Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Термодинамический, кристаллографический и дефектно-деформационный аспекты изменения работы выхода электрона

Диссертация: Термодинамический, кристаллографический и дефектно-деформационный аспекты изменения работы выхода электрона
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В-четвертых, на РВЭ влияют несовершенства кристалла, возникающие в процессе его роста или технологического воздействия: деформации, дислокации, точечные дефекты, комплексы дефектов. Например, средняя работа выхода цилиндрических кристаллов w после термообработки переменным током понижается на 0,05 эВ. Пластическая деформация, сопровождающаяся образованием дислокаций и точечных дефектов, понижает… Читать ещё >

Термодинамический, кристаллографический и дефектно-деформационный аспекты изменения работы выхода электрона (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • СОКРАЩЕНИЯ, ПРИНЯТЫЕ В ДИССЕРТАЦИИ
  • ГЛАВА I. АНАЛИЗ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ ЛИТЕРАТУРЫ О РАБОТЕ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА И ВЛИЯНИИ НА НЕЁ ПОДСИСТЕМЫ ДЕФЕКТОВ ТВЁРДОГО ТЕЛА
    • 1. 1. Определение понятия работы выхода электрона
    • 1. 2. Методы и модели для расчета работы выхода электрона
    • 1. 3. Метод функционала плотности и его применение к расчету работы выхода электрона
    • 1. 4. Работа выхода электрона неоднородной поверхности
    • 1. 5. Влияние дефектно-деформационных состояний на работу выхода электрона
    • 1. 6. Постановка задач диссертации
  • ГЛАВА 2. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИИ АНАЛИЗ ПОНЯТИЯ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА
    • 2. 1. '. О термодинамическом описании электронной подсистемы твердого тела
    • 2. 2. Работа выхода в равновесных термодинамических процессах
    • 2. 3. Температурные коэффициенты работы выхода
    • 2. 4. Связь электрохимического потенциала и сжимаемости. О соотношении поверхностного и объемного вкладов в работу выхода
    • 2. 5. Влияние неравновесности на работу выхода электрона
    • 2. 6. Краткие еыеоды
  • ГЛАВА 3. ТУННВЛИРОВАНМЕ ЭЛЕКТРОНА В ПОТЕНЦИАЛЬНУЮ СТЕНКУ' И ПРОХОЖДЕНИЕ ЭЛЕКТРОНА ЧЕРЕЗ НЕЁ. РАСЧЁТ ДИПОЛЬНОЙ СОСТАВЛЯЮЩЕЙ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА
    • 3. 1. Туннелирование электрона в прямоугольную потенциальную стенку и прохождение электрона через нее
    • 3. 2. Прохождение электрона через двухступенчатую стенку
    • 3. 3. Квантовомеханическая статистическая модель образования двойного электрического слоя на поверхности металла. Расчет дипольной составляющей работы выхода электрона
    • 3. 4. Зависимость дипольной составляющей работы выхода электрона от объемной составляющей работы выхода электрона
    • 3. 5. Краткие
  • выводы
  • ГМВА 4. ПОЛУЭМПИРИЧЕСКАЯ ТЕОРИЯ АНИЗОТРОПИИ РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА
    • 4. 1. Вводные замечания
    • 4. 2. Расчет ретикулярной плотности кристаллических граней в двух безразмерных формах: внутриструктурной и униструктурной
    • 4. 3. Исследование закономерностей зависимости работы выхода электрона от ретикулярной плотности кристаллических граней
    • 4. 4. Расчет коэффициента эмиссионной анизотропии и объемной составляющей работы Еыхода электрона металлов
    • 4. 5. Расчет коэффициентов ретикулярного уплотнения граней
  • ГПУС
    • 4. 6. Корреляция работы выхода и эффективного коэффициента поверхностной компактности граней металлических кристаллов
    • 4. 7. Краткие
  • выводы
  • ГЛАВА 5. ДЕФЕКТНО-ДЕФОРМАЦИОННЫЕ СОСТОЯНИЯ В ОБ’ЁМЕ И ОКОЛО И НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЁРДОГО ТЕЛА И ИХ ВЛИЯНИЕ НА РАБОТУ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА
    • 5. 1. Методика расчета упругих полей дефектов и энергии их взаимодействия и самодействия в неограниченной среде
    • 5. 2. Метод поверхностной дислокации Сомилианы в решении граничной задачи теории дефектов
    • 5. 3. Решение граничной задачи для полупространства
    • 5. 4. Энергия упругого взаимодействия дефектов в полупространстве
    • 5. 5. Поверхностные силы и поверхностные смещения для центра дилатации и основных дислокационных конфигураций
    • 5. G. Влияние поверхности на изменение околодислокационных атмосфер Коттрелла
      • 5. 7. Центры дилатации около поверхности. 'Эффект самосегрегации примесей и точечных дефектов
      • 5. 8. Зависимость работы выхода электрона от дефектно-деформационных состояний твердого тела и его поверхности
      • 5. 9. Краткие
  • выводы
  • ГЛАВА. б. ПАРАМЕТР РАБОТЫ ВЫХОДА ЭЛЕКТРОНА В ИОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
    • 6. 1. О роли параметра работы выхода в ионной спектроскопии
    • 2. Экспериментальное исследование примесных неоднородностей в полупроводниковых структурах методом МСВИ
      • 6. 3. Краткие
  • выводы

Работа выхода электрона (PBG) является фундаментальной характеристикой твердого тела (ТТ), определяющей его эмиссионные, контактные и адсорбционные свойства [1−7]. Величина РВУ кристаллического ТТ не остается величиной постоянной, и природа ее изменений имеет различные аспекты, которые отражены в основополагающих обзорах [7-ю] Г. Н. Шуппе, а также в его работах [11−14].

Во-первых, PBG зависит от термодинамических параметров ТТ [1,2] и, в первую очередь, от его температуры. Эта зависимость отражена в понятии температурного коэффициента РВЭ. Вместе с тем, в [8,ю, 12] отмечено, что никакой количественной теории этой зависимости не существует. Кроме того, термодинамическое определение PBG неоднозначно [1].

Во-вторых, наиболее существенные изменения (до 1 эВ) РВЭ связаны с ее анизотропией — зависимостью от кристаллографических индексов Миллера (likl) (или Миллера — Браве (hkil) для кристаллов гексагональной симметрии) изучаемой поверхности. Считается, что анизотропной является дипольная (наружная) составляющая РВЭ, а объемная (внутренняя) составляющая — изотропной. В работах [7,8, 10,12] Г. Н. Шуппе особо обращено внимание на экспериментально установленную закономерность: с увеличением ретикулярной плотности грани Пщ^д работа выхода (c)Фщ^цд увеличивается, а поверхностная энергия а^цд уменьшается. Отмечено отсутствие количественной теории зависимости еф^цд от, а также зависимости между дипольной и объемной составляющими РВЭ [8,12].

В-третьих, РВЭ особо чувствительна к составу адсорбционных пленок и степени покрытия поверхности чужеродными атомами [1,6, 8, ю]. Причем, РВЭ ТТ, покрытого двумя-тремя слоями металла, равна РВЭ поверхности этого покрытия с той же атомной структурой, как и у слоя [1]. Из этого факта еноеь возникает вопрос о связи объемной и дипольной составляющих работы выхода.

