Формирование диэлектрических слоев интегральных схем методами химического осаждения
Диссертация
Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие конкретные задачи: о Исследовать процесс формирования пленок методом химического осаждения из растворов с целью выявления критических факторов, определяющих толщину пленок, ее неоднородность, а также микроструктуру формируемых пленок. о Исследовать процессы формирования методом химического осаждения из растворов диэлектрических… Читать ещё >
Список литературы
- Hench L.L., West J.K. The sol-gel process // Chem. Rev. 1990. — Vol.90. — N 1,-P. 33−72.
- Гребенщиков И.В., Власов А. Г., Непорент Б. С., Суйковская Н. В. Просветление оптики. М.-Л.: ГТТИ, 1946.
- Patent USA N 2 366 516. Method for producing layers on solid objects / Geffcken W., Berger E. 1945.
- Суйковская Н.В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок. Л.: Химия, 1971. — 200 с.
- Шрёдер X. Осаждение окисных слоев из органических растворов // Физика тонких пленок: Пер с англ. / Под ред. Хасса Г. и Туна Р.Э.- М.: Мир, 1972. -С. 84−139.
- Dislich Н., Hussmann Е. Amorphous and crystalline dip coatings obtained from organometallic solutions: procedures, chemical processes and products // Thin Solid Films.-1981, — Vol.77.-N 1−3. -P. 129−139.
- Dislich H. Sol-gel: science, processes and products // Journal of Non-Crystalline Solids.- 1986.- Vol.80.- N 1, — P. 115−121.
- Разуваев Г. А., Грибов Б. Г., Домрачев Г. А., Саламатин Б. А. Металлоорганические соединения в электронике. М.: Наука, 1972. -479 с.
- Зиновьев K.B., Вихлянцев О. Ф., Грибов Б. Г. Получение окисных пленок из растворов и использование их в электронной технике // Обзоры по электронной технике. Серия «Материалы», — 1974, — Вып. 13 (250).- 60 с.
- Зиновьев К.В. Растворные композиции для электронной техники // Электронная промышленность. 1980.-Вып. 8−9.-С. 93−96.
- Борисенко А.И., Новиков В. В., Приходько Н. Е., Митникова И. М., Чепик Л. Ф. Тонкие неорганические пленки в микроэлектронике. Л.: Наука. -Ленингр. отд. — 1972. — 114 с.
- Борисенко А.И., Николаева Л. В. Химия и технология тонких неорганических пленок. Конспект лекций. Л.: Ленинградский технологический институт. — 1973. — 83 с.
- Blinker C.J., Scherer G.W. Sol-gel science: the physics and chemistry of solgel processing. N.Y.: Academic Press. — 1990. — 666 p.
- Sol-gel technology for thin films, fibers, preforms, electronics, and speciality shapes / Сб. ст. под ред. Klein L.C. New Jersey: Noyes Publications, 1988. — 407 p.
- Андрианов К.А. Кремнийорганические соединения. M.: Госхимиздат, 1955.-520 с.
- Соболевский М.В., Музовская О. А., Попелева Г. С. Свойства и области применения кремнийорганических продуктов / под ред. М. В. Соболевского. М.: Химия. — 1975. — 296 с.
- Соболевский М.В., Скороходов И. И., Гриневич К. П. и др. Олигоорганосилоксаны / под ред. М. В. Соболевского. М.: Химия. -1985. — 264 с.
- Воронков М.Г., Милешкевич В. П., Южелевский Ю. А. Силоксановая связь. Новосибирск: Изд-во СО АН СССР, 1976. 414 с.
- Turova N.Ya., Yanovskaya M.I. Metal Alkoxides Precursors for Ferroelectric Materials // «Ferroelectric Thin Films» / Сб. ст. под ред. Araujo С., Scott .F. — London: Gordon & Breach Publ., 1996. — P. 233.
- Turova N.Ya., Turevskaya E.P., Kessler V.G. Oxoalkoxides true precursors of complex oxides // Journal of Sol-Gel Science and Technology.- 1994,-Vol.2.-N 1−3.-P. 17−23.
- Турова Н.Я., Яновская М. И. Оксидные материалы на основе алкоголятов металлов // Неорганические материалы. 1983. — Т.5. — С. 693 — 706.
- Shacham-Diamand Y., Nachumovsky Y. Process reliability considerations of planarization with spin-on-glass // Journal of the Electrochemical Society. -1990. Vol.137. -Nl.- P. 190−196.
- Molnar L.D. SOG planarization proves better than photoresist etch back // Semiconductor International. 1989. — Vol.12. -N9. — P. 92−96.
- Scott J.F. The physics of ferroelectric ceramic thin films for memory applications //Ferroelectrics Review. 1998. — Vol.1. -Nl. -P. 1−129.
- Jones R.E., Zurcher P., Chu P., et al. Memory applications based on ferroelectric and high-permittivity dielectric thin films // Microelectronic Engineering.- 1995, — Vol.29. P. 3−11.
- Sakka S. The current state of sol-gel technology // Journal of Sol-Gel Science and Technology.- 1994, — Vol.3.- N 2.- P. 69−81
- Химическая энциклопедия: В 5 т.: т.1. М.: Сов. энцикл., 1988. С. 166 170.
- Keefer K.D. Science of Ceramic Chem. N.Y., 1986. P.131.
- Айлер P.K. Химия кремнезема: растворимость, полимеризация, коллоидные и поверхностные свойства, бихимия: В 2-х кн./ Пер. с англ. -М: Мир, 1982.
- Scherer G.W. Theory of drying // Journal of American Ceramic Society.-1990,-Vol.73.-N1.-P. 3−14.
- Fricke J. Aerogels and their applications // Journal of Non-Crystalline Solids.-1992, — Vol. 147−148.- P. 356−362.
- Scherer G.W. Recent progress in drying of gels // Journal of Non-Crystalline Solids.- 1992, — Vol. 147−148.- P. 363−374.
- Pajonk G.M., Repellin-Lacroix M., Abouarnadasse S., Chaouki J., Klvana D. From sol-gel to aerogels and cryogels // // Journal of Non-Crystalline Solids.-1990, — Vol.121.- P. 66−67.
- Zarzycki J. Past and present of sol-gel science and technology // Journal of Sol-Gel Science and Technology.- 1997, — Vol.8. P. 17−22.
- Uhlmarm D.R., Teowee G., Boulton. The future of sol-gel science and technology // Journal of Sol-Gel Science and Technology.- 1997, — Vol.8. P. 1083−1091.
- Galan M., Llorens J., Gutierrez J.M., Gonzalez C., Mans C. Ceramic membranes from sol-gel technology // Journal of Sol-Gel Science and Technology.- 1992.- Vol.147−148. P. 518−522.
