Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование процессов роста и свойств многокомпонентных полупроводников с заданной субструктурой в системах Ga-Sb-Bi, In-Sb-Bi и Ga-In-As-Sb-Bi

Диссертация: Исследование процессов роста и свойств многокомпонентных полупроводников с заданной субструктурой в системах Ga-Sb-Bi, In-Sb-Bi и Ga-In-As-Sb-Bi
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Приборы, созданные на основе полупроводников, изопериодных арсениду индия (¡-пАя), перекрывают спектральный диапазон от 2,7 до 6 мкм. Однако синтез таких материалов в условиях большинства хорошо зарекомендовавших себя методов получения полупроводниковых структур сопряжен с рядом трудностей. Среди этих трудностей можно отметить наличие обширной области несмешиваемости, приводящее… Читать ещё >

Исследование процессов роста и свойств многокомпонентных полупроводников с заданной субструктурой в системах Ga-Sb-Bi, In-Sb-Bi и Ga-In-As-Sb-Bi (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 1. 1. Общая характеристика технологии получения твердых растворов в поле температурного градиента
    • 1. 2. Свойства твердых растворов на основе антимонидов индия и галлия
    • 1. 3. Свойства твердых растворов на основе арсенида индия
    • 1. 4. Полупроводниковые сверхрешетки на основе многокомпонентных полупроводников А3В
    • 1. 5. Методы получения эпитаксиальных слоев, обладающих субструктурой, на основе твердых растворов А3В
    • 1. 6. Висмутсодержащие твердые растворы в оптоэлектронике
  • Постановка задачи исследования
  • ВЫВОДЫ
  • ГЛАВА 2. ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ РАСЧЕТЫ ФАЗОВЫХ ПРЕВРАЩЕНИЙ В ИССЛЕДУЕМЫХ СИСТЕМАХ
    • 2. 1. Базовые параметры и уравнения и фазовых равновесий
    • 2. 2. Расчет упругих констант соединений с висмутом
    • 2. 3. Смещение фазовых равновесий под воздействием упругих напряжений на гетерогранице в системах 1п-8Ь-Ш и ва-ЗЬ-Ш
    • 2. 4. Особенности фазовых равновесий в системе Са-1п-Аз-8Ь-В
  • ВЫВОДЫ
  • ГЛАВА 3. ТЕХНИКА ПОЛУЧЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ И ОСТРОВКОВЫХ ПЛЕНОК С ЗАДАННОЙ СУБСТРУКТУРОЙ В УСЛОВИЯХ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ
    • 3. 1. Требования к оборудованию для проведения процессов кристаллизации и аппаратурное оформление экспериментов по получению многокомпонентных полупроводников с заданной субструктурой
    • 3. 2. Получение многослойных гетероструктур 1п8ЬВ1/1п8Ь и СаЗЬВШаЗЬ в ростовом канале
    • 3. 3. Управление геометрией растущих слоев
  • ВЫВОДЫ
  • ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ 1п8ЬВШп8Ь, ваЗЬВШаЗЬ И
  • СаЬгАзЗЬВИпАБ
    • 4. 1. Зависимость скорости кристаллизации от различных факторов
    • 4. 2. Стругаурное совершенство исследуемых твердых растворов
    • 4. 3. Кристаллизация островковых пленок
    • 4. 4. Дислокационный механизм зарождения островковых структур
    • 4. 5. Процессы кристаллизации в системе Ga-In-As- Sb- B
  • ВЫВОДЫ
  • ГЛАВА 5. ПРИЮ1АДНЫЕ АСПЕКТЫ РАБОТЫ
    • 5. 1. Принципы контролируемого технологического воздействия на ростовую среду

Современная технология материалов электронной техники подошла к новому рубежу — синтезу сложных кристаллических полупроводников с заданной субструктурой. Субструктура подразумевает сложную внутреннюю геометрию, в частности, наличие нескольких слоев и/или встроенных каналов с отличающимся от соседних областей составом, а также систем островков, образующих тонкую пленку, и т. д. Если характерные размеры элементов субструктуры достаточно малы (сотни нм и менее), возможно проявление так называемых квантово-размерных эффектов — новых физических явлений, обусловленных пространственным ограничением. В основе указанных явлений лежит наличие в полупроводниковых материалах с субструктурой многоуровневого энергетического спектра, в том числе, сверхпериодического потенциала. Такие полупроводники рассматриваются в качестве элементной базы электронных приборов нового поколенияэлектрооптических модуляторов, лазеров с перестраиваемой частотой генерации, высокочастотных когерентных излучателей и сверхчувствительных фотоэлектрических датчиков. Для реализации данных задач используются твердые растворы А3В5.

Инфракрасная техника в последние годы стала мощным инструментом научных исследований и получила широкое распространение во многих практических приложениях. Своим прогрессом она обязана появлению новых материалов, чувствительных в ИК-области спектра, и технологий их изготовления. В первую очередь это относится к многослойным полупроводниковым структурам. Достойное место в ряду узкозонных полупроводников занимают висмутсодержащие гетероструктуры[1], поскольку изменением содержания висмута можно эффективно управлять оптическими свойствами приборов на их основе. Интерес к висмутсодержащим гетероструктурам связан также с возможностью получения полупроводниковых наноструктур с характерными размерами более 100 нм, вследствие того, что фермиевская длина волны электронов у висмута велика (40 нм). Это дает возможность получать висмутсодержащие сверхрешетки методом градиентной жидкофазной эпитаксии (ГЖЭ) [2], важнейшее преимущество которого по сравнению с другими методами получения гетероструктур заключается в существенно меньшей стоимости технологии, меньшей сложности технологического процесса и менее жестким требованиям к чистоте исходных материалов.

Узкозонные твердые растворы, изопериодные подложкам антпмопида индия (ЬгёЬ), перспективны в качестве высокочувствительной элементной базы фотодетекторов в инфракрасной области спектра. К числу эффективных материалов оптоэлектроники ближнего ИК диапазона[3−5,6] относятся также антимонид галлия ва8Ь и твердые растворы на его основе. Ограничивающим фактором для приборов на основе ва8Ь является уровень концентрации акцепторов в слоях, получаемых как жидкофазной эпитаксией (ЖФЭ) в ее традиционных вариантах, так молекулярно-лучевой и МОС-гидридной эпитаксией[5].