В-четвертых, на РВЭ влияют несовершенства кристалла, возникающие в процессе его роста или технологического воздействия: деформации, дислокации, точечные дефекты, комплексы дефектов [14, 15]. Например, средняя работа выхода цилиндрических кристаллов w после термообработки переменным током понижается на 0,05 эВ [16]. Пластическая деформация, сопровождающаяся образованием дислокаций и точечных дефектов, понижает РВЭ ТТ [17−20]. РВЭ изменяется также при ионной имплантации, облучении [21−24]. Точечные дефекты (вакансии, междоузельные атомы, примеси внедрения и замещения, комплексы вышеперечисленных дефектов) и линейные дефекты (дислокации, дисклинации) обладают упругими дальнодействующими полями и через них взаимодействуют друг с другом и с поверхностью [25]. Поверхность существенно изменяет упругие поля дефектов и характер их взаимодействия [25−29]. Неоднородности распределения дефектов около и на поверхности в значительной мере обусловлены упруго-деформационными взаимодействиями [28,29] и проявляются в неоднородности эмиссионных свойств поверхности твердого тела. О неравномерности распределения примесей и других дефектов в различных материалах как по глубине, так и по поверхности свидетельствуют многочисленные экспериментальные данные [30−35]. Особую роль в современной электронике следует отвести неоднородностям наномет-рового масштабного уровня, порождающим контактные поля «пятен», сквозь которые туннелируют носители заряда. Дефектность нанораз-мерного уровня не исчерпывается неоднородностями в распределении точечных и линейных дефектов. Например, в работах [36,37] методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) наблюдалось и обсуждалось анизотропно-диффузионное наноразмерное фасетирование поверхности металлов и полупроводников в поле внешних сил, в [33] обнаружено аномальное падение РВЭ на наноразмерных неровностях поверхности (110) Аи. В серии работ [39] изучалась динамика дефектов, тлеющих форму пирамидальных ямок и линейные размеры от десяткоЕ нанометров до микрометрои, на поверхности нагруженных металлов Аи, Мо, Ра, Си, №,} с помощью туннельного профилометра. ибразова-ниэ этих дефектов объяснено выходом дислокаций при прорыве барьеров, образующихся в пересекающихся плоскостях скольжения [40].

Непостоянство РВУ и ее зависимость от состава и структуры поверхности, распределения Есех компонент основного вещества и примесей, структурной дефектности необходимо учитывать при диагностике поверхности ТТ зондовыми методами [41−43]. Аналитический сигнал ионных, электронных и фотонных зондовых методов определяется, в свою очередь, изменением РВУ при зондоеом воздействии. При этом упругие поля структурных дефектов приводят к эффектам дальнодействия [44−4ь]. Например, при ионном распылении мест выхода дислокаций, несмотря на пространственную малость этой неоднородности (десятки нанометров-, образуется ямка трэЕления в несколько микрон [44,45]. Таким образом, состояние поверхности и ее дефектность, величина аналитического сигнала и РВУ оказываются взаимосвязанными. Знание конкретных закономерностей и механизмов этих связей позволило бы внести в качественные и полуколичественные методы анализа количественны©аспекты. Заметим, что в последнее Еремя появились попытки совмещения методов анализа поверхности с постоянным контролем величины РВУ [47−49].

Понятие РВУ, предложенное Лестером в 1916 году [50], неоднократно уточнялось, что отражено в книгах и обзорах [1−15, 50−56]. Сложившиеся представления о РВУ на начало 80-х годов полно отражены в работах Г. Н. Шуппе [7−14]. Из анализа современных работ также следует, что предложенные определения РВУ яеляются противоречивыми, теоретические методы расчета РВУ из первых принципов пока не являются надежными, а экспериментальные данные не являются однозначными. Совершенствование теории поверхности ТТ и методов ее диагностики требуют развития представлений о природе.

РВЭ. Это определяет актуальность темы диссертационной работы.

Целью диссертационной работы является исследование термодинамического, кристаллографического и дефектно-деформационного аспектов изменения работы выхода электрона.

Достижение поставленной цели требует решения следующих задач:

1. Обобщить термодинамическое определение работы выхода электрона и рассмотреть термодинамические условия ее изменения и температурный коэффициент РВЭ.

2. Проанализировать объемную и дипольную составляющие РВЭ и найти зависимость между ними.

3. Построить основы теории анизотропии РВЭ, т. е. ее зависимости от кристаллографических индексов.

4. Определить роль поверхности и упруго-деформационных взаимодействий точечных и линейных дефектов при образовании эмиссионных неоднородностей.

5. оценить влияние на РВЭ упругих напряжений дефектов, упругой и пластической деформации, примесных неоднородностей, собственной дефектности поверхности.

6. Выявить степень влияния параметра РВЭ на изменения аналитического сигнала при диагностике поверхности ТТ методом масс-спектрометрии вторичных ионов.

Научная новизна работы состоит в следующем:

РВЭ в изохорно-изотермических, изобарно-изоэнтропийных, изо-барно-изотермических условиях ее измерения выражена через термодинамические потенциалы, параметры и коэффициентытемпературный коэффициент РВЭ определен для ряда термодинамических условий.

Построена модель образования двойного электрического слоя на поверхности металла, учитывающая процессы туннелирования электронов в поверхностный потенциальный барьер при их подчинении статистике Ферми-Дирака и процессы возврата термоэлектронов в металл, а также структуру поверхности. В этой модели получена оценка дипольной составляющей РВУ, определяющая ее зависимость от объемной составляющей РВУ.

Найдены статистические закономерности в совокупности экспериментальных данных о работе выхода граней металлов ОЦК и ГЦК структур, позволяющие выделить объемную и дипольную составляющие PBG и учесть строение рыхлых граней в каждой структуре через понятие эффективной ретикулярной плотности грани. Теория анизотропии РВУ доведена до уровня полуэмпирической теории.

Предложен метод расчета РВЭ поверхности бинарного соединения по данным масс-спектрометрических измерений его компонент.

Научно-практическая значимость результатов работы:

1. Развито понимание природы работы выхода электрона и причин вариации этого параметра — термодинамических, кристаллографических и дефектно-деформационных.

2. Построенная теория анизотропии РВЭ позволяет предсказывать значения РВЭ граней кристаллов по измеренному значению одной грани или по рассчитанному значению объемной составляющей РВЭ для практики эмиссионных измерений.

3. Предложенный метод расчета РВЭ бинарного соединения из масс-спектрометрических данных его компонент применим при оценке отношения энергий связи компонент с поверхностью, и наоборот.

Достоверность результатов и выводов диссертации обусловлена: использованием корректных математических методов решения поставленных задач, различными проверками, переходами к частным случаям, полученным ранее автором диссертации или другими авторамииспользованием разумных физических и модельных предпосылок при оценке объемной и дипольной составляющих РВЭвероятностью ошибки менее 0,01 при проверке статистических гипотез для ОЦК металлов о линейной корреляции РВЭ и эффективной ретикулярной плотности гранейблизостью теоретических и эмпирических значений объемной составляющей РВЭ и коэффициента эмиссионной анизотропии металлов.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Дипольная составляющая работы выхода электрона грани металла обусловлена процессами туннелирования электронов в поверхностный потенциальный барьер при их подчинении статистике Ферми-Дирака и процессами возврата термоэлектронов в металл, а также структурой грани. Для плотной грани в модели прямоугольного потенциального барьера эта составляющая определяется выражением ефа1Р=Тыс1. эет (ефо,, ЙГ) +ЙГ, где 7Ыс1 — безразмерная ретикулярная плотность грани (Ыа), ае^ -коэффициент эмиссионной анизотропии металла, ефо — объемная составляющая работы выхода, (х — энергия Ферми, т — температура, к — постоянная Больцмана.

2. Для металлов ОЦК и ГЦК структур существует эффективная ретикулярная плотность от К0Т0Р°й работа выхода электрона еф}1к1 граней (Ыс1) металла зависит линейно: е% + ^у-Т^!' еФо = ' где еф0 — объемная составляющая работы выхода, к — постоянная.

Больцмана, т — температура, ае^, — коэффициент эмиссионной анизотропии. При этом величины е<�ро и эе,^ определяются по экспериментальным значениям работы выхода электрона двух плотных граней.

3. Работа выхода электрона множества граней металла ОЦК или ГЦК структуры при нуле абсолютной температуры может быть рассчитана по известному значению работы выхода электрона какой-либо одной грани металла из линейного уравнения. Для этого из него же сначала определяются объемная составляющая работы выхода ефо и зависящий от нее коэффициент эмиссионной анизотропии эе^(еф0): pf f е (Ро = е<�Рыа где ефщ^ - известное значение работы выхода электрона грани металла, — эффективная ретикулярная плотность грани.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертации предпринята попытка дальнейшего раскрытия природы работы выхода электрона путем исследования термодинамического, кристаллографического и дефектно-деформационного аспектов ее изменения и выяснения роли работы выхода в ионной спектроскопии. При решении поставленных в диссертации задач были получены новые результаты, перечисленные в конце глав (со второй по шестую-. Выделим здесь основные результаты работы.

