Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Экспериментальное исследование бесконтактного формирования поверхностных наноструктур методом сканирующей туннельной микроскопии

Диссертация: Экспериментальное исследование бесконтактного формирования поверхностных наноструктур методом сканирующей туннельной микроскопии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Выделены основные процессы, вызывающие необратимые изменения исследуемой поверхности: поверхностная ионизация, вызывающая испарение атомных слоев материала одного из электродов и осаждение атомов на противоположном электроде, автоэлектронная эмиссия, вызывающая разогрев острия и локальной области образца под действием токов эмиссии высокой плотности, поверхностная диффузия материала к острию… Читать ещё >

Экспериментальное исследование бесконтактного формирования поверхностных наноструктур методом сканирующей туннельной микроскопии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Обзор современных методов формирования и применения наноструктур
    • 1. 1. Анализ состояния нанотехнологий в электронике
    • 1. 2. Анализ методов формирования наноструктур
    • 1. 3. Анализ наноструктур и их применения
    • 1. 4. Цели и задачи исследования
  • Выводы по главе 1
  • Глава 2. Теоретическое обоснование бесконтактного формирования нанометровых структур методом сканирующей туннельной микроскопии
    • 2. 1. Теоретическая модель взаимодействия зонд-образец на воздухе
    • 2. 2. Физические эффекты на поверхности тонких пленок при электрополевом воздействии туннельного зазора
    • 2. 3. Физическое обоснование бесконтактного формирования нанорельефа поверхности подложек
  • Выводы по главе 2
  • Глава 3. Аналих искажающих эффектов изображений при исследовании методом сканирующей туннельной микроскопии
    • 3. 1. Анализ источников искажающих эффектов изображений в сканирующей зондовой микроскопии
    • 3. 2. Экспериментальное исследование искажающих эффектов изображений в сканирующей зондовой микроскопии
    • 3. 3. Экспериментальное исследование влияния адсорбата на изображение поверхности тонких металлических пленок в сканирующей зондовой микроскопии
  • Выводы по главе 3
  • Глава 4. Экспериментальное исследование процессов бесконтактного формирования наноструктур методом сканирующей туннельной микроскопии
    • 4. 1. Исследование влияния параметров туннельного зазора на бесконтактное формирование поверхностных наноструктур
    • 4. 2. Локальная модификация поверхности тонкой пленки платины методом сканирующей туннельной микроскопии
    • 4. 3. Обсуждение и анализ результатов модификации поверхности
  • Выводы по главе 4

Актуальность работы.

С развитием нанотехнологий в микрои наноэлектронике, в гетерогенном катализе, микромеханике, трибологии и других областях знаний значительное место занимают исследования различных явлений, происходящих на поверхности твердого тела. При этом поверхность рассматривается как основа для формирования и исследования латерально-ограниченных объектов нанометрового размера, основные свойства которых могут существенно отличаться от свойств макрокристаллов того же вещества.

В низкоразмерных системах, в частности в наноструктурах, количество вещества на поверхности и в объеме становятся соизмеримыми, поэтому роль поверхности как более активной составляющей существенно возрастает. Поверхностные наноструктуры с их особыми свойствами играют значительную роль в таких объектах, как сверхрешетки, высокодисперсные системы — адсорбенты и катализаторы, наполнители композиционных материалов, пленочные и мембранные системы, являющихся элементами изделий и оборудования электронной техники.

Современная электроника, двигаясь по пути миниатюризации, подходит к пределу характерных размеров основных элементов в 20 нм, при которых резервы дальнейшего улучшения параметров на основе дрейфово-диффузионного переноса носителей практически исчерпываются и определяющими становятся квантово-размерные и туннельные эффекты. При этом существенно усиливается влияние границ раздела отдельных элементов микросхем.

Актуальность проводимых исследований обусловлена перспективами применения наноэлементов, полученных методами сканирующей туннельной микроскопии, в качестве активных и пассивных элементов устройств электроники, сенсоров различного назначения, потенциальным переходом нанотехнологий от лабораторных исследований к промышленному выпуску.

Низкие энергии туннелирующих электронов (десятки милиэлектрон-вольт) в режиме измерения в совокупности с возможностью получения высокой о напряженности электрического поля (10 В/см) и плотности электронного тока.

О 9.

10 А/см) в локальной области на поверхности в сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) позволяют совмещать метрологические и технологические функции, делая СТМ уникальным методом, позволяющим формировать и исследовать наноструктуры.

