Активные компоненты в программном пакете MicroCAP-7

РефератПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Параметр Area задает коэффициент кратности для учета подключения нескольких параллельных транзисторов (параметры модели транзистора умножаются или делятся на эту величину). Параметр IC задает начальное напряжение сток-исток Vds и затвор-сток Vgs при расчете переходных процессов, если на панели Transient Analysis Limits выключена опция Operating Point. Включение ключевого слова OFF исключает… Читать ещё >

Активные компоненты в программном пакете MicroCAP-7 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание Введение

1. Биполярный транзистор (Bipolar transistor — BJT)

2. Арсенид-галлиевый полевой транзистор (GaAsFET)

3. Полевой транзистор (JFET)

4. МОП-транзистор (MOSFET)

5. Операционный усилитель (ОРАМР) Заключение Список литературы

Введение

В программе МС7 используются в большинстве случаев (за исключением модели нелинейного магнитного сердечника) те же математические модели полупроводниковых приборов, что и программа PSpice. При необходимости полную информацию по моделям активных приборов (включая и формулы по которым производится расчет при моделировании), можно взять из (на русском языке) и из (на английском языке, есть файл в формате pdf). Появился также фрагмент перевода на русский, касающийся моделей активных приборов.

1. Биполярный транзистор (Bipolar transistor — BJT)

Формат схем МС7:

Атрибут PART: <�имя>

Атрибут VALUE: [Area] [OFF] [IC=[, Vce]]

Атрибут MODEL: [имя модели]

Модели биполярных транзисторов задаются в виде

.MODEL <�имя модели> NPN [(параметры модели)]

.MODEL <�имя модели> PNP [(параметры модели)]

Параметр Area задает коэффициент кратности для учета подключения нескольких параллельных транзисторов (параметры модели транзистора умножаются или делятся на эту величину). Параметр IC (Initial Conditions) задает начальное напряжение база-эмиттер Vbe и коллектор-эмиттер Vсе при расчете переходных процессов, если на панели Transient Analysis Limits выключена опция Operating Point. Включение ключевого слова OFF исключает транзистор из схемы при проведении первой итерации расчета режима по постоянному току.

В программе МС7 используется схема замещения биполярного транзистора в виде модели Гуммеля-Пуна, которая автоматически упрощается до более простой модели Эберса-Молла, если опустить некоторые параметры. Список параметров полной математической модели биполярного транзистора приведен в табл. 1.

