Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Изменения в поверхностном слое ионных кристаллов при электронном облучении

Диссертация: Изменения в поверхностном слое ионных кристаллов при электронном облучении
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Особую актуальность изучение закономерностей ЭСД приобретает в связи с быстрым развитием методов электронной спектроскопии (Оже-спектроскопии, дифракции медленных электронов, спектроскопии характеристических потерь и др.), так как сам электронный зонд прибора в ряде случаев может привести к значительным изменениям состава и структуры поверхности. Поэтому возможность осуществления неразрушающего… Читать ещё >

Изменения в поверхностном слое ионных кристаллов при электронном облучении (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ПАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ. II
  • I. I.Процесс ЗСД адсорбированных газов с металлической II поверхности
    • 1. 2. Десорбция с поверхности ионных кристаллов
    • 1. 3. Дальнейшее развитие представлений о механизме ЭСД
  • ГЛАВА II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
  • ВЫБОР ОБРАЗЦОВ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ
  • П.I.Описание экспериментальной установки
  • П.I.I.Вакуумные условия
  • П.I.2.Оже-спектрометр. 36 П. 1.3.Устройства для высокотемпературного просева образцов. 40 П. 1.4.Установка для спектрофотометрического анализа образцов
  • П. 2.Выбор объектов исследования
  • П. 2.1.Общие требования
  • П. 2.2.Электронное строение монокристаллов
  • П. 3.Методика эксперимента
  • ГЛАВА III. ОСНОВНЫЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ЭСД
  • Ш. 1.ЭСД с поверхности LiF. 62 Ш. I.I.Изменения, происходящие в Оже-спектре LiF при электронном облучении. 63 Ш. 1.2.Спектро$отометрический анализ кристалла Li Г облученного электронами
  • Ш. 1.3.Обсуждение результатов
  • Ш. 2.ЭСД с поверхности кристаллов Sl’Og и
  • Ш. 2.1.ЭСД с поверхности Si’O^
  • Ш. 2.2.ЭСД с поверхности А?20д. 80 Ш. 2.3.Обсуждение результатов
  • Ш. З.Электронная бомбардировка поверхности M
  • Ш. 3.1.Экспериментальные результаты
  • Ш. З.2.Обсуждение результатов
  • Ш. 4.Взаимодействие электронного пучка с поверхностью
  • S i С
  • Ш. 5.Обсуждение результатов
  • Ш. 5.1.Расчёт сечении ЭСД для исследованных веществ. 97 Ш. 5.2.Сопоставление полученных результатов с KFмоделью ЭСД
  • ГЛАВА 17. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭСД
    • 17. I.Глубина протекания ЭСД
      • 17. 1. 1. Экспериментальные результаты
  • I7.I.I.a). АР
    • 17. 1. 1. 6. ). S
      • 17. 1. 1. в).Слой Si02 на МдО. 105 17.1.2.Оценка глубины протекания ЭСД
      • 17. 1. 2. a). kiz 03. 109 17.1.2.б).Монокристалл Si02 и слой Si02 на MgO. 112 17.1.3.Обоснование методики расчёта $. 112 17Л.4.Механизмы разрушения ЩГК. Поверхностное и объёмное разрушение. ИЗ
      • 17. 1. 5. Высоко- и низкоэнергетичные Оже-пики LiF. И
      • 17. 1. 6. Спектрофотометрический анализ образцов
      • 17. 2. Зависимость ЭСД от энергии первичных электронов Ер. 116 17.2.I.Экспериментальные данные. 117 17.2.2.Обсуждение результатов
    • 1. У.2.2.а)Связь ЭСД с вероятностью ионизации остовных уровней
    • 1. У.2.2.6).Оже-каскады
    • 1. У.2.2.в).О возможности термодесорбции цри электронном облучении

    § 1У.З.Влияние углеродных включений на ЭСД. 126 1У.ЗЛ.Связь между количеством углерода на поверхности и эффективностью ЭСД. 127 1У.3.2.Изменение концентрации углерода на поверхности при ее облучении электронами. 131 1У.3.3.0бсуящение результатов.

    ГЛАВА V. РАССМОТРЕНИЕ КИНЕТИКИ аЯЖТРОННО-СТИМУЛИРОВАННОЙ ДЕСОРБЦИИ.

    §, УЛ. Сопоставление полученных результатов с КГ-моделью

    § У.2.Сравнительная характеристика MGR- и КГ-моделей

    § У.3.Построение диаграммы энергетических уровней аниона на поверхности.

    § У.4.Рассмотрение кинетики ЭСД.

    § У.5.Некоторые

    приложения кинетической модели ЭСД. 147 ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И

    ВЫВОДЫ.

Все более широкое использование ионизирующего облучения, и, в частности, электронного облучения в фундаментальных научных исследованиях, для усовершенствования старых и создания новых технологии, в различных приборах, приводит к необходимости глубокого изучения процессов, происходящих при взаимодействии облучения с твердым телом. Этим объясняется заметно возросший интерес к исследованиям по определению механизмов такого взаимодействия, к попыткам найти критерии радиационной стойкости материалов.

При облучении твердого тела электронами подпороговых энергий в его поверхностном слое могут происходить значительные изменения, связанные с десорбцией как частиц адсорбированных газов [l"2], так и отдельных компонент самой поверхности [l, 3j. Это явление носит название электронно-стимулированной десорбции (ЭСД).

