Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработка и применение физико-топологической модели мощного полевого транзистора с барьером Шоттки и моделей микрополосковых линий для проектирования монолитных и квазимонолитных СВЧ схем на арсениде галлия

Диссертация: Разработка и применение физико-топологической модели мощного полевого транзистора с барьером Шоттки и моделей микрополосковых линий для проектирования монолитных и квазимонолитных СВЧ схем на арсениде галлия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Результаты по моделям и моделированию МПЛ, НО Ланге, ФТМ GaAs ПТШ и методике определения электрофизических параметров структур, изложенные в диссертации, получены лично автором. Автором была разработана программа «WAXNEW». Разработка программ расчета СВЧ монолитных схем «ДИСАПР-2» и «SAPR» выполнена автором (в части моделей пассивных элементов) совместно с В. И. Гуляевым и А. Ф. Скрипниковой… Читать ещё >

Разработка и применение физико-топологической модели мощного полевого транзистора с барьером Шоттки и моделей микрополосковых линий для проектирования монолитных и квазимонолитных СВЧ схем на арсениде галлия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Моделирование микрополосковых линий и элементов интегральных схем СВЧ на их основе
    • 1. 1. Состояние вопроса
    • 1. 2. Моделирование одиночной микрополосковой линии
      • 1. 2. 1. Модель МПЛ в квазистатическом ТЕМ —приближении
      • 1. 2. 2. Учет потерь в МПЛ
      • 1. 2. 3. Учет дисперсионных характеристик £едф и рф
      • 1. 2. 4. Использование модели отрезка одиночной МПЛ в программах анализа и оптимизации линейных СВЧ схем «ДИСАПР-2» и «SAPR»
    • 1. 3. Модель двухпроводной связанной микрополосковой линии
    • 1. 4. Модель направленного ответвителя Ланге с четным числом связанных линий
    • 1. 5. Выводы по Главе 1
  • Глава 2. Разработка аналитической модели СВЧ полевого транзистора с барьером Шоттки на основе арсенида галлия
    • 2. 1. Введение
    • 2. 2. Выбор малосигнальной электрической эквивалентной схемы ПТШ, .,
    • 2. 3. Обзор физических моделей полевого СВЧ транзистора на основе GaAs
      • 2. 3. 1. Обзор результатов исследования физики работы GaAs ПТШ с помощью математических моделей
      • 2. 3. 2. Аналитические модели полевого транзистора с барьером Шоттки на арсениде галлия
    • 2. 4. Разработка аналитической модели GaAs ПТШ
      • 2. 4. 1. Режим работы ПТШ с управлением тока канала ОПЗ БШ
      • 2. 4. 2. Субпороговый режим работы ПТШ
      • 2. 4. 3. Режим работы ПТШ с прямым включением затвора
      • 2. 4. 4. Учет в физикотопологической модели и эквивалентной схеме мощного
  • СВЧ ПТШ распределенных эффектов структуры
    • 2. 4. 5. Паразитные межэлектродные емкости ПТШ
    • 2. 4. 6. Паразитные емкости корпуса
    • 2. 5. Разработка тестовых структур для измерения профилей легирования и дрейфовой подвижности носителей заряда в слабом электрическом поле
    • 2. 6. Определение значений максимальной и насыщенной дрейфовых скоростей и критического электрического поля
    • 2. 7. Определение параметров полупроводниковой структуры с использованием результатов измерения В АХ готового ПТШ
    • 2. 8. Экспериментальная проверка расчета ВАХ по ФТМ в режиме прямого включения БШ на примере одноштыревого ПТШ
    • 2. 9. Моделирование мощного СВЧ ПТШ на GaAs. Учет саморазогрева канала и влияния температуры окружающей среды
    • 2. 9. 1. Определение температуры в канале ПТШ
    • 2. 9. 2. Температурные зависимости параметров GaAs и барьера Шоттки
    • 2. 9. 3. Определение теплового сопротивления мощного ПТШ
    • 2. 9. 4. Экспериментальная проверка результатов расчета ВАХ, зависимостей элементов СВЧ ЭС ПТШ от режима смещения и S-параметров при прямом монтаже кристалла ПТШ
    • 2. 9. 5. Предельные усилительные характеристики 600 мкм ПТШ
    • 2. 9. 6. Сравнение результатов моделирования и измерения параметров ПТШ на структурах n+ n — i GaAs, выращенных по технологии МЛЭ
    • 2. 10. Температурные изменения параметров GaAs ПТШ
    • 2. 11. Влияние субмикронной длины затвора на характеристики GaAs ПТШ
    • 2. 12. Расчет характеристик ПТШ на нитриде галлия
    • 2. 13. Выводы по Главе
  • Глава 3. Разработка ПТ на GaAs и гетероструктурах ALGaAs/GaAs, ALGaAs/InGaAs/GaAs
    • 3. 1. Постановка задачи
    • 3. 2. Разработка мощного гетероструктурного ПТ
    • 3. 3. Разработка МЛЭ структуры «аналог-САГМК»
    • 3. 4. Разработка мощного псевдоморфного ПТ
    • 3. 5. Выводы по Главе 3

Актуальность работы.

Монолитные интегральные схемы (МИС) на основе арсенида галлия интенсивно развиваются свыше 20 лет в России и зарубежом. В последние 5 лет МИС СВЧ интенсивно внедряются в системы вооружения, космические аппараты, навигацию, измерительную технику, спутниковое телевидение и сотовую индивидуальную связь.

Преимущества МИС СВЧ над гибридными ИС заключаются в объединении на кристалле активных элементов (диодов и полевых транзисторов с барьером Шоттки (ПТШ)) и пассивных элементов (резисторов, индуктивностей, конденсаторов и микрополосковых линий (МПЛ)), что при высоких полуизолирующих и диэлектрических свойствах i-GaAs и толщинах подложки GaAs 75 -125 мкм позволяет существенно сократить габариты и массу ИС и, в целом, радиоэлектронной аппаратуры СВЧ. Малые размеры ИС позволяют применить при изготовлении МИС СВЧ групповые полупроводниковые технологии и реализовать массовый выпуск идентичных СВЧ изделий, столь необходимых, например, при создании активных антенных фазированных решеток для PJIC.

Высокая стоимость полупроводниковой технологии изготовления и отсутствие возможности индивидуальной настройки выдвигают повышенные требования к точности проектирования МИС СВЧ. Эффективность компьютерных средств (программ) расчета МИС СВЧ на арсениде галлия определяется точностью заложенных в них моделей СВЧ активных и пассивных элементов. К моделям элементов, используемым в программах инженерного расчета, предназначенных для анализа и оптимизации МИС СВЧ, также предъявляются жесткие требования по использованию малых ресурсов ЭВМ и расчетного времени, определяющие эффективность систем проектирования.

К началу работы диссертанта по созданию различных МИС СВЧ в ОАО «Октава» (1987 г.) в зарубежной и отечественной литературе имелось большое количество публикаций по моделированию элементов ГИС СВЧ — дискретного полевого транзистора на арсениде галлия и одиночных и связанных МПЛ на диэлектрических керамических подложках. Однако, информация по результатам исследования интегрального ПТШ на GaAs и МПЛ имела фрагментарный характер.

Цель работы.

Цель работы заключалась в исследовании, разработке и применении фи-зикотопологической модели интегрального полевого транзистора с барьером Шоттки, а также моделей одиночной и связанных микрополосковых линий при проектировании монолитных (квазимонолитных) СВЧ схем на арсениде галлия.

Для реализации поставленной цели было необходимо решить следующий комплекс задач:

1) Провести анализ существующих физикотопологических и электрических моделей СВЧ транзистора с барьером Шоттки (ПТШ) на GaAs с точки зрения их применимости к инженерным расчетам МИС СВЧ;

2) Разработать физикотопологическую модель (ФТМ) интегрального GaAs ПТШ, программу расчета ВАХ и элементов СВЧ эквивалентной схемы ПТШ и методику определения физических параметров для ФТМ ПТШ;

3) Провести анализ существующих моделей одиночной и связанных МПЛ с точки зрения их применимости при проектировании МИС СВЧ на GaAs. При необходимости, разработать такие модели;

4) Включить разработанные модели МПЛ на GaAs в программу расчета СВЧ схем «ДИСАПР», разработанную на предприятии ОАО «Октава»;

5) Применить разработанные модели одиночной и связанных МПЛ, физикотопологическую и электрическую модели GaAs ПТШ в разработках усилителей мощности СВЧ диапазона.

Методы исследования.

При создании моделей ПТШ и МПЛ применены методы математического моделирования полупроводниковых приборов и линий передачи СВЧ, методы прикладной математики и методы экспериментального определения электрофизических параметров полупроводниковых монои гетероструктур. Применены методы экспериментальных исследований МПЛ и устройств на их основе, ПТШ и квазимонолитных (гибридно-монолитных) ИС в диапазоне СВЧ.

Проверка разработанных моделей GaAs ПТШ производилась на основе опубликованных в литературе и собственных результатов экспериментальных исследований ПТШ, одиночных и связанных МПЛ, направленных ответвителей Ланге.

Выращивание полупроводниковых монои гетероструктур, используемых при создании мощных ПТШ, производилось методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) сотрудниками ИФП СОР АН (г. Новосибирск).

Научная новизна работы.

1. Разработана новая модель одиночной микрополосковой СВЧ линии в квази-ТЕМ-приближении. Разработанная модель точнее, чем модель Н.А. Wheeler — R.A. Pucel, рассчитывает эффективную диэлектрическую проницаемость и потери СВЧ мощности в МПЛ (включая случаи с малыми w/h и большими бг). В модели учтены дисперсионные характеристики эффективной диэлектрической проницаемости (вЭфф (/)) и волнового сопротивления МПЛ (рф).

2. Разработана новая модель связанной двухпроводной микрополосковой линии (СМПЛ) в квазиТЕМ — приближении. Модель на четной и нечетной модах возбуждения полосков более точно, чем модель S. Akhtarzad et al., описывает характеристики СМПЛ на различных подложках. Впервые получены аналитические выражения для потерь в полосках СМПЛ. В модели учтены дисперсионные характеристики эффективной диэлектрической проницаемости и волнового сопротивления на четной и нечетной модах возбуждения.

3. Впервые разработана модель направленного ответвителя Ланге, в которой учитываются потери и дисперсия эффективной диэлектрической проницаемости и волнового сопротивления. Модель адекватно отображает измеренные характеристики, НО на подложках GaAs и керамики в диапазоне до 18 ГГц.

4. Разработана аналитическая физикотопологическая модель мощного субмикронного полевого транзистора с барьером Шоттки, которая из электрофизических параметров GaAs и геометрии многоштыревого ПТШ позволяет рассчитать ВАХ и элементы малосигнальной эквивалентной схемы в наклонной и пологой частях ВАХ в следующих режимах работы ПТШ: управления тока канала областью пространственного заряда (ОПЗ) барьера Шоттки (БШ) — прямого включения БШ, аналитическая модель которого впервые предложена диссертантом, и запирания канала.

Впервые в аналитической модели во всех рассматриваемых режимах работы ПТШ учитывается явление саморазогрева канала токами стока и затвора, и имеется возможность рассчитывать характеристики ПТШ в диапазоне температур окружающей среды (теплоотвода) примерно от 150 до 600 °К.

5. Показана возможность использования модели ПТШ без учета баллистического всплеска скорости дрейфа электронов для расчета характеристик GaAs и GaN ПТШ с длинами затвора вплоть до 0,2 мкм.

Практическая значимость работы.