Таблица 1. Параметры модели биполярного транзистора


Имя параметра	Параметр	Значение по умолчанию	Единица измерения
IS	Ток насыщения при температуре 27°С	1E-16	А
BF	Максимальный коэффициент усиления тока в нормальном режиме в схеме с ОЭ (без учета токов утечки)
BR	Максимальный коэффициент усиления тока в инверсном режиме в схеме с ОЭ
NF	Коэффициент эмиссии (неидеальности) для нормального режима
NR	Коэффициент эмиссии (неидеальности) для инверсного режима
ISE*	Ток насыщения утечки перехода база-эмиттер		А
ISC*	Ток насыщения утечки перехода база-коллектор		А
ISS	Ток насыщения p-n перехода подложки		А
NS	Коэффициент эмиссии тока p-n-перехода подложки
IKF*	Ток начала спада зависимости BF oт тока коллектора в нормальном режиме		А
IKR*	Ток начала спада зависимости BR от тока эмиттера в инверсном режиме		А
NE*	Коэффициент эмиссии тока утечки эмиттерного перехода	1,5
NC*	Коэффициент эмиссии тока утечки коллекторного перехода
NK	Коэффициент перегиба при больших токах	0.5
VAF	Напряжение Эрли в нормальном режиме		В
VAR*	Напряжение Эрли в инверсном режиме		В
RC	Объемное сопротивление коллектора		Ом
RE	Объемное сопротивление эмиттера		Ом
RB	Объемное сопротивление базы (максимальное) при нулевом смещении перехода база-эмиттер		Ом
RBM*	Минимальное сопротивление базы при больших токах	RB	Ом
IRB*	Ток базы, при котором сопротивление базы уменьшается на 50% полного перепада между RB и RBM		А
TF	Время переноса заряда через базу в нормальном режиме		с
TR	Время переноса заряда через базу в инверсном режиме		с
XTF	Коэффициент, определяющий зависимость TF от смещения база-коллектор
VTF	Напряжение, характеризующее зависимость TF от смещения база-коллектор		В
ITF	Ток, характеризующий зависимость ТF от тока коллектора при больших токах		А
PTF	Дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора		град.
CJE	Емкость эмитгерного перехода при нулевом смещении		пФ
VJE (РЕ)	Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер	0,75	В
MJE (ME)	Коэффициент, учитывающий плавность эмиттерного перехода	0,33
CJC	Емкость коллекторного перехода при нулевом смещении		Ф
VJC (PC)	Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор	0,75	В
MJC (MC)	Коэффициент, учитывающий плавность коллекторного перехода	0,33
CJS (CCS)	Емкость перехода коллектор-подложка при нулевом смещении		Ф
VJS (PS)	Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка	0,75	В
MJS (MS)	Коэффициент, учитывающий плавность перехода коллектор-подложка
XCJC	Коэффициент расщепления барьерной емкости база-коллектор по отношению к внутренней базе		~
FC	Коэффициент нелинейности барьерных емкостей прямосмещенных переходов	0,5
EG	Ширина запрещенной зоны	1,11	эВ
XTB	Температурный коэффициент BF и ВR		-;
XTI (PT)	Температурный экспоненциальный коэффициент для тока IS		-;
TRE1	Линейный температурный коэффициент RE		C^-1
TRE2	Квадратичный температурный коэффициент RЕ		C^-²
TRB1	Линейный температурный коэффициент RВ		C^-1
TRB2	Квадратичный температурный коэффициент RB		C^-²
TRM1	Линейный температурный коэффициент RВМ		C^-1
TRM2	Квадратичный температурный коэффициент RВМ		C^-²
TRC1	Линейный температурный коэффициент RС		C^-1
TRC2	Квадратичный температурный коэффициент RС		C^-²
KF	Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума
AF	Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход
T_MEASURED	Температура измерений	-;	°С
T_ABS	Абсолютная температура	-;	°С
T_REL_GLOBAL	Относительная температура	-;	°C
T_REL_LOCAL	Разность между температурой транзистора и модели-прототипа		°C
* Для модели Гуммеля-Пуна.

Рис. 2. Модель биполярного транзистора

2. Арсенид-галлиевый полевой транзистор (GaAsFET)

Формат схем МС7:

Атрибут PART: <�имя>

Атрибут VALUE: [Area] [OFF] [IC=[, Vgs]]

Атрибут MODEL: [имя модели]

Параметр Area задает коэффициент кратности для учета подключения нескольких параллельных транзисторов (параметры модели транзистора умножаются или делятся на эту величину). Параметр IC (Initial Conditions) задает начальное напряжение сток-исток Vds и затвор-сток Vgs при расчете переходных процессов, если на панели Transient Analysis Limits выключена опция Operating Point. Включение ключевого слова OFF исключает транзистор из схемы при проведении первой итерации расчета режима по постоянному току.

Модель арсенид-галлиевого полевого транзистора задается в виде:

.MODEL <�имя модели>GASFET [(параметры модели)]

Арсенид-галлиевые полевые транзисторы (GaAsFET) являются приборами с каналом n-типа и имеют три модели, предложенные Куртисом (Curtice), Рэйтеоном (Raytheon) и TriQuint модель. Модель Куртиса дает удовлетворительные результаты лишь при расчете статического режима. Остальные модели отражают и динамические характеристики арсенид-галлиевого транзистора. Параметры трех математических моделей приведены в табл. 3.

