Голографическая диагностика газофазных процессов микроэлектроники
Диссертация
Установлена корреляция между технологическими параметрами процессов, геометрией реакционной зоны и температурными полями в газовой фазепоказана необходимость оптимизации соответствия температуры подложки, скорости потока и параметров реакционной зоны. показано, что наиболее эффективно воздействует на газодинамическую ситуацию в реакторе скорость газового потокаполучена эмпирическая зависимость… Читать ещё >
Список литературы
- Mori Y. Buoyancy. Effects in Forced Convection Flow over a Horizontal Flat Plate. II J. Heat Transfer, 1961, V.83, N4, p.p. 479−482.
- Gill W.N., Delcassal E.A. Theoretical Juvestigation of Natural Convection Effects in Forced Horizontal Flows. II A. J. Cn. E Journal, 1962, V.8, N4, p.p. 513−518.
- Hwaug G.J., Gheng K.C. Convection Instability in the Thermal Entrance Region of Horizontal Parallel- Plate Channel Heated from Below. II J. Heat Transfer. Trans. ASME, 1973, V. 95, N1, p.p. 72−77.
- Kamotani Y., Ostrach S. Effects of Thermal Instability on Thermally Developing Laminar Channel Flow // J. Heat Transfer Trans. ASME, 1976, V.98, N1, p.p. 6266.
- Райнов Ю.А., Турилин C.M., Райнова Ю. П., Чистяков Ю. Д. Тепло- и массоперенос при газофазной эпитаксии кремния // Обзоры по электронной технике, серия 7 «Технология, организация производства и оборудование», 1987, с. 64.
- Шлихтинг Г. Возникновение турбулентности / перевод с английского. М.: ИИЛ, 1962, с. 203.
- Джалурия И. Естественная конвекция. Тепло- и массообмен / перевод с английского. М.: МИР, 1983, с. 400.
- Evans D.E. Conference Report of Fourth International Symposium on Laser -Aided Plasma Diagnostics // J. Nuclear Science and Technology, 1990, V. 27, N3, p. 281.
- Лазерные методу исследования плазмы / под ред. Зайдель А. Н., Островская Г. В, Л.: Наука, 1977, с. 386.
- Кулик П.П., Агриков Ю. М. и др. Метод измерения тепловых потоков в низкотемпературной плазме//ПТЭ, 1988, № 2, с. 131.
- П.Алехин З. В., Боровиков В. В., Воронин В. В. Интерференционные исследования пучковой плазмы в инертных газах // ЖТФ, 1990, т. 60, № 4, с. 176.
- Sparrow Е.М., Eichhorn R., Gregg I.L. Combined forced and free convection in a boundary layer flow // Phys. Fluids, 1959, V.2, N 3, p.p. 319−328.
- Райнова Ю.П., Бархоткин А.В Диагностика и контроль быстрых термических процессов // Известия ВУЗов. М.:МИЭТ, 1999, № 4, с. 59−71.
- Gilling L.I. Flow patterns in horizontal epitaxial reactor cells observed by interference holography // J Electroch. Soc., 1982, V. 129, N3, p.p. 634−644.
- Gilling L.I. Temperature and flows in horizontal EPI reactors // J. De Physique, 1982, V. 5, N12, p.p. 235−246
- Dilavary A.H. Shekely J. Computer results for an MOSCVD system with a conical rotating substrate // J. Crystal Growth, 1989, V.97, p.p. 777−791/
- Dilhac I.M. Temperature and process control in Rapid Thermal Processing. Advanced in Rapid Thermal and Integrated Processing. F. // NATO ASI Series, 1996, V.318, p.p. 143−162.
- Williams I.E., Peterson R.W. The application of holographic to the visualization of flow and temperature profiles in a MOCVD reactor cell // J. Crystal Growth, 1986, Y.77, N13, p.p. 128−135.
- Guidotti D. Optical Reflectance Thermometry for Rapid Thermal Processing // J. of Vacuum Science and Technology, 1998, V.16, p.p. 609−612.
- Голографическая интерферометрия фазовых объектов / под ред. А. И. Бекетова. JL: Наука, 1979, 216 с.
