Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Комплекс методик для исследования оптическими методами тонкопленочных структур, материалов и элементов оптики

Диссертация: Комплекс методик для исследования оптическими методами тонкопленочных структур, материалов и элементов оптики
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В первую очередь, оптические методы используются для определения толщины пленок, которая является мерой количества вещества. Характеристикой данного вещества являются фундаментальные оптические постоянные: показатели преломления и коэффициенты поглощения. Наряду с этим возможности оптических методов позволяют исследовать и особенности тонкопленочных структур, связанные с их строением. Такими… Читать ещё >

Комплекс методик для исследования оптическими методами тонкопленочных структур, материалов и элементов оптики (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Аналитический обзор
  • 1. Исследование тонкопленочных структур в приближении оптической 26 модели однослойной пленки
    • 1. 1. Использование интерференционных полос для доказательства 26 равенства показателей преломления диэлектрических пленок и иммерсионных жидкостей
    • 1. 2. Сравнение показателей преломления диэлектрических пленок и 35 иммерсионных жидкостей с помощью интерференционных полос
    • 1. 3. Измерение показателей преломления и толщины пленок поли- 38 кристаллического кремния
    • 1. 4. Измерение показателей преломления ультратонких (до 5 нм) ди- 45 электрических пленок на полупроводниковых подложках
    • 1. 5. Прецизионное определение показателей преломления диэлектри- 55 ческих пленок
    • 1. 6. Определение толщины и показателя преломления диэлектриче- 60 ского слоя, находящегося под слоем другого диэлектрика
    • 1. 7. Определение оптических постоянных кристаллов кубической 62 сингонии
    • 1. 8. Оценка чисел переноса ионов при анодном оксидировании полу- 71 проводников
    • 1. 9. Оценка растворения образующегося оксида во время анодного 76 оксидирования полупроводников
  • Выводы по разделу
  • 2. Исследование тонкопленочных структур и поверхности материалов 82 при использований, сложных оптических моделей. Систематизация особенностей тонкопленочных структур
    • 2. 1. Простая модель. Формулы, описывающие простую модель
    • 2. 2. Клиновидность пленок
    • 2. 3. Поглощение света в пленке
    • 2. 4. Плавное изменение показателя преломления пленки от её толщи- 110 ны и послойное строение пленки
    • 2. 5. Анизотропия пленок. Анизотропия образцов
    • 2. 6. Шероховатость границы пленка — среда
    • 2. 7. Несплошность пленок
    • 2. 8. Переходный слой между пленой и подложкой
    • 2. 9. Нарушенный слой на поверхности подложки
    • 2. 10. Шероховатость поверхности подложки и границы раздела плен- 208 ка — подложка
    • 2. 11. Анизотропия подложек и изменение показателя преломления 214 подложки перпендикулярно её поверхности
  • Выводы по разделу
  • 3. Определение механических напряжений в системе пленка — подлож- 227 ка оптическими методами
    • 3. 1. Используемый метод
    • 3. 2. Прибор для измерения кривизны пластин
    • 3. 3. Измерения при варьировании температуры образца
    • 3. 4. Результаты экспериментов по определению механических на- 232 пряжений между пленкой и подложкой
    • 3. 5. Призменный интерферометр
  • Выводы по разделу
  • 4. Исследование массивных материалов и оптической элементной базы 246 оптическими методами
    • 4. 1. Измерение показателей преломления методом призм
    • 4. 2. Определение оптических параметров материала плоскопарал- 256 лельных пластин
    • 4. 3. Изучение стекла ТФ
    • 4. 4. Исследование компенсатора к ЛЭФ — ЗМ
    • 4. 5. Обследование поверхности кристаллов трибората лития
  • Выводы по разделу

Под материалом будем подразумевать вещество в твердой фазе, находящееся в виде порошка, керамики, стекла, полиили монокристалла, толстой или тонкой пленки. «Толстыми» называют такие пленки, которые получаются из порошка путем нанесения на подложку суспензии или пасты с последующими Ф сушкой и отжигом. В этом случае исходный материал порошка в пленке не претерпевает существенных изменений и она называется «толстой» независимо от её толщины. «Тонкой» называется пленка, получаемая путем контролируемого взаимодействия с подложкой атомов, молекул, ионов при использовании физических, химических или электрохимических методов. В таких процессах материал пленки формируется путем элементарных актов на атомном, молекулярном, ионном уровнях. Под оптической элементной базой или элементами оптики в данной работе подразумеваются детали из стекла или кристаллов, применяемые в оптических приборах.

Для характеризации материалов используются оптические методы, некоторые из них являются неразрушающими, не требуют специальной подготовки ¦ образца и его свойства не меняются после исследования. Исследование оптическими методами при использовании излучения в видимом диапазоне спектра поверхностей тонкопленочных структур и материалов, применяемых в микроэлектронной, оптоэлектронной и оптической промышленности, зачастую происходит в виде текущего контроля между технологическими операциями. Именно на этих производствах большинство материалов используется в виде пленок.

В первую очередь, оптические методы используются для определения толщины пленок, которая является мерой количества вещества. Характеристикой данного вещества являются фундаментальные оптические постоянные: показатели преломления и коэффициенты поглощения. Наряду с этим возможности оптических методов позволяют исследовать и особенности тонкопленочных структур, связанные с их строением. Такими особенностями могут быть оптическая анизотропия пленок и подложек, клиновидность пленок, вариация показателей преломления пленки по её площади и толщине. Оптические методы позволяют изучать и реальное строение пленок, поскольку эти пленки могут состоять из отдельных колонн, зёрен, в них могут быть поры, пузырьки газа, час-^ тицы металла или полупроводникового материала, в отдельных местах пленки могут быть закристаллизованы. При исследовании гладких поверхностей материалов и оптических деталей из стекла и кристаллов эти методы используются для определения плоскостности, шероховатости, наличия измененного по сравнению с массивом поверхностного слоя.

Интерес к тонкопленочным структурам на кремнии начал появляться с 60-х годов. Вначале наибольшие усилия были предприняты для исследования термических пленок диоксида кремния на кремнии. Тогда для нахождения по-ф казателей преломления пленок и их толщины стал использоваться метод эллипсометрии. Использовались оптические модели однослойных пленок и расчёты проводились по формулам Эйри и Френеля. В рамках этой модели и используемых методик не могли быть решены задачи по определению показателей преломления ультратонких (до 5 нм) пленок и прецизионному определению показателей преломления пленок с толщиной порядка 100 нм.

В дальнейшем много внимания уделялось анодному оксидированию полупроводниковых соединений с целью получения границы раздела диэлектрик-полупроводник с такими же параметрами, как у системы SiCVSi. С одной стороны, оказалось, что отсутствуют оптические методики, позволяющие изучать механизм анодного оксидирования, а, с другой стороны, для анодных оксидных пленок с толщиной более 100 нм расчёты по однослойной модели не совпадали с экспериментальными данными. Обоснованный выбор оптической модели может быть проведен только при систематическом изучении особенностей тонкопленочных структур и поверхности материалов. Исследование образцов с такими особенностями может быть проведено только тогда, когда в арсенале исследователя имеются расчётные модели и методики изучения особенностей.

В 80-ые годы отсутствовали методики измерения продольных механических напряжений в системе пленка — подложка при изменении температуры образцов. До последнего времени отсутствовали методики неразрушающего обнаружения на поверхности оптической элементной базы заполированных царапин.

Таким образом, на период постановки настоящей работы были известны оптические методики, с помощью которых проводили измерения толщины пленок, в основном, при применении однослойной модели. Такие измерения использовались, как правило, для исследования кинетики получения пленок. С помощью оптических методик проводились также измерения механических напряжений в системе пленка — подложка при комнатных температурах. В этой связи тема диссертации является актуальной, поскольку в ней основное внимание уделено систематизации особенностей тонкопленочных структур, поверхности материалов, разработке новых и совершенствованию известных методик изучения этих объектов как в предположении правомочности однослойной модели, так и в условиях существования отклонений от однослойной модели, связанных со строением системы пленка — подложка.

Цель настоящей диссертации — разработка комплекса новых и совершенствование известных методик для исследования оптическими методами более широкого класса тонкопленочных структур, материалов, элементов оптики при использовании моделей, характеризующих их строение.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

— разработать на основе однослойной модели в эллипсометрии методики определения показателей преломления ультратонких пленокпрецизионного измерения показателей преломления пленокопределения толщины и показателей преломления диэлектрических пленок, находящихся под слоем другого диэлектрикаустановления величин оптических постоянных изотропных телоценки чисел переноса ионов и доли растворенной пленки во время анодного оксидирования полупроводников;

— создать комплекс методик для систематизации особенностей тонкопленочных структур и поверхности материалов на основе экспериментальных данных;

— разработать методики для определения механических напряжений в системе пленка-подложка при изменении температуры образца;

— разработать методики для обнаружения на поверхности элементов оптики заполированных царапин и нарушенного обработкой слоя;

— внедрить разработанные методики в практику исследования тонкопле-" ночных структур, поверхности материалов и элементов оптики в Институте неорганической химии СО РАН и в других организациях.

Научная новизна диссертации состоит в следующем:

1. Впервые использованы иммерсионные жидкости для создания новых и совершенствования известных методик определения показателей преломления диэлектрическим пленок интерференционным и эллипсометрическим методами. Такие методики позволили достоверно находить профиль показателя преломления непоглощающих пленок, определять показатели преломления ультратонких (до 5 нм) пленок, прецизионно измерять показатели преломления пленок с погрешностью 8п = ±3−1 (И, а также находить толщину и показатели пре.

Ф ломления пленки диэлектриков, находящейся под слоем другого диэлектрика, и определять величины оптических констант подложек.

2. Разработаны новые методики изучения механизма анодного оксидирования полупроводников, позволившие измерять параметры переходного слоя между пленой и подложкой, дать оценку числам переноса ионов, а также доли пленки, растворяющейся в прианодном слое электролита во время оксидирования.

3. Впервые проведена систематизация особенностей тонкопленочных структур и поверхности материалов, основанная на экспериментальных данных. Среди этих особенностей — клиновидность пленки, поглощение света, изменение показателя преломления и коэффициента поглощения по толщине, шероховатость границ раздела пленки со средой и подложкой, несплошность пленки (колончатость, зернистость, включения, поры) и её оптическая анизотропия, переходный слой между пленкой и подложкой, нарушенный механической, плазменной обработками или ионной имплантацией поверхностный слой подложки, анизотропия подложки и изменение показателя преломления подложки перпендикулярно её поверхности. Предложены методики и подходы для.

• исследования указанных характеристик, и на примерах показано, что при их использовании возможно снизить уровень «ошибок выбора модели».

4. Для изучения оптической анизотропии предложена ранее не существовавшая методика поиска модели анизотропии образца, которая позволяет определить положение оптических осей относительно плоскости образца, а при исследовании поверхности материалов и оптической элементной базы — наличие заполированных царапин.

Предложена новая методика определения слабой оптической анизотро-^ пии на основе юстировки азимутальных шкал поляризующих элементов эллипсометра.

Впервые для определения наличия нарушенного слоя на поверхности кристаллов кубической сингонии и аморфных тел использован эффект наведенной оптической анизотропии.

5. Предложен новый подход к решению обратной задачи в оптике анизотропных сред. В этом методе минимизируются целевые функции, составленные из рассчитанных и экспериментально определенных углов гашения поляризатора и компенсатора (или поляризатора и анализатора) в зависимости от положений оптических осей соответственно анализатора или компенсатора. Получены выражения для вычисления углов гашения поляризатора, компенсатора и анализатора в зависимости от матрицы отражения образца. Такой подход исключает необходимость экспериментального определения коэффициентов матрицы отражения.

6. Создан прибор для измерения кривизны полированных поверхностей. С помощью такого прибора впервые измерена температура сегнетоэлектриче-ского фазового перехода по изменению продольных механических напряжений.

Практическая значимость результатов работы заключается в разработке апробированных комплекса методик, приборов и приспособлений, позволивших расширить возможности экспериментального исследования тонкопленочных структур, материалов, элементов оптики и получить новые знания о строении этих объектов. С их помощью решены следующие задачи:

1. Изучены пленки нитридов, карбидов и оксидов кремния, оксидов титана, железа, циркония, сульфидов цинка и кадмия, анодных оксидов на полупроводниковых соединениях, А ЪВ3, А2В6, безметалльных фталоцианинов, фтало-цианинов меди, цинка и алюминия, силсесквиоксанов, летучих комплексных соединений. Изучена также кинетика термического оксидирования плёнок нитрида кремния при использовании методики оптического удаления верхнего слоя. Проведены прецизионные измерения показателей преломления плёнок, полученных термическим оксидированием кремния.

2. Измерены показатели преломления антимонида индия, фосфида индия, арсенидов галлия и индия, твердых растворов соединений А2В6, сульфида лантана, вольфраматов редких земель, трибората лития, стёкол в системе сульфид лантана — оксид галлия, исследован нарушенный слой на поверхности кремниевых пластин.

3. Разработана методика определения механических напряжений в системе пленка — подложка при изменении температуры образца, с помощью этой методики находится температура сегнетоэлектрического фазового перехода. В данной методике используются разработанный прибор для измерения кривизны и макет призменного интерферометра.

Отмеченные задачи вытекали непосредственно из тематики исследований Института неорганической химии СО РАН и других организаций.

Разработанные методики, приборы и приспособления используются в Институте физики полупроводников СО РАН, ОКБ Новосибирского завода полупроводниковых приборов (г. Новосибирск), НИИ Прикладной физики (г. Москва), Конструкторско-технологическом институте монокристаллов при Объединенном институте геологии, геофизики и минералогии им. А. А. Трофимука СО РАН (г. Новосибирск). Практическая значимость результатов работы подтверждается 7 актами о внедрении.

Работа выполнялась по проекту ГНТП 7 060 070 «Элементоорганические соединения для тонкопленочных технологических материалов электронной техники» (государственный регистрационный номер 01.960.10 468) — по научно — исследовательской программе СО РАН 10.2.1.3. «Физико — химия материалов электронной техники, включая высокотемпературные сверхпроводники" — планам НИР Института неорганической химии СО АН СССР «Разработка физико-химических .основ создания материалов и структур интегральной техники (микроэлектроника, оптоэлектроника)" — 2.21.1.8. «Развитие теории и совершенствование методов роста эпитаксиальных, полупроводниковых, оптических пленок» (государственный регистрационный номер 1 814 012 — 154) — 2.21.1.7. «Разработка способов получения диэлектрических слоев при низких температурах, изучение их химического состава и оптических свойств для целей синтеза многослойных твердотельных структур" — 2.21.118.» «Разработка методов получения и исследования пленочных и нитевидных материалов и многослойных структур на основе полупроводниковых соединений сложного состава» (государственный регистрационный номер 1 860 108 832) — 2.21.1.9. «Методы низкотемпературного плазмохимического синтеза диэлектрических слоев» (государственный регистрационный номер 1 860 108 832) — 12.2.1.4. «Разработка методов получения, исследования пленочных материалов и многослойных структур» (государственный регистрационный номер 18 601 008 832) — по планам Института неорганической химии СО РАН 10.6.3. «Развитие оптических методов исследования систем полупроводниковая подложка — диэлектрическая пленка, технологических сред и материалов" — 29.2.1.2. «Синтез, исследование атомной и электронной структуры, физико-химических свойств и превращений координационных элементоорганических соединений — молекулярных предшественников в процессе получения неорганических материалов" — 3.3.1. «Изучение свойств тонких диэлектрических, полупроводниковых, металлических, сверхпроводящих пленок на гладких изотропных подложках оптическими методами».

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Результаты систематизации особенностей тонкопленочных структур и поверхности материалов, определяемых их строением. Новые методики для изучения профиля показателя преломления, анизотропии пленок, параметров переходного слоя между пленкой и подложкой, нарушенного механической и плазменной обработками поверхностного слоя подложки. Экспериментальные результаты, полученные с помощью разработанных методик.

2. Комплекс экспериментальных методик для исследования механизма получения тонкопленочных структур на основе приближения оптической модели однослойной пленки. Экспериментальные результаты, полученные с помощью этих методик.

3. Способ определения продольных механических напряжений в системе пленка — подложка при изменении температуры образца. Оптические схемы и конструкция приборов, используемых для определения кривизны полированных пластин. Экспериментальные результаты, полученные с помощью этих приборов.

4. Метод решения обратной задачи в оптике анизотропных сред.

Личный вклад.