Долгое время основным объектом для изучения закономерностей ЭСД была система металл-адсорбат. Накопленный для этой системы значительный экспериментальный материал позволил существенно расширить знания о структуре поверхности и о явлениях, происходящих на границе раздела газ-твердое тело [ 4 ], В последние годы все больший интерес исследователей привлекает ЭСД, связанная с деструкцией самих материалов, и, в частности, ионных кристаллов. Этот интерес, стимулированный все более широким использованием последних в электронной технике и технологии, связан с необходимостью глубокого изучения процессов, происходящих на их поверхности при взаимодействии с электронами низких энергий. Так, образование радиационных дефектов на поверхности и в объеме диэлектрических покрытий (UC€, N*CfcfMgO и др.), использующихся в запоминающих электронно-лучевых приборах, является основной причиной, ограничивающей срок их службы [5] .

По той же причине происходит деградация эмиссионных материалов, в состав которых входят окислы (Y^Oj, №ZQS) Г б J ¦

Знание механизмов подпорогового дефектообразования в диэлект рических слоях представляет интерес и для микроэлектроники, так как такие слои являются одним из наиболее ответственных элементов микросхем, и, во многих случаях, именно они определяют надежность приборов [73- Радиационная стойкость является также важной характеристикой материала, когда он взаимодействует с плаз мой или мощным световым излучением [ 8}. Для решения этих задач ведется поиск соединений с высокой радиационной устойчивостью, а также исследуются пути повышения стойкости к облучению уже использующихся материалов.

Особую актуальность изучение закономерностей ЭСД приобретает в связи с быстрым развитием методов электронной спектроскопии (Оже-спектроскопии, дифракции медленных электронов, спектроскопии характеристических потерь и др.), так как сам электронный зонд прибора в ряде случаев может привести к значительным изменениям состава и структуры поверхности. Поэтому возможность осуществления неразрушающего контроля соединений связана с правильным выбором экспериментальных параметров, в первую очередь таких, как плотность электронного пучка и его энергия. Однако было бы неверно рассматривать ЭСД лишь как нежелательное явление. Напротив, достоверное знание закономерностей ЭСД открывает возможности практического её использования в процессах твердотельного синтеза для решения таких задач, как локальная эпитак-сия и выращивание пленок в экстремальных условиях [7,9], а также для достижения предельных значений параметров пленок [ 10]. Так, при изучении процессов роста тонких металлических покрытий на облучённых электронами поверхностях ЩЕК было показано III], что определенным подбором параметров облучения можно добиться эштаксиального нарастания уже на стадии островковой пленки, При этом значительно уменьшается температура эпитаксии, а также может быть обеспечена локальность осадивши. Воздействие электронного пучка на структуру и свойства образующейся пленки идет, главным образом, через посредство точечных радиационных дефектов на поверхности 112 ] • Таким образом, разработка нетермических методов стимуляции процессов роста тонких пленок требует решения задачи дозированного внедрения дефектов в поверхностный слой вещества.

Изучение явления ЭСД представляет также чисто научный интерес как для физики твердого тела, так и для физики поверхности. Оно является источником уникальной информации, необходимой для определения механизмов взаимодействия электронного облучения с веществом, а также электронной структуры и строения поверхности.

В настоящей работе изучается процесс ЭСД с поверхностей ионных кристаллов: Si02″ «MgO, LiF и Si С .

Целью работы является определение закономерностей ЭСД и установление связи этих закономерностей с параметрами облучения (доза, энергия), а также с предысторией получения и обработки поверхности образца. Особое внимание уделяется изучению роли степени ионности соединения, которая предположительно является важным критерием радиационной стойкости вещества. На основании полученных данных сделана попытка дать более полное по сравнению с существующими моделями описание процесса ЭСД, для чего проведено рассмотрение кинетики десорбции частиц с поверхности.

Основным методом исследования ЭСД была выбрана электронная Оже-спектроскопия. В отличие от таких традиционных методов изучения ЭСД, как масс-спектрометрия и изучение распределения десорбирущихся частиц по энергиям и по углам, которые дают полную информацию о частицах, покидающих поверхность, метод ЭОС позволяет получить существенную информацию о процессах, протекающих при ЭСД, непосредственно на поверхности. Показано, что Оже-спектроскопия дает ряд преимуществ при исследовании процессов дефектообразования и по сравнению с методами спектрофотометрии, определения работы выхода и т. д. В частности, Оже-спектроскопия позволяет: а). Определять относительные изменения поверхностных концентраций элементовб). Идентифицировать элементы, находящиеся на поверхности, в частности, регистрировать появление и рост восстановленной фазы вещества при ЭСД анионной компоненты с поверхностив). Наблвдать перекрёстные Оже-пики в низкоэнергетичной (до 100 эВ) области спектра, предположительно непосредственно связанные с процессами разрушения поверхности. На основании анализа этих Оже-пиков можно оценить глубину протекания процесса ЭСД и рассмотреть химические сдвиги, происходящие при этом на поверхности.

Работа состоит из введения, пяти глав и выводов.

В первой главе приведен обзор экспериментальных и теоретических работ, посвященных исследованию ЭСД. Рассматриваются работы, относящиеся к исследованию десорбции как для системы металл-адсорбат, так и для поверхности ионных кристаллов. Основное внимание уделено анализу и сравнению моделей, позволяющих объяснить основные экспериментальные данные ЭСД для каждой из систем.

Во второй главе описаны экспериментальные установки для исследования процесса ЭСД методами электронной Оже-спектро-скопии и просвечивающей спектрофотометрии. Анализируются условия, позволяющие получить повторяемость и обеспечить достоверность экспериментальных данных. Весьма существенны требования, предъявляемые к выбору объектов исследования, в частности, они должш иметь интенсивные Оже-пшш, не пересекающиеся с Оже-пиками возможных загрязнений. Их электронная структура должна удовлетворять критериям KFмодели ЭСД, что необходимо для экспериментальной проверки последней. В связи с этим отдельный раздел посвящен выбору образцов, рассмотрению их свойств и электронной структуры. Глава завершается описанием методики эксперимента, дается обоснование использования методов Оже-спектроскопии и спектрофотометрии для исследования явления ЭСД.