1. Проведен многосторонний термодинамический анализ понятия РВЭ в качестве одного из термодинамических параметров твердого тела в общем случае как поливариантной многокомпонентной системы, для которой введены три новых термодинамических потенциала. Выявлена зависимость РВЭ от термодинамических условий ее измерения, и в трех разных условиях РВ’Э выражена через другие термодинамические параметры и коэффициенты. Показано наличие множества температурных коэффициентов работы выхода. Установлена связь РВЭ со сжимаемостью ТТ и электронной плотностью. Показано превышение неравновесной РВЭ над равновесной.

Своего дальнейшего решения требует проблема полноты системы термодинамических параметров и нахождения связи между ними термодинамических коэффициентов), а также проблема термодинамического анализа разных методов измерения работы выхода электрона.

2. Построена квантовомеханическая статистическая модель образования двойного электрического слоя на поверхности металла и рассчитана дипольная составляющая РВЭ, которая оказывается состоящей из ДЕух слагаемых, обусловленных, соответственно, туннелиро-ванием электронов в потенциальную стенку и самовозвратом надбарь-ерных электронов в ТТ. Первая дипольная составляющая анизотропна и зависит функционально от объемной составляющей РВЭ, убывая с увеличением последней. Вторая дипольная составляющая РВЭ изотропна и равна &-г.

Перспективой является расширение предложенной модели на полупроводниковые материалы.

3. Построена полуэмпирическая теория анизотропии работы выхода для металлических кристаллов ОЦК, ГЦК и ГПУ структур при исходной предпосылке о линейной зависимости РВЭ от введенного автором эффективного коэффициента поверхностной компактности (или эффективной ретикулярной плотности) граней. При этом степень эмиссионной анизотропии каждого материала охарактеризована коэффициентом эмиссионной анизотропии, для расчета которого предложены теоретическая и эмпирическая формулы. Построенная теория позволяет рассчитать РВЭ типичных граней трех кристаллических структур по известному значению объемной составляющей РВЭ или РВЭ одной грани.

Чтобы теория утратила эпитет «полуэмпирическая», требуется из первых принципов рассчитать: I) объемную составляющую РВЭ и 2) коэффициеты эффективной поверхностной компактности (или коэффициенты ретикулярного уплотнения) граней кристаллов.

4. Статистическими методами оценены эффективные коэффициенты поверхностной компактности и коэффициенты ретикулярного уплотнения граней ОЦК, ГЦК и ГПУ структур. Методами корреляционного анализа подтверждено, что зависимость РВЭ от эффективного коэффициента поверхностной компактности носит причинно-следственный характер и является практически (с вероятностью 0,99) линейно-функциональной. Показано, что среднестатистическое отношение эмпирического коэффициента эмиссионной анизотропии к соответствующему теоретическому для ОЦК металлов равно 1, а для ГЦК металлов близко к 1.

5. Разработан оригинальный метод — метод поверхностной дислокации Сомилианы — для расчета упругих полей дефектов и энергии их взаимодействия и самодействия вблизи поверхности ТТ. Показано, что поверхность существенно изменяет взаимодействие и самодействие дефектов, что около поверхности происходит особое перераспределение точечных дефектов в околодислокационных атмосферах Котт-релла с образованием областей с повышенной и пониженной их концентрацией, что около поверхности обнаруживается возможность самосегрегации примесей одного знака дилатации. 'Эти неоднородности влекут за собой неоднородность эмиссионных свойств TT и влияют на аналитический сигнал зондовых методов анализа поверхности.

6. Проанализировано влияние дефектно-деформационных состояний на изменение РВЭ по литературным источникам. Получены аналитические зависимости изменения РВЭ от величины как упругой, так и пластической деформации, от энергии дефектов упаковки. Построена модель изменения дипольной составляющей РВЭ от величины собственной дефектности поверхности на примере грани (100) ОЦКС.

Здесь было бы интересным установление взаимосвязи характера дефектности и особенностей проявления аномального эффекта Шоттки.

7. Экспериментально методом МСВИ обнаружена неоднородность распределения Ог в подложке и особенно в эпитаксиальной пленке ОаАв, а также неоднородность распределения ръ в системе эпитакси-альная пленка-подложка на основе кремния.

8. Углублено понимание роли параметра РВЭ в ионной спектроскопии. Предложен метод расчета РВЭ распыляемой поверхности бинарного соединения по результатам масс-спектрометрических измерений его основных компонент.

Выбор направлениий исследования термодинамического и кристаллографического аспектов изменения РВЭ в диссертационной работе сделан под влиянием трудов и личности профессора Г. Н. Шуппе. Автор выражает благодарность научному руководителю профессору E.H. Моосу за многолетнее сотрудничество и поддержку.

И, по завершении каждого этапа, по достижении целей диссертационного исследования, — слава Тебе, Господи!

