Исследование и разработка методов моделирования для управления технологическими процессами компьютерно-интегрированного производства СБИС
Диссертация
Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы обсуждались на следующих конференциях и семинарах: Всероссийской научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Таганрог, 1994 г.) — Всероссийском рабочем семинаре «Нейроинформатика и ее приложения» (Красноярск, 1994 г.) — Второй Всероссийской научно-технической конференции «Актуальные… Читать ещё >
Список литературы
- Schaller R.R. Moore’s Law: Past, Present, and Future. IEEE Spectrum, June 1997, pp. 53−59.
- Poli D.J., Berry M.S., Kruchowski J.N. 1С Technology and ASIC Design for the Cray J90 supercomputer. IBM J. Res. Develop., July 1996, Vol. 40, No. 4, pp. 475 483.
- Singer A. Digital and Chartered: Top Fabs of 1997. Semiconductor International, May 1997, pp. 112−116.
- Peters L. Speeding the Transition to 0.18 um. Semiconductor International, January 1998, pp. 61−70.
- The National Technology Roadmap for Semiconductor. SEMATECH, 1997.
- Castrucci P. The future fab changing the paradigm. Solid State Technology, January 1995, Vol. 38, No. 1, pp. 49−56.
- Валиев K.A. Микроэлектроника: достижения и пути развития. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1986, 144 с.
- Rembold U., Nnaji В. and Storr A. Computer-Integrated Manufacturing and Engineering. Addison-Wesley, 1994.
- Lee J.H., Jang W.I., Choi B.Y., Yoo H.J., Park S.-Ch. Development of a MESC-compliant cluster tool. Solid State Technology, October 1995, pp. 93−97.
- Kaufmann T. The Paradigm Shift for Manufacturing Execution Systems in European Projects and SEMI Activities. Semiconductor Fabtech — 8th Edition, pp. 1725.
- Cluster Tool Module Interface: Mechanical Interface and Wafer Transpot Standard. SEMI E21−94, 1995.
- Математическое моделирование / Под ред. Дж. Эндрюса и Р. Мак-Лоуна. -М.: Мир, 1979 г. 277 с.176
- Джонсон Н., Лион Ф. Статистика и планирование эксперимента в технике и науке. М.: Мир. Т. 1, 1980,610 е., Т. 2,1981, 520 с.
- Лавренчик В.Н. Постановка физического эксперимента и статистическая обработка его результатов. М.: Энергоатомиздат, 1986. — 272 с.
- Вучков И., Бояджиева Л., Солаков Е. Прикладной линейный регрессионный анализ. М.: Финансы и статистика, 1987. — 239 с.
- Дрейпер Н., Смит Г. Прикладной регрессионный анализ: В 2-х книгах, Кн. 1. М.: Финансы и статистика, 1986. — 366 е., Кн. 2. — М.: Финансы и статистика, 1987. — 351 с.
- Исследование особенностей проектирования классификаторов на основе биокибернетических систем. Отчет по НИР / Руководитель Баринов В. В. -№ гос. регистрации 1 940 007 445, Инв. № 2 960 004 115, стр. 58, 1995 г.
- Lippman R. An introduction to computing with neural nets. IEEE ASSP Mag., Apr. 1987.
- Уоссермен Ф. Нейрокомпьютерная техника. M.: Мир, 1992, 240 с.
- Zadeh L.A. Fuzzy sets. Inform, and Control, 1965, vol. 8, pp. 338−353.
- Прикладные нечеткие системы: Пер. с япон./ К. Асаи, Д. Ватада, С. Иваи и др.- под редакцией Т. Тэрано, К. Асаи, М.Сугено. М.: Мир, 1993. — 368 с.
- Sugeno М. and Kang G.T. Structure identification of fuzzy model. Fuzzy Sets and Systems, 1988, pp. 15−33.
- Sugeno M. and Yasukawa T. A fuzzy-logic-based approach to qualitative modeling. IEEE Trans, on Fuzzy Systems, February 1993, vol. 1, no. 1, pp. 7−31.177
- Lin C.-T. and Lee C.S.G. Neural-Network-Based Fuzzy Logic Control and Decision System. IEEE Trans, on Computers, December 1991, vol. 40, no. 12, pp. 1320−1336.