Современная сканирующая зондовая литография в основном представлена контактными методами пластической деформации: формирование или выравнивание рельефа подложки, селективное оксидирование. В то же время методам бесконтактной локальной модификации поверхности уделяется недостаточно внимания в связи со сложностью получения заведомо сконфигурированных геометрических областей, обусловленной дальнодействующим характером электростатических сил.

Также весьма важным для применения зондовых микроскопов в широкомасштабных научных исследованиях является отслеживание и систематизация возможных механизмов возникновения артефактов, т. е. аппаратных эффектов, приводящих к наблюдению ложных или искаженных свойств исследуемого объекта.

В рамках данной работы проводились экспериментальные и теоретические исследования бесконтактного метода локальной модификации поверхности проводящих подложек методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ).

Цели и задачи работы.

Целью настоящей работы является получение воспроизводимой контролируемой наноструктуры на поверхности твердого тела методом сканирующей туннельной микроскопии для элементов изделий и оборудования электронной техники.

Для достижения поставленных целей в работе поставлены и решены следующие задачи:

— анализ искажений и ограничений методов сканирующей зондовой микроскопии и разработка методики, учитывающей их влияние на формирование нанобъектов и наноструктур;

— исследование процессов и определение режимов бесконтактного формирования нанообъектов и наноструктур на поверхности тонких пленок методами сканирующей зондовой микроскопии;

— исследование влияния параметров туннельного зазора на формирование нанорельефа на поверхности тонких пленок;

— проведение комплекса экспериментальных исследований локальной модификации поверхности тонких пленок;

— изучение структуры модифицированных участков поверхности;

— разработка методики создания, контроля и визуализации процессов бесконтактного формирования наноструктур на поверхности тонких металлических пленок на воздухе.

Научная новизна работы.

Впервые разработана методика бесконтактной управляемой модификации поверхности тонких металлических пленок, применяемых в производстве электронных приборов, с образованием воспроизводимых объектов и структур на-нометрового диапазона методом сканирующей туннельной микроскопии на воздухе.

Установлены основные физические процессы и факторы формирования нанометровых структур, приводящие к локальному изменению свойств поверхности образца под зондом СТМ и образованию нанорельефа, на основе которых предложены расчетные зависимости определения плотности токов электронной эмиссии, локального повышения температуры, электрического поля для массо-переноса и пластической деформации для управляемого формирования заданного нанорельефа поверхности.

Установлены взаимосвязи между основными физическими характеристиками процесса взаимодействия зонд-поверхность (сила туннельного тока, напряжение между зондом и подложкой, скорость и шаг взаимодействия) и характером модификации поверхности подложки, что позволило обеспечить воспроизводимое контролируемое формирование объектов и структур нанометро-вого диапазона.

На основе сравнительных экспериментальных исследований шаговых поверхностных структур методами сканирующей зондовой и растровой электронной микроскопии установлены и описаны эффекты занижения высоты профиля в СТМ режиме и эффект уширения профиля в режиме атомно-силовой микроскопии (АСМ).

Впервые определены основные закономерности влияния воздушного ад-сорбата на интерпретацию СТМ изображений: пятна адсорбата с размерами, соизмеримыми с расстоянием между зондом и образцом, воспроизводятся как возвышенности, а изображение сплошных участков скопления адсорбата сопровождается понижением рельефа относительно «чистой» поверхности. Установлен эффект формирования локализованных центров размером 50−100 нм, образованных скоплениями поляризованных молекул адсорбата под действием сильного электрического поля в межэлектродном зазоре.

Разработана методика локального удаления воздушного адсорбата с исследуемого участка поверхности при импульсном бесконтактном взаимодействии электродов СТМ, что обеспечивает значительное улучшение качества и достоверности получаемого изображения поверхности.

Практическая значимость работы.

1. Предложенные методики позволяют осуществить технологические процессы бесконтактного формирования поверхностных наноструктур с заданной геометрией и размерами (5−20 нм) и сплошной модификации поверхности с образованием нанообъектов высокой плотности и увеличением поверхностной площади материала (до 40%), предназначенные для:

— создания элементной базы наноэлектроники — наноконтактов и нано-проводников, квантовых точек и одноэлектронных транзисторов;

— повышения эффективности работы катализаторов и сенсоров путем увеличения поверхностной площади поверхностно-активных материалов;

— улучшения характеристик и выходных параметров лазеров и дисплеев на основе квантовых точек (низкие энергопотребление и интенсивность шума, нечувствительность к колебаниям температур).

