Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Экспериментальные исследования автоэлектронной эмиссии полупроводников

Диссертация: Экспериментальные исследования автоэлектронной эмиссии полупроводников
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Явление автоэлектронной эмиссии с поверхности п/п катодов намного разнообразнее автоэлектронной эмиссии с металлических катодов. Первый и наиболее простой случай эмиссии электронов — квазиметаллический полупроводниковый катод. В этом случае электронный поток, падающий на потенциальный барьер, велик. Зависимость плотности тока от напряженности поля подчиняется закономерностям Фаулера-Нордгейма… Читать ещё >

Экспериментальные исследования автоэлектронной эмиссии полупроводников (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. Методика эксперимента. Получение атомарно-чистых поверхностей полупроводниковых катодов
    • 1. 1. Конструкции экспериментальных приборов
    • 1. 2. Технология изготовления полупроводниковых автоэмиссионных катодов
    • 1. 3. Вакуумная гигиена и откачка экспериментальных приборов
    • 1. 4. Геттеры
    • 1. 5. Источники кислорода и их калибровка
    • 1. 6. Основные схемы измерений
    • 1. 7. Особенности очистки поверхности полупроводниковых автокатодов (р- и п-типа) десорбцией электрическим полем
      • 1. 7. 1. Автоэмиссионное изображение германиевых эмиттере
      • 1. 7. 2. Автоэмиссионные изображения кремниевых эмиттеров
      • 1. 7. 3. Получение автоэмиссионных изображений атомарно-чистых поверхностей арсенид галлиевых эмиттеров
    • 1. 8. Выводы
  • ГЛАВА II. Автоэмиссионные характеристики автокатодов из полупроводников р-типа
    • 2. 1. Основные элементы теории автоэлектронной эмиссии металлов
    • 2. 2. Теория автоэлектронной эмиссии полупроводников
    • 2. 3. Экспериментальные вольтамперные характеристики
  • ВАХ)
    • 2. 3. 1. Влияние технологических факторов на вид ВАХ полупроводниковых катодов
    • 2. 3. 2. Зависимость вида ВАХ от геометрии и удельного сопротивления автокатодов
    • 2. 3. 3. Теоретическая интерпретация нелинейности ВАХ
    • 2. 3. 4. Влияние поверхностных состояний на автоэлектронную эмиссию полупроводников
    • 2. 3. 5. Исследование внутреннего пробоя в сильных электрических полях при автоэмиссии р-типа полупроводников
      • 2. 3. 5. 1. Внутренний пробой при автоэлектронной эмиссии германия
      • 2. 3. 5. 2. Внутренний пробой при автоэлектронной эмиссии кремния
      • 2. 3. 5. 3. Внутренний пробой при автоэлектронной эмиссии GaAs
      • 2. 3. 5. 4. Обсуждение результатов исследований внутреннего пробоя р-типа полупроводников
      • 2. 3. 6. Особенности ВАХ р-типа германия с объемным дефектом
      • 2. 3. 7. Полевая электронная эмиссия из волокон стеклообразного полупроводника
    • 2. 4. Выводы
  • ГЛАВА III. Адсорбция кислорода на р-типа германии и арсениде галлия
    • 3. 1. Общий вид ВАХ интегрального тока системы «Ge-02»
    • 3. 2. Автоэмиссионные изображения Ge при адсорбции кислорода
    • 3. 3. Особенности поведения автоэлектронной эмиссии из
  • GaAs при адсорбции кислорода
    • 3. 3. 1. Вольтамперные характеристики из высокоомного ваАв
    • 3. 3. 2. ВАХ из низкоомного ОаАэ
    • 3. 3. 3. Обсуждение результатов
    • 3. 4. Выводы
  • ГЛАВА IV. Влияние сильного электрического поля на адсорбцию кислорода на германии и арсениде галлия
    • 4. 1. Наблюдение эффекта электроадсорбции в автоэмиссионном микроскопе
    • 4. 2. Общий вид интегральных вольтамперных характеристик системы «германий-кислород»
      • 4. 2. 1. Особенности интегральных ВАХ и работы выхода при относительно больших (~10"5 Тор мин.) экспозициях в кислороде
      • 4. 2. 2. Особенности ВАХ и работы выхода <�р при малых экспозициях в кислороде (~10"6 Тор мин.)
    • 4. 3. Исследования пороговых полей электроадсорбции кислорода на отдельных гранях монокристаллического германия
    • 4. 4. Влияние структуры поверхности германия на закономерности электроадсорбции кислорода
    • 4. 5. Определение энергии активации адсорбции кислорода на атомарно-чистой поверхности германия методом изотерм Аррениуса
    • 4. 6. Электроадсорбция кислорода на ОаАв
    • 4. 7. Выводы
  • ГЛАВА V. Эпитаксиальный рост германия на германии в автоэмиссионом микроскопе
    • 5. 1. Эпитаксиальный рост ве на атомарно-чистой поверхности германия
    • 5. 2. Влияние загрязнений на эпитаксиальный рост ве на Ое
    • 5. 3. Влияние дефектов на эпитаксиальный рост йе на ве
    • 5. 4. Выводы
  • ГЛАВА VI. Стабильность автоэлектронной эмиссии из полупроводниковых автокатодов
    • 6. 1. Стабильность эмиссии с одиночных полупроводниковых автоэмиссионных катодов
    • 6. 2. Стабильность эмиссии электронов из лезвийных полупроводниковых автокатодов
    • 6. 3. Выход автокатодов из строя в процессе испытания на стабильность эмиссии
    • 6. 4. Выводы

Для исследования механизма автоэлектронной эмиссии из полупроводниковых (п/п) катодов, а также процессов адсорбции, десорбции, миграции, самодиффузии, стабильности эмиссии, процессов роста необходимо получать катоды с воспроизводимыми исходными свойствами. Однако, несмотря на то, что п/п изучаются в автоэмиссионном микроскопе с 60-х годов, получение атомарно-чистых поверхностей автокатодов до сих пор остается весьма сложной задачей.

Явление автоэлектронной эмиссии с поверхности п/п катодов намного разнообразнее автоэлектронной эмиссии с металлических катодов. Первый и наиболее простой случай эмиссии электронов — квазиметаллический полупроводниковый катод. В этом случае электронный поток, падающий на потенциальный барьер, велик. Зависимость плотности тока от напряженности поля подчиняется закономерностям Фаулера-Нордгейма развитым для металлов. Второй^ более сложный и интересный случай — концентрация электронов в объеме достаточно мала. Это приводит к проникновению электрического поля в п/п эмиттер и изменению зависимости плотности тока от внешнего электрического поля. Электронный газ становится неравновеснымменяется функция распределенияподвижность носителей становится функцией внутреннего электрического поляважную роль при этом могут играть ловушечные состоянияразогрев электронного газа может приводить к разогреву решетки. В результате эмиссия электронов может идти из зоны проводимости, из валентной зоны, из поверхностных состоянийвозникает термоавтоэмис-сияиз-за большого проникновения поля может осуществляться внутренняя (из валентной зоны в зону проводимости) туннельная эмиссия.

При некоторых режимах отбора автоэмиссионного тока приповерхностная область полупроводникового (п/п) автоэмиссионного катода становится обедненной носителями. В этом случае эмиссия становится малочувствительной к изменению состояния поверхности, что в принципе позволяет создавать стабильные автоэмиссионные катоды.

Совокупность указанных свойств позволяет надеяться на создание чувствительных автофотодатчиков в широком диапазоне длин электромагнитных волн (в том числе и в далекой инфракрасной области), новых типов электронно-оптических преобразователей, плоских дисплеев и т. д.

