Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Моделирование и расчет функциональных характеристик элементов энергонезависимой памяти с фазовыми переходами

Диссертация: Моделирование и расчет функциональных характеристик элементов энергонезависимой памяти с фазовыми переходами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Все это привело к тому, что основные производители микросхем типа Flash, например, такие как Intel, Samsung, ST Electronics и другие, стали разрабатывать ячейки памяти, базирующиеся не на сохранении статического заряда. Новые ячейки основаны на материалах способных при достаточно низких энергетических затратах изменять фазовый состав. Такой тип памяти получил название РСМ (англ., Phase Change… Читать ещё >

Моделирование и расчет функциональных характеристик элементов энергонезависимой памяти с фазовыми переходами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. ЭЛЕМЕНТЫ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ С ФАЗОВЫМИ ПЕРЕХОДАМИ
    • 1. 1. Особенности элементов памяти с фазовыми переходами
    • 1. 2. Эффект переключения
    • 1. 3. Влияние сильных электрических полей на проводимость в стеклообразных полупроводниках
    • 1. 4. Кристаллизация аморфной фазы
    • 1. 5. Требования, предъявляемые к устройствам энергонезависимой памяти. Перспективы памяти на фазовых переходах
    • 1. 6. Микросхемы энергонезависимой памяти на фазовых переходах
    • 1. 7. Постановка и обоснование задач исследования
  • 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ОБРАЗЦЫ И МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЙ
    • 2. 1. Экспериментальные образцы, методика их получения
      • 2. 1. 1. Химический состав экспериментальных образцов
      • 2. 1. 2. Типы получаемых образцов
      • 2. 1. 3. Осаждение пленок
    • 2. 2. Разработка измерительного комплекса
      • 2. 2. 1. Требования к измерительным установкам
      • 2. 2. 2. Методика и схема измерения статических характеристик образцов
      • 2. 2. 3. Методика и схема измерения динамических характеристик образцов
    • 2. 3. Выводы
  • 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕМЕНТОВ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ С ФАЗОВЫМИ ПЕРЕХОДАМИ
    • 3. 1. Влияние конструктивных параметров на статические характеристики элементов памяти с фазовыми переходами
    • 3. 2. Влияние конструктивных параметров на динамические характеристики элементов памяти с фазовыми переходами
    • 3. 3. Влияние циклов перезаписи на характеристики элементов памяти
    • 3. 4. Переключение ячеек памяти с фазовыми переходами в различных режимах. Колебания проводимости при переключении элементов памяти
    • 3. 5. Выводы
  • 4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ОСНОВНЫХ СТАДИЙ ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ ЯЧЕЕК ПАМЯТИ С ФАЗОВЫМИ ПЕРЕХОДАМИ
    • 4. 1. Модель эффекта переключения (первая стадия включения ячейки)
      • 4. 1. 1. Расчет эффекта переключения на основе эмиссионной модели
      • 4. 1. 2. Определение параметров модели по экспериментальной вольтамперной характеристике
      • 4. 1. 3. Расчет влияния параметров ячейки на вольтамперные характеристики
      • 4. 1. 4. Расчет вольтамперных характеристик ячейки памяти

Актуальность. При современном уровне развития информационных технологий, для обеспечения потребностей бизнеса, науки и техники, принципиально важными становятся исследования в области различных видов памяти, поскольку объемы информации постоянно возрастают. При этом встает вопрос об информационной надежности и ресурсе новых накопителей, т.к. при существующих темпах, нет возможности постоянно переписывать информацию с носителя на носитель, а потеря информации во многих случаях может стать катастрофичной. Не менее важным для новых типов памяти является вопрос быстродействия и энергетической независимости. Это приводит к интенсивному развитию различных видов полупроводниковой памяти.

В настоящее время среди устройств энергонезависимой полупроводниковой памяти широкое распространение получила память типа Flash, базирующаяся на хранении заряда. Обладая страничной организацией перезаписи данных и хорошим для такой организации быстродействием 10 мс), эта память имеет сравнительно невысокое число циклов перезаписи и весьма чувствительна к некоторым внешним воздействиям. Современными стандартами количество циклов перезаписи Flash определяется на уровне от 10 ООО до 100 ООО раз, что достаточно мало, чтобы явиться хорошей альтернативой для магнитных жестких дисков. При этом Flash, как и любой тип памяти, связанный с хранением заряда не обладает радиационной стойкостью, что делает невозможным его применение в военной промышленности. Кроме того, уже просматривается предел масштабирования для элементов памяти этого типа 20 нм).