В третьей главе представлены результаты экспериментов по исследованию основных закономерностей ЭСД с поверхностей монокристаллов 3iOa, ДВа03, М^О, LiF и Si С. Представлены дозовые зависимости интенсивноетей основных Оже-пиков, соответствующих элементам, входящим в состав монокристаллов. Показано, что на поверхностях SiOa, ilL^Oj и Li Г происходит восстановление катионной компоненты вещества, что является результатом ЭСД соответственно кислорода и фтора. Обсуждается согласие полученных данных с KF-моделыо.

ЭСД. Возможность полного восстановления катионной компоненты вещества на поверхности объясняется с помощью радиационно-стимулир ованной даффузии дефектов, образующихся при электронном облучении. Приводится расчет сечений ЭСД для исследованных веществ.

Четвертая глава посвящена исследованию ряда фундаментальных характеристик ЭСД, таких как глубина протекания, зависимость от энергии первичных электронов, связь с поверхностными включениш, ш. Глубина протекания ЭСД оценивалась на основании сравнительного анализа изменений амплитуд Оже-пиков, соответствующих различным энергиям. Обсуждается различие данных для окислов и для LF.

Исследуется зависимость сечения ЭСД от энергии падающего на образец электронного пучка. На основе изучения этой зависимости определены электронные переходы, непосредственно приводящие к разрушению образца, которыми являются перекрёстные Оже-переходы, происходящие при образовании дырки на верхнем остов-ном уровне катиона.

Отдельный раздел посвящен определению влияния поверхностных углеродных включений на процесс ЭСД. Показано, что присутствие на поверхности углерода может уменьшить скорость ЭСД на несколько порядков, вплоть до полной блокировки ЭСД. На основе КГ-модели дана интерпретация полученным результатам.

В пятой главе показано, что отдельные расхождения КГ-модели ЭСД с экспериментальными данными объясняются отсутствием рассмотрения в ней кинетики ухода десорбирующейся частицы с поверхности. С учётом явления релаксации поверхности построена диаграмма энергетических уровней ионизированных состояний аниона в кристаллической решетке, на основе которой рассмотрена кинетика явления ЭСД. Показана тесная связь закономерностей ЭСД со структурой и свойствами поверхности. Обоснована возможность использования ЭСД как метода для исследования структуры и свойств поверхности.

Выводы, приведенные в конце работы, позволяют судить о научной новизне и ценности работы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Показано, что метод электронной Оже-спектроскопии можно использовать для изучения ЭСД с поверхности ионных кристаллов, причем максимальный объем информации несут Оже-пики, лежащие в низкоэнергетичной части Оже-спектра. Рассмотрены основные преимущества метода ЭОС перед другими методами исследования ЭСД.

2. Обнаружено образование восстановленной фазы вещества на поверхности при ЭСД. Дано объяснение этому экспериментальному факту с помощью электронно-стимулированной диффузии дефектов.

3. Получены данные относительно радиационной стойкости ряда монокристаллов: Li Г, Si 02 f Mz 03, Мс] О и.

S i С. Показано, что сравнительная радиационная стойкость этих веществ не может быть полностью объяснена в рамках КР-модели.

4. С помощью метода ЭОС обнаружено, что глубина разрушения окислов электронами низких энергий не превышает 10 * о.

20 А, т. е. процесс ЭСД имеет существенно поверхностный характер.

5. Впервые получена зависимость сечения ЭСД от энергии бомбардирующих поверхность электронов для Si о, А1г Оз. На основании ее анализа сделан вывод о решающем вкладе низкоэнергетичных Оже-переходов в процесс разрушения поверхности.

6. Показано, что присутствие на поверхности исследуемых веществ углерода может решающим образом сказываться на скорости протекания ЭСД. Объяснены причины этого явления.

7. Изучены закономерности ЭСД в системе: тончайшая неск. А) плёнка Si02 на поверхности M (jO. Установлено, что их отличия от закономерностей ЭСД с поверхности монокристалла Si О? связаны с различной глубиной протекания процесса.

8. Показано, что дополнение КГ-модели ЭСД рассмотрением кинетики десорбирующейся с поверхности частицы даёт более полную картину явления ЭСД, что позволяет объяснить ряд экспериментальных фактов, непонятных в рамках KF-модели.

9. Создана сверхвысоковакуумная установка с миниатюрной камерой для спектрофотометрического анализа образцов.

В заключение я хотел бы выразить искреннюю признательность своему научному руководителю Елене Михайловне Дубининой за интересную тему исследования, за постоянное внимание к моей работе и исключительную доброжелательность. Я благодарен Сергею Сергеевичу Еловикову, оказывавшему мне большую помощь на всех этапах работы, и Альберту Станиславовичу Овся—ницкому за ценные практические советы, пригодившиеся мне при конструировании ряда узлов экспериментальной установки. Мне хочется поблагодарить Ольгу Раховскую за помощь в обработке результатов экспериментов. Я благодарен также всем сотрудникам лаборатории за прехфасные условия, в которых мне пришлось работать.