Исторически сложилось так, что сначала была создана теория (как оказалось позднее — далеко не полная) автоэлектронной эмиссии (Моргу-лис, Стреттон) и только затем начались экспериментальные исследования п/п. Для проверки теории необходимо было получать надежные воспроизводимые экспериментальные данные по автоэлектронной эмиссии п/п. Однако вид получаемых вольтамперных характеристик (ВАХ) автоэмиссионного тока (АТ) у разных исследователей сильно отличался даже с одного и того же типа п/п с одинаковым удельным сопротивлением.

Особый интерес представляет проведение адсорбционных измерений в присутствии сильного электрического поля, соизмеримого с электрическими полями внутри кристаллической решетки. Такие исследования особенно актуальны сейчас в связи с бурным развитием вакуумной микроэлектроники и наноэлектроники, а также управляемой каталитической химии.

Автоэмиссионная методика, несмотря на ее информативность, в 60-е годы еще не заняла достойное место в исследовании адсорбционных процессов на поверхности п/п автокатодов. Это было связано с тем, что поверхность исследуемых п/п автокатодов пытались очистить высокотемпературным прогревом. На поверхности образовывались трудноустранимые окислы, а объем кончика эмиттера легировался диффузией загрязнений с поверхности так, что исходные физические свойства п/п сильно изменялись.

Симметричные автоэмиссионные изображения кремниевого эмиттера впервые получил Д’Азаро, Се и эмиттера — Аплен, у нас в стране симметричные автоэмиссионное изображение германия получил автор этой работы.

Настоящая диссертация является изложением и обобщением работ, выполненных автором начиная с 1965 года по 1995 год.

Цель работы:

— выяснить причины, затрудняющие получение атомарно-чистой поверхности автокатодов;

— получить воспроизводимые ВАХ с п/п автокатодов с атомарно-чистыми поверхностями и произвести сравнение с теорией;

— провести исследование адсорбции кислорода на атомарно-чистой поверхности германиевых и арсенид-галлиевых эмиттеров при различных степенях покрытия;

— изучить адсорбцию кислорода на п/п эмиттерах в присутствии сильного электрического поля;

— проследить начальные стадии роста ве на Се в зависимости от степени частоты и совершенства поверхности автокатода;

— найти условия обработки и режимы работы п/п автокатодов, при которых сохранялась бы устойчивая во времени стабильная автоэлектронная эмиссия.

Объектами исследования служили монокристаллические (ве, Б!, СаАв) и стеклообразные полупроводники (АвгБез).

Научная новизна результатов. Настоящая работа является существенным вкладом в исследование механизма автоэлектронной эмиссии из р-типа полупроводниковых автокатодов с атомарно-чистыми поверхностями и воспроизводимыми исходными физическими свойствами.

В работе впервые:

— проведены исследования, позволившие разработать методику получения автоэмиссионного изображения поверхности и вольтамперной характерики (ВАХ) автоэмиссионного тока из полупроводниковых (п/п) автокатодов с воспроизводимыми исходными физическими свойствами;

— обнаружен ряд новых автоэмиссионных закономерностей с Ge, Si и GaAs автокатодов: а) установлена зависимость характера нелинейных эффектов от освещения, от температуры, обработки образцов и от формы полупроводниковых эмиттеровб) на ВАХ кроме обычных наблюдаемых областей I, II и III обнаружена область IV резкого роста тока (до 3-х порядков) при постоянном анодном напряжении. Нарастание тока происходило от нескольких секунд до десятков минут в зависимости от скорости нарастания падения напряжения на обедненной носителями области катода при слиянии ВАХ. Рост автоэмиссионного тока (участок IV) заканчивался при достижении значения тока на прямолинейном участке I ВАХв) область V появлялась после прекращения роста тока и находилась ниже продолжения прямолинейного участка I Фаулера-Нордгейма lgl = f 1/U).

— проведено исследование интегральной адсорбции 02 на Ge и GaAs и адсорбции 02 на гранях {111}, {110}, {100} и {113} германия после очистки десорбцией электрическим полем, а также после перестройки прогревом поверхности острия при различной температуре;

— обнаружен эффект резкого возрастания скорости адсорбции кислорода (на три порядка) на германии в присутствии сильного электрического поля автоионного знака. Эффект пороговый. На разных гранях значения напряженности электрического поля, при которых наступает явление резкого роста адсорбции, различны. Предложена модель, объясняющая «пороговый» эффект электроадсорбции;

— экспериментально определено значение энергии активации адсорбции 02 на Ge;

— выявлены некоторые закономерности эпитаксиального роста Ge на Ge на различных гранях Ge эмиттера;

— предложен способ изготовления лезвийных п/п (ве, и СаАэ) ав-гокатодов;

— изготовлены и исследованы на стабильность эмиссии многоост-рийные и многолезвийные п/п катоды;

— исследована автоэлектронная эмиссия стеклообразных (халько-генидов) п/п (Аэгвез).

Работа выполнялась в соответствии с координационным планом научно-исследовательских работ АН СССР по проблеме «Физическая электроника» (раздел 1.5.1.3).

Практическая ценность заключается в том, что разработана методика получения атомарно-чистой поверхности с сохранением исходных физических свойств п/п автокатодов, что позволяет получить надежные воспроизводимые экспериментальные результатыобнаружены и исследованы новые участки на вольт-амперных характеристиках автоэмиссионного тока с полупроводников р-типа. Обнаруженные закономерности (в частности,"пробой" эмиттера на участке IV ВАХ) должны учитываться при создании матричных автоэмиссионных п/п катодов, в том числе электронно-оптических преобразователей нового типаявление резкого усиления адсорбции кислорода на германии в присутствии сильного электрического поля может быть использовано для создания пассивирующих покрытий в полупроводниковой и вакуумной микроэлектроникевысокая стабильность автоэлектронной эмиссии с полупроводниковых автокатодов позволяет надеяться на создание новых приборов, в которых источником электронов будут п/п автокатоды.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Экспериментальная методика получения атомарно-чистой поверхности катодов из монокристаллических (ве, Э!, ОэАб) и стеклообразных (АвгБез) полупроводников с сохранением воспроизводимых физических свойств.

2. Результаты комплексных экспериментальных исследований автоэмиссионных закономерностей из р-типа полупроводниковых катодов с удельными сопротивлениями, отличающимися друг от друга на десять порядков.

3. Результаты экспериментальных исследований интегральной адсорбции кислорода на атомарно-чистых поверхностях Се и СаАэ эмиттеров и адсорбции 02 на отдельных гранях монокристаллического Се с низкими индексами Миллера.

4. Результаты экспериментальных исследований адсорбции 02 на атомарно-чистой поверхности СаАв и Се (в том числе на отдельных гранях) в присутствии в широком интервале электрических полей.

5. Способы получения стабильного полупроводникового (Се, 31, СаАэ) катода, заключающиеся в создании на поверхности прочного пассивирующего покрытия из окислов п/п и в выборе величины рабочего тока (в режиме насыщения), когда рост автоэмиссионного тока слабо зависит от анодного напряжения.

