Ионно-индуцированные процессы и методы исследования поверхностного слоя металлов и углеграфитовых материалов при высокодозном облучении

Актуальность темы

Взаимодействие плазмы, ионных, атомарных и молекулярных потоков с материалами является одним из актуальных направлений исследований современной фундаментальной и прикладной науки. В связи с развитием ионно-плазменных технологий решаются фундаментальные проблемы радиационных повреждений в материалах [1−10], физико-химические проблемы модификации свойств поверхности материалов и синтеза новых материалов [6,8,10−16]. Закономерности рассеяния, распыления и вторичных эмиссий при ионно-лучевом воздействии на материалы находят широкое применение для анализа поверхностного слоя материалов, включая in situ анализ и контроль ионно-лучевых и ионно-плазменных технологических процессов [17−24]. Потенциальные возможности ионно-лучевых аналитических методов определяются развитием физических основ процессов взаимодействия ионов с веществом, разработкой методик измерения, обработки и интерпретации получаемых данных. В этом широком направлении научных исследований выделяются проблемы фундаментального характера, решение которых стимулируется практическими приложениями.

Несмотря на большой арсенал средств и методов элементного анализа, количественный анализ таких важных элементов в материалах, как углерод, азот и кислород до сих пор представляет собой сложную задачу. Традиционный комплекс химических и физических методов элементного анализа предусматривает, как правило, наличие эталонных образцов, разрушение самих изделий в процессе исследования. Значительные потенциальные возможности неразрушающего анализа имеют ионно-лучевые методы при использовании условий повышенной чувствительности к С, N, О. Исследование и реализация таких условий анализа открывает новые возможности исследования поверхностных слоев материалов на основе карбидов, нитридов и оксидов, термодиффузионных процессов цементации, азотирования и окисления.

Имплантация ионов азота, наряду с традиционными методами диффузионного азотирования, является важным методом обработки металлов и сплавов. Актуальными для его развития являются исследования процессов накопления модифицирующей примеси, структурои фазообразования. В последние годы ведутся активные исследования новых материалов на основе бинарной системы С — N, в частности, исследования по синтезу кристаллического нитрида углерода 0 — Сз N4, который, как было предсказано теоретически, обладает механическими свойствами, сравнимыми с алмазом или даже превосходящими их [25−27]. В связи с этим актуальны вопросы исследования 6 закономерностей высокодозного облучения углеродных материалов ионами азота, в том числе, закономерностей распыления и ионно-электронной эмиссии, профилей распределения внедренного азота, структуры измененного поверхностного слоя. Эти же вопросы представляют научный и практический интерес в связи широким применением углеграфитовых материалов в ионно-плазменной технике (плазменные ускорители и движители, защитные экраны и диверторные пластины термоядерных устройств и т. п.), где первостепенными являются факторы эрозии материала, развитие рельефа поверхности, вторично-эмиссионные явления [28−31].

Экспериментальным исследованиям ионно-индуцированных процессов при высокодозном облучении металлов и углеграфитовых материалов и развитию ионно-пучковых методов исследования поверхностного слоя материалов посвящена данная диссертационная работа.

Цели и задачи исследований. Целью работы является выявление фундаментальных закономерностей высокодозного ионного облучения углеграфитовых материалов, металлов и сплавов, аналитических возможностей ионно-электронной эмиссии для in situ диагностики и мониторирования процессов ионного облучения, условий использования ионно-рассеивательной спектрометрии для элементного анализа с повышенной чувствительностью к углероду, азоту и кислороду, создание соответствующего аппаратурного и методического обеспечения и применение новых методик спектрометрии для исследований поверхностных слоев материалов на основе карбидов, нитридов и оксидов, образующихся в ионно-плазменных и термодиффузионных процессах азотирования и оксидирования. Были сформулированы следующие задачи исследований:

1. Создание комплекса методик, устройств и установок для экспериментального исследования ионно-индуцированных и термоактивируемых процессов, обуславливающих модификацию поверхностных слоев материалов.

2. Исследование структуры и свойств измененного поверхностного слоя материалов в результате воздействия ионного облучения, плазменных потоков и термодиффузионных процессов с использованием разработанных в процессе выполнения диссертационной работы методик и известных методов исследования материалов таких, как металлография, рентгенография, электронография, спектрометрия резерфордовского обратного рассеяния (POP), растровая электронная микроскопия (РЭМ), спектрометрия электронного парамагнитного резонанса (ЭПР).

3. Исследование поверхностного слоя материалов на основе карбидов, нитридов и оксидов металлов, образующихся в ионно-плазменных и термодиффузионных процессах азотирования и оксидирования (вакуумно-дуговое осаждение, магнетронное распыление, плазменно-электролитическое оксидирование и др.).

4. Исследование закономерностей высокодозной ионной имплантации в металлы и углеграфитовые материалы, прежде всего, в отношении накопления азота в металлах и углеграфитовых материалах, влияния имплантации азота на трибологические свойства сталей, а также при использовании технологических ионных имплантеров.

5. Исследование закономерностей распыления углеграфитовых материалов при высокодозном облучении ионами азота.

6. Исследование закономерностей ионно-электронной эмиссии твердых тел под воздействием атомарных и молекулярных ионов азота и ионов инертных газов с энергиями в десятки кэВ и возможностей применения этих закономерностей для анализа радиационных нарушений в твердом теле, in situ контроля и диагностики процесса облучения и состояния облучаемой поверхности.

Научная новизна работы. Наиболее существенные научные результаты, полученные в диссертации впервые, состоят в следующем:

Разработана методика измерений и экспериментально получены эффективные дифференциальные сечения обратного рассеяния протонов околобарьерных энергий (5 -7.8 МэВ) ядрами элементов N, О, Mg, Al, Si, Ti, V, Cr, Fe, Ni, Cu, Nb и Mo в мишенях с естественным содержанием изотопов. Измеренные сечения положены в основу базы данных метода спектрометрии ядерного обратного рассеяния (ЯОР) протонов для безэталонного неразрушающего элементного анализа материалов с повышенной чувствительностью к углероду, азоту и кислороду.

Предложено и реализовано использование метода спектрометрии ЯОР протонов околобарьерных энергий для исследования процессов плазменно-электролитического оксидирования, химико-термической и ионно-плазменной обработки металлов и твердых сплавов, для исследования износостойких покрытий на основе оксидов, нитридов и карбидов металлов. Впервые обнаружено формирование специфической морфологии керамикоподобного слоя с включениями неоксидированного алюминия при плазменно-электролитическом оксидировании алюминиевых сплавов, установлен аномальный характер кинетики начальной стадии термодиффузионного азотирования в аммиаке переходных металлов — Бе, Мо и ?.

Экспериментально и с использованием результатов компьютерного моделирования получены количественные характеристики распыления поликристаллических графитов различных марок при высокодозном облучении молекулярными ионами азота энергии порядка десятков кэВ для широкого (0 — 80°) интервала углов падения ионов. Показано, что расхождения эксперимента и рассчитанных для гладкой поверхности графита значений коэффициента физического (столкновительного) распыления устраняются путем учета микротопографии ионно-индуцированного рельефа в виде распределений локальных углов падения ионов, получаемых с помощью метода гониофотометрии отраженного света.

Впервые обнаружено, что радиационное разупорядочение структуры углеграфитовых материалов приводит к скачкообразной температурной зависимости ионно-электронной эмиссии, отражающей ионно-индуцированные структурные переходы в облучаемом материале. Экспериментально показано и теоретически обосновано, что при разупорядочении структуры твердого тела уменьшается длина свободного пробега вторичных электронов, что приводит к скачкообразному уменьшению коэффициента кинетической ионно-электронной эмиссии.

Обнаружена сверхтонкая структура в спектрах ЭПР модифицированного слоя графитов, свидетельствующая об образовании при высокодозном облучении графитов ионами азота химических связей между углеродом и азотом. Установлено, что при температурах, близких к комнатной, в облученном слое поликристаллических графитов (МПГ-8, РОСО-АХР-5С2) парамагнитные дефекты являются аналогичными дефектам К-типа в Б^з^ и свидетельствуют об образовании включений нитрида углерода Сз^.

Основная часть результатов получена в работе в результате экспериментальных исследований взаимодействия ионных пучков с поверхностью твердого тела. Ионно-пучковые методы модификации и анализа материалов применены в диссертации для решения ряда новых задач и показали высокую эффективность. Суть научного направления диссертационной работы состоит в развитии экспериментальных ионно-пучковых методов для исследования ионно-индуцированных и термоактивируемых процессов, обуславливающих модификацию поверхностных слоев металлов и углеграфитовых материалов.

Практическая ценность работы. Апробированный в ходе решения ряда научных и практических задач метод спектрометрии ЯОР протонов является эффективным методом анализа структуры и состава поверхностного слоя материалов, особенно в случаях, когда требуется повышенная чувствительность к таким важным структурообразующим элементам, как углерод, азот и кислород (химико-термическая обработка металлов и сплавов, анодирование и микродуговое оксидирование вентильных металлов и сплавов, разработка и контроль процессов нанесения покрытий на основе карбидов, нитридов и оксидов, исследование процессов коррозии). Установленные закономерности процессов термодиффузионного азотирования и ионной имплантации важны при разработке новых технологических процессов модификации поверхности металлов и сплавов. Выявленные закономерности распыления углеграфитовых материалов и ионно-электронной эмиссии при ионной бомбардировке важны для решения проблем радиационной стойкости материалов в условиях высокодозного облучения и переменных температур, их необходимо учитывать при создании углерод-азотных поверхностных слоев и тонких пленок. Предложенный метод определения флюенса полиэнергетической ионной имплантации с использованием ионно-электронной эмиссии может найти применение в бессепарационных технологических имплантерах. Оригинальность и новизна работы подтверждена авторскими свидетельствами и патентами [32−34].