Приборы, созданные на основе полупроводников, изопериодных арсениду индия (¡-пАя), перекрывают спектральный диапазон от 2,7 до 6 мкм. Однако синтез таких материалов в условиях большинства хорошо зарекомендовавших себя методов получения полупроводниковых структур сопряжен с рядом трудностей. Среди этих трудностей можно отметить наличие обширной области несмешиваемости, приводящее к ограничению активной области работы приборов на их основевысокую вероятность формирования нестехиометрических слоевсклонность материалов на основе 1пАя к развитию дислокационной структурыа также необходимость сверхвысокой степени очистки исходных материалов в современных технологиях молекулярно-пучковой эпитаксии и газофазной эпитаксии с использованием металлорганических соединений. В настоящей работе предпринята попытка проведения исследований, направленных на детальное выяснение причин некоторых из упомянутых проблем, касающихся процессов выращивания многокомпонентных твердых растворов (МТР) на основе 1пАя из жидкой фазы со ставкой на преимущества, которые получает исследователь, осуществляя эксперименты в условиях ГЖЭ и других неконсервативных вариантов ЖФЭ, и установление закономерностей, знание которых позволит достичь новых возможностей существующих материалов на основе 1пАб, и синтезировать новую элементную базу оптоэлектронных приборов с высокой эффективностью.

Имеется ограниченное число публикаций о пятикомпонентных твердых растворах на основе 1пАз, и к тому же, главным образом, теоретического направления. Некоторые данные по ПТР на основе 1пАз приведены в фундаментальной работе[6], однако вопросы о механизме распределения компонентов там не затрагиваются.

Технологические трудности выращивания висмутсодержащих твердых растворов до последнего времени замедляли их широкое практическое внедрение. Однако недавние достижения в данной области [1] открывают новые перспективы его получения и применения. Вследствие этого возрастает интерес к фундаментальным свойствам — таким как электронная зонная структура, а следовательно, оптическим и фотоэлектрическим характеристикам указанных материалов[3]. В связи с этим в настоящее время происходит как интенсивное развитие теории явлений в многослойных структурах (структурах с квантовыми ямами), так и разработка новых методов их получения.

Указанные особенности ^/-содержащих гетеросистем делают задачи моделирования их электронного спектра весьма привлекательными. Ряд возможностей получения гетероструктур с заданными свойствами, которые открывают неконсервативные методы ЖФЭ, сулит вполне определенные перспективы в технологии новых приборов ИК оптоэлектроники.

В качестве объектов исследования выбраны системы Са-БЬ-Ш, 1п-8Ь-Ш и Са-Тп-Аб-БЬ-Ш. Синтез новых материалов — полупроводниковых структур Са8Ь<�Ш>/Са8Ь, 1пБЬШ, в том числе, многослойных, и Са1пАББЬ<�В1>, в том числе, островковых пленок — основа новых технических решений высокоэффективных фотоприемников в вариантах р-г-пфотодиодов и лавинных фотодиодов. Сообщений о получении гетероструктур 1пОаАз<�В1>ЯпА8 и 1пСаАз8Ь<�В1>ЛпА5, обладающих сложным энергетическим спектром, в том числе, с прототипами квантовых точек, вообще нет. Метод ГЖЭ с точки зрения получения твердых растворов с заданной субструкгурой на основе 1пАз практически не исследовался. Поэтому тема работы является актуальной с научной и с прикладной точек зрения.

Целью работы является исследование условий роста, структурного совершенства и фотоэлектрических свойств гетерослоев с заданной субструктурой в системах 1пБЬ? хВУ1п8Ь, СаЗЬ?.хВуСаБЬ и Сау1п]. уАз].хБЬх<�В1>/1пАз.

Для реализации поставленной цели решались следующие задачи:

1) исследование фазовых равновесий в двухфазных системах 1п— БЬ — /?/, СдБЬ-В1 иваЫ-Аб-БЬ — Ы;

2) установление закономерностей эпитаксиального роста многокомпонентных полупроводников с заданной субструктурой на основе твердых растворов, изопериодных (7аБЬ, 1пБЬ и 1пАб, для достижения новых возможностей существующих приборов;

3) разработка технологии получения многослойных гетерокомпозиций 1пБЬ]. х В1/1пБЬ и ОаБЬ?.хВуОаБЬ с толщинами слоев порядка 100 нм, а также островковых пленок С (1у1п?.уЛБ?"?$Ьх<�В1>/1пА5 с линейными размерами островков не более 500 нм:

4) исследование физических свойств гетероструктур твердых растворов, изопериодных СаБЬ, 1пБЬ и 1пАз, полученных в условиях ЖФЭ.

Научная новизна работы.

1. На основе модели избыточных функций — линейных комбинаций химических потенциалов рассчитаны составы равновесных при температурах роста жидкой и твердой фаз в системах 1п —БЬ — Ш, Ся — БЬ — Вг и (7а — 1п—Ая-БЬ — Ш с учетом влияния упругих напряжений.

2. Установлено проявление эффекта Киркендала-Френкеля в двухфазной системе с резким различием ковалентных радиусов атомов компонентов, что является вероятной причиной вхождения в эпитаксиальные слои висмута с содержанием, превышающем расчетный предел растворимости.

3. Экспериментально обоснована возможность формирования полупроводниковых материалов на основе висмутсодержащих твердых растворов с характерными размерами субструктуры <1 ~ 100 нм из жидкой фазы в поле температурного градиента.

4. Сформулированы принципы организации контролируемого воздействия на двухфазную систему «многокомпонентный расплав — твердотельная структура» для формирования субструктуры эпитаксиальных слоев.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

1. Возможность получения многослойных структур 1п5Ь]. хВ1х/1п5Ь и СаБЬ1. х ВУСаБЬ с толщиной слоев 200 и менее нм в условиях ГЖЭ обеспечивается осуществлением принудительной гидравлической смены растворов в ростовом канале. Формирование каждого последующего слоя начинается при уменьшении времени контакта переохлажденного раствора-расплава с подложкой и смене ячеек, содержащих растворы-расплавы.