- Хауф В., Григуль У. Оптические методы в теплопередаче / перевод с английского. М.: МИР, 1973, -276 с.
- Вест Ч. Голографическая интерферометрия / перевод с английского. М.:МИР, 1977, 178 с.
- Островский Ю.И. Голография. М.:Наука, 1971, 342 с.
- Агриков Ю.М., Антропов A.M. и др. Динамическая плазменная обработка поверхности твердого тела // Сб Плазмохимия 89 Ч 1, М.: Наука, 1989, с. 131 151.
- Alpher R.A., White D.R. Optical refractivity of high temperature gases. II: Effects from ionization of monoatomic gases // Phys. Fluids., 1959, V.162, N2, p.p. 153.
- Leith E.N., Upatniecs I. Reconstructed wavef rants and communication theory // J. Opt.Soc.Am., 1962, V.52, p.p. 1123−1136.
- Строук Дж. Введение в когерентную оптику и голографию / перевод с английского. М.:МИР, 1967, 426 с.
- Merzkirch W. Flow Visualization. New York.: Academic Press, 1974, 324 p.
- Бурмаков А.П., Островская Г. В. Интерференционно топографическое исследование плазменной струи с помощью лазера // ЖТФ, 1970, т.40, с. 660.
- Бурмаков А.П., Авраменко В. Б. и др. Применение топографической интерферометрии для диагностики эрозионных импульсных плазменных ускорителей // Проблемы голографии, вып. 3. М.".Наука, 1973, с. 426.
- Бурмаков А.П., Зайков B.JL, Новик Г. М. Исследование импульсной плазменной струи методом топографической интерферометрии // Теоретическая физика. Минск: Изд. ИФАН БССР, 1975, с. 391.
- Бархударов Э.М., Березовский В. Р. и др. Голография в области 10,6 мкм и возможность ее применения для диагностики плазмы // Письма в ЖТФ, 1976, т. 2, вып. 23
- Hugenshmidt M., Vollrath К. Optics and Laser Technics // Сотр. Lend., 1971, N3, p.p. 93−107.
- Collier R.I., Doherty E.T., Pennington K.S. Application of moire techniques to holography//Appl. Phys. Letts, 1965, V.7, N8, p.p. 157−163.
- Iahoda F.C. Submicrosecond holographic cine-interferometry of transmission objects // Appl. Phys. Letts, 1969, V.14, N14, p.p. 231−239.
- Fitziong I.L., Holstain W.L. Devergent flow in chemical vapour deposition reactor //J. Electrochem. Soc., 1990, V.137, N2, p.p. 699−703.
- Holstain W.L., Fitziong I.L. Mathematical modelling of cold-wall channel CVD -reactors//J. Crystal Growth, 1989, V.94, p.p. 131−144.
- Jensen K. Transport phenomena and chemical reaction issues in OMVPE of compound semiconductors // J. Crystal Growth, 1989, V.89, p.p. 148−166.
- Yeckel A., Middleman S. Stratgies for the control of deposition uniformity in CVD //J. Electrochem. Soc., 1988, V.92, p.p. 33−36.
- Jackson D. Influence of carrier gases on pyrolisis of organometallics // J. Crystal Growth, 1989, V.94, p.p. 459−468.
- Holstein W.L., Fitzjohn I.L. Effect of Buojance Forces and Reactor Oreintetion on Fluid Flow and Growth Rate Uniformiti in Cold Wall Channel CVD Reactors // J. Crystal Growth, 1989, V.94, p.p. 145−158.
- Chen К., Chen M. Thermal instability in forced convection boundary layer // J. Heat Transfer. Trans ASME, 1984, V.106, p.p. 284−189.
- Rainova J.P., Turilin S.M., Sorokin I.N., Antonenko K.I. An Investigation of Gas Flow in the Epitaxy of Silicon // Inorganic Materials, 1995, V.31, p.p. 137−144.
- Шлихтинг Г. Теория пограничного слоя / перевод с английского. М.% Наука, 1974, — 711 с.
- Азизов А. Переход от ламинарного к турбулентному режиму течения в пограничном слое // Тепло- и массоперенос, т.9, Минск: Наука и техника, 1969, с. 131−132.