Все это привело к тому, что основные производители микросхем типа Flash, например, такие как Intel, Samsung, ST Electronics и другие, стали разрабатывать ячейки памяти, базирующиеся не на сохранении статического заряда. Новые ячейки основаны на материалах способных при достаточно низких энергетических затратах изменять фазовый состав. Такой тип памяти получил название РСМ (англ., Phase Change Memory). Хранение информации в них осуществляется за счет различия в свойствах разных фаз активного материала, а именно кристаллического, обладающего высокой проводимостью, и аморфного, обладающего высоким сопротивлением. Фазовый состав изменяется подачей на ячейку импульсов напряжения определенной длительности и амплитуды. Несмотря на то, что идея создания такого типа памяти была предложена более полувека назад, только современные соединения халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП), обеспечивают параметры ячеек не только не уступающие ячейкам Flash, но и во многом превосходящие их. Обладая высокой радиационной стойкостью, хорошим ресурсом (порядка 1012 циклов перезаписи [1]) и быстродействием -100 не, эта память принципиально позволяет создавать устройства оперативного хранения информации, что в будущем позволит создать компьютерные системы со сверхбыстрой загрузкой, а также с динамическим конфигурированием.

Несмотря на перспективы, которые открываются для нового типа памяти, проектирование РСМ устройств и разработка их технологии в основном являются эмпирическими из-за отсутствия инженерных методов расчета некоторых функциональных стадий, связанных, в основном, с эффектом переключения и фазовыми превращениями.

При неправильном подборе параметров импульсов напряжения перезаписи может происходить потеря информации после ее записи. Также в настоящее время остается открытым вопрос о надежности хранения информации в таких ячейках и др.

В связи с этим, основная цель работы заключалась в комплексном экспериментальном и теоретическом исследовании функционирования ячеек, определении основных стадий многоэтапных процессов записи и стирания информации, выделении на каждом этапе доминирующих процессов, построении для них физико-математических моделей, проверке их адекватности, а так же в создании метода оценки надежности ячеек РСМ. Конечная цель работы заключалась в создании методов расчета, позволяющих оптимизировать параметры ячеек и микросхем памяти при их разработке.

Для достижения поставленных целей необходимо было решить следующие задачи:

1. Создать методики получения образцов.

2. Создать методики измерений, модифицировать и отладить имеющуюся измерительную аппаратуру, переориентировав ее для решения поставленных задач.

3. Выполнить экспериментальное исследование электропроводности сэндвич структур в высоких полях, определить области оптимальных режимов перезаписи ячеек.

4. На основе теоретического и экспериментального исследования объяснить новые обнаруженные эффекты.

5. Создать метод расчета надежности ячеек РСМ.

6. Создать модели основных процессов для различных этапов функционирования ячеек, выполнить соответствующие расчеты и сравнить их с результатами эксперимента. Предложить соответствующие рекомендации, которые могут быть использованы при проектировании ячеек.

Объекты и методы исследований. Объектами исследования являются электронные процессы двухэлектродных тестовых ячеек РСМ, представляющие собой тонкие пленки ХСП с электродами различной конфигурации. Основными методами исследования являются измерения статических и динамических характеристик тестовых ячеек РСМ. Основным методом оценки достоверности расчетных результатов является их сравнение с экспериментальными и литературными данными.

Научная новизна:

1. Установлена связь между видом вольтамперной характеристики и свойствами материала и геометрии активной области.

2. На основе подхода, предложенного Колмогоровым, развита модель информационного отказа ячейки РСМ, расчеты по которой удовлетворительно соответствуют известным экспериментальным данным.

3. Показано, что быстрая стадия записи кристаллического состояния ячейки памяти может быть объяснена ударной ионизацией в индуцированном канале, что подтверждается соответствующими расчетами.

4. Показано, что при постоянном тепловом фоне возможно возникновение термокинетических колебаний в объеме материала памяти.