2. Рост и растворение островков на поверхности многокомпонентных пленок Сау1п?.уАз 1у8Ьх<�В1>/1пАз определяются количеством, распределением по площади и текущим кинетическим состоянием дислокационных каналов. Указанные характеристики могут быть стабилизированы на стадии градиентной эпитаксии при достаточном (не менее 60% по объему) насыщении смачивающего расплава висмутом.

3. При уменьшении температуры эпитаксии уменьшается влияние упругих напряжений на распределение мольных долей компонентов и на коэффициенты распределения компонентов и, напротив, такое влияние растет при увеличении мольной доли висмута в расплаве.

4. Методика формирования островковых структур в условиях ЖФЭ должна включать следующие принципы: 1) осуществление роста структур с резким различием постоянных решетки подложки и слоя (для структур Са1пАз8Ь<�В1>ЯпА8 — более 4%) — 2) осуществление в цикле выращивания снижения температуры по заданной динамической характеристике системы с одновременным сдвигом подложки и приведением ее в контакт с расплавом при температуре, соответствующей нижней границе ликвидуса- 3) обогащение расплава висмутом (до 75% по мольному содержанию), что служит препятствием коалесценции островков.

5. Организация контролируемого технологического воздействия на двухфазную систему «многокомпонентный расплав — твердотельная структура «должна быть основана на следующих принципах:

1) принцип использования разных временных масштабов термодинамических процессов- 2) принцип выбора уровня — пространственного масштаба, на котором осуществляется воздействие- 3) принцип соответствия набора параметров воздействия спектру реакций системы- 4) принцип использования инерции процессов теплои массопередачи.

Практические результаты.

— методом градиентной жидкофазной эпитаксии с принудительной гидравлической сменой растворов-расплавов в ростовом канале получены многослойные структуры ШЬ^ВУШЬ и ваЗЬ^Вг/ваЗЬ;

— в условиях жидкофазной эпитаксии получены островковые пленки Сау1п1. уАз1.х 8Ьх<�В1>/1пАз состава х < 0.36, у < 0.08 и содержанием висмута (средним по поверхности образца диаметром 30 мм) Х5В> < 0,0004, поверхностные структуры которых имеют характерный размер с/ ~ 100−300 нм и могут рассматриваться в качестве прототипов квантовых точек и цепочек;

— разработана технология формирования слоев висмутсодержащих твердых растворов заданной (с? ~ 150−200 нм) толщины;

— предложены конструкции оптоэлекгронных приборов: фотоприемника на основе многослойной структуры 1п8Ь]. хВ1х/1п8Ь с длиной волны принимаемого излучения X «8,5 мкм и каскадного гетеролазера, работающего на межуровневых переходах с длинами волн генерацииЯ, = 4,5 мкм и X «6,2 мкм на основе многослойной структуры СаБЬ ¡-.^¿-СаБЬ;

— на базе разработанных автором принципов организации контролируемого технологического воздействия на двухфазную систему «многокомпонентный расплав — твердотельная структура сформулирована методология планирования экспериментов по выращиванию многокомпонентных полупроводников с заданной субструкгурой.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались в 2003;2009 гг на семинарах в лаборатории «Кристаллы и структуры для твердотельной электроники» Южного научного центра РАН, в лаборатории физики полупроводников ВИ (ф) ЮРГТУ (НПИ), на семинарах проблемной лаборатории физики ЮРГТУ (НПИ), на X международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники’ХДивноморское, 2006 г.), на VI и VII международных конференциях «Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии» (Кисловодск, 2006 и 2007 гг), V международной научной конференции «Кинетика и механизм кристаллизации в наносистемах» (Иваново, 2008) и российских конференциях «Нанотехнологии — производству» (Фрязино, 2005,2006,2007 и 2008 гг).

Работа выполнена в лаборатории «Кристаллы и структуры для твердотельной электроники» Южного научного центра РАН в рамках базовых тем № 00.05.21 «Разработка теоретических основ формирования многокомпонентных гетероструктур с заданным энергетическим спектром в поле температурного градиента», № 00−08−21 «Процессы дефекгообразования и деградации физических характеристик в многокомпонентных гетерострукгурах оптоэлекгроники» (№ гос. регистрации 0120.850 125) — на кафедре физики Волгодонского института ЮжноРоссийского гос. техн. университета (Новочеркасского политехнического института) в рамках госбюджетной темы № 15.05 «Разработка теоретических основ формирования многокомпонентных твердых растворов с заданной субструктурой» .

По результатам исследований опубликовано 19 печатных работ, в том числе, 3 статьи в изданиях, рекомендованных ВАК и одна монография (в соавторстве), в которых изложены основные положения диссертации. Основные результаты работы получены автором самостоятельно.

Диссертация изложена на 162 страницах машинописного текста, содержит 75 рисунков, ?4 таблиц, состоит из введения, пяти глав, заключительных выводов и списка используемой литературы из 173 наименований.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ РАБОТЫ.

1. Исследование условий формирования многокомпонентных материалов с заданной субструктурой на их основе является актуальной задачей, поскольку увеличение числа компонентов в твердом растворе пяти компонентов дает возможность управления физическими характеристиками материалов.

2. Рассчитаны равновесные составы жидких и твердых фаз исследуемых систем. Установлено, что при уменьшении температуры эпитаксии уменьшается влияние упругих напряжений на распределение мольных долей компонентов и на коэффициенты распределения компонентов и, напротив, такое влияние растет при увеличении мольной доли висмута в расплаве. На основании расчета фазовых равновесий определены условия эпитаксии многослойных структур.