1. Созданы программы расчета ВАХ и элементов эквивалентной схемы GaAs ПТШ — «WAXNEW» и малосигнальных характеристик ПТШ и однокас-кадного усилителя на его основе с применением S-параметров эквивалентной схемы ПТШ — «POLEVM».

2. Разработана система определения электрофизических параметров для ФТМ ПТШ на GaAs (программы «WAXNEW»), которая включает:

— собранную из опубликованных теоретических и экспериментальных исследований базу данных по транспортным и другим электрофизическим свойствам GaAs n-типа в широком диапазоне температур;

— разработанный метод экспериментального определения профиля концентрации носителей (легирования) и подвижности электронов в канале под затвором ПТШ, который позволяет определить профили параметры монои гете-роструктур со сверхтонкими слоями. Метод внедрен в ОАО «Октава» при оценке надежности конструкций квази-МИС СВЧ на GaAs;

— разработанный метод определения параметров омических контактов с учетом различия слоевого сопротивления слоя полупроводника между омическими контактами и под самими омическими контактамиметод определения параметров барьера Шоттки.

3. Достоверность разработанной модели ПТШ проверена на ряде данных по измерениям статических и динамических характеристик СВЧ GaAs ПТШ, полученных как в процессе собственных, так и заимствованных из публикаций исследований. Полученное соответствие измеренных и рассчитанных по модели характеристик GaAs ПТШ при прямом и обратном монтаже кристалла позволяет достоверно прогнозировать СВЧ характеристики МИС и квази-МИС усилителей мощности на GaAs в диапазоне частот до 18ГГц;

4. Совместно с сотрудниками ИФП СОР АН разработаны с использованием технологии МЛЭ мощные ПТШ на структуре «аналог-САГМК» и гетерост-руктурные (ГС) ПТ двух типов: ГСПТ на структуре ALGaAs/GaAs (HFET) и псевдоморфный ГСПТ с легированной квантовой ямой на структуре AL-GaAs/InGaAs/GaAs-ALGaAs (РНЕМТ), обеспечивающие в диапазоне частот 12 -18 ГГц удельную выходную мощность 0,8 — 1,2 Вт/мм. Все указанные типы ПТ применены в гибридно-монолитных (квазимонолитных) усилителях мощности в диапазоне частот 2−18 ГГц.

5. Разработанные с непосредственным участием диссертанта программы для расчета МИС и ГИС СВЧ «ДИСАПР-2» и «SAPR», включающие разработанные модели пассивных СВЧ элементов, нашли широкое применение в НИР и ОКР, проводимых ОАО «Октава» при проектировании монолитных и квазимонолитных СВЧ схем на арсениде галлия в диапазоне частот до 18 ГГц.

6. С использованием разработанных моделей МПЛ и GaAs ПТШ на основе балансного сложения СВЧ мощности делителями/сумматорами Ланге и технологии изготовления УМ, основанной на конструкции «чипы на макрочипе» и унифицированном ряде интегральных СВЧ GaAs ПТШ, разработаны квазимонолитные усилители на GaAs, обеспечивающие в диапазоне частот 2−18 ГГц уровни выходной мощности 150 — 2000 мВт и коэффициенты усиления 4−16 дБ.

7. Разработанная модификация метода упрощенных тепловых эквивалентов, позволяющая рассчитывать тепловые сопротивления мощных СВЧ транзисторов и элементов монолитных и гибридных ИС, подтверждена экспериментальными данными, полученными автором и заимствованными из публикаций.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Модели одиночной МПЛ и двухпроводной СМПЛ в квази-ТЕМприближении с учетом потерь и дисперсии эффективной диэлектрической проницаемости и волнового сопротивления.

2. Модель, НО Ланге с учетом потерь и дисперсии эффективной диэлектрической проницаемости и волнового сопротивления.

3. Аналитическая ФТМ мощного субмикронного ПТШ с однородно легированным каналом и идеально изолированной подложкой, которая из электрофизических параметров GaAs и геометрии многоштыревого ПТШ позволяет рассчитать ВАХ и элементы малосигнальной ЭС ПТШ в наклонной и пологой частях ВАХ с учетом явления саморазогрева током в канале в следующих режимах работы: управления током канала ОПЗ БШ, прямого включения БШ и запирания ПТШ.

4. Результаты разработки мощных ПТШ на структуре «аналог-САГМК» и ГСПТ двух типов: ГСПТ на структуре ALGaAs/GaAs и псевдоморфного ГСПТ с легированной квантовой ямой на структуре ALGaAs/InGaAs/GaAs-ALGaAs, обеспечивающие в диапазоне 12−18ГГц уровень удельной выходной мощности 0,8−1,2 В т/мм.

5. Результаты разработки квази-МИС УМ на GaAs, обеспечивающие в диапазоне 2 -18ГТц уровни выходной мощности 150−2000мВт и коэффициенты усиления 4−16дБ.

Апробация результатов исследования.

Основные результаты исследований докладывались на следующих конференциях:

— Отраслевой семинар «Интегральные схемы на основе арсенида галлия», 27−29 янв.1983 г., Москва;

— 1999 IEEE-Rassian Conference: MIA-ME'99, г. Новосибирск;

— 5-я международная конференция «Актуальные проблемы Электронного приборостроения» АПЭП-2000″, г. Новосибирск;

— 6-я Международная научно — техническая конференция «Радиолокация, навигация, связь», 25 — 27 апр. 2000 г., г. Воронеж, — 6th International Conference APEIE-2002, г. Новосибирск;

— 3-я Всероссийская Конференция «Нитриды галлия, индия и алюминияструктуры и приборы», Физический Факультет МГУ, 2005 г., Москва- -16-я Международная Крымская конференция. СВЧ — техника и телекоммуникационные технологии. Материалы конференции. 11−15 сентября 2006 г., г. Севастополь.

— 17-я Международная Крымская конференция. СВЧ — техника и телекоммуникационные технологии. Материалы конференции. 10−14 сентября 2007 г., г. Севастополь.

Личный вклад автора.

Результаты по моделям и моделированию МПЛ, НО Ланге, ФТМ GaAs ПТШ и методике определения электрофизических параметров структур, изложенные в диссертации, получены лично автором. Автором была разработана программа «WAXNEW». Разработка программ расчета СВЧ монолитных схем «ДИСАПР-2» и «SAPR» выполнена автором (в части моделей пассивных элементов) совместно с В. И. Гуляевым и А. Ф. Скрипниковой. Методика и программа обработки профиля легирования и дрейфовой подвижности электронов в гетероструктурах «PROFIL» разработаны лично автором. Измерения параметров ПТШ (кроме S-параметров) и гетероструктур выполнены автором вместе с сотрудниками ОАО «Октава» — Н. В. Мончарес, Г. Ф. Узельманом и А. А. Шагабутдиновым. Разработка GaAs ПТШ и гетероструктурных ПТ выполнена по инициативе автора вместе с сотрудниками ОАО «Октава» — Н. В. Мончарес, Л. В. Щепиной и сотрудниками ИФП СОР АН — А. И. Тороповым, К. С. Журавлевым. Личный вклад автора включает формулировку целей и задач исследований ПТ и гетероструктур, выбор путей их решения, методик исследований и анализ полученных результатов. Разработка квазимонолитных усилителей СВЧ выполнена лично автором (УМ fpa6=9 -12ГГц) и вместе с сотрудниками. ОАО «Октава» Ю. Б. Мякишевым, В. А. Подухом (УМ^об=12−18ГГц), E.JI. Павловым (унифицированный ряд УМ) и Г. С. Зыковой, В. Г. Будаковым и А. Г. Зайцевым (УМ /Раб~ 8−18ГГц). Изготовление и измерение лабораторных и опытных образцов квазимонолитных усилителей СВЧ выполнены совместно с группой сотрудников ОАО «Октава». Анализ и обобщение результатов разработок УМ СВЧ и ПТ, изложенных в диссертации — выполнен лично автором. Разработка базовой конструкции квазимонолитных УМ СВЧ «чипы на макрочипе» выполнена Ю. Б. Мякишевым. В написании диссертации неоценимую помощь оказал научный руководитель автора — доцент Новосибирского государственного технического университета, к. т. н. B.C. Данилов.

Структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, библиографического списка цитируемой литературы и шести приложений.

3.5. Выводы по Главе 3.

1) Разработанный метод определения профиля легирования и профиля дрейфовой подвижности полевого транзистора со сверхтонкими слоями применен в процессе разработок мощных СВЧ ПТ на гетероструктурах n+GaAs-iALGaAs-nGaAs, n+GaAs-iALGaAsn+InGaAs — iGaAs и ALGaN/GaN.

2) Проведенное исследование связи уровня и расположения пиков концентрации в буфере структуры с уровнем СВЧ характеристик ПТШ на пластине позволяет на этапе формирования затвора (половина маршрута) ввести критерии качества буфера структуры и уровня легирования в канальном слое n-GaAs.

Введение

критериев позволяет осуществить отбраковку пластин с ПТШ и, таким образом, сократить трудоемкость изготовления ПТШ, годных по СВЧ параметрам.

3) Впервые в России получены образцы мощных гетероструктурных полевых транзисторов СВЧ с Р^=0.8−1.2Вт/мм с КПДд =51−60%, что в 1.5−2.0раза превышает уровень серийных ПТ. Экспериментальное опробование разработанных ПТ в квазимонолитных усилителях мощности продемонстрировало существенное увеличение выходных параметров усилителей СВЧ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1) Разработаны модели одиночной и связанной МПЛ, направленного от-ветвителя Ланге на GaAs и подложках ГИС СВЧ, которые позволяют адекватно рассчитывать характеристики СВЧ устройств в диапазоне частот до 18ГГц;

2) Разработана аналитическая физико-топологическая модель мощного СВЧ субмикронного ПТШ, которая из физических параметров GaAs и геометрии ПТШ позволяет рассчитать ВАХ и элементы СВЧ малосигнальной эквивалентной схемы в режимах управления тока канала ОПЗ БШ, прямого включения БШ, аналитическая модель которого впервые предложена диссертантом, и запирания канала — при прямом и обратном монтаже кристалла. Впервые в аналитической модели ПТШ учитывается явление саморазогрева канала токами стока и затвора и имеется возможность рассчитывать характеристики ПТШ в диапазоне температур окружающей среды 150 до 600°К.

3) С применением разработанной методики измерения профилей концентрации носителей заряда (легирования) и подвижности электронов и технологии МЛЭ впервые в России разработаны и применены в квази-МИС усилителях мощности диапазона частот 2−18ГГц мощные ПТШ на структуре «аналог-САГМК» и ГСПТ на гетероструктурах ALGaAs/GaAs (HFET) и ALGaAs/ InGaAs/GaAs-ALGaAs (РНЕМТ), обеспечивающие удельную выходную мощность 0,8 — 1,2Вт/мм, соответствующую зарубежному уровню.

4) На основе разработанных моделей GaAs ПТШ и МПЛ с использованием балансного сложения мощности кристаллов усилителей с помощью направленного ответвителя Ланге разработан унифицированный ряд квази-МИС усилителей мощности на GaAs в диапазоне частот 2−18ГГц с уровнями выходной мощности 150−2000мВт и коэффициентами усиления 4−16дБ.