- Yoldas B.E. Technological significance of sol-gel process and process-induced variations in sol-gel materials and coatings // Journal of Sol-Gel Science and Technology.- 1993, — Vol.1. -Nl. P. 67−77.
- Schmidt H., Wolter H. Organically modified ceramics and their applications // Journal of Sol-Gel Science and Technology.- 1990, — Vol.121. P. 428−436.
- Wang B., Greenblatt M., Yan J., Wu Y. Sol-gel derived (LiCl)2 A1203 — Si02 thin film solid electrolyte // Journal of Sol-Gel Science and Technology.-1990, — Vol.2. N½/3. — P. 323−327.
- Mackenzie J.D. Nonlinear optical materials by the sol-gel method // Journal of Sol-Gel Science and Technology.- 1993, — Vol.1. -Nl. P. 7−19.
- Sakka S., Toshinobu Y. Fibers from gels // Journal of Non-Crystalline Solids.- 1992, — Vol.147−148. P. 394−403.
- Brinker C.J., Frye G.C., Hurd A.J., Ashley C.S. Fundamentals of sol-gel dip coating// Thin Solid Films.-1991. V.201. P. 97−108.
- Strawbridge I., James P.F. The factors affecting the thickness of sol-gel derived silica coatings prepared by dipping // J. Non-Cryst. Solids. 1986. -V.86.-P. 381−393.
- Bornside D.E., Macosko C.W., Scriven L.E. On the modelling of spin coating // J. Imagine Technology. 1987. — V.13. — N4. — P. 122−130.
- Emslie A.G., Bonner F.T., Peck L.G. Flow of a viscous liquid on a rotating disk // J. Appl. Phys.- 1958. V.29. — N5. — P. 858−862.
- Bornside D.E., Macosko C.W., Scriven L.E. Spin coating: one-dimentional model // J. Appl. Phys. 1989. — V.66. — N11. — P. 5185−5193.
- Meyerhofer D. Characteristics of resist films produced by spinning // J. Appl. Phys. 1978. — V.49. — N.7. — P. 3993−3997.
- Flack W.W., Soong D.S., Bell A.T., Hess D.W. A mathematical model for spin coating of polymer resist // J. Appl. Phys. 1984. — V.56. — N4. — P. 11 991 206.
- Jenekhe S.A., Schuldt S.B. Coating flow of non-newtonian fluids on a flat rotating disk // Ind. Eng. Chem. Fundam. 1984. — V.23. — N4. — P. 432−436.
- Jenekhe S.A. Effect of solvent mass transfer on flow of polymer solutions on a flat rotating disk // Ind. Eng. Chem. Fundam. 1984. — V.23. — N4. — P. 425 432.
- Lawrence C.J. The mechanics of spin coating of polymer films // Phys. Fluids. 1988. — V.31. -N.10. — P. 2786−2795.
- Acrivos A., Shah M.J., Petersen E.E. On the flow of a non-newtonian liquid on a rotating disk // J. Appl. Phys. 1960. — V.31. — N5. — P. 963−968.
- Shimoji S. Numerical analysis of the spin-coating process I I J. Appl. Phys. -1989. V.66. — N6. — P. 2712−2718.
- Sukanek P.C. Dependence of film thickness on speed in spin coating // J. Electrochem. Society.-1991. V.138. — N6. — P. 1712−1719.
- Bornside D.E., Macosko C.W., Scriven L.E. Spin coating of a PMMA/clorobenzene solution // J. Electrochem. Society. 1991. — V.138. -N.I.- P. 317−320.
- Bornside D.E., Brown R.A., Ackmann P.W., Frank J.R., Tryba A.A., Geyling F.T. The effect of gase phase convection on mass transfer in spin coating // J. Appl. Phys. 1993. — V.73. — N.2. — P. 585−600.
- Stillwagon L.E. Planarization of substrate topography by spin-coated films: a review // Solid State Technology. 1987. — V.30. — N6. — P.67−71.
- Stillwagon L.E., Larson R.G., Taylor G.N. Planarization of substrate topography by spin-coating // J. Electrochem. Society. 1987. — V.134. -N8A. -P.2030−2037.
- Stillwagon L.E. Spin coating and planarization // в кн.: Advances in resist technology and processing IV: Proc. Meet. (Santa Clara, Calif, 2−3 March, 1987). SPIE: V.771. -P.186−193.
- Hwang J.H., Ma F. On the flow of a liquid film over a rough rotating disk // J. Appl. Phys. 1989. — V.66. — N1. — P.388−394.
- Leon F.A. Numerical modelling of glass flow and spin-on planarization // IEEE Transactions on Computer-Aided Design. 1988. — V.7. — N2. — P. 168 173.
- Sukanek P.C. A model for spin coating with topography // J. Electrochem. Society. 1989. — V.136. — N10. — P.3019−3026.
- Bornside D.E. Mechanism for the local planarization of microscopically rough surfaces by drying thin films of spin-coated polymer/solvent solutions // J. Electrochem. Society. 1990. — V.137. — N8. — P.2589−2595.
- Peurrung L.M., Graves D.B. Film thickness profiles over topography in spin coating// J. Electrochem. Society. -1991. V.138. — N7. — P.2115−2124.
- Manske L.M., Graves D.B. Dynamic measurements of film thickness over local topography in spin coating // Appl. Phys. Lett. 1990. — V.56. — N23. — P. 2348−2350.
- Kistler S.F., Scriven L.E. Coating flow theory by finite element and asymptotic analysis of the Navier-Stokes system // Int. J. Numerical Methods in Fluids. 1984. — V.4. — P.207−229.
- Keddie J.D., Giannelis E.P. Ion-beam analysis of silica sol-gel films: structural and compositional evolution // J. Amer. Ceram. Society. 1990. -V.73.-N10.-P.3106−3109.
- Bok H., Tong H.-S. A novel coating technique for flat panel application // SPIE Display Technologies. 1992. — V. 1815. — P. 86−90- Precision Cleaning and Meniscus Coating System: Каталог / Specialty Coating Systems, Inc. -Indianapolis, USA. -4 c.
- Патент Франции N 70.38 371. Procede et dispositif d’elaboration de couches minces et couches minces obtenues par application dudit procede / Spitz J., Viguie J.-C. 1972.
- Патент Франции N 90.14 312. Procede sol-gel de depot de couches minces par pulverisation ultrasonore / Langlet M., Joubert J.-C. 1992.
- Marage P., Langlet M., Joubert J.-C. Understanding and improving the deposition conditions of SiCb thin films obtained by ultrasonic sol-gel procedure // J. Sol-Gel Science and Technology. 1994. — V.2. — N 1−3. — P. 615−618.