Таблица 3. Параметры модели арсенид-галлиевого транзистора


Обозначение	Параметр	Значение по умолчанию	Единица измерения
LEVEL	Тип модели: 1 — модель Куртиса, 2 — модель Рэйтеона, 3 — модель TriQuint
VTO	Барьерный потенциал перехода Шоттки или пороговое напряжение	— 2,5	В
ALPHA	Коэффициент для напряжения насыщения тока стока	2,0	1/В
В	Параметр легирования (Level=2)	0,3	1/В
BETA	Удельная крутизна (удельная передаточная проводимость)	0,1	А/В²
LAMBDA	Параметр модуляции длины канала		1/В
GAMMA	Параметр статической обратной связи (для Level=3)
DELTA	Параметр выходной обратной связи (для Level=3)		(АВ)^-1
Q	Показатель степени (для Level=3)		—
RG	Объемное сопротивление области затвора		Ом
RD	Объемное сопротивление области стока		Ом
RS	Объемное сопротивление области истока		Ом
CGD	Емкость затвор-сток при нулевом смещении		Ф
CGS	Емкость затвор-исток при нулевом смещении		Ф
CDS	Емкость сток-исток фиксированная		Ф
IS	Ток насыщения р-n-перехода затвор-канал	1E-14	А
M	Коэффициент плавности p-n-перехода затвора	0,5
N	Коэффициент эмиссии p-n-перехода затвор-канал		—
FC	Коэффициент нелинейности барьерной емкости прямосмещенного p-n-перехода затвора	0,5
VBI	Контактная разность потенциалов р-n-перехода затвора		В
EG	Ширина запрещенной зоны	1,11	эВ
XTI	Температурный коэффициент тока IS
VDELTA	Напряжение, входящее в выражения для емкостей переходов (для Level=2 и 3)	0,2	В
VMAX	Максимальное напряжение, входящее в выражения для емкостей переходов (для Level=2 и 3)	0,5	В
VTOTC	Температурный коэффициент VTO		В/°С
ВЕТАТСЕ	Температурный экспоненциальный коэффициент BETA		%/C
TRG1	Линейный температурный коэффициент RG		1/°С
TRD1	Линейный температурный коэффициент RD		1/°С
TRS1	Линейный температурный коэффициент RS		1/°С
KF	Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума
AF	Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход
T_MEASURED	Температура измерения	—	°С
T_ABS	Абсолютная температура	—	°С
T_REL_GLOBAL	Относительная температура	—	°С
T_REL_LOCAL	Разность между температурой транзистора и модели-прототипа		°С

Рис. 4. Модель арсенидгаллиевого полевого транзистора

3. Полевой транзистор (JFET)

Формат схем МС:

Атрибут PART: <�имя>

Атрибут VALUE: [Area] [OFF] [IC=[, Vgs]]

Атрибут MODEL: [имя модели]

.MODEL <�имя модели> NJF [(параметры модели)]

.MODEL <�имя модели> PJF [(параметры модели)]

Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом описываются моделью Шихмана-Ходжеса.

Таблица 5. Параметры модели полевого транзистора


Обозначение	Параметр	Значение по умолчанию	Единица измерения
VTO	Пороговое напряжение	— 2	В
BETA	Коэффициент пропорциональности (удельная передаточная проводимость	1E-4	А/В²
LAMBDA	Параметр модуляции длины канала		1/В
IS	Ток насыщения р-n-перехода затвор-канал	1E-14	А
RD	Объемное сопротивление области стока		Ом
RS	Объемное сопротивление области истока		Ом
CGD	Емкость перехода затвор-сток при нулевом смещении		Ф
CGS	Емкость перехода затвор-исток при нулевом смещении		Ф
M	Коэффициент плавности перехода затвор-исток	0,5
FC	Коэффициент нелинейности емкостей переходов при прямом смещении	0,5	"
PB	Контактная разность потенциалов р-n-перехода затвора		В
VTOTC	Температурный коэффициент VTO		В/°С
ВЕТАТСЕ	Температурный экспоненциальный коэффициент BETA		%/°С
XTI	Температурный коэффициент тока IS		—
KF	Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума
AF	Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока
T_MEASURED	Температура измерения	—	°С
T_ABS	Абсолютная температура	—	°С
T_REL_GLOBAL	Относительная температура	—	°С
T_REL_LOCAL	Разность между температурой транзистора и модели-прототипа		°С

Рис. 6. Модель полевого транзистора с управляющим p-n переходом

4. МОП-транзистор (MOSFET)

Формат схем МС:

Атрибут PART: <�имя>

Атрибут VALUE:

[L=<�значение>] [W=<�значение>][АD=<�значение>]

[АS=<�значение>]

+ [РD=<�значение>] [РS=<�значение>] [NRD=<�значение>] [NRS=<�значение>]