3. Предложенная методика получения многослойных упругонапряженных гетероструктур 1п8Ъ?.хВУ1п8Ъ и СаБЬ^Вг/СаЗЬ предусматривает уменьшение времени контакта переохлажденного раствора-расплава с подложкой за счет увеличения скорости перемещения подложки относительно растворов-расплавов в ячейках уменьшенных размеров. Техника формирования указанных структур включает в себя принудительную гидравлическую смену растворов в ростовом канале, что обеспечивает возможность формирования сверхтонких слоев толщиной порядка 100 нм. Заданная толщина слоев достигается путем изменения размеров ячеек, содержащих растворы-расплавы.

4. Показано, что существенным технологическим условием формирования островковой пленки является обеспечение возможности синхронного осуществления механического сдвига и достижения температуры солидуса в ростовой системе малого объема. Для получения островковых пленок была разработана кассета с наличием предварительной подпитывающей подложки, находящейся в таких же температурных условиях, что и подложка для выращивания. Кассета сдвиговой конструкции, но с дополнением кулачкового механизма, позволяющего доставлять насыщенный раствор-расплав из ячейки с подпитывающей подложкой в рабочую жидкую зону. Получение островковых пленок было осуществлено практическискорость роста заключалась в пределах 200 нм/мин, размеры островков составили от 150 до 500 нм.

5. Результаты экспериментов по выращиванию пленок твердых растворов InGaAsSbBi/InAs подтверждают эффективность модели дислокационного роста островковых структур в многокомпонентных гетеросистемах АЗВ5, что представляет интерес с точки зрения оптимизации температурно-временных режимов и приготовления гетерокомпозиций для процессов получения многокомпонентных полупроводников с заданной субструктурой.

6. Определены условия формирования субструктуры твердых растворов на подложках InSb, GaSb и InAs. В многокомпонентных висмутсодержащих системах.

3 е.

А В обнаружено проявление эффекта Киркендала-Френкеля, с которым связывается вероятная причина равномерного аномально высокого содержания висмута в эпитаксиальных слоях твердых растворов — упорядоченное размещение включений висмута в порах, вызванных релаксацией упругих напряжений на фоне упомянутого диффузионного эффекта.

7. Сформулированы принципы организации контролируемого технологического воздействия на двухфазную систему «многокомпонентный расплав — твердотельная структура» (принцип использования разных временных масштабов термодинамических процессовпринцип выбора уровня, т. е., пространственного масштаба, на котором осуществляется воздействиепринцип соответствия набора параметров воздействия спектру реакций системыпринцип использования инерции процессов теплои массопередачи).