6. Результаты экспериментальных исследований эпитаксиального роста Се на Се в зависимости от степени чистоты и температуры эмиттера.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались на 38 Международном симпозиуме по полевой эмиссии (Вена, 1991) — 42 Международном симпозиуме по полевой эмиссии (США, 1995) — 43 Международном симпозиуме (Москва, 1996) — 16 Международном конгрессе по стеклообразным полупроводникам (Мадрид, 1992) — на Международной конференции по некристаллическим полупроводникам (Ужгород, 1991) — 9 Международной конференции по вакуумной микроэлектронике- (С.Петербург, 1996), на Всесоюзных конференциях по эмиссионной электронике: XIII (Москва, 1968), XIV (Ташкент, 1970), XV (Киев, 1973), XVI (Махачкала, 1976), XVII (Ленинград, 1979), XVIII (Москва, 1981), XX (Киев, 1987), XXI (Ленинград, 1990), XXII (Москва, 1994) — на МВсесоюзной конференции по росту кристаллов (ЦАХКАДЗОР, 1972) — на Всесоюзных симпозиумах по полевой ионной микроскопии: (Звенигород, 1978), (Свердловск, 1982), (Валдай, 1986), (Харьков, 1989) — симпозиуме по нена-каливаемым катодам (Томск, 1985) — VI Всесоюзном симпозиуме по сильноточной электронике (Новосибирск, 1986) — на VI Всесоюзном совещании по физике и поверхности полупроводников (Киев, 1977) — IX Всесоюзное совещании по квантовой химии (Черноголовка, 1985) — на Всесоюзном семинаре по физической химии поверхности монокристаллических полупроводников (Новосибирск, 1978) — на заседании секции по эмиссионной электронике Научного Совета АН СССР по проблеме «Физическая электроника» (Киев, 1977) — на семинарах отдела физической электроники и теоретического отдела ФТИ АН СССР им. А. Ф. Иоффекафедры электроники твердого тела С.-Петербургского университетакафедры общей и экспериментальной физики Новгородского государственного университета.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 28 печатных работ, а также тезисы 29 докладов. Их перечень приводится в общем: писке. Имеются два авторских свидетельства.

Личный вклад автора. В диссертационной работе обобщены результаты исследований, выполненных автором, начиная с 1965 года.

Автору принадлежит выбор направления исследования, постановка задач, определение способов реализации экспериментов, решение методических вопросов. В постановке некоторых задач и в обсуждении результатов, в частности, исследование адсорбции 02 на ве в сильном электрическом поле, принимали участие мой научный руководитель 1роф. Сокольская И. А. и проф. Фурсей Г. Н., с которым я осуществлял совместное руководство аспирантами Розовой Т. Т. и Смирновой Т. П. Ав-" ор непосредственно или совместно с аспирантами, дипломантами при-1имал участие в проведении всех экспериментов и обобщении результате исследований.

Квантово-химический анализ, объясняющий активационный барьер адсорбции 02 на грани (100) Се, выполнен Боровинским Л. А. и Смирновой Т. П. Автору принадлежит постановка задачи.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из оглав-гения, введения, шести глав, заключения, выводов, списка литературы. Эбъем диссертации 316 страниц, включая 141 рисунок на 111 страницах, :писок литературы включает 196 наименований.

I4.

ВЫВОДЫ.

1. Установлены условия, при соблюдении которых поверхности автоэмиссионных катодов из монокристаллических (Ge, Si, GaAs) и стеклообразных (As2Se3) п/п очищаются в глубоком вакууме до атомарно-чистых десорбцией электрическим полем и прогревом электрическим током с сохранением воспроизводимых физических свойств.

2. Проведены комплексные экспериментальные исследования автоэлектронной эмиссии из монокристаллических (Ge, Si, GaAs) р-типа п/п с удельными сопротивлениями, отличающимися друг от друга на десять порядков. Впервые установлены температурные интервалы обработки эмиттеров, при которых получаются воспроизводимые вольтамперные характеристики автоэмиссионного тока с пятью ярко выраженными областями: I — линейная, соответствующая зависимости тока от напряжения, описываемая законом Фаулера-Нордгейма, II — область насыщения, III — участок относительно быстрого роста тока, IV — область роста тока при постоянном анодном напряжении, V — участок, в котором зависимость Igl = f (1/U) вновь становилась линейной. Одновременное изучение ВАХ автоэмиссионного тока и измерение падения напряжения AU на эмиттере позволили сформулировать качественные представления о механизме автоэлектронной эмиссии полупроводников, связывающем появление нелинейных ВАХ, фото и термочувствительность с истощением приповерхностной области по электронам вследствие недостаточного притока их из объема полупроводникового эмиттера. Полученные результаты позволяют утверждать, что наблюдаемая зависимость Igl = f (1/U) является общей для всех автокатодов, изготовленных из полупроводников р-типа.

3. Экспериментально исследована адсорбция кислорода на Ge и GaAS автокатодах, поверхности которых были очищены десорбцией электрическим полем, а также перестроены прогревом электрическим током.

Впервые исследована адсорбция кислорода на отдельных гранях монокристаллического германия, что помогло однозначно установить, что поверхность германия после очистки десорбцией полем более активна и обладает большей адсорбционной способностью по сравнению с поверхностью перестроенной прогревом.

Адсорбциия кислорода на низкоомных р-типа Се и СаАэ эмиттерах приводит к уменьшению прозрачности потенциального барьера (что сле-| дует из сдвига в сторону больших напряжений и увеличения наклона ВАХ). Однако, адсорбция кислорода на атомарно-чистой поверхности катода из полуизолирующего СаАэ приводит к увеличению автоэмиссионного тока на порядок. ВАХ сдвигаются в сторону меньших напряжений. При этом падение напряжения Д1) на катоде уменьшается, площадь автоэмиссионного изображения поверхностии катода увеличивается. Эти экспериментальные факты указывают на то, что адсорбция кислорода приводит к частичному экранированию объема катода от проникновения электрического поля.

Экспериментально подтверждена решающая роль свободных электронов в адсорбции кислорода на атомарно-чистой поверхности высоко-омного (~109 Ом см) монокристаллического арсенида галлия.

4. Впервые исследована адсорбция кислорода на атомарно-чистой поверхности Се и СаАэ в присутствии сильного электрического поля.

Обнаружено явление резкого усиления скорости адсорбции кислорода в присутствии сильного электрического поля («+» на катоде). Эффект пороговый. Значения напряженностей электрического поля, при которых наблюдается пороговый эффект, увеличиваются в ряду граней германия {100}->{113}->{111}->{110}. Наиболее вероятной причиной наблюдаемого порогового эффекта электроадсорбции является переход физической адсорбции в хемосорбцию при достижении пороговых полей. Поляризованная молекула кислорода приобретает в электрическом поле кинетическую энергию равную энергии активации хемосорбции кислорода. Найденные значения энергии активации для граней {100} (0,08ч-0,12) эВ и грани {111}, соответственно (0,114−0,16) эВ близки к значению интегральной энергии активации адсорбции кислорода на германии (0,12 эВ), полученному методом прямых Аррениуса.

Показано, что при малых экспозициях (р1 < 10″ 7 Тор мин) адсорбция кислорода на атомарно-чистой поверхности германия в электрическом поле является островковой. Обнаружено уменьшение работы выхода при небольших покрытиях кислородом поверхности германия. Произведен квантохимический анализ, объясняющий активационный барьер адсорб-! ции кислорода на грани {100} с идеальной решеткой.

5. Впервые визуализирован процесс роста ве в автоэмиссионном микроскопе одновременно на разных кристаллографических гранях германия.

Установленная последовательность скорости зарастания граней {100}-«{110}-"{111} совпадает с литературными данными. Однако грани {113} растут более медленно, хотя они являются более «рыхлыми» .

Обнаружен эффет памяти, который заключается в том, что при напылении Ое на подложку, покрытую слоем окислов, вырастает совершенный кристалл с сохранением кристаллографической ориентации подложки.

Дефекты типа полосок контраста сравнительно быстро исчезают и проявляются вновь после десорбции эпитаксиальноой пленки.

Линейные дефекты (дислокации, границы между монокристаллическими блоками) прорастают в пленку и не исчезают при напылении десятков и сотен атомных слоев.

