Исследование и разработка сканирующей зондовой микроскопии с проводящими кантилеверами для создания и диагностики наноразмерных структур
Диссертация
Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие конкретные задачи: провести комплексное исследование конструктивнотехнологических методов создания проводящих кантилеверовразработать критерии выбора материала покрытий и конструкций универсальных кантилеверов, обеспечивающих решение большинства исследовательских задач в СЗМ с проводящими кантилеверамиразработать технологии… Читать ещё >
Список литературы
- G. Bining and H. Rohrer. Scanning Tunneling Microscope // US Patent 4,343,993 Aug .10, 1982. Filed: Sep. 12, 1980.
- J. В. P. Williamson, «Microtopography of Surfaces» // Proc. Inst. Mech. Eng. London, 182,21 (1967−68) — American national standard Surface texture. ANSI B46.1 (1978 Edition).
- В. К. Неволин, A.C. Коньков «Растровый туннельный микроскоп» A.C. № 1 471 232 с приоритетом от 14 июля 1987.
- G. Binnig and Н. Rohrer. Scanning tunneling microscopy // Helv. Phys. 1982. Acta 55, c. 726−735.
- K. Sashikata, N. Furuya, K. Itaya. In situ electrochemikal scanning tunneling microcopy of Pt (l 11), Rh (l 11), and Pd (l 11) in aqueous acid solutions. // J. Vac. Sei. Technol. 1991, В 9(2), с. 457−464.
- Phys. 1991,70, c. 5141−5143.
- G. Binnig and H. Rohrer, Ch. Gerber and E. Weibel. 7×7 Reconstruction on Si (111) Resolved in Real Space.// Phys. Rev. Lett. 1983, 50 (2), c. 120−123.
- G. Binnig, C.F. Quate and Ch. Gerber. Atomic force microscope.// Phys. Rev. Lett. 1986, 56 (9), c. 930 933.
- G. Binnig, C.F. Quate and Ch. Gerber. Atomic force microscope.// Phys. Rev. Lett. 1986, 56 (9), c. 930 933.
- G.Meyer, N.M. Amer. Erratum: novel optical approach to atomic force microscopy.// Appl. Phys. Lett. 1988, 53 (24), c. 2400−2402.
- W.A. Ducker, RF. Cook, D.R. Clarke. Force measurement using an AC atomic force microscope. // J. Appl. Phys. 1990, 67 (9), c. 4045−4052.
- H. Ueyama, M. Ohta, Y. Sugawara, S. Morita. Atomically resolved InP (llO) surface observed with noncontact ultrahigh vacuum atomic force microscope.// Jpn. J. Appl. Phys. 1995, V. 34, c. L1086-L1088.
- M.-H. Whangbo, S. N. Magonov, H. Bengel. Tip-sample force interactions and surface stiffness in scanning probe microscopy.// Probe Microscopy, 1997, 1, c.23.
- V.A.Bykov, V.A.Fedirko. Scanning probe microscopy for biological object investigation.// In «Spectroscopy of Biolog. Molecules, ed. by J.C.Merlin, S. Turrell and J.P.Huvenne. Kliver Acad. Publ., Dordrecht/ Boston/ London, 1995, c. 471−472.
- S.R.Cohen, G.M. McClelland. Measurement of micromechanical properties using a bidirectional atomic force microscope with capacitative detection. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1989, 153, c. 307−316.
- A. Wadas, P. Grutter. Theoretical approach to magnetic force microscopy.// Phys. Rev. 1989, B 39 (16), c. 12 013−12 017.
- P. S.D. Hobbs, D.W. Abraham, H.K. Wickramasinghe. Magnetic force microscopy with 25 nm resolution. // Appl. Phys. Lett. 1989, V. 55 (22), c. 2357−2359.
- S. Watanabe, K. Hane, M. Ito, T. Goto. Dynamic mode force microscopy for the detection of lateral and vertical electrostatic forces.// Appl. Phys. Lett. 1993, 63 (18), c. 2573−2575.
- U. Durig, O. Zuger, D.W. Pohl D.W. Observation of metallic adhesion using the scanning tunneling microscope. // Phys. Rev. Lett. 1990, 65 (3), c. 349−352.
- M. Nonnenmacher, M.P. O’Boyle, H.K. Wickramasinghe. Kelvin probe force microscopy. // Appl. Phys. Lett. 1991, 58 (25), c. 2921−2923.