- Roozenboom F. Manufacturing Equipment Issues in Rapid Thermal Processing. Rapid Thermal Processing. Science and Technology / Eg. Richard B. Fair: Academic Press.
- Saraswat K.C. Rapid Thermal Multiprocessing for a programmable factory for manufacturing of LCS. Advances in Rapid Thermal and Integrated Processing. Ed. Roosenboom // NATO ASI Series, 1996, V.318, p.p. 375−414.
- Moslehi M.M., Paranjpe A., etc. RTP-key to Future Semiconductor Fabrication // Solid State Technology, 1994, Y.318, p.p. 375−414.
- Borisenko V.E., Hesketh P.I. Rapid Thermal processing of Semiconductor. Microdevices Physics and Fabrication technologies. Series Editors / I. Brodie and A. Sher. SRI International Menlo Park. C.A. 1997, p. 225.
- Schietinger C. Wafer temperature measurement in RTP. Advances in Rapid Thermal and Integration Processing. Ed. Roosenboom F. // NATO ASI Series, 1996, V.318, p.p. 103−124.
- Timans P.I. Temperature Measurement in Rapid Thermal Processing // Solid State Technology, 1997, V.40, Iss. 4, p.p. 63−68.
- Иоффе А.Ф. Физика полупроводников. M.: Изд. АН СССР, 1957, 437 с.
- Олейник Б.Н., Лаздина С. И. и др. Приборы и методы температурных измерений. М.: Изд-во стандартов, 1987, 296 с.
- Wagner I., Boebel F.G. Temperature Measurement at RTP Facilities. An Overview. Rapid Thermal and Integrated Processing MRS Symposium Proc., 1996, V.429, p.p. 303−308.
- Lee Y.K., Khuriyakub В.Т., Saraswat К.С. Temperature Measurement in Rapid Thermal Processing Asoustic Techniques // Review of Scientific Instuments, 1994, V.65, Iss. 4, p.p. 974−976.
- Degerkin F.L., Khuriyakub B.T., Saraswat K.C. In situaconstic Temperature Tomography of Semiconductor Wafers // Appl. Phisics Letters, 1994, V.64, Iss 11, p.p. 1338 1340.
- Батавин В.В., Концевой Ю. А., Федоров Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур М.: Радио и связь, 1985, с. 117 132.
- Conrad К.A., Sampson R.K., etc. Design and Construction of a Rapid Thermal Processing System for in sity Optical Measurement // Review of Scientific Instruments, 1996, Y.67, p. 3954.
- Peters L. Semiconductor International. 1991, V.14(9), p. 56.
- Voorthes D.W., Hall D.M. Soc Photo Optic Instruments // Eng. Symp. Proc., 1991, V.1595, p.p. 61−64
- Ionqste I.F., T.G.M.O.G.C. Bart, G.C.A.M. Jaussen, S. Radellaar Deformation if Si (100) Wafers during rapid thermal annealing // L. Appl. Phys., 1994, V.75, p.p. 2830−2836.
- Moslehi M.U., Lee Y.J., etc. Single wafer process integration and process control techniques. Advances in Rapid Thermal and Integrated Processing. Ed. Roozeboom F. // NATO ASI Series, 1996, V.318, p.p. 103−124.
- Rainova Y.P., Pezold J., Antonenko K.I., Eichhorn G. Application of Holographic Interferometry to Flow Ratteru Visualization in an RTCVD reactor // Rapid Thermal and Integrated Processing. V. MRS Symposium Proc., 1996, V. 429, p.p. 65−70.
- Шорин C.H. Расчет и конструирование высокотемпературных реакторов. М.: Энергия, 1978.- 196 с.
- Hill С. Laser and Electron Beam Solid Interactions and Materials Processing. Ed. Gibbous I.F. // Elsevier North Holland, New York, 1981, p.p. 361−374.
- Райнова Ю.П., Турилин C.M., Сорокин И. Н. Антоненко К.И. Исследование газовых потоков при эпитаксии кремния. Неорганические материалы, 1995, т.31, № 2, с. 151−159.