Показано, что при температуре германиевого эмиттера 600 °C отдельные островки окислов (порядка нескольких сотен ангстрем) в процессе роста пленки исчезают (зарастают или скорей всего растворяют.

294 ся). Относительно большие островки окислов являются центрами роста аморфных пленок.

6. Предложен и реализован для Б'!, ве и СаАэ способ изготовления лезвийных, многолезвийных и многоострийных катодов. Проведено исследование стабильности электронной эмиссии вышеуказанных катодов. Наибольшая стабильность наблюдалась при отборе тока в режиме «истощения» при фиксированной температуре и освещении, и когда поверхность катодов была покрыта «пассивирующей» из окислов пленкой. Установлены условия, при которых происходит «эрозия» катодов.

Впервые обнаружено свечение лезвийных СаАэ автокатодов в местах локального роста (пробоя) тока.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Р. и Нойман X. Автоэлектронная эмиссия полупроводников. С дополнительным обзором «Новое в исследовании автоэлектронной эмиссии полупроводников» Г. Н. Фурсея и О. И. Львова / Под ред. И. Л. Сокольской — М.: Наука, 1971. — 215 с.
  2. Р. Электронный и ионный проекторы и некоторые их применения для катализа и хемосорбции // Катализ. Электронные явления / Пер. с англ.- Под ред. А. А. Баландина М.: ИЛ, 1958. -С. 104−151.
  3. И.П., Щербаков Г. П. Изучение эффектов сильного поля в автоэлектронных эмиттерах кристаллах сульфида кадмия // Физика твердого тела. — 1961. — Т. 3, № 1.- С. 167−175.
  4. Muller Е. W. Work Function on Tungsten Single Crystall Planes Measerd by the Field Emission Microscope // J. Appl. Phys. 1955. — V. 26, № 6. -P. 732−737.
  5. Yong R.D., Muller E.W. Progress in Field Emission Work-Function Measurements of Perfect Atomically Crystal // J. Appl. Phys. 1962. — V. 33, № 1. — P. 91−95.
  6. В. Г. К вопросу об изготовлении германиевых эмиттеров и получении автоэлектронного изображения чистого германия // Радиотехника и электроника. 1965. — Т. 10, № 3. — С. 576−578.
  7. В.Г. Автоэлектронная эмиссия германия: Дис.. канд. физ.-мат. наук: Электрофизика 052. — Защищена 09.01.69- Утв. 10.12.69. -Л., 1968.-131 е.: ил. 177.
  8. В.Г. К вопросу об изготовлении германиевых эмиттеров и получении автоэлектронного изображения чистого германия // Учен, зап. Новгородского гос. пединститута. Вопросы физики. Т. 9. -Новгород, 1966. — С. 40—49.
  9. Mileshkina N.V., Bakhtizin R.Z. Oxygen Adsorption on the Atomically Clean Surface of Germanium Field Emitter // Surf. Sci. 1972. — V. 29. — P. 644−652.
  10. Бахтизин P.3., Милешкина H.B. Влияние адсорбции кислорода на вольтамперные характеристики автоэлектронного тока с p-Ge // Физика твердого тела. 1971. — Т. 13, № 7. — С. 2056−2062.
  11. В.Г., Смирнова Т. П., Кизяева Л. С. Адсорбция кислорода на р-типа германии в автоэмиссионном микроскопе // I обл. итоговая науч.-техн. конф. по радиоэлектронике НТО им. Попова: Тез. докл. -Новгород, 1971.-С. 26−27.
  12. В.Г., Заботин В. М. Исследования адсорбции кислорода на атомарно-чистой поверхности германия в автоэлектронном проекторе // XIV Всесоюз. конф. по эмиссионной электронике. Тез. докл. Ташкент, 1970. — С. 70−71.
  13. В.Г., Заботин В. М. Влияние адсорбции кислорода на вид автоэмиссионных вольтамперных характеристик р-типа германия // Исследование структуры молекул, кристаллов и кристаллических зародышей: Сб. ст. / ЛГПИ им. А. И. Герцена. Л., 1971. — С. 69−76.
  14. Madix R.J., Susu А.А. Reactive Scattering of Atomic Oxygen from Clean Elemental Semiconductor Surface // Surf. Sci. 1970. — V. 20, № 2. — P. 377—400.
  15. Ю.И., Волков М. П., Компанеец Т. Н. Влияние способа очистки поверхности на адсорбционные свойства монокристаллов германия //Журн. техн. физики. 1974. — Т. 44, № 6. — С. 1298−1301.
  16. Ibach И., Horn К., Dorn R., Liith Н. The Adsorption of Oxygen on Silicon (111) Surfase. I //Surf. Sci. 1973. -V. 38, № 2. — P. 433−454.
  17. Ibach H. Relation Between Electronic Properties of Clean Surfaces and Activated Adsorption // Surf. Sci. 1975. — V. 53. — P. 444−460.
  18. Beavis L.C. Oxyden Penetration through Silver // Rev. Sci. Instrum.1972. -V. 43, № I. P. 122−127.
  19. B.C., Подчерняева И. А. Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов: Справочник / Под общ. ред. чл.-кор. АН СССР Г. В. Самсонова. М.: Атомиздат, 1975. — 338 с.
  20. Apkera L, Taft Е. Field Emission from Photoconductors // Phys. Rev. -1952. -V. 88, № 5. P. 1037−1038.
  21. А.И. Автоэлектронная эмиссия сульфида и селенида кадмия // Журн. техн. физики. 1957. — Т. 27, № 4. — С. 719−721.
  22. D’Asaro LA. Field Emission from Silicon // J. Appl. Phys. 1958. — V. 29, № I. — P. 313.
  23. М.И., Васильев Г. Ф. Некоторые особенности автоэлектронной эмиссии германия // Радиотехника и электроника. -1959. Т. 4, № 4. — С. 728−730.
  24. Ю.В., Климин А. И., Сокольская И. Л. К вопросу о вольтамперных характеристиках автоэлектронного тока с полупроводников // Физика твердого тела. 1959. — Т. 1. — С. 18 451 847.
  25. Allen F.G. Field Emission from Silicon and Germanium- Field Adsorption and Surface Migration II J. Phys. Chem. Solids. -1961. V. 19, № ½. -P. 87−89.
  26. Cooper E.C. and Muller E.W. Field Desorption by Alternating Fields. An Improved Technique for Field Emission Microscopy // Rev. Sei. Instrum. 1958. — V. 29, № 4. — P. 309−312.
  27. Автоионная микроскопия / Под. ред. Дж. Рена и С.Ранганатана. Послесловие «Автоионная микроскопия на современном этапе развития» А. Л. Суворова. М.: Мир, 1971. — 270 с.
  28. В.Г. Использование автоэлектронного проектора для изучения поверхности германия // Изв. АН СССР. Сер. физич. -1966. — Т. 30, № 12.-С. 1954−1956.
  29. Т.А., Иванов В. Г. Наблюдение с помощью автоэлектронного проектора кинетики очистки поверхности германия // Вопросы радиофизики и спектроскопии. М.: Сов. радио. — 1966. -Вып. 2. — С. 298−304.
  30. Э.В., Цонг Т. Т. Автоионная микроскопия (принципы и применения). М.: Металлургия, 1972. — 360 с.
  31. Fursey G.N., Sokolskaya I.L., Ivanov V.G. Field Emission from p-Type Germanium // Phys. Stat. Sol. 1967. — V. 22, № 39. — P. 396.