Результаты, полученные в работе, рекомендуется использовать при дальнейших исследованиях физики и технологии ПТШ и ГСПТ, схемотехники и технологии МИС СВЧ на GaAs и других материалах А1ПВУ. Разработанную методику измерения профилей легирования и подвижности электронов рекомендуется использовать в производстве эпитаксиальных гетероструктур.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Е.И., Фиалковский А. Т. Полосковые линии передачи. — М.: Наука, 1980. 312 с.
  2. Автоматизированное проектирование устройств СВЧ. / Под ред. В. В. Никольского. — М.: Радио и связь, 1982. 272 с.
  3. А.И., Красноперкин В. М., Самохин Г. С., Силин Р. А. Современные методы и результаты квазистатического анализа полосковых линий и устройств. // Обзоры по электронной технике. Сер. 1. Электроника СВЧ. — 1991. — Вып. 1 (1602). — 102 с.
  4. В.М., Шунина М. Н. Расчет одиночной и связанных микрополосковых линий передачи // Вопросы радиоэлектроники. Сер. Радио измерительная техника. -1972. — Вып. 2. -С. 29−35.
  5. Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств./Под ред. В. И. Вольмана. М.: Радио и связь, 1982. — 328 с.
  6. Е., Jensen О. — Accurate model for microstrip computer-aided design // Proc. IEEE Int. Microwave Symp. 1980. P. 407 — 409.
  7. В.В. Аналитическая модель микрополосковой линии // Электронная техника. -Сер. СВЧ-техника. 1996. — Вып. 1 (467). — С. 66 -71
  8. Schnieder F., Heinrich W. Model of Thin-Film Microstrip Line for Circuit Design, IEEE Trans. -2001. Vol. MTT-49. — №. l.-P. 104−110.
  9. Wheeler H.A. Transmission-line properties of parallel strips separated by dielectric sheet // IEEE Trans. 1965. — Vol. MTT-13. -№. 2, Mar. — P. 172 — 185.
  10. Wheeler H.A. Transmission-line properties of parallel wide strips by conformal-mapping approximation // IEEE Trans. 1964. — Vol. MTT-12. — №. 5, Mar. — P. 280 — 289.
  11. Callarotti R.C., Gallo. A. On the Solution of a Microstripline with Two Dielectrics // IEEE Trans. 1984. — Vol. MTT-32. — №. 4. — P. 333 — 338.
  12. Wheeler H.A. Transmission-line properties of a strip on a dielectric sheet on a plane // IEEE Trans. 1977. — Vol. MTT-25. -№. 5. — P. 631 — 647.
  13. Poh S.Y., et al. Approximate Formulas for Line Capacitance and Characteristic Impedance of Microstrip Line // IEEE Trans. 1981. — Vol. MTT-29. -№. 2. -P. 135 — 142.
  14. Poh S.Y., et al. Corrections for Approximate Formulas for Line Capacitance and Characteristic Impedance of Microstrip Line // IEEE Trans. -1981. Vol. MTT-29. — №. 10. — P. 1119.
  15. Denlinger E.J. Losses of Microstrip Lines // IEEE Trans. 1980. — Vol. MTT-28. — №. 6. -P. 513−522.
  16. Pucel R.A., Masse D.J., Hartwig C.P. Losses in Microstrip //IEEE Trans-1968. -Vol. MTT-16. -№. 6. -P. 342 350.
  17. Pucel R.A., Masse D.J., Hartwig C.P. Corrections for Losses in Microstrip // IEEE Trans. -1968.-Vol. MTT-16.-№. 12.-P. 1064- 1066.
  18. Nishiki S., Yuki S. Transmission losses in thick line Microstrips // IEEE Trans. 1982. — Vol. MTT-30.-№. 7.- P. 1104−1107.
  19. B.E., Морозов А. А., Филатов A.JI. Экспериментальное исследование потерь микрополосковых линий монолитных интегральных схем на GaAs // Электронная техника. -Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1984. — Вып. 7(173). — С. 94 — 96.
  20. Goldfarb М.Е., Platzker A. Losses in GaAs Microstrip // IEEE Trans. 1990. — Vol. MTT-38. -№. 12.-P. 1957- 1963.
  21. Finlay H.J., Jansen R.H., et al. Accurate Characterization and Modeling of Transmission Lines for GaAs MMIC’s // IEEE Trans. 1988. Vol. MTT-36. — №. 6. — P. 961 — 966.
  22. В.В., Кононов А. Д., Хижа Г. С. Экспериментальное исследование эффективной диэлектрической проницаемости микрополосковых линий передачи на керамических подложках // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. — 1978. — Вып. 5. — С. 49 — 51.
  23. Н.А., Храпко A.M. Экспериментальное исследование дисперсии в несимметричной микрополосковой линии в диапазоне частот 6−36 ГГц // Электронная техника. -Сер. 1. Электроника СВЧ. 1979. — Вып. 10. — С. 15 — 19.
  24. Ю.Н. Модель микрополосковой линии в диапазоне СВЧ // Научный вестник НГТУ. 2007. -№ 1(26). — С. 47 — 58.
  25. Getsinger W.J. Microstrip Dispersion Model // IEEE Trans. 1973. — Vol. MTT-21. — №. 1. -P. 34−39.
  26. Pramanick P., Bhatia P. An accurate description of dispersion in Microstrip // Microwave Journal. 1983. — №. 12. — P. 89 -96.
  27. Bhatia P., Pramanick P. A New Dispersion Model //IEEE Trans.- 1984. Vol. MTT-32.- № 10. -P. 1379- 1384.
  28. Bianco В., al. Some Considerations about the Frequency Dependence of the Characteristic Impedance of Uniform Microstrips // IEEE Trans. 1978. — Vol. MTT-26. -№. 3. — P. 182 — 185.
  29. Getsinger W.J. Measurement and Modeling of the Apparent Characteristic Impedance of Micro-strip // IEEE Trans. 1983. — Vol. MTT-31. — №. 8. — P. 624 — 632.
  30. В.И., Нефедов Е. И. Объемные интегральные схемы СВЧ.-М.: Наука, 1985.-256с.
  31. К., Гардж Р., Чадха Р. Машинное проектирование СВЧ устройств. М.: Радио и связь, 1987.-430 с.
  32. В.И., Раков Ю. Н. Система автоматизированного проектирования СВЧ устройств в диалоговом режиме «ДИСАПР-2″ // Электронная техника. — Сер.1. Электроника СВЧ. 1990. — Вып. 9 (433). — С. 66 — 67.
  33. Yu.N. 0.4 Watt X-Band Quasimonolithic Amplifier-Design, Results, Comparative Analysis of Simulating Methods. 1999 IEEE-Russian Conf.: MIA-ME'99. — P. 1.21 — 1.25.
  34. Rizzoli V. The calculation of scattering parameters for coupled microstrip arrays of any cross section // Alta Frequenza. 1973. — Vol. XLII. — №. 4. — P. 191 — 199.
  35. Jansen R.H. High-speed computation of single and coupled microstrip parameters including dispersion modes, loss and finite strip thickness // IEEE Trans. 1978. — Vol. MTT-26. — №. 2. -P. 75 — 82.
  36. C.H., Ермолаев А. И., Тимофеев Е. П., Смыслов Г. М. Программа расчета матриц рассеяния отрезков многопроводных связанных микрополосковых линий передачи // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. — 1989. — Вып. 3 (417). — С. 70 — 72.
  37. Rizzoli V., Lipparini A. The design of interdigitated couplers for MIC applications // IEEE Trans. 1978. — Vol. MTT-26. — №. 1. — P. 7 — 15.
  38. B.M., Суворов B.H. Микрополосковые направленные ответвители // Вопросы радиоэлектроники. Сер. РИТ. — 1973. — Вып. 3. — С. 47 — 52- 1974. — Вып. 3. — С. 27 — 32.
  39. Tajima J., Kamihashi S. Multiconductor couplers // IEEE Trans. 1978. — Vol. MTT-26. -№.10.-P. 795−801.
  40. Kirschning M., Jansen R.H. Accurate Wide-Range Design Equations for the Frequency-dependent Characteristic of Parallel Coupled Microstrip Lines //IEEE Trans. -1984. -Vol. MTT-32. -№. l.-P. 83−90.
  41. Carg R., Bahl I.J. Characteristics of coupled microstriplines // IEEE Trans. 1979. — Vol. MTT-27. -№. 7. — P. 700 — 705- Vol. MTT-28. — №. 3. — P. 272.
  42. Bedair S. S. On the odd-mode capacitance of the coupled microstriplines // IEEE Trans. 1980. — Vol. MTT-28. — №. 11. — P. 1225 — 1227.
  43. Rizzoli V. Stripline interdigitated couplers: analysis and design considerations // Electronics Letters. 1975.-Vol. ll.-№. 6.-P. 392−393.
  44. Akhtarzad S., Rowbotham T.R., Johns R.B. The design of coupled microstrip lines // IEEE Trans. 1975. — Vol. MTT-23. -№. 6. — P. 486 — 492.
  45. Getsinger W.J. Dispersion of parallel-coupled microstrip // IEEE Trans. -1973. Vol. MTT-21. -№. 3.-P. 144−145.
  46. Rao R.R. Effect of loss and frequency dispersion on the performance of microstrip directional couplers and line filters // IEEE Trans. 1974. — Vol. MTT-22. -№. 7. — P. 747 — 750.
  47. Shepherd P.R., Pollard P.D. Direct calibration and measurement of microstrip structures on GaAs // IEEE Trans. 1986. — Vol. MTT-34. — №. 12. — P. 1421 — 1426.
  48. Ю.Я., Коганов Э. С., Струнский М. Г. Расчет электрической емкости. JL: Энергия. — 1981.-288 с.
  49. Napoli L.S., Hughes JJ. Characteristics of Coupled Microstrip Lines // RCA Review. 1970. -Sept.-P. 479−498.
  50. Waugh R., La Combe D. Unfolding the Lange Coupler // IEEE Trans. 1972. — Vol. MTT-20. — №. 11.-P. 777−779.
  51. Kumar M., Subbarao S.N., Menna R.J., Huang H.-Ch. Monolithic GaAs Interdigitated Couplers // IEEE Trans. 1983. — Vol. ED-30. -№. 1. — P. 29 — 32.
  52. Judd S.W., Whiteley I., Clowes R.J., Rickard D.C. An analytical Method for Calculating Micro-strip Transmission Line Parameters // IEEE Trans. 1970. -Vol. MTT-18. — №. 2. -P.78 — 87.
  53. Ю.Н. Модели двухпроводных микрополосковых линий и направленных ответвите-лей Ланге // Электронная техника. Сер. СВЧ-техника. — 1992. — Вып. 1 (445). — С. 11 — 18.
  54. Ю.Н., Данилов B.C. СВЧ модель спиральной индуктивности на основе решетки связанных линий // 6th International Conference APEIE-2002. С. 171 — 175.
  55. И., Иовдальский В. СВЧ ГИС. Основы технологии и конструирования М.: Техносфера, 2006. 352 с.
  56. В. Я., Данилин В.Н и др. Мощные полевые СВЧ транзисторы на арсениде галлия // Электронная техника. Сер. 2. — Полупроводниковые приборы. — 1978. -.№. 5 — 6. — С. 42−58.
  57. Cooper J. F., Gupta M. S. Microwave Characterisation of GaAs MESFET and the Verification of Device Model // IEEE Journal of Solid State Circuits. — 1977. — Vol.12. -№. 4. — P. 325 — 329.