5. Составлен комплекс связанных физико-математических моделей, описывающих все стадии функционирования элементов памяти.

Практическая ценность:

1. Предложенная в работе связь вида вольтамперных характеристик с параметрами материала позволяет осуществлять выявление потенциально ненадежных элементов памяти в процессе работы микросхемы.

2. Показана область режимов функционирования элемента памяти, которая может приводить к возникновению его нестабильности и которая должна быть исключена из работы микросхемы.

3. Разработаны методы априорной оценки надежности, позволяющие избегать дорогостоящих испытаний в процессе проектирования микросхем памяти.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Достоверность моделей и выполненных по ним результатов расчетов для включения и выключения ячеек РСМ.

2. Способ определения характеристических параметров РСМ ячейки по ее статическим характеристикам.

3. Справедливость выводов о минимальных размерах разделительных теплоизолирующих слоев, сделанных на основе расчетов возможной тепловой связи РСМ ячеек в накопителе PCRAM (англ., Phase Change Random Access Memory).

4. Обнаруженный эффект возникновения колебаний проводимости, которые обусловлены многочисленными фазовыми превращениями в разных областях ячейки РСМ. Его объяснение и справедливость применяемой физико-математической модели.

5. Предложенный метод оценки надежности хранения информации в ячейках РСМ и результаты расчетов для ячейки на основе материала, используемого в схемах PCRAM.

Реализация результатов. Результаты исследования вошли составной частью в работу, выполненную совместно с ИОНХ РАН РФ по проекту 08−300 651 РФФИ.

Разработанные программные модули были использованы автором при создании лабораторной работы по расчету тепловых процессов в микросхеме памяти в рамках курса «Численный анализ электронных схем и автоматизация схемотехнического моделирования», читаемого в НИУ МЭИ бакалаврам по направлению 210 100 (550 700).

Полученные в рамках диссертационной работы результаты были использованы при подготовке раздела, посвященного PCRAM в курсе «Системы памяти», читаемого в НИУ МЭИ магистрам по направлению 210 100 (550 700).

Апробация работы. Результаты диссертации изложены в 21 работе, которые приведены в списке работ автора, опубликованных по теме диссертации, а также докладывались и обсуждались на перечисленных ниже конференциях и семинарах:

1. Международные научно-методические семинары «Флуктационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» МНТОРЭС им. A.C. Попова в 2008, 2009, 2010, 2011 гг.

2. Научная сессия Центра хемотроники стекла им. В. В. Тарасова, посвященной 100-летию со дня рождения профессора Б. Т. Коломийца. 15 апреля 2008 г., Москва, Российский химико-технологический университет им. Д. И. Менделеева.

3. Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. Зеленоград 28−30 апреля 2010. «Микроэлектроника и информатика 2010». Министерство образования и науки РФ, Московский государственный институт электронной техники (ТУ).

4. Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», 28 июня — 1июля 2010 г., Санкт-Петербург, ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН РФ.

5. Пятнадцатой, шестнадцатой и семнадцатой международной научно-технической конференции студентов и аспирантов. Радиоэлектроника, электротехника и энергетика. Секция «Полупроводниковая электроника», Москва 2009, 2010 и 2011 гг.

6. 10th Non-Volatile Memory Technology Symposium, October 25−28, 2009, Hilton Portland and Executive Tower Portland, Oregon, USA.

7.23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, ICANS 23 Science and Technology the Netherlands, Aug. 23−28 2009.

8. The 5th Forum NANO AND GIGA CHALLENGES in Electronics, Photonics and Renewable Energy, Moscow — Zelenograd, Russia, September 12−16, 2011.

9.3-я международная конференция «Аппликативные вычислительные системы ABC 2012», Москва, 26−28 ноября, 2012 г.

По завершении работы сделаны доклады по общим результатам диссертации на семинаре кафедры физики полупроводников отделения физики твердого тела физического факультета Московского государственного университета им. М. В. Ломоносова в научной группе проф. Звягина И. П. (17.12.2012) и на семинаре лаборатории фотоэлектрических явлений в полупроводниках отделения физики твердого тела Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (18.12.2012).