- Баринов B.B., Бахмач О. Ф., Крупкина Т. Ю. Использование самоорганизующихся нейронных сетей при решении задач нечеткого управления. Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и информатика». — Зеленоград, 1995, с.303−304.
- Kim В. and May G. S. An optimal neural network process model for plasma etching. IEEE Trans. Semicond. Manufact., 1994, vol. 7, no. 1, pp. 12−21.
- Huang L., Edger T.F., Himmelblau D.M. and Trachtenberg I. Constructing a reliable neural network model for a plasma etching process using limited experimental data. IEEE Trans. Semicond. Manufact., 1994, vol. 7, no. 3, pp. 333 344.
- Rietman E.A. and Lory E.R. Use of neural networks in modeling semiconductor manufacturing: An example for plasma etch modeling. IEEE Trans. Semicond. Manufact., 1993, vol. 6, no. 4, pp. 343−347.
- Rietman E. A. A Neural Network Model of a Contact Plasma Etch Process for VLSI Production. IEEE Trans. Semicond. Manufact., February 1996, vol. 9, no. 1, pp. 95−100.
- Rietman E.A., Patel S.H. and Lory E.R. Neural network control of a plasma gate etch: Early steps in wafer-to-wafer process control. Fifteenth IEEE/CIIMT Int. Electr. Manuf. Tech. Symp., Santa Clara, CA, Oct. 4−6, 1993, vol. 454−457.
- Xie H., Mahajan R.L., and Lee Y.-C. Fuzzy Logic Models for Thermally Based Microelectronic Manufacturing Processes. IEEE Trans. Semicond. Manufact., August 1995, vol. 8, no. 3, pp. 219−227.
- Cardarelli G., Palumbo M., and Pelagagge P.M. Photolithography Process Modeling Using Neural Networks. Semiconductor International, June 1996, pp. 199 206.178
- Mahajan R.L., Hopper P., and Atkins W. Neural Nets and Fuzzy Logic in Semiconductor Manufacturing. Semiconductor International, August 1995, pp. 111 118.
- Himmel C., Kim Т., Krauss A., Kamen E., and May G. Real-Time Predictive Control of Semiconductor Manufacturing Processes Using Neural Networks. Proc. 1995 American Control Conference, June 1995, vol. 2, pp. 1240−1244.
- Rodrigues B.R.S., and Styblinski M.A. Adaptive multi-objective fuzzy optimization for circuit design. Proc. IEEE Int. Symp. CAS, 1993, pp. 1813−1816.
- Hashizume M. et al. A parameter adjustment method for analog circuits based on convex fuzzy decision using constrains satisfactory level. Proc. ICCD, 1990, pp. 2428.
- Torralba A., Chavez J., and Franquelo L.G. FASY: A Fuzzy-Logic Based Tool for Analog Synthesis. IEEE Trans, on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, July 1996, vol. 15, no. 7, pp. 705−715.
- Nadi F., Agogino A.M., and Hodges D.A. Use of Influence Diagrams and Neural Netwoks in Modeling Semiconductor Manufacturing Processes. IEEE Trans. Semicond. Manufact., February 1991, vol. 4, no. 1, pp. 52−58.
- Mocella M.T., Bondur J.A., and Turner T.R. Etch process characterization using neural network methodology: A case study. SPIE Proc., vol. 1594.
- Himmel C.D. and May G.S. Advantages of plasma etch modeling using neural networks over statistical techniques. IEEE Trans. Semicond. Manufact., May 1993, vol. 6, no. 2, pp. 103−111.
- Плазменная технология в производстве СБИС: Пер. с англ./ Под ред. Н. Айнспрука и Д.Брауна. М.: Мир, 1987, 470 стр.
- Зайцев В.В. ФРЭЭ и кинетические характеристики низкотемпературной плазмы во фторе. ТВТ, 1989, т. 27, № 5, с. 842−846.
- Русанов В.Д., Фридман А. А. Физика химически активной плазмы. М.: Наука, 1984.-415 с.
- Словецкий Д.И., Дерюгин А. А. Функции распределения электронов по энергиям и взаимодействие электронов с многоатомными фторосодержащими газами. В кн.: Химия плазмы. Вып. 13/ Под ред. Б. М. Смирнова. М.: Энергоиздат, 1986, с. 240−277.179
- Базаров И.П., Геворкян Э. В., Николаев П. Н. Неравновесная термодинамика и физическая кинетика. М.: Издательство МГУ, 1989. — 240 с.