- J.R. Matey, J. Blanc. Scanning capacitance microscopy.// J. Appl. Phys. 1985,57 (5), c. 1437−1444.
- Y.Huang, C.C. Williams, M.A. Wendman. Quantitative two-dimensional dopant profiling of abrupt dopant profiles by cross-sectional scanning capacitance microscopy.// J. Vac. Sci. Technol. 1996, A 14 (3), c. 1168−1171.
- A. Kikukawa, S. Hosaka, Y. Honda, R. Imura. Phase-locked noncontact scanning force microscope.// Rev. Sci. Instrum. 1995, V. 66 (1), c. 101−105.
- S. Hosaka, H. Koyanagi, T. Hasegawa, S. Hosoki. Observation of natural oxide growth on silicon facets using an atomic force microscopy with current measurements.// J. Appl. Phys. 1992, 72 (2), c. 688−691.
- Патент США N 5 021 364 MKHH01L 27/465.
- А. А. Бухараев, Н. И. Нургазизов. X Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. РЭМ-97 // Черноголовка 1997, с. 145.
- Н. Fujisava and М. Shimizu. Investigation of the current path of Pb (Zr, Ti)03 thin films using an atomic force microscope with simultaneous current measurement // Appl. Phys. Lett. 1997, 71(3), c. 416−418.
- J. N. Nxumalo, D. T. Shimizu and D. J. Thomson Cross-sectional imaging of semiconductor device structures by scanning resistance microscopy. // J.Vac. Sci. Technol. B. 1996, N14, c. 386−389.
- C. Shafai, D.J. Thomson, M. Simard-Normandin, G. Mattiussi, P.J. Scanlon Delineation of semiconductor doping by scanning resistance microscopy. // Appl. Phys. Lett. 1994, 64 (3), c. 342−344.
- Characterization of a point-contact on silicon using force microscopysupported resistance measurements.// Appl. Phys. Lett. 1995, 66 (12), c.1530−1532.
- J. Snauwaert, N. Blanc, P. De Wolf, W. Vandrvorst, and L. Hellemans. Minimizing the size of force-controlled point contacts on silicon for carrier profiling. //J. Vac. Sci. Technol. 1996, B 14(2), c. 1513−1517.
- P. De Wolf, T. Clarysse, W. Vandervorst, J. Snauwaert, L. Hellemans, Ph. Niedermann and W. Hanni. Cross-sectional nano-spreading resistance profiling. // J. Vac. Sci. Technol. 1998, B 16(1), c.355−361.
- P. De Wolf, T. Clarysse, W. Vandervorst, J. Snauwaert, and L. Hellemans. One- and two-dimentional profiling in semiconductors by nanospreding resistance profiling. // J. Vac. Sci. Technol. 1996, B 14, c. 380−385.
- C. Shafai, D.J. Thompson, M. Simard-Normandin. Two-dimensional delineation of semiconductor doping by scanning resistance microscopy.// J.Vac. Sci. Technol. B, 1994, 12(1), c. 378−382.
- P. De Wolf, J. Snauwaert, T. Clarysse, W. Vandervorst, L. Hellemans. Characterization of a point- contact on silicon using force microscopy-supported resistance measurements.// Appl. Phys. Lett. 1995, 66(12), c. 1530−1532.
- M. Munz, H. Sturm, E. Schulz, G. Hinrichsen. The Scanning Force Microscope as a tool for the detection of local mechanical properties within the interphase of fibre reinforced polymers.//Composites A. 1998, 29A, c. 12 511 259.
- R. E. Thomson and J. Moreland. Development highly conductive cantilevers for atomic force microscopy point contact measurements. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1995, 13(3), c. 1123−1125.
- F. House, R. Meyer, O. Schneegans, and L. Boyer. Imaging the local electrical properties of metal surface by atomic force microscopy with conducting probes // Appl. Phys. Lett. 1996, 69(13), c. 1975−1978.
- M. T. Hersam, A.C. Hoole, S.J. O’Shea and M. E. Welland. Potentiometry and repair of electrically stressed nanowires using atomic force microscopy. // Appl. Phys. Lett. 1995, 72(8), c. 915−917.