Личный вклад автора. Автор создал аппаратно-измерительный комплекс для изучения статических характеристик ячееквыполнил экспериментальное исследование статических и динамических характеристик РСМ ячеексоздал комплекс моделей всех стадий функционирования ячеек РСМвыполнил сравнение расчетных результатов с экспериментальнымиобнаружил и объяснил эффект колебаний проводимости в ячейкахпредложил метод априорной оценки надежности хранения информации.

Результаты работы могут быть использованы проектировщиками PCRAM-микросхем, при расчете стадий функционирования элементов памяти с фазовыми переходами и при оценке их надежности.

СПИСОК РАБОТ, ОПУБЛИКОВАННЫХ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ.

Статьи, входящие в перечень изданий, рекомендованных ВАК России:

1. Sergey Kozyukhin, Edward Voronkov and Konstantin Egarmin. Conductivity oscillations in Ge2Sb2Te5 films stimulated by phase transformations. Physica Status Solidi ©, volume 7, issue 3 — 4, P. 865 — 868, April 2010.

2. K.H. Егармин. Ю. В. Ануфриев, Э. Н. Воронков. Термокинетические колебания в элементах памяти с фазовыми переходами. Вестник МЭИ № 6, 2009, Издательский дом МЭИ, С. 210 — 214. ISSN: 1993;6982.

Другие статьи и публикации в материалах и трудах конференций:

1. K.N. Egarmin. Kinetic oscillations during phase transitions in nanoscale volumes. The 5th Forum NANO AND GIGA CHALLENGES in Electronics, Photonics and Renewable Energy, Moscow 2011, P. 66.

2. K.N. Egarmin. E.N. Voronkov. Storage of information in nanoscale memory cells with phase transitions. The 5th Forum NANO AND GIGA CHALLENGES in Electronics, Photonics and Renewable Energy, Moscow 2011, P. 67.

3. K.H. Егармин. Э. Н. Воронков. Применение кристаллизационной модели А. Н. Колмогорова к оценке времени хранения информации в PcRAM. Материалы международного научно-методического семинара МЭИ: Флуктационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах, Москва 2011, С. 128- 132.

4. К. Н. Егармин. Колебания проводимости в ячейках PcRAM, обусловленные фазовыми превращениями. Материалы международного научно-методического семинара МЭИ: Флуктационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах, Москва 2011, С. 123 — 127.

5. К. Н. Егармин. Вольтамперные характеристики ячеек энергонезависимой памяти, основанной на фазовых переходах. Аморфные и микрокристаллические полупроводники: сборник трудов VII Международной конференции. -Спб.: Изд-во Политехи, ун-та, 2010, С. 377 — 378.

6. К. Н. Егармин. Тепловые процессы в энергонезависимых ячейках памяти с фазовыми переходами. Аморфные и микрокристаллические полупроводники: сборник трудов VII Международной конференции. -Спб.: Изд-во Политехи, унта, 2010, С. 375−376.

7. К. Н. Егармин. Моделирование динамики переключения энергонезависимых ячеек памяти с фазовыми переходами в приближении ударной ионизации. Аморфные и микрокристаллические полупроводники: сборник трудов VII Международной конференции. -Спб.: Изд-во Политехи, унта, 2010, С. 93 -94.

8. Э. Н. Воронков, К. Н. Егармин. Расчет основных характеристик элементов памяти на основе халькогенидных полупроводников. Аморфные и микрокристаллические полупроводники: сборник трудов VII Международной конференции. -Спб.: Изд-во Политехи, ун-та, 2010, С. 15 — 16.

9. К. Н. Егармин. Тепловые процессы в энергонезависимых ячейках памяти с фазовыми переходами. 17-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов: Тезисы докладов. -М.: МИЭТ, 2010, С. 71.

10. К. Н. Егармин. Расчет вольтамперных характеристик ячеек памяти, основанной на фазовых переходах. Материалы международного научно-методического семинара МЭИ: Флуктационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах, Москва 2010, С. 223 — 228.

11. Егармин К. Н. Моделирование ячеек энергонезависимой памяти, основанной на фазовых переходах. Тезисы докладов шестнадцатой международной научно-технической конференции студентов и аспирантов. Радиоэлектроника, электротехника и энергетика, Том 1, Секция 13 Полупроводниковая электроника, Москва 2010, С. 275 — 276.