Личный вклад автора заключается в формулировке задач, поиске способов их решения, экспериментальной апробации разработанных методик, создании новых приборов и приспособлении и обработке результатов наблюдений. Большинство опубликованных работ написаны лично автором. На отдельных этапах работы в ней приняли участие Э. Д. Журавлева, И. Г. Лукьянова, Н. П. Сысоева, Л. Ф. Бахтурова, И. В. Юшина.

Апробация работы Основные результаты работы доложены и обсуждены на IX научной конференции ИНХ, 1972 г.- Всесоюзной конференции по физике диэлектриков, Ленинград, 1973; Симпозиуме по методам подготовки сложных объектов и анализе элекронномикроскопических изображений, Петрозаводск, 1976; I-IV конференциях по эллипсометрии, 1980, 1983, 1987, 1990, НовосибирскIII Сибирском аналитическом семинаре, Новосибирск, 1981; VI Всесоюзном совещании «Применение металл органических соединений для получения неорганических материалов и покрытий», Нижний Новгород, 1991; VIII Всесоюзной конференции по росту кристаллов, Харьков, 1992; VI Черняевском совещании по химии, анализу и технологии платиновых металлов, Москва, 1993; Международной конференции по использованию синхротронного излучения «СИ-94», Новосибирск, 1994; Международной конференции по люминесценции, Москва, 1994; 36th Electronic Materials Conference, USA. 1994; III Международном семинаре по новым материалам, Улан-Удэ, 1995; Международной конференции по d-элементам, Франция, 1997; The third M.V. Mokhosoev memorial international seminar on new materials, Irkutsk, 1996; Совещаниях по оптоэлектронным приборам, 1989, 1990, Москва- 5th IUMRS International conference in Asia, Banglalore, India, 1998; 4th International Conference on Actual Problems of Electronic Instrument Engineering Proceedings APEIE, Novosibirsk, 1998; Third АРАМ Topical Seminar Asian priorities in materials developments, Novosibirsk, 1999; Twelfth European conference on chemical vapor deposition, Spain, 1999; IV Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск, 1999; Химия твердого тела и функциональные материалы, Новосибирск- 2000, III KoreaRussia international symposium on science and technology, 2000.

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 67 научных работ, в том числе глава 3 в монографии И. Р. Шелпаковой, И. Г. Юделевича, Б. М. Аюпова «Послойный анализ материалов электронной техники» (Новосибирск, Наука, 1984 г.), получено 2 авторских свидетельства СССР и 2 патента РФ.

Объекты и методы исследования Объектами исследования являются плёнки диоксида, оксида, нитрида, карбида кремния, сульфидов цинка, меди, европия и самария, фталоцианинов меди, цинка, безметалльного фталоцианина, аморфного кремния, титанатов бария, стронция на подложках из кварцевых и боросиликатных стёкол, кремния, германия, арсенида галлия, арсенида и антимонида индиястёкла из сульфидов РЗЭ с элементами других групп таблицы Менделеева, кристаллы вольфраматов и молибдатов РЗЭ, пентабората лития. Выбор объектов исследования определялся научной тематикой Института и организаций, с которыми поддерживались научные контакты.

При выполнении исследований использованы методы интерферометрии, фотометрии, спектрофотометрии, эллипсометрии, геометрической оптики, оптической микроскопии.

Структура и объём диссертации. Работа состоит из введения, четырёх разделов, материалов внедрения и списка цитируемых работ. Она содержит 306 страниц текста, включающие 84 рисунка, 30 таблиц, библиографию из 488 наименований.

Выводы по разделу 4.

1.Проведена модификация гониометра ГС-5, заключающаяся в установке вместо коллиматора и зрительной трубы двух держателей оптических деталей с источником света.

Источником света в приборе служит гелий-неоновый лазер ЛГ-208Б. Кроме лазера в держателе, устанавливаемом вместо коллиматора, имеется ещё четыре места для установки оптических деталей. Поскольку способы крепления к корпусу у штатных и нештатных сборок одинаковы, то чаще всего после отражения от образца положение луча света находилось с помощью зрительной трубы. На держателе, устанавливаемом вместо зрительной трубы, предусмотрено крепление линейки приёмников.

С помощью модифицированного гониометра возможно определение углов малых призм, проведение по методу наименьшего отклонения показателей преломления этих призм. Использование полой призмы позволяет определять показатели преломления жидкостей объёмом 0,1 мл, при этом нет ограничений на величину этих показателей преломления.

При установке после лазера двулучепреломляющей призмы луч света раздваивается и тогда возможно, после отражения двух лучей от поверхности, определять радиусы кривизны этой поверхности.

На модифицированном гониометре можно изучать и дифференциальное рассеяние света, отраженного от шероховатых поверхностей.

2. Для определения дисперсии показателя преломления материала призм изготовлена приставка к рефрактометру PR-2 VEB Carl Zeiss Jena.

Приставка представляет собой основание, повторяющее по размерам и конфигурации закрепляемую часть кювет прибора. На основании укреплена стойка, в которой находится держатель призмы. Держатель призмы может быть повернут в горизонтальном и вертикальном направлениях. Для точной юстировки призмы использовалось штатное приспособление прибора. Юстировка заключалась в установке выходной грани призмы перпендикулярно оси зрительной трубы при нулевых показаниях её шкал. После измерения угла преломления расчёт показателей преломления проводился методом итераций или с помощью номограмм, построенных для данного угла призмы.

С помощью этой методики измерены показатели преломления кварцевого стекла и найдено, что расхождение с литературными данными не превышает ±0,0002. Были определены показатели преломления призм из стёкол на основе сульфида лантана и оксида галлия в видимом диапазоне спектра. Углы призм измерялись на модифицированном гониометре ГС-5. Наибольший измеренный показатель преломления равен 2,2398 ± 0,0002 для X = 435,8 нм. ф. 3. Определены показатели преломления тонких (порядка 800 мкм) плоскопараллельных пластин методом эллипсометрии на отражение.

Для таких тонких пластин найдено, что параметры поляризации отраженного света зависят от показателя преломления жидкости, соприкасающейся с нижней стороной пластины. Расчет показателей преломления материала проводился по модели границы двух сред. Сделан вывод о возможности линейной экстраполяции получаемых таким образом показателей преломления материала пластин до их пересечения с линией равных показателей преломления иммерсионных жидкостей и пластин.

Измерены показатели преломления молибдата калий — лантана. Они оказались равными показателям преломления, измеренным на этом же мате.

3t риале иммерсионным методом, в котором использовались высокопреломляющие иммерсионные жидкости, а совпадение показателя преломления иммерсионной жидкости и материала призмы фиксировалось по полоскам Бек-ке.

4. На плоскопараллельных пластинах соединений состава MLn (W04)2, где М — К, RbLn — Nd, Gd, Er, Y, методами спектрофотометрии и эллипсометрии определены показатели преломления, дисперсия показателей преломления, ширина запрещённой зоны.

Оптическая ширина запрещенной зоны находилась с помощью имеющихся моделей. Показано, что подходящая модель может быть найдена из эксперимента путем перебора имеющихся моделей.

Методами эллипсометрии и спектрофотометрии исследованы плоскопараллельные пластины из стекла ТФ-110. В видимой области спектра найдены зависимости показателей преломления и коэффициентов поглощения от длины волны. Решение обратной задачи в эллипсометрии по моделям однослойной и двухслойной пленок даёт практически одинаковые результаты. Расхождение между экспериментально определенными и вычисленными по двум моделям параметрам поляризации отраженного света одинаково и равно ±05'. На поверхности стекла имеет место наведённая анизотропия, но заполированных царапин на этой поверхности не наблюдается.

5. Исследована поверхность компенсатора, использованного в оптической схеме эллипсометра.

Поскольку толщина компенсатора равна 1 мм, то эллипсометрические исследования проводились с применением иммерсионных жидкостей, нивелирующих отражение от нижней стороны пластины. При исследовании ани.

3 зотропии поверхности при изменении полярного угла образца от 0° до 360° с шагом 20° оказалось, что имеет место разброс экспериментальных углов гашения поляризатора и компенсатора, значительно превышающий случайные погрешности определения. Находились углы гашения поляризатора при положении оптической оси анализатора в плоскости падения и плоскости образца при изменении полярного угла образца в диапазоне 20° с шагом 2°. Найдено, что при таком изменении полярного угла на значениях углов гашения поляризатора имеются максимумы и минимумы и что эти максимумы и минимумы для разных положений анализатора коррелированы. Из такого эксперимента следует, что на поверхностикомпенсатора имеется большое количество заполированных царапин.

6. Исследован нарушенный механической обработкой слой на поверхности трибората лития.

Методом решения обратной задачи в эллипсометрии по двухслойной модели показано, что даже при оптимальной обработке пленка естественного оксида, состоящая предположительно из оксида бора, не исчезает.

Заключение

.

В диссертации разработан комплекс новых методик для проведения исследований тонкопленочных структуры и поверхности материалов оптическими методами в видимой и ближней инфракрасной области спектра. Получены следующие научные результаты.

1. Разработаны методики определения показателей преломления диэлектрических пленок (на подложках) для интерферометрии и эллипсометрии при использовании иммерсионных жидкостей. В интерферометрии равенство показателей преломления иммерсионных жидкостей и диэлектрических пленок фиксируется по нулевому сдвигу интерференционных полос, а в эллипсометрии такое равенство достигается при таком показателе преломления иммерсионной жидкости, при котором параметры поляризации отраженного света не зависят от толщины пленок. Впервые измерены показатели преломления пленок диоксида кремния на кремнии со случайной погрешностью §-п = ±3−10″ 4, что существенно ниже случайной погрешности определения показателей преломления диэлектрических пленок (§ n = ± 2-Ю-2) без использования иммерсионных жидкостей.

В отличие от известных методик, определение показателей преломления ультратонких (от 3 до 5 нм) диэлектрических пленок проведены без контроля оптических постоянных подложки.

Получены новые данные о кинетике термического оксидирования пленок нитрида кремния на кремнии.

2. В предположении однослойной модели разработаны методики а) для изучения механизма анодного оксидирования полупроводников, позволившие определить числа переноса ионов, степень растворимости пленки приповерхностным слоем электролита, профиль распределения показателя преломления по толщине пленки, параметры переходного слоя между пленкой и подложкой и б) для определения оптических констант моноатомных полупроводников, полупроводниковых соединений AinBv, AnBVI и твердых растворов на их основе.

3. Проведена основанная на экспериментальных данных систематизация особенностей тонкопленочных структур, поверхности материалов, элементов оптики, передающих строение этих объектов. Показано, что такая систематизация позволяет выбирать более адекватные строению образца оптические модели, учитывающие клиновидность пленки, поглощение света в ней, изменение показателя преломления и коэффициента поглощения по её толщине, шероховатость границ пленки со средой и подложкой, несплошности пленки (колончатость, зернистость, включения, поры) и её оптическую анизотропию, переходный слой между пленкой и подложкой, нарушенный механической, плазменной обработками или ионной имплантацией поверхностный слой подложки, анизотропию подложки, распределение показателя преломления в поверхностном слое подложки. Разработан ряд методик и подходов для изучения этих особенностей.

4. Предложен метод решения обратных задач в оптике анизотропных сред, исключающий, в отличие от известных методов, необходимость экспериментального определения недиагональных коэффициентов матрицы отражения. При решении обратных задач предложено проводить сравнение углов гашения поляризующих элементов эллипсометра, полученных экспериментальным и расчетным путями.

5. Разработаны методики определения наличия нарушенного слоя на поверхности кристаллов кубической сингонии или аморфных тел, использующие как изменение оптических постоянных поверхностного слоя, так и наличие наведённой оптической анизотропии. Определены параметры нарушенного слоя на поверхности пластин монокристаллического кремния, прошедших химико-механическую обработку, полировку алмазным порошком, полировку субмикропорошком из ультрадисперсных алмазов, химико-механическую обработку с последующим травлением в смеси кислот. Зафиксировано наличие наведенной анизотропии на поверхности кварцевого стекла после обработки в плазме.

6. Для реализации комплекса предложенных методик и проведения измерений показателей преломления высокопреломляющих стекол, толщины и показателей преломления пленок поликристаллического кремния, механических напряжений в системе пленка — подложка в зависимости от температуры создан ряд приборов, приспособлений и приставок. Среди них прибор для измерения кривизны полированных пластин, призменный интерферометр, приспособление для измерения показателей преломления твердых тел на рефрактометре PR-2, приставки зеркатьного отражения для спектрофотометров uv-vis и 61 NIR Specord. В частности, прибор для измерения кривизны позволяет проводить измерения выгнутых и вогнутых поверхностей, обладающих радиусами кривизны от 1 м до 1500 м, со случайной погрешностью в одну интерференционную полосу при температурах от 100 до 600 К. Кроме того, модифицирован гониометр ГС-5, позволивший провести измерения показателей преломления малых призм и радиусы кривизны полированных поверхностей.

Впервые в пленках титаната бария-стронция сегнетоэлектрический фазовый переход обнаружен по изменению механических напряжений в системе пленка — подложка.

7. Показаны возможности применения разработанных методик, приборов и приспособлений для определения наличия нарушенного слоя и заполированных царапин на поверхности оптических компонент.

Таким образом, в диссертации поставлена и решена сложная научно-техническая задача разработки комплекса оптических методик для изучения тонко пленочных структур и поверхности материалов. Использование иммерсионных жидкостей в эллипсометрии и интерферометрии позволило провести уникальные измерения профиля показателей преломления в тонких пленках, прецизионного измерения показателей преломления пленок, установить оптические постоянные изотропных тел. Созданы методики для изучения механизма анодного оксидирования полупроводников. Создан комплекс методик для исследования особенностей тонкопленочных структур и поверхности материалов. Изготовлены приборы для измерения механических напряжений в системе пленка — подложка при изменении температуры. При изучении пленок титаната бария-стронция впервые сегнетоэлектрический фазовый переход обнаружен по изменению механических напряжений.

Разработанные методики и накопленный опыт их применения имеют важное научное и прикладное значение для оптики тонких пленок и поверхности материалов и могут быть использованы при проведении более широкого круга научных и прикладных исследований, а также в промышленных оптической и полупроводниковой технологиях.

Это дает основание считать, что в данной диссертации изложены научно обоснованные технические решения, внедрение которых вносит значительный вклад в экономику страны и повышение её обороноспособности.

Работа по теме диссертации выполнена в Институте неорганической химии Сибирского отделения Академии наук. Автор считает своим долгом выразить искреннею благодарность Журавлевой Э. Д., Лукьяновой И. Г., Сысоевой Н. П., Бахтуровой Л. Ф., Юшиной И. В. за помощь в проведении экспериментовТитовой Е.Ф. и к. ф.-м. н. Титову А. А. за помощь в создании компьютерных программ для решения прямых и обратных задач, д.х.н. Васильевой И. Г., Прохоровой С. А., к.х.н. Павлюку А. А., к.х.н. Белому В. И., Журавлеву В. Н., к.х.н. Яковкиной Л. В. за предоставление образцов для исследованийд.х.н. Смирновой Т. П., д.х.н. Колесову Б. А. за обсуждение результатов диссертацииаспиранту Борисову В. О. за помощь в работе.

Материалы о внедрении результатов диссертации.

В этой части работы представлены заверенные копии актов о внедрении методик, приспособлений и результатов измерений. Внедрены:

1. Методика измерения толщины и показателя преломления нитрида кремния в системе Si-Si3N4-Si02. (ИФП СО АН СССР — 16.05.1978 г.).

2. Методика измерения толщины и показателя преломления нитрида кремния в системе кремний-нитрид кремния — двуокись кремния (ОКБ при.

Ш НЗПП-09.06.1978 г.).

3.1. Методика эллипсометрического измерения оптических констант полупроводников с помощью химического удаления естественного окисного слоя.

3.2. Методика измерения толщины и показателя преломления нитрида кремния в системе Si-Si3N4-Si02.

3.3. Приставка для снятия спектров многократного нарушенного полного внутреннего отражения (МНПВО) для спектрометра UR-20. (п/я А-3726 — 13.12. 1982 г.).

4. Методика определения толщины и показателей преломления слоев на кремнии по модели однослойного диэлектрика (п/я А-7638 — 20.02.1986 г.).

ЭГ 5. Методика измерения толщины и показателей преломления диэлектрических пленок на подложках из InSb, InAs, InP, GaAs (п/я A-3726−13.12.1982).

6. Методика измерения на эллипсометре параметров поляризации света, отраженного от системы «антимонид индия — переходный слой» под слоем двуокиси кремния (ИФП СО АН СССР — 17.12.1981 г.).