- S. J. O Shea, R. M. Atta, and M. E. Welland. Characterization of tip for conducting atomic force microscopy. // Rev. Sci. Instrum. 1995, 66(3), c. 2508−2512.
- D. L. Klein and P. L. McEuen. Conducting atomic force microscopy of al-kane layers on graphite. // Appl. Phys. Lett. 1995, 66(19), c. 2478−2480.
- P. J. Gallo, A. J. Kulik, N. A. Burnham, F. Oulevey, and G. Gremaud. Electrical conductivity SFM study of an ultrafiltration memrane. // Nanotech-nology. 1997, 8(1), c. 10−13 .
- H. Herz, J. Reine // Angew. Math. 1882, 92, 156 c.
- Y. V. Sharvin // JETP. 1965, № 21, c. 655.
- B. V. Deijaguin, V.M. Muller, Y.P. Toporov. //J.Coll.Interface Sci. 1975, 53, c. 314.
- K.L. Jonson. Contact Mechanics. // 1985, Cambridge University Press.
- J.T. Dickinson, L.C. Jensen, К.Н. Siek, K.W. Hipps. The use of scanning conduction microscopy to probe abrasion of insulating thin films.// Rev. Sei. Instrum. 1995, 66(7), с. 3802−3806.
- A. Oral, S. J. Bending, and M. Henini. Real-time scanning Hall probe microscopy. //Appl. Phys. Lett. 1996, 69(9), c. 1324−1326.
- T.P. Weihs, Z. Nawaz, S.P.Jarvis, J.B. Pethica. Limits of imaging resolution for atomic force microscopy of molecules. // Appl. Phys. Lett. 1991, 59(27), c. 3536−3538.
- B.K. Неволин. Основы туннельно-зондовой нанотехнологии. // МИЭТ 1996, 86с.
- П.А.Арутюнов, A. JL Толстихина. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро и наноэлектроники часть I. Микроэлектроника. 1999, 28(6), с. 405−414.
- М. Wendel, S Kuhn, Н. Lorenz, J.P. Kotthaus, M. Holland. Nanolothogra-phy with an atomic force microscope for integrated fabrication of quantum electronic devices.//App. Phys. Lett. 1994, 65(14), c. 1775−1777.
- M. Wendel, H, Lorenz, J.P. Kotthaus. Sharped electron beam deposited tips for high resolution atomic force microscope lithography and imaging.// App. Phys. Lett. 1995, 67(25) c. 3732−3734.
- J. Cortes Rosa, M. Wendel, H, Lorenz, J.P. Kotthaus, M. Thomas and H. Kroemer. Direct pattering of surface quantum wells with an atomic force microscope.// Appl. Phys. Lett. 1998, 73(18), c. 2684−2686.
- U. Durig, D. Pohl, F. Rohner. Near-Field Optical Scanning Microscopy.// J. Appl. Phys. 1986, 59 (10), 15 May, c. 3318 3327.
- H. J. Mamin. Thermal writing using a heated atomic force microscope tip.// Appl. Phys. Lett. 1996, 69(3), c. 433−435.
- L.P. Ma, W.J.Yang, Z.Q.Xue and S.J. Pang. Data storage with 0,7 nm recording marks a crystalline organic thin films by a scanning tunneling microscope. // Appl. Phys. Lett. 1998, 73(6), c. 850−852.
- G. E. Engelmann, J.C. Zieger, D. M. Kolb. Electrochemical fabrication of large array of nanoclusters.// Surf. Sci. 1997, 401, c. L420-L424.
- R. Maoz, E. Frydman, S Cohen, J. Sagiv. Constructive Nanolithography: Site-defined silver self-assembly on nanoelectrochemically patterned monolayer templates.// Adv. Mat. 2000, 12(6), c. 424−429.
- T. Hitosugi, T. Hashizume, S, Heike. // Appl. Phys. A 1998, V.66, p. S695.
- J. Song, C. Li, H. He et.all. // Appl. Phys. A 1998, V. 66, p. S715.
- D. Fujita, H. Sheng, Z. Dung, H. Nejog. // Appl. Phys. A., 1998, V. 66 p. S753.
- D. Fujita, Q. Jiang, H. Nejoh. // J. Vac. Sci. Technol B.1996, V.14, p. 3413.