Достоверность основных положений и выводов обеспечивается использованием современной аппаратуры, надежных и независимых методов исследования, использованием хорошо тестированных компьютерных программ моделирования взаимодействия атомных частиц с твердым телом, сравнением и согласием экспериментальных результатов с литературными данными, полученными при сопоставимых условиях.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Методики, устройства и установки для экспериментального исследования ионно-индуцированных и термически активируемых процессов, обуславливающих модификацию поверхностных слов материалов, включая спектрометрический комплекс на циклотроне НИИЯФ МГУ, модернизированную приемную камеру масс-монохроматора НИИЯФ МГУ, ионно-лучевую установку МИМ-50 и стенд гониофотометрии отраженного лазерного излучения в МАТИ.

2. Методика и результаты измерений эффективных дифференциальных сечений обратного рассеяния протонов околобарьерных энергий (5 — 7.8 МэВ) ядрами элементов N. О, М§-, А1, 14, V, Сг, Ре, Си, N1), Мо в мишенях с естественным содержанием изотопов.

3. Количественные данные по влиянию технологических параметров модификации и синтеза материалов на состав и структуру поверхностных слоев металлов, твердых сплавов, углерод-азотных материалов и износостойких покрытий на основе нитридов и карбидов металлов, полученные с использованием метода спектрометрии ЯОР протонов. Вывод о том, что при термодиффузионном азотировании в аммиаке кинетика начальной стадии азотирования переходных металлов Бе, Мо и является аномальнойвывод о том, что при азотирования титана имеет место цикличность формирования еи 8-нитридных слоеввывод о том, что при плазменно-электролитическом оксидировании алюминиевых сплавов может формироваться специфическая морфология керамикоподобного слоя с включениями неоксидированного алюминия.

4. Результаты исследования профилей концентрации и дозы имплантированного азота в зависимости от флюенса облучения ионами и N2* энергии 15 — 35 кэВ нитридообразующих металлов (Мо, Мэ, Та, У) и углеграфитовых материаловпрофилей имплантированных примесей при бессепарационной имплантации ионами металлов. Выводы о том, что при имплантации в металлы азота при температуре Т < 0.4 Тпл стационарное состояние соответствует образованию в поверхностном модифицированном слое стехиометрических нитридов МеИчто в углеграфитовых материалах средняя концентрация азота (< 25 ат.%) существенно меньше концентрации в гипотетическом нитриде углерода Сз^- вывод о том, что аналитическая модель высокодозной имплантации, учитывающая распыление, может служить основой для прогнозирования концентрационных профилей при полиэнергетической имплантации ионов металлов в материалы.

5. Результаты исследования воздействия ионной имплантации на износостойкость хромистой сталивывод о том, что оксидный слой, образующийся при трибологическом воздействии, может препятствовать аутдиффузии имплантированного азота из материала, в результате чего повышенная износостойкость сохраняется на глубинах существенно превышающих глубину имплантированного слоя.

6. Результаты измерений коэффициента распыления и исследований ионно-индуцированной микротопографии поверхности при высокодозном облучении молекулярными ионами азота энергии 30 кэВ поликристаллических графитов различных марок в широком интервале углов падения ионов на мишень. Вывод о том, что учет микротопографии ионно-индуцированного рельефа в виде распределений локальных углов падения ионов, измеренных с помощью метода гониофотометрии отраженного света, устраняет расхождения эксперимента и рассчитанных при помощи компьютерного моделирования для гладкой поверхности графита значений коэффициента столкновительного распыления.

7. Результаты исследования ионно-индуцированных изменений кристаллической структуры и микротопографии поверхности углеграфитовых материалов при высокодозном ионном облучении в зависимости от температуры, при которой производится облучение. Выводы о том, что высокодозное облучение как ионами N2+, так и Аг+ с энергиями в десятки кэВ при температурах, близких к комнатной, приводит к значительному разупорядочению кристаллической структуры материалов, при повышенных температурах облучения (> 250°С) структура высокоориентированного пирографита и поликристаллических графитов является близкой к структуре необлученных материалов, в стеклоуглероде возрастает степень упорядоченности.

8. Результаты исследования структуры точечных (электронных) парамагнитных дефектов в углерод-азотных слоях, образующихся при высокодозном облучении углеграфитовых материалов молекулярными ионами азота с энергиями в десятки кэВ. Вывод о том, что метод ЭПР при анализе парамагнитных дефектов комплексов С — N позволяет идентифицировать химические связи углерод-азотвывод о том, что при температурах, близких к комнатной, в облученном слое графитов марок МПГ-8 и РОСО-AXF-5Q парамагнитные дефекты являются аналогичными дефектам К-типа в Si3N4 и свидетельствуют об образовании включений нитрида углерода C3N4.

9. Закономерности кинетической ионно-электронной эмиссии (ИЭЭ) под воздействием атомарных и молекулярных ионов азота и ионов инертных газов, возможности применения этих закономерностей для анализа радиационных нарушений в твердом теле, in situ контроля и диагностики ионного облучения и состояния облучаемой поверхности. Экспериментальные и теоретические оценки молекулярного эффекта ИЭЭ для ионов N2+. Вывод о том, что при разупорядочении структуры твердого тела, вызываемом ионной бомбардировкой, может уменьшаться длина свободного пробега вторичных электронов, что приводит к скачкообразному уменьшению коэффициента ИЭЭ.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на российских и международных научных конференциях, совещаниях и семинарах: XIV, XV, XX, XXIII, XXV — XXXIV Международных конференциях по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1984, 1985, 1990, 1993, 1995;2004), IX-XVI Международных конференциях «Взаимодействие ионов с поверхностью» (Москва, 1989, 1991, 1993, 1995, 1997, 1999, 2001, 2003), X Всесоюзной конференции «Динамика разреженных газов» (Москва, 1989), XIII Всесоюзном симпозиуме по сильноточной электронике (Свердловск, 1990), Всесоюзном совещании-семинаре «Диагностика поверхности ионными пучками» (Одесса, 1990), Российских научно-технических конференциях «Новые материалы и технологии» (Москва, 1993, 1995, 1997, 2000, 2002), International Conference on Modification of Properties of Surface Layers of Non-Semiconducting Materials Using Particle Beams (Ukraine, Sumy, 1993, 1996), 4 — 5 European Conference on Accelerators in Applied Research and Technology (Germany, Zurich, 1995; Netherlands, Eindhoven, 1997), XV Intermational Conference on Cyclotrons and their Aplications (France, Caen, 1998), 6 European Particle Accelerator Conference (Sweden, Stockholm, 1998), 11,14 International Conference on Ion Beam Analysis (Hungary, Balatonfured, 1993; Germany, Dresden, 1999), 1 International Congress on Radiation Physics, High Current Electronics, and Modification of Materials (Tomsk, 2000), IX International Workshop on «Ion Beam Surface Diagnostics» (Ukraine, Zaporizhzhya, 2000), V-VI Всероссийском семинаре «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Н. Новгород, 2000, 2002), 7 Russian-Japanese Internal Symposium «On interaction of fast charged particles with solids» (H. Новгород, 2000), 19 — 21 International Conferences on Atomic Collisions in Solids (ICACS-19 — France, Paris, 2001; ICACS-20 -India Toshali Sands, Puri, 2003; ICACS-21 — Italy, Genova, 2004). Ill Республиканской конференции по физической электронике (Ташкент, 2002), 1 и 2 Всероссийской научно-технической конференции «Быстрозакаленные материалы и покрытия» (Москва, 2002, 2003), 6 Всероссийском семинаре «Проблемы теоретической и прикладной электронной и ионной оптики» (Москва, 2003), XXI — XXX Гагаринских чтениях (Москва, МАТИ, 19 952 004), межотраслевом семинаре по взаимодействию плазмы с поверхностью (Москва, МИФИ, 2001, 2002, 2004), научных семинарах НИИЯФ МГУ.

По материалам диссертации опубликовано 65 работ [32−96].

Работа выполнялась по планам госбюджетных НИР МАТИ (1985;2004), а также в рамках соглашения о научном сотрудничестве между МАТИ и НИИЯФ МГУ (1995;2004), в рамках грантов министерства образования РФ: «Разработка научных основ модификации поверхности прецизионных деталей приборов концентрированными потоками высоких энергий» (1996;1997), «Разработка эффективного ядерно-физического метода исследования новых материалов и процессов материалообработки» (1997;1998) — гранта Москвы «Разработка научных основ количественного элементного анализа с использованием ядерного обратного рассеяния» (2000г.), гранта РФФИ 00−03−32 404 «Структура и свойства бинарных С-И систем в ионно-плазменных процессах» (20 002 002). Результаты работы вошли в курсы лекций, читаемых автором студентам, бакалаврам и магистрам МАТИ, студентам физического факультета МГУ.