2. Установленные закономерности и эффекты, приводящие к наблюдению ложных или искаженных свойств исследуемого объекта, позволяют правильно интерпретировать и использовать полученную с помощью СЗМ информацию.

Достоверность результатов.

Достоверность проведенных теоретических исследований и представленных в работе экспериментальных результатов обеспечивается строгим математическим обоснованием предлагаемых подходов, результатами компьютерного моделирования, использованием современных экспериментальных методик, а также согласованностью полученных результатов с теоретическими и экспериментальными данными, имеющимися в российской и зарубежной литературе.

Реализация результатов работы.

Результаты диссертации использованы в ФБГНУ «Научно-исследовательский институт перспективных материалов и технологий» при проведении экспериментальных исследований материалов методами сканирующей туннельной и атомно-силовой микроскопии и внедрены в учебный процесс МИЭМ, где используются при чтении лекций и проведении лабораторных работ по дисциплинам «Технология материалов и изделий электронной техники», «Устройства и элементы наномеханики».

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Результаты экспериментальных исследований бесконтактного формирования наноструктур на поверхности тонких пленок золота и платины в воздушной среде.

2. Пороговые значения туннельного тока и приложенного поля, соответствующие необратимым изменениям рельефа поверхности тонких металлизированных пленок при СТМ воздействии на воздухе.

3. Основные закономерности бесконтактного формирования наноструктур: формирование выступов при отрицательной полярности на образце, впадин — при положительной полярности на образце.

4. Методика бесконтактной управляемой модификации поверхности тонких металлизированных пленок с образованием объектов нанометрового диапазона с заданной геометрией расположения методом сканирующей туннельной микроскопии на воздухе.

5. Результаты теоретических и экспериментальных исследований влияния искажений и воздушного адсорбата на интерпретацию СЗМ информации: эффекты занижения высоты профиля в СТМ режиме и уширения профиля в АСМ режиме, основные закономерности отображения воздушного адсорбата СТМ изображениях.

6. Методика локального удаления адсорбата с исследуемого участка поверхности при импульсном бесконтактном взаимодействии СТМ электродов.

Методы исследования.

Для решения поставленных задач использовались основные положения квантовой механики и математической физики.

Выполненные теоретико-экспериментальные исследования и практические расчеты базируются на использовании методов вычислительной математики, современных методов программирования и компьютерного моделирования.

Результаты представленных в диссертации экспериментальных исследований получены с использованием методов сканирующей туннельной, атомно-силовой и растровой электронной микроскопии.

Апробация работы.

Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих научно-технических конференциях:

— «Научно-техническая конференция студентов, аспирантов и молодых специалистов МИЭМ» (Москва, 2007;2012 гг.),.

— Научно-техническая конференция «Вакуумная наука и техника» (Сочи, 2009;2010 гг.),.

— Международная научно-техническая конференция «Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы для материаловедения и наноматериалов» (Алма-Ата, 2009 г.),.

— 2 Всероссийская научная школа для молодежи «Концентрированные потоки энергии в индустрии наносистем, материалов и живых систем» (Москва, 2009 г.),.

— Международная научно-техническая конференция «Перспективные инновации в науке, образовании, производстве и транспорте» (Одесса, 2010 г.),.

— VI Всероссийская конференция с элементами научной школы для молодежи «Кадровое обеспечение развития инновационной деятельности в России» (Москва, 2010 г.),.

— 1-ая и 2-ая Всероссийская школа-семинар студентов, аспирантов и молодых ученых по тематическому направлению деятельности национальной на-нотехнологической сети «Функциональные наноматериалы для космической техники» (Москва, 2010;2011 гг.).

Публикации по теме работы.

По теме диссертации опубликовано 19 работ, в том числе 3 статьи в научно-технических журналах и сборниках, 11 тезисов докладов и материалов конференций по итогам научных мероприятий, 1 патент РФ на полезную модель. По результатам работы разработано 4 учебно-методических пособия.

Структура и объем работы.

Диссертация изложена на 115 страницах и состоит из введения, четырех глав, заключения, списка использованных источников из 110 наименований, содержит 34 иллюстрации, 3 таблицы.

Основные результаты и выводы диссертационной работы формулируются следующим образом:

1. На основе выполненных обзорно-аналитических исследований показана актуальность получения и применения поверхностных объектов и структур нанометровой размерности в качестве элементов изделий и оборудования электронной техники, а также необходимость применения комбинированного технологического оборудования, сочетающего в себе возможность получения материалов и устройств с заданными свойствами и высокоточное измерение и контроль параметров технологического процесса.