- Langlet M., Vautey C. Influence of the depisition parameters on the characteristics of aerosol-gel deposited thin films // J. Sol-Gel Science and Technology. 1997. — V.8. — N 1−3. — P. 347−351.
- Патент США N 5 119 760. Methods and apparatus for material deposition / McMillan L., Paz de Araujo C.A. 1992.
- Патент CIIIA N 5 138 520. Methods and apparatus for material deposition / McMillan L., Paz de Araujo C.A. 1992.
- Solayappan N., Joshi V., DeVilbiss A., Bacon J., Cuchiaro J., McMillan L., Paz De Araujo. Chemical solution deposition (CSD) and characterization of ferroelectric and dielectric thin films // Integrated Ferroelectrics. 1998. -V.22. -P.l-11.
- Castel E.D., Kulkarni V.D., Riley P.E. A scalable multilevel metallization with pillar interconnections and interlevel dielectric planarization // J. Electrochem. Society. 1990. — V.137. -N2. — P. 609−613.
- Sabnis AG. Multilevel metallization schemes // в кн.: VLSI Electronics Microstructure Science. V.15 (VLSI Metallization) / Ed. by N.G.Einspruch at al. Academic Press, NY.: 1987. 473 p.
- Lee W.W., Ho P. S. Low-dielectric constant materials for ULSI interlayer-dielectric applications // MRS Bulletin. 1997. — V. 22. — N 10. — P. 19−23.
- Murarka S.P. Low dielectric constant materials for interlayer dielectric applications // Solid State Technology. 1996. — V. 39. -N 3. — P. 83−90.
- Kern W. Dielectric materials // в кн.: Microelectronic Materials and Processes / Ed. by R.A.Levy. Kluwer Academic Publishers: 1989. P. 247−273.
- Gupta S.K., Chin R.L. Characterization of spin-on glass films as a planarizing dielectric // в кн.: Microelectron. Processing: Inorg. Mater. Charact. / Washington. DC. 1986. — P. 349- 365.
- Технология СБИС // в 2-х кн., Кн.1. Пер. с англ. / Под.ред. С. Зи, М.: Мир. 1986,-404 с.
- Валеев А.С., Шишко В. А., Сулимин А. Д. Планаризация рельефа проводников при формировании многоуровневых межсоединений СБИС //Микроэлектроника. 1990. — Т.19. — Вып. 2. — С. 160−170.
- Riley Р.Е., Castel E.D. Planarization of dielectric layers for multilevel metallization // Proc. Symp. Multilevel Metalliz., Interconnect., and Contact
- Technol. (San Diego, Calif., Oct., 21−22, 1986). Pennington (N.Y.): 1987. -P. 194−208.
- Лабунов B.A., Немцев B.C., Данилович Н. И. Планаризация топологического рельефа в технологии БИС // Зарубежная электрон, техн.- 1987,-N8.-С. 3−23.
- Gupta S.K., Chin R.L. Characterization of spin-on glass films as a planarizing dielectric // Microelectron. Processing: Inorg. Mater. Charact, Washington: D.C. 1986. -P. 349−365.
- Гончарова T.C. Полиимидные пленки в качестве межслойных изолирующих и пассивирующих слоев ИС // Зарубежная электрон.техн. 1989.-N 8.-С. 53−82.
- Morey I., Asthana A. Etch challenges of low-k dielectrics // // Solid State Technology. 1999. — V. 42. — N 6. — P. 71−78.
- Singer P. New frontiers in spin-on dielectrics // Semiconductor International. -1997.-N5.-P. 73−36.
- Allied Signal Inc. // Advanced products for 1С fabrication.
- Molnar L.D. SOG planarization proves better than photoresist etchback // Semiconductor International. 1989. — N 8. — P. 1−5.
- Allied Signal Inc. // Application Note N 3.
- Haider A., Royster D., Zhu H. Characterization of spin-on glass etchback planarization (PLANAR 94, June 6,1994, Sennyavale). P. 1−3.
- AlliedSignal announces new T-14 spin-on glass // The Factfinder. 1993. -Spring. — P. 1−2.
- Allied Signal Inc. // Application Note N 5. Non-etchback processing of siloxane spin-on glasses for intermetal dielectric planarization.
- Jin C., Luttmer J.D., Smith D.M., Ramos T.A. Nanoporous silica as an ultralow-k dielectric // MRS Bulletin. 1997. — V. 22. — N 10. — P. 39−42.
- Miller R.D., Hedrick J.L., Yoon D.Y., Cook R.F., Hummel J.P. Phase-separated inorganic-organic hybrids for microelectronic application // MRS Bulletin. 1997. — V. 22. — N 10. — P. 44−48.
- Auciello O., Scott J.F., Ramesh R. The physics of ferroelectric memories // Physics Today. 1998. — N 7. — P. 22−27.
- Лайнс M., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы : пер. с англ. / под ред. В. В. Леманова и Г. А. Смоленского. М.: Мир, 1981.-736 с.
- Смоленский Г. А., Крайник Н. Н. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. М.: Наука, 1968. 184 с.
- Смоленский Г. А., Боков В. А., Исупов В. А., Крайник Н. Н., Пасынков Р. Е., Соколов А. И. Физика сегнетоэлектрических явлений. Л.: Наука, 1985, — 396 с.
- Барфут Дж. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений : пер. с англ. / под ред. Л. А. Шувалова. М.: Мир, 1970, — 352 с.
- Барфут Дж., Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применения : пер. с англ. / под ред. JI.A. Шувалова, М.: Мир, 1970.- 526 с.
- Wu S.Y. A new ferroelectric memory device, metal-ferroelectric-semiconductor transistor // IEEE Trans. Electron Devices. 1974. — V. ED-21. -N8. -P.499−512.
- Scott J.F. The physics of ferroelectric ceramic thin films for memory applications //Ferroelectrics Review. 1998. — V. 1. -N 1. — P. 1−129.
- Авторское свидетельство СССР N 895 020. Способ получения пленок титаната бария / Яновская М. И. и др. 1981 г.
- Panholzer R. ISIF memories made nonvolatile // Integrated Ferroelectrics. -1998. V. 21. — N 1−4. — P. xxiii-xxxix.
- Ahard H., Mace H., Peccoud L. Device processing and integration of ferroelectric thin films for memory applications // Microelectronic Engineering. 1995. — V. 29. — P. 19−28.
- EETimes Home. 1998. — V.3. — N6.
- Mazure C., Alsmeier J., Dehm C., Honlein W. Technology challenges and solutions for 1 Gbit and beyond // Integrated Ferroelectrics. 1998. — V. 21. -N1−4.-P. 15−25.
- Kingon A.I., Streiffer S.K., Basceri C., Summerfelt S.R. High-permittivity perovskite thin films for dynamic random-access memories // MRS Bulletin. -1996.-V. 21.-N7.-P. 46−52.