Показать весь текст

Список литературы

  1. Л.H., Гомоюнова М. В. 'Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966. 564 с.
  2. К., Никольс М. Термоэлектронная эмиссия. М.: ИИЛ, 1950. 196 с.
  3. З.Зейтц Ф. Современная теория твердого тела. М.-Л.: ГИТТЛ, 1 949 736 с.
  4. .М. Контактная разность потенциалов. М.: ГИТТЛ, 1955. 280 с.
  5. . А. Авто-, термо- и вторично-электронная эмиссионная спектроскопия. М.: Наука, 1990. 320 с.б.Векслер В. И. Вторичная ионная эмиссия металлов. М.: Наука, 1978. 240 с.
  6. Г. Н. Электронная эмиссия металлических кристаллов. Ташкент: Изд-во САГУ, 1959. 203 с.
  7. Г. Н. О теориях работы выхода электрона //Там же. С.23−43. Ю. Шуппе Г. Н. Очередные вопросы по проблеме //Эмиссионная электроника. Материалы научного семинара. Рязань: Московский рабочий, 1974. С.3−44.
  8. И.Шуппе Г. Н. Диагностика поверхностей электронными, ионными и фотонными зондами. Рязань: РРТМ, 1982. 4.1. 83с.- 1984. 4.2. 80с.
  9. Г. Н. Физические основы электронной техники. 4.2. Вопросы электронных и ионных эмиссий (виды эмиссий). Рязань: РРТИ, 1986. 84 с.
  10. Г. Н. О «поправке Шоттки». Рязань: РРТИ, 1988. 23 с.
  11. М00С E.H., Шуппе Г. Н. Связь эмиссионных свойств и фазового состояния у гетеросистем типа AII-EIV //Изв. АН СССР. Сер. физич. 1979. Т.43. N 9. С.1843−1849.
  12. A.A., Палигэ Я. Влияние деформации на работу выхода монокристаллических нитей //'ФТТ. 1961. Т.З. В.ю. С.3077−3082.
  13. Э.Ф., Таран A.A. Локальная работа выхода деформированного монокристалла вольфрама //XIX Всесоюз. конф. по эмиссионной электронике. Тезисы докладов. Ташкент: ФАН, 1984. С. 120.
  14. В.А., Черняховский В. В., Ершов С. Н., Волков Е. Ф. Влияние облучения на работу выхода кремния //ФТТ. 1975. Т. 17. В.5- С.1536−1538.
  15. П.В., Находкин Н. Г., Федорченко Н. И. Электронные и адсорбционные свойства грани Si(m) с различной степенью упорядоченности // Укр. фИЗ. журн. 1991. T.36.N 2. С.278−285.
  16. П.В., Находкин Н. Г., Федорченко Н. И. Адсорбция кислорода на Si(111) с различной степенью упорядоченности //Поверхность. Физика, химия, механика. 1992. N 7. С.47−51.
  17. Gna?er Н. Ion yield and work funotion ohanges during traneie-ent oeeium incorporation //Эмиссионная электроника, новые методы и технологии. Международная конференция. Тезисы докладов. Ташк8нт, 1997. С. 108.
  18. А.H. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М.: Высшая школа, 1983. 44 с.2ь.Гуткин М. Ю. Мезоскошгческие эффекты в дислокационных ансамбляхв неоднородных средах. АЕтореф. дис. канд. физ.-мат. наук.1.: ФТМ, 1990. 19 с.
  19. А.Е. Экранированные дисклинации в твердых телах. Аето-реф.дис. —д-ра физ.-мат. наук. Томск: МФПМ СО АН СССР, 1989. 34с.
  20. .В., Бахтияров P.C. Комплексное электронномикроскопи-ческое исследование термоэмиттеров из сплэеое mo-Pt //ЖТФ. 1974. Т.14. В.2. С.387−399.
  21. А.Ф., Mooc E.H. Исследование гетероструктур соеди1. Я С-нений А"в-' методом МСВИ //Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. Материалы УД Всесоюзной конф. 4.1. Минск, 1984. С.223−224.
  22. А.Ф., Моос E.H. Сегрегация дефектов е системе эпитаксиальная пленка подложка на основе кремния //Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники. Тезисы докладов Всесоюзной научной конференции. 4.1. Минск: МРТИ, 1985. С. 56.
  23. А.Ф., Моос E.H. Райкин Л. Г., Шрайнер Ю. А. Комплексное исследование фосфида галлия методами МСВМ и 'ЭОС //Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. Материалы VI Всесоюзной конференции. Т.2. М., 198?. С.256−258.
  24. Зь.Витухин В. К)., Закурдаев И. В. СТМ наблюдение самоорганизации поверхности монокристаллов //Всероссийский симпозиум по эмиссионной электронике, посвященный памяти Г. Н. Шуппе. Материалы симпозиума. Рязань: РГРТА, 1996. С.45−46.
  25. В.Ю., Закурдаев М. В., Киреева O.B. Наблюдение начальной стадии фасе тирования поверхности вольфрама при термодиффузии методом сканирующей туннельной микроскопии //Вакуумная и плазменная электроника. Рязань: РГРТА, 1996. С.7−14.
  26. ЗВ.Фирсов Д. С. Туннельно-зондовая спектроскопия поверхностей кристаллов в атмосферных условиях. Автореф. дис.. канд .физ.-мат. наук. Рязань: РГРТА, 200Q. 18с.
  27. В.И., РахимоЕ С.Ш., Светлов В. Н. Изучение динамики субмикродефектоЕ нагруженного молибдена при помощи туннельного профилометра //ШТ. 1996. Т.38. N 4- С.1142−1148. (См. также N 2. С.590−594- 1995. Т.37. N 4. С.913- N 12. С.3635).
  28. В.И., Гиляров В. А., Рахимов С. Ш., Светлов В. Н. Механизмы образования нанодефектов на поверхности нагруженных металлов //ШТ. 1998. Т.40. N 4. С.668−671.
  29. А.Ф., Моос E.H. Параметр работы выхода электрона в ионной спектроскопии //Взаимодействие ионов с поверхностью. Материалы тринадцатой международной конференции. Т.1. М., 1997. С.276−278.
  30. Ю.В., Московкин П. Г. Рельеф травления при распылении //Взаимодействие ионов с поверхностью. Материалы тринадцатой международной конференции. Т.1. М., 1997. С.34−37.
  31. В.Е., Чернышова Н. М., Кушнир Ф. Ф., Предводителев A.A. //Физика металлов и металловед. 1967. Т.23. N 6. С.1119−1120.
  32. Ю.В. 'Эффекты дальнодействия при ионной имплантации /"/Итоги науки и техники. Сер. Пучки заряженных частиц и твердое тело. Т.7. М.: ВИНИТИ, 1993. С.82−112.
  33. Н.В. Электронномикроскопический метод измерения работы выхода электрона /'/Национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (РСНЭ'97). Москва-Дубна, 1997. С. 460.
  34. В.Ю., ЗакурдаеЕ И.В., Фирсов Д. С. Определение работы выхода электронов методом сканирующей туннельной спектроскопии /У Электроника и информационные технологии. Рязань: РГРТА, 1998. С.3−8.
  35. Теория неоднородного электронного газа /Под ред. С. Лундквиста и Н. Марча. М.: Мир, 1987. 400 с.
  36. В.И. Элекронная эмиссия. Ташкент: ТашГУ, 1990. 76 с.
  37. E.H. Кристаллофизика эмиссионных явлений в равновесных и неравновесных условиях /'/Всероссийский симпозиум по эмиссионной электронике, посвященный памяти Г. Н. Шуппе. Материалы симпозиума. Рязань: РГРТА, 1996. С.42−43.
  38. Г., Хитшольд М. Поверхности твердых тел //Достижения электронной теории металлов /Под ред. П. Цише, Г. Лемана. Том 2. М.: Мир, 1984. С.467−540.
  39. Е.М., Буров И. В., Пирогова C.B., Литвак Л. Н. Электронные и эмиссионные свойства сплавов. М.: Наука, 1978. 294 с.
  40. А.И. Вычисление внутренней работы выхода металлов с учетом их микроскопической структуры и оценка наружной работы выхода. Дис.. канд. физ.-мат. наук. Алма-Ата: Казахский ГУ, 1979- 211 с.
  41. .М., Детлаф А. Д. Справочник по физике для инженеров и студентов вузов. М.: Наука, 1974. 942 с. 59.3иманов Е.Ж. К теории работы выхода металлов //XXI Всес. конф. по эмиссионной электронике. Тез. докладов. Т.1. Л., 1990. С. 79.
  42. М.С. О работе выхода металлов //Физика твердого тела. Л.: ЛГПМ, 1973. С.30−34.
  43. Л.Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. Т.з. Квантовая механика (нерелятивистская теория). М.: Наука, 1989. 768 с.
  44. Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. 791 с.
