Исследование локальных характеристик полупроводниковых структур методом поверхностного электронно-индуцированного потенциала в растровой электронной микроскопии
Диссертация
В настоящее время для локальной диагностики полупроводниковых кристаллов и структур на их основе все более широкое применение находит растровая электронная микроскопия — в связи с ее высоким пространственным разрешением и многообразием информативных методов, как качественных, так и количественных. В частности, растровый электронный микроскоп (РЭМ) используется для измерения таких локальных… Читать ещё >
Список литературы
- C. Donolato. «Recovery of semiconductor and defect properties from charge-collection measurements». Scanning Microscopy. (1988), V.2, N.2,p. 801−811.
- E. Б. Якимов. «Наведённый электронным пучком ток и его использование для характеризации полупроводниковых структур». Известия РАН, сер. физич. (1992), Т.56, № 3, с.31−44.
- T. E. Everhart, P. H. Hoff. «Determination of kilovolt electron energy dissipation vs penetration distance in solid materials». J. Appl. Phys. (1971), V.42, p.5837−5848.
- В.И. Петров. «Катодолюминесцентная микроскопия». УФН (1996), Т.166, N.8, с.859−871.
- J. W. Orton, P. Blood. The Electrical Characterization of Semiconductors: Measurement of Minority Carrier Properties. Academic Press (1990), 290 p.
- Semiconductor Material and Device Characterization. Ed. Schroder D. K. John Wiley Inc. (1998), 760p.
- Сапарин Г. В. Введение в растровую электронную микроскопию. Изд. МГУ. 1990. 127с.
- L. Reimer. Scanning Electron Microscopy. Springer Verlag (1985), 380 p.
- J. F. Bresse. «Quantitative use of the EBIC for the Characterization of semiconductor Devices.» Scanning Electron Microscopy. (1977) IITRI, Chicago. V. l, p. 683−693.
- J. F. Bresse. «Quantitative investigations in semiconductor devices by electron beam induced current mode: A Review». Scanning Electron Microscopy. SEM Inc. AMF O’Hare. Chicago. (1982), V. IV, p. 1487−1500.
- C. Donolato. «On the theory of SEM Charge-collection imaging of localized defects in semiconductors». Optik. (1978/79), B.52, N. l, p. 19−36.
- C. J. Wu, D. B. Wittry. «Investigation of minority-earner diffusion lengths by electron bombardment of schottky barriers». J. Appl. Phys. (1978), V.49, N.5, p.2827−2836.
- E. J. Sternglass. «Backscattering of kilovolt electrons from Solids». Phys. Rev. (1954), V.95, p.345−358.
- D. B. Wittry, D. Kyser. «Measurement of diffusion length in direct-gap semiconductors by electron-beam excitation». J. Appl. Phys.(1967), V.38, N. l, p.375−382.
- J. Pietzsch. «Measurement of minority carrier lifetime in GaAs with an intensity-modulated electron beairT. Solid-State Electronics. (1982), V.25, N.4, p.295−304.
- S. M. Davidson, C. A. Dimitriadis. «Advances in the electrical assessment of semiconductors using the scanning electron microscope». Journal of Microscopy1980), V.118, N.3, p.275−289.
- G. Oelgart, J. Fiddicke, R. Ruelke. «Investigation of minority-carrier diffusion length by means of the SEM». Phys. Stat. Sol. (a), (1981), V.66, p.283−291.
- C. Donolato. «An analytical model of SEM and STEM charge collection images of Dislocations in thin semiconductor layers». Phys. Stat. Sol. (a), 1981), V.65, p.645−658.
- S. P. Shea, L. D. Partam, P. Warter. «Resolution limits of the EBIC technique in the determination of diffusion lengths in semiconductors». Scanning Electron Microscopy. SEM Inc. AMF O’Hare (1976) V. 1, p.435−444.
- H. J. Fitting, H. Glaefeke, W. Wild. «Electron Penetration and Energy Transfer in Solid Targets». Phys. Stat. Sol. (a), (1977), V.43, p. 185−190.
- C. Donolato. «On the analysis of diffusion length measurements by SEM». Solid-State Electronics. (1982), V.25, p. 1077−1081.
- T. Matsukawa, R. Shimizu, K. Harada, T. Kato. «Investigation of kilovolt electron energy dissipation in solids». J. Appl. Phys. (1974), V.45, N2, p.733−740.