7. Результаты измерения параметров нарушенного механической обработкой слоя поверхности монокристаллов (КТИ монокристаллов СО РАН —.

14.12.2001 г.) k.

I’l.

7 т ^.

СО АН СССР. кий Б.И.

Е Р I Д, А Ю $Мго ИФП СО АН СССР о ж т * 1-ч|о?рреспондент АН СССР асйА.В. •¦

1978года.

АКТ О ВНЕДРЕНИИ МЕТОДИКИ ИЗifEРЕНИЯ ТОЖИНЫ И ПОКАЗАТЕЛЯ ПРЕЛОМЛЕНИЯ НИТРИДА КРЕМНИЯ В СИСТЕМЕ Si ~ Sc3/Vv ~ SiOx .

Мы, заведующий лабораторией ИНХ СО АН СССР кх.н. Белый В. И. и старший научный сотрудник к.х.н. Смирнова Т. П. с одной стороныли заведующий лабораторией ИФП СО АН СССР к.х.н. Репинский С. М. и старший научный. сотрудник Васильева Л. В. с другой стороны, составили настоящий акт в том, что: методика измерения толщины и пека-зателя преломления нитрида кремния в системе «кремний-нитрид кремниядвуокись кремния», разработанная сотрудниками ИНХ СО АН СССР к.т.н. Аюповым БЛ., Сысоевой Н. П. и Храмовой Л. В., внедрена в практику работы лаборатории физико-химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик ИФП СО АН СССР.

Внедренная методика позволяет более достоверно проводить измерения в системе «кремний-нитрид кремния-двуокись кремния» .я.

Завлабораторией ИНХ СО АН СССР к.х.н. Белый В.И.

Ст.научн.сотр. ИНХ СО АН СССР к.х.н. Смирнова Т.П.

Завлабораторией ИФП СО АН СССР к.х.н. Репинский С.М.

СХЛвл^г ^.

Ст.научн.сотр. ИФП СО АН СССР к.х.н. Васильева Л.В.

НО '.

JU¦ и• ди рея. тира JtioA. jj лд джй, дрофе с cop Пещевицкий Б. И., J.

1978 г.

А К.

УТВЕЕШЮ Главный инженер ОКБ.

АЮ.Е.Хропов.

V9 -и-Ж.

1978 г. о внедрении методики измерения. толщины и показателя преломления нитрида кремния в системе кремний-нитрид кремния-двуокись кремния.

Мы, заведующий лаборатории диэлектрических слоев ИНХ СО АН СССР к^хжБелый В-Ии ст-научный сотрудник ИНХ СО АН СССР, к. х-н. Смирнова Т.П." с одной стороны, и? о.-нач.сектора 4 ОКБ объединения «Изомер» Кузовкина Л.И.' и ст. инженер ОКБ объединения «Изомер» Луценко Г. Н. с другой стороны, составили настоящий акт о том, что методика измерения толщины и показателя преломления нитрида кремния в системе кремнийнитрид кремния-двуокись крмения эллин с оме трич е ски с помощью оптического удаления верхнего слоя двуокиси кремния, разработанная сотрудниками ИНХ е.т.н.Аюповым Б. М., Сысоевой Н. П. и Храмовой Л. В., внедрена в практику работы ОКБ объединения «Изомер» .

Внедренная методика существенно облегчила работу по определению оптических констант пленок нитрида кремния, покрытых слоем двуокиси крмения, позволила сделать измерения в этой системе более достоверными;

Работа по разработке методики была выполнена в ИНХ СО АН СССР согласно хоздоговора J! 23−77 по теме «Исследование влияния материала затвора и кремниевой подложки на совершенства и стабильность МОП-структур.'» .

Зав" -лабдиэлектриче ских слоев ИНХ, к.х.н. Ст.и.с .ИНХ, к.х.н. И.о.нач.сектора 4 ОКБ объединения «Изомер» Ст. инженер ОКБ объединения «Изомер» А.

Белый В. И. Смирнова Т.П.

КузовкинаЛ.И. Луценко Г. Н. лКопия ое? иа /f) /? г/ ¦

УТВЩДАр" .

Зам. директора ЙНХ СО АН СССР (:••• /^^^|й)еотот)апрвдприятия д. х/нХи^.

АЗузнсцов Г-.¦• {/М В.СЛебедев.

Vl982 г. Vv^/'-:*-/^" '' 1982 г. о внедрении резулмдайурзйрэдадж. лаборатории ИНХ СОАНХСССР на^"д% Копия, ве-йп приятии п/я А-3726. X^ra^p^l «аииеадже*.

Мы, заведующий лабораторией ИНХ СОАЯ СССР к.х.н. Белый B. U и старший научный сотрудник к.х.н. Смирнова Т. П. с одной стороны и нач. отдела д.т.н. Таубкин И. И. и начальник лаборатории Хохлов Ю. С. с другой стороны составили настоящий акт в том, что следующие ре-91' зультаты работ лаборатории ИНХ СОАН СССР внедрены в практику работы лаборатории $ 94 п/я А-3726:

1. Методика эллипсометрического измерения оптических констант полупроводников с помощью химического удаления естественного окисного слоя, разработанная сотрудниками ИНХ СОАН СССР к.т.н. Актовым Б. М. и Сысоевой Н.П.

Методика позволяет достоверно определять оптические констранты ^ гладких образцов полупроводников без нарушенного слоя. Знание оптических констант необходимо для эллипсометрического измерения толптин пленок, нанесенных на полупроводник.

2. Методика измерения-толщины и показателя преломления нитрида кремния в системе, разработанная сотрудниками ИНХ С-САН СССР к.х.н. Аюповым Б. М., Сысоевой Н. П. и Титовым А.А.

Внедрение методики поззоляет существенно упростить изме-. рения двухслойной структуры путем сведения её к однословной и !| обеспечивает возможность проведения измерений толщины и показателя преломления в системе.

3. Сконструированной приставки для снятия спектров многократного нарушенного полного внутреннего отражения (ЫНПВО), разработанная I сотрудниками ИНХ СОАН СССР Храмовой Л. В., Сысоевой Н. П. и к.т.н. Аюповым Б. М. для спектрометра 1Ш — 20. Разработанная приставка позволит снимать спктры ЫНПВО на призмах из кремния в области 5000−2000 см~*, по которым, в частности, можно судить о концентрации связей s S-.-N-к и = Sr-Н в нитриде креммия.

Знание концентрации этих связей необходимо для подбора оптимальных режимов получения пленок нитрида креиыия с требуемыми свойствами.

Зав.лаборатории ИНХ СОАН СССР Нач. отдела предприятия к.х.н. Ща^ъехм З.И. гп д/гл Ст. научный соттэуттнитг «-Г7 //л /1. — ~.