12. Edward N. Voronkov, Konstantin N. Egarmin. Estimation of phase change memory cell parameters on the base I-V curves analyses 10th Non-Volatile Memory Technology Symposium, October 25−28, 2009, Hilton Portland and Executive Tower Portland, Oregon, USA PI 1. (http: nvmts.org).

13. S. Kozyukhin, E. Voronkov, K.Egarmin. Conductivity oscillations in Ge2Sb2Te5 films stimulated by phase transformations. Book of Abstracts, 23rd International Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors, ICANS 23 Science and Technology the Netherlands, Aug. 23−28 2009, P. 408.

14. Егармин K.H. Ануфриев Ю. В., Воронков Э. Н. Колебания проводимости в элементах памяти с фазовыми переходами. Материалы международного научно-методического семинара МЭИ: Флуктационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах, Москва 2009, С. 241 — 245.

15. Егармин К. Н. Исследование характеристик энергонезависимых тестовых элементов памяти на основе тонких пленок Ge2Sb2Te5. Материалы международного научно-методического семинара МЭИ: Флуктационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах, Москва 2009, С. 236 — 240.

16. Егармин К. Н. Исследование процессов включения фазопеременных элементов памяти. Влияние толщины пленок Ge2Sb2Te5 на их статические характеристики. Тезисы докладов пятнадцатой международной научно-технической конференции студентов и аспирантов. Радиоэлектроника, электротехника и энергетика, Том 1, Секция 13 Полупроводниковая электроника, Москва 2009, С. 216 — 217.

17. Егармин К. Н. SPICE модели включения и выключения фазопеременных элементов памяти (РСМ). Программа и тезисы докладов научной сессии Центра хемотроники стекла им. В. В. Тарасова, посвященной 100-летию со дня рождения профессора Б. Т. Коломийца, РХТУ им. Д. И. Менделеева, Москва 2008, С. 37.

18. Ануфриев Ю. В., ЕгановаЕ.М., Егармин К. Н. Определение электрофизических параметров функциональной области элементов памяти с фазовыми переходами. Материалы международного научно-методического семинара МЭИ: Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах, Москва 2008, С. 176 — 181.