- A. Avramescu, A. Ueta, K. Uesugi, I Suemune. Atomic force microscope lithography on carbonaceous films deposited by electron-beam irradiation.// Appl.Phys.Lett. 1998, 73(6), c. 716−718.
- T. Shiokawa, Y. Aoyagi, M. Shigeno, S. Namba. In situ observation and correction of resist patterns in atomic force microscope lithography. // Appl.Phys.Lett. 1998, 72(19), c. 2481−2483.
- R. Held, T. Heinzel, P. Studerus, K. Ensslin. Nanolithography by local anodic oxidation of metal films using an atomic force microscope.// Physica E, 1998, 2, c. 748−752.
- B. Irmer, M. Kehrle, H. Lorenz, J.P. Kotthaus. Fabrication of Ti/TiOx tunneling barriers by tapping mode atomic force microscopy induced local oxidation. //Appl. Phys. Lett. 1997, 71(12), c. 1733−1735.
- J.A. Dagata, J. Schneir, H.H. Harray, C.J. Evans, M.T. Postek, J. Bennett. Modification of hydrogen- passivated silicon by a scanning tunneling microscope in air. // Appl.Phys.Lett. 1990, 56(20), c. 2001−2003.
- L. A. Nagahara, T. Thundat, S.M. Lindsay. Nanolitography on semiconductor surfaces under an etching solutions. // Appl.Phys.Lett. 1990, 57(3), c. 270−272.
- T. Thundat, L.A. Nagahara, P.I. Oden, S.M. Lindsay, M.A. George, W.S. Glaunsinger. Modification of tantalium surfaces by scanning tunneling microscopy in an electrochemical cell. // J. Vac. Sci. Technol. 1990, A 8(4), c. 3537−3541.
- M. Yasutake, Y. Ejiri, T. Hattori. Modification of silicon surface using atomic force microscope with conducting probe. // Jpn. J. Appl. Phys. 1993, 32(7B2), c. L1021-L1023.
- F. Perez-Murano, G. Abadal, N. Barniol, X. Aymerich, J. Servat, P. Gor-ostiza, F. Sanz, Nanometer-scale oxidation of Si (100) surfaces by tapping mode atomic force microscopy. // J. Appl. Phys. 1995, 78(11), c. 67 986 801.
- R. Garcia, M. Calleja, H. Rohrer. Patterning of silicon surfaces with non-contact atomic force microscopy: Field induced formation of nanometer-size water bridges. // 'Scanning tunneling microscopy '99 ' Сеул, 1999, Корея с. 323−324.
- H.Sugimura, N. Nakagiri. Chemical approach to nanofabrication: Modification of Silicon surface patterned by scanning probe anodization.// Jpn. J. Appl. Phys. 1995, 34(6B1), c. 3406−3411.
- Ph. Avouris, R. Martel, T. Hertel, R. Sandstrom // Appl. Phys. A, 1998, V. 66 P. S659.
- Ph. Avouris, T. Hertel, R. Martel. Atomic force microscope tip-induced local oxidation of silicon: Kinetics, mechanism, and nanofabrication.// Appl. Phys. Lett. 1997, V. 71(2), c. 285−287.
- M. Calleja, J. Anquita, R. Garcia, K. Birkelund, F. Perez-Murano, J. Dagata. Nanometer-scale oxidation of silicon surface by dynamic force microscopy: reproducibility, kinetics and nanofabrication.//Nanotechnology 1999, № 10, c. 34−38.
- J. Dagata, T. Inoe, J. Itoh, H. Yokayama. Undestanding scanned probe oxidation of silicon.// Appl.Phys.Lett. 1998, 73(2), c. 271−273.
- K. Matsumoto, S. Takahashi and all. Application of STM nanometer -size oxidation process to planar type MIM dioe // Jpn.J.Appl.Phys. 1995, Vol 34, p. 1387−1390.
- K. Matsumoto, M. Ishii and all. Room temperature operation of single electron transistor made by the scanning tunneling microscope nanooxidation process for the TiOx/TiO system. //Appl. Phys. Lett. 1996, Vol 68(1), c. 3436.
- R. Held, T. Heinzel, P. Studerus, K. Ensslin, M. Holland. Semiconductor quantum point contact fabricaed by lithography with an atomic force microscope.// Appl. Phys. Lett. 1997, 71(18), c.2689−2691.
