27, N 6. — P. 3451−3459.
- Weiler, M. H. Warping and inversi-on-assymetry-induced cyclotron-harmonic transition in InSb / M. H. Weiler, R. L. Aggarwal, B. Lax // Phys. Rev. B. -1979. Vol. 17, N 8. — P. 3269−3283.
- Сапцов, В. И. Гармоники циклотронного резонанса в зоне проводимости р-типа / В. И. Сапцов, Э. М. Скок //ФТП. 1986. — Т. 20, № 8. — С. 1377−1379.
- Seiler, D. G., Goodwin, Н. W. Laser-induced magneto-optical transitions from deep levels in n-InSb // J.Appl.Phys. 1982. — V. 53. — № 11. — P. 7505−7515.
- Исмаилов, И. H. Примесная фотопроводимость антимонида индия при низких температурах / И. Н. Исмаилов, Д. Н. Наследов, Ю. С. Сметанникова // ФТП. 1968. — Т. 2, № 6. — С. 901−903.
- Penek, J. Recombination Radiation from InSb / J. Penek, H. Levinstein // Phys.Rev. 1965. — Vol. 140, N 2a. — P. A576-A586.
- Engeler, W. Photoconductivity in p-type indium antimonide with deep acceptor impurities / W. Engeler, H. Levinstein, С. Stannard //Phys. Chem. Sol. -1961. Vol. 22. — P. 249−254.
- Выбор экспериментальных условий для фотолюминесцентного контроля структур для гетеробиполярных транзисторов / К. С. Журавлев, Т. С. Шамирзаев, В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, В. Я. Костюченко // ЖТФ. -1997. Т. 67, № 12. — С. 26−30.