8. Проанализированы фотоэлектрические и структурные характеристики полупроводников с заданной субструктурой — InSbBi/InSb, GaSbBi/GaSb и GalnAsSbBi/InAs. На их основе предложены пути их возможной приборной реализации. Так, разработана конструкция фотоприемных устройств с длиной волны Я = 7 +11 мкм, с многослойной структурой 1п8Ьо, 97Вц, озЯп8Ь в качестве активного элемента. Показано, что на основе многослойной структуры может быть изготовлен квантовый каскадный лазер, работающий на межуровневых переходах с длинами волн излучения Л, = 4,5 мкм и ?2 =8,9−5-13,8 мкм.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Лозовский В. Н, Лунин Л. С., Благин A.B. Градиентная жидкофазная кристаллизация многокомпонентных полупроводниковых материалов. — Ростов-на-Дону: изд-во СКНЦ ВШ, 2003. 376 е.: ил.
  2. Л.С., Благин A.B., Алфимова Д. Л., Попов А. И., Разумовский П. И. Физика градиентной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур. Ростов-на-Дону: изд-во СКНЦ ВШ, 2008. 235 е.: ил.
  3. Gladkov P., Motiova Е., Weber J. Liquid phase epitaxy and photoluminescence characterization of p-type GaSb layers grown from Bi melts. // J. Cryst. Growth. 1995. 146. P.319−325.
  4. C.C., Лебедев B.B. Соединения, А В : Справочник. — М.: Металлургия, 1984. 144 с.
  5. В.И., Привалов В. И., Тихоненко О. Я. Оптоэлектронные структуры на многокомпонентных полупроводниках. Минск: Высшая школа, 1981.391 е.: ил.
  6. В.В., Лунин Л. С., Ратушный В. И. Гетероструктуры на основе четверных и пятерных твердых растворов АШВУ. Ростов-на-Дону: изд-во СКНЦ ВШ, 2003. 376 е.: ил.
  7. В.Н., Лунин Л. С., Попов В.И Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. -М.: Металлургия, 1987. 232 с.
  8. В.Н. Зонная плавка с градиентом температуры. М.: Металлургия, 1972.
  9. В.Н., Константинова Г. С. Особенности миграции в кристалле тонких включений в поле температурного градиента. // Межвуз.сб. Кристаллизация и свойства кристаллов. 1976. Вып.З. С.74−79.
  10. Н.П. Перераспределение примесей при ЗПГТ локальными зонами. // Межвуз.сб. Кристаллизация и свойства кристаллов. 1993. С. 11−18.
  11. В.Н., Константинова Г. С. Процесс кристаллизации в линейных зонах при ЗПГТ. // Мелевуз. сб. Кристаллизация и свойства кристаллов. 1989. С. 9599.
  12. H.A. Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлекгронных приборов на основе многокомпонентных соединений АШВУ: Дис. на соиск. уч. степ. канд. техн. наук. Новочеркасск, 1993.
  13. Л. М., Елисеев П. Г., Исмаилов И. Инжекционные излучательные приборы на основе многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов. // Итоги науки и техники. Сер. Радиотехника. Т.21. С. 3−115.
  14. А.Я. Производство полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1982.309 с.
  15. Актуальные проблемы материаловедения. Под ред. Калдиса Э. -М. Мир, 1983. 274 с.
  16. Материалы, применяемые в электронной технике. Под редакцией К.Хогарта. М.: Мир, 1968.
  17. Rogalski A. InAsi. xSbx Infrared Detectors. // Prog. Quant. Electr. 1989. V.13. P.191−231.
  18. Osborn G.C. II J. Appl. Phys. 1982. V.53. P.1586.
  19. Hilsum C. Rees H.D. Tree-level oscillator: a new for of transferred-electron device. -«Electron letters». 1970. V. 6. № 9. P. 277−278.
  20. В.Н., Лунин Л. С., Аскарян Т. А. Перспективы применения пятикомпонентных гетероструктур на основе соединений АЗВ5 в интегральной оптоэлектронике // Тез. докл. ХП Всесоюзн. конф. по микроэлектронике. -Тбилиси, 1987. Ч. 7. С. 45−46.
  21. Т.А. Расчет фазовых равновесий в пятикомпонентных гетеросистемах AinBv: Дис. на соиск. уч. степ. канд. физ-мат. наук. Ростов-на-Дону, 1989.
  22. Л.С., Лунина О. Д., Сысоев И. А. и др. Пятикомпонентные твердые растворы соединений АЗВ5 в фотоэлектронике. / Тез. докл. П Всесоюзн. науч. конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Ашхабад, 1991. С. 196−197.
  23. Л.С., Аскарян Т.А, Овчинников В. А. Исследование полупроводниковых гетероструктур InAlGaAsSb/GaSb // Изв. Сев.-Кав., Науч. Центра ВШ. Естеств. Науки. 1991. № 3. С. 39−43.
  24. Л.С., Овчинников В. А., Гапоненко В. Н. Выращивание пятикомпонентных твердых растворов на подложках антимонида галлия. / Межвуз. сб. Кристаллизация и свойства кристаллов. НПИ, 1991. С. 77−85.
  25. В.Н., Лунин Л. С., Лунина О. Д., Овчинников В. А., Аскарян Т.А, Сысоев И. А. Выращивание пяти- и шестикомпонентных твердых растворов АЗВ5 в поле температурного градиента. / Тез. докл конф. по электронным материалам. Новосибирск, 1992. С. 103−104.
  26. В.Н., Лунин Л. С., Казаков В. В., Шевченко А. Г. Физико-химические основы технологии на основе соединений АЗВ5. / Тез. докл российской науч.-техн. конф. Технологические процессы и материалы приборостроения и микроэлектроники. Москва, 1994. С. 7.
  27. Р.Х., Сахарова Т. В. Получение узкозонных твердых растворов InAsj.*. ySbxBiy методом жидкофазной эпитаксии. // Письма в ЖТФ. 1992. T.18.N.10. С. 1620.
  28. Р.Х., Сахарова Т. В., Тарасов A.B., Уфимцев В. Б. Эпитаксиальный рост InAsix.ySbxBiy на подложках из InSb из висмутовых растворов. // Неорг. материалы. Т.28.1992. С.502−506.
  29. Р.Х., Акимов О. В. Тонкослойные упругонапряженные гетероструктуры InAsj.x.ySbxBiy/InSb: расчет некоторых физических параметров.// Физика и техника полупроводников. 1995. Т.29. Вып. 2. С. З62−369.