- J. Shiracashi, K. Matsumoto, N. Miura and M. Konagai Single-electron transistor with Nb/Nb oxide system fabricated by atomic force microscope nano-oxidation process // Jpn.J.Appl.Phys. Vol 36, 1997, p. L1257-L1260.
- B. Irmer, M. Kehrle, H. Lorenz J. Kotthaus. Nanolithography by non-contact AFM-induced local oxidation fabrication of tunneling barriers suitable for single-electron devices.// Semic. Sci. Technol. 1998, № 13, c. A79-A82.
- Лемешко С.В., Шевяков В. И. Проводящие зонды сканирующих зондовых микроскопов на основе тугоплавких соединений Ti и W // Материалы Всероссийского совещания „Зондовая микроскопия 98“. Нижний Новгород, 1998. С. 138−143.
- H.A. Калябина. Влияние технологических факторов на интенсивность электромиграции в межсоединениях интегральных схем. Обзоры по электронной технике. Серия 2, 1986, вып.18, с. 10.
- Т. Я. Косолапова. Свойства и применение тугоплавких соединений. // Москва, Металургия. 1986, 928с.117 3. Ю. Готра Справочник по технологии микроэлектронных устройств. Львов: Каменяр. — 1986. -287 с.
- R. L. Boxman and S. Goldsmith // IEEE Trans. Plasma Sei. 1989, PS-17, c. 705.
- R. L. Boxman and S. Goldsmith // Surf. Cout. Technol. 1990, № 43/44, c. 1024.
- А.А.Кондрашин, В. Н. Черняев, Г. Н. Мамерова и др. Эмисионные плазменные покрытия на основе гексаборида лантана, полученные плазменным распылением//Э.Т. Сер. Материалы.-1980.-Вып. 12.-С. 15−19.
- М.И.Черняев и др. Механизмы сепарации плазмы при осаждении пле-нок//Э.Т. Сер. Материалы.- 1985.-Вып.4(203).-С.28−33.
- И.Б.Анохин, С. И. Зимин, А. Д. Касихин, В. Г. Соколов. Электродуговой испаритель металлов.-А.С. СССР № 953 004.-С23С 13/08.
- В.И.Аршавский, В. Л. Лапшин. Устройство для нанесения проводящих покрытий в вакууме.-А.С. СССР № 894 018.-С23С 13/08.
- Маковский Ф.А., Усачев Е. П. Выпрямители на основе полупроводниковой двуокиси титана// М.: Наука. 1966, 107с.
- Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов // М.: Мир. 1975, 397 с.
- Третьяков Ю.Д. О нестехиометрии окислов при высоких температурах // Физическая химия окислов. Под ред. А. Н. Мень. М.: Наука. 1971, 190с.
- Гаврилов С.А., Лемешко C.B., Шевяков В. И. Самосовмещенное формирование наноразмерных цилиндрических кластеров палладия на кремнии // Труды Всероссийской научно-технической конференции „Микро- и нано- электроника 98“. Звенигород, 1998. Р 3−26
- Лемешко C.B., Рощин В. М., Шевяков В. И. Исследования наноструктур на основе сканирующей электрически-проводящей микроскопии // Труды Всероссийской научно-технической конференции „Микро- и нано- электроника 98“. Звенигород, 1998. р. 3−5
- Лемешко С. В. Калибровочные структуры для сканирующей зондовой микроскопии с проводящими кантилеверами. // Тезисы докладов Всероссийской межвузовской НТК студентов и аспирантов „Микроэлектроника и информатика 2000“.- М: МИЭТ. 2000.С.18.
- Лемешко С.В., Шевяков В. И. Сканирующая электрически проводящая микроскопия в микроэлектронике. // Материалы НТК „Электроника и информатика XXI век“. -М: МИЭТ. 2000. С. 78−79.
- S. Villette, M.P.Valignat, A.M. Cazabat, F.A. Schabert, A. Kalachev Ultra-thin liquid films. Ellipsometric study and AFM preliminary investigations. // Physica A, 236. 1997. c. 123−129.
- M. Luna, J. Colchero, A. Gil, J Gomez-Herrero, A.M. Baro. Application of non-contact scanning force microscopy to the studu of water adsorption on graphite, gold and mica.// Appl.Surf. Sci. 157, 2000. c.393−397.