+ [NRG=<�значение>] [NRВ=<�значение>] [OFF] [IC=< Vds>[, Vgs[, Vbs]]]

Атрибут MODEL: [имя модели]

Параметр IC задает начальное напряжение сток-исток Vds, затвор-сток Vgs и затвор-подложка Vbs при расчете переходных процессов, если на панели Transient Analysis Limits выключена опция Operating Point. Включение ключевого слова OFF исключает транзистор из схемы при проведении первой итерации расчета режима по постоянному току. Параметры L и W могут быть заданы при описании модели МОП-транзистора по директиве. MODEL; кроме того, параметры L, W, AD и AS по умолчанию принимают значения, присваиваемые в диалоговом окне Global Settings

Таблица 7. Физико-топологические параметры МОП-транзистора


Обозначение	Параметр	Значение по умолчанию	Размерность
L	Длина канала	DEFL	м
W	Ширина канала	DEFW	м
AD	Площадь диффузионной области стока	DEFAD	м
AS	Площадь диффузионной области истока	DEFAS	м
PD	Периметр диффузионной области стока		м
PS	Периметр диффузионной области истока		м
NRD	Удельное относительное сопротивление стока		—
NRS	Удельное относительное сопротивление истока		—
NRG	Удельное относительное сопротивление затвора		—
NRB	Удельное относительное сопротивление подложки		—

Модели МОП-транзисторов задаются в виде:

.MODEL <�имя модели> NMOS[(параметры модели)]

.MODEL <�имя модели>PMOS[(параметры модели)]

В программе МС7 МОП-транзисторы описываются тремя разными системами уравнений, выбор которых определяется параметром LEVEL, принимающим значения 1, 2 и 3. Модель первого уровня (LEVEL=1) используется в тех случаях, когда не предъявляются высокие требования к точности моделирования вольт-амперных характеристик транзистора, в частности, при моделировании МОП-транзисторов с коротким или узким каналом. Модели второго (LEVEL=2) и третьего (LEVEL=3) уровней учитывают более тонкие физические эффекты. Параметры трех математических моделей приведены в табл. 8.