- W. Van Roosbroeck. «Injected current transport in semi-infinite semiconductor and the determination of lifetime and surface recombination velocities». J. Appl. Phys. (1955), V.26, N.4, p.380−391.
- С.Зи. Физика полупроводниковых проиборов (в 2-х книгах). Москва, Мир. 1984 г.
- М. Киттлер, В. Зайферт, X. Рихтер. «Проблемы интерпретации EBIC-измерений на кремнии «. Изв. АН СССР, сер. Физич. (1987), Т.51, № 9, с.1554−1561.
- М. А. Селезнёва, Т. А. Куприянова, С. А. Дицман. «Определение малых длин диффузии в полупроводниках электронно-зондовым методом с учётом влияния скорости поверхностной рекомбинации и размеров образца».
- Изв. АН СССР, Сер. Физич. (1974), Т.38, № 11, с.2328−2332
- F. Berz, Н. Kuiken. «Theory of lifetime measurements with the SEM: steady state». Solid-State Electronics. (1976) V. 19, p.437−445.
- C. Van Opdorp. «Methods of evaluating diffusion length and near-junction luminescence-efficiency profiles from SEM scans». Philips Res. Reports (1977), V. 32 P.192−249.
- D. E. Ioannou, C. A. Dimifriadis. «A SEM-EB1C minority-carrier diffusion length measurement technique». IEEE Trans. Electron Devices. (1982), ED-29, p.445−450
- V. K. S. Ong, J. С. H. Phang, D. S. H. Chan. «A direct and accurate method for the extraction of diffusion length and surface recombination velocity from an EBIC line scan». Solid-State Electronics. (1994), V.37, N. l, p.1−7.
- D. E. Ioannou, S. M. Davidson. «Diffusion length evaluation of boron-implanted silicon using the SEM-EBIC Schottky diode technique». J. Phys. D: Appl. Phys. (1979), V. 12, p.1339−1344.
- C. Donolato. «Charge collection in a Schottky diode as a mixed boundary-value problem». Solid-State Electronics. (1985), V. 28, p. l 143−1151.
- H. K. Kuiken, C. Van Opdoip. «Evaluation of diffusion length and surface-recombination velocity from a planar-collector-geometry electron-beam-induced current scan». J. Appl. Phys. (1985), V. 57, N.6, c.2077−2089.
- C. Donolato. «Evaluation of diffusion length and surface recombination velocities from electron beam induced current scans». Appl. Phys. Lett. (1983), V. 43, N.1, p.120−122.
- L. Jastrebski, J. Lagowski, H. Gatos. «Applications of scanning electron microscopy to determination of surface recombination velocity: GaAs». Appl. Phys. Letters (1975), V. 27, N.10, p.537−539.
- W. H. Hackett. «Electron beam excited minority-carrier diffusion profiles in semiconductors». J. Appl. Phys. (1972), V. 43, p.1649−1654.
- B. Akamatsu, J. Henoc, P. Henoc. «Electron beam induced current in direct band-gap semiconductors». J. Appl. Phys. (1981), V. 52, N.12, p.7245−7250.
- R. Parsons, J. Dyment, G. Smith. «Differentiated Electron Beam Induced Current (DEBIC)». Appl. Phys. Lett. (1979), V. 50, p.538−540.
- A. Dixon, D. Williams, S. Das, J. Webb. «Electron-beam-induced current measurements: Comparison of barrier: beam parallel and perpendicular geometries». J. Appl. Phys. (1985), V. 57, N.8, p.2963−2966.
- J. Palm. «Local investigation of recombination at grain boundaries in silicon by grain boundary-electron beam induced current». J. Appl. Phys. (1993), V. 74, N.2, p.1169−1178.
- C. Donolato. «A reciprocity theorem for charge collection». Appl. Phys. Lett. (1985), V. 46, p.270−272.
- N. Tabet, R.-J. Tarento. «Calculation of the EBIC at a Schottky contact and comparison with Au/n-Ge diodes». Philos. Mag. B, (1989) V. 59, p.243−261.
- M. Kittler, K.-W. Schroder. «Determination of semiconductor parameters and the vertical structure of devices by numerical analysis of energy -dependent EBIC measurements». Phys. Stat. Sol. (a), (1983), V. 77, p. 139−151.