Ру риятия w — S) Г 1УЦ0Г. и.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Просветление оптики / И. В. Гребенщиков, А. Г. Власов, Б. С. Непорент, Н. В. Суйковская — М.: Гостехиздат, 1946. — 213 с.
  2. Щ 2. Heavens О. S. Optical properties of thin solid films. London: Butterworths scient. publ., 1955. — 261 p.
  3. M., Борн Э. Основы оптики. M.: Наука. 1973. 855 с.
  4. С. Тонкие пленки, их изготовление и измерение. -М.-Л.: Гос-энергоиздат, 1963. С. 187.
  5. P.P. Эллипсометрия в микроэлектронике. -М.: Радио и связь, 1983. -120 с.
  6. В.А., Занин С. Ж. Толщина и химический состав пленок // Технология тонких пленок. М.: Сов. радио, 1977. — Т.2 — С. 176 -245.
  7. Ю.И. Эллипсометрия. Воронеж: Изд- во Воронеж, ун-та, 1971, -130 с.
  8. М.М. Эллипсометрия. М.: Сов. радио, 1974. — 200 с.
  9. А.В. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур. М.: Сов. Радио, 1975. — 175 с.
  10. Л. Нанесение тонких пленок в вакууме. М.: Госэнергоиздат, 1963.- 608 с. 1. Основы эллипсометрии / А. В. Ржанов, К. К. Свиташев, А. И. Семененко, Л. В. Семененко, В. К. Соколов Новосибирск: Наука, 1979. — 383 с.
  11. Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, • 1981.-583 с.
  12. Chopra K.L., Kaur I. Thin film device applications. New — York, London: Plenum Press, 1993.-300 p.
  13. Р.Д., Вепард В. Б. Измерение толщины пленок на прозрачных подложках методом фотоэлектрического детектирования интерференционных полос // Приборы для науч. исследований. 1974. — № 1. — С. 18−20.
  14. Bauer G. Zur Dickenbestimmung dunner durchsichter Kristallschichten // Ann. d. Physik. 1931. — B. 8, H. 1.-S.7−46.
  15. P. Измерение толщины окисла // Основы технологии кремниевых ^ интегральных схем. Т. 1. Окисление, диффузия, эпитаксия. М., 1969. — С. 85- 109.
  16. Benjamin G.R., Booker С.Е. Measurement of thickness and refractive index of oxide films on silicon // J. Electrochem. Soc. 1962. — V. 109, no. 12. — P. 1206 -1212.
  17. С.А., Гладких O.M., Гаштольд B.H. Об определении показателя преломления тонких прозрачных пленок нитрида кремния методом интерфе1.ренции // Электрон, техника. Сер. 5. 1968. — Вып. 2 (10). — С. 105−106.
  18. В.Б. Рефрактометрические методы химии. Л.: ГНТХЛ, 1960.383 с.
  19. Baily A.J., Kay S.M. Measurement of a refractive index and dispersion of the glide using of the interference multiply-layer technique // Brit. J. Appl. Phys. -1965.-V. 16.-P. 39−41.
  20. Secrist D.R., Mackenzie J.D. Microwave discharge deposition of oxide films at low temperature // Am. Ceram. Soc. Bull. 1966. — V. 45, no. 9. — P. 784−788.
  21. В.Д., Пилин Ю. Г. Метод измерения показателя преломления и толщины тонких прозрачных пленок // ПТЭ. 1966. — № 6. — С. 164 — 166.
  22. И.М., Булышев Ю. С., Синицкий В. В. Оптический способ измерения толщины прозрачных и полупрозрачных пленок // ПТЭ. 1982. — № 2. -С. 195.
  23. В.К., Рязанов А. Н. Измерение толщины тонких прозрачных пленок при помощи интерферометра типа МИИ 4 // Измерит, техника. -1974.-№ 4.-С. 43−45.
  24. Измерение толщины изолирующего слоя окиси кремния кремниевых структур с диэлектрической изоляцией / С. Н. Столяров, В. М. Трохин, Н.М. Вин-ников и др. // Измерит, техника. 1983. — № 5. — С.30 — 32.
  25. М.М. Фотометрия (теория, методы и приборы). Л.: Энергоатомиз-дат, 1983.-269 с.
  26. Dobierzewska Mozrzymas Е., Lewanowicz S., Mozrzymas J. A method for determining optical constants of thin films // Acta Phys. pol. — 1972. — V. A41, no. 3. P. 251 -253.
  27. Pliskin W.A., Conrad E.E. Nondestructive determination of thickness and refractive index of transparent film // IBM J. Res. Develop. 1964. — V. 8, no. 1. — P. 43 -45.
  28. Junker D.W. Digital evolution of the complex index of refraction from reflectance data // J. Opt. Soc. Am. 1965. — V. 55, no. — 3. P. 295 — 299.
  29. Hunderi O. New method for accurate determination of optical constants // Appl. Opt. 1972. — V. 11, no. 7. — P. 1572 — 1578.
  30. Pliskin W.A., Esch R.P. Refractive index of Si02 film grown on silicon // J. Appl. Phys. 1965. — V. 36, no. 6. — P. 2011 — 2013.
  31. Goodman A.M. Optical interference method for the approximate determination of refractive index and thickness of a transparent layer // Appl. Opt. 1978. — V. 17, no. 17.-P. 2779−2787.
  32. Corl E.A., Wimpheimer H. Thickness measurement of silicon dioxide layers by ultra violet visible interference method // Solid- State Electronics. — 1964. — V. 7, no. 10. P.-755−761.
  33. Reisman F. Optical thickness measurement of thin transparent films on silicon // J. Appl. Phys. 1965. — V. 36, no. 12. — P. 3804 — 3807.
  34. Е.И. К теории измерений коэффициентов отражения светорассеи-вающих материалов на спектрофотометрах типа СФ 18 // ОМП. — 1990. — № 4.-С. 24−27.
  35. Е.И., Войшвилло Н. А. Уменьшение погрешности измерений коэффициентов отражения светорассеивающих материалов на спектрофотометрах типа СФ 18 // ОМП. — 1987. — № 2. — С. 9 — 12.
  36. А.С. Оптика шероховатой поверхности. Л.: Машиностроение, 1988.-82 с.
  37. Bermet Н.Е. Selected characterization techniques for optical thin films and surfaces // Proc. Soc. Photo- Opt. Instrum. Eng. 1983. — V. 387. — P. 131 — 137.
  38. El-Nahass M.M., Soliman H.S., Kadry N. E1. et al. A new computational method for determining the optical constants and its application for CuInS2 thin iflms // J. Mat. Sci. Lett. 1988. — V. 7, no. 10. — P. 1050 — 1053.
  39. Hansen W.N. Optical characterization of thin films: Theory // J. Opt. Soc. Am. -1973. V. 63, no. 7. — P. 793 — 802.
  40. Dobrowolski J. A., Ho F.C., Waldorf A. Determination of optical constants of thin film coating materials based on inverse synthesis // Appl. Opt. 1983. — V. 22, no. 20.-P. 3191 -3200.
  41. Minkov D.A. Errors made in computation of the optical constants of a thin dielectric layer from the envelopes of the reflection spectrum at inclined incidence of the light// Optik. 1991. — V. 87, no.4. — P. 137 — 140.
  42. M.A., Конюхов Г. П., Несмелое E.A. Метод определения оптических постоянных и толщин диэлектрических пленок //Оптика и спектроскопия. -1969. Т. 26, вып. 2. — С. 301 — 303.
  43. Claussen В.Н., Flower М. An investigation of the optical properties and growth of oxide films on silicon // J. Electrochem. Soc. 1963. — V. 110, no. 9. — P. 983 -987.
  44. Claussen B.H. An ellipsometer investigation of vapor adsorption on etched silicon // J. Electrochem. Soc. 1964. — V. Ill, no. 6. — P. 646 -652.
  45. B.H., Мацас Е. П., Снитко О. В. Определение оптических констант реальной поверхности антимонида индия // ОМП. 1980. — № 3. — С 44 — 47.
  46. So S.S., Vedam К. Optical constants of silicon at 5461 A // J. Opt. Soc. Am. -1972. V. 62, no. 4. — P. 596 — 598.
  47. Arwin H., Aspnes D.E. Nondestructive analysis of HgixCdxTe (x = 0.00, 0.20, 0.29 and 1.00) by spectroscopic ellipsometry // J. Vac. Sci. Technol. 1984. — V. A2, no. 3. — P. 1316- 1326.
  48. Beattie J.R., Conn G.K.T. Optical constants of metals in infra red. Principles of measurements // Phil. Mag. — 1955. — V. 46, no. 373. — P. 225 — 234.
  49. Beattie J.R. Optical constants of metals in the infra red. Experimental methods. // Phil. Mag. — 1955. — V. 46, no. 373. — P. 235 -245.
  50. Heavens O.S., Liddell H.M. Influence of absorption on measurement of refractive index of films // Appl. Opt. 1965. — V. 4, no. 5. — P. 629 — 630.
  51. Saxena A.N. Changes in the phase and amplitude of polarized light reflected from a film covered surface and their relations with thickness // J. Opt. Soc. Am. 1965. -V. 55, no. 9. — P. 1061 -1067.
  52. Ф.А., Свербиль П. П., Селезнев B.H. Показатель преломления сверхтонких слоев Si02, полученных высокочастотным плазменным распылением // Краткие сообщения по физике. 1979. — № 4. — С. 3 — 6.
  53. Chang М., Gibson U.J. Optical constants determinations of thin films by a random search method // Appl. Opt. 1985. — V. 24, no. 4. — P. 504 — 507.
  54. De Smet D.J., Ord J.L. Analysis of ellipsometric data in electrochemical systems using the simplex algorithm // J. Electrochem. Soc. 1989. — V. 138, no. 10. — P. 2841 -2845.
  55. Э.Е. Аналитическое решение обратной задачи эллипсометрии при моделировании однослойной отражающей системы. // Оптика и спектроскопия. 1987. — Т. 62, вып. 4. — С. 840 — 844.
  56. Автоматическая эллипсометрия как средство неразрушающего контроля в молекулярной эпитаксии / А. В. Архипенко, Ю. А. Блюмкина, М. А. Ламин и др. // Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск, 1987. — С. 127−129.
  57. Jellison G.E., Modine F.A. Optical constants for silicon at 300 and 10 К determined from 1.64 to 4.73 eV by ellipsometry // J. Appl. Phys. 1982. — V. 53, no. 5. -P. 3745 -3753.
  58. Bienenstock A., Winick H. Synchrotron radiation research an overview // Physics Today. — 1983. — V. 31, no. 6. — P. 34 — 38.
  59. H.H. Радиоволновые эллипсометрические приборы для неразрушающего контроля // Эллипсометрия. Теория, метод, приложения. Новосибирск, 1991. — С. 162 -170.
  60. Mori K., Korke U., Knappe B. et al Optical properties of sputtered Fe203 films // Thin Solid Films. 1979. — V. 60, no. 1. — P. 49 — 53.
  61. Strong R.L., Smith P.B. Ellipsometric studies of low temperature metalorganic chemical vapor deposited ZnS thin films // J. Vac. Sci. Technol. — 1980. — V. 8, no. 3. — P. 1544- 1548.
  62. M.H., Зорин 3.M., Перешанцева В. П. Эллипсометрическое исследование оптически полированной поверхности меди // Поверхность. Физика, химия, механика. 1985. — № 2. — С. 132 — 138.
  63. Jacobsson R. Light reflection from films of continuously varying refractive index // Progress in optics Amsterdam: Holland Publ. Сотр., 1966. — V. 4. — P. 249 -286.
  64. Pulker H.K., Jung E. Correlation between film structure and sorption behavior of vapor deposited ZnS, cryolite and MgF2 films // Thin Solid Films. 1972. — V. 9, no. l.-P. 57−66.
  65. Harris M., MacLeod H.A., Ogura S. et al The relationship between optical inho-mogeneity and film structure // Thin Solid Films. 1979. — V. 57, no. 1. — P. 173 -178.
  66. Ким Ч.С., Путилин Э. С. Формирование толщины слоев вакуумным испарением // Опт. журн. 1998. — Т. 65, № 10. — С. 108 — 112.
  67. Иванов Омский В. И., Криворотое И. Н., Ястребов С. Г. Алмазоподобный гидрогенезированный углерод, легированный медью: спектральная интерферометрия // ЖТФ. — 1995. — Т. 65, вып. 9. — С. 121 — 135.
  68. EIRaleb Н., Cella N., Roger J.P. et al Beam size and collimation effects in spectroscopic ellipsometry of transparent films with optical thickness inhomogeneity // Thin Solid Films. 1996. — V. 288, no. 1 — 2. — P. 125 — 131.
  69. Cescato L., Frejlich J. Roughness evaluation for thin films // Appl. Opt. 1979. -V. 18, no.l.-P. 4186−1487.
  70. Grigorovichi R., Stoica Т., Vancu A. Evaluation of the optical constants and thickness of weakly absorbing non-uniform thin films //Thin solid films. 1982. -V. 97, no. 2.-P. 173−185.
  71. Torok M.J. Effect of non-uniform layer thickness on the interference structure of optical transmittance //Acta phys. et chem. Szeged. 1983. — V. 29, no. 3 -4. — P. 103−111.
  72. Beauchamp W.T., Rancourt J.D. Refractive index measurements of moderately reflecting substrates using a wedged film technique // Appl. Opt. — 1980. — V. 19, no. 18.-P. 3239−3244.
  73. Burdick D.L.Optical constants of AS2S2 by a wedged film technique // US Dep. Commer. Nat. Bur. Stand. Spec. Publ. — 1977, no. 509. — P. 362 — 357.
  74. А.П. Отражение света от поглощающих сред. Минск: Изд-во АН Белорусской ССР, 1963. — 430 с.
  75. И.М., Велибкая Е. Л., Золотарев В. М., Капиталова В. М. Определение оптических констант поглощающего неоднородного слоя по спектрам отражения // Оптика и спектроскопия. 1985. — Т. 58, вып. 3. — С. 689 — 693.
  76. Elizalde Е., Rueda F. On the determination of the optical constants n (X) and a (X) of thin supported films // Thin Solid Films. 1984. — V. 122, no. 3. — P. 45 — 57.
  77. Abu Zied M.E., Rakhshani A.E. Al — Jasser A.A., Youssef Y.A. Determination of the thickness and refractive index of CU2O thin film using thermal and optical interferometry // phys. stat. sol. (a). — 1986. — V. 93, no. 2. — P. 613 — 620.
  78. Peng С. H., Desu S.B. Modified envelope method for obtaining optical properties of weakly absorbing thin films and its application to thin films of Pb (Zr, Ti)03 solid solution // J. Am. Ceram. Soc. 1994. — V. 77, no. 4. — P. 929 — 938.
  79. Kushev D.B., Zheleva N.N., Demakopoulou Y., Siapkas D. A new method for the determination of the thickness, the optical constants and relaxation time of weakly absorbing semiconducting thin film // Infrared Phys. 1986. — V. 26, no. 6. — P. 385 -393.
  80. Jin S.- Z., Tang J. -F. Measurement of weak absorption in optical thin films // Appl. Opt. 1987. — V. 26, no. 12. — P. 2407 — 2409.
  81. Temple P.A. Measurement of thin film optical absorption at the film — substrate interface // Appl. Phys. Lett. — 1979. — V. 34, no. 10. — P. 677 — 679.
  82. Ф., Парравичини Дж. П. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах. М.: Наука, 1982. — 391 с.
  83. Hishikawa Y., Nakamura N., Tsuba S. et al. Interference free determination of the optical absorption coefficient and the optical gap of amorphous silicon thin films // Japan. J. Appl. Phys. — 1991. — V. 30, no. 5. — P. 2008 — 2014.
  84. O.M., Бордун И. М. Дисперсия света и краевое поглощение тонкихпленок Y203 // ЖПС. 1997. — Т. 64, № 5. — С. 651 — 654.
  85. Szezyrbowski J., Dietrich A., Hoffmann Н. Optical properties of RF sputtered indium oxide films // phys. stat. sol. (a). — 1982. — V. 69, no. 2. — P. 217 — 226.
  86. Ravindra N.M., Ance C., Ferraton J.P. et al. Refractive index dependence on optical gap in amorphous silicon. Part 2. Si prepared by chemical vapor deposition // Infrared Phys. — 1983. — V. 23, no. 4. — P. 223 — 232.
  87. Bjorneklett A., Borg A., Hunderi O., Julsrud S. Optical properties of Y Ba — Cu -O, and ellipsometric study // Solid — State Comm. — 1988. — V. 67, no. 5. — P. 525 -527.
  88. Ren S. L, Wang Y., Rao A.M. et al. Ellipsometric determination of the optical constants of Ceo (Buckminsterfullerene) films // Appl. Phys. Lett. 1991. — V. 59, no. 21.-P. 2678−2680.
  89. Tabata A., Kuno Y., Suznoki Y., Mizutani T. Properties of hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared by a separately exited plasma CVD method // J. Phys. D: Appl. Phys. 1997. — V. 30, no. 2. — P. 194 — 201.
  90. Gille P., Herrmann K.H., Puhlmann N. et al. Eg versus x relation from photolumi-nescence and electron microprobe investigations in p type HgixCdxTe (0.35 < x < 0.7) // J. Cryst. Growth. — 1988. — V.86, no. 1 — 4. — P. 593 — 598.
  91. Elkorashy A.M. Temperature dependence of two -dimensional optical energy gap for germanium selenide single crystals // phys. stat. sol. (a). 1988. — V. 146, no. 1. -P. 279−285.
  92. T.A., Лисица М. П. Дисперсия показателя преломления полупроводников в области края поглощения // ЖПС. 1986. — Т. 44, вып. 5. — С. 838 -845.
  93. Hegab N.A., Bekhcet А.Е., Afifi М.А., El-Shazly A.A. Effect of annealing on the optical properties of In2Te3 thin films // Appl. Phys. A: Material Sci. & Processing. 1998. — V. 66, no. 2. — P. 235 — 240.
  94. Stern F. Dispersion of the index of refraction near the absorption edge of semi
  95. Щ conductors // Phys. Rev. 1964. — V. 133, no. 6A. — P. A1653 — A1664.