  30. Л.С., Овчинников В. А., Благин A.B. и др. Получение и исследование пятикомпонентных гетероструктур InGaAsSbBi на подложках антимонида индия. Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: НГТУ, 1996. С. 30−34.
  31. G.C. И J.Vac. Sei. Technol. В2,2,176 (1984).
  32. Р.Х., Жегалин В. А., Сахарова Т. В. Анализ фазовых равновесий в системе In-AsSb-Bi в связи с жидкофазной эпитаксией твердых растворов InAsj.x. ySbxBiy. II Изв. вузов. Сер. Цв. металлургия. 1995. № 7. С. 12−16.
  33. Maihur P.C., Jain S. II Phys. Rev. B19, 6 (1979) 3159−3166.
  34. Baxter R.D., ReidF.J., Reer A.C. II Phys. Rev. 162, 6 (1979) 3159−3166.
  35. NakashimaK. //Jpn. J. Appl. Phys. 20, 6 (1981) 1085−1094.
  36. G.R., Cavenett B.C., Kerr T.M. //Semicond. Sc. Technol. 3, (1988) 11 571 165.
  37. Г., Нельсон Г. В кн.: Физика тонких пленок Т. VII: Пер с англ. М.: Мир, 1977, с. 133−283.
  38. С.Б. Тепловые эффекты фазовых превращений в системах Ga-Sb-Bi и In-Sb-Bi. //Изв. РАН. Сер. Неорганические материалы. 1988. Т.24. № 4. С.546−549.
  39. С., Kulin S.A., Averbach B.L. //Phys. Rev. 108, (1957) p.965.
  40. H.A., Федорова H.H. //ЖТФ. 1955. С. 1339.
  41. J.С., Smith B.A., Lees D.G. //Proc. Phys. Soc., 69B, (1956)p.l339.
  42. J.C., Smith B.A. //Proc. Phys. Soc., 72, (1958) p.214.
  43. Иванов-ОмскийВ.И., КоломиецБ.Т. //ФТТ. 1959. 1. C.913.
  44. J.C., Evans S.A., Gillett C.M. // Proc. Phys. Soc. 74, (1959) p.244.
  45. Иванов-Омский В.И., Коломиец Б. Т. //ДАН СССР. 1959. 127. С. 135.
  46. Woolley J.C., EvansS.A. //Proc. Phys. Soc. 78, (1961)p.354.
  47. Woolley J.C., Gillett C.M. II J. Phys. Chem. Solids. 17, (1960) p.244.
  48. B.B. Получение варизонных твердых растворов InSbBi и InAsSbBi методом температурного градиента и исследование их свойств. — Дис. на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук Ставрополь, 2004.
  49. Р.Х., Зиновьев В. Г., Кузьмичева Г. М., Уфимцев В. Б. Кристаллохимический аспект легирования антимонида индия висмутом в условиях жидкофазнойэпитаксии. //Кристаллография. 1982. Т.21. Вып.З. С.561−565.
  50. В.Г., Виклюк Я. И., Раренко И. М. Расчет зонной структуры твердого раствора InSbBi. //ФТП. 1999. Т.ЗЗ. Вып.З. С.289−292.
  51. Panish М., Ilegems М. In Progress in Solid State Chemistry (1972).
  52. M.F. Gratton., Wolley J., Electrochen. Soc. 127, 55 (1980)
  53. X., Жоли A., Kapyma Ф., Шиллер К., «Low-temperature phase diagram of the GaAsSb system and liquid-phase-epitaxial growth of lattice-matches GaAsSb on (100) InAs substates»
  54. Woolley J., Thumes M., Thomson A. Physics (1968).
  55. Woolley J., Thompson A. Phys. (1967).
  56. KikuchiR. «Theory of ternary Ш-V semiconductor phase diagrams». Phys. (1981).
  57. Stringfellow G., Greene P. Phys. Chem. Solids (1969).
  58. Yan-Kuin Su. «Liquid-phase-epitaxial growth of ternary InAsSb» (1985).
  59. C.C., Бондаро Г. В., Tecmoea H.A., «Термодинамический анализ взаимодействия в системе InAsSbClH и получение эпитаксиальных слоев InAsSb» 1984.
  60. Mohammed К, Carosso F. High-detectisity InAsSb/InAs igrared (1,8−4,8) detectors (1986).
  61. Б. А. Михайлова М.П. Слабодчиков H.H. Смирнов H.H. «Лавиноумножение в р-п-переходе на основе InAsSb» (1979).
  62. .И. И ФТП. 32. 3. (1997).
  63. Н.Н., Устинов В. М., Щукин В. А., Копъев П. С., АлферовЖ.И., Бимберг Д /I ФТП. 1998. 32. С. 385.
  64. Weisbuch С., Vinter В. Quantum semiconductor structures. Fundamentals and Applications. Academic Press. 1991.
  65. Л.В. ФТТ. 1962. T.4. С. 2265.
  66. Chang L.L., Esaki L., Howard W.E., Ludeke R., Schul G. I I J. Vac. Sci. and Technol., 1973, V.10. P.665.
  67. ChoA.Y, Arthur J.R. //Progr. Sol. State Chem., 1975, V.10. P.157.
  68. EsakiL. Lect. Not. Phys., 1980, v. 133, p. 302.
  69. EsakiL., Tsu R. IBM J. Res. and Develop., 1970, v. 14, p. 61.
  70. Voisin R. Springer Ser. Sol. State Sci., 1984, v. 53, p. 192.
  71. Camras M.D., Brown J.M., Holonyak N. Jr., Nixon M.A., Kolinsky R. W., Ludowise M.J., Dietze W.T., Lewis C.R. I/ J. Appl. Phys., 1983. V.54. P.6183.
  72. Dohler G.H. Adv. Phys., 1983, v. 32, p.258.
  73. PloogK. Springer Ser. Sol. State Sci., 1984, v. 53, p. 220.
  74. Dohler G. H Phys. Scripta, 1981, v. 24, p. 230.
  75. EsakiL. In: Proc. of Intern. Conference on Physics of Heterojunctions. — Budapest, 1971, v. 1, p. 383.
  76. .И., ЖиляевЮ.В., Шмарцев Ю. В. ФТП. 1971. Т.5, С. 196.
  77. Ploog К., Dohler G.H. Adv. Phys., 1983, v. 32, p. 285.
  78. А.П. Полупроводниковые сверхрешетки. Успехи физических наук. Т. 147, вып.З., ноябрь, 1985.
  79. R. Dingle, H.L. Stormer, H.L. Gossard, W. Wiegmann. Appl. Phys. Lett., 33, 665 (1978).81 .ШикА.Я. ФТП, 1974, т. 8, с. 1841.
  80. Meiman N.N. J. Math. Phys., 1983, v. 24, p. 539.
  81. Esaki L., Chang L.L. Phys. Rev. Lett., 1974, v. 33, p. 495.
  82. TsuR., Chang L. L, Sai-Halasz G.A., EsakiL., Ibidem, 1975, v. 34, p. 1509.
  83. J., Frietzsche H. — Ibidem, p. 503.
  84. G.C. //J. Appl. Phys. 1982. V.53. P.1586.
  85. M. Ludowise, W.T. Dietze, C.R. Lewis, M.D. Camras, N. Holonyak, B.K. Fuller, M.A. Nixon. Appl. Phys. Lett., 42,487 (1983).
  86. E. Rezek, H. Shichijo, B.A. Vojak, N. Holonyak Jr. Appl. Phys. Lett., 31, 534 (1977).
  87. .И., Гарбузов Д. З., Арсентьев И. Н., Бер Б.Я., Вавилова Л. С., Красовский В. В., Чудинов А. В. // ФШ. 1985. 19. С. 1108.