- Fazan P.C. Trends in the development of ULSI DRAM capacitors // Integrated Ferroelectrics. 1994. — V. 4. — N 4. — P. 247−256.
- Dey S., Alluri P.V. PE-MOCVD of dielectric thin films: challenges and opportunities // MRS Bulletin. 1996. — V. 21. — N 6. — P. 44−48.
- Polla D.L., Francis L.F. Ferroelectric thin films in microelectromechanical systems applications // MRS Bulletin. 1996. — V. 21. — N 7. — P. 59−65.
- Keijer M., Dormans G.J.M. Chemical vapor deposition of electroceramic thin films // MRS Bulletin. 1996. — V. 21. — N 6. — P. 37−43.
- Tuttle B.A., Schwartz R.W. Solution deposition of ferroelectric thin films // MRS Bulletin. 1996. — V. 21. — N 6. — P. 49−54.
- Auciello O., Kingon A.I., Krupanidhi S.B. Sputter synthesis of ferroelectric films and heterostructures // MRS Bulletin. 1996. — V. 21. — N 6. — P. 25−30.
- Auciello O., Ramesh R. Laser-ablation deposition and characterization of ferroelectric capacitors for nonvolatile memories // MRS Bulletin. 1996. — V. 21.-N6. -P. 31−36.
- Klee M., Eusemann R., Waser R., Brand W., Van Hal H. Processing and electrical properties of Pb (ZrxTii.x)03 (x=0.2−0.75) films: comparison ofmetal-organic decomposition and sol-gel processes // J. Appl. Phys. 1992. -V.72.-N4.-P.1566−1576.
- Klee M., De Veirman A., Van De Weijer P., Mackens U., Van Hal H. Analytical study of the growth of polycrystalline titanate thin films // Philips J. Res. 1993. — V.47. — P.263−285.
- Klee M., De Veirman A., Taylor D.J., Larsen P.K. Structure property relations in polycrystalline titanate thin films // Integrated Ferroelectrics. -1994. -V.4. -N2. -P.263−285.
- Watanabe H., Mihara Т., Yoshimori H., Paz de Araujo C.A. Fatigue properties of PZT thin films prepared by the sol-gel method // Proceedings 4th ICIF (Monterey. March 9−11. 1992). P. 346−363.
- Park C., Cho J.H., Choi C.J., Seol Y.S., Choi I.H. Dry etching of PZT films with CF4/Ar high density plasma // MRS Symp. Proc. 1999. — V.541. — P. 113−118.
- Meng L., Santos M.P. Characterization of Ru02 films prepared by RF reactive magnetron sputtering // MRS Symp. Proc. 1999. — V.541. — P. 141 146.
- Fujiki M., Cross J.S., Tsukada M., et al. Microstructure evolution and leakage phenomena of CSD PLZT thin films // Integrated Ferroelectrics. 1999. -V.26.-P. 269−275.
- Budd K.D., Dey S.K., Payne D.A. Sol-gel processing of РЬТЮ3, PbZr03, PZT and PLZT thin films // Brit. Ceram. Proc. 1985. — N 36. — P.107−121.
- Klee M., Mackens U., Pankert J., Brand W., Klee W. Science and Technology of Electroceramic Thin Films / Ed. O. Auciello and R. Waser, Kluwer: Dordrecht, 1995. P. 99.
- Setter N., Waser R. Electroceramic materials // Acta Materialia. 2000. — V. 48.-P. 151−178.
- Смоленский Г. А., Исупов B.A., Аграновская А. И. // Физика тв. тела. -1961. T.III. — С.12.
- Al-Shareef H.N., Dimos D., Warren W.L., Tuttle В .A. A model for optical and electrical polarization fatigue in SrBi2Ta209 and Pb (Zr, Ti)03 // Integrated Ferroelectrics. 1997. — V.15. — P. 53−68.
- Lee J.K., Song Т.К., Jung H.J. Characterization of SrBi2Ta2C>9 thin films fabricated by R.F. magnetron sputtering technique // Integrated Ferroelectrics. 1997.-V.15.-P. 115−126.
- Okuyama M., Wu W.B., Oishi Y., Hamakawa Y. Laser ablation preparation and property of bismuth layer — structured SrBi2Ta209 and Bi4Ti30i2 ferroelectric thin films // Integrated Ferroelectrics. — 1996. — V.12. — P. 225 232.
- Diaz J.A., Cruz M.P., Contreras O.E., Siqueiros J.M., Portelles J. Influence of the substrate temperature on the structure of SrBi2Ta209 thin films obtained by laser ablation // MRS Symp.Proc. 1999. — V.541. — P. 211−216.
- Klee M., Mackens V. Sol-gel and MOD processing of layered perovskite and SrTi03 films //Microelectronic Engineering. 1995. — V.29. — P. 186−188.
- Jones R.E., Znrcher P., Chu P., Taylor D.J.,.Lii Y. T, Jiang В., Maniar P.D., Gillespie S.J. Memory applications based on ferroelectric and high-permittivity dielectric thin films // Microelectronic Engineering. 1995. -V.29.-P.3−10.
- Chen S.-Y., Du X.-F., Chen I.-W. Crystallization and texture of Bi-containing layered perovskite thin films // MRS Symp.Proc. 1994. — V.361. — P. 15−20.
- Amanuma K., Hase Т., Miyasaka Y. Structural and ferroelectric properties of SrBi2Ta209 thin films // MRS Symp.Proc. 1994. — V.361. — P. 21−25.
- Ito Y., Ushikubo M., Matsunaga S., Atsuki Т., Yonegawa Т., Ogi K. New low temperature processing of sol-gel SrBi2Ta209 thin films // Integrated Ferroelectrics. 1997. — V.14. — P. 123−132.
- Kim S.-H., Kim D.J., Streiffer S.K., Maria J-P., Kingon A.I. Ferroelectric properties of SBT (Sr/Bi/Ta = 0.8/2.3/2) thin films using a novel chemical solution deposition// MRS Symp.Proc. 1999. — V.541. — P. 223−228.
- Takemura K., Nogushi Т., Hase Т., Kimura H., Miyasaka Y. Composition dependence of dielectric anomaly in strontium bismuth tantalate thin films // MRS Symp.Proc. 1999. — V.541. — P. 235−240.
- Solayappan N., Derbenwick G.F., McMillan L.D., Paz de Araujo C.A. Conformal LSMCD deposition of SrBi2(TaixNbx)209 // Integrated Ferroelectrics. 1997. — V.14. — P. 237−246.
- Han J.P., Gu I., Ma T.P. SrBi2Ta209 (SBT) thin films prepared by electrostatic spray // Integrated Ferroelectrics. 1997. — V.14. — P. 229−236.