Личный вклад автора. Представленные в диссертации результаты получены автором либо при его непосредственном участии на всех этапах исследований в составе исследовательских групп в НИИЯФ МГУ и МАТИ, либо им лично. Автору диссертации принадлежат постановка большинства задач, решение которых составляют положения, выносимые на защиту, методические и технические решения по модернизации масс-монохроматора НИИЯФ МГУ и спектрометрического комплекса на циклотроне НИИЯФ МГУ. Определяющим является его вклад в создание установки ионно-лучевой установки МИМ-50 в МАТИ, разработку стенда и методики гониофотометрии отраженного лазерного излучения для исследования ионно-индуцированного рельефа поверхности, разработку компьютерной программы ИВБ для анализа данных спектрометрии обратного рассеяния. Автору принадлежат также предложения по практическому использованию ионно-электронной эмиссии, количественные оценки влияния длины свободного пробега вторичных электронов на угловые зависимости ионно-электронной эмиссии. На основе этих разработок под руководством автора или с его участием проведены многочисленные эксперименты и теоретические расчеты по исследованию поверхностного слоя материалов методом спектрометрии ЯОР, ионно-индуцированных процессов при высокодозном ионном облучении металлов и углеграфитовых материалов, анализ и обобщение полученных данных.

Структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, 7 глав, заключения, списка литературы и приложений. В первой главе дается описание экспериментального оборудования,.

1. Томпсон M. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. М.: Мир, 1971.367 с.

2. Townsend P.D., Kelly J.C., Hartley N.E.W. Ion Implantation, Sputtering and their Application. London, New York, San Francisko: Academic Press, 1976. — 333 p.

3. Лейман К. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов. М.: Атомиздат, 1979. — 296 с.

4. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой: Физ. распыление одноэлементных твердых тел / Под ред. Р. Бериша. М.: Мир, 1984. — 336 с.

5. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Вып.2. Распыление сплавов и соединений, распыление под действием электронов и нейтронов, рельеф поверхности / Под ред. Р. Бериша. М.: Мир, 1986. — 488 с.

6. Комаров Ф. Ф. Ионная имплантация в металлы. М.: Металлургия, 1990. — 216 с.

7. Ehrhart Р., Schilling W., Ullmaier H. Radiation Damage in Crystals // Encyclopedia of Applied Physics 1996. — v. 15. — p. 429−457.

8. Распыление под действием бомбардировки частицами. Вып.З. Характеристики распыленных частиц, применения в технике / Под ред. Р. Бериша и К. Виттмака. -М.: Мир, 1998. 551 с.

9. Плешивцев Н. В., Бажин А. И. Физика воздействия ионных пучков на материалы. -М.: Вузовская книга, 1998. 392 с.

10. Челядинский А. Р., Комаров Ф. Ф. Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии // УФН 2003. — т. 173, № 8. — с. 813 — 846.

11. Аброян И. А., Андронов А. Н., Титов А. И. Физические основы электронной и ионной технологии. М.: Высшая школа, 1984. — 320 с.

12. Ионная имплантация / Под ред. Хирвонена Дж.К. М: Металлургия, 1985. — 392 с.

13. Ивановский Г. Ф., Петров В. И. Ионно-плазменная обработка материалов. М.: Радио и связь, 1986. — 232 с.

14. Диденко А. Н., Лигачёв А. Е., Куракин И. Б. Воздействие пучков заряженных частиц на поверхность металлов и сплавов. М: Энергоатомиздат, 1987. — 184 с.

15. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел: Сб. статей 1986 -1987гг. / Сост. Е. С. Машкова. -М.: Мир, 1989. 349с.

16. Быковский Ю. А., Неволин В. Н., Фоминский В. Ю. Ионная и лазерная имплантация металлических материалов. М.: Энергоатомиздат, 1991. — 240 с.

17. Петров Н. Н., Аброян И. А. Диагностика поверхности с помощью ионных пучков. -Л.: Изд-во ЛГУ, 1971. 160 с.

18. Mashkova E.S., Molchanov V.A. Medium-Energy Ion Reflection from Solids North-Holland, Amsterdam, 1985. — 444 p.

19. Курнаев В. А., Машкова E.C., Молчанов В. А. Отражение лёгких ионов от поверхности твёрдого тела. М.: Энергоатомиздат, 1985. 192 с.

20. Рязанов М. И., Тилинин И. С. Исследование поверхности по обратному рассеянию частиц М.: Энергоатомиздат, 1985. — 152 с.

21. Фелдман Л. Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. М.: Мир, 1989. -344с.

22. Бурдель К. К., Чеченин Н. Г. Спектрометрия обратного рассеяния при исследовании поверхности твердых тел // Итоги науки и техники. Сер. Пучки заряженных частиц и твердое тело. М.: ВИНИТИ, 1990. — т.1. — с.35−93.

23. Брусиловский Б. А. Кинетическая ионно-электронная эмиссия. М.: Энергоатомиздат, 1990. — 184 с.

24. Машкова Е. С., Молчанов В. А. Применение рассеяния ионов для анализа поверхностей твердых тел. М.: Энергоатомиздат. 1995. — 176 с.

25. Liu A.Y., Cohen M.L. Structural properties and electronic structure of low-compressibility materials: p-Si3N4 and hypothetical P-C3N4 // Phys.Rev. 1990. — v. B41. -p. 10 727−10 734.

26. Корсунский Б. Л., Пепекин В. И. На пути к нитриду углерода // Успехи химии, 1997. -т. 66.-с. 1003−1014.

27. Muhl S., Mendes J.M. A review of the preparation of carbon nitride films // Diamond and Related Materials. 1999. — v. 8. — p. 1808−1830.

28. Гусева М. И., Мартыненко Ю. В. Взаимодействие частиц плазмы с поверхностью // Итоги науки и техники. Сер. Физика плазмы. Т. 11. М.: ВИНИТИ, 1989. — с. 150 190.

29. Виргильев Ю. С. Конструкционные углеродные материалы для установок термоядерного синтеза//Неорганические материалы. 1994. т.30. — с. 903−616.

30. Burchell T.D. Radiation Effects in Graphite and Carbon-Based Materials // MRS Bulletin 1997.-v. 22 (4)-p. 29.

31. Federichi G., Skinner C.H., Brooks J.N. et al. Plasma-Material Iinteractions in Current Tokamaks and their Implications for Next-Step Fusion Reactors // IPP Report — 2001.9/128.

32. A.c. № 1 816 963. Способ определения шероховатости поверхности / Борисов А. М., Крит Б. Л., Лузин В. П., Паволоцкий А. Б., Цвелев A.B. Заявл. 12.04.1991, № 4 943 726.

33. А. М. Борисов, И. Ю. Краснов, Б. Л. Крит, В. П. Лузин, А. Б. Паволоцкий. Способ очистки и активации порошков. Решение на выдачу а.с. 10.02.1992 по заявке № 4 926 959/02 от 14.04.91.

34. Патент № 2 112 086 РФ по МКИ С 25 D 11/00. Способ нанесения электролитического покрытия на поверхности металлов и сплавов и электролитическое покрытие / Борисов A.M., Крит Б. Л., Людин В. Б. Суминов И.В., Эпельфельд A.B. // Б.И. 1998. — № 15.

35. Borisov A.M., Ermakov S.V., Nguyen Mac Ha, Romanovsky E.A., Saidov B.M. Allowance for multiple scattering in proton energy spectra // Radiation Effects 1984. -v.83. — p. 305−309.

36. Борисов A.M., Семенов Б. Н. Управляемый стабилизатор тока для электромагнита ФЛ-1 // ПТЭ 1989. — № 1. — с. 159−160.

37. Борисов A.M., Лузин В. П., Смагин М. Н. Дозовая зависимость ионно-электронной эмиссии металлов // В кн.: Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. Матер. 9-ой Всесоюзн. конф. М., 1989, т.1, ч.П. — с.304−305.

38. Борисов А. М., Семенов Б. Н. Стабилизация ускоряющего напряжения ионного источника // Сб. Инженерно-физические проблемы термоядерной энергетики. М: Моск. энерг. ин-т., 1989. — № 216. — с.52−55.

39. Борисов A.M., Лузин В. П., Смагин М. Н. Ионно-электронная эмиссия металлов при сопоставимых потоках на поверхность разреженного газа и быстрых ионов // Труды X Всесоюзн. конф. по динамике разреженных газов. М.: МЭИ, 1991. — т.З. — с.75−80.

40. Борисов A.M., Горяга Н. Г., Романовский Е. А., Смагин М. Н., Данг Лам. Измерение предельной дозы имплантации азота в металлы методом ядерного обратного рассеяния протонов//Изв. РАН. Сер. физич. 1992. — т.56, № 6. — с. 194−197.

41. Борисов A.M., Крит Б. Л. Паволоцкий А.Б. Трибологическое поведение хромистой стали, имплантированной азотом // Изв. АН. Сер. физич. 1994. — т.58. № 3. — с. 184 186.

42. Романовский Е. А., Беспалова О. В., Борисов А. М., Горяга Н. Г., Затекин В. В., Куликаускас B.C., Сухарев В. Г. Изучение высокодозной имплантации азота в графит // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.- 1997. -№ 8,-с. 93−97.