- Graves D.B., Jensen K.F. A continuum model of dc and rt discharges. IEEE Trans, on Plasma Science, 1986, v. PS-14, N2, p. 78−91.
- Бойко B.B., Манкелевич Ю. А., Рахимов A.T. и др. Численное исследование высокочастотного разряда в электроотрицательных газах низкого давления. -Физика плазмы, 1989, т. 15, № 6, с. 218−225.
- Economou D.J., Evans D.R., Alkire R.C. A time-average model of the RF plasma sheath. J. Electrochem. Soc., 1988, V. 135, N3, p. 756−763.
- Швейгерт B.A., Швейгерт И. В. Математическое моделирование прикатодной области стационарного тлеющего разряда. ПМТФ, 1988, № 4, с. 16−23.
- Лукьянова А.А., Рахимов А. Т., Суэтин Н. В. Высокочастотный разряд в магнитном поле. Численная модель. Физика плазмы, 1990, т. 16, № 11, с. 13 671 374.
- Hebner G.A., Kushner M.J. Phase and energy distribution of ions incident on electrode in rf discharges. J. Appl. Phus., 1987, Vol. 62, N6, p. 2256−2260.
- Boswell R.W., Morey I.J. Self-consistent simulation of a parallel-plate rf discharge. Appl. Phys. Lett., 1988, Vol. 52, N4, p. 21−23.
- Kushner M.J. Monte-Carlo simulation of electron properties in rf parallel plate capacitively coupled discharges. J. Appl. Phys., 1983, Vol. 54, N9, p. 4958−4965.
- Годяк B.A. Стационарный высокочастотный разряд низкого давления. -Физика плазмы, 1976, т. 2, № 1,с. 141−151.
- Велихов Е.П., Ковалев Ф. С., Рахимов А. Т. Физические явления в газоразрядной плазме. М.: Наука, 1987. 160 с.
- Okazaki К., Makabe Т., Yamaguchi Y. Modeling of a rf glow discharge plasma. -Appl. Phys. Lett., 1989, Vol. 54, N18, p. 1742−1744.
- Cotler T.J., Barnes M.S., and Elta M.E. A Monte Carlo microtopography model for investigating plasma/reactive ion etch profile evolution. J. Vac. Sci. Tech. В., Mar. — Apr. 1998, vol. 6, no. 2.
- Gerodolle A. and Pelletier J. Two-dimensional implications of a purely reactive model for plasma etching. IEEE Trans. Electron Devices, Sept. 1991, vol. 38, no. 9.180
- Box G. and Draper N. Empirical Model-Building and Response Surfaces. New York: Wiley, 1987.
- McLaughlin K.J., Butler S.W., Edgar T.F., and Trachtenberg I. Development of techniques for real-time monitoring and control in plasma etching. J. Electrochem. Soc., Mar. 1991, vol. 138, no. 3.
- Riley P.E. and Hanson D.A. Study of etch rate characteristics of SF6/He plasmas by response surface methodology: Effects of inter-electrode spacing. IEEE Trans. Semicond. Manufact., Nov. 1989, vol. 2, no. 4.
- Gogolides E. and Sawin H.H. N±Polysilicon etching in CCU/He discharges: Characterization and modeling. J. Electrochem. Soc., Apr. 1989, vol. 136, no. 4.
- Riley P.E., Turley A.P., and Malkowski W.J. Development of a multistep SiCh plasma etching process in a minibatch reactor using response surface methodology. -J. Electrochem. Soc., Apr. 1989, vol. 136, no. 4.
- Karulkar P.C. and Wirzbicki M.A. Characterization of etching of silicon dioxide and photoresist in a Fluorocarbon plasma. J. Vac. Sci. Tech. В., Sept.-Oct. 1998, vol. 6, no. 5.
- Jenkins M., Mocella M., Allen K., and Sawin H. The modeling of plasma etching processes using response surface methodology. Sol. St. Tech., Apr. 1986.
- Киреев В.Ю. Процессы сухого размерного травления материалов в производстве мегабитовых ДОЗУ. Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника, 1989, вып. 3(132), с. 37−44.