2. Выделены основные процессы, вызывающие необратимые изменения исследуемой поверхности: поверхностная ионизация, вызывающая испарение атомных слоев материала одного из электродов и осаждение атомов на противоположном электроде, автоэлектронная эмиссия, вызывающая разогрев острия и локальной области образца под действием токов эмиссии высокой плотности, поверхностная диффузия материала к острию зонда, возникающая при изменении значений внешнего электрического поля, и пластическая деформация.

3. Предложены расчетные зависимости определения плотности токов электронной эмиссии, локального повышения температуры, электрического поля для массопереноса с целью осуществления воспроизводимого формирования заданного нанорельефа поверхности.

4. Установлены взаимосвязи между основными физическими характеристиками процесса взаимодействия зонд-поверхность (сила туннельного тока, напряжение между зондом и подложкой, скорость и шаг взаимодействия) и характером модификации поверхности подложки, что позволило обеспечить воспроизводимое контролируемое формирование латерально-ограниченных объектов и структур нанометрового диапазона.

5. Проведено комплексное экспериментальное исследование влияния параметров туннельного зазора СТМ на формирование геометрически сконфигурированных наноструктур на воздухе. Определен пороговый характер формирования наноструктур тонких пленок платины и золота, установлено, что управляемая модификация рельефа поверхности происходит в диапазоне тока 10−16 нА, напряжений 2100−2300 мВвыявлено, что при отрицательной полярности на образце происходит формирование выступов, а в случае воздействия при положительной полярности на образце — формирование впадин.

6. На основе сравнительных экспериментальных исследований шаговых поверхностных структур методами сканирующей зондовой и растровой электронной микроскопии установлены и описаны эффекты занижения высоты профиля в СТМ режиме и уширения профиля в АСМ режиме.

7. Установлено влияние воздушного адсорбата на интерпретацию СТМ изображений: пятна адсорбата размерами, соизмеримыми с расстоянием между зондом и образцом, воспроизводятся как возвышенности, а изображение сплошных участков скопления адсорбата сопровождается понижением рельефа относительно исследуемой «чистой» поверхностивыявлен эффект формирования локализованных центров размером 50−100 нм, образованных скоплениями поляризованных молекулам адсорбата под действием сильного электрического поля в межэлектродном зазоре.

8. Разработана методика локального удаления воздушного адсорбата с исследуемого участка поверхности при импульсном бесконтактном взаимодействии электродов СТМ (1=5нА, U=1500 мВ, V=72,34 мкм/с, Step=40 Д), что обеспечивает значительное улучшение качества и достоверности получаемого изображения поверхности.

9. Разработана методика бесконтактной управляемой модификации поверхности тонких металлических пленок (1=12−16 нА, U=2200−2300 мВ, Step=14,7 A, V=73,70 мкм/с), применяемых в производстве электронных приборов, с образованием объектов нанометрового диапазона методом сканирующей туннельной микроскопии на воздухе. Продемонстрирована возможность одновременного создания, контроля и визуализации процессов модификации поверхности с помощью сканирующей туннельной микроскопии.

10. Предложенные методики позволяют осуществить технологические процессы бесконтактного формирования поверхностных наноструктур с заданной геометрией и размерами (5−20 нм), а также сплошной модификации поверхности с образованием нанообъектов высокой плотности и увеличением поверхностной площади материала (до 40%), предназначенные для:

— создания элементной базы наноэлектроники — наноконтактов и нано-проводников, квантовых точек и одноэлектронных транзисторов;

— повышения эффективности работы катализаторов и сенсоров путем увеличения поверхностной площади поверхностно-активных материалов;

— улучшения характеристик и выходных параметров лазеров и дисплеев на основе квантовых точек (низкие энергопотребление и интенсивность шума, нечувствительность к колебаниям температур).