43. Романовский Е. А., Беспалова О. В., Борисов A.M., Горяга Н. Г. Протонные пучки исследуют поверхности материалов // Наука в России. 1997. — № 3. — с. 4−12.

44. Romanovsky Е. А, Bespalova O.V., Borisov А. М, Goryga N. G, Kulikauskas V. S, Sukharev V.G., Zatekin V.V. On carbon nitride synthesis at high-dose ion implantation // Nucl. Instrum. and Meth in Phys. Res. В 1998. — v. 139. — p. 355−358.

45. Борисов A.M., Беспалова О. В., Романовский Е. А., Сухарев В. Г. Исследование поверхности материалов методом спектрометрии ядерного обратного рассеяния протонов // Научные труды МАТИ им. К. Э. Циолковского. М.: «ЛАТМЭС», 1998. -Вып.1 (73). -с.71−76.

46. Борисов A.M., Крит Б. Л., Паволоцкий А. Б. Тихонов С.А. Ионная имплантация как метод комплексного повышения характеристик мединструмента // Научные труды МАТИ им. К. Э. Циолковского. М.: «ЛАТМЭС», 1998. — Вып. 1(73). — с.169−174.

47. Романовский Е. А., Беспалова О. В., Борисов A.M., Горяга Н. Г., Коршунов А. Б., Сухарев В. Г. ЯОР спектрометрия твердых сплавов // Физика и химия обработки материалов. 1998. — № 6. — с.20−23.

48. Борисов A.M. Исследование покрытий и поверхностных слоев материалов методом спектрометрии обратного рассеяния протонов //В кн.: Взаимодействие ионов с поверхностью. Матер. 14-ой Межд. конф. М., 1999. -т.2. — с. 212−213.

49. Суминов И. В., Эпельфельд А. В., Борисов А. М., Романовский Е. А., Беспалова О. В. Микродуговое оксидирование защищает металл // Наука в России. 1999. — № 4. — с. 21−25.

50. Борисов A.M., Крит Б. Л., Тихонов С. А., Суминов И. В., Сухарев В. Г., Куликаускас B.C. Особенности импульсной полиэнергетической ионной имплантации // Изв. АН. Сер. Физич. 2000. — т.64, № 4. — с. 763−766.

51. Borisov A.M. The modified surface layers analysis with the proton backscattering spectrometry // The Proceedings of the IX International Workshop on «Ion Beam Surface Diagnostics». Zaporizhzhya: Dikoe Pole, 2000. — p. 32−33.

52. Борисов A.M., Железное B.B., Куликаускас B.C., Машкова E.C., В.Экштайн. Распыление графита ионами азота энергии 15−30 кэВ // Поверхность. Ренгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2001. — № 5. — с. 58−61.

53. Борисов A.M., Куликаускас B.C., Машкова Е. С., Сафронов А. В. Ионно-электронная эмиссия при высокодозном облучении графита молекулярными ионами азота // Поверхность. Ренгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2001. -№ 8. — с. 59−63.

54. Богомолова Л. Д., Борисов A.M., Красильникова Н. А., Куликаускас B.C., Машкова Е. С., Экштайн В. Исследование измененного поверхностного слоя при высокодозном облучении графита ионами азота // Изв. АН, сер. физич. 2002. — т. 66, № 3. — с. 551−557.

55. Borisov A.M., Mashkova E.S., ParilisE.S. The sweeping-out-electrons effect in electron emission under molecular ion bombardment // Vacuum 2002. — v.66/8. — p. 145−149.

56. Borisov A.M., Eckstein W., Mashkova E.S. Sputtering and ion induced electron emission of graphite under high dose nitrogen bombardment // J. of Nucl. Materials 2002. — v. 304/1. — p. 15−20.

57. Борисов A.M., Машкова E.C., Экштайн В. Закономерности распыления и электронной эмиссии графитов при высокодозном облучении ионами азота // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Термоядерный синтез. 2002. — Вып. 1−2. -с.122−135.

58. Bogomolova L.D., Borisov A.M., Krasil’nikova N.A., Mashkova E.S., Nemov A.S., Tarasova V.V. Study of near surface layer of grafite produced by nitrogen ion bombardment at high doses // Rad. EfF. and Defect in Solids. 2002. — v. 157. — p.493−508.

59. Борисов A.M., Машкова Е. С., Парилис Э. С. Ориентационная зависимость молекулярного эффекта в электронной эмиссии. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2003. — № 4. — с. 12−15.

60. Борисов A.M., Виргильев Ю. С., Машкова Е. С., Немов A.C., Питиримова Е. А., Хохлов А. Ф. Ионно-индуцированные структурные изменения в стеклоуглероде. Вопросы атомной науки и техники. // Сер. Термоядерный синтез. 2003. — Вып. 1. — с. 8−14.

61. Bogomolova L.D., Borisov A.M., Kurnaev V.A., Mashkova E.S. Modification of graphite surface layers by nitrogen ion irradiation. Nucl.Instrum.Methods in Phys.Res. В 2003. -v. 212. -p.164−168.

62. Борисов A.M. Ионно-индуцированные структурные изменения в углеграфитовых материалах // Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2003). Материалы 16 Межд. конф. 25−29 августа 2003 г. М.: 2003. — т.2. — с.29−32.

63. Борисов A.M., Бородулина Н. В., Крит Б. Л., Тихонов С. А. Особенности ионной имплантации с использованием вакуумно-дугового ионного источника // Прикладная физика 2004. — № 1. — с. 89−93.

64. Borisov A.M., Mashkova E.S., Nemov A.S. Angular and temperature dependences of ion-induced electron emission of polycrystalline graphite // Vacuum 2004. — v.73/1. — p.65−72.

65. Машкова Е. С., Молчанов В. А. Рассеяние ионов средних энергий поверхностями твердых тел. М.: Атомиздат, 1980. — 255 с.

66. Борисов A.M. Влияние кристаллической структуры твердого тела на угловые и энергетические распределения быстрых ионизованных атомов отдачи: Дисс.канд. физ.-мат. наук. М., НИИЯФ МГУ, 1980. — 152 с.

67. Баранов С. А., Малов А. Ф. Шлягин К.Н. Бета-спектрометр с двойной фокусировкой // ПТЭ 1956. — № 1. — с. 3−12.

68. Антипин В. А., Ергин Ю. В. Регулируемый стабилизатор тока для электромагнита ФЛ-1// ПТЭ 1974. -№ 6. — с. 206−207.

69. Источники электропитания на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет / Под ред. С. Д. Додика и Е. И. Гальперина. М.: Сов. радио, 1969. — 447с.

70. Микропроцессоры / Под ред. Преснухина Л. Н. Т.2 Средства сопряжения и информационно-управляющие системы. М.: Высш. шк., 1986. — 383с.

71. Габович М. Д. Физика и техника плазменных источников ионов. М.: Атомиздат, 1972.-304 с.

72. Габович М. Д., Плешивцев Н. В., Семашко H.H. Пучки ионов и атомов для управляемого термоядерного синтеза и технологических целей. М: Энергоатомиздат, 1986. — 249 с.

73. Симонов В. В., Корнилов JI.A., Шашелев А. В., Шокин Е. В. Оборудование ионной имплантации. М: Радио и связь, 1988. — 184 с.

74. Физика и технология источников ионов / Под ред. Я Брауна. Пер. с анг. М.: Мир. 1998.-496 с.

75. Christiansen L.J., Zaharis E.J. High current duoplasmotron on ion sourse with ferrite permanent magnets // Rev. Sci. Instrum. 1966. — v.37. — p.1571−1575.

76. Борисов A.M. Куракин И. Б. Лигачев A.E. Возможности получения пучка газометаллических ионов дуоплазматроном А-типа // Тезисы докл. XIII Всесоюзн. симп. по сильноточной электронике. Свердловск. Ин-т электрфизики, 1990. — ч.1. -с. 109.

77. Сенченков А. П. Техника физического эксперимента. М.: Энергоиздат, 1983. -238с.

78. Balashova L.L., Borisov A.M., Garin Sh.N., Molchanov V.A., Snisar V.A., Fleurov V.B. Relationships between the angular dependences of sputtering yield and photon emission of sputtered atoms. // Radiation Effects. 1985. — v.84 — p.239−243.

79. Борисов A.M. Машкова E.C. Молчанов В. А. Пространственные распределения распыленного вещества при скользящем падении ионов на монокристаллы. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1986. — № 2. — с. 114 — 115.

80. Borisov A.M. Temperature effects in photon emission from sputtered atoms // Radiation Effects. 1986. — v. 97 — p. 85−90.

81. Рябчиков А. И., Дегтярёв C.B., Степанов И. Б. Источники «Радуга» и методы импульсно-периодической ионно-лучевой и ионно-плазменной обработки материалов // Известия высших учебных заведений. Серия «Физика». 1998. — № 4. -с. 193−207.

82. Барченко В. Т., Быстрое Ю. А., Колгин Е. А. Ионно-плазменные технологии в электронном производстве / Под ред. Ю. А. Быстрова. СПб.: Энергоатомиздат. Санкт-Петербургское отд-ние, 2001 — 332с.