  32. Э.В., Цонг Т. Т. Полевая ионная микроскопия. Полевая ионизация и полевое испарение / Пер. с англ. О. Л. Голубева и В.Г.Павлова- Под ред. и с доп. В. Н. Шредника. М.: Наука, 1980. -220 с.
  33. .И., Михайловский И. М. Автоионномикроскопическое определение глубины проникновения электрического поля в металл //Журн. техн. физики. 1981.-Т. 51, № 4. — С. 845−849.
  34. Э.Я., Ионов И. И. Поверхностная ионизация. М.: Наука, 1969. — 432 с.
  35. Ф.Ф. К теории активированной адсорбции // Журн. физич. химии. 1953. — Т. 27, № 2. — С. 159.
  36. Ernst L. On the Field Penetration in to Semiconductors in the Field Ion Microscope // Surf. Sei. 1979. — V. 85, № 2. — P. 302−308.
  37. В.Г., Розова Т. Т., Фурсей Г. Н. Исследования внутреннего пробоя в сильных электрических полях при автоэмиссии из р-типа германия // Изв. АН СССР. Сер. физич. — Т. 38, № 2. — С. 287−290.
  38. В.Г. Механизм внутреннего пробоя при автоэмиссии полупроводников р-типа // Радиотехника и электроника. 1991. — Т. 36, № 8.-С. 1559−1564.
  39. Arthur J.R., Jr. Photosensitive Field Emission from p-Type Germanium // J. Appl. Phys. 1965. -V. 36, № 10. — P. 3221−3232.
  40. Zuther G., Koster H. and Becherer G. Untersuchungen zur Feldelektronenemission aus Germaniumeinkristall Flachen // Ann. Phys. 1971. — V. 26.-P. 194−198.
  41. Р., Фарнсворс X. Изучение очищенных и покрытых газом поверхностей германия (100) при помощи дифракции медленных электронов // Физика поверхности полупроводников / Пер.- Под ред. Г. Е. Пикуса. М.: ИЛ, 1959. — С. 33−54.
  42. П. Практическое применение химического травления // Травление полупроводников: Сб. ст. / Пер. с англ. С. Н. Горина. М.: Мир, 1965.-С. 121−201.
  43. Guicher G.M., Garry G.A. S’ebenue СЛ. Photoemission Yield Spectroscopy of Electronic Surface States on Germanium (III) Surfaces // Surf. Sei. 1979. — V. 85, № 2. — P. 326−334.
  44. БонстраА. Поверхностные свойства германия и кремния. М.: Мир, 1970.-176 с.
  45. С.М. Обработка поверхности полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1966. — 256 с.
  46. В.И. Германий. М.: Металлургия, 1960. — 221 с.
  47. Н.М., Наумова А. Ф. Изучение сорбции катионов Na, Ca, Fe при помощи радиоактивных изотопов // Журн. физич. химии. 1958. -Т. 32, № 1.-С. 62−66.
  48. B.C., Белановский A.C. Адсорбция поверхностью германия некоторых металлов из воды // Журн. физич. химии. -1961. Т. 35, № 3. — С. 509−512- Докл. АН СССР. — 1961. — Т. 137. -С. 1162−1171.
  49. Brattain W.H. Adsorption of Metalls on Semiconductors // J. Phys. Chem. Sol. 1960. — V. 14. — P. 782−792.
  50. Ivanov V.G., Fursey G.N. and Sokolskaya I.L. Study of Barium Adsorption on Germanium by Field Emission Microscopy // Phys. Stat.
  51. Sol. 1967. -V. 21. — P. 789−795.
  52. Richard G. Forbes. Charge Happing and Charge Draining: Two Mechanisms of Field Desorption // Surf. Sei. 1981. — V. 102, № 1. — P. 255−263.
  53. Richard G. Forbes. Towards a Criterion for the a Priori Predication of Field Evaporation Mechanism // J. Phys. D: Appl. Phys. 1982. — V. 15. — L. 99−104.
  54. Richard G. Forbes. Theoretical Arguments against the Muller- Schottky Mechanism of Field Evaporation // J. Phys. D: Appl. Phys. 1982. — V. 15.- P. 1323−1338.
  55. Richard G. Forbes. The Temperature Dependence of Evaporation Field for Gomer-Type Field-Evaporation Mechanisms // Surf. Sei. 1982. — V. 122, № 2.-P. 191−215.
  56. David R. Kingham. A New View of Field Evaporation // Vacuum. 1982. -V. 32, № 8.-P. 471—476.
  57. Roger Haydock and David R. Kingham. Some Predications of Theory of Past-lonisation of Field-Evaporated Ions // Surt. Sei. 1981. — V. 104, № 1.-L. 194−198.
  58. Tsong Tien T. Chen Chong-lin, Lin Jiang. Atom-Probl Field Ion Microscope Analysis of Surface of Materials // J. Mater. Res. 1989. — V. 4, № 6.-P. 1559−1591.
  59. П.Г., Дадыкин A.A. К вопросу о механизме автоэлектронной эмиссии из кремния // Докл. АН СССР. 1982. — Т. 263, № 6. — С. 1344−1346.
  60. В.Ф., Дадыкин A.A. Влияние примесей щелочных металлов на полевую и фотополевую электронную эмиссию из кремниевых острий // Изв. АН СССР. Сер. физич. — 1973. — Т. 27, № 12. -С. 2625−2629.
  61. Fowler R.H., Nordheim L. Electron Emission in Intense Electric Fields //
  62. Proc. Roy. Soc.-1928, — V. 119, № A 781.-P. 173−181.
  63. Nordheim L. Die Theorie Elektronenemission der Metall // Physikalische Zeitschrift. 1929. — Bd. 30, № 7. — S. 117−196.
  64. Дж. Введение в метод фазовых интегралов (метод ВКБ). -М.: Мир, 1965.-127 с.
  65. М.И., Васильев Г. Ф. Автоэлектронная эмиссия. М.: Физматгиз, 1958.-272 с.
  66. Ненакаливаемые катоды / Под ред. М. И. Елинсона. М.: Сов. радио, 1974.- 336 с.
  67. Н.Д. К вопросу об автоэлектронной эмиссии сложных полупроводниковых катодов // Журн. техн. физики. 1947. — Т. 17, вып. 9. — С. 983−986.
  68. Stratton R. Field Emission from Semiconductors // Proc. Phys. Sol. j (London). 1955. — V. В 68. — P. 746−757.
  69. Stratton R. Theory of Field Emission from Semiconductors // Phys. Rev. 1962. -V. 125, № 1. — P. 67−82.
  70. Г. Ф. К вопросу о теории автоэлектронной эмиссии полупроводников // Радиотехника и электроника. 1958 — Т.З. — С. 962.
  71. Л.Н., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966. — 564 с.
  72. Busch G., Fisher Т. Field Emission of Silizium // Phys. Kondens. Materie. -1963.-V. 1.-P. 367−373.
  73. Yatsenko A.F. On a Model of Photo-Field-Emission from p-Type Semiconductors // Phys. Stat. Sol. (a). 1970. — V. 1. — P. 333−348.
  74. М.И. Влияние внутренних электрических полей в полупроводнике на его автоэлектронную эмиссию // Радиотехника и электроника. 1959. — Т. 4, вып. 1. — С. 140−142.
  75. А.Г., Елинсон М. И., Сандомирский В. Б. Исследованиеспектров электронов, эмиттированных из полупроводников // Радиотехника и электроника. 1962. — Т. 7, № 4. — С. 670−686.
  76. М.И., Ждан А. Г., Крапивин В. Ф. и др. Теория «бесконтактного» варианта эмиссии горячих электронов из полупроводников // Радиотехника и электроника. 1965. — Т. 10, № 7.-С. 1288−1294.
  77. Baskin L.M., Lvov О.I., Fursey G.N. General Features of Field Emission from Semiconductors // Phys. Stat. Sol. (в). 1971. — V. 47, № 1. -P. 49−62.