11. Установленные закономерности и эффекты, приводящие к наблюдению ложных или искаженных свойств исследуемого объекта, позволяют правильно интерпретировать и использовать полученную с помощью СЗМ информацию.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , В. В. Материалы и методы нанотехнологии: Учеб. Пособие / В. В. Старостин. — М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008. — 431 с. — 1. BN 9785−94 774−727−0.
  2. , А. Л. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике / А. Л. Асеев // Вестник Российской Академии Наук. 2006. — Т. 76, № 7. — С. 603−611.
  3. Многослойные углеродные нанотрубки и их применение / М. М. Томиш-ко и др. // Рос. хим. ж. 2008. — Т. 52, № 5. — С. 39−43.
  4. Chandra, A. Gold nanoparticles via alloy decomposition and their application to nonvolatile memory / A. Chandra, B. Clemens // Applied Physics Letters. 2005. — Vol. 87, № 25. — P. 253 113−253 113−3.
  5. Mine, E. Preparation of Ordered Macroporous Platinum Metal Particles / E. Mine, M. Shirai // e-J. Surf. Sci. Nanotech. 2006. — Vol. 4. — P. 451−453.
  6. Morphological Control of Catalytically Active Platinum Nanocrystals / H. Lee et al. // Angew. Chem. Int. Ed. 2006. — Vol. 45. — P. 7824−7828.
  7. Capillary Wrinkling of Floating Thin Polymer Films / J. S. Huang et al. // Science. 2007. — Vol. 317. — P. 650−653.
  8. Ultrastrong and Stiff Layered Polymer Nanocomposites / P. Podsiadlo et al. // Science. 2007. — Vol. 318. — P. 80−83.
  9. Aldaye, F. A. Assembling materials with DNA as the guide / F. A. Aldaye, A. L. Palmer, H. F. Sleiman // Science. 2008. — Vol. 321. — P. 1795−1799.
  10. A Novel Nonvolatile Memory with Spin Torque Transfer Magnetization Switching: Spin-Ram / M. Hosomi et al. // IEDM'05. 2005. — P. 459−462.
  11. Метрологическое обеспечение, стандартизация и оценка соответствия на-нотехнологий и нанопродукции: аналитический обзор М.: Ростехрегулирова-ние, 2007.-51 с.
  12. Control of Self-Assembly of DNA Tubules Through Integration of Gold Nanoparticles / J. Sharma et al. // Science. 2009. — Vol. 323. — P. 112−116.
  13. Self-Assembled Triangular and Labyrinth Buckling Patterns of Thin Films on Spherical Substrates / G. X. Cao et al. // Physical Review Letters. 2008. — Vol. 100.-P. 36 102.
  14. В. А. Сканирующая зондовая микроскопия для нанотехнологии / В. А. Быков // Матер, науч.-техн. конф. «Химия поверхности и нанотехноло-гия». С-П, 2002. — С. 9.
  15. , А. Г. Аппаратура и методы синтеза твердотельных наноструктур: монография / А. Г. Ткачев, И. В. Золотухин. М.: «Издательство Машино-строение-1», 2007.-316 с. -400 экз.-ISBN978−5-94 275−365−8.
  16. , В. В. Материалы и методы нанотехнологии: Учеб. Пособие / В. В. Старостин. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2008. — 431 с. — ISBN 9785−94 774−727−0.
  17. , А. А. Наноэлектроника / А. А. Щука. М.: Физматкнига, 2007. -464 с. — ISBN 978−5-89 155−163−3.
  18. , Ю. И. Введение в нанотехнологию / Ю. И. Головин. М.: Машиностроение, 2007. — 496 с. — ISBN 978−5-217−3 378−2.
  19. Kuk, Y., Sulverman P.J. Scanning tunneling microscope instrumentation. Rev. Sci.Instrum., 60(2), 1989, P. 165−180.
  20. Whitman, L.J. Tunneling microscopy and spectroscopy. Encyclopedia of Applied Physics, Vol.22, edited by G.I.Trigg. WILEY-VCH, New York, 1988, P. 361−383.
  21. Нанотехнологии в электронике / Под ред. Ю. А. Чаплыгина. М.: Техносфера, 2005. — 448 с. — ISBN 5−94 836−059−8.
  22. , В. К. Физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии: Учеб. пособие / В. К. Неволин. М., 2000. — 87 с.
  23. Howland, R, Benatar, L. A practical guide to scanning probe microscopy. Park Scientific Instruments, Sunnyvale, CA, 1996.
