Конструктивно-технологический базис для микросхем радиочастотного диапазона на основе самоформируемых структур
Диссертация
Смоделирована схема МШУ, разработана топология кристалла и определены номиналы элементов схемы. В результате анализа и комплексного моделирования полной конструкции МШУ на кремнии получены основные характеристики усилителя: потребляемый ток в полосе рабочих частот (100 МГц — 2,5 ГГц) составил 9,49 мА при напряжении питания 3 В, коэффициент шума не более ЗдБ, минимальный коэффициент стоячей волны… Читать ещё >
Список литературы
- А.С. СССР. N439863, М. Кл. НО 1L19/00. Способ изготовления активных элементов интегральных схем. Луканов Н. М., Лебедев В. В., Любушкин Е. Н., Шварц К.-Г.М., Щербинин А. А. Заявл.13.07.70. Опубл. 19.04.1974.
- Янушонис С.С., Янушонене В. Ю. Самоформирование в полупроводниковой технологии // Вильнюс: Мокслас. 1985. 192 с.
- Луканов Н.М. Состояние и перспективы разработки конструктивно-технологической базы для сверхбыстродействующих БИС и СБИС // Итоги науки и техники. Сер. ЭЛЕКТРОНИКА. ВИНИТИ. Т.27. М.: 1990. С. 3−32.
- Naramura Т. and Nishizawa Н. Recent progress in bipolar transistor technology // IEEE Trans. Electron Devices. 1995. V.42. № 3. p. 390−398.
- Warnock J.D. Silicon bipolar device structures for digital applications: technology trends and future directions // IEEE Trans. Electron Devices. 1995. V.42. № 3. P. 377−389.
- Красников Г. Я., Дорофеев А. П., Савенков B.H., Дайнеко А. В. БИКМОП ИС -новая перспективная элементная база хмикроэлектроники // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. Выпуск 1(151). М.: 1997. С. 60−63.
- Сауров А.Н. Методы самоформирования в микроэлектронике // Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА. М.: 1997. № 5. С. 41−47.
- Nakamura М. Challenges in semiconductor technology for multy-megabit network services. 1998 IEEE International Solid-State Circuits Conference. (ISSCC98) .P.16−20.
- Washio K. et al. Self-aligned metal/IDP Si bipolar technology with 12-ps ECL and 45- GHz dynamic frequency divider // IEEE Trans, on Electron Devices. 1997. V.44. № 11. P. 2078−2082.
- Matsuzava A. Potential of RF Si-MOS LSI technology // Proc. of SPIE.- Austin, Texas. 1−2 October 1997. V. 3212. P. 88−96. (SPIE—The International Society for Optical Engineering, Microelectronic Device Technology).
- Harame D. High performance BiCMOS process integration: trends, issues, and future, directions.// Proceeding-o?.the-1997 Bipolar/BiCMQS.Circuits.ancLTechnology Meeting -U.S., September 28−30 (IEEE BCTM. 1997). P. 36−43.
- Сауров Л.Н. Графическая модель самоформирования интегральных структур // Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА. М.: 1998. № 1. С. 61−70.
- Sasaki Н. Multimedia: Future and impact for semiconductor technology // International Electron Devices Meeting (IEDM).1997. Washington, DC. December 7−10. 1997. P. 3−8.
- Washio K., Ohue E., Oda K. et all A selective-epitaxial SiGe HBT with SMI electrodes featuring 9.3-ps ECL-gate delay // IEDM. 1997. P. 795−798.
- Oda K., Ohue E., Tanabe M. et al. 130-GHz fT SiGe HBT technology // IEDM. 1997. P.791−794.
- Sung J.M., Chiu T.-Y. et al. A high performance super self-aligned 3V/5V BiCMOS technology with extremely low parasitics for low-power mixed-signal1 applications // IEEE Trans. Electron Devices.1995. V.42. № 3. P. 513−521.
- Shishiguchi S., Yasunaga Т., Aoyama T. et al. Si selective epitaxial growth' technology using UHV-CVD*and its-application to-LSI® fabrication'// Proc. of SPIE.- Austin, Texas. 1−2 October 1997. V.3212. P. 106−117.
- Onai Т., Ohue E., Idei Y. et al. Self-aligned complementary bipolar technology for low- power dissipation and ultra-high-speed LSI’s // IEEE Trans. Electron Devices. 1995. V.42. № 3. P. 413−417.
- Iinuma Т., Itoh N., Nakajima H. et al. Sub-20 ps high-speed ECL bipolar transistor with low parasitic architecture // IEEE Trans. Electron Devices. 1995. V.42. № 3. P. 399−405.
- Wei W., Koster R., Jansen S. et al. Low-power, ultra-low capacitance bipolar transistor compa-tible with mainstream CMOS // ESSDERC'95. 1995. P. 425−428.
- Yoshino H.Nii. et al. 0.3 цт BiCMOS technology for mixed analog/digital' application systems // IEEE BCTM. 1997. P. 68−79.
- Галушков А.И., Сауров A.H., Шабратов t Д.В. Методы самосовмещения и самоформиро-вания в технологии изготовления СБИС // Российская конференция с участием зарубежных ученых «Микроэлектроника-94″. Звенигород, 28 ноября -3 декабря 1994. С. 341−342.
- Nanvber L.K. et al. Optimization-of fully implanted-NPN's for high-frequency operation // IEEE Trans, on Electron Devices. 1996. V.43. № 6. P. 1038−1040.