  78. Jl.M. К теории автоэлектронной эмиссии полупроводников: Дис.. канд. физ.-мат. наук. Защищена 4.12.75- Утв.7.07.76. Томск, 1975, — 185 е.: ил.
  79. Н.В., Рудаков B.C., Семыкина Е. А. Размерное квантование в условиях полевой электронной эмиссии // Вестн. ЛГУ. 1986. — Сер. 4, вып. 4. — С. 79−83.
  80. Mileshkina N.V., Semykina Е.А. Numerical Computation of Potential Profiles and Energy Spectrum in the Space Charge Region of Semiconductors of High Electric Field // Sur. Sci. 1988. — V. 200. — P. 179−186.
  81. В.Э., Милешкина И. В., Семыкина Е. А. Самосогласованный подход к исследованию неравновесных процессов в полевой эмиссии полупроводников // XX Всесоюз. конф. по эмиссионной электронике: Тез. докл. Киев, 1987. — Т. 1. — С. 204.
  82. Н.В., Семыкина Е. А. Численное моделирование приповерхностных потенциалов и анализ размерных эффектов в сильном электрическом поле // Физика и техника полупроводников. -1988.- Т. 22, № 5, — С. 955.
  83. Fursey G.N., Sokolskaya I.L., Ivanov V.G. Field Emission from p-Type Germanium // Phys. Stat. Sol. 1967. — V. 22. — P. 39-^6.
  84. Г. H., Бахтизин Р. З. Нелинейные вольтамперные характеристики р-типа Ge // Вестн. ЛГУ. Сер. физ. и хим. — 1970. -Вып. 4, № 22. — С. 26−32- Физика твердого тела. — 1969. — Т. 11.-С. 3672−3678.
  85. Fursey G.N., Egorov N.V. Field Emission of p-Type Silicon // Phys. Stat. Sol.- 1969. V. 32. — P. 23−32.
  86. В.Г., Фурсей Г. Н., Сокольская И. Л. Исследования автоэлектронной эмиссии германия // Физика твердого тела. 1967. -Т. 9, № 4.-С. 1144−1148.
  87. В.Г. Очистка германиевого острия в автоэлектронном проекторе при различных температурных обработках // Третья науч.-теорет. конф.: Тез. докл. Новгород, 1966. — С. 81−87.
  88. Г. Н. Методика определения параметров автоэлектронного катода //Журн. технич. физики. 1974. — № 10. — С. 2181−2191.
  89. В.Г. Адсорбции кислорода на р-типа германии в автоэмиссионном микроскопе // Всесоюз. совещ. по электронным явлениям на поверхности полупроводников: Тез. докл. Киев: Наукова думка, 1971. — С. 98−99.
  90. М.А., Иванов В. Г., Успенский H.A., Федяков В. П. Способ изготовления автокатодов из полупроводниковых материалов: А. с. № 1 243 548 с приоритетом от 18 апреля 1984 г. Не опубл. ДСП.
  91. В.Г., Розова Т. Т., Фурсей Г. И., Смирнова Т. П. Особенности поведения автоэмиссии из германия при адсорбции кислорода // Физика твердого тела. 1974. — Т. 16, вып. 2. — С. 495−501.
  92. Н.И., Милешкина Н. В. Влияние автоэмиссионных измерений на вид вольтамперных характеристик монокристалла германия // Физика твердого тела. 1979. — Т. 21, вып.10. — С. 31 303 132.
  93. Neumann H. Field Emission ans Jn2S3 // Zeitschrift fur Naturforschung.1967.-22а, № 7.-S. 1012−1019.
  94. В.Г., Смирнова Т. П. Явление пробоя в автоэмиттерах из р-типа германия // Физика твердого тела. 1972. — Т. 14. — С. 30 683 070.
  95. Arthur J.R., Jr. Surface Structure and Surface Migration of Germanium by Field Emission Microscopy // J. Phys. Chem. Solids. 1964. — V. 25, № 6.-P. 583−591.
  96. В.Г., Розова Т. Т., Фурсей Г. И. Исследование внутреннего пробоя при автоэмиссии из р-типа германия // XV Всесоюз. конф. по эмиссионной электронике: Тез. докл. Киев: Наукова думка. — 1973. -Т. 1.- С. 56−57.
  97. В.Г., Данильчук В. Л. Полевая эмиссия из Si и GaAs лезвийных катодов // Изв. АН СССР. Сер. физич. — 1988. — Т. 52, № 8.- С. 1522−1525.
  98. В.Г. Механизм внутреннего пробоя при автоэмиссии из р-типа полупроводников // XXI Всесоюз. конф. по эмиссионной электронике: Тез. докл. Л., 1990. — Т. 1. — С. 308.
  99. Н.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.: Энергия., 1967. — 615 с.
  100. Chynoweth A.G. Progress in Semiconductor. 1960. — 4. — P. 95- Чайновет А. Прогресс в полупроводниках / Пер. с англ. // Успехи физических наук. — 1961. — Т. 75. — С. 169.
  101. ГDexoe И.В., Сережкин Ю. Н. О некоторых особенностях лавинного пробоя в кремнии с высоким содержанием кислорода // Физика и техника полупроводников. 1971. — Т. 5, вып.11. — С. 2188−2191.
  102. П.Г., Бахтизин Р. З., Милешкина Н. В. Связь электрического пробоя с видом вольтамперных характеристик автоэмиссионного тока p-Ge // Физика твердого тела. 1972. — Т. 14.- С. 1536−1538.
  103. Г. И., Иванов В. Г. Автоэлектронная эмиссия p-Si, очищенного десорбцией полем // Физика твердого тела. 1967. — Т. 9.-С. 1812−1814.
  104. A.A. Фотополевая электронная эмиссия из кремния с атомарно-чистой поверхностью // Радиотехника и электроника. -1980. Т. 25, № 12. — С. 2628−2633.
  105. Бут З.П., Мирошниченко Л. С., Яценко А. Ф. Температурная зависимость автоэлектронной эмиссии кремния р-типа с различным объемным легированием // Укр. физич. журн. 1972. — Т. 17, № 6. -С. 949−955.
  106. Christov S.G. Unifield Teory of Thermoionic and Field Emission from Semiconductors// Phys. Stat. Sol. 1967. -T. 21, № 1. — P. 159−173.
  107. Г. Н. Разработка и исследование методов определения параметров автоэлектронного катода: Автореф. дис.. канд. физ.-мат. наук. М., 1975. — 16 с. 106 .Дэвидсон С., Левин Дж. Поверхностные (таммовские) состояния. -М.: Мир, 1973.-215 с.
  108. А. Авто-, термо- и вторично-электронная эмиссионная спектроскопия / Пер. с англ.- Под ред. Г. Н.Фурсея- Доп. Л. М. Баскина, Р. З. Бахтизина, В. Г. Валеева, Г. Н. Фурсея. М.: Наука. — 1990, — 320 с.
  109. В.Г., Никитенко В. И., Якимов Е. Б. Исследование природы диодного эффекта на дислокациях кремния // Журн. эксперимент, и теоретич. физики. 1974. — Т. 67, вып. 3(9). — С. 1148−1159.
  110. П.В., Грехов И. В., Сережкин Ю. И. Лавинообразный пробой высоковольтных кремниевых р-п-переходов // Физика и техника полупроводников. 1970. — Т. 9, вып. 4. — С. 764−767.
  111. С.Н., Дмитриев В. А., Левинштейн М.Е., Рендакова
  112. C.B. О шнуровании тока в карбидкремниевых р-п-переходах при пробое // Письма в Журн. технич. физики. 1987. — Т. 13, вып. 12. -С. 741−743.
  113. В. Г. Явление пробоя в автоэмиттерах р-типа Si // Физика поверхности твердых тел: Тез. докл. Всесоюз. симпозиума. Киев: Наукова думка, 1983. — С. 84.