- Yu. Rainova, K.I. Antonenko, etc. On the entrance effects and the influence of buoyancy forces on the fluid flow in RTP reactors // J/ Electrochem. Soc., 1997, V. 97, p.p. 717−719
- K.I. Antonenko, A.A. Arendarenko, Yu.P. Rainova etc Investigation of Gas flows in a radial tupe reactor for Ga As epitaxy // Fluid Dynamics, 1996, V.31, p.p. 897−902.
- К.И. Антоненко, А. А. Арендаренко, Ю. П. Райнова и др. Исследование газовых потоков в реакторе радиального типа для эпитаксии Ga As // Механика жидкости и газа, 1996, № 6, с. 118−124.
- Rainova Y.P., Antonenko K.I., K. I Peroldt J., etc On the entrance effects and the influence of buoyancy forces on the fluid flow in RTP reactors. Mater Res Symp Proc // Rapid Thermal and Integrated Processing VII, 1998, V. 525, p.p. 39−44.
- Evans D.E. Conference Report of Fourth International Symposium on Laser -Aided Plasma Diagnostics // J/. Nuclear Science and Technology, 1990, V. 27, p. 281.
- Жиглинский А.Г., Кунд Г. Г. и др. Голографическая установка для диагностики плазмы на многих длинах волн одновременно // ПТЭ, 1988, № 6, с. 142.141
- Юндев Д.Н. Лазерная диагностика низкотемпературной плазмы в дальней инфракрасной области спектра // Теплофизика высоких температур, 1991, т. 29, № 4, с. 806.
- Ковалев A.A., Тюшкевич Б. Н. и др Двухэкспозиционный импульсный голографический интерферометр на базе рубинового лазера // Журнал прикладной спектроскопии, 1998, т. 48, № 2, с. 330.
- Апостол Д., Барбулеско Д., Комиссарова И. И. Безаберационный интерференционно голографический метод диагностики плазмы низкой точности//ЖТФ, 1988, т. 58, № 11, с. 215.
- Игнатов А.Б., Комиссарова И.И, Островская Г. В., Шапиро Л. Л. Двухдлинноволновая одноэкспозиционная интерферометрия плазмы // ЖТФ, 1971, т. XLI, вып. 2, с. 417−423.
- Александров А.Ф., Исаев К. Ш., Черников В. А. Излучение и химический состав плазмы истекающей в воздух // Теплофизика высоких температур, 1990, т.28, вып. 5, с. 833−842.
- Александров А.Ф., Исаев К. Ш. и др. Особенности и временные характеристики излучения плазмы, ударно истекающей в воздух // Теплофизика высоких температур, 1991, т. 32, вып. 2, с. 1086−1092.1. УТВЕндщо'
- ПРОРЕКТОР МЕЗТ (ТУ) (Ута^-—? В. А. Бархотк ин1. ООО г1. АКТвнедрения результатов диссертационной работы К. Н. Антоненко на соискание степени кандидата технических наук «ГодограФическая диагностика газофазных процессов микроэлектроники*
- ЧЙ|^~111Г|ТГИТТГИ11Т-ГУ'П^1Т' „II Т1ПППТ1. С &bdquo-Поспеловв ХАо1. С ч/ V, 1. А К Т:-использования в учебном процессе, кафедры МЕГЭ научных результатов кандидатской диссертации
- К.Й.Антоненко 'Томографическая днашостикагазофазных процессов микроэлектроники“
- В учебном процессе кафедры МПГЭ используются следующие результаты кандидатской диссертаций К. Й. Антокекко 'Тодографичее-кая диагностика газофазных процессов микроэлектроники»:
- Оценка газодинамических течений в осестметричных реакторах для проведения газофазных процессов"
- Расчет энергетической облученности ЗЖ-излучением скорости нагрева и температуры подложки в реакторе для быстрых термических процессов.
- Получение голографических интерферограмм газовой фазы.
- Вышеперечнеденные результаты легли в основу 5 лабораторных работ по дисциплинам «Новые технологические процессы микроэлектроники»!, «Быстрые термические процессы».
- Материал диссертации использовался студентами ФХФ при выполнении 10 дипломных проектов, 1. Декан" к.т.н.
- Завкафедрой МЯГЗ проф.д.Ф.-м.н.
- С.П.Тшошенков Ю.Н.Коркишко