  58. К. А., Пашинцев Ю. И., Петров Г. В. Применение контакта металл полупроводник в электронике. — М.: Радио и связь, 1981. — 304 с.
  59. Willing Н. A., de Santis P. Modelling of Gunn Domain Effects in GaAs MESFETs // Electronics Letters. — 1977.-Vol.-13.-№. 18. — P. 537 — 539.
  60. Dawson R. Equivalent Circuit of the Schottky- barrier Field-Effect Transistor at Microwave Frequencies II IEEE Trans. 1975. — Vol. MTT-23. — №. 6. — P. 499 — 501.
  61. Willing H. A., Raucher C., de Santis P. A Technique for Predicting Large-Signal Performance of a GaAs MESFET//IEEE Trans.- 1978.-Vol. MTT-26.-№. 12.-P. 1017- 1023.
  62. Wolf P. Microwave Properties of Schottky-barrier Field-Effect Transistors // IBM Journal of Research and Development. 1970. — Vol. 14, March. — P. 125 — 141.
  63. Sone J., Tokoyama Y. A Small-Signal Analytical Theory for GaAs Field-Effect Transistors at Large Drain Voltages // IEEE Trans. 1978. — Vol. ED-25. — №. 3. — P. 329 — 336.
  64. Statz H., Haus II. A., Pucel R. A. Noise Characteristics of GaAs Gallium Arsenide Field-Effect Transistors // IEEE Trans. 1974. — Vol. ED-21. — №. 9. — P. 549 — 562.
  65. Pucel R. A., Haus H. A., Statz H. Signal and Noise Properties of Gallium Arsenide Microwave Field-Effect Transistors // Advances in Electronics and Electron Physics. 1975. — Vol. 38. -P. 195 — 265. -N. J.: Academic Press.
  66. Sugeta Т., Ida M., Uchida M. Microwave Performance of GaAs-Schottky Barrier Gate FET’s // Review of the Electrical Communication Laboratories. 1975. — Vol. 23. — №.№. 11 — 12. —1. P. 1182- 1192.
  67. А. Б. Анализ работы полевого транзистора в пологой области ВАХ // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1978. -№. 8. — С. 8 — 16.
  68. А. Б. Расчет ВАХ ПТ с коротким каналом // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. — 1978.-Вып. 1.-С. 109−119.
  69. А. Б. Расчет структуры полевого транзистора, предназначенного для работы в оконечных каскадах малошумящих усилителей // Сб. науч. тр. Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Вып. 6. — М.: Радио и связь, 1981. — С. 312 — 322.
  70. Shur М. S. Analytical Model of GaAs MESFETs //IEEE Trans. 1978. — Vol. ED-25. — №. 6. -P. 612−618.
  71. Shur M. S. Small-Signal Nonlinear Circuit Model of GaAs MESFET // Solid-State Electronics.- 1979. Vol. 22. — P. 723 — 728.
  72. Willing H. A., Raucher C. Simulation of Nonlinear Microwave FET Performance Using a Quasi-Static Model II IEEE Trans. 1979. — Vol. MTT-27. — №. 10. — P. 834 — 840.
  73. Ю. H., Цаплин Г. И., Шашкевич И. А. Программа расчета динамических характеристик полевых транзисторов СВЧ, работающих в линейном режиме // Электронная техника.- Сер.1. Электроника СВЧ. 1983. — Вып. 3. — С. 67 — 68.
  74. , Y.- С. Bahrami М. Distributed Effect in GaAs MESFET // Solid State Electronics.1979. Vol. 22. — №. 12. — P. 1005 — 1009.
  75. К. M. Полевой транзистор как структура с распределенными параметрами (Линейное приближение) // Сб. научн. тр. Микроэлектроника и полупроводниковые приборы.1980.-Вып. 5.-С. 86−98.
  76. D. С., Hartnagel Н. L. Nonlinear Coupled Transmission Line Analysis for Second Harmonic Generation in Travelling-Wave GaAs MESFETs //IEEE Trans. 1986. -Vol. ED-33.- № 3. -P. 366−372.
  77. Abdipour A., Pacaud A. Complete Sliced Model of Microwave FET’s and Comparison with Lumped Model and Experimental Results // IEEE Trans. 1996. — Vol. MTT-44. — №. 1. — P. 4- 9.
  78. Wood J., Root D. E. Bias-Dependent Linear Scalable Millimetre-Wave FET Model // IEEE Trans. 2000. — Vol. MTT-48. — №. 12. — P. 2352 — 2359.
  79. G., Сарру A., Heliodore F., Playez E. A New Method for Determining the FET Small-Signal Equivalent Circuit // IEEE Trans. 1988. — Vol. MTT-36. -№. 7. — P. 1151 — 1159.
  80. Hughes В., Tasker P. J. Bias Dependence of the MODFET Intrinsic Model Elements Values at Microwave Frequencies // IEEE Trans. 1989. — Vol. ED-36. — №. 10. — P. 2267 — 2273.
  81. Berroth M., Bosch R. Broad-Band Determination of the FET Small-Signal Equivalent Circuit // IEEE Trans. 1990. — Vol. MTT-38. -№. 7. — P. 891- 895.
  82. Van Niekerk C., Meyer P., Schreurs D. M. M.-P., Wilson P. B. // A Robust Integrated Multibias Parameter-Extraction Method for MESFET and HEMT Models //IEEE Trans.-2000.-Vol. MTT-48. -№. 5.-P. 777−785.
  83. Reynoso-Hernandez J. A., Rangel-Patino F. E., Perdomo J. Full RF Characterisation for Extracting the Small-Signal Equivalent Circuit in Microwave FET’s // IEEE Trans. 1996. — Vol. MTT-44. — №. 12. — P. 2625 — 2632.
  84. С. -C., Sheu B. J., Lee H. M. Characterisation of GaAs MESFET Gate Capacitances // IEEE Journal of Solid State Circuits. — 1988. — Vol. 23. -№. 3. — P. 878 — 880.
  85. Кац B.A. Применение микроэвм для коррекции результатов измерений нагрузочных характеристик СВЧ транзисторов // Электронная техника. — Сер.1. Электроника СВЧ. — 1988. -Вып. 5.-С. 42−48.
  86. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. — в 2-х т.
  87. Kennedy D., O’Brien R. Computer-aided two dimensional analysis of the junction field-effect transistor // IBM Journal of Research and Development. 1970. — Vol. 14. — March. — P. 95 — 116.
  88. Grubin H. L., Mc Hugh Т. M. Hot electron transport effects in FETs, Solid-State Electronics. -1978.-Vol.21.-№. l.-P. 69−74.
  89. Grubin H. L., Ferry D. K., Gleason K. R. Spontaneous oscillations in GaAs FETs // Solid-Statc Electronics. 1980. — Vol. 23. — №. 2. — P. 157 — 172.
  90. С. А., Кунилов В. А., Пашинцев Ю. И., Петров Г. В. Модель полевого транзистора с затвором Шоттки, основанная на численном решении двумерных уравнений переноса // Микроэлектроника. 1977. — Том 6. — №. 2. — С. 179- 183.
  91. Pozela J., Reklaitis A. Electron transport properties in GaAs at high electric fields // Solid-State Electronics. 1980. — Vol. 23. — №. 9. — P. 927 — 933.
  92. Curtice W. R., Yun Y. -H. A Temperature Model for the GaAs MESFET // IEEE Trans. 1981. -Vol. ED -28. №. 8. — P. 954 — 962.
  93. К. Физика полупроводников. — М.: Мир, 1977. 616 с.
  94. Е., Пожела Ю. К., Шур М.С. Эффект Ганна. М.: Советское радио, 1975. -288 с.
  95. Гарбер 3. Численное моделирование характеристик нелинейной эквивалентной схемы СВЧ полевых транзисторов с субмикронным затвором Шоттки на арсениде галлия // Микроэлектроника. 1990. — Том. 19. — Вып. 4. С. 392 — 399.
  96. Ghione G., Naldi С. U., Filicori F. Physical Modelling of GaAs MESFETs in Integrated CAD Environment: From device Technology to Microwave Circuit Performance // IEEE Trans. 1989. -Vol. MTT-37. — №. 3. — P. 457 — 468.
  97. Wada Т., Frey J. Physical Basis of Short Channel MESFET Operation // IEEE Trans. — 1979. — Vol. ED-26. -№. 4. — P. 476 — 489.
  98. Snowden С. M., Loret D. Two-Dimensional Hot-Electron Models for Short Gate-Length GaAs MESFETs // IEEE Trans. 1987. — Vol. ED-34. — №. 2. — P. 212 — 223.
  99. А.А., Пашковский А. Б., Тагер А. С. Исследование вольт амперных характеристик полевых транзисторов с субмикронным затвором // Электронная техника. — Сер. 1. Электроника СВЧ. — 1984. — Вып. 4. — С. 27 — 30.
  100. С. М. Quasi-Two-Dimensional MESFET Simulation for CAD // IEEE Trans. — 1989. Vol. ED-36. — №. 9. — P. 1564 — 1574.
  101. Snowden С. M. Computer-aided design of MMICs based on physical device models // IEE Proc. 1986. — Vol. 133. — Pt. II. — №. 5. — P. 419 — 427.
  102. Schockley W.A. A unipolar field-effect transistor //Proc. IRE.-1952.-Vol.40, — P. 1365 1376.
  103. Fair R. B. Harmonic Distortion in Junction Field-Effect Transistor with Field-dependent Mobility//IEEE Trans. 1972. — Vol. ED-19.-№. l.-P. 1564- 1574.
  104. Lehovec K., Zuleeg R. Voltage-current characteristics of GaAs J-FETs in the hot electron range // Solid-State Electronics. 1970. — Vol. 10. — №. 10. — P. 1415 — 1426.
  105. В.И. Нелинейная модель арсенид-галлиевого полевого транзистора с затвором Шоттки //Радиотехника и электроника 1981. — Том XXXVI. — №. 6. — С. 1299 — 1306.
  106. А. В., Ghandhi S. К. General theory of pinched operation of the junction-gate FET // Solid-State Electronics. 1969. — Vol. 12. — №. 7. — P. 573 — 589.
  107. Lehovec K., Miller R. S. Field distribution injunction field-effect transistors at large drain voltages // IEEE Trans. 1975. — Vol. ED-22. — №. 5. — P. 274 — 281.
  108. Ю. Н., Зедгенизов В. Д. Программа расчета семейства вольтамперных характеристик полевого транзистора с барьером Шоттки на арсениде галлия // Электронная техника. — Сер.1. Электроника СВЧ. 1983. — Вып. 5 (353). — С. 58 — 59.
  109. А. А., Пашковский А. Б., Тагер А. С. Нелокальные и диффузионные эффекты в полевых транзисторах с субмикронным затвором // Известия вузов. Сер. Радиофизика. -1985. -Том XXVIII. -№. 12.- С. 1583- 1589.
  110. Y. -С., Hsieh Y. -Т. Velocity overshoot effect on short-gate microwave MESFET // International Journal of Electronics. 1979. — Vol. 47. — N 1. — P. 49 — 66.
  111. Cazaux J.-L., Pouysegur M., Roques D., Bertrand S. A Process-Dependent Worst-Case Analysis for MMIC Design Based on a Handy MESFET Simulator // IEEE Trans. 1989 — Vol. MTT-37. -№. 9.-P. 1442−1450.