  114. В.Г. Исследования механизма полевой эмиссии электронов из полупроводниковых катодов // Поверхность. Физика, химия, механика. 1984. — Т. 3. — С. 149.
  115. Дубилевская J1.K. Вольтамперные характеристики р-типа арсенида галлия при внутреннем пробое: Дипломная работа / НГПИ. -Новгород, 1984.
  116. В.Г., Данилова B.C., Волосова O.J1. Адсорбция кислорода на атомарно-чистой поверхности арсенида галлия // Вестн. НовГУ. Сер. «Естеств. и технич. науки». — Новгород, 1996. — № 3. — С. 812.
  117. Yonichi Ohno, Shogo Nakamura and Tsukasa Kuroda. Field Emission from р-Туре GaAs and GaP Crystals // Sur. Sei. 1980. — V. 91. — P. 636−654.
  118. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977.-399 с.
  119. В.Г., Смирнова Т. П. Исследование эпитаксиального роста германия на германии в автоэмиссионном эмиттере // IV Всесоюз. совещ. по росту кристаллов: Тез. докл. Ереван, 1972. — Ч. 1. -С. 47—49.
  120. В.Н. Диффузия и рост кристаллов на металлической поверхности, изучаемые в атомном масштабе: Автореф. дис.. докт. физ.-мат. наук. Л., 1985. — 31 с.
  121. Л.М., Егоров Н. В., Птицин В. Э., Фурсей Г. Н. Влияниеглубоких центров захвата на эмиссионную способность широкозонных полупроводниковых автокатодов // Письма в Журн. технич. физики. 1979. — Т. 5, вып. 22. — С. 1345−1348.
  122. Savransky S.D., Ivanov V.G. The Electron Field Emission Studies of Typical Chalcogenide Glass // 42 International Field Emission Society: Abstracts. Wisconsin, USA. — 1995.
  123. СЛ., Чечеткина ЕЛ. Стеклообразование. М.: Наука, 1990.-278 с.
  124. Баскин J1.M. Динамика полевых эмиссионных процессов в статических и СВЧ полях: Автореф. дис.. докт. физ.-мат. наук. -Томск, 1990.-23 с.
  125. Н.С., Панов В. И. Сканирующая туннельная микроскопия атомной структуры, электронных свойств и поверхностных химических реакций // Успехи физических наук. 1989. — Т. 157, вып. 1. — С. 185−195.
  126. Arthur J.R., Jr. Field Emission from GaAs // J. Appl. Phys. 1966. — V. 37. — P. 3057−3067.
  127. Е.И., Калганов В. Д., Милешкина H.B. Аномальное воздействие адсорбции AI на эмиссионные свойства GaAs // Физика твердого тела. 1983. — Т. 25, вып. 6. — С. 3548−3553.
  128. Е.И., Милешкина Н. В., Югай Л. Я. Эмиссионные полевыеисследования арсенида галлия // Журн. технич. физики. 1986. -Т. 56, вып. 6.- С. 1183−1189.
  129. В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1970. — 399 с.
  130. А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М.: Наука, 1971.- 480 с.
  131. В.И. и др. Электронные явления на поверхности полупроводников. Киев: Наукова думка, 1968. — 268 с.
  132. А.А. Получение, структура и химическая активность атомарно-чистой поверхности германия // Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников / Под ред. А. В. Ржанова. Новосибирск: Наука, 1975.- С. 49−65.
  133. А. Поверхностные свойства германия и кремния / Пер. с англ.- Под ред. В. Б. Сандомирского. М.: Наука, 1970. — 176 с.
  134. Ernst L. Field Emission Microscopy of Germanium // Phys. Stat. Sol. -1967.-V. 19, № 1.-P. 89−94.
  135. Ernst L. Study of the Field Desorption of Oxidized Germanium Tips in a Field Emission Microscope // Phys. Stat. Sol. 1966. — V. 14, № 2. — К 107-К 109.
  136. Ernst L. Adsorption of Oxyden on Atomically Clean Germanium Surfaces Examined in the Field Emission Microscope // Surf. Sci. -1967.-V. 6.-P. 487—491.
  137. Frantsuzov A.A., Makrushin N.I. Temperature Dependence of Oxidation Rate in Clean Ge (111) // Surf. Sci. 1973, — V. 40, № 2. — P. 320−342.
  138. А.А., Макрушин Н. И. Температурная зависимость и механизм окисления частей поверхности германия // Изв. АН СССР. Сер. физич. — 1974. — Т. 38, № 2. — С. 387−391.
  139. Ф.Ф. Активированная адсорбция наполупроводниках // Успехи физич. наук. 1953. — Т. 50, № 2. — С. 253−269.
  140. Ф.Ф. О некоторых особенностях адсорбции, обусловленных тепловым беспорядком на поверхности кристалла // Журн. физич. химии. 1949. — Т. 23, № 8. — С. 917−925.
  141. Ф.Ф. Электронная теория катализа на полупроводниках. М.: ГИФМЛ, 1960. — 187 с.
  142. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках: Лекции на международном симпозиуме / Под ред. Ф. Ф. Волькенштейна. М.: Мир, 1969. — 183 с.
  143. В.И., Серба O.A., Степко И. И. Вплив електричного поля на сорбцшы процесси на поверхы гермаыю //ДАН УССР. 1962. -№ 3. — С. 350−353.
  144. Ван Оостром А. Анализ поверхности методами автоионной микроскопии и атомного зонда // Новое в исследовании поверхности твердого тела / Под ред. Т. Джайядевайя, Р.Ванселова.- М.: Мир, 1977.- Вып. 2. С. 40−67.
  145. В.Г., Розова Т. Т., Фурсей Г. Н. Влияние сильного электрического поля на адсорбцию кислорода на Ge // Физика твердого тела. 1975. — Т. 17, № 1. — С. 64−66.
  146. Т.П., Иванов В. Г. Адсорбция и электроадсорбция кислорода на гранях {113} и {111} монокристаллического германия // Изв. АН СССР. Сер. физич. — 1982. — Т. 46, № 7.- С. 1252−1255.
  147. Розова 7.7., Фурсей Г. Н., Иванов В. Г. Адсорбция кислорода на Ge, стимулированная сильным электрическим полем // XVI Всесоюз. конф. по эмиссионной электронике: Краткое содержание докладов.- Махачкала, 1976.- Т. 3. С. 58−59.
  148. Т.Т., Фурсей Г. Н., Иванов В. Г. Адсорбция кислорода на германии, стимулированная электрическим полем // Физикатвердого тела. 1978, — Т. 20, № 9. — С. 2672−2674.
  149. .А., Снитко О. В. Физические свойства атомарно-чистой поверхности полупроводников. Киев: Наукова думка, 1983. — 135 с.
  150. А.Н. Поляризуемость молекул. М.: Наука, 1980. — 177 с.
  151. В.Г., Смирнова Т. П., Фурсей Г. Н. Пороговый эффект электроадсорбции кислорода на отдельных гранях монокристаллического германия в автоэмиссионном микроскопе // Поверхность. Физика, химия, механика, — 1986. Т. 12. — С. 128 129.
  152. С.М. Кинетика и механизм реакции растворения германия // Элементарные физико-химические процессы на поверхности монокристаллических полупроводников / Под ред. А. В. Ржанова. Новосибирск: Наука, 1975. — С. 83−108.
  153. Sokolskaya I.L., Ivanov V.G., Fursey G.N. Study of Bariun Adsorption on Germanium by Field Emission Microscopy // Phys. Stat. Sol. 1967. -V. 21.-P. 789−795.