Таблица 8. Параметры модели МОП-транзистора


Обозначение	Уровень модели LEVEL	Параметр	Значение по умолчанию	Единица измерения
LEVEL		Индекс уровня модели		-;
L	1−3	Длина канала	DEFL	м
W	1−3	Ширина канала	DEFW	м
LD	1−3	Глубина области боковой диффузии		м
WD	1−3	Ширина области боковой диффузии		м
VTO	1−3	Пороговое напряжение при нулевом смещении		В
КР	1−3	Параметр удельной крутизны	2E-5	А/В²
GAMMA	1−3	Коэффициент влияния потенциала подложки на пороговое напряжение		В¹^/2
PHI	1−3	Поверхностный потенциал сильной инверсии	0,6	В
LAMBDA	1,2	Параметр модуляции длины канала		1/В
RD	1−3	Объемное сопротивление стока		Ом
RS	1−3	Объемное сопротивление истока		Ом
RG	1−3	Объемное сопротивление затвора		Ом
RB	1−3	Объемное сопротивление подложки		Ом
RDS	1−3	Сопротивление утечки сток-исток		Ом
RSH	1−3	Удельное сопротивление диффузионных областей истока и стока		Ом/кв.
IS	1−3	Ток насыщения р-n-перехода сток-подложка (исток-подложка)	1E-14	А
JS	1−3	Плотность тока насыщения перехода сток (исток)-подложка		А/м²
JSSW	1−3	Удельная плотность тока насыщения (на длину периметра)		А/м
PB	1−3	Напряжение инверсии приповерхностного слоя подложки	0,8	В
PBSW	1−3	Напряжение инверсии боковой поверхности р-n-перехода	PB	В
N	1−3	Коэффициент неидеальности перехода подложка-сток (исток)
CBD	1−3	Емкость донной части перехода сток-подложка при нулевом смещении		Ф
CBS	1−3	Емкость донной части перехода исток-подложка при нулевом смещении		Ф
CJ	1−3	Удельная емкость донной части р-n-перехода сток (исток)-подложка при нулевом смещении (на площадь перехода)		Ф/м²
CJSW	1−3	Удельная емкость боковой поверхности перехода сток (исток)-подложка при нулевом смещении (на длину периметра)		Ф/м
MJ	1−3	Коэффициент, учитывающий плавность донной части перехода подложка-сток (исток)	0,5
MJSW	1−3	Коэффициент, учитывающий плавность бокового перехода подложка-сток (исток)	0,33
FC	1−3	Коэффициент нелинейности барьерной емкости прямосмещенного перехода подложки	0,5
CGSO	1−3	Удельная емкость перекрытия затвор-исток (за счет боковой диффузии)		Ф/м
CGDO	1−3	Удельная емкость перекрытия затвор-сток на длину канала (за счет боковой диффузии)		Ф/м
CGBO	1−3	Удельная емкость перекрытия затвор-подложка (за счет выхода затвора за пределы канала)		Ф/м
TT	1−3	Время переноса заряда через р-n-переход		с
NSUB	2, 3	Уровень легирования подложки	Нет	1/см³
NSS	2,3	Плотность медленных поверхностных состояний на границе кремний-подзатворный оксид	Нет	1/см²
NFS	2,3	Плотность быстрых поверхностных состояний на границе кремний-подзатворный оксид		1/см²
TOX	1−3	Толщина оксидной пленки	1E-7	м
TPG	2,3	Тип материала затвора (+1 — легирование затвора примесью того же типа, как и для подложки; -1 — примесью противоположного типа; 0 — металл)
XJ	2,3	Глубина металлургического перехода областей стока и истока		м
UO	2,3	Поверхностная подвижность носителей		см²/В/с
UCRIT		Критическая напряженность поля, при которой подвижность носителей уменьшается в два раза	1E4	В/см
UEXP		Экспоненциальный коэффициент снижения подвижности носителей
UTRA		Коэффициент снижения подвижности носителей		м/с
GDSNOI	1−3	Коэффициент дробового шума канала
NLEV	1−3	Выбор шумового уравнения
VMAX	2, 3	Максимальная скорость дрейфа носителей		м/с
NEFF		Эмпирический коэффициент коррекции концентрации примесей в канале
XQC	2, 3	Доля заряда канала, ассоциированного со стоком
DELTA	2, 3	Коэффициент влияния ширины канала на пороговое напряжение
THETA		Коэффициент модуляции подвижности носителей под влиянием вертикального поля		1/В
ETA		Параметр влияния напряжения сток-исток на пороговое напряжение (статическая обратная связь)
KAPPA		Фактор поля насыщения (Параметр модуляции длины канала напряжением сток-исток)	0,2
KF	1−3	Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер-шума
AF	1−3	Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер-шума от тока через переход
T_MEASURED	1−3	Температура измерения	-;	°С
T_ABS	1−3	Абсолютная температура	-;	°С
T_REL_GLOBAL	1−3	Относительная температура	-;	°С
T_REL_LOCAL	1−3	Разность между температурой транзистора и модели-прототипа	-;	°С

Рис. 9. Модель полевого транзистора с изолированным затвором (МОП-транзистора).

5. Операционный усилитель (ОРАМР)

Формат схем МС:

Атрибут PART: <�имя> Атрибут MODEL: [имя модели]

В программе МС7 имеются модели операционных усилителей трех типов:

LEVEL 1 — простейшая линейная модель, представляющая собой источник тока, управляемый напряжением. ОУ имеет конечное выходное и бесконечное входное сопротивление (тем не менее выводы питания ОУ нужно подключить к схеме, так как в модели они подсоединены к «земле» через сопротивления 1 Ом), рис. 10, а;

LEVEL 2 — более сложная линейная модель, состоящая из трех каскадов и имитирующая два полюса передаточной функции ОУ, ограничение скорости нарастания выходного напряжения, конечный коэффициент усиления и конечное выходное сопротивление, рис. 10, б;

LEVEL 3 — нелинейная модель, аналогичная той, что применяется в программе PSpice. В ней учитываются ограничения на скорость нарастания выходного напряжения, значения выходного сопротивления на постоянном и переменном токе, ток и напряжение смещения, запас по фазе на частоте единичного усиления, площадь усиления, коэффициент подавления синфазного сигнала, реальные значения диапазона выходного напряжения и тока, рис. 10, в, г. Возможен выбор типа входного дифференциального каскада (на биполярных или полевых транзисторах). Все они имеют одинаковую графику символов. В отличие от программы PSpice, в которой модель ОУ описывается только как макромодель, в программе МС7 также используются и встроенные модели ОУ (LEVEL =1, 2, 3), что упрощает работу с ними и повышает скорость моделирования. Модель ОУ задается по директиве: .MODEL <�имя модели> ОРА ([список параметров])

Перечень параметров модели ОУ приведен в табл. 11.