19. Егармин К. Н. Тепловые процессы в энергонезависимых ячейках памяти с фазовыми переходами. Тезисы докладов семнадцатой международной научно-технической конференции студентов и аспирантов. Радиоэлектроника, электротехника и энергетика, Том 1, Секция 14 Полупроводниковая электроника, Москва 2011, С. 277 — 278.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. A.L. Lacaita. Phase change memories: State-of-the-art, challenges and perspectives. Solid-State Electronics 50 (2006) 24−31.
  2. H.A., КоломиецБ.Т. Новые стеклообразные полупроводники. Изд. АН СССР, Сер. Физ., 1956, Т. 20, № 12, С. 1496 1501.
  3. Ovshinsky S.R. Symmetrical current controlling device. Pat. USA, cl. 307 -885, № 3 281 591, publ. 20IX 1963.
  4. S.R. Ovshinsky, H. Fritzsche. Amorphous semiconductors for switching, memory, and imaging applications. Electron Devices, IEEE Transactions 1973, V. 20, Issue 2, P. 91 -105.
  5. УсовН.Н., Беляев Е. Я. Переключатели из стеклообразных полупроводников. Электронная техника. Полупроводниковые приборы, 1971, № 5, С. 92- 104.
  6. А.И. Попов, Э. Н. Воронков, Н. Н. Усов и др. Устройства памяти на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников. Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники, МИЭТ, Москва, 1979.
  7. MottN.F. Conduction in non-crystalline systems. II. The on-state of the threshold switches. Phil. Mag. 1975, Vol. 32, № 11, P. 159 171.
  8. ЛампертМ., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973.
  9. PirovanoA., Lacaita A.L., BenvenutyA., PelizzerF., BezR. Electronic switching in phase-change memories. IEEE transactions jn ED, V. 51, № 3, 2004, P. 452 459.
  10. S. Privitera, C. Bongiorno, E. Rimini, R. Zonca. Crystal nucleation and growth processes in Ge2Sb2Te5. Appl. Phys. Lett., Vol. 84, № 22, 31 May 2004, P. 4448 4450.
  11. Voronkov E.N. Calculation of threshold voltage for Random Access Memory device. Journal of Non-Crystalline Solids, 2006, V. 353, P. 1578 1581.
  12. Woo Yeong Cho, Beak-hyung Cho, Byung-gil Choi, Hyung-rok Oh, et al. Non-volotile memory. A 0.18 pm 3.0V 64Mb Non-Volatile Phase-Transition Random-Access Memory (PCRAM). Tech. Dig. S2. ISSCC 2004.
  13. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Под. ред. К. Д. Цэндина, СПб.: Наука, 1996.
  14. AdlerD., ShurM.S., Silver М., Ovshinsky S.R. Threshold switching in chalcogenide-glass films. J. Appl. Phys., 1980, Vol. 51, № 6, P. 3289 3309.
  15. Petersen E.A., AdlerD. A model for the on-state of amorphous chalcogenide threshold switches. J. Appl. Phys., 1979, Vol. 50, № 7, P. 5065 5072.
  16. AdlerD., HenischH.K., MottN. The mechanism of threshold switching in amorphous alloys. Reviews of modern physics, 1978, Vol. 50, № 2, P. 209 -221.
  17. PetersenE.A., AdlerD. On state of amorphous threshold switches. J. Appl. Phys., 1976, Vol. 47, № 1, P. 256 263.
  18. Petersen E.A., Adler D. Electronic nature of amorphous threshold switching. Appl. Phys. Lett., 1975, Vol. 27, № 11, p. 625 627.
  19. Adler D. Switching phenomena in thin films. J. Vac. Sci. Technol., 1973, Vol. 10, № 5, P. 728−738.
  20. Adler D., Moss S.C. Amorphous memories and bistable switches. J. Vac. Sci. Technol., 1972, Vol. 9, № 4, P. 1182 1190.
  21. Walsh P.J., VogelR., Evans E. Conduction and electrical switching in amorphous chalcogenide semiconductor films. Phys. Rev., 1969, Vol. 178, № 3,P. 1274- 1279.
  22. Vezzolli G.C., Walsh P.J., Doremus L.W. Threshold switching and the on-state in non-crystalline semiconductors. An interpretation of threshold switching research. J. Non-Cryst. Solids, 1975, Vol. 18, № 3, P. 333 373.
  23. .Т., Лебедев Э. А., Цэндин К. Д. Электронно-тепловая природа низкоомного состояния, возникающего при переключении ХСП. ФТП, 1981, Т. 15, № 2, С. 304−310.
  24. Henisch H.K., PryorR.W., Ventura G.J. Characteristics and mechanism of threshold switching. J. Non-Cryst. Solids, 1972, Vol. 8−10, P. 415 421.
  25. Бонч-Бруевич B.JI., Звягин И. П., Миронов А. Г. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках. М.:Наука, 1972.
  26. С.А., Шкут В. А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках. К.: Наукова думка, 1978.