  24. Itaya, К., Tomita, E. Scanning tunneling microscope for electrochemistry-a new concept for the in situ scanning tunneling microscope in electrolyte solutions. Surf. Science 201, 1998, P. 507−512.
  25. Dovek M.M., Heben M.J., Lang C.A., Lewis N.S., Quate C.F. Design of a scanning tunneling microscope for electrochemical applications. Rev.Sci.Instrum. 59(11), 1998, P.2333−2336.
  26. Chang, T.C., Chang, C.S., Lin, H.N., Tsong, T.T. Creation of nanostructures on gold surfaces in nonconducting liquid. Appl.PhysXett., 67(7), 1995, P. 903−905.
  27. Binnig, G., Rohrer, H. Scanning tunneling microscopy. IBM J.Res.Develop. Vol.30 (4), 1986, P. 355−369.
  28. Наноразмерные структуры: классификация, формирование и исследование: учебное пособие для вузов / Е. В. Булыгина и др. М.: САЙНС-ПРЕСС, 2006. — 80 с. — ISBN 5−94 818−001−5.
  29. , Б.М., Колмаков, А.Г., Алымов, М.И., Кротов, A.M. Наноматериа-лы. Классификация, особенности свойств, применение и технологии получения / Б. М. Балоян и др. М., 2007. — 125 с.
  30. , А.И. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии / А. И. Гусев. М.: Физматлит, 2007. — 416 с. — ISBN 978−5-9221−0582−8.
  31. , Р.А. Наноструктурные материалы / Р. А. Андриевский, А. В. Рагуля. М.: Издательский центр «Академия», 2005. — 192 с. — ISBN 5−76 952 034−5.
  32. Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения: нанохимия, наноматериалы и нанотехнологии: тез. докл. конф., Звенигород, 13−15 ноября 2009 г. М., 2009. — 92 с.
  33. , Ю.К. Поверхностные наноструктуры перспективы синтеза и использования / Ю. К. Ежовский // Соросовский образовательный журнал. -2000.-Т. 6, № 1. — С. 56−63.
  34. Memory characteristics of self-assembled tungsten nanodots dispersed in silicon nitride / Yanli Peil et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. — Vol. 93, № 8. — P. 113 115.
  35. Dumbbell-like Pt-Fe304 Nanoparticles and Their Enhanced Catalysis for Oxygen Reduction Reaction / Chao Wang, Hideo Daimon, Shouheng Sun // Nano Lett. -2008.-Vol. 93, № 8. -P. 113−115.
  36. Synthesis of Complex Au/Ag Nanorods by Controlled Overgrowth / Kyoungweon Park, Richard A. Vaia // Advanced Materials. 2008. — Vol. 20, № 20. -P. 3882−3886.
  37. Controlled Growth of Pt Nano wires on Carbon Nanospheres and Their Enhanced Performance as Electrocatalysts in РЕМ Fuel Cells / Shuhui Sun, Frederic Jaouen, Jean-Pol Dodelet // Advanced Materials. 2008. — Vol. 20, № 20. — P. 39 003 904.
  38. , A.H. Основы нанотехнологии в технике : учеб. пособие для студ. высш. учеб. заведений / А. Н. Ковшов, Ю. Ф. Назаров, И. М. Ибрагимов. М.: Издательский центр «Академия», 2009. — 240 с. — ISBN 978−5-7695−4741−6.
  39. Lin, H.N., Chang, С.S., Tsong, T.T. Generation of nanometer holes at Pt surfaces in air and a nonconducting liquid with the scanning tunneling microscope. J.Appl.Phys. Vol.77(6). — 1995. -P.2825−2827.
  40. Wada, Y. Atom electronics: a proposal of atom/molecule switching devices. Surf. Sci. 386. — 1997. — P. 265−278.
  41. Matsumoto, K., Ishii, M., Segawa, K. Application of scanning tunneling microscopy nanofabrication process to single electron transistor. J.Vac.Sci.Technol. -B14(2). 1996. — P.1331- 1335.
  42. Bonnell, D.A. Scanning tunneling microscopy and spectroscopy of oxide surfaces. Prog, in Surf. Science, Vol. № 57(3). — 1998. — P. 187−252.
  43. Matrix-Assisted Dip-Pen Nanolithography and Polymer Pen Lithography / Ling Huang et al. // Small Journal. 2010. — Vol. 6, № 10. — P. 1077−1081.
  44. , И. А., Косыев, В.Я. Туннельный контакт под действием импульса напряжения наносекундной длительности. Письма в ЖТФ. № 23(17). -1997.-С. 22−27.
  45. Pascual, J.I., Mendez, J., Gomez-Herrero, J., Baro, A., Binh, V.T., Garcia, N. Quantum contact in gold nanostructures by scanning tunneling microscopy. Phys.Rev.Lett. Vol.71. -N12. — 1993.-P. 1852−1855.