  96. Л.Д., Лифшиц E.M. Электродинамика сплошных сред. М.: Наука, i 1982.-624 с.
  97. Soukoulis С.М., Cohen М.Н., Economou E.N., Zdetsis A.D. Electronic structure at band edges // J. Non -Cryst. Sol. 1985. — V. 77 & 78, part 1. — P. 47 -50.
  98. Cohen M.H., Soukoulis C.M., Economou E.N. Optical absorption in amorphous semiconductors // J. Non Cryst. Sol. — 1985. — V. 77 & 78, part 1. — P. 171 — 174.
  99. Melsheimer J., Ziegler D. Band gap energy and Urbach tails studies of amorphous, partially crystalline and polycrystalline tin oxide // Thin Solid Films.• 1985. V. 129, no. ½. — P. 35 — 47.
  100. Noba K., Kayanuma Y. Urbach tail for ferroelectric materials with an order -disorder phase transition // Phys. Rev. B. 1999. — V. 60, no.7. — P. — 4418 — 4421.
  101. Ruiz Urbieta M., Sparrow E.M. Refractive index, thickness, and extinction coefficients of slightly absorbing film // J. Opt. Soc. Am. — 1972. — V. 68, no. 8. — P. 931 -937.
  102. Minkov D., Swanepoel R. Computation of the optical characterization of a thin dielectric films // Opt. Eng. 1993. — V, 32, no. 12. — P. 3333 — 3337.
  103. Minkov D.A. Calculation of the optical constants of a thin layer upon a transparent substrate from the reflection spectrum // J. Phys. D: Appl. Phys. 1989. — V. 22, no. 8.-P. 1157−1161.
  104. E.A., Метод расчёта оптических постоянных тонких диэлектрических пленок // ОМП. 1991, № 9. — С. 27 — 29.
  105. Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. М.: Мир, 1976.-С. 59.
  106. Partovi Е. Theoretical treatment of ellipsometry // J. Opt. Soc. Am. 1962. — V. 52, no. 8.-P. 918−925.
  107. Harris M., Bowden M., Mac Leod H.A. Refractive index variation in dielectric films having columnar microsrtucture // Opt. comm. 1984. — V. 51, no. 1. — P. 2932.
  108. Wu Q. Inhomogeneity of the refractive index of ZnS films // Appl. Opt. 1987. -V. 26, no. 18.-P. 3753 -3754.
  109. Hacker E., Katenkamp U., Fischer H. R.F. sputtered Si02 films for optical applications // Thin Solid Films. — 1982. — V. 97, no. 2. — P. 145 — 152.
  110. И.Ф., Карапетян Г. А. Исследование оптических постоянных пленок, поучаемых из растворов // ОМП. 1984, № 9. — С. 59 -60.
  111. Определение оптических констант поглощающего неоднородного слоя по спектрам отражения / И. М. Минков, Е. Л. Велицкая, В. М. Золотарев, Л. Н. Капиталова // Оптика и спектроскопия. 1985. — Т. 58, вып. 3. — С. 689 — 693.
  112. Lekner J. Exact reflection amplitudes for the Rayleigh profile // Physica. 1982. -V. A116, no. 1 -2.-P. 235 -247.
  113. Charmet J.C., De Gennes P.D. Ellipsometric formulas for inhomogeneous layer with arbitrary refractive index profile // J. Opt. Soc. Am. — 1983. — V. 73, no. 12. -P. 1777- 1784.
  114. Ю.В. Диэлектрические многослойники с поглощением на границе слоёв // Препринт № 471. Новосибирск: Ин-т автоматики и электрометрии. — 1991. — 43 с.
  115. Ю.В. Расчёт параметров многослойных систем при наклонном падении света при наличии поглощения на границах слоёв // Препринт № 459. Новосибирск: Ин-т автоматики и электрометрии. — 1990. — 14 с.
  116. В.А., Пшеницын В. И., Храмцовский К. А. Уравнение эллипсометрии для неоднородных и анизотропных поверхностных слоев в приближении Друде Борна // Оптика и спектроскопия. — 1987. — Т. 62, вып. 4. — С. 828 — 831.
  117. О.А., Водоватов И. А., Плисс Н. С. Метод эквивалентных токов в эллипсометрии неоднородных поверхностных структур // Опт. журн. 1995. -№ 12.-С. 26−30.
  118. Kaiser Н., Kaiser Н.С. Identification of stratified media based on the Bremmer series representation of the reflection coefficients // Appl. Opt. 1983. — V. 22, no. 9.-P. 1337 — 1345.
  119. Bovard B.G. Derivation of a matrix describing a rugate dielectric thin film // Appl. Opt. 1988. — V. 27, no. 10. — P. 1998 — 2005.
  120. И.М. Матрицы Мюллера и системы плоскопараллельных тонких и толстых изотропных слоев // Оптика и спектроскопия. 1989. — Т. 66, вып. 1. -С. 231 -234.
  121. Kaiser H., Kaiser H.C. Zur Bestimmung des Brechzahlprofiles aus dem Reflections Koeffiezienten // Postdam. Forsch. — 1982. — B. 8, H. 31. — S. 75 — 91.
  122. Abdulhalim I. Method for the measurement of multi layers refractive indices and thickness using interface microscopes with annular aperture // Optik. — 1999. -V. 110, no. 10.-P. 476−478.
  123. Г. А. Спектрофотометрическое исследование неоднородностей анодных окисных пленок титана // Оптика и спектроскопия. 1977. — Т. 42, вып. 4. — С. 677 — 680.
  124. Ю.А., Козарь А. В., Попов К. В. и др. Исследование неоднородности тонких пленок спектрофотометрическими методами // Вестн. МГУ. Сер. 3. Физика. Астрономия. 1997. — № 4. — С. 24 — 27.
  125. OhlHial I. Immersion spectroscopic reflectometry of multilayer systems // J. Opt. Soc. Am. A. 1988. — V. 5, no. 4. — P. 459 — 464.
  126. Ohlidal I., Navratil K., Holy V. Immersion spectroscopic reflectometry of multilayer systems. II. Experimental results // J. Opt. Soc. Am. A. 1988. — V. 5, no. 4. -P. 465−470.
  127. Оценки неоднородности тонких диэлектрических пленок методом эллипсометрии / А. Г. Афанасьева, А. Г. Гусев, Е. А. Несмелое, А. С. Никитин // ЖПС. 1987. — Т. 46, № 4. — С. 675 — 678.
  128. Dranavantri С., Karekar R.N. A simple ellipsometric method for the direct determination of the mean refractive index of nonabsorbing graded index thin films with linear index profile // Thin solid films. — 1989. — V. 170, no. 1. — P. 1 — 13.
  129. Wollam J.A., Snyder P.G. Ellipsometric measurements of molecular- beamepitaxy grown semiconductor multilayer thickness: A comparative study // J. Appl. Phys. — 1987. — V. 62, no. 12. — P.4867 — 4871.
  130. В.А., Онохов А. П., Васильев П. Я. Исследование оптического профиля покрытий на основе 1П2О3 SnC>2 методом эллипсометрии // Опт. журн. — 1998. — Т. 65, № 2. — С. 28 — 30.
  131. A.R., Као К.С. Study of the optical properties of anthracene thin films by ellipsometry//J. Opt. Soc. Am. 1975. — V.65, no. 11. — P. 1269 — 1273.
  132. Lubinskaya R.I., Mardehzov A.S., Svitashov K.K., Svets V.A. Ellipsometric analysis of inhomogeneous structures on the basis of complex reflection coefficients // Surf. Sci. 1986. — V. 177, no. 3. — P. 625 -641.
  133. Р.И., Мардежов A.C., Резвый P.P., Швец В. А. Определение параметров поглощающих пленок на сложной подложке по данным иммерсионных эллипсометрических измерений // Укр. физ. журн. 1986. — Т. 31, № 4. — С. 525 — 530.
  134. Wollam J.A., Snyder P.G., Rost М.С. Variable angle spectroscopic ellipsometry: a nondestructive characterization technique for ultrathin and multilayer materials // Thin Solid Films. 1988. — V. 166 Complete. — P. 307 — 316.
  135. Fried M., Lohner L., De Nijs J.M.M. et al. Nondestructive characterization of nitrogen implanted silicon — on — insulator structures by spectroscopic ellipsome9 try // J. Appl. Phys. 1989. — V. 66, no. 10. — P. 5052 — 5057.
  136. Barret A., Borkowska Z., Humphreys M.W., Persons R. Ellipsometry of thin films of copper phthalocyanine // Thin Solid Films. 1975. — V. 28, no.2. — P. 289 -302.
  137. Westwood W.D., Ingray S.J. Effects of substrate position and angle of incidence on the refractive index of sputtered, birefringent Ta20sNx films // J. Vac Sci and Technol. 1977. — V. 14, no. 1. — P. 196 — 199.
  138. Nee S.- M.F. Error analysis of null ellipsometry with depolarization // Appl. Opt. 1999. — V. 38, no. 25. — P. 5388 — 5398.
  139. B.B., Тронин А. Ю., Константинова А. Ф. Эллипсометрия анизотропных сред // Кристаллография. 1994. — Т. 39, № 3. — С. 360−382.
  140. Л.Э., Пахомов П. Л. Феноменологическое описание оптической анизотропии косо напыленных пленок // Оптика и спектроскопия. -1972. Т. 32, вып. 4. — С. 778 — 785.
  141. Tomar M.S. Theory of ellipsometry, modified for anisotropic films // Optik. i 1975.-B. 42, H. 4,-S. 297−302.
  142. Л.М., Взаимодействие света с анизотропным слоем при наклонном падении // Изв. АН БССР. Сер. физ. мат. наук. — 1973, № 6. — С. 78 -82.
  143. О.С. К электродинамике сред со спиральной структурой // Изв. АН АрмССР. Физика. 1974. — Т. 9, № 1. — С. 30 — 39.
  144. Р.И., Мардежов А. С., Свиташев К. К., Хасанов Т. Определение оптических постоянных одноосных кристаллов с учётом поверхностной изотропной пленки из эллипсометрических измерений // Оптика и спектроскопия. 1985. — Т. 59, вып. 2. — С. 353 — 355.
  145. Schopper Н. Zur Optik dbimer doppelbrechender und dichroitischer Schichten // Z. Phys. 1952. — B. 132, H. 2. — S. 146 — 170.
  146. Azzam R.M.A. Generalized ellipsometry based on azimuth measurements alone // J. Opt. Soc. Am. 1978. — V. 68, no. 4. — P. 523 — 526.
  147. Nee Soc Mie F. Error reduction for a serious compensator imperfection for null ellipsometry//J. Opt. Soc. Am. A. -1991. — V. 8, no.2. — P. 314 — 321.
  148. B.B., Карпук M.M. Соотношения взаимности для границы двух анизотропных сред// Кристаллография. 1996. — Т. 41, № 5. — С. 782 — 784.
  149. А.Ю., Константинова А. Ф. Эллипсометрическое исследование оптической анизотропии ленгмюровской пленки арахината свинца // Поверхность. Физика, химия, механика. 1992. — № 5. — С. 82−89.
  150. И.М. Прохождение и отражение света плоскопараллельными анизотропными слоями // Оптика и спектроскопия. 1974. — Т. 37, вып. 2. — С. 309−316.
  151. Azzam R.M.A., Bashara N.M. Application of generalized ellipsometry to anisotropic crystals // J. Opt. Soc. Am. 1974. — V. 64, no. 2. — P. 128 — 133.
  152. De Smet D.J. Ellipsometry of anisotropic surfaces // J. Opt. Soc. Am. 1973. -V. 63, no. 8. — P.958 — 964.
  153. А.Г. Эллипсометрические измерения на анизотропных объектах // Оптика и спектроскопия. 1979. — Т. 47, вып. 4. — С. 791 — 793.
  154. Л.И., Махмудиан М. М., Свешникова Л. Л., Хасанов Т. Исследование оптической анизотропии пленок Ленгмюра Блоджетт полидиацети-ленов методом эллипсометрии // Оптика и спектроскопия. — 1997. — Т. 82, вып. 9. — С.849 — 853.
  155. В.А. Эллипсометрия тонких диэлектрических пленок на непогло-щающих анизотропных поверхностях // Поверхность. Физика, химия, механика. 1982.-№ 9. — С. 41 — 46.
  156. А.Ю. Вычислительная модель обобщенной эллипсометрии и выбор оптимальных условий измерения матрицы отражения // Оптика анизо-троп. сред. М., 1987. — С. 62 — 64.
  157. Anderson W.J., Hansen W.N. Optical characterization of thin films // J. Opt. Soc. Am. 1977. — V. 67, no. 9. — P. 1051 — 1058.
  158. Т. Определение параметров фазосдвигающих пластинок // Кристаллография. 1992. — Т. 37, № 4. — С. 1041 — 1043.
  159. Hunter W.R. Effects of component imperfections on ellipsometer calibration // J. Opt. Soc. Am. -.1973. V. 63, no. 8. — P.951 — 957.
  160. Lehman A.P. Alignment of both polarizers, relative to the specimen, in ellip-sometry // J. Opt. Soc. Am. 1973. — V. 63, no.9. — P. 1175 — 1176.
  161. Steel M.R. Method for azimuthal alignment in ellipsometry // Appl. Opt. 197−1. -V. 10, no. 10.-P. 2370−2371.
  162. Azzam R.M.A., Bashara N.M. Calibration of ellipsometer devided circles // J. Opt. Soc. Am. -1971. V. 61, no. 8. — P. 1118 — 1122.
  163. Ghezzo M. Method for calibrating the analyser and the polarizer in an ellipsometer // Brit. J. Appl. Phys. (J. Phys. D). 1969. — V. 2, no. 10. — P 1483 — 1485.
  164. Liljenvall H.J., Mathewson A.G. Two alignment methods for the polarizer and analyzer in an ellipsometer// Appl. Opt. 1970. — V. 9, no. 6. — P. 1489 — 1490.
  165. Миронов Ф. С, Семененко А. И., Хасанов Т. Юстировка при фиксированном угле падения света // Оптика и спектроскопия. 1981. — Т. 51, вып. 6. — С. 1095 -1100.
  166. Kothiyal М.Р. Ellipsometer nulling coupling and setting uncertainly // Appl. Opt. 1979. — V. 18, no. 7. — P. 1019 — 1024.
  167. Bhargava В., Shah V.V. A new procedure for alignment & calibration of an ellipsometer // Indian J. Pure and Appl. Phys. 1976. — V. 14, no. 4. — P. 323 — 325.
  168. К.К., Хасанов Т. Учет оптической активности компенсатора при юстировке эллипсометра // Оптика и спектроскопия. 1986. — Т. 60, вып. 4. -С. 399−401.
  169. Mbise G., Smith G.B., Niklasson G.A., Grangist C.G. Angular selective optical properties of Cr films made by oblique — angle evaporation // Appl. Phys. Lett. -1989. — V. 54, no. 11. — P. 987 — 989.
  170. Hasegawa Т., Okamoto Т., Haraguchi M. et al. Determination of the anisotropic optical constants of evaporated polydiacetylene C4UC4 films at 632.8 nm // Japan. J. Appl. Phys. — 1998. — V. 37, part 1. — No. 10. — P. 5793 — 5797.
  171. Abracham M., Tadjeddine A. Interferometric investigation of the optical anisot-ropy of thin transparent films using polarized light // Opt. comm. 1983. — V. 47, no. 6. — P. 400 — 403.
  172. А.И., Семененко А. И. О проявлении оптической активности кристаллического компенсатора в эллипсометрии. Реализация однозонной «нулевой» методики. // Оптика и спектроскопия. 1987. — Т. 63, вып. 4. — С. 901 -905.
  173. А.И., Семененко А. И. Об особенностях метода обобщённых измерительных зон в эллипсометрии анизотропных сред // Оптика и спектроскопия. 1987. — Т. 63, вып. 1. — С. 210 — 212.
  174. А.И. Обнаружение слабой анизотропии методом эллипсометрии // Письма в ЖТФ. 1977. — Т. 3, № 2. — С. 83 — 85.
  175. Azzam R.M.A. Determination of the optic axis and optical properties of absorbing uniaxial crystals by reflection perpendicular incidence ellipsometry on wedge samples // Appl. Opt. — 1980. — V. 19, no: 18. — P. 3092 — 3095.
  176. Azzam R.M.A. Perpendicular incidence null ellipsometry with arbitrary anisot-ropy // Opt. Eng. -1981. — V. 20, no. 1. — P. 58−61.
  177. А.Ф., Гречушников Б. Н. Распространение света в поглощающих активных кристаллах // Кристаллография. 1973. — Т. 18, № 3. — С. 470 — 473.
  178. Verbiest Т., Kauranen М., Persons A. Optical activity of anisotropic achiral surfaces//J. Opt. Soc. Am. B. 1998. — V. 15, no. l.-P. 451 -456.
  179. Hodgkinson I., Wu Q., Knight В., Lakhtakia A., Robbie K. Vacuum deposition of chiral sculptured thin films with high optical activity // Appl. Opt. 2000. — V. 39, no. 4.-P. 542−549.
  180. Zook J.D. A simple model for diffuse reflection // phys. stat. sol. (a). 1976. — V. 34, no. l.-P. 69 -72.
  181. С.Г., Житарюк В. Г. Об отражении излучения шероховатыми поверхностями //ЖПС. 1988. — Т. 18, № 2. — С. 302 — 308.
  182. Теоретические и прикладные проблемы рассеяния света. Минск: Наука и техника, 1971. — 487 с.
  183. Holzer J.A., Stettler J.D., Sung С.С. Probability density function of the intensity of light reflected from a moderately rough surface in the far field // Appl. Opt. -1979.-V. 18, no. 3,-P. 312−315.
  184. M.M., Скрелин Ф. Л., Топорец A.C. Металлическое зеркало как сложная шероховатая поверхность // Оптика и спектроскопия. 1979. — Т. 46, вып. 2. — С. 350−355.
  185. Р.Б., Калныня Р. П., Фелтынь И. А. Эллипсометрические исследования шероховатой поверхности кремния // Оптика и спектроскопия. 1982. -Т. 53, вып. 3.-С. 507−511.
  186. ОЫн1а11., Lukes F. Ellipsometric parameters of randomly rough surfaces // Opt. Comm. 1972. — V. 5, no. 5. — P. 323 — 325.
  187. Beckmann P., Spizzichino A. The scattering of electromagnetic wave from rough surfaces Oxford, London, New York, Paris: Pergamon Press, 1963. — 503 p.
  188. Rasigni G., Rasigni M., Palmari J. et al. Statistical parameters for random and pseudorandom rough surfaces // J. Opt. Soc. Am. A. 1988. — V. 5, no. 1. — P. 99 -103.
  189. Р.З. Отражение света от малых регулярных неровностей // Поверхность. Физика, химия, механика. 1991. — № 3. — С. 50 — 55.