- J. Chi, H. Gatos. «Determination of dopant-concentration diffusion length and lifetime variations in silicon by SEM». J. Appl. Phys. (1979), V. 50, N.5, p.3433−3440.
- J. D. Kamm. «A method for investigation of fluctuations in doping concentration and minority-carrier diffusion length in semiconductors by SEM». Solid- State Electronics (1976), V. 19, p.921−925.
- C. Frigeri. «An EBIC method for the quantitative determination of dopant concentration at striations in LEC GaAs». Inst. Phys. Conf. Ser. N 87, Sect. II, (1987), p.745−750.
- C. Donolato, M. Kittler. «Depth profiling of the minority-carrier diffusion length in intrinsically gettered silicon by EBIC». J. Appl. Phys. (1988), V. 63, N.5, p.1569−1579.
- M. Watanabe, G. Actor, H. C. Gatos. «Determination of minority-carrier lifetime and surface recombination velocity with high spatial resolution». IEEE Transact El. Devices (1977), V. ED-24, N.9, p. 1172−1 177.
- R.O. Bell, J. I. Hanoka. «Improved spatial resolution diffusion measurements in imperfect silicon». J. Appl. Phys. (1982), V. 53, N.3, p.1741−1744.
- H. J. Leamy, L. C. Kimerling, S. D. Ferris. «Silicon Single Crystal Characterization by SEM». Scanning Electron Microscopy. IITRI, Chicago (1976), V. 4, p.529- 538.
- G. Possin, C. G. Kirkpatrick. «Electron beam depth profiling in semiconductors». J. of Microscopy (1980), V. l 18, N.3, p.291−296.
- M. Kittler, W. Seifert. «Minority carrier diffusion length: measurements by EBIC, connection to materials microstructure and relation to device performance». Revue de Physique Applique. Coll. C.6, V.24, p. C6−31-C6−46.
- S. P. Shea, L. D. Partain, P. Waiter. «Resolution limits of the EBIC technique in the determination of diffusion length in semiconductors». Scanning Electron Microscopy. SEM Inc. AMF O’Hare (1978), V. l, p.435- 444.
- J. Pietzsch, R. Rodemeier. «Analysis of EBIC measurements for two-dimensional lifetime and diffusion length mapping». Inst. Phys. Conf. Ser. N.63,(1981), Ch4. p.173−178.
- О. В. Конончук, Н. Г. Ушаков, Е. Б. Якимов. «Определение профиля диффузионной длины методом НТ с помощью варьирования ширины обеднённого слоя». Изв. РАН., сер. Физич. (1992), Т. 56, № 3, с. 53−57.
- Г. В. Спивак, Г. В. Сапарин, М. В. Быков, Н. Н. Седов, Л. Ф. Комолова. «Об определении глубины залегания р-n перехода с помощью РЭМ». ФТП, (1969), № 10, с.1559−1563.
- J.-Y Chi, Н. Gatos. «Nondestructive determination of the depth of planar p-n junctions by scanning electron microscopy». IEEE Trans. On Electron Devices (1977), У. ED-24,3. 1366−1368.
- J. D. Kamin. «A method for investigation of fluctuations in doping concentration and minority-carrier diffusion length in semiconductors by SEM». Solid-State Electronics. (1976), V.19, 3.921−925.
- G. E. Possin, M. S. Adler, B. J. Baliga. «Measurement of heavy doping parameters in silicon by EBIC». IEEE Trans, on Electron Devices. (1980), 1. V. ED-27, p.983−990.
- О. У. Kononchuk, E. B.Yakimov. «Mapping of diffusion length and depletion region width in Schottky diodes». Semicond. Sci. Technol. (1992), V.7, p. A171-A174.
- JI. П. Павлов. Меторы измерения параметров полупроводниковых материалов. М: Высшая школа. 1987. 239с.
- Н. Reichl, Н. Bernt. «Lifetime measurements in silicon epitaxial materials». Solid-State Electronics. (1975), V. 18, p.453−458.
- J. Pietzsch. «Measurement of minority carrier lifetime in GaAs with an intensity-modulated electron beam». Solid-State Electronics. (1982) У. 25, N.4, p.295−304.