  46. Mendez, J., Gomez-Herrero, J., Pascual, J.I., Saenz, J.J., Soler, J.M., Baro, A.M. Diffusion of atoms on Au (lll) by the electric field gradient in scanning tunneling microscopy. J.Vac.Sci.Technol.B 14(2). 1996. — P. 1145−1148.
  47. Garcia-Martin, A., Lopez-Ciudad, Т., Torres, J.A., Caamano, A.J., Pascual, J.I., Saenz, J.J. Differential conductance in atomic-scale metallic contacts. Ultramicroscopy 73. 2008. — P. 199−203.
  48. Liu, М. Z. Nanograflting for Surface Physical Chemistry / M. Z. Liu, N. A. Amro, G. Y. Liu // Annual Review of Physical Chemistry. 2008. — Vol. 59. — P. 367−386.
  49. Фотоактивация процессов формирования наноструктур методом локального анодного окисления пленки титана / О. А. Агеев и др. // Известия вузов. Электроника. 2010. — Т. 82, вып. 2. — С. 23−31.
  50. , А. Н. Анодное окисление тонких пленок алюминия в атомно-силовом микроскопе / А. Н. Булатов, В. К. Неволин // Микросистемная техника. 2003.-№ 11.-С. 42−44.
  51. , Д. В. Нанооксидирование и нанотравление n-In0,53Ga0,47As с помощью атомно-силового микроскопа / Д. В. Соколов // Научное приборостроение. 2001. — Т. 11.-№ 1.-С. 15−21.
  52. Martinez, Ramse’s V. Nanolithography Based on the Formation and Manipulation of Nanometer-Size Organic Liquid Menisci Text. / Ramses V. Martinez, Ricardo Garcia //NanoLettrs. 2005. — Vol. 5. — №. 6. — P. 1161−1164.
  53. , И.А. О возможности применения СТМ-АСМ литографии для создания новых типов квантовых приборов / И. А. Обухов // Микросистемная техника. 2003. № 6. — С. 34−37.
  54. John G. Simmons. J. Appl. Phys. 1963. — Vol. 34. — P. 1793.
  55. John G. Simmons. J. Appl. Phys. 1963. — V. 34 238.
  56. John G. Simmons. Generalized formula for the electric tunnel effect between similar electrodes separated by a thin insulting film // J. Appl. Phys. 1963. — V. 34 1793.
  57. , Jl.Д. Статистическая физика / Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц // М.: Наука. 1976.
  58. , Э. Туннельные явления в твёрдых телах / Э. Бурштейн, С. Лундквист // М.: Мир. 1973.
  59. NT-MDT Application Notes. Tunnel Current in MIM System // Материалы сайта http://www.ntmdt.com.
  60. G. Binnig., H. Rohrer. Scanning tunneling microscopy // Helv. Phys. Acta. -1982.-V. 55 726.
  61. , JI. H. Эмиссионная электроника / Л. Н. Добрецов, М. В. Го-моюнова// М.: Наука, 1966.
  62. Fujita, D., Sheng, H.-Y., Dong, Z.-C., Nejoh, H. Nanostructure fabrication with a point contact formation between a gold tip and a Si (lll)-(7×7) surface with an ultrahigh vacuum scanning tunneling microscope. Appl.Phys.A66. 1998. — P. 753−756.
  63. , Г. Г., Дроздов, A.B. Изменение строения поверхности в сканирующем туннельном микроскопе в результате воздействия электрического поля. Поверхность. 1998. — № 2. — С. 111−124.
  64. Ohi, A., Mizutani, W., Tokumoto, H. Nanometer-scale modifications of gold surfaces by scanning tunneling microscope. J.Vac.Sci.Technol. B13(3). 1995. — P. 1252−1256.
  65. Bessho, K., Hashimoto, S. Fabricating nanoscale structures on Au surface with scanning tunneling microscope. Appl.Phys.Lett. Vol.65(17). 1994. — P. 2142−2144.
  66. Wang, C., Shang, G., Qiu, X., Bai, С. STM-studies of characteristics of the surface fabrication process using chemical and electrical methods. Appl.Phys.A68. -1999.-P. 181−185.
  67. Lebreton, C., Wang, Z.Z. Nano-hole formation on gold surface using scanning tunneling microscope. Appl.Phys.A66. 1998. — P. 777-S782.
  68. , В.К., Бессольцев, В. А. Проводимость полимерных микропроводников // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1989. — № 3. — С. 58−59.