- Киреев В.Ю., Фролова Г. В. Отработка технологических режимов сухого размерного травления на основе однофакторного эксперимента. Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника, 1991, вып. 2(141), с. 40−46.
- Deif A. Sensitivity Analysis in Linear Systems. New York: Springer, 1983.
- Мозумдер П.К., Стойвас А. Й. Статистическое управление технологическим процессом при производстве СБИС. ТИИЭР, т. 78, № 2, февраль 1990, с. 236 258.
- Баринов В.В., Бахмач О. Ф., Калинин А. В., Крупкина Т. Ю., Шелыхманов Д. Е. Повышение технологичности СБИС на основе концепции виртуального производства. Микроэлектроника, № 4, 1999 г., с. 283−292.181
- Miller W.H., Sanders T.J. Design for Inherent Manufacturability of Electronic Products. Proc. International Semiconductor Manufacturing Science Symposium, 1989, pp. 85−91.
- Tseng F.C. Foundry Technologies. IEDM Dig. Techn. Papers, Paper 1.3. 1996, pp. 19−24.
- Brown S., Chance F., Fowler J.W., Robinson J. A Centralized Approach to Factory Simulation. Future Fab International, 1997, Vol. 1, No. 3, pp. 83−86.
- Walk H., Schaefer M., Glueck M., Koenig U. New Approaches to SimulationAssisted Design and Process Development. Solid-State Technology, March 1997, pp. S16-S18.
- Directions in CIM for semiconductor wafer fabrication. Solid-State Technology, February 1994, pp. 29−37.
- Aoki Y., Masuda H., Shimada S., and Sato S. A new design-centering methodology for VLSI device development. IEEE Trans. Computer-Aided Design, 1987, vol. CAD-6, no. 3, pp. 452−461.
- Alvarez A.R., Abdi B.L., Young B.L., Weed H.D., Teplike J., and Herald E.R. Application of statistical design and response surface methods to computer-aided VLSI device design. IEEE Trans. Computer-Aided Design, 1988, vol. 7, no. 2, pp. 272−288.
- Low K.K. and Director S.W. An efficient methodology for building macromodels of IC fabrication processes. IEEE Trans. Computer-Aided Design, 1989, vol. 8, no. 12, pp. 1299−1313.
- Sharifzadeh S., Koehler J.R., Owen A.B., and Schott J.D. Using simulators to model transmitted variability in IC manufacturing. IEEE Trans. Semicond. Manuf., 1989, vol. 2, no. 3, pp. 82−93.
- Masuda H., Otsuka F., Aoki Y., Sato S., and Shimada S. Response surface methods for submicron MOSFETs characterization with variable transformation technology. IEICE Transactions, 1991, vol. E 74, no. 6, pp. 1621−1633.
- Cecchetti M., Lissoni M., Lombardi C., and Marmiroli A. Process analysis using RSM and simulation. Microelectron. Eng., 1992, vol. 19, pp. 511−516.
- Sanders T.J., Rekab K., Rotella F.M., and Means D.P. Integrated circuit design for manufacturing through statistical simulation of process steps. IEEE Trans. Semicon. Manuf., 1992, vol. 5, no. 4, pp. 368−372.182
- Hasnat К., Murtaza S., and Tasch A.F. A manufacturing sensitivity analysis of 0.35 mkm LDD MOSFETs. IEEE Trans. Semicon. Manuf., 1994, vol. 7, no. 1, pp. 53−59.
- Barinov V., Bakhmatch О., Krupkina Т. Fuzzy Kohonen Neural Networks For Qualitative Modeling. Proc. Intern. Conf. EUFIT'95, August 1995, Aachen, Germany, vol.1, pp.336−339.
- Director S.W. and Hachtel G.D. The simplicial approximation to design centering. IEEE Trans. Circuits Syst., July 1977, vol. CAS-24, pp. 363−372.
- TMA Layout, Version 1.2. Technology Modeling Associates, Inc., Sunnyvale, California, October 1995.
- TSUPREM-4, Version 6.5. Technology Modeling Associates, Inc., Sunnyvale, California, May 1997.
- MEDICI, Version 2.3. Technology Modeling Associates, Inc., Sunnyvale, California, February 1997.183