83. Ligachov А.Е., Kourakin I.B., Stroganov A.G., Novichkov S.B. High current pulsed metal ion implanter 120 (HPMI-120) // Proc. of Int. Conf. on Ion Sources. July 10−14, 1989, California, Berkley, 1989. p. 151.

84. Новичков С. Б., Строганов А. Г. Повышение предельного ионного тока в вакуумно-дуговых ионных источниках // Линейные ускорители электронов сантиметрового диапазона длин волн. Сб. науч. трудов М.: МИФИ, 1991. — с. 55−58.

85. Никитин М. М. Технология и оборудование вакуумного напыления. М.: «Металлургия», 1992. — 111 с.

86. Кудинов В. В., Бобров Г. В. Нанесение покрытий напылением. Теория, технология и оборудование. М.: Металлургия, 1992. — 432с.

87. Суминов И. В., Эпельфельд А. В., Людин В. Б., Борисов A.M., Крит Б. Л. Микродуговое оксидирование (обзор) // Приборы. 2001. — № 9 (15). — с.13−23.

88. Суминов И. В., Эпельфельд А. В., Людин В. Б., Борисов A.M., Крит Б. Л. Микродуговое оксидирование (окончание) // Приборы. -2001. -№ 10(16). с. 26−36.

89. Минкевич А. Н. Химико-термическая обработка металлов и сплавов. М.: Машиностроение. 1965. -491с.

90. Лахтин Ю. М., Леонтьева В. П. Материаловедение. М.: Машиностроение. 1990. -528с.

91. Черепин В. Т., Васильев М. А. Методы и приборы для анализа поверхности материалов. Справочник. Киев: Наукова думка, 1982. — 399 с.

92. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. М.: Мир, 1989.-568 с.

93. Rauhala Е. Proton backscattering and computer data analisis in the non-Rutherford energy region // Nucl. Instr. Meth. В 1989. — v. 40−41. — p. 790−796.

94. Gurbich A.F. Evaluation of non-Rutherford proton elastic scattering cross section for oxygen //Nucl.Instr.Meth. В 1997. — v. 129. — p. 311−316.

95. Gurbich A.F. Evaluation of non-Rutherford proton elastic scattering cross section for carbon // Nucl. Instr. Meth. В 1998. — v. 136−138. — p. 60−65.

96. Чернов И. П., Шадрин В. Н. Анализ содержания водорода и гелия методом ядер отдачи. -М.: Энергоатомиздат, 1988. 128с.

97. Doolittle L.R. Algorithms for the Rapid Simulation of Rutherford Backscattering Spectra//Nucl. Instr. Meth. В 1985. — v. 9. — p. 344−351.

98. Кристаллография, ренгенография и электронная микроскопия. Уманский Я. С., Скаков Ю. А., Иванов А. Н., Расторгуев JI.H. М.: «Металлургия». 1982. — 632 с.

99. Клечковская В. В., Ракова Е. В., Тихонова А. А., Толстихина A.JI. Электронография как метод исследования поверхностных слоев и тонких пленок // Итоги науки и техники. Сер. Пучки заряженных частиц и твердое тело. Т. 3. М.: ВИНИТИ, 1990.-с. 98−155.

100. Биннинг Г., Рорер Г. Сканирующая туннельная микроскопия от рождения к юности. Нобелевские лекции по физике // УФН. — 1988. — т. 154. — вып.2. — с.261 -278.

101. Лукьянов А. Е. Растровая электронная микроскопия // Итоги науки и техники. Сер. Пучки заряженных частиц и твердое тело. Т. 3. М.: ВИНИТИ, 1990. — с. 56 -97.

102. Фиалков А. С. Углерод, межслоевые соединения и композиты на его основе. М.: Аспект Пресс, 1997. 718с.

103. Топорец А. С. Оптика шероховатой поверхности. Л.: Машиностроение, 1988. -191с.

104. Хусу А. П., Витенберг Ю. Р., Пальмов В. А. Шероховатость поверхностей, теоретико-вероятностный подход. М.: Наука, 1975. -344 с.

105. Бугер П. Оптический трактат о градации света / Пер. с франц. Н. А. Толстого и П. П. Феофилова. М.: Изд-во АН СССР. 1950. — 485с.

106. Кошеляев. Е. М., Бородулин В. П., Замбржицкий А. П., Пузанов А. А. Диффузное отражение света от шероховатых поверхностей // Вестник Московского Университета. Серия физика и астрономия. 1977. — т. 18, № 5. — с. 25−34.

107. Vorburger T.V., Teague Е.С., Scire F.E., McLay M. J., Gilsinn D.E. Surface Roughthness Studies with DALLAS-Detector Array for Laser Light Angular Scattring // J. of Research of the National Bureau of Standards 1984. — v.89, № 1. — p. 3−16.

108. Church E. L., Jenkinson H. A., Zavada J. M. Measurement of the Finish of Diamond-Turned Metal Surfaces By Differential Light Scattering // Optical Engineering. 1977. — v. 16, № 4. -p. 360−374.

109. Elson J.M. and Bennet J.M. Relation between the angular dependence of scattering and the statistical properties of optical surfaces // J. Opt. Am. 1979. — vol.69. № 1 — p.31−47.

110. Цеснек Л. С. Металлические зеркала. М.: Машиностроение, 1983. — 231с.

111. Борисов А. М., Вяткин П. Г., Киселев В. А., Куракин И. Б., Смагин М. Н. Зависимость интегральных параметров рельефа поверхности от дозы ионного облучения // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1990 — т. 54, № 7. — с. 1293−1297.

112. Булычев С. И., Алехин В. П. Испытание материалов непрерывным вдавливанием индентораМ. Машиностроение, 1990. 224 с.

113. Хрущов М. М., Бабичев М. А. Абразивное изнашивание. М.: Наука, 1970. — 252с.

114. Бирзак Й. П. Машинное моделирование распыления // В кн.: Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел: Сб. статей 1986 1987гг./ Сост. Е. С. Машкова. — М.: Мир, 1989. — 349 с.

115. Lindhard J., Nielsen V., Scharff М. Approximation method in classical scattering by screened Coulomb field // Dan. Vid. Selsk. Mat. Fys. Medd. 1968. — v. 36. — № 10. -p.l -32.

116. Экштайн В. Компьютерное моделирование взаимодействия ионов с твердым телом. М: Мир, 1995. — 319 с.

117. Wilson W. D., Haggmark L. G., Biersack J. P. Calculations of nuclear stopping, ranges, and straggling in the low-energy region // Phys. Rev. В 1977. — v. 15. -p. 24 582 468.

118. Oen O. S., Robinson M. T. Computer studies of the reflection of light ions from solids // Nucl. Instr. and Meth. 1976. — v. 132. — p. 647−653.

119. Буренков А. Ф., Комаров Ф. Ф., Кумахов M.A., Темкин М. М. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах. М.: Энергоатомиздат. 1985. — 248 с.

120. Арифов У. А. Взаимодействие атомных частиц с поверхностью твердого тела. -М.: Наука, 1968.-370 с.

121. Parilis E.S., Kishinevsky L.M., Turaev N.Yu., Baklitzky B.E., Umarov F.F., Verleger V.Kh., Nizhnaya S.L., Bitensky I.S. Atomic Collisions on Solid Surfaces. Elsevier, North-Holland, 1993. — Chap. l 1. — 663 p.

122. Пранявичюс Л., Дудонис Ю. Модификация свойств твёрдых тел ионными пучками. Вильнюс: Мокслас, 1980. — 242 с.

123. Энциклопедическая серия. Энциклопедия низкотемпературной плазмы. Вводный том. Книга 3. / Под ред. академика В. Е. Фортова. М.: «Наука / Интерпериодика», 2000. — 574 с.

124. Ларина О. Д., Тимошенко P.P. Количественный анализ оксидных и нитридных включений в сталях и сплавах. М.: Металлургия, 1978. — 256 с.

125. Истомин И. В., Теплов Е. В. Экспрессные ядерные методы анализа в задачах реакторного материаловедения // Атомная энергия. 1986. — т. 61., вып. 2. — с. 116 124.

126. Крюков Ю. Ю., Чернов И. П. Методы мгновенного ядерного анализа // Итоги науки и техники. Сер. Пучки заряженных частиц и твердое тело. Т.2. М.: ВИНИТИ, 1990. — с. 74−150.

127. Сиротинин Е. И., Тулинов А. Ф., Фидеркевич А., Шишкин К. С. Форма спектра частиц, рассеянных на толстой мишени, и определение его с помощью энергетических потерь //Вест. МГУ, сер физ., астр. -1971. № 5. — с. 541−546.

128. Anderson Н.Н., Ziegler J.F. The stopping and ranges of ions in matter. V.3. Hydrogen stopping power and ranges in all element N. Y.: Pergamon Press, 1977. — 317 p.

129. Chumanov V.Ya., Izmailov Sh.Z., Pokhil G.P., Sirotinin E.I., Tulinov A.F. On the determination of energy losses by charged particles from the backscattered energy spectra // Phus. Stat. Sol. (a). 1979 — v.53. — p.51−62.

130. Eckstein W., Mayer M. Rutherford backscattering from layered structures beyond the single scattering model // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. В 1999. — v. 153. — p. 337−344.

131. Swint J.B., Barnard A.C.L., Clegg T.B., Weil J.L. Cross section as a function of energy for the scattering of protons from I2C // Nucl. Phys. 1966. — v. 86. — p. 119−129.