  112. Chang C. S., Day D.-Y. Analytic Theory for Current -Voltage Characteristics and Field Distribution of GaAs MESFET // IEEE Trans. — 1989. — Vol. ED-36. — №. 2. — P. 269 — 280.
  113. Chang C. S., Day D.-Y. An analytic Solution of the Two-Dimensional Poisson Equation and Model of Gate Current and Breakdown Voltage for Reverse Gate-Drain Bias in GaAs MESFETs // Solid-State Electronics. — 1989. — Vol. 32. — №. 11. — P. 971 — 978.
  114. Chang C. S. Day D.-Y. Current Density Distribution of GaAs Power MESFET: A Theory for Device Burnout // IEEE Trans. — 1990. — Vol. ED-37. — N 4. — P. 1162 — 1163.
  115. Шур M. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. — 632 с.
  116. Shur М. S. Analytical models of GaAs FET’s // IEEE Trans. 1985. — Vol. ED-32. — №. 1. -P. 70−72.
  117. Zhou H., Pulfrey D. L. A Criterion for Stationary Domain Formation in GaAs MESFET’s // IEEE Trans. 1989. — Vol. ED-36. — №. 5. — P. 872 — 878.
  118. Fjeldly T. A. Analytical Modeling of the Stationary Domain in GaAs MESFET’s // IEEE Trans.-1986.-Vol. ED-33.-№. 7.-P. 874−880.
  119. Kretly C., Giarola A. J. Stationary charge domain in GaAs MESFET’s: Dimensional and electrical charaterization // Electronics Letters. 1989. — Vol.-25. — №. 13. — P. 813 — 814.
  120. Abeles H., Zeheny R. F., Chang G. K., Allen S. J. Experimental Measurement of a high-field dipole in GaAs field-effect transistors // Applied Physics Letters. 1986. — Vol. 49. — №. 20. -P. 1387- 1389.
  121. Ю. С. Аналитическая теория полевых транзисторов с коротким затвором Шоттки // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. — 1984. — Вып. 1 (167).-С. 67−77.
  122. Chang C.-S., Day D.-Y., Chan S. An Analytical Two-Dimensional Simulation for the GaAs MESFET Drain-Induced Barrier Lowering: A Short-Channel Effect // IEEE Trans. 1990. — Vol. ED-37. -№. 5. — P. 1182- 1185.
  123. Chang C.T. M., Vrotsos Т., Frizzell M. F., Carroll R. A. Subthreshold Current Model for GaAs MESFET // IEEE Electron Device Letters. 1987. — Vol. EDL-8. — №. 2. — P. 67 — 72.
  124. Scorzoni A., Canali C., Fantani F., Zanoni E. Evaluation of current density distribution in MESFET Gates // Electronics Letters. 1986. — Vol. 22. — №. 10. — P. 512 — 514.
  125. Lee K., Shur M., Lee K. L., Vu Т., Roberts P., Helix M. A New Interpretation of „End“ Resistance Measurements // IEEE Electron Device Letters. -1984. Vol. EDL-5. — №. 1. — P. 5 — 7.
  126. Urien P., Delagebaudeuf D. New method for determining the series resistances in a MESFET or TEGFET // Electronics Letters. 1983. — Vol. 19. -№. 17. — P. 702 — 703.
  127. Ruden P.P., Shur M., et al. Distributive Nature of Gate Current and Negative Trans-conductance in Heterostructure Field-Effect Transistors // IEEE Trans. 1989. — Vol. ED-36.2.-P. 453−456.
  128. Baek J., Shur M. Mechanism of Negative Transconductance in Heterostructure Field-Effect Transistors // IEEE Trans. 1990. — Vol. ED-37. — №. 8. — P. 1917 — 1921.
  129. Ruden P. P. Heterostructure FET Model Including Gate Leakage // IEEE Trans. 1990. — Vol. ED-37. — №. 10. — P. 2267 — 2270.
  130. Martines E. J., Shur M. S., Schuermeyer F. L. Gate Current Model for the Hot-electron Regime of Operation in Heterostructure Field Effect Transistors // IEEE Trans. 1999. — Vol. ED-45. -№. 10. — P. 2108−2115.
  131. Gopinath A., Rankin J. B. GaAs FET Switches // IEEE Trans. 1985. — Vol. ED-32. — №. 7. -P. 272- 1278.
  132. Jain N., Gutmann R. J. Modeling and Design of GaAs MESFET Control Devices for BroadBand Applications // IEEE Trans. 1990. — Vol. MTT-38. — №. 2. — P. 109 — 117.
  133. Berger H.H. Models for Contacts to Planar Devices // Solid-State Electronics. 1972. -Vol.15.-№.2.-P. 145- 158.
  134. Г. И., Панасенко П. В., Романюк В. А. Модель полевого транзистора с барьером Шоттки для СВЧ нелинейных устройств // Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства. — 1983. — Вып. 1 (37). — С. 26 — 32.
  135. А.П., Брычков Ю. А., Маричев О. И. Интегралы и ряды. Элементарные функции. -М.: Наука, 1981. 800 с.
  136. А.П., Брычков Ю. А., Маричев О. И. Интегралы и ряды. Дополнительные главы. М.: Наука, 1986. — 800 с.
  137. О.В. ФОРТРАН для профессионалов. Математическая библиотека IMSL. в 3-х ч. М.: ДИАЛОГ-МИФИ. — 2000 / 2001.
  138. Ф.Н. Время переноса через область объемного заряда // ТИИЭР. 1964. -Том 52. — №. 1.- С. 92.
  139. Дер Зил Ван. Шумы затвора полевых транзисторов на относительно высоких частотах // ТИИЭР. 1963. — Том 51. -№. 3. — С. 490 — 496.
  140. Folkes P.A., Lara М. Т, Buchwald W., Newman P. Poli L. Analytical Voltage Dependence of an Unsaturated MESFET’s Gate Capacitance //IEEE Electron Device Letters 1991. -Vol.EDL-12. -№.5.-P. 215−217.
  141. Takada Т., Yokoyama K., Ida M., Sudo T. A MESFET Variable-Capacitance Model for GaAs Integrated Circuit Simulation // IEEE Trans. 1982. — Vol. MTT-30. — №. 5. — P. 719 — 723.
  142. Chen T.-H., Shur M.S. A Capacitance Model for GaAs MESFET’s // IEEE Trans. -1985. -Vol. ED-32.-№. 12.-P. 883−891.
  143. Statz H., Newman P., Smith I.W., Pucel R.A., Haus H.A. GaAs FET Device and Circuit Simulation in SPICE // IEEE Trans. 1987. — Vol. ED-34. — №. 2. — P. 160 — 169.
  144. D’Agostino S., Betti-Berutto A. Physics-Based Expressions for the Nonlinear Capacitances of the MESFET Equivalent Circuit // IEEE Trans. Vol. MTT-42. — №. 3. — P. 403 — 406.
  145. Van den Bosch S., Martens L. Fast and Accurate Extraction of Capacitance Parameters for the Statz MESFET Model // IEEE Trans. Vol. MTT-45. — №. 8. — P. 1247 — 1249.
  146. Ю.А., Маричев О. И., Прудников А. П. Таблицы неопределенных интегралов. -М.: Наука. 1986.- 192 с.
  147. Ytterdal Т., Moon B.-J., Fjeldly Т. A., Shur S. Enhanced GaAs MESFET CAD Model for a Wide Range of Temperatures // IEEE Trans. 1995. — Vol. ED-42. — №. 10. — P. 1724 — 1733.
  148. Heinrich W. H., Hartnagel H. L. Wave Propagation on MESFET Electrodes and Its Influence on Transistor Gain // IEEE Trans. 1987. — Vol. MTT-35. — №. 1. — P. 1 — 8.
  149. Heinrich. W. H. Distributed Equivalent Circuit Model for Traveling -Wave FET Design // IEEE Trans. 1987. Vol. MTT-35. — №. 5. — P. 487 — 491.
  150. Hakin M. S., El-Ghazaly S. M. Analysis of Propagation Effects on Microwave Field-Effect Transistors // 1993 IEEE MTT-Symp. Digest. P. 1303 — 1306. — CD-ROM.
  151. Bosy V. I., Rapoport Y. G., Senchenko V. V. FET Model Taking into Account Wave Characteristics of the Active region and Input Circuits // IEEE Trans. 1995. — Vol. MTT-43. — №. 7.-P. 1453- 1460.
  152. В.А., Тимофеев В. И., Шовкун И. Д. Распределенная модель СВЧ полевого транзистора // Известия вузов СССР. Сер. Радиоэлектроника. — 1986. — Том. 29. — Вып. 6. -С. 87−89.
  153. Lee S., Roblin P., Lopez О. Modeling of Distributed Parasitics in Power FET’s // IEEE Trans.- 2002. Vol. ED-49. — №. 10. -P. 1799−1806.
  154. Onodera K., Nisimura K., Aoyama S., Sugitani S., Yamane Y., Hirano M. Extremely Low-Noise Performance of GaAs MESFET’s with Wide-Head T-Shaped Gate // IEEE Trans. 1999. -Vol. ED-46. — №. 2. — P. 310 — 319.
  155. Rohdin H., Moll N., Su Ch.-Yi, Lee G. S. Interfacial Gate Resistance in Schottky-Barrier Gate Field-Effect Transistors // IEEE Trans. 1998. — Vol. ED-45. -№. 12. — P. 2407 — 2415.
  156. Goel A. K. Electrode Parasitic Capacitances in Self-Aligned and Deep-Recessed GaAs MES-FETs // Solid-State Electronics. 1988. — Vol. 31. -№. 10. P. 1471 — 1476.
  157. Alexopoulos N., Maupin J. A., Greiling P.T. Determination of the Electrode Capacitance Matrix for GaAs FET"s // IEEE Trans. 1980. — Vol. MTT-28. — №. 5. — P. 459 — 456.
  158. Anholt R., Swirhun S. Measurement and Analysis of GaAs MESFET Parasitic Capacitances // IEEE Trans. 1991. — Vol. MTT-39. -№. 7. — P. 1247 — 1251.
  159. Anholt R., Swirhun S. Equivalent Circuit Parameter Extraction for Cold GaAs MESFET’s // IEEE Trans. 1991. — Vol. MTT-39. — №. 7. — P. 1243 — 1247.
  160. Lenk F., Doerner R. New Extraction Method for FET Extrinsic Capacitances Using Active Bias Conditions // 1998 IEEE Microwave and Millimeter Wave Symp. P. 1 — 5. — CD-ROM.
  161. Lin W. Computation of the Parallel-Plate Capacitor with Placed Unequal Plates // IEEE Trans.- 1985. Vol. MTT-33. — №. 9. — P. 800 — 807.
  162. Akello R.J., Easter В., Stephenson I.M. Experimental Measurement of Microstrip Transistor-Package Parasitic Reactances // IEEE Trans. 1977. — Vol. MTT-25. — №. 5. — P. 367 — 372.
  163. B.B., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985. — 264 с.
  164. Immorlica А.А., Decker D.R., Hill W.A. A Diagnostic Pattern for GaAs FET Material Development and Process Monitoring //IEEE Trans. -1980. -Vol. ED-27. №.12. -P. 2285 — 2291.
  165. Гожая E. JL, Соснин В. С., Федоров Ю. Ю. Основные электрофизические параметры эпитаксиальных структур для СВЧ полевых транзисторов и методика их контроля // Электронная техника. Сер. 1. — Электроника СВЧ. — Вып. 11 (347). — С. 54 — 57.
  166. Jay P. R., Crossley I., Cardwell М. J. Mobility Profiling of FET Structures // Electronics Letters.-1978.-Vol. 14. -№. 6.
  167. Sites J.R., Wieder H.H. Magnetoresistance Mobility Profiling of MESFET Channels // IEEE Trans.- 1980.- Vol. ED-27.-№. 12. -P. 2277−2281.