Мне бы хотелось также поблагодарить профессора Г. В. Спивака за ряд ценных замечаний, сделанных им при обсуждении рукописи. ¦

Показать весь текст

Список литературы

  1. Made у TS. and Vates J. F, Jr- «
  2. H.A. «Деструкция диэлектрических соединений под действием электронной бомбардировки», Зарубежная электронная техника, 1979 г., ЖЗ, стр. 3−48.
  3. Н.Н., Марин В. П., Капустин В. И. «Долговечность вторично-эмиссионных эффективных катодов», Электронная промышленность, 1983 г., Ж, стр. 16−21.
  4. В.Ф. «Микрометаллургия в мшдэоэлектронике», Москва, «Металлургия», 1978 г., 272 с.
  5. Э.Л. «Важнейшие задачи радиационной физики ионных кристаллов». В кн.: «Тезисы докладов на У Всесоюзном совещании по радиационной физике и химии ионных кристаллов», Рига, ИФ АН ЛатвССР, 1983 г., стр. 45.
  6. В.Ф. «Газофазная микрометаллургия полупроводников», Москва, «Металлургия», 1974 г., 189 с.
  7. В.Ф. «На рубеже тысячелетий», Москва, «Знание», 1982г.63 с.
  8. Г. Т., Еловиков С. С., Дубинина Е. М., Нетишенская Г. П., Шахурин Е. С. «Локализация тонких пленок металла при электронном облучении поверхности», Известия АН СССР, Сер. Физ., 1980 г., т. 44, №, стр. II89-II93.
  9. Lord D. G-, Prut ton М. '??ectrons and tAe ep’tax/af yro&t/L о/ on aCta-ft' /wЛc/es I /%vz Sof/d F/fms, 1. W47 V. M, A/sj?, p. W
  10. И no ten M.L. and Fe/Sedman PJ. «Ion desorpt/ол Sy Core- У обе Juger- DecayAys. пек tett. j tv. 40, //* p. …
  11. М., Макки Ч. «Химия поверхности раздела металл-газ», Москва, «Мир», 1981 г.
  12. Нос К J./. and /,/сА. tman P. feet поп. Stimulated Vesorption of
  13. Liu ZX., Uohirnon, Э. 'Studies о/ tAe Descrpf/or/ Median/sm о/ О~
  14. Covered Metaf Sar/aces Sttr/, Sc/, к2s>7−29y
  15. LiU Z.X. and L/C tit/nan P. » ??ectr-on Sf/mu fated de Sorption of and /t * /гот //tpdrogen. covered
  16. Tungsten. ' Surf. Sc/. } t9S3J к ^ p.
  17. Уи Miny Л. «06serya-tion of Posit/ye and APe^atii/e Oxygen ions during ePectron. rfomPardment of Oyyg&n.- Coheres/
  18. Mo (too) Surfaces/ PAys. Pev. S. t /979, K /9, л/s
  19. Woodruff D.P. Traum M.M.} Farrete P.U. et a.
  20. Pit о ton and ?€eetron- StimuPated Resorption /гот a Metae Surface/ PAys. Pew. /9S0 ,)/.?/, V* /Д, р. РШ-4Г
  21. Woodruff D.P., Jon son PP., Fraum M.M. et, а в
  22. Photon and Ciectron- St/mutated Resorption of
  23. AdsorSatee from IVЩ ' Риг/. Sci., /9*/, v. Щл/*/, 24. ttacj strum Н.Э. «Auger- ?fec.i ion of €?ectrons J-r от Tungsten Sy iPoB? e ?as Tons ' PAgs. Peu.^ //1. Иis A, p. 5~-335~.
  24. Antonietvi1c/i P.P. «Mode € for PCectro/i and PA о ton.-Stimu&ted l>esorpt/on, «PAys. fe* '9*°, 7*9, /о.З?//-Г.
  25. Franchy Q. j MenzeP V. «AdSorPate Core fo/i/gation as Primory Process in ?€ectron~ and PAofon- Si/mu fated Resorption from Metae Surfaces,» P7>yS 7Ьк /979,
  26. hi. 'Quantum ТА eor у of Seectron St/muPated Desorption / Z. Physii. 8, me, 7.43, a7?4, p. 36/-36*.
  27. ВевР CoAen MMt Comer /?. «Comment on -Quantum iAeory of ePectnon sfirm/fated c/eso/yot/on «Py I/ brenig ' Surf Ре/ 7 /976, v. 6/, л/е'Л, p.
  28. Ceinton U7. */PeneutrdC/Jatio/г in. ePectron -stimulated deso/y>tio/i ' Surf. Pci, i7, PP jp. 4 M6−799.30. «Электронная и ионная спектроскопия твердых тел» подред. Л. Фирмэнса, Дж. Вэнника-и В Декейсера, Москва, «Мир», 198
  29. SoAucA Р? Brenig к/. «Quantum theory of Seectr-on-St/mutated fiesorpt/pn. A/onadiaBat/c carre с-t/on s f J. PAps. Soc. Jap., 19Пг /. Я3 л/sg, p. M4-/9JO.
  30. Har? F. Freed «Quantum tAeorf of dynam/cs of6Sd, «Surf. Sc/, /9<МЛ у. Ш, p. 3S/-3J9.
  31. Ui$$in6oiham JG, ёаевоп Г Prutton M.3 etаб «Seed ran Stimu€ated pesorpt/on and Overage D/scuss/o/? .» Surf. Se/} f. *?¦/, J9?0J л/гЛ, p. 229−2FA.
  32. Town send P.P., Вгаъг/лд P., ?a??ant Д et, а в «Spa tt^r/np. Patterns artd Defect Forma t/nn in Авхае/ Pa Sides» Pad. Cffects., S9X, Y- St?, />. tt-бО.