- Klee M., Eusmann R., Waser R., Brand W., Hal H. // J. Appl. Phys. 1992. -V.72. — P. 1566.
- Kamalasanan M.N., Kumar N.D., Chandra S. // J. Appl. Phys. 1994. — V.78. -P. 4803.
- Kuisl M. Doped silicon dioxide films from spin-on solutions // Thin Solid Films.- 1989. V. 177. — P. 231−237.
- Патент США N 479 362. Silica-based antimony containing fihn-forming composition / Tsutomu I., Mineo N., Akira H., et al. 1988.
- Патент ФРГ N P3610162.1. Dotierlosung / Konig U., Kuisl M. 1987.
- Aytac S., Schlachetzki A. Shallow and selective diffusion of zink in indium phosphide // Solid State Electronics. -1981. V.24. — N 1. — P. 57−61.
- Albrecht H., Lauterbach Ch. Diffusion from Si02: Zn spin-on films into n-Ino.53Gao.47As // Jap. J. Appl. Phys. 1986. — V. 25. — N 7. — P.589−591.
- Aman M.-C., Franz G. Improved shallow p+ diffusion into InGaAsP by a new spin-on diffusion source // J. Appl. Phys. 1987. — V. 62. — N 4. — P.1541−1543.
- Yamada A., Kawasaki Т., Kawashima M. Bonding silicon wafer to silicon nitride with spin-on glass as adhesive // Electronics Letters. 1987. — V. 23. -N7.-P. 314−315.
- Choi Y.I., Kim C.K., Kwong Y.S. Taper etching of the thermal oxide layer // IEE Proceedings. 1986. -л V. 133. — Pt. 1. — N 1. — P. 13−17.
- Патент США N 4 694 040. Liquid composition for forming a coating film of organopolysiloxane and method for the preparation thereof / Akira H., Toshihiro N., N. Mineo, et al. 1987.
- Патент Японии N 59−53 713. Способ создания тонких пленок / Асако Д. -1985.
- Popall М., Kappel J., Pilz М., Schulz J., Feyder G. A new inorganic-organic polymer for the passivation of thin film capacitors // J. Sol-Gel Science and Technology. 1994. — V. 2. — N 1−3. — P. 157 — 160.
- Colombo P., Paulson Т.Е., Pantano C.G. Atmosphere effects in the processing of silicon carbide and silicon oxycarbide thin films and coatings // J. Sol-Gel Science and Technology. 1994. — V. 2. — N 1−3. — P. 601−604.
- Maekawa S., Okude K., Ohishi T. Synthesis of Si02 thin films by sol-gel method using photoirradiation and molecular structure analysis // J. Sol-Gel Science and Technology. 1994. — V. 2. — N 1−3. — P. 497 — 501.
- Tohge N, Shinmou K., Minami T. Effects of UV-irradiation on the formation of oxide thin films from chemically modified metal-alkoxides // J. Sol-Gel Science and Technology. 1994. — V. 2. — N 1−3. — P. 581 — 585.
- Патент Японии N 58−101 137. Способ получения изолирующей пленки / Сакасито Т., Конума С. 1984.
- Ma Т.Р., Miyauchi К. MIS structures based on spin-on Si02 on GaAs // Appl. Phys. Letters. 1979. — V. 34. — N 1. — P. 88−90.
- Bertrand P.A., Fleischauer P.D. Chemical deposition of T1O2 layers on GaAs // Thin Solid Films. 1983. — V. 103. — P. 167−175.
- Патент Японии N 54−11 668. Фотошаблон / Тосихару М., Хироси Я., Тэцуити X. 1979.
- Патент США N 4 802 740. Liquid crystal alignment layer containing polyvinylalcohol and titanium-alkoxide / Yashio H., Kenji O., Akihiko K. -1989.
- Патент США N 4 252 841. Process for producing transparent coductive film / Kiyoshige K., Shizuo I., Yoshio H., et al. 1981.
- Ravichandra D., Roy R., Chakhovskoi A.G., Hunt C.E., White W.B. Fabrication of Y3AI5O12 thin films and powders for field emmission displays // J. Lumin. 1997. — V.71. — P. 291−297.
- Обвинцева И.Е., Яновская М. И., Кучейко С. И. и др. Исследование образования порошков и пленок WO3, полученных методом алкоксотехнологии // Известия АН СССР. Неорганические материалы. -1988. Т. 24. — N 5. — С. 790−794.
- Baudiy Р., Rodrigues А.С.М., Aegerter М.А. Dip-coated ТЮ2-Се02 films as transparent counter-electrode for transmissive electrochromic devices // J. Non-Cryst. Solids. 1990. — V. 121. — N 1−3. — P. 319−322.
- How L., Hoffmann В., Mennig M., Schmidt H. Preparation and photochromic properties of dye-doped aluminosilicate and ORMOCER gels and coatings // J. Sol-Gel Science and Technology. 1994. — V. 2. — N 1−3. — P. 635 — 639.
- Maddalena A., Dal Maschio R., Dire S., Raccanelli A. Electrical conductivity of thin oxide films prepared by the sol-gel method // J. Non-Cryst. Solids. -1990. -V. 121.-N 1−3.-P. 365−369.
- Seddon A.B. Sol-gel derived organic-inorganic hybrid materials for photonic applications // IEE Proc.-Circuits Devices Syst. 1998. — V. 145. — N 5. — P. 369−372.
- Патент Японии N 56−37 173. Способ изготовления пленки окиси титана / НобуоН. 1981.
- Tracey S.M., Ray А.К., Shishiyanu T.S. Device characteristics of СиРс/ТЮ2 heterojunctions // ГЕЕ Proc.-Circuits Devices Syst. 1998. — V. 145. — N 5. -P. 383−387.
- Hou L., Sakka S. Preparation and spectroscopic studies of alkoxide-derived V205-Ge02 sols and coatings // J. Non-Cryst. Solids. 1989. — V. 112. — N 1−3.-p. 424−427.
- Патент Японии N 62−209 517. Датчик влажности / Масахиса И., Янагисава М. 1989.
- Kulwicki В.М. Humidity sensors // J. Am. Ceram. Society. 1991. — V. 74. -N4.-P. 697−708.
- Davis S.R., Wilson A., Wright J.D. Flammable gas sensors based on sol-gel materials // IEE Proc.-Circuits Devices Syst. 1998. — V. 145. — N 5. — P. 379 382.
- Nonaka Т., Green M.5 Kishio K., Hasegawa Т., Kitazawa K., Kaneko K., Kobayashi K. Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-0 films fabricared by dip coating using the alkoxide-alkanolamine method // Physica. C. 1989. — V. 160. — N 5−6. — P. 517−523.