132. Salisbury S.R., Hardie G., Oppliger L., Dangle R. Proton-oxygen differential scattering cross sections // Phys. Rev. 1962. — v. 126. — p. 2143−2147.

133. Aiseberg-Selove F. Energy levels of light nuclei A = 13−15 // Nucl. Phys. A 1976. -v.268. — p. 1−204.

134. Messelt S. Elastic and inelastic scattering of 7 to 11 Mev protons from 14N // Physica Nervegica. 1970. — v 4. — p. 191−216.

135. Kent J. J., Coker W.R., Watson C.E., Absence of proton weak coupling states in 93Nb // Z. Phys. 1972. — v. 256 — p. 199−209.

136. Вол А. Е. Строение и свойства двойных металлических систем. Т.2. М.: ГИФМЛ, 1962. — 982 с.

137. Азотирование и карбонитрирование / Под ред. Супова А. В. М.: Металлургия, 1990.-280 с.

138. Елисеев Ю. С., Абраимов Н. В., Крымов В. В. Химико-термическая обработка и защитные покрытия в авиадвигателестроении. М.: Высшая школа, 1999. — 525 с.

139. Арзамасов Б. Н., Братухин А. Г., Елисеев Ю. С., Панайоти Т. А. Ионная химико-термическая обработка сплавов. М.: Изд-во МГТУ им. Н. Э. Баумана, 1999. — 400с.

140. Тот Л. Карбиды и нитриды переходных металлов. М.: Мир, 1974. — 179 с.

141. Knox J.M. Non-Rutherford scattering of protons by light elements // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. В 1992. — v. 66. — p. 31−37.

142. Vykhodets V.B., Kurennykh Т.Е., Fishman A.Ya. Identification of heterogeneous state and trajectories of interstitials in the titanium-oxygen system using diffusion experiment // Defect and Diffusion Forum. -1997. v. 143−147. — p. 79−84.

143. Hibbs M.K., Sundgren J.-E., Johansson B.O., Jacobson B.E. The microstructure of reactively sputtered Ti-N films containing the Ti2N phase // Acta metall. 1985. — v. 33. -p. 797−803.

144. Баковец В. В., Поляков О. В., Долговесова И. П. Плазменно-электролитическая анодная обработка металлов. Новосибирск: Наука. Сиб. отд-ние, 1990. — 168 с.

145. Черненко В. И., Снежко Л. А, Папанова И. И. Получение покрытий анодно-искровым электролизом. Л.: Химия, 1991. — 128 с.

146. Гордиенко П. С., Гнеденков С. В. Микродуговое оксидирование титана и его сплавов. Владивосток: Дальнаука, 1997. — 186 с.

147. Yerokhin A.L., Nie X., Leyland A., Matthews A., Dowey S.J. Plasma electrolysis for surface engineering// Surface and Coatings Technology. 1999. — v. 122 — p. 73−93.

148. Колачев Б.A. Елагин В. И., Ливанов. Металловедение и термическая обработка цветных металлов и сплавов. М.: МИСиС, 1999. — 416с.

149. Rotberg V.H., Petty A.J., Stranberg С.С., Was G. Analysis of TiN by charged particle beams: Nuclear reaction analysis, nuclear reaction broadening and Rutherford backscattering // Thin Solid Films. 1988. -v. 166. — p. 191−200.

150. Васильев Л. А., Иванова О. П., Коллигон Д, Лесневский Л. Н, Наумкин А. В., Шкарбан И. И., Юрасова В. Е. Состав и свойства пленкочных покрытий из нитрида титана // Изв АН Изв. АН. Сер. физич. 1994. т. 58. — № 3. — с. 195−205.

151. Порошковая металлургия и напыленные покрытия: Учебник для вузов / В. Н. Анциферов, Г. В. Бобров, Л. К. Дружинин, С. С. Кипарисов, В. И. Костиков, А. В. Крупин, В. В. Кудинов, Г. А. Либенсон, Б. С. Митин, О. В. Роман М.: Металлургия, 1987.-792с.

152. Bogomolova L.D., Jachkin V.A., Prushinsky S.A., Stefanovsky S.V., Teplyakov Yu.G., Caccavale F. EPR study of paramagnetic species in oxide glasses implanted with nitrogen // J. Non-crystal.Solids 1997. — v.220. — p. 108−126.

153. Burdina K.P., Zorov N.B., Kravchenko O.V., Kuzyakov Yu.Ya., Kim J.I., Kulinich S.A. Synthesis of crystalline carbon nitride // Mendeleev Commun. 2000. — № 6. — p.207−208.

154. Бурдина К. П., Зоров Н. Б., Ким Ч. И., Кравченко О. В., Кузяков Ю. Я. Кристаллические нитриды углерода: пленки и объемные образцы // Изв. АН. Сер. хим. 2002. — № 9. -с.1501−1507.

155. Kravchenko O.V., Burdina К.Р., Semenenko K.N. Synthesis and some properties of amorphous carbon nitride C3N4 // Exper. Geosci. 1997. — v.6. — p.64−65.

156. Watanabe I., Okumara T. Photo-induced ECR in amorphous C: H films prepearded by glow discharge decomposition of CH4 and H2 // Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 (Letters) -1985. -v.24. p. 122−127.

157. Barklie R.C. Characterisation of defects in amorphous carbon by electron paramagnetic resonance // Diamond and Relat. Mater. 2001. — v. 10. — p. 174−180.

158. Wagoner G. Spin Resonance of Charge Carriers in Graphite // Phys. Rev. -1960. -v.118. No3. — p. 647−653.

159. Nitta S., Tanaka N., Sugiyama K., Itoh Т., Nonomura S. Preparation and proprties of photocondactive amorfous carbon nitride a-CNx films: the layer-by-layer method // J. Non-Crystal. Solids. 1998. — v.227/230. — p.655−658.

160. Warren W.L., Lenahan P.M. Electron-nuclear double resonance and electron-spin-resonance study of silicon dangling-bond centers in silicon nitride //Phys. Rev. B. 1990. -v.42. p.1773−1780.

161. Павлов П. В., Хохлов А. Ф. Физика твердого тела. М.: Высш. шк., 2000. — 494 с.

162. Bhattacharyya S., Lubbe М., Bressler P.R., Zahn D.R.T., Richter F. Structure of nitrogenated amorfous carbon films from NEXAFS // Diamond and Related Mater. -2002.-v. ll.-p.8−15.

163. Hammer M., Baker M.A., Lenardi C., Gissler W. Syntesis of carbon nitride films at low temperature // J.Vac.Thechnol. 1997. — v. A 15. — p. 107−112.

164. Гусева М. И. Ионная имплантация в металлах // Поверхность. 1982. — № 4. — С. 27−30.

165. Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками. / Под ред. Дж. М. Поута, Г. Фоти, Д. К. Джекобсона. Перевод, с англ. под ред. А. А. Углова. М.: Машиностроение, 1987. — 424 с.

166. Плешивцев Н. В. Имплантация металлических материалов высокоинтенсивными пучками ионов азота // Изв. РАН. Серия: Металлы, — 1994. № 6. — с. 53−63.

167. Перспективные радиационно-пучковые технологии обработки материалов: Учебник / В. А. Грибков, Ф. И. Григорьев, Б. А. Калин, В. Л. Якушин / под ред. Б. А. Калина, М.: Круглый год, 2001. 528с.

168. Hoffman A., Gouzman I., Brener R., Cutermann С., Geller H., Levin L., Kenny M. Nitrogen implantation into glassy carbon as an attempt to grow a carbon nitride thin film // Diamond and Related Materials. 1995. — v. 4. — p. 292−296.

169. Xin H., Lin C., Zhu S., Zou S., Shi X., Zhu H., Hemment P. L. F. Formation of buried carbon nitride by high dose nitrogen implantation into carbon thin film // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. В 1995. — v. 103. -p. 309−312.

170. Hammer P., Gissler W. Chemical sputtering of carbon films by low energy N2+ ion bombardment //Diamond and Related Materials. 1996. — v.5. — p. l 152−1158.

171. He Z., Carter G., Colligon J. Ion-assisted deposition of C-N and Si-C-N films // Thin Solid Films. 1996. — v.283. — p. 90−96.

172. Hartmann J., Koniger A., Ensinger W., Rauschenbach В., Stritzker В., Huber H., Assmann W. Characterization of high-fluence nitrogen ion implanted pyrolytic graphite // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. В 1996. — v. 117. — p. 392−396.

173. Link F., Baumann H., Markwitz A., Krimmel E. F., Bethge K. Low-energy 15N implantation in carbon for the synthesis of carbon nitride layers // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. В 1996. — v. 113. -p. 235−238.

174. Palacio C., DHaz D., GymezAleixandre C., GarcHa M. M. Carbon nitride thin films formation by N2+ ion implantation // Vacuum. 1997. — v. 48. — p. 709−713.

175. Funada Y., Awazu K., Shmamura K., Iwaki M. Thermal properties of DLC thin films bombarded with ion beams // Surface and Coatings Technology. 1998. — v. 103−104 — p. 389−394.

176. Bertoti I., Mohai M., Toth A., Zelei B. Effect of Ar+, N2+, He+ and H2+ bombarment on the composition and structure of CNX layers // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B- 1999.-v. 148.-p. 645−649.