  33. РкСтбегд P к/. and PAod/n FA/. 'Auger seectron Spectroscopy of fee A/eta € Surfaces* J. of A/>pe. ptys., /5ЙР, 1. И 39, f, p. J4JF ЗЛ.36. /"/'ел/77ans A,-, Venn/к J «LFFD study of tAe l/anadium Pen tox/d (oto) Surface ' Sarf. Sc/, /96f, к 9, p. У/t-t9t.
  34. F/ег-mans JL., Уеш’к J. «Part/сиfcrr d?? J? features on tie l/t оs- СGto) Surface and tAf/r Petat/on to the lEED-Beaa? Induced Frans/t/on ' Surf. Sc/,
  35. Lin T.T.} Lie At man A «Tie effects of SSeetron Son? Sard-meat of tAe surface comps/t/on of hffy 3 ox/d/^ed
  36. Та Joi? s / X of Appt. PAps., -t&/9, к /3°3
  37. Me &u/re … «Effects of Ton Spoutter/njp os? Se/*/'-Conductor- Surfaces sp. t30-/4t
  38. St/mutated tesorpf/on/ Surf. Sc/., /9*/, l//Hj //*J, p- 344−3*o.
  39. JC. «Bonds and bands di semiconductors/
  40. Acad. Press., New Уогс и Jondon, /973.
  41. Д.Ж. «Физика твёрдого состояния» М., «Металлургия», 1972, 488 с.
  42. Л. «Общая химия», Москва, «Наука», 1974г.
  43. Feiie€man P.J. ' Релейtгаe/zat/on SottPonect d? Auyer initiated 2>esorpt/on Surf. Sc/, W/, V. /OA,
  44. Pi an PP., Traum M.M., J. S. Praus, et, а в » ??ectran -and Photon Pt/mu fated degorpt/on of pos/t/ve /опз from ЛвкаР/ A/at/de surfaces/ Surf. Sci, 1983, v. m
  45. Qver&tjnder Ux) Szgmonsvy M, Par/лу A, ei a? «Pneryу Ъ/'stribut/on of Morns sputtered from Atuati PaPides iy S~40 elP Peectrons/ Pad. effects, -/978, v. 36, p. С3−7/.
  46. Товм M//., Pe€d/van P.C., Pruus TP. «Ppt/caP Pad/at/on from ?€eetrcn Pt/rnuPuted I/esar-pt/on of Porf/cPes ' PAys. Peir: /Lett. t /9#/f i/. p. /34- /37.
  47. P/on Т.Д., Traum M. M., JP Afrads, et ав «dependence of electron st/muPated de&orp t/on of Pyc/tedneutr-a? At/cae/es from J? ta?/ Рае/desf Surf. Sc7> /9*3, 7. /29лл/г й/з, p. P73- 5*0
  48. B.H., Джалилов С. Т. «Изучение взаимодействия кислорода с ниобием методом электронно-стимулированной десорбции», ЖТФ, т.47, вып.12 (1977), стр. 2540−2546.
  49. В.Н., 1убанов А.И., Джалилов С. Т. и Иванцов Л. Ф. «Изучение взаимодействия кислорода с танталом методом электронно-стимулированной десорбции», ЖТФ, т.46, вып.12 (1976), стр. 2600−2609.
  50. В.Н., Кузнецов Ю. А., Якшинский Б. В. «Электронно-стимулированная десорбция атомов цезия с окисленного вольфрама», ФГТ, 1982 г., т.24,)?2, стр. 349−355.
  51. M.L., Jones У. О., У/ctor Ре Ал «Proton- St/ти fotec/ desor/э tion ву core веуев exc/fat/on: dens/tf of states and extends, fine structures «Surf. Sc/. J -/9ft, у /ojz, />. Ш-tF.
  52. SaeyerR., Stohr J., MenzeS D, et d? «Photon- st/тава-ieol olesorpt/on j-оввоы/лд deep core-веуев exc/tat/on: 0 on Mo (400) — P/iys.Reu. B.} 49ft, v. 23, At* f, p. 2402-SO.
  53. XP. Cra/y, Jr «Compar/son of P^ and /t~ ?SD /гот t/yc/royen on PSat/nurffj ' $urf. Sc/, t$#3, и. tJp^ yy* /j p. i?5~- 1ft.
  54. С. «Химическая физика поверхности твёрдого тела'.' М.,"Мир», 1980, 488 с.
  55. М., Макки Ч. «Химия поверхности раздела металл газ» М.,"Мир», 1981, 539с.
  56. В.Ф., Крылов О. В. «Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках» М.,"Наука», 1979, 234 с.
  57. В.В. «Материалы электронной техники» М."Высшая школа», 1980, 406 с. 60, Фомичёв В. А. «Исследование энергетической структуры ht и А6а03 методом ультрадлинноволновой рентгеновской спектроскопии» ФТТ, 1966, т.8, В 10, с 2893—2899.
  58. В.В. «Энергия образования пары электрон-дырка в карбиде 1фемния при бомбардировке электронами с энергией до 10 кэВ» ФТП, 1975, Т.9, М, стр. 798−803.
  59. W. » Photo em/93/an from Ae, Ае£03 Р/втя in tAe. Vacuum 1/ttrau/oPet Peyio/i ' X AppP. Ptys., /969, v. 4 о ps />. /№ //39.
  60. CoBPourn P.A. Maewodt k/.C. «DpticaP /AermaP and potoron- eneryy Peve€s in d-Ae?03 *9 SoP. State Pbmmu/?^ /Щ V. 40, A/23, />¦ 263−26?.
  61. Citrin Pi/., Poae -PP., CP г/s imam P. «Infer-ato/77/'с Auyer transitions tn Ionic Compounds * PAys. Pet/. P. J /97^y. J4, л/° 6, P-264P- PP.