  190. Дж. Статистическая оптика. М.: Мир, 1988. — 527 с.
  191. П.Н. К теории рефлектометрического метода измерения параметров шероховатости в машиностроении // Измер. техника. 1994. — № 8. -С. 24−27.
  192. Влияние распределения высот поверхностных микронеровностей на определение параметров шероховатости фотометрическим методом / В. В. Ситько, Д. В. Демьяненко, Ю. Н. Свириденко и др.// Измер. техника. 1995. — № 8. — С. 24−25.
  193. Schwatz N., Brown B.A. Stylus method for evaluating the thickness of thin films and substrate surface roughness «Trans. 8- AVS Symp. and 2- Intern. Congr. Vacuum Sci. Technol.» — N.-Y.: Pergamon Press, 1961. — P. 836 — 845.
  194. B.C., Рудзита Я. А. Параметры шероховатости поверхности. -М.: Изд во Стандартов,. 1979. — 162 с.
  195. Pemick B.J. Surface roughness measurement with an optical Fourier spectrum analyzer//Appl. Opt. 1979. — V. 18, no. 6. — P. 796 — 801.
  196. Corecki Ch., Tribillon G., Mignot J. Profilometre optique en lumiere blanche // J. Optics (Paris). 1983. — V. 14, no. 1. — P. 19 — 23.
  197. Adachi M., Yasaka K. Roughness measurement using a shearing interference microscope // Appl. Opt. 1986. — V. 25, no. 5. — P. 764*- 768.
  198. M.M., Скрелин А. Л., Топорец A.C. Фотометрические метод определения шероховатости непрозрачное поверхности // ОМП. 1979. — № 11. -С. 1 -3.
  199. Tsukada Т., Yanagi К. An application of CCD image sensor to a measurement of surface roughness // Bull. Japan. Soc. Precis. Eng. 1983. — V. 17, no. 3. — P. 209 -210.
  200. A.H. О некоторых вопросах теории микроинтерферометров // ОМП.- 1970.-№ 9.-С. 3−11.
  201. Ogivly J.A. Wave scattering from rough surfaces // Rep. Prog. Phys. 1987. -V. 50, no. 12.-P. 1553−1608.
  202. Brudzewski K. Ellipsometric investigations of substrate thin film system with rough boundaries using equivalent film theory // Thin Solid Films. — 1979. — V. 61, no. 2.-P. 183−191.
  203. Л.С., Гилинскиё И. А., Свиташева С. Н. Отражение света шероховатое поверхностью: интерпретация эллипсометрических измерение // ДАН СССР. 1987. — Т. 293, № 5. — С. 1097 — 1101.
  204. Ю.А., Костин А. В. Метод интегральных уравнение в задаче рассеяния электромагнитных волн на неровное поверхности // Оптика и спектроскопия. 1998. — Т. 84, вып. 6. — С.991 — 999.
  205. Stephens R.B., Cody G.A. Optical reflectance and transmission of a textured surface // Thin solid films. 1977. — V. 45, no. 1. — P. 19 — 29.
  206. Rice S.O. Reflection of electromagnetic waves from slightly rough surfaces // Comm. on Pure and Appl. Mathem. 1951. — V. 4. no. 2/3. — P. 351 — 378.
  207. OhlHlal I., Lukes F. Calculation of the ellipsometric parameters characterizing a randomly rough surfaces by means of the Stratton Chu — Silver integral // Opt. Comm. — 1973.-V. 7, no. 1.--P. 76−79.
  208. Gareia N., Celli V., Nieto Vesperinas M. Exact multiple scattering from random rough surfaces // Opt. Comm. — 1979. — V. 30, no. 3. — P. 279 — 281.
  209. Goodman J.W. Statistical properties of laser speckle pattern // Topics in Applied Physics. V. 9. Laser speckle and relates phenomena. Berlin: Springer -Verlag, 1984.-P. 9−75.
  210. Park B.C., Lee S.S. Effect of multiple scattering on the intensity fluctuation of speckle backscattering from a randomly rough metal surface // Opt. Lett. 1990. -V. 15, no. 3. — P. 159−161.
  211. Soto Crespo J.M., Nieto — Vespinas M. Electromagnetic scattering from very random surfaces and deep reflection gratings // J. Opt. Soc. Am. A. — 1989. — V.6, no. 3.-P. 367−384.
  212. B.JI., Романов В. П. Корреляция интенсивности в когерентном обратном рассеянии // Оптика и спектроскопия. 1998. — Т. 84, вып. 5. — С. 843 -848.
  213. ОЫнЫ I. Reflectance of multilayer systems with randomly rough boundaries ft Opt. Comm. 1989. — V. 71, no. 6. — P. 323 — 326.
  214. Bauer J. Reflexions und Transmissionsgrad dbnner isotropen Schichten mit rauhen Grenzflachen // Faingeratetechnik. — 1978. — B. 27, H. 6. — S. 261 — 266.
  215. Burleigh T.D., Wagner S., Cisek T.F. Ellipsometry of randomly rough oxidized silicon surfaces // Solar Cells. 1984. — V.13, no. 2. — P. 179 — 183.
  216. Peykov P.H. Effect of repeated oxidation on silicon’s optical properties // Докл. Болг. АН. 1978. — Т. 31, № 7. — С. 835 -836.
  217. ОЫн1а1 I., Navr6til К., Lukes F. The optical analysis of non absorbing thin films with randomly rough boundaries by means of immersion spectrophotometry // Thin Solid Films. — 1979. — V. 57, no. 1. — P. 179 — 184.
  218. Lnschke K., Kbhn F. Der EinfluP der Rauhigkeit der Probenoberflacheauf die Ergebnisse ellipsometrischer Messungen bei GaAs // Kristall und Technik. 1976. -B. 11, H. 6. — гГ 645 — 652. ,
  219. Freilikher V., Pustilnik M., Yurkevich I., Maradudin A.A. Wave scattring from a thin film with volume disorder: reflection and transmission // Opt. Comm. 1994. -V. 110, no. 3,4.-P. 263 -268.
  220. И.М. Оценка влияния неровностей поверхности слоев на оптические свойства тонкослойного покрытия // ЖПС. 1976. — Т. 25, № 3. — С. 520 -526.
  221. Ignatenko V.A., Mankov Yu.I., Maradudin A.A. Spectrum of waves in randomly modulated multilayers //Phys. Rev. B. 1999. — V. 50, no.l. — P. 42 — 45.
  222. Ohlidal I., Navratil K., Lukes F. Reflection of light by a system of nonabsorbing isotropic film nonabsorbing isotropic substrate with randomly rough boundaries // J. Opt. Soc. Amer. -1971.-V. 61, no. 12.-P. 1630- 1639.
  223. Dunbar R.A. Development of chemical sensing platforms based on sol gel — derived thin films: origin of film age vs performance trade- off // Anal. Chem. — 1996. — V. 68, no. 4.-P. 604−610.
  224. Woodman T.P. Light scattering in porous anodic aluminium oxide films. 1. Colour effects // Thin solid films. 1972. — V. 9, no. 2. — P. 195 — 206.
  225. В.Г., Дынич Р. А., Понявина А. Н. Эффективные оптические параметры пористых диэлектрических структур // Оптика и спектроскопия. -1998. Т. 84, вып. 3. — С. 486 — 490.
  226. В.А., Пшеницын В. И. Структуры поверхностного слоя с глубокими порами и их отражательные свойства // Оптика и спектрокопия. 1988. -Т. 64, вып. 5. — С. 972 — 975.
  227. Unagami Т. Formation mechanism of porous silicon by anodization in HF solutions // J. Electrochem. Soc. 1980. — V. 127, no. 2. — P. 476 — 483.
  228. E.B., Воронков В. Б., Репенюк А. Д. и др. Изменение параметров и состава тонких пленок пористого кремния в результате окисления. Эллипсо-метрические исследования. // ФТП. 1999. — Т. 33. вып. 10. С. — 1264 — 1270.
  229. Harris М., McLeod Н.А., Ogura S. The relationship between optical inhomoge-neity and film structure // Thin Solid Films. 1979. — V. 57, no. 1. — P. 173 — 178.
  230. Grechko L.G., Pustorit V.N., Whites K.W. Dielectric function of aggregates of small metallic particles embedded in host insulating matrix // Appl. Phys. Lett. -2000. V. 76, no.14. — P. 1854- 1856.
  231. Popescu M. Defect formation in amorphous structures as revealed by computer simulation // Thin Solid Films. 1984. — V. 121, no. 4. — P. 317 — 340.
  232. Rawson E.G. Theory of scattering of finite dielectric needles illuminated parallel to their axes // J. Opt. Soc. Amer. 1972. — V. 62, no. l 1. — P. 1284 — 1286.
  233. Lu J.Q., Sanchez Gil J.A., Mendez E.R. et al. Scattering of light from rough dielectric film on a reflecting substrate: diffuse fringes // J. Opt. Soc. Am. A. i 1998,-V. 15, no. l.-P. 185 195.
  234. Kienzle O., Staub J., Tschudi T. Light scattering from transparent substrates:
  235. Theory and experiment // Phys. Rev. B. 1994. — V. 50, no.3. — P. 1848 — 1860.
  236. А.Л. Фотометрический способ оценки высоты неровностей поверхности прозрачных объектов // ОПМ. 1983. — №. 2. — С. 1 — 3.
  237. Baloshin Yu.A., Kostin A.V. The optical theorem for a dielectric rough surface // Opt. Comm. — 1999. — V. 160, no. 1, 2,3. — P. 22 — 26.
  238. Mudgett P. S. Richards L.W. Multiple scattering calculations for technology // Appl. Opt. 1971.-V. 10, no. 7.-P. 1485- 1502.
  239. Gomez M., Fonseca L., Rodriguez G. Corrections to the optical properties of cermets. III. Multiple scattering corrections. // Ferroelec. Lett. Sec. -1984. V. 2, no. l.-P. 17−24.
  240. Sidick E., Baskin R.J., Yeh y., Knoesen A. Rigorous analysis of light diffration ellipsometry by striated muscle fibers // Biophysical J. 1994. — V. 66, no. 6. — P. 2051 -2061.
  241. Crosbie A.L. Farrell J.B. Exact formulation of multiple scattering in a three- dimensional cylindrical geometry // J. Quant. Spectrosc. and Radiat. Transfer. -1984. V. 31, no. 5. — P. 397 — 416.
  242. Cohn R.F., Wagner J.W., Kruger J. Dynamic imaging microellipsometry: theory, system design, and feasibility demonstration // Appl. Opt. 1988. V. 27, no. 22. P. 4664−4671.
  243. В.И., Антонов В. А., Громов А. И. и др. Эллипсометрическое определение параметров переходного слоя на границе Si Si02 с учётом шероховатости подложки // Поверхность. Физика, химия, механика. — 1987. — № 1.-С. 80−83.
  244. Jellison G.E., Modine F.A. Optical nature of interface layers: a comparative study the Si Si02 interface // J. Opt. Soc. Amer. — 1982. — V. 72, no.9. — P. 1253 -1257.
  245. A.B. Граница раздела ключ к построению приборов функциональной электроники // Электрон, пр-сть. — 1983. — Вып. 8(125). — С. 36 — 42.
  246. Taft Е., Cardes L. Optical evidence for a silicon silicon oxide interlayer // J. Electrochem. Soc. -1979. — V. 126, no. 1, — P. 131−134.
  247. Aspnes D.E., Theeten J.B. Optical properties of the interface between Si and thermally grown oxide // Phys. Rev. Lett. 1979. — V. 43, no. 14. — P. 1046 — 1050.
  248. Ishikava K., Ogawa H., Fijimura S. Thickness deconvolved structural proper-n ties of thermally grown silicon dioxide films // J. Appl. Phys. — 1999. — V. 86, no. 6.- P. 3472 3474.
  249. Wilmsen C.W. Chemical composition and formation of thermal and anodic ox-ide/III-V compound semiconductor interfaces // J. Vac. Sci. Technol. 1981. — V. 19, no. 3,-P. 279−289.
  250. Person P., Lamouche D., Martin J.R. et al. Experimental investigation of arsenic enrichment at annealed GaAs anodic oxide interfaces // Thin Solid Films. — 1986. -V. 142, no. 2.-P. 251 -259.
  251. Ono H., Koyanagi K. Formation of silicon oxide layers at the interface between tantalum oxide and silicon substrate // Appl. Phys. Lett. 1999. — V. 75, no. j 22.-P. 3521 -3523.
  252. Naiman M.L., Kirk C.T., Emerson B.L., Taitel J.B. The constitution of nitrided1. oxides and reoxidized oxides on silicon // J. Appl. Phys. 1985. — V. 58, no. 2. — P.1779 792.
  253. Abraham F.F. Computer simulations of surfaces, interfaces, and physisorbed films // J. Vac. Sci. Technol. B. 1984. — V. 2, no. 3. — P. 534 -549.
  254. Ourmazd A. Semiconductor interfaces: abruptness, smoothness, and optical properties // J. Crystal Growth. 1989. — V. 98, no. ½. — P. 72 — 81.
  255. Orlowski M. New model for dopand redistribution at interfaces // Appl. Phys. Lett. 1989. — V. 55, no. 17. — P. 1762 — 1764.
  256. Kashahiev D. Thickness transition in thin films: the equilibrium // Surf. Sci. -1989. V. 220, no. 2/3. — P. 428 — 442.
  257. Johner A., Schaaf P. Calculation of the reflection coefficient of interfaces: A scattering approach // Phys. Rev. B. 1990. — V. 42, no.9. — P. 5516 — 5526.
  258. Halveri P., Mata Mendez O. Electromagnetic modes of corrugated thin films and transition layer. II. Minigaps. // Phys. Rev. B. 1989. — V. 39, no.9. — P. 5694 -5705.
  259. Schaaf P., Dejardin P. Reflectivity of an interface with a sigmoidal index profile // Surf. Sci. 1987. — V. 191, no. 3. — P. 579 — 584.
  260. Ignatenko V.A., Mankov Yu., Maradudin A.A. Wave spectrum of multilayers with finite thickness of interface // Phys. Rev. B. 2000. — V. 62, no. 3. — P. 2181 -2184.
  261. Yang L., Abeles D., and P.D. Persans P.D. Structure of interfaces in amorphous silicon/silicon nitride superlattices determined by in situ optical reflectance // Appl. Phys. Lett. 1986. — V. 49, no. 11. — P. 631 — 633.
  262. Е.И., Гринь Г. В., Живов М. Д. Химико механическое полирование подложек // Электрон, пром-сть. — 1989. — № 12. — С. 37 — 38.
  263. .Д., Перевощиков В. А., Возмилова Л. Н., Свердлин И. А., Марин К. Г. Физико -химические методы обработки поверхности полупроводников. М.: Радио и связь, — 1982. — 136 с.
  264. К. Травление кристаллов. Теория, эксперимент, применение. М.: Мир, 1990. — 496 с.
  265. В.А., Скупов В. Д. Особенности абразивное и химическое обработки поверхности полупроводников Монография. Н. Новгород: Изд -во ННГУ, 1992.- 198 с.
  266. Р.Б. Растворение кристаллов. Теория, практика. Л.: Недра, 1979. -272 с.
  267. Ни Y.Z., In situ investigation of silicon surface damage by argon electron resonance plasmas // Appl. Phys. Lett. 1994. — V. 64, no. 10. — P. 1233 — 1235.
  268. C.A., Наседкин Ю. Ф., Серов А. А. Исследование приповерхностных слоев кремния, подвергшихся плазмохимическому травлению // Поверхность. Физика, химия, механика. 1993. — № 2. — С. 82 — 88.
  269. Е.И., Сорока В. В. Исследование особенностеё поверхностного слоя в кристаллическом кварце методом травления // Кристаллография. -1973. Т. 18, № 5. — С. 1039 — 1043.
  270. Yasuami S., Harada J. Characterization of polished (111) silicon crystal surface by diffuse x ray scattering // J. Appl. Phys. — 1981. — V. 52, no. 6. — P. 3989 -3991.
  271. В.П., Семенов Е. В. Эллипсометрическое исследование поверхности стекол после ионно лучевой очистки // ОМП. — 1986. — № 2. — С. 28 -33.
  272. Harada J., Kashiwagura N., Sakata M., Miyatake H. Observation of the mecha-nochemically polished surface of Si by electron microscopy and diffuse x ray scattering // J. Appl. Phys. — 1987. — V. 62, no. 10. — P. 4159 — 4162.
  273. E.C., Лоцко Д. В., Мильман Ю. В. Аморфизация поверхностных слоев кристаллов при механической полировке алмазным абразивом // Поверхность. Физика, химия, механика, — 1987. № 8. — С. 123 — 129.
  274. А.Б., Чирадзе Г. Д., Кутивадзе Н. Г. и др. О распределении величины микротвердости по глубине образца // ФТТ. 1999. — Т. 41, вып. 7. — С. 1225 -1227.
  275. Исследование поверхности имплантированного монокристаллического кремния с помощью угла смачивания / Н. Н. Лебедева, В. В. Баковец, Е.А. Се-дымова, Н. П. Придачин // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы.- 1986. -Т. 22, № 10. С. 1602 — 1605.
  276. Исследование механически нарушенной поверхности германия методом анизотропного электроотражения / A.M. Евстигнеев, О. В. Снитко, А.Н. Кра-сико и др. // Укр. физ. журн. 1987. — Т. 32, №. 2. — С. 269 — 272.
  277. Ives N.A., Leung M.S. Subsurface damage profiling system for semiconductor materials // Rev. Sci. Instrum. 1988. — V. 59, no. 10. — P. 2198 — 2201.
  278. Контроль толщины нарушенного слоя в структурно неоднородных моно-кристаыах / В. И. Хрупа, В. П. Кладько, Е. Н. Кисловский, А. В. Фомин // Завод. лаб. — 1989. — Т. 55, №. 4. — С. 61 — 64.
  279. Ром М.А., Ткаченко В. Ф., Проценко А. Н., Ковтун Е. Д. Восстановление параметров структурного совершенства приповерхностных слоев кристаллических материалов // Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. — № 1. — С. 113−118.
  280. А.И., Ягодкин Ю. Д. Рентгеноструктурный анализ поверхностного слоя // Завод, лаб. 2000. — Т. 66, № 5. — С. 24 — 35.
  281. Влияние обработки поверхности кремния на оптические характеристики / Т. А. Крузе, Г. В. Лашкина, А. В. Резвов, Э. В. Шитова // ОМП. 1984. — № 1. -С. 32 -33.