- G. V. Spivak, G. V. Saparin, L. F. Komolova. «The physical fundamentals of the resolution enhancement in SEM for CL and EBIC modes». Scanning Electron Microscopy. IITRI, Chicago. (1977) У. I, p. 191−199.
- A. Georges, J-M. Fournier, J.-P. Gonchond, D. Bois. «Time resolved EBIC for quantitative analysis in p-n junctions». Scanning Electron Microscopy. SEM Inc. AMF O’Hare. (1980), V. 4, p.69−76.
- W. Zimmermann. «Measurement of spatial variations of the carrier lifetime in silicon power devices». Phys. Stat. Sol. (a). (1972), V. 12, N.2, p.671−678.
- H. K. Kuiken. «Theory of lifetime measurements with the SEM: transient analysis». Solid-State Electronics. (1976), V. 19, p.447−450.
- A. Jakubowicz. «Theory of lifetime measurements in thin semiconductor layers with the SEM: transient analysis». Solid-State Electronics. (1980) V. 23, p. 635−639.
- D. E. Ioannou. «A SEM-EBIC minority-carrier lifetime measurement technique». J. Phys. D: Appl. Phys. (1980), V. 13, p.611−616.
- С. Г. Конников, В. E. Уманский, В. M. Чистяков, И. И. Лодыженский. «Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при возбуждении электронным пучком в РЭМ». Физика и Техника Полупроводников. (1988), Т.22, № 10, с. 1803−1807.
- Т. Fuyuki, Н. Matsunami. «Determination of lifetime and diffusion constant of minority carriers by a phase-shift technique using an EBIC». J. Appl. Phys. (1981) V. 52, N.5, p.3428−3432.
- C. Munakata, T. Everhart. «Frequency dependence of the diffusion length for excess minority carriers generated with a pulsed electron beam». Jap. J. Appl. Phys. (1972) V. ll, p.913−914.
- S. Othmer. «Determination of the diffusion length and drift mobility in silicon by use of a modulated SEM beam». Scanning Electron Microscopy, SEM Inc. AMF O’Hare (1978), V. I, p.727−734.
- J. D. Kamm, H. Bernt. «Theory of diffusion constant-, lifetime- and surface recombination velocity measurements with the SEM». Solid-State Electronics (1978), V. 21, p.957−964.
- C. F. Конников, О. В. Салата, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков. «Определение электрофизических параметров полупроводников в РЭМ с временным разрешением». Изв. АН СССР, сер. Физич. (1990), Т. 54, № 2, с.289−287.
- О. Von Roos. «The determination of transport parameters of minority carriers in n-p junctions by means of an electron microscope. Critique of recent developments». Solid-State Electronics. (1980), V. 23, p. 177−182.
- A. Romanowski, L. Kordas, A. Mulak. «Meansurement of local minority carrier diffusion length and lifetime by an AC-EB1C method». Scanning, (1989), V. 1 1, p.207−212.
- U. Ф. Уразгильдин, A. E. Лукьянов, Г. В. Спнвак. «Исследование времени жизни неосновных носителей, возбуждённых электронной бомбардировкой барьеров Шоттки». Изв. АН СССР. Сер. Физич. (1982), Т. 46, № 12, с.2404−2409.
- В. Г. Дюков, Д. С. Кибалов, В. К. Смирков, В. Н. Файфер. «Изучение локального распределения и кинетики фото ЭДС на кремниевых структурах в РЭМ». Известия РАН, сер. Физич. (1992), Т. 56, № 3, с.64−70.
- A. Romanowsky, D. В. Wittry. «Determiation of grain-doundary parameters of poly crystalline silicon by ac EBIC». J. Appl. Phys. (1988), V. 64, N.9, p.4601−4608.
- A. Rosencwaig. «Thermal-wave Imaging in a Scanning Electron Microscopy». Electron Microscopy AMF O’Hare (Chicago), (1984), V. IV, p.1611−1628.
- L. Balk. «Scanning Electron Acoustic Microscopy» in: Advances in Electronics and Electron Physics. London, Academic Press. (1988), V.71, p. 173.
- Гостев А. В., Клейнфельд Ю. С., Pay Э. И., Сурогина В. А. «Визуализация приповерхностной микроструктуры полупроводниковых материалов методом электронной индукционно-зарядовой ЭДС». Поверхность. (1987), № 5, с.73−81.