  62. PowaPczyx: PP} Mc PreePy Ftf., Pay/, etaP «PAe ePeyronie structure of PrPi03 and some S/mpPe rePvted gv/W
  63. MgO, Ae^Oz> Р/С, ПОЛ PoC. Ptate Соттипл /9//, л/-33 p./6/-/69,
  64. J)odd C. X, Geen XI. «Studies of CAem/caP Pond/ny 1/7 Pfasses Py X-ray Emission Spectroscopy «X of P/77. Ceram. Рос., /9/О, t/. PP? л/s? y p. 344 ~
  65. A-iiiy PC-, Be00/7? P. * Secondary e&ctro/? escape р?/Ъбя-¦Si-Cities X AppP PAys.^ ¦/&?
  66. Ausma/7 P.A.j /Ис /ест P. S. «P^eotr-on /юре parr area t/on eneryy in S/0? «P A/>pe. PAys. Pett^ у. ^ aAcPj p/73-/РР
  67. O.A., Лукинский А. П. «Исследование энергетической структуры Si и SiOz по спектрам испускания и поглощения в области ультрамягкого рентгеновского излучения» ФТТ, 1966, т.8,7, с 2137—2142.
  68. Criscom Z>. А. «ГАе Ceeatron/c Structure of S/Da, су review t? f recent spectroscopic a/id tAep/xe/zcuP wc/
  69. V-ances * X i/on. Cr#st. SoC.^ /&//, u., p. r-?34
  70. Roger А/. A/uAo} An upon? iif. «CPecd^nc с St rue. Аг/ле of
  71. S/'0>> и quarts and tAe tn/ваелсе о/ веса б d/son-a'en-^» Ptiys. Рек В., S9fp3 у. р. /&-е- АШ.
  72. Ш/вв/ат At. к/.j Arazau/a £.Т. «Opt/'ca€ properties о/ Stngfe Cnyst*e Ataynestvn? CHAde / AppS. PA^s.1. V. 3Spzis, p.73. «Таблицы физических величин» п/ред. Кикоина И. К., М., «Атом-издат», 1976, 1006 с.
  73. В.А., Зимкина Т. М., Жукова И. И. «Исследование энергетической структуры МдО методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии» ФТТ, 1968, т. 10, МО, с. 3073−3081.
  74. М. Л.^ tin Р. У., Рое ss вел P.M. and Matter hA. С. «tAftra-v/ofet Opt/сав Proper t/eg and Stectro/7/ с Sand SAractur-e of ttaynes/an? Or/de «PAys. Рек, к /ЛГ p. 99f- 996
  75. P/sAer- ?>¦№. «Ctem/caS SondAnp and юАелсе state /70/7umetaSs Adir Х- псу AnafyS/S p у. A3., p.
  76. Parson W. P. f Ara/catva kAiSA/ams Pt.hA. ' Areae proper ties of At у С and PfyPz tn tAe Sjrtre/ne tPStnay/ofet Region / T. Appf. PAys., S9A2? у 43, л/^ p. t6f/- /??
  77. Rear den XA. «X-ray ivavefengtA fey Atod. t96tj К 39, лА* А^ p. M-tS4.
  78. Roess Per Z>.AA.^ Ida в ten- Id C. * fSectron/c spectra/77 0/ CrysAoettne A/fA/drr? Ffuor/de * / A>Aps. fAe/n. So 6., S96t, x л/з. Att?-t5-/f
  79. F. »artrac- PoeP Bond Siruc-ture of AtjtaP/ Fluorides and Шог/des «PAys. Stat. PoP. В. з iffy и. dU, p. 163- m
  80. M.P. «Те Sis о/ С WD О metAod /or- tAe Pand Structure of crystatf/ne soP/ds: ifPa feu M/onз a/7 AftAium PPuoride) X PAys. C., p. iP-JD,
  81. В.И., Черепин В. Т. «Физические методы исследования поверхности твёрдых тел» М., «Наука», 1983, 296 с.
  82. В.Т., Васильев М. А. » Методы и приборы душ анализа поверхности материалов» Киев, «Наукова думка», 1982, 299 с.
  83. А.Х., Турмашев Э. «Эмиссия отрицательных ионов при электронно-стимулированной десорбции» ЖГФ, 1977, т.47, в.10, с 2216—2218.
  84. Том Send Р- ?>. з РеРРуХР. «Sfour Seec-iro/г Induced Defects U7 APautP/ Pa Pedes PAys., /. JPA^p. 13?- A39.
  85. To/cute to Ai., Prut ten /A/yy/nPoiAuw XP. anoi PuPPon TP «The (-/OO) Surfaces of M/zaP/ Pafrc/es. P Pfeci^on- Si//nu-Med DiSSociat/on / Pun-f. Sci.^ к /vjg^ p. jjf. jsj^
  86. A.M. «Теория дефектов в твёрдых телах» т.2, М., «Мир», 1978, 357 с.
  87. Ю.А. «Радиационно-стимулироваяные процессы коагуляции дефектов в ионных кристаллах». В: жн. «Тезисы докладов на У Всесоюзном совещании по радиационной физике и химии ионных кристаллов» Рига, ИФ АН ЛатвССР, 1983, с 126−129.
  88. Lord D3 СаСвоп РР «Auyer Pmission and Pofour Centres in AiP * Surf. Sc/ A9?3y x 36, и/^ p. 606−6J/
  89. Pa teen IF. A/a ttAew- I. A -P. «Аом- tneryy At/yen tw/ss/o/Lfrom A/P PA уз. Pat. Sot, i/.4t, л/ftj p. ЗАЗ-jf/,
  90. OSert/ A-, Atonot AtatA/ел P.f. eta A «Auyer 4/1 ct X-ray P ho to-e feet поп Spectroscopy 'of S/nafg Part/с fes * Surf. Sc/., t9ft, к to6, /А* t-3, p. 30/-го?.