- Яновская М.И., Федосеева O.B., Веневцев Ю. Н., Туревская Е. П., Козлова Н. И., Турова Н. Я., Поповкин Б. А. Применение алкоксотехнологии для получения порошков и пленок УВа2Сиз078 //
- Сверхпроводимость: Физика, химия, технология. 1989. — Т. 2. — N 9. — С. 30−37.
- Массалимов И.А., Юрковская Е. А., Козлов С. Ю., Шарипов Х. Т., Файнбух И. В. Синтез сверхпроводящих материалов с использованием золь-гель-метода // Докл. АН УзССР. 1990. — N 5. — С. 34−36.
- Reisfeld R., Minti Н. Nonlinear properties of semiconductor quantum dots in glasses prepared by the sol-gel method // J. Sol-Gel Science and Technology. 1994. — V. 2. — N 1−3. — P. 641 — 645.
- Vorotilov K.A., Petrovsky V.I., Vasiljev V.A. Spin coating process of sol-gel silica films deposition: effect of spin speed and processing temperature // J. Sol-Gel Science and Technology. 1995. — V.5. — P. 173−183.
- Vorotilov K.A., Petrovsky V.I., Vasiljev V.A. Effect of processing temperature during spin-on application on the properties of sol-gel silica films // J. Sol-Gel Science and Technology. 1994. — V.2. — P. 559−562.
- Авторское свидетельство СССР N 1 736 304. Способ планаризации изолирующего диэлектрического слоя многоуровневой металлизации в интегральных схемах / Воротилов К. А., Валеев А. С., Волк Ч. П., Петровский В. И. 1992 г.
- Vorotilov К.А., Vasiljev V.A., Sobolevsky M.V., Afanasyeva N.I. Structure, properties and applications of phenylmodified silicate films // Thin Solid Films. 1996. — V. 288. — N 1−2. — P. 57−63.
- Taylor D.J., Fabes B.D. Laser prpcessing of sol-gel coatings // J. Non-Cryst. Solids. -1992. V. 147/148. — P. 457−462.
- Vorotilov K.A., Orlova E.V., Petrovsky V.I. Sol-gel silicon dioxide films // Thin Solid Films. 1992. — V. 209. — P. 188−194.
- Григорьев B.K., Петровский В. И., Щапова И. А. // Измерительная техника. 1991.-Т. 1.-С. 15.
- Wu S. // J. Electrochem. Society. 1983. — V. 130. — P. 199.
- Reid R.C., Pransnitz J.M., Sherwood Т.К. The properties of gases and liquids. N.Y.: McGraw-Hill, 1977.
- Воротилов К.А. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. М., 1989. — 20 с.
- Воротилов К.А. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. М., 1989. — 152 с.
- Воротилов К.А., Крикунов И. П., Орлова Е. В., Петровский В. И. Получение пленок двуокиси кремния из пленкообразующих растворов // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1989. -Вып.1. — С. 12−19.
- Воротилов К.А., Орлова Е. В., Петровский В. И. Пленки Si02 на GaAs, полученные золь-гель методом // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. -1991. Вып.З. — С. 28−36.
- Chen К.С., Tsuchiya Т., Mackenzie J.D. // J. Non-Cryst. Solids. 1986. — V. 81. — P. 227.
- Yoldas B.E. // J. Non-Cryst. Solids. 1986. — V. 83. — P. 375.
- Glaser P.M., Pantano C.G. // J. Non-Ciyst. Solids. 1984. — V. 63. — P. 209.
- Моро У. Микролитография: В 2-х ч. Ч. 1: Пер. с англ. М.: Мир, 1990.605 с.
- Lam Н.С., Lam Y.W. // Thin Solid Films. 1977. — V. 41. — P. 43.
- Vorotilov К.А., Vasiljev V.A., Afanasyeva N.I. Structure, properties, and applications of ORMOSILS films // 1994 Material Research Society Fall Meeting (Boston, Massachusetts, USA, November 27-December 2 1994): Abstracts. 1994. — P. 204 (El 1.12).
- Sigov A.S., Vasiljev V.A., Vorotilov K.A. ORMOSILS films for microelectronic applications // 124th TMS Annual Meeting and Exhibition (Las Vegas, Nevada, USA, February 12−16 1995): Abstracts. 1995. — P. 95.
- Vorotilov К.А., Vasiljev V.A., Sobolevsky M.V., Valeev A.S. ORMOSIL films: properties and microelectronic applications // 8th International Workshop on Glasses and Ceramics from Gels (Faro, Portugal, September 18−22 1995): Abstracts. 1995. — P. 222.
- Sigov A.S., Vorotilov K.A., Petrovsky V.I., Sobolevsky M.V., Mishina E.D. Structure, electrical and optical properties of thin ORMOSILS films // E-MRS 1996 Spring Meeting (Strasbourg, France, June 4−7 1996): Abstracts. -1996. -P. J-18 (J-VI/P16).
- Vorotilov K.A., Petrovsky V.I., Vasiljev V.A., Sobolevsky M.V., Valeev A.S. ORMOSILS films: properties and microelectronic applications // J. SolGel Science and Technology. 1997. — V. 8. — P. 581−584.
- Vorotilov K.A., Vasiljev V.A., Sobolevsky M.V., Sigov A.S. Thin ormosils films with different organics // J. Sol-Gel Science and Technology. 1998. -V.13. — P. 467−472.
- Sokoll R., Tiller H.J. and Hoyer Т., Thermal Desorption and Infrared Studies of Sol-Gel Derived SiC>2 Coatings on Si Wafers // J. Electrochem. Soc. -1991, — V.138. P. 2150−2153.
- Спектры и хромотограммы элементоорганических соединений. ИК- и УФ-спектры фенилсилоксанов, М.: Химия, 1976. Выпуск1. — 64 с.
- Спектры и хромотограммы элементоорганических соединений. ИК- и УФ-спектры силоксанов и силозанов, М.: Химия, 1976. Выпуск2. — 48с.
- Bellamy L.J. The Infra-Red Spectra of Complex Molecules. London, Methuen, New York: Wiley. — 1954.
- Nakanishi K., Infrared Absorption Spectroscopy. San Francisco, CA: Holden-Day, Inc., Tokyo: Nankodo Company Ltd. — 1962.
- Nakano Т., Tokunaga K., Ohta T. Relationship between Chemical Structure and Film properties of Organic SOG // PLANAR 94 (Sunnyvale, June 6 1994).-P.l 1−17.
- Воротилов K.A., Концевой Ю. А., Немировский JI.H., Орлова Е. В., Петровский В. И. Свойства пленок двуокиси титана, полученных из раствора алкоголята титана // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1985. — Вып.1. — С. 11−13.