177. Miyagawa Y., Nakao S., Wielunski L. S., Hasegawa H., Miyagawa S. Depth profiling of nitrogen implanted into Si/C and Zr/C bilayers with nuclear reaction analysis // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. В 2000. — v. 161−163. — p. 997−1001.

178. Мартыненко Ю. В. Эффекты дальнодействия при ионной имплантации // Итоги науки и техники. Серия: «Пучки заряженных частиц и твердое тело». Т.7. Распыление. -М.: ВИНИТИ, 1993. -с. 6−114.

179. Тетельбаум Д. И. К вопросу об эффекте дальнодействия // Вестник Нижегородского университета. Сер. Физика тв. тела. 2003. — вып. 1 (6). — с. 139 143.

180. Гусева М. И. Ионная имплантация в неполупроводниковые материалы // Итоги науки и техники. Сер. Пучки заряженных частиц и твёрдое тело. Т. 7. Физические основы лазерной и пучковой технологии. М.: ВИНИТИ, 1994. — с. 5−54.

181. Раджабов Т. Д., Рахимова Г. Р. О механизмах упрочнения поверхностных и приповерхностных слоев ионно-имплантированных металлов // Изв. АН. Сер. физич. 1994. — т. 58. -№ 3. — с. 173−178.

182. Трушин Ю. В. Моделирование физических процессов высокодозного ионного облучения многокомпонентных материалов // Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2003). Материалы 16 Межд. конф. 25−29 августа 2003 г. М.: 2003. — т.2. — с. 23−26.

183. Fujihana Т., Okabe Y., Iwaki М. Microstructure and mechanical properties of high dose nitrogen-implanted iron, chromium and titanium sheets // Mat. Sci. Engin. 1989. -v. A115. -p. 291−295.

184. Баженов Г. П., Бугаев С. П. Ерохин Г. П. и др. Импульсная имплантация ионов меди и рения в молибден // ДАН СССР. 1986, — т. 286. — № 4. — с. 872−875.

185. Дине Дж., Винйард Дж. Радиационные эффекты в твердых телах. М.: Изд-во иностр. лит., 1960. — 200 с.

186. Беграмбеков Л. Б. Эрозия и трансформация поверхности при ионной бомбардировке // Итоги науки и техники. Сер. Пучки заряженных частиц и твердое тело. T. 7.-М.: ВИНИТИ, 1993. с. 4−53.

187. Беграмбеков Л. Б., Вергазов C.B., Захаров A.M., Тельковский В. Г. Изменение рельефа графита и его соединений при облучении ионами гелия // Изв. АН. Сер. физич. 1994.-т. 58.-№ 4.-с. 187−194.

188. Лозован A.A., Митин Б. С., Влияние ионной имплантации на смачиваемость углеграфитовых материалов расплавами меди и N1)205 // Изв. АН. Сер. физич. 2000. -т. 64.-№ 4.-с. 801−804.

189. Лозован A.A. Ионно-плазменная обработка поверхностей изделий сложной формы и соединений. М.: «МАТИ» — РГТУ им. К. Э. Циолковского, 2001. — 175с.

190. Акишин А. И., Виргильев Ю. С., Черник В. Н. Эрозионные свойства углеродных материалов различной структуры и состава в потоках кислородной плазмы // Изв. АН. Сер. физич. 2002. — Т. 66, № 4. — с. 605−608.

191. Б. А. Калин, Д. М. Скоров, В. Л. Якушин. Проблемы выбора материалов для термоядерных реакторов. -М.: Энергоатомиздат, 1985. 184с.

192. Roth J., Vietzke E., Haasz A.A. // Atomic and Plasma-Material Interaction Data for Fusion, Suppl. to Nuclear Fusion. 1991. -v.l. — p. 63−83.

193. Chernikov V.N., Gorodetsky A.E., Kanashenko S.L., Zakharov A.P., Wampler W.R., Doyle B.L. Deuterium trapping in graphites irradiated with C+ ions at 350 and 673 K. // Journal of Nuclear Materials. 1995. — v. 220−222. — p.912−916.

194. Игитханов Ю. Л., Крашенинников С. И., Кукшкин A.C., Юшманов П. Н. Особенности процессов переноса в пристеночной плазме токамака // Итоги науки и техники. Сер. Физика плазмы. Т. 11. М.: ВИНИТИ, 1989. — с. 5−149.

195. Kustner М., Eckstein W., Dose V., Roth J. The influence of surface roughness on the angular dependence of sputter yield // Nucl.Instrum. and Meth. in Phys.Res. В 1998. — v. 145. -p.320−331.

196. Cernusca S., Diem A., Winter HP., Aumayr F., Lurincik J., Sroubek Z. Kinetic electron emission from highly oriented pyrolytic graphite surfaces induced by singly charged ions // Nucl.Instrum. and Meth. in Phys.Res. В 2002. — v. 193. — p.616−620.

197. Hechtl E., Bondansky J., Sputtering of pyrolitic graphite with oxygen ions at various target temperatures//Journal of Nuclear Materials. 1986. — v. 141−143. — p.139−141.

198. Roth J. Erosion and impurity production of С and Be: a comparison // Journal of Nuclear Materials. 1987. — v. 145−147. — p. 87−95.

199. Гусева М. И., Мартыненко Ю. В. Особенности взаимодействия ионов с борсодержащими графитами // Итоги науки и техники. Сер. Пучки заряженных частиц и твердое тело. Т. 5. М.: ВИНИТИ, 1991.-е. 118−131.

200. Roth J. Chemical errosion of carbon based materials in fusion devices // Journal of Nuclear Materials. 1999. — v. 266−269. — p.51−57.

201. Данилин B.C., Киреев В. Ю. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. М: Энергоатомиздат, 1987. 264 с.

202. Экштайн В., Книжник, Г. С., Машкова Е. С., Молчанов В. А., Толмачев А. И., Фаязов И. М. // Поверхность. 1990. — № 11. — с. 27−39.

203. Машкова Е. С., Молчанов В. А., Фаязов И. М., Экштайн В. Экспериментальное и компьютерное изучение угловой зависимости коэффициента распыления графита // Поверхность. 1994. — № 2. — с. 33−37.

204. Eckstein W., Mashkova E.S. Bombardment of carbon by noble gases // Nucl. Instrum and Methods in Physics Res. 1992. — V. B62. — p. 438−446.

205. Shulga V.I. The density effects in sputtering of amorphous materials // Nucl.Instrum.Methods in Phys.Res. В 2000. — v. 170. — p.347−361.

206. Guseva M.I., Korhunov S.N., Gureev V.M. Martynenko Yu.V., Neumoin V.E., Stoljarova V.G. Investigation of beryllium self-sputtering // J. Nucl. Materials. 1997. -vol. 241−243.-p. 1117−1121.

207. Fayazov I.M., Mashkova E.S., Molchanov V.A., Sidorov A.V., Tolmachev A.I., Eckstein W. Sputtering of graphite by argon ions // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. В 1992. — v. 67. — p.523−526.

208. Chernysh V.S., Eckstein W., Haidarov A.A. Kulikauskas V.S., Mashkova E.S., Molchanov V. A. Sputtering mechanisms of polycrystalline platinum by low energy ions // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. В 2000. — v. 160. — p. 221−230.

209. Патракеев A.C., Черныш B.C., Шульга В. И. Распыление кремния ионами аргона с энергией 1−10 кэВ. И Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2003). Материалы 16 Межд. конф. 25−29 августа 2003 г. М.: 2003. — т.1. — с. 166−169.

210. Борисов A.M., Машкова Е. С., Немов А. С., Камнева С. А., Курнаев В. А., Трифонов Н. Н. Влияние ионно-индуцированного рельефа на высокодозное распыление графита. Вопросы атомной науки и техники // Сер. Термоядерный синтез. 2004. — Вып.2. — с. 65−72.

211. Курнаев В. А., Трифонов Н. Н. Программа моделирования взаимодействия ионов с твердым телом с учетом микротопографии поверхности // ВАНТ. Сер. Термоядерный синтез. 2002. Вып. 3 — 4. — С. 76 — 81.

212. Жукова Ю. Н., Машкова Е. С., Молчанов В. А., Сотников В. М.,. Экштайн В. Угловые зависимости коэффициента распыления рельефной поверхности поликристаллов // Изв АН. Сер.физ. 1994. — т.58. — № 3. — с. 92−101.

213. Серков М. В., Сидоров А. В., Экштайн В. Моделирование влияния топографии поверхности на угловые распределения распыленного вещества // Поверхность. 2002. № 4.-с. 13−18.

214. Bacon D.J., Rao A.S. The structure of graphite bombarded with light, gaseous ions // J. Nucl. Mater. 1980. — v. 91. — p. 178−188.

215. Porte L., Phaner M., Villeneuve C.H., Moncoffre N., Tousset J. Scanning tunneling microscopy study of single-ion impacts of graphite surface // Nucl. Instr. Meth. in Phys. Research. В 1989. — v. 44. — p. 116−119.

216. Пугачева T.C., Ильичева И. Е., Калиновски А. П. Бужинский О.И., Опимах И. В. Моделирование на ЭВМ распыления пиролитического графита и нитрида бора легкими ионами низких энергий // Поверхность. Физика, химия, механика. 1995. -№ 9. — с. 71−77.