  154. Кэй Дж., Лэби Т. Таблицы физических и химических постоянных. -М.: ГИФМЛ, 1962.- С. 247.
  155. В.Г., Виссарионов Ю. В. Измерение энергии активации адсорбции кислорода на атомарно-чистой поверхности германия методом прямых Аррениуса // XXII конф. по эмиссионной электронике: Краткое содержание докладов. М., 1994. — Т. 1. -С.84−85.
  156. Madix R.Y. Bondart М. Sicking Probabilities by on Effusiv Ream Technique. The Germanium-Oxygen System // J. Catalysis. 1967. -V. 7, № 3, — P. 240−251.
  157. Surnev L. Oxygen Adsorption on Ge (111) Surface I. Atomic Clean
  158. Surface//Surf. Sei. 1981. — V. 110, № 2. — P. 439−457.
  159. Л.А., Смирнова Т. П., Иванов В. Г. Объяснение активационного барьера при адсорбции кислорода на поверхности (100) германия // IX Всесоюз. совещ. по квантовой химии: Тез. докл.- Черноголовка, 1985. С. 154−155.
  160. К.С. Молекулы и химическая связь. М.: Высшая школа, 1977.- 280 с.
  161. Энергия разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону / Отв. ред. В. Н. Кондратьев. М.: Наука, 1974.- 352 с.
  162. М.Д. О взаимодействии между атомами при малых межъядерных расстояниях: Препринт института теоретической физики АН СССР. Киев, 1980. — 15 с.
  163. О.Б. Вычисления потенциала взаимодействия атомов // Журн. эксперимент, и теоретич. физики. 1967. Т.33, № 3(9). — С. 696−699.
  164. Csavinsky P. Approximate Variational Solution of the Tomas-Fermi Equation for Atoms // Phys. Rev. 1969. — V. 166, № I. — P. 53−56.
  165. Л.Д., Лившиц E.M. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. 3-е изд., перераб. и доп. при участии Л. П. Питаевского. -М.: Наука, 1974.- 752 с.
  166. Т.П. Исследование адсорбции кислорода на отдельных гранях германия в сильных электрических полях методом полевойэлектронной микроскопии: Дис.. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07. -Защищена 1.03.90- Утв. 19.03.90. Л., 1990.-224 е.: ил. 94.
  167. Ivanov V.G. Phenomenon of Intrinsic Breakdown in the Field Emission p-Type Semiconductors // 9th International Vacuum Microelectronics Conference.-St.Peterburg, Russia, July 7−12, 1996, — P. 148.
  168. Ivanov V.G. Field Emission Microscopy Study at 02 Adsorption Monocristal Semiisolating GaAs Surfase // 43rd International Field Emission Symposium. Moscow, Russia, July 14−19. — 1996. — P. 16.
  169. В.Г., Смирнова Т. П. Исследования эпитаксиального роста германия на германии в автоэмиссионном микроскопе // IV Всесоюз. совещ. по росту кристаллов: Тез. докл. -Ереван, 1972. -С. 47−49.
  170. В.Г. Эпитаксиальный рост германия на германии в автоэмиссионном микроскопе // Кристаллография. 1972. — Т. 17, вып. 5. — С. 1085−1086.
  171. В.И., Митковский С. Е., Дагман Э. И. Миниатюрный электронный испаритель // Приборы и техника эксперимента. -1965. № 5. — С. 244.
  172. В.Г., Смирнова Т. П. Исследования эпитаксиального роста германия на германии в автоэмиссионном микроскопе // XV Всесоюз. конф. по эмиссионной электронике: Тез. докл. Киев: Наукова думка. — 1973. — Т. 1. — С. 44−45.
  173. Т.П., Иванов В. Г. Эпитаксиальный рост германия на германии в автоэмиссионном микроскопе // III конф. по полевойионной микроскопии и ее применение в промышленности: Тез. конф. Свердловск, 1982. — С. 12.
  174. .И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. -М.: Наука, 1972.- 462 с.
  175. Gray Henry F. Vacuum Microelectronics 1996: Where We Are and Where We are Going // 9th International Vacuum Microelectronics Conference. St. Petersburg, Russia, 1996. — P. 1−3.
  176. Г. Н., Егоров H.B. Стабильный полупроводниковый автоэмиссионный катод // Журн. технич. физики. 1972. — Т. 14. -С. 1686−1691.
  177. Н.В. Экспериментальное исследование автоэлектронной эмиссии кремния: Автореф. дис.. канд. физ.-мат. наук. Л., 1973.
  178. Trujillo J.Т., Chakhovskoi A.G., and Hunt C.E. Effects of Vacuum Conditions on Low Frequency Noise in Silicon Field Emission Devices // Papers from the Ninth International Vacuum Microelectronics Conference. St. Petersburg, 1996.-P. 133−137.
  179. Р.З., Ратникова Е. К. Увеличение эмиссионной однородности многоострийных автоэмиссионных катодов из германия II V симпозиум по ненакаливаемым катодам: Тез. докл. -Томск, 1985. С. 90−91.
  180. Tomachke Н.Е., Alpert D. Field Emission from a Multiplier of Emitters an a Broad-Area Cathode // J. Appl. Phys. 1967. — V. 38. — P. 2−8.
  181. Бахтизин P.3., Ратникова E.K. Полевая электронная эмиссия из полупроводниковых многоострийных катодов // Изв. АН СССР. -Сер. физич. 1988. — Т. 52, № 8. — С. 1518−1521.
  182. Е.И. Рост нитевидных кристаллов из пара. М.: Наука, 1977.
  183. .В., Шешин ЕЛ., Щука A.A. Приборы и устройства электронной техники на основе автокатодов // Зарубежная электронная техника. 1979. — № 2. — С. 3−43.
  184. В.Г., Савранский С. Д. Состав для заострения лезвийных автокатодов: А. с. № 1 384 089 с приоритетом от 14 мая 1986 г. Не опубл. ДСП.
  185. В.Г., Аброян М. А., Федяков В. П., Успенский H.A. Стабильность эмиссии электронов // V симпозиум по ненакаливаемым катодам: Тез. докл. Томск, 1985. — С. 95−97.
  186. В.Г., Аброян М. А., Федяков В. П., Успенский H.A. Автоэлектронная эмиссия из кремниевых лезвийных катодов // VI Всесоюз. симпозиум по сильноточной электронике: Тез. докл. -Новосибирск, 1986. С. 46−48.
  187. Marcus R.B., Ravi T.S., Gmitter Т. Formation of Silicon Tips with 1 Nm Radius // Applied Physics Letters. 1990. — V. 56, № 3. — P. 236−238.
  188. Hunt C.E., Trujullo Y.T., Orvis W.Y. Structure and Electrical315
  189. Characteristics of Field Emission Microelectronics Devices // IEEE Trans, on ED. 1991. -V. ED-38, № 10. — P. 2309−2313.
  190. Thomas R.N., Wickstron R.A., Schroder D.K. and Natahanson H.C. Fabrication and Some Applications of Large- Area Silicon Field Emission Arrays // Solid-State Electronics. 1974. — V. 17, № 2. — P. 155−163.
  191. Betsui K. Fabrication and Characteristics of Si Field Emitter Arrays // Fourth International Vacuum Microelectonics Conference. Nagahama. — 1991. — Technical Digest. — P. 26−29.
  192. И.К. Электролюминесценция кристаллов. M.: Наука, 1974.-279 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!