- Schreiber H.-U. Novel oxide planarization for integrated high-speed Si/SiGe heterojunction bipolar transistors // IEEE Trans, on Electron Devices. 1996. V.43. № 6. P. 10 361 037.
- De Pontcharra J. et al. A 30-GHz fT quasi-self-aligned single-poly bipolar technology // IEEE Trans, on Electron Devices. 1997. V.44. № 11. P. 2091−2097.
- Niel S., Rozeau O., Ailloud L. et al. A 54 GHz fmax implanted base 0.35цт single-polysilicon bipolar technology// IEDM. 1997. P. 807−810.
- Emons C.H.H. et al. A new high-performance CMOS-compatible reduced-area bipolar transistor // IEEE BCTM. 1997. P. 44−47.
- Ishii K., Ichino H., Kobayashi Y., Yamaguchi C. High-bit-rate, high-input-sensitivity decision circuit using Si bipolar technology // IEEE J. of Solid-State Circuts. 1994. V.29. № 5. P. 546−550.
- Konaka S., Ugajin M., Matsuda T. Deep submicrometer super self-aligned Si bipolar technology with 25.4 ps ECL // IEEE Trans. Electron Devices. 1994. V.41. № 1. P. 44−49.
- Sato F., Hashimoto T. et al. Sub-20 ps ECL circuits with high-performance super self-aligned, selectively grown-SiGe. base. (SSSB). bipolar, transistors.// lEEE-.Trans.Electron Devices. 1995. V.42. № 3. P. 483−488.
- Uchino Т., Shiba T. et al. Very-high-speed silicon bipolar transistors with in-situ doped polisi-licon emitter and rapid vapor-phase doping base // IEEE Trans. Electron* Devices. 1995. V.42. № 3. P. 406−411.
- Onai T. et ai. 12-ps ECL using low-base-resistance Si bipolar transistor by self-aligned metal/IDP technology // IEEE Trans. Electron Devices. 1997. V.44. № 12. P. 2207−2212.
- Onai Т., Nakazato K. et al. Fully radiative current path structure (FRACS) for sub -0,1 |im, emitter transistor// IEEE Trans. Electron Devices. 1995. V.42. № 1. P. 23−30.
- Rhee H-S., Yu H-K., and Lee J-H. A new bipolar transistor technology for GHz level VLSI and RF ICs application // 5 th Internationale Conference on VLSI and CAD. 1997. October 13−15. Seoul.-Korea. P. 281−283.
- Lukanov N.M. et al. Bipolar VLSI based on self-aligned transistor structures // Electronic Engineering. Series Microelectronics. 1991. № 1(1). P. 54−55 (in Russia).
- Rinaldi N.F. On the modeling of polysilicon emitter bipolar transistors // IEEE Trans, on Electron Devices. 1997. V.44. № 3. P. 395−403.
- Ng K.K., Frei M.R., King C.A. Reevaluation of the ft x BVCC0 limit on Si bipolar transistors // IEEE Trans, on Electron Devices. 1998. V.45. № 8. P. 1854−1855.
- Wu H-C., Kuo J.B. A compact velocity- overshoot model for deep-submicron bipolar devices considering energy transport // IEEE Trans, on Electron Devices. 1998. V.45. № 2. P. 417- 422.
- Hafizi M. New submicron HBT 1С technology demonstrates ultra-fast, low-power integrated circuits // IEEE Trans, on Electron Devices. 1998. V.45. № 9. P. 1862−1868.
- Filder A. et al. 46 Gb/s DEMUX, 50Gb/s MUX, and 30 GHz static frequency divider. in. silicoikbi-pola? technology // IEEEJ. Solid-Stat&Circuits^i996.-Y.31.№ 4. P. 481−486.
- Rein H.-M and Moller M. Design consideration for very-high-speed Si-bipolar IC’s operating up to 50 Gb/s // IEEE J. Solid-State Circuits. 1996. V.31. № 8. P. 1076−1090.
- Washio K.,, Ohue E. Oda K. et al. 95 GHz fT self-aligned selective epitaxial SiGe HBT with SMI electrodes // IEEE ISSCC. 1998. P. 312−313.
- Masuda N., Ohhata K., Ohue E. Oda K. et al. 40 Gb/s analog 1С chipset for optical receiver using SiGe HBTs. IEEE ISSCC. 1998. P. 314−315.
- Suzuki H., et al. InP/InGaAs HBT ICs for 40-Gb/s optical transmission systems. // GaAs Symposium Tech. Digest., Oct. 1997. (см. 11.).
- Галушков А.И., Кривошеина Т. Г., Кудрявцев А. Н., Луканов Н.М., Романов
- И.М. Оптимизация распределений концентрации легирующих примесей в тонкослойных иfсверхтонкослойных транзисторных структурах // Микроэлектроника и информатика-97. Межвузовская4научно-техническая конференция, Ч.1.-М.: МГИЭТ, Зеленоград, март 1997. С. 27.
- УТВЕРЖДАЮ Заместитель директорарюлогическийДентр» МИЭТ1. Шелепин Н.А.2004г.w^-т—1. АКТ
- Об использовании результатов диссертационной работы Демидовой Юлии Брониславовны «Конструктивно-технологический базис для микросхем радиочастотного диапазонана основе самоформируемых структур»