  168. Lehovee K. Determination of impurity and mobility distributions in epitaxial semiconductor films on insulating substrate by C-V and Q-V analysis // Applied Physics Letters. 1974. — Vol. 25. -№.5. -P. 279−281.
  169. Ю. H., Данилов В. С. Метод определения профиля легирования структур ПТШ со сверхтонкими слоями // 5th International Conf. APEIE 2000. — P. 231 — 236.
  170. Das M. В., Kim B. Mobility and Carrier Concentration Profiles in Ion-Implanted Layers on Doped and Undoped Semi-Insulating GaAs Substrates at 299 and 105 К // IEEE Trans. 1982. -Vol. ED-29. — №. 2. — P. 205 -211.
  171. Pucel R. A., Krumm C. F. Simple Method of Measuring Drift-Mobility Profiles in Thin Semiconductor Films // Electronics Letters. 1976. — Vol. 12. — №. 10. — P. 240 — 242.
  172. Steiner K., Uchitomi N., Toyoda N. Mobility Profiles in Submicron WNx-BPLDD-GaAs MESFETs // Japanese Journal of Applied Physics. 1990. — Vol. 29. -№. 3. — P. 489 — 494.
  173. Wilson C.L. Correction of Differential Capacitance Profiles for Debye-Length Effects // IEEE Trans. 1980. — Vol. ED-27. — №. 12. — P. 2262 — 2267.
  174. Jl.B., Григорьев B.K., Петровский В. И. Влияние экранирования Дебая на вольт-фарадную характеристику барьера Шоттки // Микроэлектроника. 1986. — Том 15. — Вып. 4. -С. 308 -313.
  175. И.В., Пашинцев Ю. П., Карамышев В. П. Определение профиля концентрации основных носителей полупроводника в ОПЗ по вольт-фарадной характеристике // Микроэлектроника. 1980. — Том 9. — Вып. 3. — С. 236 — 240.
  176. Kennedy D.P., O’Brien H.R. On the Measurement of Impurity Atom Distribution by the Differential Capacitance Technique // IBM Journal of Research and Development. 1969. — Mar. -P. 212−214.
  177. Baccarani G., Rudan M., Spadini S., et al. Interpretation of C-V Measurements For Determining the Doping Profile in Semiconductors // Solid-State Electronics. 1980. — Vol. 21. — №. 1. — P. 65−71.
  178. Holway L. H. Method for Determining C-V Profiles in Semiconductor Substrates and Active Layers // IEEE Trans. 1990. — Vol. ED-37. — №. 4. — P. 1104 — 1110.
  179. Lonnum J. F., Johanessen J. S. Dual-Frequency Modified C-V Technique // Electronics Letters. 1986. -Vol. 22. -№. 9. — P. 2321 -2324.
  180. Chen Q., Zou N., Willander M. Charge Control and Mobility in Si Delta — Doped FETs Grown by MBE // Solid — State Electronics. — 1994. — Vol. 37. — №. 1. — P. 105 — 109.
  181. Schubert E. F. Delta doping of III-V compound semiconductors: Fundamentals and device applications // Journal of Vacuum Science Technology. 1990. — Vol. 8. — №. 3. — P. 2980 — 2996.
  182. Wiley J. D. C-V Profiling of GaAs FET Films // IEEE Trans. -1978. Vol. ED-25. — №. 11. -P. 1317- 1324.
  183. K., Fedotowsky A., Crain D.W. // Distributed semiconductor R-C network analysis for various electrode configurations // Solid-State Electronics. 1976. — Vol. 19. — P. 249 — 254.
  184. В.П., Мурылева И. В. Методические погрешности определения профиля концентрации носителей в тонких слоях GaAs по ВФХ диода Шоттки //Электронная техника.- Сер. Микроэлектроника. 1984. — Вып. 6 (112). — С. 26 — 34.
  185. Г. Физика колебаний.-М.: Высшая школа, 1983.-С. 187- 190.
  186. А.Б. Связь между параметрами канала и характеристиками полевого транзистора // Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Вып. 4. — М.: Советское радио, 1974.- С. 254 262.
  187. Арсенид галлия в микроэлектронике. / Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. М.: Мир, 1988.-557 с.
  188. Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы и технология изготовления. / Под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. М.: Радио и связь, 1988. — 496 с.
  189. Hilsum С. Simple empirical relationship between mobility and carrier concentration // Electronics Letters.- 1974.-Vol. 10.-№. 13.-P. 259−260.
  190. Rode D. L.//Semiconductors and Semimetals. -1975. Vol. 10. N.Y. .-Academic Press. -P.l.
  191. Snowden C.M., Howes M.J., Morgan D.V. Large-Signal Modeling of GaAs MESFET Operation//IEEE Trans. 1983.-Vol. MTT-30. — №. 12.-P. 1817−1824.
  192. Э. Д., Белецкий H. И. Зависимость скорости дрейфа от электрического поля в GaAs с учетом рассеяния на ионизированных и нейтральных примесях // Радиотехника и электроника. 1973. -№. 9. — С. 1905 — 1913.
  193. Kliefoth К., Potzel В. Velocity-Field Characteristics of GaAs Gunn Diodes with Different Impurity Concentration // Physical Status Solidi. 1977. — Vol. 42. — P. K133 — K135.
  194. Houston P. A., Evans A. G. R. Electron drift velocity in n-GaAs at high electric fields // Solid-State Electronics. 1977. — Vol. 20. — P. 197 — 204.
  195. Ruch J.G., Kino G.S. Transport properties of GaAs // Physical Review. 1968. — Vol. 174. -№. 3.-P. 921−931.
  196. Feng Y.K. New v (E) relationship for GaAs // Electronics Letters. 1985. — Vol. 20. — №. 10. -P. 453−454.
  197. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. / Под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейе-ра. М.: Мир, 1982, — 576 с.
  198. Э.Х. Контакт металл-полупроводник. М.: Радио и связь, 1981. — 209 с.
  199. Schuldt S.B. An Exact Derivation of Contact Resistance to Planar Devices // Solid-State Electronics.- 1978.-Vol. 21,-№. 5.-P. 715−719.
  200. A.JI. Основы конструирования элементов РЭА. JI.: Энергия, 1971. — С.367 — 373.
  201. С.Г., Гусейхаиов М. К. Измерение удельных переходных сопротивлений омических контактов к тонким слоям полупроводниковых приборов // Известия вузов. — Физика 1976. — №. 6, — С. 80−83.
  202. Chern J. G J., Oldham W.G. Determining Specific Contact Resistivity from Contact End resistance Measurements //IEEE Electron Device Letters. -1984. Vol. EDL-5. — №. 5. — P. 178 -180.
  203. Reeves G.K., Harrison H.B. Obtaining the specific Contact Resistance from Transmission Line Model Measurements // IEEE Electron Device Letters. 1982. — Vol. EDL-3. — №. 5. -P.lll-113.
  204. Т.И., Ванина В. В. Дубровская JI.H., Филатов А. Л. СВЧ малошумящий полевой транзистор на арсениде галлия с улучшенным сопротивлением истока // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. — 1981. — Вып. 5. — С. 38 — 44.
  205. Rodriguez-Tellez J., Loredo S., Clarke R. W. Self-Heating In GaAs FETs: A Problem? // Microwave Journal. 1994. — №. 7. — P. 76 — 88.
  206. В.А., Данилин B.H., Евдокимова Н. Л., Иванов А. И. Влияние перегрева канала на характеристики мощных полевых транзисторов с барьером Шоттки // Электронная техника. — Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1985. — Вып. 3 (176). — С. 3 — 6.
  207. Shoucair F.S., Ojala Р.К. High-temperature Electrical Characteristics of GaAs MESFET’s (25−400°C) // IEEE Trans. 1992. — Vol. ED-39. -№. 7. -P- 1551 — 1557.
  208. Liang C.L., Wong H., et al. Temperature dependence of GaAs metal-semiconductor field-effect transistor threshold voltage // Journal of Vacuum Science Technology В 6 (6). 1988. -Nov/Dec. — P. 1773−1778.
  209. Wong H., Liang C., Cheung N. W. On the Temperature Variation of Threshold Voltage of GaAs MESFET’s // IEEE Trans. 1992. — Vol. ED-39. -№. 7. — P- 1571 — 1577.
  210. Gobert Y., Salmer G. Comparative Behavior and Performance of MESFET and HEMT as a Function of Temperature// IEEE Trans.- 1994-Vol. ED-41.-№. 3.-P. 299−305.
  211. Schmale I., Kompa G. Integration of thermal effects into a table-based large-signal FET model // 28th European Microwave Conf. Amsterdam. — 1998. — P. 102 — 107.
  212. Wei C.-J., Tkachenko Y.A., Bartle D. An Accurate Large-Signal Model of GaAs MESFET Which Accounts for Charge Conservation, Dispersion, and Self-Heating // IEEE Trans. 1998. -Vol. MTT-46.-№. 11.-P. 1638- 1644.
  213. Anholt R.E., Swirhun S. Experimental Investigation of the Temperature Dependence of GaAs FET Equivalent Circuits // IEEE Trans. 1992. — Vol. ED-39. — №. 9. — P. 2029 — 2035.
  214. Rodriguez-Tellez J., Stothard B. P. Simulation of Temperature and Bias Dependencies of p and VT0 of GaAs MESFET Devices // IEEE Trans. 1993. — Vol. ED-40. — №. 10. — P. 1730 -1735.
  215. Angelov I., Bengtsson L., Garcia M. Extension of the Chalmers Nonlinear HEMT and MESFET Model // IEEE Trans. 1996. — Vol. MTT-44. — №. 10. — P. 1664 — 1674.
  216. Ytterdal Т., Moon B. J., Fjeldly T.A., Shur M.S. Enhanced GaAs MESFET CAD Model for a Wide Range of temperature // IEEE Trans. — 1995. — Vol. ED-42. -№. 10. — P. 1724 — 1733.
  217. Snowden C.M., Pantoja R.R. GaAs MESFET Physical Models for Process-Oriented Design // IEEE Trans. 1992.-Vol. MTT-40.-№. 7.-P. 1401 — 1409.
  218. Atherton J.S., Snowden C.M., Richardson J. Characterization Of Thermal Effects On Microwave Transistor Performance Using An Efficient Physical Model // 2003 IEEE MTT-Symp. Digest Papers.-P. 1181−1184.
  219. Munoz S., Sebastian J. L., Gallego J. D. Modeling the Bias and Temperature Dependence of a С Class MESFET Amplifier // IEEE Trans. — 1997. — Vol. MTT-45. — №. 4. — P. 527 — 533.
  220. Blakemore J.S. Semiconducting and other major properties of Gallium Arsenide // Journal of Applied Physics. 1982. — Vol. 53. -№. 10. — P. R123 — R181.
  221. Н.К., Обрезай О. И. Теплофизика и тепловые режимы твердотельных модулей СВЧ. // Обзоры по электронной технике. Сер. 1. СВЧ — Техника. — 1992. — Вып. 8 (1677).-73 с.