  282. Brault P., Mahtias J., Laure С. et al. In situ Raman spectroscopy of silicon surfaces during SF6 plasma etching // J. Phys.: Condens. Matter. 1994. — V. 6, no. 1. -P. LI -L6.
  283. Учет оптических характеристик поверхностного слоя при определении коэффициентов отражения и пропускания прозрачных диэлектриков / И. А. Храмцовский, В. И. Пшеницын, Г. И. Каданер, Кислов А. В. // ЖПС. 1987. — Т. 46, №. 2. — С. 272 — 279.
  284. Zanzucchi P.J., Duffy М.Т. Surface damage and the optical reflectance of single crystal silicon // Appl. Opt. — 1983. — V. 30, no. 7. — P. 967 — 980.
  285. В.П., Мельник Т. С., Одарич В. А. Эллипсометрические исследования поверхности кристаллического кварца после механической обработки // ОМП.- 1985. -№ 4.-С. 1−2.
  286. Исследование природы полированной поверхности кварцевого стекла методами эллипсометрии и спектроскопии / Г. М. Мансуров, Р. К. Мамедов, А. С. Сударушкин и др. // Оптика и спектроскопия. 1982. — Т. 52, вып. 5. — С. 852 -857.
  287. Определение профиля комплексного показателя преломления в ионно -внедренных слоях из эллипсометрических измерений / А. С. Мордежов, В. Г. Серяпин, Р. И. Любинская и др.// ФТП. 1979. Т. 13, вып. 12. — С. 2347 -2353.
  288. В.И., Левенец B.B., Махонин И. И. и др. Влияние обработки поверхности подложки на структуру приповерхностного слоя кремния // Электрон, пром сть. — 1995. — № 2. — С. 54 — 56.
  289. Kamicska A., Guziewicz М., Adamczewska J. Ellipsometric investigation of GaSb surfaces // Electron Technology. 1997. — V. 30, no. 3. — P. 237 — 246.
  290. В.Г., Шевцов С. Е. Модель образования оптической поверхности на пластинчатых материалах при алмазном микроточении // Опт., журн. -1994. -№. 11.-С. 59−61.
  291. Определение параметров нарушенного слоя и степени загрязненности полированной поверхности материалов / А. Г. Афанасьева, О. Ф. Гавриленко, Н. П. Матшина, Е. А. Несмелое // Оптика и спектроскопия. 1990. — Т. 69, вып. 5.-С. 1145- 1150.
  292. Dugnoille В., Vivlet О. Optical profile of surface layers on a glass determined by ellipsometry // Appl. Opt. 1994. — V. 33, no. 25. — P. 5853 — 5858.
  293. Motooka Т., Warabisako Т., Takuyama Т., Watanabe T. Optical measurement of carrier profiles in silicon // J. Electrochem. Soc. 1984. — V. 131, no. 1. — P. 174 -179.
  294. Н.И., Поперенко Л. В., Юргелевич И. В. Эллипсометрическое исследование быстрозакаленных лент Fe Сг — В, подвергнутых лазерной обработке // Физика металлов и металловедение. — 1998. — Т. 85, вып. 5. — С. 28 -31.
  295. Д.С. Механические свойства тонких пленок // Технология тонких пленок. М., 1977. — Т. 1. — С. 325 — 390.
  296. Р.У. Механические свойства тонких конденсированных пленок. // Физика тонких пленок. М.: Мир, 1968. — Т. 3. — С. 225 — 298.
  297. Doerner M.F., Brennan S. Strain distribution in thin aluminum films using x -ray depth profiling //J. Appl. Phys. 1988. — V. 63, no. 1. — P. 126 — 131.
  298. Cohen D.G., Focht M.W. X- ray measured of elastic strain and annealing in semiconductors // Solid State Electronics. — 1970. — V. 13, no. 2. — P. 105 -109.
  299. Szekers A., Christova K., Paneva A. Stress induced refractive index variation in dry Si02 // Phil. Mag. 1992. — V. 65, no. 5. — P. 961 — 966.
  300. Напряжения в пленках двуокиси кремния / В. П. Токарев, Э. С. Фалькевич, А. В. Токоног и др.// Электрон, техника. Сер. Материалы. 1973. — Вып. 1. — С. 73 -77.
  301. С.Н., Захаров Н. П., Худанов С. К. Оперативные методы контроля прогибов полупроводниковых пластин // Электрон, техника. Сер. Технология, орг. пр-ва и оборудование. 1981. — Вып. 3(106). — С. 54 — 57.
  302. Wilcock J.D., Campbell D.S. A sensitive bending beam apparatus for measuring the stress in evaporated thin films // Thin Solid Films. 1969. — V. 3, no. 1. — P. 3 -12.
  303. De Wolf I. Micro Raman spectroscopy to study local mechanical stress in silicon integrated circuits // Semicond. Sci. Technol. — 1996. — V. 11, no. 2. — P. 139 -154.
  304. Люминесценция гетероэпитаксиальных пленок кремния на сапфире / Ф. П. Коршунов, А. В. Мудрый, А. И. Патук, И. А. Шакин // Докл Нац. акад. наук Беларуси. 1998. — Т. 42, № 4. — С. 70 — 73.
  305. Изучение деформации пластин кремния с помощью призменного интерферометра / Т. Г. Алкснис, М. М. Бутусов, Н. В. Ермакова др. // Электр, техн. Сер. Микроэлектроника. 1975. — Вып. 4. — С. 111 — 115.
  306. Ю.В. Многолучевые интерферометры отраженного света. Новосибирск: Наука, 1985. — 207 с.
  307. Steigmeier E.F., Auderset Н. Structural perfection testing of films and wafers by means optical scanner // J. Electrochem. Soc. 1984. — V. 131, no. 7. — P. 1693 -1699.
  308. Kugimiya K. Characterization of microdeformation and crystal defects in silicon wafer surfaces // J. Electrochem. Soc. 1983. — V. 130, no. 10. — P. 2123 — 2125.
  309. A.T. Методы расчёта внутренних напряжений в полимерных и лакокрасочных покрытиях // ДАН СССР. 1960. — Т. 135, № 1. — С. 58 -60.
  310. Kim J.S., Paik K.W., Oh S.H. The multilayer modified Stoney’s formula for laminated polymer composites on a silicon substrate // J. Appl. Phys. — 1999. — V. 86, no. 10.-P. 5474−5479.
  311. Л.Д., Лифшиц Е. М. Теория упругости. М.: Наука, 1987. — 246 с.
  312. Teeuw D.H.J., De Hosson J.Th. Determination of x- ray elastic constants an in situ pressing device // J. Mater. Res. 1998. — V. 13, no. 7. — P. 1757 — 1760.
  313. В.И., Шпейзман В. В., Смирнов Б. И. Определение модуля упругости эпитаксиальных слоев GaN методом микроиндентирования // ФТТ. -2000. Т. 42, вып. 3. — С. 428 — 431.
  314. Yasuda Н., Koiwa М. Determination of elastic constants of single crystals with cubic symmetry by the rectangular parallelepiped resonance method // J. Phys. Chem. Solids. -1991. V. 52, no.5. — P. 723 — 729.
  315. Т.Г. Термоупругие напряжения в кусочно однородных структурах // Журн. прикл. механ. и техн. физ. — 1979. — № 5. — С. 135 — 143.
  316. Dahmen К., Lehwald S., Ibach H. Bending of crystalline plates under the influence of surface stress a finite element analysis // Surf. Sci. — 2000. — V. 446, no. 1−2.-P. 161 — 173.
  317. А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов. -М.: Энергия, 1979. 167 с.
  318. Ю.А., Болтунов Д. Г., Талонов С. В. и др. Структурные изменения и массоперенос в упругонапряженных пленках // Рост кристаллов. 1988. — Т.17.-С. 60−69.
  319. Leroy В. Stresses and silicon interstitials during the oxidation of a silicon substrate // Phil. Mag. B. 1987. — V. 55, no. 2. — P. 159 r 199.
  320. Pedinoff M.E., Mayer D.C., Stafsudd O.M., Dunn G.L. Stain induced anisot-ropy measurement in oxide films grown on silicon // Appl. Opt. — 1982. — V. 21, no.18.-P. 3307−3313.
  321. Электромеханические напряжения в неоднородных диэлектрических пленках / Д. В. Еремченко, В. И. Махов, В. А. Федирко, В. В. Черный // Электрон, техн. Сер. Микроэлектр. 1981. — Вып. 2 (92). — С. 105 -106.
  322. Drum С.М., Rand M.J. A low stress insulating film on silicon by chemical vapor deposition // J. Appl. Phys. — 1968. — V. 39, no. 9. — P. 4458 — 4459.
  323. Paduschek P., Hopel Ch. Hydrogen related mechanical stress in amorphous silicon and plasma — deposited silicon nitride // Thin Solid Films. — 1983. — V. 110, no. l.-P. 291 -304.
  324. Wanlu W., Kejun L. Studies of some properties of mechanical stress in a-Si:H, a-SiNx:H and a-Si:H/a-SiNx:H heterojunction films // Thin solid films. 1988. — V. 165, no. l.-P. 173 — 179.
  325. Bhushan В., Murarka S.P. Stress in silicon dioxide films deposited using chemical vapor deposition techniques and the effect of annealing on these stresses // J. Vac. Sci. Technol. B. 1990. — V. 8, no. 5. — P. 1068 — 1074.
  326. Zhang Z., Qi M., Chen J., Cheng R. Stress in a- Six XCX: H studied by (n,-n) double crystal diffractometry // J. Non-Cryst. Sol. 1989. — V. 114, part II. — P. 510 -512.
  327. B.M., Кирюшин И. В. Газофазное осаждение пленок нитрида кремния в реакторах различной конструкции // Электрон, техника. Сер. Микроэлектроника. 1989. — Вып. 1(130). — С. 34 — 38.
  328. Chen S.T., Yang С.Н., Faupel F., Ho P. S. Stress relaxation during thermal cycling in metal/polyimide layered films // J. Appl. Phys. 1988. — V. 64, no. 12. — P. 6690 — 6698.
  329. Weihnacht V., Bruckner W., Schneider C.M. Apparatus for thin film stress measurement with integrated four — point bending equipment: Performance and results on Cu films // Rev. Sci. Instrum. — 2000. — V. 71, no. 12. — P. 4479 — 4482.
  330. Thornton J.A., Hoffman D.W. Stress related effects in thin films // Thin Solid Films. — 1989. — V. 171, no. l.-P. 5−31.
  331. Shen Y.-L., Suresh S., He M.Y. et al. Stress evolution in passivated thin films of Cu on silica substrates // J. Mater. Res. 1998. — V. 13, no. 7. — P. 1928 — 1937.
  332. Koleshko V.M., Belitsky V.F., Kiryushin I.V. Stress relaxation in aluminium films // Thin solid films. 1986. — V. 142, no. 2. — P. 199 — 212.
  333. D’Heurle F.M., Harper J.M.E. Note on the origin of intrinsic stresses in films deposited via evaporation and sputtering // Thin Solid Films. 1989^V. 171, no. 1.- P. 81 -92.
  334. Sokolov V.I., Fedorovich N.A. Mechanical stresses on the Si S1O2 interface // phys. stat. sol. (a). — 1987. — V. 99, no. 1. — P. 151 — 158.
  335. И.Р., Юделевич И. Г., Аюпов Б. М. Послойный анализ материалов электронной техники. Новосибирск: Наука, 1984. — 182 с.
  336. Tolansky S. Multiple -beam interferometry of surfaces and films. Oxford. 1948.-187 p.
  337. .М., Кузнецов Ф. А. О неоднородности слоев, полученных термическим окислением кремния // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. -1971.-Т. 7, № 3. С. 442−445.
  338. О процессе упорядочения в пленках двуокиси кремния на кремнии / Б. М. Аюпов, B.C. Данилович, В. Д. Заможский, Ф. А. Кузнецов // Изв АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1973. — Т. 9, № 9. — С. 183−185.
  339. Е.Ф. Обработка интерферограмм при помощи фотографических эквиденсит // ПТЭ. 1972. — № 3. — С. 179.
  340. .М., Журавлева Э. Д. Об интерференционном методе измерения показателей преломления // Электрон, техника. Сер. Материалы. 1977. — № 1.-С. 122- 127.
  341. Ayupov В.М., Sysoeva N.P. Determination of refractive indexes of dielectric films by the use of immersion liquids // Crystal Research and Technology. 1981. -V. 16, no4.-P. 503 -512.
  342. Lewis A.E. Use of index of refraction liquids for the measurement of the refractive index of transparent films on silicon // J. Electrochem. Soc. 1964. — V. Ill, no. 8.-P. 1007−1009.
  343. .М. Определение показателя преломления прозрачных пленок на непрозрачных подложках // ПТЭ. 1970. — № 2. — С. 214.
  344. .М., Сысоева Н. П., Титов А. А. Изучение системы антимонид индия анодная окисная пленка оптическими методами // Эллипсометрия — метод исследования поверхности. — Новосибирск, 1983. — С. 83−86.
  345. Reisman F. Optical thickness measurement of thin transparent films on silicon // J. Appl. Phys. 1965. — V. 36, no. 12. — P. 3804 -3807.
  346. .М., Лукьянова И. Г. Спектрофотометрическое определение толщин пленок поликристаллического кремния // Электрон, техника. Сер. Материалы. 1981. — Вып. 12 (161). — С. 56 — 61.
  347. .М., Сысоева Н. П. Некоторые примеры применения иммерсионных жидкостей в эллипсометрии // Современные проблемы эллипсометрии. -Новосибирск, 1980. С. 88 — 94.
  348. Окисление аморфных слоев нитрида кремния / Л. В. Храмова, Т. П. Смирнова, Б. М. Аюпов, В. И. Белый // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. -1980. Т. 16, № 8. — С. 1420−1425.
  349. Н.П., Аюпов Б. М. Измерение оптических постоянных антимонида индия при X, = 6328 А // Оптика и спектроскопия. 1979. — Т. 47, вып. 3. — С. 541 — 543.
  350. Ayupov В.М. Determination of optical properties variation of silicon and glass surfaces after mechanical and plasma treatments by monochromatic ellipsometry // Optik. 1998. — V. 109, no. 4. — P. 145−149.
  351. Jl.B., Свиташев K.K., Семененко А. И. Оптический поляризационный метод исследования поверхности полупроводников // Некоторые проблемы физики и химии поверхности полупроводников Новосибирск, — 1972. -С. 114−180. •
  352. Эллипсометрия субтонких прозрачных пленок / Г. А. Егорова, Н. С. Иванова, Е. Р. Потапов, А. В. Раков // Оптика и спектроскопия. 1974. — Т. 36, вып. 4. — С. 773 — 776.
  353. Baclanov M.R., Algasin Y.B., Grebnev N.T. et al. Ellipsometric study of the interaction germanium monocrystal with bromine // Reaction Kinetics Catal. Lett. -1976.-V. 4, no. 8.-P. 413−419.
  354. Pliskin W.A., Gnall R.P. Evidence for oxidation grown at the oxide silicon interface from controlled etch studies // J. Electrochem. Soc. — 1964. — V. Ill, no.7. -P. 872 — 873.
  355. .М., Данилович B.C. Методика приготовления образцов аморфной двуокиси кремния для исследования в электронном микроскопе на просвет // Зав. лаб. 1974. — Т. 40, № 6. — С. 697 — 699.
  356. В.В., Хотимченко B.C., Аюпов Б. М. О природе локальной химической неоднородности кварцевого стекла // Физика и химия стекла. 1983. — Т. 9, № 1. — С. 106−110.
  357. Weil W.A., Marboe Е.С. The constitution of glasses: a dynamic interpretation. -New York London. — 1962. — 308 p.
  358. Handbook of optical constants of solids. Orlando: Academic Press, 1985, — 804 P
  359. B.A., Ширшов Ю. М., Растрененко H.A. Измерение оптических констант системы полупроводник диэлектрик методом эллипсометрии с иммерсией // Современные проблемы эллипсометрии. — Новосибирск, 1980. — С. 81−88.
  360. Нитрид кремния в электронике / В. И. Белый, Л. Л. Васильева, В. А. Гриценко и др.- Новосибирск: Наука, 1982. 198 с.
  361. Belyi V.I., Kuznetsov F.F., Smirnova Т.Р. et al. Chemical non- uniformity of thin dielectric films produced by ammonolysis of monosilane // Thin Solid Films. -1976.-V. 37.-P. 439−442.
  362. .М., Данилович B.C. Определение плотности диэлектрических слоев // Сборник методических разработок в области материаловедения полупроводников и твердотельных структур. Новосибирск, — 1979. — С. 48.
  363. Н.П., Аюпов Б. М., Титова Е. Ф. Оптические постоянные антимонида индия, арсенида и фосфида индия при 632,8 нм // Оптика и спектроскопия. 1985. — Т. 59, вып. 1. — С. 231−232.
  364. В.Л., Кировская И. А. Химический состав поверхности соединений InBv // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1989. — Т. 25, № 2. — С. 207−211.
  365. Junck G. Remarks on the Brewster angle and some applications // Phil. Mag. B. 1994. — V. 70, no. 3. — P. 493 — 498.
  366. .М., Соколов B.B. Расширение диапазона показателей преломления твердых тел на рефрактометре PR-2 // Опт. журн. 1994. — № 7. — С. 69 -70.
  367. Шуп Т. Решение инженерных задач на ЭВМ. М.: Мир, 1982. — 235 с.
  368. Д. Прикладное нелинейное программирование. М.: Мир, 1975. — 534 с.
  369. О. Физика полупроводниковых соединений элементов III V группы. — М.: Мир, 1967. — 354 с.
  370. О механизме роста анодного оксида на полупроводниках / И. Р. Шелпакова, Б. М. Аюпов, П. Б. Орлов и др. // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. 1982. -Вып. З.-С. 40−43.
  371. Coleman D.J., Shaw D.W., Dobrott R.D. On the mechanism of GaAs anodiza-tion // J. Electrochem. Soc. 1977. — V. 124, no. 2. — P. 239 — 241.
  372. Pringle J.P.S. The migration of oxygen during the anodic oxidation of tantalum // J. Electrochem. Soc. 1973. — V. 120, no. 10. — P. 1391 — 1400.
  373. Jorgensen P.J. Effect of an electric field on silicon oxidation // J. Chem. Phys. -1962. V. 37, no. 4. — P. 874 — 877.