а)

б)

в)

Рис. 10. Модели операционного усилителя первого (а), второго (б) и третьего (в) уровней LEVEL

Таблица 11. Параметры моделей операционных усилителей


Обозначение	Уровень модели LEVEL	Параметр	Размерность	Значение по умолчанию
LEVEL	1—3	Уровень модели (1, 2, 3)	—
TYPE		Тип входного транзистора: 1 — NPN, 2 — PNP, 3 — JFET
С		Емкость коррекции	Ф	30E-12
A	1—3	Коэффициент усиления на постоянном токе	~	2E5
ROUTAC	1 —3	Выходное сопротивление по переменному току	Ом
ROUTDC	1 —3	Выходное сопротивление по постоянному току	Ом
VOFF		Напряжение смещения нуля	В	0,001
IOFF		Разность входных токов смещения	А	1E-9
SRP	2,3	Максимальная скорость нарастания выходного напряжения	В/с	5E5
SRN	2,3	Максимальная скорость спада выходного напряжения	В/с	5E5
IBIAS		Входной ток смещения	А	1E-7
VCC		Положительное напряжение питания	В
VEE		Отрицательное напряжение питания	В	— 15
VPS		Максимальное выходное положительное напряжение	В
VNS		Максимальное выходное отрицательное напряжение	В	— 13
CMRR		Коэффициент подавления синфазного сигнала		10E5
GBW	2, 3	Площадь усиления (равна произведению коэффициента усиления, А на частоту первого полюса)		1E6
PM	2, 3	Запас по фазе на частоте единичного усиления	град.
PD		Рассеиваемая мощность	Вт	0,025
IOSC		Выходной ток короткого замыкания	А	0,02
T_MEASURED		Температура измерений	°С	—
T_ABC		Абсолютная температура	°С	—
T_REL_GLOBAL		Относительная температура	°С	—
T_REL_LOCAL		Разность между температурой устройства и модели-прототипа	°С

Заключение

MicroCAP-7 — это универсальный пакет программ схемотехнического анализа, предназначенный для решения широкого круга задач. Характерной особенностью этого пакета, впрочем, как и всех программ семейства MicroCAP (MicroCAP-3… MicroCAP-8) [1, 2], является наличие удобного и дружественного графического интерфейса, что делает его особенно привлекательным для непрофессиональной студенческой аудитории. Несмотря на достаточно скромные требования к программно-аппаратным средствам ПК (процессор не ниже Pentium II, ОС Windows 95/98/ME или Windows NT 4/2000/XP, память не менее 64 Мб, монитор не хуже SVGA), его возможности достаточно велики. С его помощью можно анализировать не только аналоговые, но и цифровые устройства. Возможно также и смешанное моделирования аналого-цифровых электронных устройств, реализуемое в полной мере опытным пользователем пакета, способным в нестандартной ситуации создавать собственные макромодели, облегчающие имитационное моделирование без потери существенной информации о поведении системы.

1. Разевиг В. Д. Система схемотехнического моделирования Micro-Cap V. — Москва, «Солон», 1997. — 273 с. 621.3 Р17 /1997 — 1 аб, 3 чз

2. Разевиг В. Д. Система сквозного проектирования электронных устройств Design Lab 8.0. — Москва, «Солон», 1999. 004 Р-17 /2003 — 1 аб/ 2000 — 11 аб, 5 чз

3. Карлащук В. И. Электронная лаборатория на IBM PC. Программа Electronics Workbench и ее применение.— Москва: Солон-Р, 2001. — 726 с. 004 K23/ 10 аб, 5 чз.

Показать весь текст

Заполнить форму текущей работой