  222. Siegal B.S. Electrical Thermal Testing Puts Quality in GaAs FET Systems // Microwave System News. 1981.-№. 8. -P. 108−113.
  223. Webb P.W. Thermal Modeling of Power Gallium Arsenide Microwave Integrated Circuits //IEEE Trans. 1993. — Vol. ED — 40. — №. 5. — P. 867 — 877.
  224. Lindsted R. D. Surty R. J. Steady-State Junction Temperatures of Semiconductor Chip // IEEE Trans. 1972. — Vol. ED-19. — №. 1. — P. 41 — 44.
  225. Haji-Sheikh A. Peak Temperature in High-Power Chips // IEEE Trans. 1990. — Vol. ED-37. — №. 4. — P. 902 — 907.
  226. Cooke H. F. Microwave Field Effect Transistors in 1978 // Microwave Journal. 1978. -Vol. 2l.-№. 4.-P. 43−48.
  227. A.JI., Асвадурова Е. И. Метод расчета тепловых сопротивлений мощных транзисторов // Полупроводниковые приборы и их применение. / Под ред. Я. А. Федотова. М.: Советское радио, 1968. Вып. 20. — С. 63 — 81.
  228. Захаров, А Л., Асвадурова Е. И. Метод расчета тепловых сопротивлений многослойных структур // Полупроводниковые приборы и их применение. / Под ред. Я. А. Федотова. М.: Советское радио, 1969. — Вып. 21. — С. 84 — 97.
  229. А.Л., Асвалурова Е. И. Расчет тепловых параметров полупроводниковых приборов. М.: Радио и связь, 1983. — С. 185.
  230. Транзисторы, диоды, тиристоры. Расчет теплового сопротивления. ОСТ aA0.336.002. Редакция 1−71.-М.: ГОССТАНДАРТ, 1972.
  231. В.И., Асвадурова Е. И. Некоторые причины повышенного значения тепловых сопротивлений в мощных СВЧ транзисторах // Электронная техника. — Сер. 2. Полупроводниковые приборы. 1980. — Вып. 1(136). — С. 41 — 47.
  232. Ю.Н. Инженерный метод расчета тепловых сопротивлений мощных транзисторов и элементов интегральных схем //Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. -1983.-Вып. 11 (359).-С. 17−23.
  233. Walshak L.G., Poole W.E. Thermal Resistance Measurement by IR Scanning // Microwave Journal. 1977. — №. 2. — P. 62 — 65.
  234. Canali C., Chiussi F., Umena L., Vanzi M., Zanoni E. Effects of High Current and Temperature in Power MESFET Metallization // Proc. 17th ESSDRC. 1987. — Solid-State Devices. -North Holland: Elsevier Science Publishers B.V., 1988. — P. 847 — 850.
  235. B.M. Гузеев A.A. Ковчавцев А. П. Курышев Г. Л. Ларшин А. С. Половинкин А.Г. Тепловизионный микроскоп // Прикладная физика. 2005. — №. 2. — С. 97 — 101.
  236. Ю.Н., Шагабутдинов А. А., Данилов B.C. Расчет ВАХ полевого транзистора с барьером Шоттки на арсениде галлия в режимах управления тока канала ОПЗ и прямого включения затвора // Доклады АН ВШ РФ. 2006. — №. 1 (6). — С. 93 — 104.
  237. Byun Y.H., Shur M.S., Peczalski A., Schuermeyer F. L. Gate -Voltage Dependence of Source and Drain Series Resistances and Effective Gate Length in GaAs MESFET’s. IEEE Trans. 1988. -Vol. ED-35.-№. 8.-P. 1241 -1245.
  238. Tsai Y.T., Grotjohn T.A. Source and Drain Resistance Studies of Short-Channel MESFET’s Using Two-Dimensional Device Simulators //IEEE Trans. -1990.-Vol.ED-37.-№.3. P. 775 780.
  239. Engelmann R.W.H., Liechi Ch.A. Bias Dependence of GaAs and InP MESFET Parameters // IEEE Trans. 1977.-Vol. ED-24.-№. 11.-P. 1288−1296.
  240. B.H. Кушниренко А. И., Петров Г. В. Аналоговые полупроводниковые интегральные схемы СВЧ. М.: Радио и связь, 1985. — 193 с.
  241. А.И. Общая методика расчета линейных однокаскадных СВЧ усилителей с использованием S-параметров // Радиотехника. Том 32. — №. 2. — С. 68 — 75.
  242. Г. В., Толстой А. И. Расчет линейных однокаскадных транзисторных СВЧ усилителей с согласующими цепями без потерь //Радиотехника. Том 32.-№. 10. -С. 79 — 83.
  243. Г. В., Толстой А. И. Линейные балансные СВЧ усилители. — М: Радио и связь, 1983.- 176 с.
  244. Krems Т., Haydl W., Massier Н., Rudiger J. Millimeter-Wave Performance of Chip Interconnections using Wire Bonding and Flip Chip // IEEE International Microwave Symp. // Vol. 1, June 1996. San Francisco, С A. — P. 247 — 250.
  245. Cameron P., Pan W., Hanz C., et al. A Flip-Chip High Efficiency X-Band HP A // 1997 IEEE MTT-Symp. Digest. CD-ROM.
  246. Sturdivant R. Reducing The Effects Of The Mounting Substrate On the Performance Of GaAs MMIC Flip Chips //1995 IEEE MTT-Symp. Digest. -TH4C-5. P. 1591 — 1594. — CD-ROM.
  247. Brophy M. J., Saeger Т., Micanin W. Resistance and Inductance of Through-Wafer Vias: Measurement, Modeling, and Scaling // 2005. MANTECH Conf. Digest Papers.
  248. Fardi H.Z., Hayes R.E. Modeling Submicrometer GaAs MESFET’s Using PISCES with an Apparent Gate Length-Dependent Velocity-Field Relation // IEEE Trans. 1992. — Vol. ED-39. -№. 7.-P. 1778−1780.
  249. Curtice W.R. The Performance of Submicrometer Gate Length GaAs MESFET’s // IEEE Trans.- 1983.-Vol. ED-30.-№. 12.-P. 1693 1699.
  250. Stenzel R., Elschner H., Spallek R. Numerical Simulation OF GaAs MESFETS Including Velocity Overshoot // Solid-State Electronics. 1987. — Vol. 30. -№. 8. — P. 873 — 877.
  251. Kizilyalli I.C., Artaki M. Simulation of a GaAs MESFET Including Velocity Overshoot: An Extended Drift-Diffusion Formalism // IEEE Electron Device Letters. 1989. — Vol.10. — №. 9. -P. 405−408.
  252. K.A., Рыжий В. И., Хренов Г. Ю. Масштабирование субмикронных полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе GaAs // Микроэлектроника. — 1989. Том 18. — Вып. 2.-С. 99- 105.
  253. Kuzmik J., Lalinsky Т., Mizolova Z., Porges M. D.C. Performance of Sort-Channel Ion-Implanted GaAs MESFETs (The Role of Gate Length Shortening) // Solid-State Electronics. Vol. 33. -№. 10.-P. 1223−1227.
  254. Taylor G.C., Eron M., Bechtle D.W., et al. High-Efficiency 35-GHz GaAs MESFET"s. IEEE Trans. — 1987. — Vol. ED-34. — №. 6. — P. 1259 — 1262.
  255. A.H. Полевые транзисторы на ALGaN/GaN структурах. — M.: Агенство технологических исследований „ЮниСаф“, Технологическое сообщество „Земляничные поляны“, 2001.-72 с.
  256. Данилин и др. Мощные высокотемпературные и радиационно-стойкие СВЧ приборы нового поколения на широкозонных гетеропереходных структурах AlGaN/GaN // Обзоры по электронной технике. Сер. 1. СВЧ-техника.-2001. — 137 с.
  257. Trew R.J. Wide Bandgap Semiconductor Transistors for microwave Power Amplifiers // Microwave Magazine. 2000. — mar. — P. 46 — 54.
  258. Gaquiere C., Trassaert S., Boudart В., Crosnier Y. High Power GaN MESFET on Sapphire Substrate // IEEE Microwave and Guided Wave Letters. 2000. — Vol. 10. — №. 1. — P. 19 — 20.
  259. Christensen A., Doolittle W. A., Graham S. Heat Dissipation in High-Power GaN Electronics on Thermally Resistive Substrates //IEEE Trans. 2003. Vol. ED-52. — №. 8. -P. 1683.
  260. Ю.Б., Будаков В. Г., Раков Ю. Н., Зыкова Г. С. Состояние и перспективы развития в ОАО „Октава“ мощных усилителей диапазона 8−18 ГГц на основе монолитных ИС СВЧ // Радиопромышленность. 2004. — Вып. 2. — С. 112 — 122.
  261. Т.С., Торопов А. И., Бакаров А. К., Журавлев К. С., Раков Ю. Н., Мякишев Ю. Б. Получение твердых растворов AlxGai.x As и эпитаксиальных структур для мощных полевых СВЧ-транзисторов // Автометрия. 2001. — № 3. — С. 89 — 96.
  262. Hong W.-P., Oh J.-E., Bhattacharya P.K., Tiwald Т.Е. Interface States in Modulation-Doped Ino.52ALo.48/Ino.53Gao.47As//IEEE Trans.- 1988.-Vol. ED-35.-№. 10.-P. 1585 1590.
  263. И.Я., Самойлов B.A. О контроле емкостными методами эпитаксиальных структур GaAs, предназначенных для изготовления ИС и ПТШ // Микроэлектроника. — 1989. -Том 18. Вып. 3.- С. 416 -420.
  264. Kim В., Matyi R.J., et al. Millimeter-Wave Power Operation of an ALGaAs/InGaAs/GaAs Quantum Well MISFET // IEEE Trans. 1989. — Vol. MTT-36. — №. 10. — P. 2236 — 2241.
  265. Schubert E.F. Delta doping of III-V compound semiconductors: Fundamentals and device applications // Journal of Vacuum Science Technology. 1990. — Vol. 8. — №. 3. — P. 2980 — 2996.
  266. Ю.Б., Раков Ю. Н., Аксенов Б. Н. Мощные СВЧ гстсроструктурные полевые транзисторы // 6~я Международная научно-техническая конференция „Радио-локация, навигация, связь“. Воронеж: 25 — 27 апр. 2000. — С. 2030 — 2035.
  267. Lee К., Shur M.S., Lee К., Vu Т.Т., Roberts P.C.T., Helix M.T. Low Field Mobility in GaAs Ion-Implanted FET’s ll IEEE Trans. 1984. — Vol. ED-31. -№ 3. -P. 390 — 392.
  268. E.A., Дьяченко А. Г., Ильичев Э. А. и др. Физико-технические аспекты разработки эпитаксиальных структур для интегральных схем на арсениде галлия // Микроэлектроника. 1991.-Том 20.-Вып. 2.-С. 137−141.
  269. L. Н., Tasker P.J., et al. The Role of Charge Control on Drift Mobility in ALGaAs / GaAs MODFET’s // 1985 Int. Conf. of Cornell University. Ithaca, 1985. — P. 199 — 208.
  270. K.C., Торопов А. И., Шамирзаев T.C., Бакаров А. К., Раков Ю. Н., Мякишев Ю. Б. Применение высокочистых слоев AlxGaixAs в эпитаксиальных структурах мощных полевых СВЧ транзисторов // Письма в ЖТФ. 1999. — Том 25. — Вып.15. — С. 8−14.
  271. Zhuravlev K.S., Toropov A.I., Shamirzaev T.S., Bakarov A.K., Rakov Yu.N., Myakishev Yu. B. High purity AlGaAs grown by molecular beam epitaxy // 1999 IEEE Rassian Conf.: MIA-ME'99.
  272. Н.Б., Костылев С. А., Макарова Т. В., Прохоров Е. Ф., Уколов А. Т. Немонотонность вольт-емкостной зависимости тонкопленочных полупроводниковых струк-тур с барьером Шоттки // ФТП. 1989. — Том 23. — Вып. 2. — С. 357 — 359.