  88. .И., Андреев В. М., Воднев А. А., Конников С. Г., Ларионов В. Р., Погребицкий К. Ю., Румянцев В. Д., Хвостиков В.Д. II Письма в ЖТФ. 1986. 12. С. 1089.
  89. Ж.И. Алферов, Д. З. Гарбузов, К.Ю. Киэ/саев, А. Б. Нивин, С. А. Никишин, А. В. Овчинников, З. П. Соколова, И. С. Тарасов, А. В. Чудинов. Письма ЖТФ, 12, 210 (1986).
  90. Ж.И. Алферов, Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. И. Колышкин, Т. Н. Налет, НА. Стругов, А. С. Тикунов. ФТП, 22, 1031 (1988).
  91. АлферовЖ.И. И ФТП, 1,436 (1967).
  92. В.Н., Лунин Л. С. Пятикомпонентные твердые растворы соединений АЗВ5. Ростов-на-Дону: РГУ, 1992. С. 192.
  93. В.М., Долгипов Л. М., Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. -М.: Советское радио, 1975.320 с.
  94. В.Б., Акчурин Р. Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. — М.: Металлургия, 1983. 221 с.
  95. Deith R.N. Liguid-phase epitaxial growth of gallium arsenide under transient thermal conditions // J. Cryst. Growth 1970. 7. P.69−73.
  96. Woodall J.M. Isothermal solution mixing growth of thin GalnAs layers // J. Electrichem. Soc.- 1981. 118. P. 150−152.
  97. Rode D.L. Isothermal diffusion theory of LPE: GaAs, GaP bubble // J. Cryst. Growth. 1983. 20. P.13−23.
  98. Hsieh J.J. Thickness and surface morphology of GaAs LPE Lazer growth by supercolling, equilibring-cooling and twophase solution technigues // Ibid. 1977. № 1. P.49−55.
  99. Kusunaku Т., Nakajima К. The effect of growth temperatures and impurity doping on composition of LPE InGaAsP on InP//J. Cryst. Growth. 1985. 59. P.387−392.
  100. А.Ф. Два новых применения явления Пельтье // ЖТФ. 1956. Т. 26. С. 478−482.
  101. В.А., Голубев Л. В., Петросян С. Г., Шик А.Я., Шмарцев Ю. В. Электрожидкостная эпитаксия I, II // Там же, 1977. Т.47. Вып.6. С.1306—1313, 1314−1318.
  102. В.Н., Румянцев Ю. М., Кузнецов Ф. А., Буждан Я.М. II Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1981. С.67−73.
  103. О.А., Авакян М. С., Аракелян В. Б. Влияние постоянного тока на процессы жидкофазной эпитаксии. — Ереван, 1987. С. 57.
  104. В.И., Мышкин А. Л., Сысоев И. А., Разумовский П.И. II Кристаллическое совершенство пятикомпонентных гетер остру кту р AlInGaPAs/GaAs. Оптика полупроводников: Тр. междунар. конф. Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000. — С. 164.
  105. В.Н., Лунин Л. С., Кучерук В. П., Кеда А. И. Распределение Те и Ge в слоях AlxGabxAs // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1977. Т.13. № 10. С.952−955.
  106. Лозовский В. К, Лунина О. Д. Эпитаксия варизонных слоев AlxGai. xAs в поле температурного градиента. // Там же. 1980. Т. 16. № 2. С.213−215.
  107. А.В. Зонная перекристаллизация градиентом температуры в многокомпонентных гетеросистемах на основе антимонида индия: Дис. на соиск. уч. степ. канд. техн. наук. Новочеркасск, 1996.
  108. Л.С., Благин А. В., Драка О. Е. Исследования энергетического спектра в системе квантовых ям для гетеросистемы InSbixBix/InSb. // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Ест. науки. 2002, № 1. С. 84−87.
  109. Д.Л., Благин А. В., Лунин Л. С. Лавинные фотодиоды на основе сверхрешетки InSb-InSbBi. // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Тр. седьмой междунар. науч.-техн. конф. — Таганрог: ТРТУ, 2000.4.1. С. 172−174.
  110. А.В. О механизме формирования сверхрешеточных структур в ходе кристаллизации многокомпонентных висмутидов. // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. 2000. № 2. С. 78−80.
  111. В.Б., Зиновьев В. Г., Раухман Н. Р. Гетерогенные равновесия в системе In-Sb-Bi и ЖФЭ твердых растворов на основе InSb. // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1979. Т.15.№ 10. С.1740−1743.
  112. И.Е., Шутов С. В., Кулюткина Т. Ф. Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида галлия из раствора в расплаве висмута. // Изв. РАН. Неорганические материалы. 1995. Т.31. № 12. С.1520−1522.
  113. Anthony T.R., Cline Н.Е. The kinetics of droplet migration in solids in an acceleration field //Phil. Mag. 1970. V.22. № 178. P. 893−901.
  114. Gordon R.G., Kim Y.S., J.Chem.Phys., 56,292 (1972).
  115. Madelung J., Gott. Nach., 100 (1909).
  116. Brown F.C. Physics of Solids, Bengamin, New York, 1967.
  117. Lenard-Jones J.E., Proc. Roy Soc., A 109,441 (1925).
  118. BernardersN. Phys. Rev., 112, 1534 (1958).
  119. Ч. Введение в физику твердого тела. / Пер. с англ. А. А. Гусева и А. В. Пахнева под общей ред. А. А. Гусева. М.: ГРФМЛ, Наука, 1978. 792 е.: ил.
  120. У. Теория твердого тела. — М.: Мир, 1972.
  121. Kellerman Е. W. Phil. Roy. Soc. (London), A238, 513 (1940).
  122. Born M., Huang K. Dynamical Theory of Crystal Lattice. — Clarendon Press, Oxford, 1954.
  123. Wallace D.C. Thermodynamics of Crystals. John Willey and Sons, New York, 1972.
  124. МЛ. Гетероструктуры на основе висмутсодержащих твердых растворов АЗВ5, полученные методом зонной перекристаллизации градиентом температуры: Дис на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук. Новочеркасск, 2008.
  125. A.M., Чарыков Н. А. Новый термодинамический метод расчета фазовых диаграмм двойных и тройных систем, содержащих In, Ga, As и Sb. II Известия РАН. Серия Неорганические материалы. 1991. Т.27. № 2. С.225−230.
  126. М.П., Литвак A.M., Чарыков Н.А. InGaAsSbP новый материал инфракрасной оптоэлектроники // ФТП. 1997. Т.31. Вып.4. С.410−415.