- V. Barwich, M. Bammerlin, A. Baratoff, R. Bennewitz, M. Guggisberg, C. Loppacher, O. Pfeiffer, E. Meyer, H.-J. Guntherodt, J.-P. Salvetat, J.-M. Bonard, L. Forro. Carbon nanotubes as tips in non-contact SFM.// App. Surf. Sci. 157, 2000. c.269 .
- S. Decossas, G. Cappello, G. Poignant, L. Patrone, A. M. Bonnot, I. Snigireva, F. Comin and J. Chevr. Carbon nanotubes AFM tip contact: adhesion, friction and deformation.//18th Course: „Nanostructured Carbon for Advanced Applications“. 2000.
- Black J.R. Electromigration failure modes in aluminium metallization for semiconductor devices. // Proc. IEEE. 57(9). 1969. c. 1587−1591.-164 142 Huntington H.B. During forces for thermal mass transport.// J. Phys. Chem.
- Solids. 29(5), c. 1641−1651.
- English A.T. Kinsbron E. Electromigration -induced failure by edge displacement in fine -line aluminium 0.5- cupper thin film conductors.// J. Appl. Phys. 54(1), 1983. c. 268−274.
- Лемешко С. В. Особенности нанолитографии по сверхтонким пленкам Ti при использовании сканирующего зондового микроскопа. // Тезисы докладов Всероссийской межвузовской НТК студентов и аспирантов „Микроэлектроника и информатика 99“.- M: МИЭТ. 1999.С.22.
- B.И. Исследования особенностей процесса локального окисления пленок титана с использованием сканирующей зондовой микроскопии. // Известия ВУЗов „Электроника“ N3. 2000. С. 27−33.
- V.A. Bykov, S.V.Lemeshko, S.A. Saunin, D.Wang. The nanometer scale raster pattering using tip-indused oxidation of matallic films in tapping mode AFM //"Asia-Pacific Surface & Interface analysis conference». Beijing, Cnina, 2000. P. 70−71.
- Gavrilov S.A., Lemeshko S.V., Shevyakov V.I., Roschin V.M.Kinetics of tip indused oxidation by scanning probe microscope.// «Rewiews and short notes to Nanomeeting-2001 «.Minsk Belarus. 2001. P.313−316.
- Bykov V.A., Lemeshko S.V.Study of the probe lithography process on the different surfaces. // «Scanning probe microscopy-2001». Nizhny Novgorod, 2001. C. 138−142.
- S Lemeshko, S Gavrilov, V Shevyakov, V Roschin and R Solomatenko Investigation of tip-induced ultrathin Ti film oxidation kinetics.// «Nanotechnology» V 12 No 3 (September 2001) 273−276.
- Юнг Л. Анодные оксидные пленки. Л.: Энергия, 1967. 232 с.
- Научные результаты диссертационной работы Лемешко С. В используются в учебном процессе, проводимом каф. ИЭМС:
- Результаты диссертационной работы используются при чтении оригинального курса лекций «Технология кремниевых микросистем» для студентов магистратуры ЭКТ-факультета.
- Результаты диссертации использовались студентами при подготовке дипломных проектов и магистерских диссертаций по тематике «Методы сканирующей зондовой микроскопии"1. Декан факультета
- Электроники и компьютерных технологий, профессордоцент1. Зам.зав.каф. ИЭМС, 1. М.Г.Путрял
- АКТ о внедрении Результатов диссертационной работы Лемешко С.В.
- АКТ о внедрении результатов диссертационной работы Лемешко С.В.
- Настоящим актом подтверждается, что методика локальной модификации свойств поверхности проводящим кантилевером СЗМ внедрена в программное обеспечение, поставляемое со сканирующими зондовыми микроскопами, производимыми компанией «НТ-МДТ».
- Правительство Москвы Московский Комитет Образования1. ДИПЛОМ
- Настоящий диплом подтверждает, чтоаспирант
- Лгмгшко СергейВладимировичявляется лауреатом конкурса Международной Соросовской Программы Образованияв’в г. МОСКВЕ
- Мэр ------------ЮМ. Лужков
- Председатель МКО/г/Л, П'Кезина
- Председатель, 0 [Ск>} ь^У Правления КБЕР (У^- ^^ Уу^ЖН. Сойфер1. Сентябрь 2000 г.