  27. А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников. М.: Мир, 1991.
  28. А.С., Петров И. М. Физика и применение токовой неустойчивости в стеклообразных полупроводниках. Рязань: Узорочье, 2000.
  29. .Т., Лебедев Э. А., Таксами И. А., ЦэндинК.Д. Исследование процессов восстановления и природа низкоомного состояния, возникающего при переключении в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. ФТП, 1983, Т. 17, № 1, С. 119 124.
  30. Chen H.S., Wang Т.Т. On the theory of switching phenomena in semiconducting glasses. Phys. Status. Solidi, 1970, Vol. 2, № 1, P. 79 84.
  31. MottN.F. Conduction in non-crystalline systems. VII. Nonohmic behaviour and switching. Phil. Mag., 1971, Vol. 24, № 190, P. 911 934.
  32. Shaw M.P., Holmberg D.H., Kostylev S.A. Reversible switching in thin amorphous chalcogenide films-electronic effects. Phys. Rev. Lett., 1973, Vol. 31, № 8, P. 542−545.
  33. Fritzsche H., Ovshinsky S.R. Electronic conduction in amorphous semiconductors and the physics of the switching phenomena. J. Non-Cryst. Solids, 1970, Vol. 2, P. 393 405.
  34. Lee S.H. The on-state in chalcogenide threshold switches. Phys. Rev. Lett., 1972, Vol. 21, № и, p. 544 546.
  35. К.Д. Качественная микроскопическая электроннотепловая модель эффекта переключения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Стеклообразные полупроводники: Тез. докл. всес. совещания, Ленинград, 2−4 октября, 1985, Л.: 1985.
  36. TanakaK., Lizima S., Suji M., Kikuchi M. Electrical nature of the lock-on filament in amorphous semiconductors. Sol. St. Commun., 1970, Vol. 8, № 1, P. 75 78.
  37. Monch W. On the physics of avalanche breakdown in semiconductors. Phys. Stat. Sol., 1969, Vol. 36, № 9, P. 9 48.
  38. В.К. Теоретическое и экспериментальное исследование электронных процессов при пробое р-п переходов и некоторые аспекты их практического применения: Диссертация докт. физ.-мат. наук. ФИАН СССР им. П. Н. Лебедева, М., 1974.
  39. ШеллЭ. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами. М.: Мир, 1991.
  40. G. Juska, М. Viliunas, К. Arlauskas et al. Hole drift mobility in цс-Si-H. J. Appl. Phys., 2001, Vol. 89, № 9, P. 4971 4974.
  41. Kastner M.A. The peculiar motion of electrons in amorphous semiconductors. Properties of amorphous materials, 1985, № 4, P. 381 396.
  42. Brown F.C. Temperature Dependence of Electron Mobility in AgCl. Phys. Rev., 1955, Vol. 97, № 2, P. 355 362.
  43. Scher H., Montroll E.W. Anomalous transit-time dispersion in amorphous solids. Phys. Rev. В., 1975, Vol. 12, № 6, P. 2455 2477.
  44. Hartke J.L. Drift Mobilities of Electrons and Holes and Space-Charge-Limited Currents in Amorphous Selenium Films. Phys. Rev., 1962, Vol. 125, № 4, P. 1177- 1192.
  45. Rudenko A.I., ArkhipovV.I. Drift and diffusion in materials with traps. I. Quasi-equilibrium transport regime. Phil. Mag. В., 1982, Vol. 45, № 2, P.177 -187.
  46. Rudenko A.I., Arkhipov V.I. Drift and diffusion in materials with traps. III. Analysis of transient current and transit time characteristics. Phil. Mag. B., 1982, Vol. 45, № 2, P. 209 226.
  47. JuskaG., ArlauskasK., ViliunasM. Extraction Current Transients: New Method of Study of Charge Transport in Microcrystalline Silicon. Phys. Rev. Lett., 2000, Vol. 84, № 21, P. 4946 4949.
  48. Bording J.K., TatoJ. Molecular-dynamics simulation of growth of nanocrystalls in amorphous matrix. Phys. Rev. B., V. 62, № 12, P. 8098 -8103.
  49. Haring Bolivar, F. Merget, D.-H. Kim, H. Kurz. Lateral design for phase-change random access memory cells with low current consumptions. European symposium on phase-change and ovonic science. EPCOS Tech. Dig., 2004.
  50. Ferdinando Bedeschi, Roberto Bez, Chiara Boffino, Edoardo Bonizzoni, Egidio Cassiodoro Buda, et al. 4Mb MOSFET-Selected Trench Phase-Change Memory Experimental Chip. IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, Vol. 40, № 7, July 2005.
  51. Tamihiro GOTOH, Kentaro SUGAWARA, and KeijiTANAKA. Minimal Phase-Change Marks Produced in Amorphous Ge2Sb2Te5 Films. Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 43, № 6B, 2004, P. 818 821.