217. Neumann R. Scanning probe microscopy of ion-irradiated materials // Nucl. Instr. Meth. in Phys. Research. В 1999. — v. 151. — p.42−55.

218. Hoffman A., Gouzman I. Brener R. Possibility of carbon nitride formation by low-energy nitrogen implantation into graphite: In situ electron spectroscopy studies // Appl. Phys. Lett. 1994. — v.64. — p. 845−847.

219. Niwase K., Tanabe T. Modification of Graphite Structure by D+ and He+ Bombardment II // J. Nucl. Mater. — 1990. -v. 175 — p. 176.

220. Chernicov V.N., Zakharov A.P., Ullmaier H., Linke J. Microstructure of RGT graphite before and after helium implantation // J. Nucl. Mater. 1994. — v. 209. — p. 148−154.

221. Chernicov V.N., Kesternich W., Ullmaier H. Radiation effect and gas cavities in pyrolitic graphite implanted with helium ions // J. Nucl. Mater. 1996. — v. 227. — p. 157 169.

222. Yurasuva V.E. Emission of secondary particles during ion bombardment of metals in the phase transition region. Pt. l Sputtering // Vacuum 1983. v. 33. — p. 565−578.

223. Евдокимов И. Н., Машкова Е. С., Молчанов В. А. Об одном методе наблюдения отжига дефектов в кристаллах // ФТТ 1967. т. 9. — № 7. с. 1825−1827.

224. Evdokimov I.N., Fayazov I.M., Mashkova E.S., Molchanov V.A., Snisar V.A. Effect of the phase transformation in germanium on the secondary processes induced by ion bombardment // Rad. Eff. and Defect in Solids. 1990. — v. l 12. — p.221−232.

225. Hasselkamp D. Kinetic Electron Emission. In: Particle induced electron emission II // Springer Tracts in Modern Physics, ed. by G. Hohler, Springer-Verlag, Berlin, 1991. v. 123 — p. 1−95.

226. Ман Л. И., Малиновский Ю. А. Семилетов С.А. Кристаллические фазы углерода //Кристаллография. 1990. — т. 35. — вып.4. — с. 1029−1039.

227. Виргильев Ю. С., Лебедев И. Г. Поведение стеклоугерода при нейтронном облучении // Неорганические материалы. 2002. — т. 38, № 7. — с. 810 — 816.

228. Mrozowski S. Heat Anomalies and Spin-Spin Interactions in Carbon: Review // J. Low-Temp. Phys. 1979. -v.35. -No¾. -p. 231−298.

229. Dinse K.-p., Kas H., Knapp C., Weiden N. EPR investigation of atoms in chemical traps // Carbon. 2000. — v.38. — p. 1635−1640.

230. Demenichelis F., Rong X.F., Schriter S., A. Tagliaferro, De Martino C. Deposition and characterisation of amorphous carbon nitride films // Diamond and Relat. Mater. -1995. v.4. — p.361−365.

231. Ивановский Г. Ф. Слепцов B.B., Елинсон B.M., Бабаев В. Г. Хвостов В.В. Рылова О. Ю. Электронная структура пленок а-С:Н // Поверхность. Физика, химия, механика. 1987. -№ 11.-е. 101 — 109.

232. Сокол О. Ю. Ивановский Г. Ф. Слепцов В. В., Елинсон В. М., Герасимович С. С. Пленки а-С:Н: размер графитных кластеров и электропроводность // Микроэлектроника. 1990. — № 1. — с. 103 — 105.

233. Машкова Е. С., Молчанов В. А., Шульга В. И., Беназе К., Беназе Н., Кафарелли П., Хоу М., Экштайн В. Модификация приповерхностных слоев кремния при бомбардировке цезием // Поверхность. 1997. — N. 12.-е. 973−987.

234. Kataoka Y., Wittmaack K. Ion-induced emission as a means of studing energyand angle-dependent compositional changes of solids bombarded with reactive ions. II. Nitrogen bombardment of silicon // Surface Science. 1999. — v. 424. — p. 299−310.

235. Ohya K. Monte Carlo simulation of heavy ion induced kinetic electron emission from A1 surface // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys.Res. B. 2002,-v. 195, — p. 281−290.

236. Ohya K., Ishitani T. Simulation study of secondary electron images in scanning ion microscopy//Nucl. Instrum. and Meth. in Phys.Res.B. 2003.-v. 202,-p. 305−311.

237. Ohya K. Comparative study of target atomic number dependence of ion induced and electron induced secondary electron emission // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys.Res.B. -2003.-v. 206, — p. 52- 56.

238. Взаимодействие заряженных частиц с твердым телом. / Под ред. А. Граас-Марти, Г. М. Урбасека, Н. Р. Аристы, Ф.Флореса. М.: Высшая школа, 1994. — 752с.

239. Каминский М. Атомные и ионные столкновения на поверхности металла. М: Мир, 1967,-506с.

240. Baragiola R.A. Electron emission from slow ion-solid interaction. // In Low Energy Ion-Surface Interactions, ed. by J.W.Rabalais. New York: Wiley, 1994. Ch.4.

241. Hippler S., Hasselkamp D., Scharmann A. The ion induced electron yield as a function of target material // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. В 1988. — v. 34. — p.518−520.

242. Svensson В., Holmen G., Buren A. Angular dependence of the ion-induced secondary electron yield from solids // Phys. Rev. В -1981. v. 24. — p.3749−3755.

243. Baudin K., Brunelle A., Della-Negra S., Depauw J., Beyec Y.Le., Parilis E.S.Sublinear effect in electron emission from solids bombarded with swift gold clusters // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys.Res.B. 1996,-v. 117, — p. 47−54.

244. Billebaud A., Dauvergne D., Fallavier M., Kirsh R., Poizat J.C., Remillieux J., Tomas J.P., Rothard H. Secondary electron emission from thin carbon foils under hydrogen claster impact //Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. В 1996. — v. 112. — p.79−85.

245. Ritzau S.M., Baragiola R.A. Electron emission from carbon foils induced be keV ions // Phys.Rev. В 1998. v. 58. — p.2529−2538.

246. Hasselkamp D., Scharmann A., Stiller N. Ion induced secondary electron emission as a probe for adsorbed oxygen on tungsten // Nucl. Instrum. and Meth. 1980. — v. 168. -p. 579−583.

247. Benezeth N. Review on kinetic ion-electron emission from solid metallic targets // Nucl. Instrum. and Meth. 1982. — v. 194. — p. 405−413.

248. Titiov A.I., Kucheyev S.O. Damage accumulation in Si during N* and N2+ bombardment along random and channeling directions // Nucl. Instrum. and Meth in Phys. Res. В 1999. — v. 149. — p. 129−135.

249. Parilis E.S. Sweeping-out-electron effect under impact of large molecules and clusters // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. В 2002. — v. 193. — p. 240−247.

250. Займан Дж. Принципы теории твердого тела. М.: Мир, 1966. 416с.

251. Yavlinskii Yu. Track formation in amorphous metals under swift heavy ion bombardment //Nucl. Instr. Meth. 1998. — v. B146. — p. 142−146.

252. Yavlinskii Yu. Heating of crystalline and amorphous metals under swift heavy ion irradiation // Rad. Eff. and Defect in Solids. 2000. — v.153. — p.75−91.

253. R.A. Baragiola, E.V. Alonso, J. Perron, A. Oliva-Florio Ion-induced electron emission from clean metals // Surface Science. 1979. — v.90. — p. 240−255.

254. Carter G., Armour D.G. The interaction of low energy ion beams with surfaces // Thin Solid Films. -1981.-v. 80. p. 13−29.

255. Brown I.G., Galvin J.E., MacGill R.A., Wvight R.I. Improved time-of-flight ion charge state diagnostic // Rev. Sci. Instr.-1987. v. 58(9). — p. 1589−1592.

256. Brown I.G. Advaces in metal ion sources // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Research. В 1989. — v. 37/38.-p. 68−73.

257. Плютто А. А., Джобава Г. Р., Короткое И. С., Канзусян A. A. // Тезисы докладов V Всесоюзной конференции по плазменным ускорителям и ионным инжекторам. М. -1982. с. 94−95.

258. Лунев В. М., Падалка В. Г., Хороших В. М. Исследование некоторых характеристик плазмы вакуумной металлической дуги // Письма в ЖТФ. 1977. — т. 47. — с. 1491−1495.

259. Davis W.D., Miller N.C. Analysis of the electrode products emitted by dc arcs in a vacuum ambient // Appl. Phys. 1969. — v. 40. — p. 2212−2221.

260. Аксенов А. И., Анучин М. И., Бугаев C.H., Панковец ИГ., Толопа A.M. Широкоапертурный ионно-электронно-плазменный источник // ПТЭ. 1988. — № 5. -с. 134−138.

261. Плютто А. А., Рыжков В. И., Капин А. И. Высокоскоростные потоки плазмы вакуумных дуг // ЖЭТФ. 1964. — т. 47 — с. 494−507.

262. Holmen G., Svensson В. Buren A. Ion-induced electron emission from polycrystalline copper // Nucl. Instr. and Methods -1981. v. 185. — p. 523−532.