  127. , В.В. Соединения А3В5: Справ. / В. В. Лебедев, С. С. Стрельченко. -М.: Металлургия, 1984. 144 с.
  128. , В.А. Термодинамические свойства веществ : справ. / В. А. Рябин, Т. Ф Свит, М. А. Остроумов. Л.: Химия, 1977. — 389 с.
  129. Р.В. Получение и исследование многокомпонентных гетероструктур на основе твердых растворов АЗВ5: Дис. на соиск. уч. степ. канд. техн. наук. -Ставрополь, 2007.
  130. У. Электронная структура и свойства твердых тел: Физика химической связи: Пер. с англ. -М.: Мир, 1983. Т.1.381 е., ил.
  131. М.А., Ильин Ю. В., Ильинская Н. Д., Корсакова Ю. А., Лешко А. Ю., Лунев А. В., Лютецкий А. В., Мурашова А. В., Пихтин Н. А., Тарасов И. С. И Письма в ЖТФ. 1995. Г. 21. В. 5. С. 70−75.
  132. А.А., Благина Л. В., Драка О. Е., Подщипков Д. Г. Физико-химические основы получения многокомпонентных полупроводников с заданной субструктур ой. Ростов н/Д: Изд-во СКНЦ ВШ ЮФУ, 2009. 218 е.: ил.
  133. М., Ю П. Основы физики полупроводников. М.: Физматлит, 2002. 560 с.
  134. Phillips J.C. Bonds and Bands in Semiconductors. Academic Press, New York, 1973.
  135. A.A., Гиваргизов Е. И., Багдасаров X.C. и др. Современная кристаллография (в четырех томах). Т.4. М.: Наука, 1980.
  136. Volmer М. Kinetik der Phasenbilding, Dresden-Leipzig, 1933 (Фольмер M. Кинетика образования новой фазы. / пер. с нем. К. М. Горбуновой под ред. А. А. Чернова, предисловие Р. Каишева. -М.: Наука, 1986. 204 е.: ил.).
  137. Р., Паркер Р. Рост монокристаллов. — М.: Мир, 1974. 540 е.: ил.
  138. Френкель Я. Н Кинетическая теория жидкостей. / Собр. избран, тр. М.: Изд-во АН СССР, 1959 (-Л.: Наука, 1975).
  139. Н.М., Рядно А. А. Методы теории теплопроводности. Учеб. пособие для вузов. В 2-х частях. Ч. 1. — М.: Высшая школа, 1982. 327 с. 4.2. — М.: ВШ, 1982. 304 с.
  140. Л.С., Сысоев И. А., Смолин А. Ю., Баранник А. А. Техника градиентной эпитаксии полупроводниковых гетероструктур электронной техники. Ростов н/Д: изд-во СКНЦ ВШ ЮФУ, 2008. 160 е.: ил.
  141. К.Д., Пархоменко Я. А., Анкудинов А. В. и др. Квантовые точки InSb/InAs, полученные методом ЖФЭ. // Письма в ЖТФ. 2007. Т.ЗЗ. Вып.7. С. 5056.
  142. .Н., Карпович НА., Байдусь Н. В. и др. Влияние легирования слоя квантовых точек Bi на морфологию и фотоэлектронные свойства гетероструктур GaAs/InAs, полученных ГФЭ. // ФТП. 2001. Т.35. Вып.1. С.91−97.
  143. А.А., Сидоров В. Г. Физико-технологические основы электроники. -М.: Лань, 2002.
  144. Венгенович Р. Д, ГудьшаЮ.В., Ярема С. В. И ФТП, 2001. Т.35. Вып.12. С. 1440.
  145. В.П. Метастабильная жидкость. М.: Наука, ГРФМЛ, 1972.
  146. В.А. Спонтанное формирование полупроводниковых наноструктур: Дис на соиск. уч. степ. докт. физ.-мат. наук. СПб: ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, 1998.
  147. X., Тобочник Я. Компьютерное моделирование в физике. М.: Мир, 1990. Ч. П. 264 с.
  148. Е.А., Олейников H.H., Баранов А. Н., Третьяков Ю. Д. Моделирование эволюционных процессов в поликристаллических системах, формирующихся при кристаллизации расплавов. // Неорган, материалы. 1993. Т.29. № 11. С.1443−1448.
  149. U.C., Овчинников В. А., Благин A.B., Алфимова Д. Л., Абрамов Э. В. Исследование начальных стадий роста эпитаксиальных слоев многокомпонентных твердых растворов АЗВ5. // Изв. вузов. Сев.-Кав. регион. Техн. науки. 1997. № 3. С. 92.
  150. В.И Фистуль. Атомы легирующих примесей в полупроводниках. М.: Физматлит, 2004. 331 с.
  151. Д.П. Валюхов, C.B. Лисицын, А. Э. Зорькин, Р. В. Пигулев, И. М. Хабибулин, A.B. Благин. Исследование многокомпонентных висмутсодержащих гетероструктур наоснове соединений А3В5 / // Изв. вузов «Физика» № 11. Томск, 2003.
  152. Г., Пригоэ/син И. Познание сложного. — М.: Мир, 1990.
  153. С.П., Бодягин Н. В., Ларина Т. Г., Мурсалов С. М. Процессы роста неупорядоченных полупроводников с позиций теории самоорганизации. // ФТП. 2005. Т.39. Вып.8. С.953−959.
  154. Н.В. Эволюция межфазных границ в процессе зонной перекристаллизации в поле температурного градиента с учетом гидродинамических эффектов: Дис. на соиск. уч. степ. канд. техн. наук. -Новочеркасск, 1998.
  155. А.Н. Нелинейные явления в процессе эволюции межфазных границ при зонной перекристаллизации в поле температурного градиента: Дис. на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук. Новочеркасск, 1988.
  156. А.И. Физика полупроводниковых приборов. — М.: Физматлит, 2008. 488 с.
  157. Н.И., Немчинова Н. В., Красин Б. А. Изучение макро- и микроструктуры кремния // Совр. проблемы науки и образования. 2007. № 6. 4.3. ()
  158. Е.И. Исследование кинетики зонной плавки с градиентом температуры в системах кремний-золото, кремний-алюминий, кремний-ашоминий-золото: Дис. на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук. Новочеркасск, 1974. 192 с.
  159. A.C. Формирование многокомпонентных твердых растворов GaSb и GaInSb для инжекционных излучателей ИК-диапазона: Дис. на соиск. уч. степ. канд. техн. наук. Новочеркасск, 2005.
  160. И.А., Кручинин H.A., Поляков А. И., Резижкин В. Ф. Приборы и методы анализа в ближней инфракрасной области. М.: Химия, 1977.231 с.
  161. Rosencher Ed.E., Levine В. Intersubband transitions in quantum wells // NATO ASI Series. Ser. В. Physics. V.288. Plenum Press. N.-Y. and London, 1992.
  162. Э., Винтер Б. Оптоэлектроника. M.: Техносфера, 2004. 592 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!