  374. Chopra K.L. Thin film phenomena. New York: Mc Grow — Hill, 1969. — 844p.
  375. И.Я. Физико химия термического окисления кремния в присутствии примесей — Воронеж: Изд — во Воронеж, ун-та, 1987. — 196 с.
  376. Киш П.П., Головей М. И. Спектрофотометрическое изучение реакции галлия с ксиленоловым оранжевым // Журн. аналит. химии. 1965. — Т. 20, № 7. -С. 794 — 799.
  377. Марченко 3. Фотометрическое определение элементов М.: Мир, 1971. -501 с.
  378. Растворение оксида во время анодирования арсенида галлия / Б. М. Аюпов, Н. П. Сысоева, Л. Ф. Бахтурова, Е. Т. Федорова // Электрохимия. 1989. — Т. 25, № 3.-С. 412−414.
  379. .М., Иванова Е. Н., Ковалевская Ю. А. Эллипсометрическое и спектрофотометрическое исследование пленок ZnS и ZnS.Eu, полученных из летучих комплексных соединений // Автометрия. 1997. — № 2. — С. 50 — 55.
  380. Shrafutdinov R.G., Skrynnikov A.V., Paraknevich A.V., Ayupov B.M. et al High-rate deposition of films using a flow plasma-chemical method with electron beam activation // J. Appl. Phys. 1996. — V. 79, no. 9. — P. 7274 — 7277.
  381. Tauc J., Grigorovichi R., Vancu A. Optical properties and electronic structure of amorphous germanium // physica status solidi. 1966. — V. 15, no. 2. — P. 627 -637.
  382. Электронная теория неупорядоченных полупроводников./ В. Л. Бонч -Бруевич, И. П. Звягин, Р. Кайнер и др.- М.: Наука, 1981. 384 с.
  383. Д.И., Контроль толщины эпитаксиальных слоёв кремния в ходе газотранспортных процессов // Электрон, техника. Сер. Материалы. 1980. -Вып. 7(144).-С. 64−71.
  384. Г. В. Оптика тонкослойных покрытий. М.: Физматгиз., 1958. -570 с.
  385. Н.И. Поглощение инфракрасного излучения в полупроводниках // УФН. 1958. — Т. 64, вып. 2. — С. 315 — 360.
  386. Smirnova Т.Р., Yakovkina L.V., Ayupov В.М., Dolgovesova I.P. et al Exited helium induced CVD a-Sii.xCx:H films from trimethylchlorosilane // Thin Solid Films. — 1999. — V. 353, no. 1. — P. 78−84.
  387. .М., Юшина И. В. Влияние шероховатости и нарушенного слоя на параметры поляризации света, отражённого от монокристаллического кремния // Электрон, техника. Сер. Материалы. -1991. Вып. 5(259). — С. 71 — 73.
  388. В. Физическая химия силикатов. М.: Мир, 1962. — 1090 с.
  389. В.Д., Коновалова О. П., Шаганов И. И. Оптическая неоднородность тонких диэлектрических слоёв, получаемых вакуумным термическим испарением // ОМП. 1987. — № 2. — С. 55−59.
  390. Gupta M., Rathi V.K., Thangaraj R., Agnihotri O.P. The preparation, properties and applications of silicon nitride thin films deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition // Thin Solid Films. 1991. — V. 304, no. 1. — P. 77 — 106.
  391. M. Фазово-контрастный и интерференционный микроскопы. М.: ФМГИЗ, 1960.- 180 с.
  392. Handbook of chemistry and physics. Clevelend Ohio: The chem. publ. Co., 1960- 1961.-P. 536.
  393. .М., Титова Е. Ф., Сысоева Н. П. Программное обеспечение эллип-сометрических измерений в системе пленка подложка // Электрон, техника. Сер. Микроэлектроника. — 1985. — Вып. 3(115). — С. 126 — 129.
  394. Sussman A. Electrical properties of copper phthalocyanine thin films as influenced by the ambient // J. Appl. Phys. 1967. — V. 37, no. 7. — P. 2748−2752.
  395. А.И., Семененко А. И. Об особенностях метода обобщённых измерительных зон в эллипсометрии анизотропных сред // Оптика и спектроскопия. 1987. — Т. 63, вып. 2. — С. 351 — 355.
  396. Исследование пленок фталоцианинов методами эллипсометрии и спектро-фотометрии в видимой области / Б. М. Аюпов, Т. В. Басова, С. А. Прохорова,
  397. И.К. Игуменов // Поверхность. Рентген., синхротрон, и нейтрон, исслед.1997. -№ 10.-С. 110−115.
  398. .М., Прохорова С. А. Выявление оптической анизотропии в пленках металлфталоцианинов методом нулевой эллипсометрии // Автометрия.1998.-№ 2.-С. 53 -62.
  399. .М., Прохорова С. А. Анизотропия пленок фталоцианинов // Оптика и спектроскопия. 2001. — Т. 89, № 3. — С. 309 — 314.
  400. Taft Е.А. A growth model for variable index of refraction of thermal oxides on silicon // J. Electrochem. Soc. 1987. — V. 134, no. 2. — P. 475 — 476.
  401. Ю.В., Трошин Б. И. Анизотропные лазерные зеркала на основе наклонно напыленных металлических пленок // Квант, электроника. 1998. -Т. 25, № 1.- С. 93−95.
  402. А.И., Семененко А. И. Об определении параметров оптически активного кристаллического компенсатора методом эллипсометрии // Оптика и спектроскопия. -1987. Т. 63, вып. 1. — С. 210 — 212.
  403. А.И., Семененко А. И. О проявлении оптической активности кристаллического компенсатора в эллипсометрии. Реализация однозонной «нулевой» методики// Оптика и спектроскопия. 1987. — Т. 63, вып. 4. — С. 901 -906.
  404. А.Ю. Оптимизация методики эллипсометрического определения матрицы отражения анизотропной среды И Кристаллография. 1989. — Т. 34, № 2.-С. 383 -388.
  405. А.Ю. Эллипсометрическая методика измерения матрицы отражения анизотропной среды // ПТЭ. 1989. — № 6. — С. 123 — 126.
  406. .М. Установление анизотропии при калибровке лимбов азимутальных шкал эллипсометров // Автометрия. 1997. — № 1. — С. 95 — 99.
  407. .М. Калибровка лимбов азимутальных шкал эллипсометров // Опт. журн. 1997. — Т. 64, № 12. — С. 103 — 106.
  408. Структурные, морфологические и оптические характеристики кристаллов калий гадолиниевого вольфрамата / Г. В. Ананьева, И. И. Афанасьев, В. И. Васильев и др.// ОМП. — 1983. — № 8. — С. 35 -37.
  409. Распространение света в двухосной кристаллической пленке при наклонном падении / А. Ф. Константинова, А. Ю. Тронин, Б. В. Набатов, Е.А. Евди-щев И Кристаллография. 1999. — Т. 44, № 1. — С. 149−157.
  410. Warman J.M., Schouten P.G., Gelink G.H., de Haas M.P. The disperse kinetics of intercolumnar charge recombination in pulse irradiated mesomorphic phthalo-cyanines // Chem. Phys. — 1996. — V. 212, no. 1. — P. 183 — 192.
  411. M.M., Скрелин A.A., Топорец A.C. Определение параметров шероховатости металлических зеркал с помощью спектрофотометра СФ 18 // ОМП. — 1985. — № 3. — С. 41 — 45.
  412. Ф.Г., Фукс И. В. Рассеяние света на статистически неровной поверхности. М.: Наука, 1972. — С. 97 — 102.
  413. Harris M. MacLeod H.A., Ogura S., Polleties E., Vidal B. The relationship between optical inhomogeneity and film structure // Thin Solid Films. 1979. — V. 57, no. l.-P. 173−178.
  414. Гаврил OB C.A., Сорокин И. Н. Электрохимический анализ строения и кине-L* тики образования пористого оксида алюминия // Электрохимия. 2000. — Т.36,№ 5.-С. 617−621.
  415. Varecek М., Optical study of microvoids, voids, and local inhomogeneity in amorphous silicon // Appl. Phys. Lett. 1991. — V. 59, no. 18. — P. 2237 — 2239.
  416. Smith G.B. Theory of angular selective transmittance in oblique columnar thin films containing metal and voids // Appl. Opt. 1990. — V. 29, no. 25. — P. 3685 -3692.
  417. Оптические свойства композитных слоёв Si02, содержащих монокристаллы Si / В. Г. Бару, Л. Н. Григорян, С. А. Терешин и др. // Микроэлектроника. -1987. Т. 16, вып. 5. — С. 473 — 475.
  418. О природе цветкообразных дефектов в двуокиси кремния на планарныхструктурах / Ф. Л. Эдельман, И. Г. Мельник, В. З. Латута, Б. М. Аюпов, А.В.
  419. Boyer P.K., Ritche W.H., Collins G.J. Conformal step coverage of laser deposited silicon dioxide films // J. Electrochem. Soc. 1982. — V. 129, no. 9. — P. 2155 -2159
  420. .М. Модификация гониометра ГС 5 // ПТЭ. — 1993. — № 5. — С. 185 -187.
  421. Осаждение пленок Z1O2 из газовой фазы и их исследование методами рентгенофазового анализа и эллипсометрии / Н. Б. Морозова, И. К. Игуменов, И. В. Юшина, Б. М. Аюпов, В. И. Лисойван // Неорган, материалы. 1993. — № 7. — С. 949 — 952.
  422. И.Н., Семендяев К. А. Справочник по математике. М: Наука, * 1986. — 544 с.
  423. Л. М., Позин М. Е. Математические методы в химической технике. Л.: Химия. Лен. отд., 1971. — 832 с.
  424. Н.В., Еремин Ю. А., Свешников А. Г. Анализ рассеивающих свойств оксидных частиц на слоистой подложке // Вест. МГУ. Сер. 3. Физика. Астрономия. 2000. — № 2. — С. 24 — 27.
  425. Л.Н. Переходные области эпитаксиальных полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука. Сиб. отд., 1978. — 272 с.
  426. Э.Ю. Технология микроэлектронных устройств. М.: Радио и связь, 1991.-С. 279−280.
  427. Механизм термического окисления кремния./ Т. П. Смирнова, B.C. Данилович, Б. М. Аюпов, Ф. А. Кузнецов // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1975.-Т. 11,№ 8.-С. 1374- 1376.
  428. .М. О процессе упорядочения структуры в пленках двуокиси кремния. Дис. на соиск. учён. степ. канд. техн. наук. — Защищена 05.02.1973- Утверждена 03.11.1973. — Новосибирск: ИНХ СО РАН СССР, 1973.- 120 с.
  429. Vedam К., So S.S. Characterization of real surfaces by ellipsometry // Surface Science. 1972. — V. 29, no. 2. — P. 379 — 395.
  430. Yokota H., Sakata H., Nishibori M., Kinoshita K. Ellipsometric study of polished glass surfaces // Surface Science. 1969. — V. 16. — P. 265 — 274.
  431. .М. Определение нарушенного слоя на поверхности монокристаллических кремниевых подложек по положению главного угла падения // Поверхность. Рентген., синхротрон, и нейтрон, исслед. 1996. — № 11. — С. 74 -78.
  432. Ультрадисперсные взрывные алмазы для финишной полировки / И. Г. Васильева, Б. М. Аюпов, В. Н. Журавлёв, Я. И. Гибнер // Электрон, пром-сть.. 1996. -№ 1.- С. 56−57.
  433. Aspnes D.E., Studna А.А. Dielectric function and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1,5 to 6,0 eV // Phys. Rev. B. 1983. -V. 27, no. 2.-P. 985−1008.
  434. Ф.Л., Филиппов B.B., Отражение и преломление света прозрачными кристаллами. Минск: Наука и техника, 1976. — 224 с.
  435. De Wolf I. Micro Raman spectroscopy to study local mechanical stress in silicon integrated circuits // Semicond. Sci. Technol. — 1996. — V. 11, no. 2. — P. 139 -154.
  436. Critchlow D.L., Dennard R.H., Schuster S.E. Design and characteristics of n -channel insulated gate field — effect transistors // IBM J. Res. Develop. — 2000. -V. 44, no. ½. — P. 70 — 82.
  437. Rice S.O. Reflection of electromagnetic waves from slightly rough surfaces // Comm. pure and appl. math. 1951. — V. 4, no. 2/3. — P. 351 — 378.
  438. А.П., Витенберг Ю. Р., Пальмов B.A. Шероховатость поверхности, теоретико вероятностный подход. — М.: Наука, 1975. — 344 с.
  439. Р. Подложки для тонких пленок // Технология тонких пленок М., 1977.-Т. 1.- С. 491 -557.
  440. О влиянии многократного отражения на работу фазовой пластинки / С. В. Рыхлицкий, К. К. Свиташев, В. К. Соколов, Т. Хасанов // Оптика и спектроскопия. 1987. — Т. 63, вып. 5. — С. 1092 — 1094.
  441. А.С., Семененко А. И., Хасанов Т. Температурная зависимость параметров компенсатора // Эллипсометрия метод исследования поверхности. — Новосибирск, 1983. — С. 137 — 140.
  442. Shannon W.J. A study of dielectric defect detection by decoration with copper // RCA Review. 1970. — V. 31, no. 2. — P. 431 — 435
  443. Патент № 2 047 088 РФ. Кл. G 01 В 11/24. Устройство для измерения радиуса кривизны полированных полупроводниковых пластин / Б. М. Аюпов, И. Г. Ларионов, Ф. А. Гудошников // Изобретения (заявки и патенты). М.: ВНИИПИ, 1995. — № 30. — С. 226.
  444. .М., Каминский В. В. Прибор для измерения кривизны полированных пластин и его использование для измерения пьезоэлектрических коэффициентов пленок // ПТЭ. 1997. — № 2. — С. 53 — 55.
  445. .М., Косцов Э. Г., Юшина И. В. Механические напряжения в структурах сегнетоэлектрическая пленка монокристаллическая подложка Si // Автометрия. — 1995. — № 4. — С. 55 — 59
  446. Drum С.М., Rand M.J. A low stress insulating film on silicon by chemical vapor deposition // J. Appl. Phys. — 1968. — V. 39, no. 9. — P. 4458 — 4459.
  447. Т.К., Андерсон Д. С. Физический механизм распыления материалов под действием ионной бомбардировки (ионного распыления) // Технология тонких пленок. М., 1977. -Т. 1.- С. 352 — 404.
  448. А.с. СССР № 1 347 504. Устройство для нанесения покрытий из газовой фазы / А. Ф. Быков, Н. В. Гельфонд, С. В. Земсков, И. К. Игуменов и др.- № 3 982 561. Заявлено 28.10.85. // Открытия. Изобретения. — 1987. — № 39. — С. 295.
  449. Г. Теория пограничного слоя М.: Наука, 1974. — 711 с.
  450. И.И. Интерференционные методы и приборы для контроля плоскостей оптических деталей // ОМП. 1971. — № 9. — С.63 — 69.
  451. В.М. Сегнетоэлектрики полупроводники. — М.: Наука, 1976. -408 с.
  452. .Н., Юркевич В. Э. Термодинамика фазовых переходов в сегнетоак-тивных твердых растворах. Рига: Знатне, 1978. — 216 с.
  453. А.З., Покровский В. Л. Флуктуационная теория фазовых переходов. М.: Наука, 1982. — 382 с.
  454. Сегнетоэлектрики и антисегеноэлектрики./ Г. А. Смоленский, В. А. Боков, В. А. Исупов и др.- Л.: Наука, 1971. 476 с.
  455. Ю.С. Сегнето электрические кристаллы для управления лазерным излучением. — М.: Наука, 1982. — 400 с.
  456. Влияние температуры нагрева на свойства и структуру кремния / Ю. Н. Таран, A.M. Нестеренко, В. З. Куцова и др. // Докл. АН УССР. 1991, № 4. — С. 76 — 79.
  457. Особенности Лауэ дифракции рентгеновских лучей в кристаллах с нарушенной абразивной обработкой поверхностью / Л. И. Даценко, Е. Н. Кисловский, Т. Г. Крыштаб и др.// Поверхность. Физика, химия, механика. -1985. -№ 8. -С. 69−73.
  458. Влияние механической обработки на изгиб монокристаллических пластин из сплава GaAs / В. П. Кладько, Т. Г. Крыштаб, А. В. Фомин и др. // ОМП. -1990. -№ 10. -С. 49−51.
  459. Исследование механических напряжений в многослойных покрытиях на монокристаллических кремниевых подложках / B.C. Корсаков, В. И. Мишачев, Б. И. Седунов, В. В. Уздовский // Электрон, техника. Сер. Микроэлектроника. 1987. — Вып. 2(122). — С. 88 — 97.
  460. Ю.В. Интерферометры. JL: Машиностроение, 1976. 295 с.
  461. Ю.В. Основы лазерной техники. Киев: Выща шк., 1988. — 383 с.
  462. Cogswell R.F. Hollow prism for goniometric calibration of refractive index me-dia// Am. Mineralogist. 1945. — V. 30, no. 7 and 8. — P. 541 — 543.
  463. Meyrowitz R., Larsen E.S. Immersion liquids of high refractive index // American Mineralogist. 1951. — V. 36, no. 9 and 10. — P. 746 — 750.
  464. Malitson I.H. Interspecimen comparison of the refractive index of fused silica // J. Opt. Soc. Am. 1965. — V. 55, no. 10. — P. 1205 — 1209.
  465. Получение и физико-химические свойства стекол на основе сульфидов редкоземельных и щелочных металлов / В. В. Соколов, Ю. А. Стонога, А .Я. Рояк, Б. М. Аюпов // Физика и химия стекла. 1989. — Т. 15, № 1. — С. 62 — 66.
  466. .М., Протасова В. И., Харченко Л. Ю. Эллипсометрическое исследование тонких пластин кристаллов a-KLa(Mo04b- // Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск, 1991. — С. 221 — 223.
  467. Оптические свойства некоторых двойных щелочно-редкоземельных вольфраматов со структурой, а KY (W04)2. / Б. М. Аюпов, В. И. Протасова, А. А. Павлюк, Л. Ю. Харченко // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. -1986. — Т. 28, № 7. — С. 1156 — 1160
  468. Оптические свойства двойных молибдатов и вольфраматов редкоземельных и щелочных металлов со структурой шеелита / В. И. Протасова, Б. М. Аюпов, Л. Ю. Харченко и др.// Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. 1989. -Вып.1. — С. 58−63.
  469. .М. Выбор моделей при исследовании систем диэлектрическая пленка-подложка эллипсометрическим и спектрофотометрическим методами // Поверхность. Рентген., синхротрон., нейтрон, исслед. 2000. — № 4. — С.59 -64.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!