  91. .Г. «Зарождение новой фазы при агрегации дефектов в ионных кристаллах». В кн. «Тезисы докладов на У Всесоюзном совещании по радиационной физике и химии ионных кристаллов», Рига, ИФ АН ЛатвССР, 1983, с 107.
  92. Turos At van der ktey У. Р } 2/$ ига/ Z> et ае «ё/алуе of Surface со/проs/t/on of tayers dur/'лу spaffer/n^ ' X Appt. Ptiys., S9?43 v. p.
  93. Atayu/# tf.M., /Аеевр P. «Cr/ter/a. fon- Sw^d/nesiA Induced Structures CAanyes tn A/on A/etatt/c sotrds* Pad. Sffects, t?/r y. л* / p. /-/^ .
  94. Per a. S/men ко АА.ЛА., Ise/tS/n Vast fret/ S. !A -t/on of fit Ce/itres dur/ny Ion Irrad/at/on of S/Ox tayers * PAyS. sta-t. Sof. A*-), A9SO, ^ ?? ^ p. tt.
  95. G. Абдукадырова И. Х. «Изучение процесса генерации и отжига радиационных дефектов в Аег03 «.В кн. «Тезисы докладов на У Всесоюзном совещании по радиационной физике и химии ионных 1фИСталлов», Рига, ИФ АН ЛатвССР, 1983, с 319-^320.
  96. В.Ф., Зырянов Г. К. «Температурная зависимость интенсивности 00-пучка ДМЭ от поверхности X среза d. -ФТТ, 1982, т.24, № 10, с 3164—3166.
  97. Satmeron А/.} 8а го A.M. » ?xper/men /а? OPseruaiions о/ CfiemicaP SA/fis СП Auyer Spectra*? /гот Surface layers of S/'Og dur/ny P? ectron Bombardment» Sw/. .&/ /&?, kJ^/^/яЗво
  98. Soimero/v M., Bar о P. M. J Pofo IM. «Tnterato/nic Auyer Process and tAe density of States * Surf. Sci 7 /9*51. V. РЗ, У* /, p. W-69*.
  99. Q it into ?>. T? fa Pert son hi. 2?. * Identification of Payer Ppectra, from P€ f Surf. Pc/, /97/, i/.JP, л/*3, p. ЫГ-64*.
  100. Sat?/пегon Pi.} BoroA.Ai., pofo I’M «Jn/era/om/c p-ans/t/ons and Pefayat/cn effects cn Auyer Spectra of Рег/eraP ?as AdQorfates on Pro/isit/on A/eta Ps f PAys. Pev.3., /9/6, к/З^/о^р^,
  101. ScAnridtaP PC/?us «Su/face flefecf Centers P/ud/ec/ Sy APS * Surf. Scij к//, р. ЫЗ-ГЗб.
  102. Us>g 8., §-сШег p p Рагл/еге P. з/udy of P/f/con ftcndiny P/ates Z) ur/ny Py/dat/on of €/Sa/ mc>3 V. 99, y* i 3 p. /03- ///.
  103. Coad I P. J S/sAop P.?3 P/y/ere f С. '/PPectren Peam> ase/'s-ted adsorpt/ on ел /Ле S/fPJ surf ace f P^rf. Sa- э1. V. Pi, J, p.
  104. SoHa. R3 Mop-tf/iez V., M. and Sacedon Т. А, «Structureof ihz. IniiiaC Sieges of Oxidation of AS Surfaces from lour- Srergy Stectron p/ffraction and Auger SSee. tron* Sped rose op у PAys. fieir. t9St} r. J4, /A*tJ, p? Pjt>-?935
  105. Са.гпоге. 3. and Аалу 8. * Л study с/ tAe eAaTytny and Dissociation с/ S/Q, surfaces fy APS * Surf. Sat ^ t9??, у 64, /V* t, p. JOf-JJJ.
  106. Batter f. A, Stur/v ST., /?t///7Cp P.3. «А/л fot s/onrazeML and cAt? racter/#at/o/7 of A/pA pur/йу AtyP e/ystafs j
  107. X Cryst. Pro&rtA., t9? t, y.S. л/J, p.
  108. Ber/nudez к At. J P>/tz к P., 'Uour S/7erpy Aug ел Tronstt/oъ in Magnesium Oxide «, Surf. Set t 9.117. 1гдд P.O., Prut ion. M, P/nn/4uryA C. «l??Z> i/udy of PtgO. I. Sxperiement / Z PAys. P., к л/**^ p. AS- 4*46.
  109. Me. Cu/ie P.C., U/ynftatt P. «Cate/un? s-eyreyat/ол т/о a Magnesium Pxtde ft&o) Sur/ace * о/ 4m. Ceram. Soc.^ 49S3, К 66, d*-*- p. //A Ptt.
  110. Уге/tteux M.} JAeyenartP. } C/rass&yne P. and At. (Paer/na^/ «Prec/p/tatiun. of Ataynes/um tn AtyO t/vpSant-ad -zw/tA Ид + ions «Sur/. 2с/.} t9
  111. Л.А., Зырянов Г. К., Бурханов А. Г. «Образование дефектов на поверхности S/C при бомбардщювке ионами Аг+(Ю0 -1000 эВ)» ЖТФ, 1978, т.48, $ 12, с 2584—2586.
  112. Н.В., Макаров В. В. «Допороговое дефектообразование при электронной бомбардировке карбида кремния» ФТП, 1981, т.15, в.8, с 1652—1655.
  113. B.C., Кив А.Е., Ниязова О. Р. «Механизмы образованияи миграции дефектов в полупроводниках» М.,"Наука», 1981,368 с.
  114. Кив А.Е., Соловьёв В. Н. «О механизмах радиационно-стимулиро-ванной диффузии в полупроводниках» ФТП, 1976, т.10, В 10, с.1984−1986.
  115. У. «Электронная структура и свойства твёрдых тел» т.2, М.,"Мир», 1983, 332 с.
  116. B.JI. «Новая гипотеза о механизме радиационно-стиму-лированных процессов» Письма в ЖТФ, 1979, т.5, в.8, с 489 492.