- Воротилов К.А., Орлова Е. В., Петровский В. И. Особенности ВФХ пленок ТЮ2, полученных из раствора // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1985. — Вып.5. — С.85−91.
- Vorotilov К.А., Orlova E.V., Petrovsky V.I. Sol-gel ТЮ2 films on silicon substrates // Thin Solid Films. 1992. — V. 207. — P. 180−184.
- Батавин В.В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985.264 с.
- Maleto M.I., Solovjeva L.I., Turevskaya Е.Р., Vorotilov К.A., Yanovskaya M.I. Alkoxy-derived Y203 -stabiliezed Zr02 thin films // Thin Solid Films. -1994. V.249. — P. 1−5.
- Авторское свидетельство Российской Федерации N 2 017 714. Способ получения растворов алкоксидов металлов / Соловьева Л. И., Ковсман Е. П., Сушкина Т. В., Яновская М. И., Дорохова О. А., Воротилов К. А. -1994.
- Валеев А.С., Васильев В. А., Воротилов К. А., Яновская М. И. Электрофизические свойства пленок ЦТС // Тезисы докладов XIII конференции по физике сегнетоэлектриков (Тверь, 15−19 сентября 1992 г.). Тверь: Тверской гос. университет, 1992. — Т. 2. — С. 143.
- Vorotilov К.А., Yanovskaya M.I., Dorokhova О.А. Effect of annealing conditions on alkoxy-derived PZT thin films. Microstructural and CV study // Integrated Ferroelectrics. 1993. — V. 3. — P. 33−49.
- Yanovskaya M.I., Solov’eva L.I., Kovsman E.P., Obvinzeva I.E., Vorotilov K.A., Turova N.Ya. Anodic dissolution of metals in methoxyethanol a way to new precursors for sol-gel technology // Integrated Ferroelectrics. — 1994. -V. 4. — P. 275−279.
- Sigov A.S., Petrovsky V.I., Pevtsov E.F., Vorotilov K.A., Valeev A.S. Fundamental properties and some applications of sol-gel ceramic thin films // NATO ASI Series / Ed. O. Auciello and R.Waser. Kluwer, 1995. — V. 284. -P. 427−437.
- Petrovsky V.I., Vorotilov K.A., Yanovskaya M.I., Solovjeva L.I. Sol-gel processing of PZT thin films // 124th TMS Annual Meeting and Exhibition, (Las Vegas, Nevada, USA, February 12−16 1995): Abstracts. P. 95.
- Vorotilov K.A., Petrovsky V.I., Yanovskaya M.I., Solovjeva L.I., Valeev A.S. Sol-gel processing of ferroelectric capacitors // 8th International Workshop on Glasses and Ceramics from Gels (Faro, Portugal, September 18−22 1995): Abstracts. P. 259.
- Vorotilov К.А., Yanovskaya M.I., Turevskaya Е.Р., Sigov A.S. Sol-gel derived ferroelectric thin films: avenues for control of microstructural and electric properties // J. Sol-Gel Science and Technology/ 1999. — V. 16. — P. 109−118.
- Жигалина О.М., Бурмистрова П. В., Васильев А. Л., Роддатис В. В., Воротилов К. А., Сигов А. С. Электронная микроскопия элементовсегнетоэлектрических ЗУ на основе многослойных структур Si-SiCh-Ti-Pt-ЦТС // Микроэлектроника, в печати.
- Budd K.D., Dey S.K., Payne D.A. The Effect of Hydrolysis Conditions on the Characteristics of PbTi03 Gels and Thin Films.// Mater. Res. Symp. Pros. 1986.-V. 72.-P. 317−322.
- Ramamurthy S.D., Payne D.A. Structural Investigations of Prehydrolyzed Precursors Used in the Sol-Gel Processing of Lead Titanate // J.Amer.Ceram.Soc. 1990. — V. 73. — № 8. — P. 2547−2551.
- Reaney I.M. Microstructural Characteristion of Ferroelectric Thin Films in Transverse Section // Microelectronic Engineering. 1995. — V. 29. — P. 277 284.
- Majumder S.B., Agraval D.S., Moharatra Y.N., Kulkorni V.N. Perovskite Phase Formation in Sol-Gel Derived Pb (ZrxTiix)Ox Thin Films // Integrated Ferroelectrics. 1995. — V. 9. — P. 271−284.
- Voigt A., Tuttle B.A., Headley T.J., Lamppa D.L. The Pyrohlore to -Perovskite Transformation in Solution — Derived Lead Zirconate Titanate Thin Films // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. — 1995. — V. 361. — P. 395−402.
- Mansour S.A., VestR.W. //Integrated Ferroelectrics. -1992. V. 1. — P. 7.
- Mishina E.D., Sigov A.S., Sherstyuk N.E., Vorotilov K.A., Fedyanin A.A., Aktsipetrov O.A. Second-harmonic generation interferometry as a probe of thin inhomogeneous ferroelectric films // ICONO'98 (г. Москва, 1998): Technical Digest. P. 148.
- Mishina E.D., Sherstyuk N.E., Pevtsov E.Ph., Vorotilov K.A., Sigov A.S., Moret M.P., Rossinger S.A., Larsen P.K., Rasing Th. Local probing of the polarization state in thin PZT films during polarization reversal // Appl. Phys. Lett. 2000, в печати.
- Мишина Е.Д., Шерспок Н. Э., Воротилов К. А., Певцов Е. Ф., Сигов А. С., Расинг Т. Микроскопия второй оптической гармоники для локальной диагностики состояния поляризации в тонких пленках ЦТС // Микроэлектроника, в печати.
- Turevskaya E.P., Bergo V.B., Vorotilov K.A., Sigov A.S., Sokolov S.V., Benlian D. Ferroelectric thin films of bismuth strontium tantalate prepared by alkoxide route // J. Sol-Gel Science and Technology. 1998. — V.13. — P. 889 893.
- Turevskaya E.P., Vorotilov K.A., Sigov A.S., Bergo V.B., Sokolov S.V., Benlian D. Sol-gel processing of bismuth strontium tantalate thin films // Journal Physica IV France. 1998. — N8. — Pr.9. — P. 83−86.
- Воротилов K.A., Сигов A.C., Туревская Е. П., Берго В. Б., Соколов С. В. Получение тонких сегнетоэлектрических пленок SrBi2Ta20g и BiTa04 методом химического нанесения из растворов // Микроэлектроника. -1999.-Т.28.-N3.-C. 193−200.
- Vorotilov K.A.,.Orlova E. V, Petrovsky V.I., Yanovskaya M.I., Ivanov S.A., Turevskaya E.P., Turova N.Ya. BaTi03 films on silicon wafer from metal alkoxides // Ferroelectrics. -1991. V.123. — P. 261−271.