  69. Fowler, R.N. Electron emission in intense electric fields / R.N. Fowler, L.W. Nordheim // Proc. R. Soc. London, Ser.A. 1928. — Vol. 119. — P. 173.
  70. , B.A. Наноразмерные эффекты в полевой эмиссии электронов ультратонкими металлическими пленками // Компьютерная оптика 2010. -Т.З, № 4 — С. 531−537.
  71. , В. К. Зондовые нанотехнологии в электронике / В. К. Неволин. М.: Техносфера, 2006. — 159 с. — ISBN 5−94 836−098−9.
  72. , Г. Г., Дроздов, A.B., Резанов, А. Н. Влияние физико-химических свойств материала острия на модификацию поверхности импульсом напряжения в сканирующем туннельном микроскопе. Письма в ЖТФ. Т. 26(9).- 2000. -С.36−40.
  73. , И. А. Энергобаланс в системе игла-образец туннельного микроскопа в режиме модификации поверхности / И. А. Дорофеев // Журнал технической физики. 1997. — Т. 67, № 11.
  74. , И. А. Динамика туннельного контакта при импульсном повышении напряжения между иглой и образцом в туннельном микроскопе / И. А. Дорофеев, В. Я. Косыев, А. А. Петрухин // Журнал технической физики. 1997. — Т. 68, № 2.
  75. , A.B. Исследование процессов электрополевого воздействия туннельного зазора на поверхность металлизированных тонких пленок / Б. Г. Львов, А. В. Николаевский // Вакуумная техника и технология. 2011. — Т. 21, № 2. — С. 113−114.
  76. , Ю.А., Озерин, Ю.В., Плотников, Ю.И., Раков, A.B., Тодуа, П. А. Нанометрология линейных измерений в атомно-силовой микроскопии // Труды института общей физики им. A.M. Прохорова. 2006. — Т. 62. — С. 121−144.
  77. , М. О., Яминский, И. В. Сканирующая зондовая микроскопия: основные принципы, анализ искажающих эффектов. Материалы сайта http://spm.genebee.msu.ru.
  78. , М. О. Сканирующая зондовая микроскопия нуклеиновых кислот и тонких органических пленок. Дис. канд. физ.-мат. наук, МГУ им. М. В. Ломоносова, — М., 1999. — 227с.
  79. Mc.Cord, M.A., Kern, D.P., Chang, T.H.P. Direct writing of submicron metallic features with STM. // J. Vac. Sei. Technol. B. 1988. — V.6, № 6. — P.1877−1880.
  80. Villarubia, J.S.// J. Res. Nat. Stand. Technol. 1997. V. 102. P. 425.
  81. , А. В. Обработка и анализ изображений в сканирующем зондовом микроскопе СММ-2000 / В. И. Кузькин, Б. Г. Львов, А. В. Николаевский // Методические указания к лабораторной работе по курсу «Устройства и элементы наномеханики». М.: МИЭМ, 2008.
  82. Handbook of Micro/Nanotribology / Ed. by Bhushan Bharat. 2d ed. -Boca Raton etc.: CRC press, 1999. — 859 с.
  83. , И. А. Энергобаланс в системе игла-образец туннельного микроскопа в режиме модификации поверхности / И. А. Дорофеев // Журнал технической физики. 1997. — Т. 67, № 11. — С. 70−76.
  84. , В. М. К вопросу о модификации поверхности кремния при ее исследовании методом сканирующей туннельной микроскопии / В. М. Корнилов, А. Н. Лачинов // Физика и техника полупроводников. 2003. — Т. 37, № 3. -С. 323−327.
  85. , А.В. Бесконтактное формирование нанорельефа поверхности методом сканирующей туннельной микроскопии // Современные наукоемкие технологии. 2010. — № 8. — С. 104−106.
  86. Eiichi Mine and Masayuki Shirai Preparation of Ordered Macroporous Platinum Metal Particles. // e-J. Surf. Sci. Nanotech. 2006. v. 4, p. 451−453.
  87. Hyunjoo Lee, Susan E. Habas, Sasha Kweskin, Derek Butcher, Gabor A. Somorjai, and Peidong Yang Morphological Control of Catalytically Active Platinum Nanocrystals. // Angew. Chem. Int. Ed. 2006. 45, p. 7824 -7828.
  88. , В.К. Пластическая нанодеформация образцов в туннельном микроскопе. // Письма в ЖТФ. 1988. — Т.14, № 16. — С. 1458−1460.
  89. Mc.Cord, М.А., Kern, D.P., Chang, Т.Н.Р. Direct writing of submicron metallic features with STM. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1988. v.6, № 6, p.1877−1880.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!