- Гостев А. В., Клейнфельд Ю. С., Рапопорт Б. М., Pay Э. И., Синкевич В. Ф. «Структурная неоднородность эпитаксиальных пленок GaAs и электрофизические характеристики диодов Шоттки на их основе». Микроэлектроника. (1987), Т. 16, № 4, с. 302−310.
- Гостев А. В., Клейнфельд Ю. С., Pay Э. И., Спивак Г. В. «Неразрушающий бесконтактный контроль кремниевых пластин и приборов на их основе с помощью индукционно зарядовой ЭДС в РЭМ». Микроэлектроника. (1987), Т. 16, № 4, с.311−319.
- J. С. Н. Phang, S. Kolachma, D. S. H. Chan. «Single Contact Electron Beam Current Microscopy for Failure Analysis of Integrated Circuits». Proc. 23rd1.tern. Symp. Testing and Failure Analysis. Santa Clara, USA. (1997), p.215−219.
- S. Kolaclnna, J. С. H. Phang, D. S. H. Chan. «Single Contact Electron Beam Induced Current (SCEBIC) in Semiconductor Junctions.» Solid-State Electronics. (1998), V.42, N.6, p.957−962.
- A. E. Luk’yanov, A. A. Patrin, A. M. Yanchenko. «A microwave detection system for scanning electron microscopy.» Scanning. (1990), V. 12, p.337−338.
- А. В. Бураков, A. E. Лукьянов. «Растровая ВЧ и СВЧ-микроскопия». Поверхность. (2000), № 12, с.73−82.
- Э. И. Pay, В. И. Петров, В. Г. Дюков, Г. В. Спивак, Т. Н. Наумцева. «Исследование некоторых электростатических коллекторов растрового электронного микроскопа». Изв. АН СССР. Сер. Физич. (1972), Т. 36, № 9, с.1876−1879.
- V. I. Petrov, Е. I. Rau, V. G. Djukov, G. V. Spivak. «Investigation of some SEM electrostatic collectors». Proc. 5-th Europ. Congress on Electron Microscopy. Manchester. (1972). p.184−185.
- А. В. Гостев, A. H. Жуков, III. X. Молл, Э. И. Pay, E. Б. Якимов. «Анализ информации, получаемой методом электронно-индуцированной ЭДС в РЭМ». Изв. АН. Сер. Физич. (1998), Т. 62, № 3, с.599−605.
- М. Kienle, J. Neumann, J. Otto, E. Plies. «Design and Testing of a Rau-Detector for Examination of Semiconductor Devices in a SEM and LSM». Proc. SPIE. (1996), V. 2778, p.213−217.
- L. J. Balk, E. Kubalek, E. Menzel. «Microcharacterization of electroluminescent diodes with the SEM». IEEE Trans. Electron Devices. (1975), ED-22, N.9, p.707−711.
- E. I. Rau, A. Y. Sasov, G. V. Spivak, J. Dziesiaty, K. Wencel. «Determination of local parameters of p-n junctions using the EBIV mode in SEM». Phys. Stat. Sol. (a), (1982), V.71, p.429−440.
- А. В. Саченко, О. В. Снитко. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников. Киев: Наукова Думка. (1984), 230 с.
- S. С. Choo, L. S. Tan, К. В. Quek. «Theory of the photovoltage at semiconductor surfaces and its application to diffusion length measurements». Solid-State Electronics. (1992), V. 35, N.3, p.269−283.
- В. Г. Дкжов. «Контроль контаминации кремниевых объектов методами фото ЭДС». Поверхность. (2000), № 12, с.66−72.
- С. Munakata, S. Matsubara. «The photovoltaic observation of semiconductor surfaces». J. Phys. D: Appl. Phys. (1983), V.16, p. 1093−1098.
- C. Munakata, S. Nishimatsu, N. Honma, K. Yagi. «AC Surface Photovoltages in Strongly-Inverted Oxidized p-type Silicon Wafers». Jap. J. Appl. Phys. (1984), V.23, N. l 1, p. 1451−1461.
- J. W. Philbrick, Т. H. Distefano. «Scanned surface photovoltage detection of defects in silicon wafers». Proc. 13-th Conf. On Reliability Physics. Las Vegas (1975), p. 159−167.