  117. Saidoh. И-7 Tour л зело/ Р. 7). «МеаЛап/Sms of Defeat Perm a. I ('on. pad. Pff, S97P, p.
  118. Pootey T). «P-centre proPuctio/L in aPraP/ AaP/a'es Py ¦efeztrpn-flbfe re с-отё/ nation and a gt/Pse$.ct&nt (Mo) hzpiacz/nent Je^uence.: о discussion of ePeetron Ao-fe rewmtcnah’on proc. Phys. Sec., к P7, аг^ p. JP^r-jte
  119. Iters P P.P. «Proposed eycitonic m-ecAa/i/'s/n of co&ur center for/natron a Pro Pi Aa€id-es «, Ptiys. P&K, S96?3 v. 149, p- 9J2'93&.131. «Практическая растровая электронная мпектроскопия» п/ред. Гоулдстейна Дж. иЯковицаХ., М. ,"Мир», 1978, 656 с.
  120. Н.А. «Механизм пульсирующего выделения продуктов радиолиза из облучаемых ионных соединений». В кн. «Тезисы докладов на У Всесоюзном совещании по физике и химии ионных кристаллов», Рига, ИФ АН ЛатвССР, 1983, с II6-II7.
  121. МНсКгее Р. к/. X Paige ?.?,?. «O/i ifte formation of So Soar-Ce-n ires d> Quartz Proc. PAys.Scc., v. 6?} fart At? AM В, p. 464- 464.
  122. Лее P.P., Cra&fond At., Jr «A a m/ne sconce of tAe p- c&nter tn sappAire PAys. Per. ?. > t9?% k. tff, p. 34 344t
  123. УРа^л.1'/if, P/eyer P. Vteetron ¦ impact cross Sections of tnrer sAeSSs, weas’ured Sy APS «PAys. Pey. A., t9?4, у. 3 p>-/&34-t93t.
  124. G-?itpe ^ pteASAorr P *A near /netAod /or measur/ny -electron impact ton/Ration cross see/-ens nr /ппел4Ae tSs / PAys. Aett., J96V' p. J?4
  125. Carts on T.A.f ШНе P., «Pea garment of tAe re Satireц nctarces una/ r^ooiS епелууpectra of /л c/p/яр/7t tons produced as tAe in/tint со/г sequences of JC-ray Ln-ieractco/i -urctA. SP3Tз MI and 2)1 j» JT tMe*?. PAys J9G6, У. PA, p. AS to. 4Г40.
  126. А.С., Кильк A.B. «Образование собственных дефектов в 1фисталлах МдО под действием рентгеновской радиации» ФТТ, 1975, т.17, в.2, с 607−609.
  127. М.А., Ниязова О. Р., Ниязов Х. Р. «Радиационные искажения в CdS «. В кн. «Радиационно-стимулированные процессы в твёрдых телах», Ташкент, ФАН, 1969, с 63−81.
  128. P/ii-i€ipg 1С. «Structure and Pnaf&r-t/es о/ Sem/cosra/uctor-Surfaces / tn 'PAys/cs of Sem/conductors. Proc. PP Ptt
  129. Co/if. Po/ve * Pome, p. t4−40.
  130. Э.С. «Эффект Оже» Ташкент, ФАН, 1969, 208 с.
  131. Л.С., Сорокин В. К. «Материаловедение в микроэлектронике» М., «Энергия», 1978, 279 с.
  132. Ver-u/ey Е.7.Ы. «A&ttice Structure of tAe free 3arf*ceof J? mP/ pa fide Crystals «/Fee. Tray. л?., v. ?5., л/* 9, у. 51/- W.
  133. В. «Структура шверхности и адсорбция». В кн. «Межфазовая граница. Газ твёрдое тело» п/ред. Флада, М.,"Мир», 1970, с 230−259.
  134. Мс Рае P.P. > C^edzuePe С. И/., Уг «PPser^tio/r о/ Mutiipte Scatter-/л $ Resonance? j?ects d? Pour Рлелру electron V/ffrac/io/r S/ud/'es Л/t7, ала/ /PrapA/ZeJ Sc/rf. Sc/ j /96/, I/.?, a/-' /,/>
  135. P/nn/4uryA C.&. «AAPED study of AtyO P/00): J. Theory at r/pr/nuf /Ре/dwe T. PAys. P, л/г
  136. At., кРаРкег Г. d., M/ePton- P/-P-Studies of tAe S/tuc/ures of {/*?>) Surfaces of
  137. V/l/ateAd Р/г-tae fr/a/es / Surf. иЖ, /i/j>/-3,/>.9S-/ost
  138. Т. «Фотоэлектронная и Оже-спектроскопия» Л., «Машиностроение», 1981, 431 с.
  139. PeiSePman Р. 7' «Репе и /г/) Рг’ха tro/L РоРР/'ел^с^ Ал J-uyer Jr/tt?Lte.d P-esorp/гоп / P"rf. Рс/ /9Р/^ и Р* J/5, р. Л, РУ-РЗ.
  140. Г., Юн К. «Поверхностная энергия и поверхностное натяжение кристаллических твёрдых тел», В кн."Межфазовая граница. Газ твёрдое тело», М., «Мир», 1970, с 173−229.151. «Справочник химика» т.1, М.-Л.ГХИ, 1962, 1071 с.
  141. Е.С., Дубинина Е. М., Раховская О. В. «Электронно-стимулированная десорбция с поверхности можифисталлов Лв203 ,$/'0л и МдО «. В кн. «Тезисы оригинальных докладов Всесоюзной школы по физике поверхности», Черноголовка, ОИХФ АН СССР, 1983, сбб.
  142. Е.С., Еловиков С. С., Дубинина Е. М. «Электронно-стимулированная десорбция с поверхности диэлектрических монокристаллов» ВАНТ, сер. ФРП и РМ, 1983, в. З /26/, С64−67.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!