- Vasiljev V.A., Vorotilov K.A., Yanovskaya M.I., Solovjeva L.I., Sigov A.S. Sol-gel derived barium-strontium titanate films // J. Sol-Gel Science and Technology. 1998. — V.13. — P. 877−883.
- Рогова T.B., Яновская М. И., Грудцина Д. Ю., Грудцин Ю. Д., Ковсман Е. П. Реакции алкоголятов металлов с 2-этилгексановой кислотой. I. Взаимодействие 2-этилгексановой кислоты с алкоголятами титана (IV) // Журнал Общей Химии. 1997. — Т.67. — С.1134.
- Т.В.Рогова, МЛЯновская, Д. У. Грудцина, Ю. Д. Грудцин, Е. П. Ковсман Реакции алкоголятов металлов с 2-этилгексановой кислотой. II. Взаимодействие 2-этилгексановой кислоты с бутилатами ниобия (V) и тантала (V) // Журнал Общей Химии. 1997. — Т.67. — С. 1145.
- Kamalasanan M.N., Kumar N.D., Chandra S. // J. Appl. Phys. 1994. — V. 78.-P. 4803.
- Акустические кристаллы: Справочник / под. ред. М. П. Шаскольской. -М.: Наука, 1982. 632 с.
- Воротилов К.А., Орлова Е. В., Петровский В. И. Туревская Е.П. Об электрофизических свойствах пленок 1л№>Оз, полученных алкоксометодом на кремнии // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1987. — Вып. 4. — С. 25−28.
- Vorotilov КА., Yanovskaya M.I., Solovjeva L.I., Valeev A.S., Petrovsky V.l., Vasiljev V.A., Obvinzeva I.E. Ferroelectric capacitors for Integrated Circuits // Microelectronic Engineering. 1995. — V.29. — P. 41−44.
- Валеев A.C., Воротилов К. А. Планаризация многоуровневой металлизации СБИС // Электронная промышленность. 1994. — Вып. 6. -С. 22−26.
- Воротилов К.А., Орлова Е. В., Петровский В. И. Принципы создания запоминающих устройств на сегнетоэлектрических пленках // В сб.: «Проблемы совершенствования устройств и методов приема, передачи и обработки информации». М., 1986. — 4.2. — С. 33−35.
- Воротилов К.А. Поверхностные состояния на границе раздела сегнетоэлектрик полупроводник // В сб.: «Проблемы совершенствования устройств и методов приема, передачи и обработки информации».- М.: ВИМИ, 1988. — С. 73−74.
- Воротилов К.А., Петровский В. И., Федотов Я. А. Сегнетоэлектрические пленки в микроэлектронике // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1989. — Вып.1. — С. 7−11.
- Orlova E.V., Petrovsky V.l., Vorotilov К.А. Sol-gel films for microelectronic applications // Sixth International Workshop on Glasses and Ceramics from gels (Seville, Spain, October 6−11 1991): Abstracts. P. DP14.
- Orlova E.V., Petrovsky V.I., Pevtsov E.F., Sigov A.S., Vorotilov K.A. Ferroelectric thin films for microelectronic applications // Ferroelectrics. -1992.-V. 134.-P. 365−376.
- Petrovsky V.I., Sigov A.S., Vorotilov К.А. Microelectronic applications of ferroelectric films // Integrated Ferroelectrics. 1993. — V. 3. — P. 59−68.
- Sigov A.S., Vorotilov K.A., Valeev A.S., Yanovskaya M.I. Sol-gel films for integrated circuits // J. Sol-Gel Science and Technology. 1994. — V. 2. — P. 563−567.
- Petrovsky V.I., Pevtsov E.F., Sigov A.S., Vorotilov K.A. Integrated ferroelectrics: some results and considerations // Ferroelectricsro 1995. — V. 167.-P. 177−180.
- Vorotilov К.А., Yanovskaya M.I. Sol-gel techniques for microelectronic applications // International Workshop on Advanced Electronics Technology'95 (г.Москва, 27 ноября 2 декабря 1995 г.). — Москва, 1995. -Р. 46−47.
- Валеев А., Воротилов К. Сегнетоэлектрические пленки. Возможность интеграции с технологией ИС // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 1998. — Т. 3−4. — С. 75−78.
- Sigov A.S., Vorotilov К.А. Sol-gel thin ferroelectric films for integrated circuits // Sixth Japan-CIS/Baltic Symposium on Ferroelectricity (JCBSF-6) (Tokyo, Japan, March 22−23, 1998): Abstracts. Tokyo: Science University of Tokyo, 1998.-P. 112.
- Валеев A.C., Воротилов K.A., Сигов А. С. Интеграция сегнетоэлектрических пленок с технологией СБИС // сборник трудов 1-й научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ и завод «Микрон» (Зеленоград, 1998)/ под ред. Г. Я. Красникова. Москва, 1998. — С. 60−69.
- Воротилов К.А., Сигов А. С. Интеграция сегнетоэлектрических пленок с технологией СБИС // тезисы докладов XV Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (BKC-XV) (г. Азов, 14−18 сентября 1999 г.). Ростов-на-Дону: РГУ, 1999. — С. 10.
- The International Technology Roadmap for Semiconductors: 1999 Edition. Front End Processes / Semiconductor Industry Association. Austin, TX: International SEMATECH, 1999. P. 105−140.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Пер. с англ. -М.: Мир, 1984. 456 с.
- Hwu J.G., Lin С.М., Wang W.S. Effect of interface traps related to mobile charges on silicon N-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors determined by a charge-temperature technique // Thin Solid Films. 1986.-V. 142.-P. 183−191.
- Гергель В.А., Сурис P.А, Теория поверхностных состояний и проводимости в структурах металл-диэлектрик-полупроводник // ЖЭТФ. 1983. — Т. 84. — Вып.2. — С. 719−736.
- Choi Y.I., Kim С.К., Kwon Y.S. Tapered sidewall Schottky diodes with very low taper angles // Jpn. J. Appl. Phys. 1983. — V.22. — Suppl. 22−1. — P. 137 140.
- Choi Y.I., Kim C.K., Kwon Y.S. Taper etching of the thermal oxide layer // IEEProceedings. 1986. — V. 133.-N 1. — Pt.l. — P. 13−17.388
- Воротилов К.А., Крикунов И. П., Орлова Е. В., Петровский В. И., Клиновидное травление пленок двуокиси кремния. Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1989. — Вып.1. — С. 7577.
- Meiners L.G. Electrical properties of insulator-semiconductor interface on III-V compounds // Physics and Chemistry of III-V Compound Semiconductor Interface. London: 1985. — P. 213−281.
- Kohn E., Hartangel N.L. On the interpretation of electrical measurements on the GaAs-MOS system // Solid State Electronics. 1978. — V.21. — N 2. — P. 409−416.