  273. Н.Б., Макарова Т. В., Прохоров Е. Ф., Уколов А. Т., Эппель В. И. Высокочастотные вольтемкостные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах // Микроэлектроника. 1995. — Том 24. — №. 1. — С. 44 — 47.
  274. С.А., Прохоров Е. Ф., Уколов А. Т. Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах. -Киев: Наукова думка, 1990. 141 с.
  275. В.А.Самойлов, Релаксационная спектрометрия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs: Дисс. канд. физ.-мат. наук. — Новосибирск: ИФП СОР АН. 2000. — 114 с.
  276. Новости СВЧ техники. / Информационно-рекламный сборник. — №. 10. — Фрязино: 1993.-С. 7.
  277. А.Б. Сравнение характеристик полевых СВЧ- транзисторов со ступенчатым и однородным профилем легирования активного слоя // Электронная техника. — Сер. 1. Электроника СВЧ. 1996. — Вып. 4 (388). — С. 14−19.
  278. Cooper S., Anderson K., et al. 8-Watt High Efficiency X-band Power Using ALGaAs/GaAs HFET Technology // GaAs 1С Symp. 1992. — P. 183 — 185.
  279. Matsunaga K. et al. A 12 GHz, 12 W HJFET amplifier with 48% peak power-aided efficiency // IEEE Micro-wave and Guided Wave Letters. 1995. — Vol. 5. — №. 11. — P. 402 — 404.
  280. D. T. Bryant, K. Salzman, R. hudgens, Ku-band Monolithic 7-Watt Power Amplifier Using AlGaAs/GaAs 0,25цп T-gate Heterostructure FET Technology», IEEE MTT-Symp. Digest, 1993, P. 1373 1376.
  281. Freitag R.G., Henry H.G. et al. High Yield X-Band GaAs Power MMIC Insertion into the 160-W MODAR Wind Shear Detection / Weather System // Trans. 1995. — Vol. MTT-43. — №. 7. -P. 1703 —1709.
  282. Tun T.S., Kotzebue K., et al. A Low-Distortion K-Band GaAs Power FET H IEEE Trans. -1988.-Vol. MTT- 36. -№. 6.-P. 1023 1031.
  283. Saunier P., Kopp W.S., Tseng H.Q., et al. A Heterostructure FET with 75.8-Percent Power Added Efficiency at 10 GHz. 1992 IEEE MTT — Symp. Digest Papers. — P. 635 — 638.
  284. Menozzi R., Pavesi M., et al. Hot Electron and DX Center Insensitivity of ALo^sGao^As / GaAs HFET’s Designed for Microwave Power Applications // IEEE Trans. 1998. — Vol. ED-45. -№. 11.-P. 2261 -2267.
  285. ТУ II-89. Структуры арсенида галлия эпитаксиальные для транзисторов. Технические условия ЕТ0.035.377 / НПП «Элма».
  286. Dhar S., Kumar V., Ghosh S. Determination of Energetic Distribution of Interface States Between Gate Metal and Semiconductor in Sub-Micron Devices from Current-Voltage Characteristics // IEEE Trans. 2000. — Vol. ED-47. — №. 2. — P. 282 — 287.
  287. Rosenberg J.J., Benlamri M. et al. // IEEE Electron Device Letters. 1985. — Vol.-EDL-б. -P. 491.
  288. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. / Под ред. JI. Ченга и К. Плога. -М.: Мир, 1989.- 584 с.
  289. А.В., Овсюк В. Н. Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности. Новосибирск: НГУ, 2000. — 448 с.
  290. В.П., Неизвестный И. Г., Гридчин В. А. Основы наноэлектропики. Новосибирск: НГТУ, 2004. — 495 с.
  291. Microwave and Millimeter-Wave Heterostructure Transistors and Their Applications. / Ed.: F. Ali, I. Bahl, A. Gupta. Artech Hause Inc., 1989. — P. 1 — 480.
  292. Ю. Физика быстродействующих транзисторов.-Вильнюс: Мокслас, 1989.-264 с.
  293. Greiling P., Kirkpatrick С., Valentine G. Military Application for Heterostructure Microelectronics Technology. Solid-State Electronics. — 1995. — Vol.-38. — №. 9. — P. 1559 — 1567.
  294. Chiu H.-Ch., Yang Sh.-Ch., Chan G.J. AlGaAs/InGaAs Heterostructures Doped-Channel FET’s Exhibiting Good Electron Performance at High Temperatures // IEEE Trans. 2001. — Vol. ED-48. — №. 10.-P. 2210−2215.
  295. Pusl J.A., Brown J.J., et al. High-efficiency GaAs-based pHEMT Power Amplifier Technology for 1−18 GHz // 1996 IEEE MTT Symp. Digest. — P. 693 — 696.
  296. Huang J. C., Jackson G. S., et al. An ALGaAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor with Improved Breakdown Voltage for X- and Ku-Band Power Applications // IEEE Trans. 1993. — Vol. MTT-41. — №. 5. — P. 752 — 758.
  297. Leoni R. E. et al. Mechanism for Output Power Expansion and Degradation of PHEMT’s During High- Efficiency Operation // IEEE Trans. 1999. — Vol. ED-46. — №. 8. — P. 1608 — 1613.
  298. Leoni R.E. et al. Mechanism for Recoverable Power Drift in PHEMT’s // IEEE Trans. 2000.- Vol. ED-47. №. 3. — P. 498 — 505.
  299. Menozzi R, et al. Breakdown Walkout in Pseudomorphic HEMT’s // IEEE Trans. 1996. -Vol. ED-43. — №. 4. — P. 543 — 546.
  300. Lin W" Lei M.D., Chang C.Y., Hsu W. ., Di L.B. Kai F. The Doped Quantum Well Gate FET Fabricated by Low-Pressure MOCVD // Japanese Journal of Applied Physics. 1988. — Vol. 27. -№. 12.-P. L2431 -L2433.
  301. Chen C.H. et al. Reliability study on Pseudomorphic InGaAs Power HEMT Devices at 60 GHz // 1994 IEEE MTT- Symp. Digest. P. 817 — 820.
  302. Smith P. M. Status of InP HEMT Technology for Microwave Receiver Application II IEEE Trans. 1996. — Vol. MTT-44. -№. 12. — P. 2328 -2333.
  303. Greiling P., Kirkpatrick C., Valentine G. Military Applications for Heterostructure Microelectronics Technology//Solid-State Electronics. 1995. — Vol. 38. -№. 9.-P. 1559−1567.
  304. Chan Y.-J., Yang M.-T. Al0.3Gao.7As/InxGai.xAs (0 < x < 0.25) Doped-Channel Field-Effect Transistors (DCFET's) // IEEE Trans. 1995. — Vol. ED-42. — №. 10. — P. 1745 -1749.
  305. M. -T. et al. Enchanced Device Performance by Unstrained Ino.3Gao.7As/Ino.29ALo.71 As Doped-Channel FET on GaAs Substrates // IEEE Electron Device Letters. 1996. — Vol. 17. -№. 8.-P. 410−412.
  306. Hiruma K., Mori M. et al. Dependence of GaAs-ALxGai-xAs heterostructures on AL composition for metal-semiconductor field-effect transistor operation // Journal of Applied Physics. 1989.- Vol. 66. №. 3. — P. 1439 — 1443.
  307. Chiu H.-Ch., et al. The Microwave Power Performance Comparisons of AlxGaixAs / Ino.15Gao.85As (x = 0.3, 0.5, 0.7, 1.0) Doped Channel HFETs // IEEE Trans. 2004. — Vol. ED-51. -№. l.-P. 156−158.
  308. Kiehl R.A. Single Interface and Quantum — Well Heterostructure MISFET’s // IEEE Trans. -1989. — Vol. MTT-37. — №. 9. — P. 1304 -1314.
  309. Greenberg R., Del Alamo J.A., Harbison J.P., Florez L.T. A Pseudomorphic ALGaAs / n+InGaAs Metal-Insulator-Doped Channel FET for Broad-Band Large Signal Applications // IEEE Electron Device Letters. 1991. — Vol. 12. — №. 8. — P. 436 — 438.
  310. Kim В., Matyj R.J. et al. AlGaAs/InGaAs/GaAs Quantum-Well Power MISFET at Millimeter-Wave Frequencies // IEEE Electron Device Letters. 1988. — Vol. 9. — №. 11. — P. 610 — 612.
  311. Laih L.-W., Tsai J. -H. et al. Investigation of an InGaAs-GaAs Doped-Channel MIS-like Pseudomorphic Transistor // Solid-State Electronics. -1995. Vol. 38. — №. 10. — P. 1747 — 1752.
  312. Chan Y.-J., Yang M.-T. Device Linearity Improvement by Alo.3Gao.7As/Ino.2Gao.8As Heterostructure Doped-Channel FETs // IEEE Electron Device Letters. 1995. — Vol. 16. — №. l.-P. 33 -35.
  313. Chan Y.-J., Yang M.-T., Al0.3Gao.7As/InxGai.xAs (0 < x < 25) Doped-Channel Field-Effect Transistors (DCFETs) // IEEE Trans. 1995. — Vol. ED-42. — №. 10. — P. 1745 — 1749.
  314. Streit D.C., Block T.R., Wojtowicz M. Role of Misfit Dislocation on Pseudomorphic High Electron Mobility Transistors // Applied Physics Letters. 1995. — Vol. 66. — №. 6. — P. 748 — 750.
  315. Nguyen L.D., Radulescu D.C., et al. Influence of Quantum-Well Width on Device Performance of ALo.3Gao.7As/Ino.25Gao.75As (on GaAs) MODFET’s. IEEE Trans. — 1989. — Vol. ED-36. -№.5.-P. 833−838.
  316. Chien F.-T., Chiol Sh.-Ch., Chan G.J. Microwave power Performance Comparison between Single and Dual Doped-Channel Design in AlGaAs/InGaAs-FET // IEEE Electron Device Letters. -2000.-Vol. 21.-№. 2.-P. 60−62.
  317. Mishra U.K. et al. GaN Microwave Electronics // IEEE Trans. 1998. — Vol. MTT-46. — №. 6.- P. 656 670.
  318. Cree pushes GaN transistor power density past 30 W/mm // Compound Semiconductor. -2004, — №. l.-P. 12.
  319. Wu Y.-F. et al. Very-High Power Density AlGaN/GaN HEMTs // IEEE Trans. Vol. ED-48.- №. 3. P. 586−589.
  320. Eastman F. et al. Undoped ALGaN/GaN HEMTs for Microwave Power Amplification // IEEE Trans. Vol. ED — 48. — №. 3. — P. 479 — 485.
  321. Ю.Б. Мякишев и др. / A.c. №. 1 671 080 СССР. Способ монтажа кристалла полупроводникового прибора на подложке / Зарегистр. 15.03.91.
  322. В.В. «МЮ-Optimizer» Универсальная система автоматизированного проектирования и оптимизации характеристик нелинейных микрополосковых СВЧ цепей. Части 1 и 2. М: Электроника, 1996.
  323. В.В. Анализ полосковых линий передачи, расположенных в трехслойной диэлектрической среде. Электронная техника. — Сер. Техника СВЧ. 1997. -Вып.1. -С. 57−61.
  324. Ю.Б., Подух В. А., Раков Ю. Н. Разработка усилителя 12−18 ГГц с выходной мощностью 100 мВт в монолитно-интегральном исполнении. // Отчет №. 01−759. /тема «Октава 2/1» (Итоговый отчет). 1990.
  325. Ю.Н., Павлов Е. А. Исследование и разработка путей создания унифицированного ряда монолитных усилителей с выходной мощностью 1Вт в диапазоне частот 4−18 ГГц. // Отчет № 06−252. /тема «Опал М-22». 1992.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!