  45. B.C., Подчерняева И. А. Эмиссионные и адсорбционные свойства веществ и материалов. Справочник. М.: Атомиздат, 1975.320 С.
  46. Lang N.D. The density-funotional foiraalism and the eleotronio strukture of metal BurfaoeB //Solid State Physio /Ed. F. Seitz, D. Tumbull, H. Ehrenreioh. Y.28. New York: Aoademio Press, 1973-P.225−300.
  47. ЛЭНГ H. Применение метода фукционала плотности к изучению электронной структуры металлических поверхностей и систем типа металл-адсорбат //Теория неоднородного электронного газа /Под ред. С. Лундквиста, Н. М. Марча. М: Мир, 1987. С.318−395.
  48. P.E., Моос E.H. Граничные условия в модифицированной модели желе //ФТТ. 1995. Т.37. N 3. С.647−651.
  49. P.E., Владимиров А. Ф., Моос E.H., Табунов Н. М. Зависимость работы еыходз электрона от термодинамических условий ее измерения //Изв. АН. Сер. физич. 1998. Т.62. N 10. С.2044−2050.
  50. Frenke! J. Elementare Theorie magnetischer und elektrischer Eigenschaften der Metalle beim absoluten Nullpunkt der Temperatur //Z. Physik. 1928. B.49. S.31−45.
  51. Л.Д., Лифшиц E.M. Теоретическая физика. T.1. Механика. M.: Наука, 1988. 216 с. к
  52. Tamm I., Bloohinzev D. Uber die Austrittsarbeit der Elektronen айв Metallen //Z. Physik. 1932. B.77- S.774−777.
  53. .В., Любошиц В. Л., Теорема вириала и некоторые свойства электронного газа в металлах //УФН. 1994. Т.164. N 4. С. 367−374.
  54. Rev. 1936. V.49. N 9. P.653−663.
  55. .Ф. Применение статистического метода Томаса-Ферми для расчета работы выхода металлов /'/Физика высоких температур. 1973. Т.11. N 1. С.34−38.
  56. SmoluohowBki R. Anisotropy of the eleotronio work funotion of metals //Phys. Rev. 1941. V.60. P.661−674.
  57. Steiner D., Gyftopoulos E.P. An equation for the prediction of bare work funotion //Proo. 27h Annual Oonf. Physical Eleotronios. Cambridge, Мавв., 1967. P.160−168.
  58. E., Хатсопулос Г. Квантовотермодинамический смысл элекроотрицательности и работы выхода //Термоэмиссионное преобразование энергии. М.: Атомиздат, 1971. С.52−58.
  59. Gubbels G.H.M., Metslaar R. On the effeotive bare work funotion of boo thermionic eleotrode materials //Surf. Soi. 1990. V.226. P.407−411.
  60. Hohenberg P., Kohn W. Inhomogeneous eleotron gas //Ph.ys. Rev. 1964. V.136. N 3B. P.864−871.
  61. Kohn W., Sham L.J. Self-oonsistent equations including exchange and correlation effects //'Phys. Rev. 1965. V.140. N 4A. P.1133−1138.
  62. Sham L.J., Kohn W. One-particle properties of an inhomogeneous interacting eleotron gas //Phys. Rev. 1966. V.145. N 2. P.561−567
  63. Lang N.D., Kohn W. Theory of metal surfaces: oharge density and surfaoe energy //Phys. Rev.B. 1970. V.1. N 12. P.4555−4568.
  64. Lang N.D., Kohn W. Theory of metal surfaoes: work funotion //Phys. Rev.B. 1971. V.3. N 4. P.1215−1223.
  65. Smith J.R. Selfoonsistent many-electron theory of eleotron work funotions and surface potential characteristics for selected metals //Phys. Rev. 1969. V.181. N 2. P.522−529.
  66. Bennett A.J., Duke C.B. Influence of the lattice potential onthe electronic structure of metallic interfaces: dipole effect // Phys. Rev. 1969. V.188. N 3. P.1060−1068.
  67. P.M., Созаев В. А., Хоконов Х. Б. Анизотрошя поверхностной энергии и работы выхода щелочных металлов //Поверхность. Физика, химия, механика. 1987. N 1. 0.13−18.
  68. Л.В., Мягков К. Г., Солонович В. К., Якушин М. И. Температурные эффекты на поверхности твердых тел /'/Зарубежная радиоэлектроника. 1992. N 12. С.151−158.
  69. Salmi Y., Krieger J.В. .Gruenebaum J. Metal surface properties in the linear potential approximation //Phys. Rev.B. 1977. V.15. N 4. P.1941−1949.
  70. Sahni V., Gruenebaum J. Metal surface energies in the infinite and step-potential approximations //Phys. Rev.B. 1977. V.15. N 4. P.1929−1935.
  71. Ceperly D.M., Alder B.J. Ground state of the electron gas by a stochastic method //Phys. Rev. Lett. 1980. V.45. P.5048.
  72. В.В., Якубов И. Т. Квазиклассический предел энергии прилипания электронов и потенциала ионизации металлических кластеров //ФТТ. 1995. Т.37. N 5. С.1369−1379.
  73. В.В. К вопросу о первых размерных поправках химического потенциала электронов и поверхностного натяжения жидких кластеров простых металлов //Изв. АН. Сер. физич. 1996. Т.60. N 9. С.91−97.
  74. В.В. Теоретическое исследование свойств многоатомных комплексов с поверхностью значительной кривизны: кластеры, вакансии. Атореф. дис.. д-ра физ.-мат. наук. Рос. АН, объединенный ин-т высоких температур. М., 1997. 42 с.
  75. Нагаев 9.JI. Малые металлические частицы /УУФН. 1992. Т. 162. N 9. С.49−124.
  76. Brack М. The physios of simple metal clusters: self-consistent ?jellium model and semi-olassioal approaches //Rev. Mod. Phys. 1993- V.65. N 3. P.677 -732.
  77. Perdew J.P. Ionization energy and electron affinity of metallic dusters: simple link- between miorocosm and macrocosm //Con-densered Matter Theories /Ed. J. Keller. Vol.4. New York: Plenum Press, 1989. P.149−162.
  78. Engel E., Perdew J.P. Theory of metallic clusters: asymptotic size dependence of electronic properties //Phys. Rev.B. 1991. V.43• N 2. P.1331−1337.
  79. Perdew J.P., Tran H.Q., Smith E.D. Stabilized? ellium: structureless pseudopotential model for the oohesive and surfaoe properties of metals //Phys. Rev.B. 1990. V.42. N 18. P.11 627−11 636.
  80. Rubio A., Balbas L.O., Alonso J.A. Polarizabilities of aluminium clusters //Solid State Commun. 1990. V.75. N 2. P.139−142.
  81. Membrado M., Pacheco A.P., Sanudo J. Variational description of small metal clusters //PhyE. Rev.B. 1990. V.41. N 9-P.5643−5647.
  82. Seidl M., Meiwes-Broer K.H., Brack M. Finite size effects in ionization potentials and electron affinities of metal clusters //J. Chem. Phys. 1991 V.95. N 2. P.1295−1303.
  83. Seidl M., Spina M.E., Braok M. Semiclassioal variational calculation of liquid-drop model coefficients for metal clusters // Z. Physik 1991- V. D19. P.101−103.
  84. Makov G., Nitzan A. Eleotronio properties of finite metallic systems //Phys. Rev.В. 1993. V.47. N 4. P.2301−2307.
  85. Fiolhais C., Perdew J.P. Energies of curved metallio surfaoes from the stabilised-jellium model /'/'Phys. Rev.В. 1992. V.45. N1. P.6207−6215.
  86. Kiejna A. Surface properties of simple metals in a structureless pseudopotential theory //Phys. Rev.В. 1993. V.47. N 12. P.7361−7364.
  87. KieJna A., Ziesche P., Kashner R. Sum-rules for the planar surface of stabilised jeIlium //Phys. Rev.Б. 1993- V.48. N 7-P.4811−4815.
  88. Ziesche P., Perdew J.P., Fiolhais C. Spherical voids in the stabilized jellium model: rigorous theorems and Pade representation of the void-formation energy //Phys. Rev.B. 1994. V.49. N 8. P.7916−7928.
  89. I.Shore H.B., Rose J.H. Theory of ideal metals //'Phys. Rev. Lett. 1991. V.66. N 19. P.2519−2522.
  90. Rose J.H., Shore H.B. Bonding energetics of metals: explanation of trends //Phys. Rev.B. 1991. V.43. N 14. P.11 605−11 611. 113-AinBworth T.L., Krotscher E. Correlations effects in ideal metals //Phys. Rev.B. 1992. V.45. N 15. P.8779−8781.