- Э. И. Pay, Н. Н. Седов, Ху Вэньго, Чжу Шичу. «Методические аспекты режима поверхностной электронно-индуцированной Э.Д.С. в растровой электронной микроскопии». Поверхность. (2000), № 2, с.4−9.
- А. А. Быковников, О. В. Иванова, О. В. Константинов. «О кинетике нарастания вентильной фото-эдс барьерной структуры». ФТ1Т (1984), Т.18, № 7, с.1256−1262.
- D. S. Н. Chan, J. С. Н. Phang, W. S. Lan, V. К. S. Ong, et. al. «New developments in beam induced current methods for the failure analysis of VLSI circuits». Microelectronic Engineering (1996), V. 31, p.57−67.
- В. В. Аристов, В. Jl. Гуртовой, В. Г. Еременко. «Электронно-акустическая микроскопия планарных р-n структур». Поверхность. (1993), № 1, с.57−61.
- J. F. Bresse. «Use of the SEAM for the study of III-V compound semiconductors». Scanning (1990), V. 12, p.308−314.
- H. Takenoshita. «The range of observable depth in p-n-p Tr-Chip by electron-acoustic microscopy». Jap. J. Appl. Phys. (1988), V.27, N.10, p.1812−1818.
- В. А. Сабликов, В. Б. Сандомирский. «Теория фотоакустического эффекта в полупроводниках». ФТП, (1983), Т. 17, № 1, с.81−86.
- W. L. Holstein. «Image formation in electron thermoelastic acoustic microscopy». J. Appl. Phys. (1985), V.58, N.5, p.2008−2021.
- N. Kultscher, L. Balk. «Signal generation and contrast mechanisms in scanning electron acoustic microscopy». Scanning Electron Microscopy. AMF O’Hare (Chicago), 1986, V. l, p.33−43.
- А. В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М.: Наука. 1971.230с.
- A. J1. Обухов, Э. И. Pay, X. Райт. «Сравнение методов индуцированной поверхностной ЭДС и растровой электронной термоакустической микроскопии полупроводников». Известия РАН. Сер. Физич. (1992), Т.56, № 3, с.170−175.
- В. Degel, М. Kienle, Е. Plies, Е. I. Rau, S. Q. Zhu. «New possibilities of SEBIV Mode in SEM». Proc. XII EUREM, Brno-2000. V. III, p.475−476.
- B. L. Бонг-Бруевич, С. Г. Калашников. Физика полупроводников. М.:Наука. 1977, 670с.
- L. Lassabatere, С. Alibert, J. Bonnet, L. Soonckindt. «The use of surface properties for determining semiconductor band gaps». J. Phys. E: Sci. Instr. (1976), V. 9, p.773−775.
- W. Moencli, H. Clemens, S. Goerlich, H. Gant. «Surface photovoltage spectroscopy with cleaved GaAs (110) surfaces». J. Vac. Sci. Technol. (1981), V. 19, p.525−530.
- J. Lagowski, P. Edelman, M. Dexter, W. Henley. «Non contact mapping of heavy metal contamination for silicon 1С fabrication». Semicond. Sci. Technol. (1992), V. 7, p. A185-A192.
- D. Guidotti. «Spatially resolved non-contact bulk and surface photovoltage responce in semiconductors». In: Review of progress in quantitative nondestructive evaluation. New York: Plenum Press. 1988. V. 78, p. 1167−1176.
- Э. И. Pay, Чжу Шичу. «Бесконтактный электронно-зондовый метод измерения диффузионной длины и времени жизни неосновных носителейзаряда в полупроводниках». Физика и Техника Полупроводников (2001), Т. 35, № 6, с.749−752.
- Пека Г. П. Физические явления на поверхности полупроводников. Киев: Высшая школа. 1984. 214с.
- А. В. Гостев, Э. И. Pay, Чжу Шичю, Е. Б. Якимов. «О возможности измерения локальных параметров полупроводниковых материалов методом электронно-индуцированной ЭДС». Изв. А.Н. серия физич. (2000), Т.64, № 8, с.1568−1573.
- Е. 1. Rau, Zhu Shiqiu, Е. В. Yakimov. «Contactless charaterization of semiconductor structures by the Surface Electron Beam Induced Voltage method». Inst. Phys. Conf. Ser. (1999), No 164, Oxford, March 1999, p.735−738.