  52. E.N. Voronkov. CRYSTALLIZATION IN CHALCOGENIDE GLASS BY DIFFERENTIAL THERMAL ANALYSIS MEASUREMENTS. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, Vol. 4, № 4, December 2002, P. 863 -866.
  53. E.N. Voronkov, S.A. Kozyukhin. Electrical Conductivity of Amorphous Films of Chalcogenide Compounds in High Electric Fields. Semiconductors, 2009, Vol. 43, № 7, P. 921 924.
  54. E.N. Voronkov, A.I. Popov, I.S. Savinov, A.R. Fairushin. Percolation breakdown of amorphous semiconductors. Journal of Non-Crystalline Solids 352(2006) 1578−1581.
  55. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов в 2-х книгах. М.: Мир, 1984.
  56. А.Н. Тихонов, А. А. Самарский. Уравнения математической физики. Москва, Издательство «Наука», 1972, с. 180 184.
  57. А.Н. Теория вероятностей и математическая статистика: Сб. статей.-М.: Наука, 1986.-е. 178 182.
  58. А.И. Математика случая: Вероятность и статистика основные факты: Учебное пособие-М.: МЗ-Пресс, 2004-с. 84 — 87.
  59. J.W. Christian. The theory of transformations in metals and alloys. Pergamon, Oxford, 1975.
  60. Дж.В. Термодинамика. Статистическая механика. М.: Наука, 1982, 584 с.
  61. U. Russo, D. Ielmini, A.L. Lacaita. A physics-based crystallization model for retention in phase-change memories. IEEE 07CH37867 45th Annual International Reliability Physics Symposium, Phoenix, 2007, P. 547 553.
  62. J.A. Kalb, F. Spaepen, M. Wuttig. Kinetics of crystal nucleation in undercooled droplets of Sb- and Те- based alloys used for phase change recording. J. Appl. Phys., Vol. 98, 2005, P. 54 910.
  63. Uhlmann D.R. Nucleation, crystallyzation and glass formation. J. Non-Cryst. Sol., 1980, Vol. 38 39, part 2, P. 693 — 698.
  64. H.B. Singh, A. Holz. Stability limit of supercooled liquids. Solid State Commun., Vol. 45, 1983, P. 985 987.
  65. A. Redaelli, D. Ielmini, U. Russo, A.L. Lacaita. Intrinsic data retention in nanoscaled PCMs Part II: Statistical analysis and prediction of failure time. IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 53, 2006, P. 3040 — 3046.
  66. М.Ю., Воронков Э. Н., Попов А. И. Микроструктура пленок системы германий-сурьма-теллур. Материалы международного научно-методического семинара МЭИ: Флуктационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах, Москва, 2010, С. 218 222.
  67. А.П. Бабичев, Н. А. Бабушкина, A.M. Братковский и др.- Под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. Физические величины: Справочник. М.- Энергоатомиздат, 1991. — 1232 с.
  68. Н.А. Богословский, К. Д. Цэндин. Физика эффектов переключения и памяти в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. Физика и техника полупроводников, том 46, вып. 5, 2012, С. 577 608.
  69. Г. И. Устойчивость фазовых состояний в стеклообразных полупроводниках и устройствах памяти на их основе. Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук.- М.: МЭИ, 1981.
  70. R.A. Cobley and C.D. Wright. Spice modelling of PCRAM devices. IEE Proc.-Sci. Meas. Technol., Vol. 150, № 5, September 2003, P. 237 239.
  71. X.Q. Wei, L.P. Shi, W. Rajan, R. Zhao, B.S. Quek, X.S. Miao and T.C. Chong. Universal HSPICE Model for Chalcogenide Based Phase Change Memory Elements. Conference Publications of Non-Volatile Memory Technology Symposium, 15−17 Nov., 2004, P. 88 91.
  72. B.C. Критерий стеклообразования в халькогенидных системах. Доклады международной конференции «Аморфные полупроводники 78», Прага-Пардубице, 1978, С. 71 74.
  73. БорисоваЗ.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла- JL: Изд-во Ленингр. ун-та, 1983.
  74. Juska G., Arlauskas К. Impact ionization and mobilities of charge carriers at high electric field in amorphous selenium. Phys. Stat. Sol. (A), Vol. 59, Issue 1, 1980, P. 389−393.
  75. S. Kasap, J.A. Rowlands, S.D. Baranovskii, K. Tanioka. Lucky drift impact ionization in amorphous semiconductors. J. Appl. Phys., Vol. 96, № 4, 2004, P. 2037 2048.
  76. V.I Arkhipov, S. O Kasap. Is there avalanche multiplication in amorphous semiconductors? J. of Non-Cryst. Solids, Vol. 266 269, Part 2, 2000, P. 959 -963.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!