  91. С.Г. Структура потенциала вблизи неоднородной поверхности и аномальный эффект Шоттки //Изв. АН СССР. Сер. физич. Т.46. N 7. С.1320−1323.
  92. Г., Корн Т. Справочник по математике (для научных работников и инженеров). М.: Наука, 1974- 832 о.
  93. А.Ф. Взаимосвязь работы выхода электрона и дефектности неоднородной поверхности //Вестник Рязанской государственной радиотехнической академии. 1999. Вып. N 6. С.84−85.
  94. А.П., Брычков Ю. А., Маричев О. И. Интегралы и ряды. Элементарные функции. М.: Наука, 1981. 798 с.
  95. К.Т., Ленгмюр И. Электрические разряды в газах /7УФН. 1931. Т.11. Выпи. С.9−102- Вып.2. С.214−219- Вып.З. С.371−426.
  96. В.И. Коллективные эффекты в ансамблях дефектов // Вопросы теории дефектов в кристаллах. Л.: Наука, 1987. С.43−57.
  97. Kanter Yu.O. Theoretioal analysis of work funotion oscillations during growth of thin epitaxial films //Surf. Sci. 1989. Y.219. N 3. P.437−444.
  98. Clarke E.N., Famworth H.E. Observations of the fotoelectric work function and low speed eleotron diffraotion from thin films of silver on the (100) face of silver Bingle crystals //Phys. Rev. 1952, V.85. N 3. P.484−485.
  99. Ying C.E., Eamworth H.E. Changes in work functions of vacuum distilled gold films //Phys. Rev. 1952. Y.85. N 3- P.485−486.
  100. M.Б. Изменение энергии Ферми металлического кристалла, обусловленное дислокациями //Физика металлов и металловед. 1971. Т.32. Вып.З. С.5Ю-514.
  101. В.П. Физика прочности и пластичности поверхностных слоев материалов. М.: Наука, 1983. 280 с.
  102. Л.С., Шкилько A.M., Борисов В. В., Крестин A.A. 'Эмиссия электронов с поверхности деформированного свинца //ШТ. 1975. Т.17. С.1163−1164.
  103. Вевоок©- К., Wagner H. Adsorption of W on W (110): work function reduction and island formation //Phys. Rev.В. 1973- V.8. N10. P.4597−4600.
  104. H.B., Голованов Ю. Н., Абдуллин А. Г. Изменение структуры монокристаллов вольфрама и работы выхода электронов под действием электронного облучения //"Физико-химические проблемы кристаллизации. Алма-Ата: Изд-во Казахск. ун-та, 1969. С.172−179.
  105. Ф.Г., Фельдман Э. П. Термо- и автоэлектронная эмиссия из дислоцированных металлов //XSa Всесоюз. конф. по эмиссионной электронике. Краткое содержание докладов. Махачкала: Дагестанский филиал АН СССР. Т.1. С.125−126.
  106. С.Ю. Термодесорбция адатомов с поверхности металлов, содержащих дислокации //'ФТТ. 1977. Т.19. В.8. С. 1418−1421.
  107. С.Ю., Марголин В. И. Влияние дислокаций на термоэлектронную эмиссию из металлов с субмонослойными покрытиями //Изв. вузов. Физика. 1991. Т.34. N 2. С.116−118.
  108. Lagowski J. Looal ohanges of the work function of germanium and silicon due to dislocations //Phys. Status Solidi. 1964- V.5. N 3. P.555−561.
  109. B.B., Лоскутов C.B., Логосов B.B. Влияние деформации и остаточных напряжений в металлах на работу выхода электронов // Физика металлов и металловед. 1990. N 9. С.73−79.
  110. В.В., Левитин В. В., Лоскутов C.B. О тензоэмиссионномэффекте в металлах //Письма в ЖТФ. 1990. Т.16. N 3. 0.14−17.
  111. С.В. Закономерности распределения работы выхода электрона по деформированной поверхности металлов //Изв. вузов. Физика. 1998. N 6. С.59−63.
  112. С.В. Влияние пластической деформации на работу выхода. электронов в алюминии /'/Физика металлов и металловед. 1998. Т.86. Вып.2. С.61−66.141.3айман Дж. Принципы теории твердого тела. М.:Мир, 1974. 452с.
  113. Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.:Атомиздат, 1972. ьоос.
  114. Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир, 1974. 463 с.
  115. Read W.T., Jr. Theory of dislocations in germanium //Philos. Mag. 1954. V.45. N 367. P 775−796.
  116. Read W.T., Jr. Statistic of oooupation of dislocation acceptor oenters //Philoe. Mag. 1954. V.45. N 370. P.1119−1128.
  117. Read W.T., Jr. Scattering of electrons by oharged dislocations in semiconductors //'Philos. Mag.1954. V.46. N 373. P.111−131.
  118. А.Ф. Влияние дефектно-деформационных состояний твердого тела на величину работы выхода электрона //I Республиканская конференция по физической электронике. Сборник тезисов докладов. Ташкент: Ин-т электроники АН РУ, 1999. С. 120.
  119. М.Л., Займовский В. А. Механические свойства металлов. М.: Металлургия, 1979. 495 с.
  120. А.Б. Наследственная механика дислокационных ансамблей. Компьютерные модели и эксперимент. Иркутск: Изд-во Иркутского ун-та, 1990. 287 с.
  121. B.C., Трошин Л. И., Адамова Е. В., Шевченко К. К. Теория вероятностей и математическая статистика. М.:МЭСИ, 1998. 170с.
  122. Jia J.P., Inoue К., Hasegawa Y., Yang W.S., Sakurai Т. Variation of the local work function at stepE on metal surfaces studied with STM //Phys. Rev.В. 1998. V.58. N 3. P.1193−1196.
  123. А.Ф., Моос E.H., Табунов Н. И. Зависимость работы выхода электрона от термодинамических условий ее измерения // Эмиссионная электроника, новые методы и технологии. Международная конференция. Тезисы докладов. Ташкент, 1997. С. 106.
  124. А.Ф., Моос E.H. Равновесная и неравновесная термодинамика процессов электронной и ионной эмиссии //Я Республиканская конференция по физической электронике. Сборник тезисов докладов. Ташкент: Ин-т электроники АН РУ, 1999. С. 121.
  125. A.M. Основы статистической физики и термодинамики. М.: Наука, 1973- 423 с.
  126. Ю.Б., Рыбкин М. Ш. Термодинамика, статистическая физика и кинетика. М.: Наука, 1977. 552 с.
  127. A.C., Мултановский В. В. Статистическая физика и термодинамика. М.: Просвещение, 1985. 255 с.
  128. И.П. Термодинамика. М.: Высшая школа, 1991. 376 с.
  129. И.П., Геворкян Э. В., Николаев П. Н. Термодинамика и статистическая физика. М.: Изд-во МГУ, 1986. 312 с.
  130. И.П. Заблуждения и ошибки в термодинамике. М.: Изд-во МГУ, 1993. 56 с.
  131. Н.К., Лундин А. Б. Термодинамика необратимых физико-химических процессов. М.: Химия, 1984. 336 с.
  132. Г. А. Основы общей и химической термодинамики. М.: Высшая школа, 1979. 268 с.
  133. Техническая термодинамика /Под ред. В. И. Крутова. Учебник для втузов. М.: Высшая школа, 1971. 472 с.
  134. .М., Филиппов С. П. Равновесная термодинамика и математическое программирование. Новосибирск: Наука. Сибирская издательская фирма РАН, 1995. 236 с.
  135. P.A. Термодинамика твердого состояния. М.: Металлургия, 1968. 314 с.
  136. B.C., Балянкин A.C., Бунин И. Ж., Оксогоев Л. А. Синергетика и фракталы в материаловедении. М.: Наука, 1994. 383 с.
  137. Л.Н. О «работе выхода» металлов //ЖТФ. 1948. Т.18.1. B.6. С.727−752.
  138. Л.Н. Электронная и ионная эмиссия. М.: ГМТТЛ, 1952. 312 с.
  139. У. Электронная структура и свойства твердых тел. Т.2. м.: Мир, 1983. 332 с.
  140. Leynaud M., Allan G. Adsorption of transitional metal monolayers on tungsten surfaces //Surf. Soi. 1975- V.53. P.359−370.
  141. Г. В., Подчерняева И. А., Фоменко B.C., Охремчук Л. Н. Об одной интерпретации эмиссионно-адсорбционных свойств твердого тела //'ЖТФ. 1976. Т.46. В.11. С.2426−2429.
  142. C.B., Моос E.H. Структурный фактор эмиссионной анизотропии //'Материалы XXII конференции по эмиссионной электронике. 4.1. М.: МИФИ, 1994. С.177−179.
  143. А.Ф., Моос E.H. Параметр работы выхода электрона в ионной спектроскопии //Изв. АН. Сер. физич. 1998. Т.62. N 7.1. C. 1445−1450.
  144. A.M., Владимиров А. Ф., Моос E.H. Прохождение электронными потоками потенциальных барьеров //Радиотехника, электротехника и энергетика. Пятая международная научно-техническая конференция студентов и аспирантов. Т.1. М., 1999. С.204−205.
  145. В.М., Карнаков Б. М., Коган В. И. Задачи по квантовой механике. М.: Наука, 1981. 648с.
  146. Г. Б. Таблицы интегралов и другие математические формулы. М.: Наука, 1973. 228с.
  147. C.B., Добровольский В. Н. Ток Ричардсона-Дэшмана через границу двух сред с разными эффективными массами электронов /'/ ФТТ. 1992. Т.34. N 8. С.2655−2658.
  148. C.B., Моос E.H. Распределение электронов по энергиями особенности поверхностного барьера //Вакуумная и плазменная электроника. Рязань: РГРТА, 1996. С.113−116.
  149. А.Ф. Анизотропия работы выхода электрона и ретикулярное уплотнение «рыхлых» граней металлических кристаллов //Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1999. N 9. С.58−66.
  150. А., Гровс Г. Кристаллография и дефекты в кристаллах. М:1. Мир, 1974. 496с. i «
  151. Holzl J., Schulte P.K. Work function of metals //Springer11
  152. Traots in Modern Physios. V.85 /Ed. G. Hohler. Berlin-Heidelberg-New- York: Springer-Verlag, 1979- P.1−150.
  153. Hellwig S., Block J.M. Messung der Austrittsarbeit des Wolf11rams mit Hilfe der Feldemission //Zeitschrift fur physikalisohe Chemie. 1973. B.83. N 5−6. S.269−286.
  154. Berge S., Gartland P.O., Slagsvold B.J. Photoelectric work function of molybdenium single orystals for the (100), (110), (111), (112), (114) and (332) faces //Surf. Soi. 1974. V.43. N 1. P. 275−292.
  155. Bergert G., Abon M., Tardy В., Teiohner S.J. Relative work funotion of clean molybdenium single-crystal planes determined by fied emission microscopy //J. Vac. Soi. & Teclinol. 1974. V.11. N6. P.1193−1194.
  156. Leblanc R.P., Vanbrugghe B.C., Girouard F.E. Thermionic emission from a niobium single orystal //Canadian Journal of Physics. 1974- V.52. N 17- P.1589−1593.
  157. Eastman L.E. Photoelectric work functions of transition, rare-earth, and noble metals //Phys. Rev. B. 1970. V.2. N 1. P.1−2.
  158. J., Giraud G., Roussenq J. //Effect photoelectrique desmonocristaux de ouivre //Comptes rendus hebromadaires des seanses de 1 ' Academie des scienoes. 1971. T.272. Ser. A et B. N 24-P-1 346−1 349
  159. Dweydari A.W., Mee C.H.B. Work function measurements on (100) and (110) surfaoes of silver //Phys. status solidi. A. 1975. V.27. N 1. P.223−230.
  160. Eastman R.M., Mee C.H.B. Work function measurements on (100), (110) and (111) surfaoes of aluminium //J. Phys. E.: Metal Phys. 1973- V-3. N 9. P.1738−1745
  161. Grepstad J.K., Gartland P.O., Slagsvold B.J. Anisotropic work function on olean and smooth low-index faces of aluminium // Surf. Soi. 1976. V.57. N 1. P.348−362.
  162. Nieuwenh.uye В.Е., Sachtler W.H.M. Crystal face specificity of nitrogen adsorption on a platinum field emission tip //Surf. Soi. 1973. V.34. N 2. P.317−336.
  163. A.M., Рысев Б. П. О возможности возбуждения упругих поверхностных волн большой амплитуды в твердом теле при тепловом воздействии лазерного излучения //Поверхность. Физика, химия, механика. 1983. N 6. С.17−21.
  164. Е.Н., Табунов Н. И. Моделирование процесса поверхностной релаксации межплоскостных расстояний при определении наружной со-ставлящей работы Еыхода электрона //Поверхность. Рентгеновские, синхротрон, и нейтрон, исследования. 1998. N 11. С.148−151.
  165. С.Н., Векилов Ю. Х., Вернер В. Д., Самсонова М. Б. Электронная структура поверхности и работа выхода тонких пленок простых металлов //Поверхность. Физика, химия, механика. 1983. N 6. С.24−32.
  166. Vladimirov А.P., Moos E.N. Energy of dislocation loops in crystals //Phys. Status Solidi. A. 1986 V.94. P.581−586.
  167. А.Ф. Дефектообразование при ионной имплантации /./Актуальные вопросы прикладной физики. Тезисы докладов республиканской конференции молодых ученых. Ташкент: ФАН, 1985. С. 25.
  168. А.Ф., Моос Е. Н. Исследование дислокационных петель в полупроводниках //Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем. Тезисы докладов I Всесоюзного научно-технического семинара. Часть Я. Рязань, 1984. С. 224.
  169. Де Вит Р. Континуальная теория дисклинаций. М.: Мир, 1977. 208 с.
  170. B.C. Обобщенные функции в математической физике. М.: Наука, 1979. 318 с.
  171. Г. Распределения, комплексные переменные и преобразование Фурье. М.: Мир, 1968. 276 с.
  172. И.М., Розенцвейг Л. Н. О построении тензора Грина для основного уравнения теории упругости в случае неограниченной упруго-анизотропной среды //Ж9ТФ. 1947. Т.17. Вып. 9. С.783−791.
  173. Kroner Е. Das Fundamentalintegral der anisotropen elastischen Differentialgleichungen /'/Z. fur Physik. 1953. B.136. S.402−410.
  174. Dederiohs P.H., Leibfried G. Elaetio Green’s funotion for anisotropic cubic crystals //Phys. Rev. 1969- V.188. N 3. P. 1175−1183.
  175. К. Упругие модели дефектов в кристаллах. М.: Мир, 1985. 352 с.
  176. A.M. Физическая механика реальных кристаллов. Киев: Наукова думка, 1981. 280 с.
  177. Golebiewska A. The problem of energy of kinks of dislocation lines //Aroh. Meoh. 1973. V.25. N 4. P.675−684.
  178. Golebiewska A. Self-energy and interaction of kinks //Arch. Meoh. 1973. V.25. N 6. P.953−965.
  179. Golebiewska-Lasota A.A. Nonlocal theory of interaction between jogs and kinks //Aroh. Meoh. 1977. V.29. N 2. P.213−221.
  180. Golebiewska-Lasota A.A. The self-energy of straight-line dislocation segments in pseudo-oontinuum theory //Int. J. Solids Structures. 1978. V.14. P.99−111.
  181. Lothe J. Dislocations in anisotropic media. The interaction energy //Philоб. Mag. A. 1982. V.46. N 1. P.177−180.
  182. В.Л., Чамров В. А. Упругие поля рациональных дислокационных элементов в анизотропных средах //Кристаллография. 1983. Т.28. Вып. 6. 0.1061−1066.
  183. Lothe J. Dislocations in anisotropic media //Elastio strain fields and dislocations mobility /Ed. V.L. Indenbom and J. Lothe. Amsterdam: Elsevier Soienoe Publisher B.V., 1992. P.175−235.
  184. А.Ф., Mooc E.H. О роли поверхностных дислокаций в теории роста кристаллов //'VII конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1986. С.28−29.
  185. М.А. Теория дислокаций /УСхоутен Я. А. Тензорный анализ для физиков. М.: Наука, 1965. С.373−443.
  186. М.А. Теория упругих сред с микроструктурой. М.: Наука, 1975. 416 с.
  187. А.Ф. Влияние свободной поверхности на взаимодействие и самодействие дислокаций. М., 1991. 30 с. Деп. в ВИНИТИ 27.06.91 N 2738-В 91 Деп.
  188. Rogula D. Dislocation lines in nonlooal elastio oontinua //Arch. Meoh. 1973. V.25. N 6. P.967−973
  189. Gairola B.K.D. The nonlooal theory of elastisity and its application to interaction of point defects //Arch. Mech. 1976. Y.28. N 3. P.393−404.
  190. Eringen A.C. On continuous distributions of dislocation in nonlooal elasticity //J. Appl. Phys. 1984. V.56. N 10. P.2675−80.H
  191. Gunter H. Dynamical problem of disolination theory //Ger-lands Beitr. Geophys. (Germany). 1976. V.85. N 3- P.193−207.
  192. Владимиров А.Ф., Mooc E.H. О методе поверхностной дислокации
  193. Сомилианы в решении граничной проблемы теории дефектов //Роль дефектов кристаллической решетки в процессах структурообразования сплавов. Тула: ТулПИ, 1939. С.26−29.
  194. A.M. Теория упругости. М.: Наука, 1970. 939 с.
  195. Я.С. Интегральные преобразования в задачах теории упругости. Л.: Изд-во АН СССР, 1963- 367 с.
  196. Я.С. Метод парных уравнений в задачах математической физики. Л.: Наука, 1977. 220 с.
  197. Н.И. Сингулярные интегральные уравнения. М.: Наука, 1968. 511 с.
  198. Н.И. Некоторые основные задачи математической теории упругости. М.: Наука, 1966. 707 с.
  199. С.П., Гудьер Дж. Теория упругости. М.: Наука, 1970. 560 с.
  200. В.М. Температурные задачи териии упругости. Киев: Изд-во АН УССР, 1951. 150 с.
  201. Jagannadham К., Marcinkowski M.J. Comparison of the image and surface dislocation models //Phys. Status Solidi. A. 1978. V.50. N 1. P.293−302.
  202. Jagannadliam K., Marcinkowski M.J. Surface dislocation model of a dislocation in two phase medium //J. Mater. Soi. 1980. V.15. N 2. P.709−726.
  203. Romanov A.E., Vladimirov V.I. Straight wedge disolination near a free surface //Phys. Status Solidi. A. 1980. V.59. N 2. P. K159-K163.
  204. Romanov A.E., Vladimirov V.I. Straight disclinations near a free surfaoe. 1. Stress fields //Phys. Status Solidi. A. 1931. V.63. N 1. P.109−113.
  205. А.Л., Приемский Н. Д., Романов A.E. Клиновые прямолинейные дисклинации в упругой изотропной пластине. Л.: ФТИ, 1984. 42 с. /Препринт ФТИ N 869.
  206. А.Л., Романов А. Е. Круговые дислокационно-дис-клинационные петли и их применение к решению граничных задач теории дефектов. Л.: ФТИ, 1936. 61 с. /Препринт ФТИ N 1019.
  207. Belov A.Yu., Chamrov V.A., Indenbom V.L., bothe J. Elastic fields of dislocations pircing the interface of an anisotropic bicrystals //Phys. Status Solidi. B. 1983. V.119- N 2. P.565−578.
  208. А.Ю., Чамров В.A. О влиянии поверхности на упругие поля и электронно-микроскопические изображения наклонных дислокаций //Металлофизика. 1987. Т.9. N 3. С.68−78.
  209. Eshelby J.D. Boundary problems //Dislocations in Solids. North-Holland Publ. Oo. 1979. Vol.1. P.167−221.
  210. А.Ф. Уточнение понятия силы на единицу длины дислокации: сила Пича-Келера плюс полевая сила //'Изв. АН. Сер. физ. 1998. Т.62. N '7- G. 13Ю-1316.
  211. Мира Т. The continuum theory of dislocatins //Advances in materials research. Vol.3 /Ed H.Herman. N.Y.: Intersoienoe Publ., 1968. P.1−108.
  212. А.Ф., Mooc E.H. Негомогенность полупроводниковых структур, обусловленная дислокациями вблизи свободной поверхности //'Электронная техника. Сер. Материалы. 1991. Вып.3(257). С.75−80.
  213. Л.И. Исследование сегрегаций примесей на структурных дефектах в цинке методом ионного микроанализа. Дис.. канд. физ.-мат. наук. М., 1978. 133 с.
  214. Ф.А. Локальный анализ гетероструктур с помощью электронного и ионного микрозондов. Дис.. д-ра техн. наук. М.: МИСИС, 1981. 501 с.
  215. Michel В. Einige Aspekte der Anwendung kontinuums theoretiмscher Methoden bei der Modellirung von Vorgangen im Mikrobereich1. von Festkorper //Experimentalle Technik der Physik. 1981. B.2y. N 2. S.117−127.и и
  216. Michel B. Uber das Wechselverhaltnis von Kontinuumsmechanikиund Strukturphysik fester Korper //Fortschritte der Physik. 1982. B.30. H.5. S.233−310.
  217. Gutkin M.Yu., Romanov A.E. Straight edge dislocations in a thin two-phase plate. Л. Impurity-vaoanoy polarisation of plate //Phys. Status Solidi. A. 1992. V.129. P.363−387.
  218. Pilippov A.P., Gaidukov G.N., Maksimov S.K. Elastic fields of a dislocation inclined to a free surface //Phys. Status Solidi. A. 1985. V.90. P.215−224.
  219. Haszledine P.M., Shaibani S.J. The behaviour of dislocations near a free surface //Strength of metals and alloys. Vol.1 /Ed. R.C. Gifkins. Oxford et al: Pergamon Press, 1983. P.45−50.
  220. Belov A.Yu. Dislocations emerging at planar boundaries //Elastio strain fields and dislocation mobility /Ed. V.L. Indenbom and J. Lothe. Amsterdam: Elsevier Science Publishers В.У., 1992. P.391−446.
  221. А.П., Брычков Ю. А., Маричев О. И. Интегралы и ряды. Специальные функции. М.: Наука, 1983. 750 с.
  222. Eshelby J.D. Elastic inclusions and inhomogeneties //Progress in Solid Mechanics /Ed. I.N. Sneddon and R. Hill. Amsterdam: North-Holland, 1961. P.86−140.
  223. Stuwe H.P., Jager I. Surface segregation in dilute solid solutions //Acta Metallurgica. 1976. V.24. P.605−608.
  224. А.Ф., Mooc E.H. Изменение работы выхода, обусловленное дефектами /'/Всероссийский симпозиум по эмиссионной электронике, посвященный памяти Г. Н. Шуппе. Материалы симпозиума. Рязань: РГРТА, 1996. С.102−103.
  225. А.Ф., Mooc E.H. Сингулярности на профилях легирования при анализе методом МСВМ, обусловленные гетеродефектностью матрицы //Всесоюзное совещание-семинар: Диагностика поверхности ионными пучками. Одесса, 1991- С.173−174.
  226. В.И. Различные электорнно-обменные теории вторичной ионной эмиссии с точки зрения современных экспериментов //Всероссийский симпозиум по эмиссионной электронике, посвященный памяти Г. Н. Шуппе. Материалы симпозиума. Рязань: РГРТА, 1996. С. 146.
  227. Поп С.С., Белых С. Ф., Дробнич В. Г., Ферлегер В. Х. Ионно-фо-тонная эмиссия металлов. Ташкент: Фан, 1989. 200 с.
  228. М.А. Современные представления о механизме вторичной ионно-ионной эмис сии//Диагностика поверхности ионными пучкамиТезисы лекций Всесоюзн. совещания-семинара. Ужгород, 1977. С.13−26.
  229. Sohroeer J.M., Rodin T.N., Bradley R.C. A quantum- mechanical model for the ionisation and exitation of atoms during sputtering //Surf. Sei. 1973. V».34. P.571−580.
  230. М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. 256 с.
  231. A.B., Юрова E.G., Биберин В. И., Гришина С. П., Мильвидский М. Г., Освенский В. Б., Юрьева И. М. 0 природе неоднородности монокристаллов полуизолирующего GaAs //Кристаллография. 1990. Т.35- Вып.4- С.945−952.
  232. В.М., Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников. М.: Наука, 1967. 371 с.
  233. И.В., Гуревич В. М., Иванов Л. С., Москалев Л. П. Распределение примесей в эпитаксиальных слоях si, полученных методом пиролиза силана //Научные труды Гиредмета. Т.юз. М.: ОНТИ Гиред-мета, 1980. С.64−70.
  234. А.Ф., Моос E.H. Восстановление истинного профиля легирования при послойном анализе /7У1 Всесоюзный симпозиум: Вторично-электронная, фотоэлектронная эмиссия и спектроскопия поверхности твердого тела. Тезисы докладов. Рязань, 1986. С. 187.
  235. А.Ф., Моос E.H. Математическое моделирование краевого эффекта при послойном анализе в режиме растрового сканирования //Вторичная ионная и ионно-фотонная эмиссия. Тезисы докладов V Всесоюзного семинара. Часть 1. Харьков, 1988. С.195−196.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!