Исследование эффекта понижения высоты барьера в поверхностно-барьерных детекторах ядерных излучений на основе структуры золото-кремний
Диссертация
Установлено, что линейные участки зависимости высоты барьера с поправкой на силы изображения от пространственного заряда, полученной на основе экспериментальных данных позволяют определить постоянную высоту барьера при нулевом пространственном заряде и емкость окисного слоя. Перезарядке поверхностных дискретных уровней соответствуют две постоянных высоты барьера, относящихся к состояниям… Читать ещё >
Список литературы
- В. И. Стриха, 'Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник', Киев, Наукова думка, 1974.
- B. И. Стриха, Е. В. Бузанева, И. А. Радзиевский, 'Полупроводниковые приборы с барьером Шотки (физика, технология, применение)', под ред. В. И. Стрихи. М., Советское Радио, 1974.
- S. М. Sze, 'Physics of Semiconductor Dev.', 2nd edn. Wiley, New York, 1981, Chap. 8. Зи
- C. M. Физика полупроводниковых приборов. М. Мир, 1984.
- Е. Н. Rhoderick, 'Metal-Semiconductor Contacts', Clarendon, Oxford, 1980.
- E. H. Rhoderick and R. H. Williams, 'Metal-Semiconductor Contacts', 2nd edn. Oxford1. Clarendon, 1988.
- A. Милне, 'Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках'. М. Мир, 1977, гл. 5.
- F. A. Padovani, 'Metal-semiconductor barrier devices', Semicond. and Semimet., 1971, v.7A, pp. 75−146.
- B. L. Sharma and S. C. Gupta, 'Metal-semiconductor Schottky barrier junctions. Part I — Fabrication', Solid-StateTechoI., 1980, v.23,№ 5, pp.97−101.
- B. L. Sharma and S. C. Gupta, 'Metal-semiconductor Schottky barrier junctions. Part II — Characterization and applications', Solid-StateTechnol., 1980, v.23, № 6, pp.90−95.
- V. L. Rideout, 'A review of the theory, technology and applications of metal-semiconductor rectifiers', Thin Solid Films, 1978, v.48, № 3. pp. 261−291.
- H.H. Tseng and C. Y. Wu, 'A simple interfacial-layer model for the nonideal I-V and C-V characteristics of the Schottky-barrier diode', Solid-State Electron., 1987, v.30, № 4, pp.383 390.
- M. M. Salokhina, 'A simple method of analysis of data on barrier height extracted from current-reverse voltage characteristic in Schottky diodes', Phys. scripta, 2000, v.62, P.4, pp.344−352.
- R.T. Tung. 'Electron-transport at metal-semiconductor interfaces general theory', Phis. Rev. B, 1992, v.45, № 23,13 509−13 523.
- R.T. Tung. 'Recent advances in Schottky barrier concepts', Mat. Sci. ing. R, 2001, v.35, № 13, pp.1−138.
- C.Y. Wu, 'Interfacial layer theory of the Schottky barrier diodes', J. Appl. Phys., 1980, v.51, № 7, pp.3786−3789.
- C.Y. Wu, 'Interfacial layer-thermionic-diffusion theory for the Schottky barrier diode', J. Appl. Phys., 1982, v.53, № 8, pp.5947−5950.
- A. Singh, P. Cova, and R.A. Masut. 'Reverse I -V and С V characteristics of Schottky barrier type diodes on Zn doped InP epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy'. J. Appl. Phys., 1994, v.76, 10, pp.2336−2342.
- K. Maeda, I. Umezu, H. Ikoma and T. Yoshimura, 'Non-ideal J-К characteristics and interface states of an a-Si:H Schottky barrier', J. Appl. Phys., 1990, v.68, № 6, pp.2858−2867.
- D. Donoval, V. Drobny and M. Luza, 'A contribution to the analysis of the 1 V characteristics of Schottky structures', Solid-State Electron., 1998, v.42, № 2, pp.235−241.
- Николлиан, А. Синха, 'Влияние поверхностных реакций на электрические характеристики контактов металл — полупроводник'. В сб. 'Тонкие пленки'. М., Мир, 1982.
- W. Schottky, Naturwissenschaften, 1938, v.26, p. 843- Z. Phys., 1939, v.113, p. 367- 1942, v.118, p. 539.
- N. F Mott, 'Note on the Contact between a Metal and an Insulator or Semiconductor', Proc. Camb. Phil. Soc., 1938, v.34, p. 568.
- Давыдов Б. И., ЖТФ, 1938, т.5, с. 87.
- Давыдов Б.И., 'О выпрямляющем действии полупроводников', 1939, т.1, с. 167. J. Phys. (СССР), 1939, v. l, р.167.
- Давыдов Б.И., J. Phys. USSR, 1941, v.4, р.335.
- J. Bardeen, 'Semiconductor research leading to the point contact transistor', in Nobel Lectures in Physics, 1942−1961, Elsevier, New York, 1964, pp. 318−341.
- M. Cowley and S. M. Sze, 'Surface states barrier height of metal-semiconductor systems', J. Appl. Phys., 1965, v.36, pp. 3212−3220.
- H. A. Bethe, 'Theory of the boundary layer of crystal rectifiers', Mass. Inst.Tech. Radiat. Lab. Rep. 43−12. November, 1942.
- W. Schottky, Naturwissenschaften, 1938, v.26, p. 843- Z. Phys., 1939, v.113, p. 367- 1942, v.118, p. 539.
- W. Schottky and E. Spenke, Wiss. Veroff. Siemens-wercen, 1939, v.18, p. 225.
- C.R. Crowell and S. M. Sze, 'Current transport in metal-semiconductor barriers', Solid-State Electron., 1966, v.9, pp. 1035−1048.
- E. H. Rhoderick, 'The conduction mechanism in Schottky diodes', Proc. 1972 European Solid-State Device Research Conf., 1973, p. 208.
- S. M. Sze, C. R. Crowell and D. Kahng, 'Photoelectric determination of the image force dielectric constant for hot electrons in Schottky barriers', J. Appl. Phys., 1964, v.35, pp. 25 342 536.
- T. Arizumi and M. Hirosi, 'Transport properties of metal-silicon Schottky barriers', 1969, v.8, № 6, pp.749−754.
- M. P. Lepselter and S. M. Sze, 'Silicon Schottky barrier diodes with near-ideal I-V characteristics', Bell Syst. Tech. J., 1968, v.47, № 2, pp. 195−208.
- J. M. Andrews, 'The role of the metal-semi conductor interface in silicon integrated circuit technology', J. Vac. Sci.Tech., 1974, v. ll, pp. 972−984.
- V. L. Rideout and C. R. Crowell, 'Effects of image force and tunneling on current transport in metal-semiconductor (Schottky barrier) contacts', Solid-State Electron., 1970, v.13, pp. 9 931 009.
- C. Furio, G. Charitat, A. Lhorte and J. M. Dilhac, 'Barrier lowering effects for metal-silicide Schottky diodes at high reverse bias', EPE Journal, 1998, v.7, № 3−4, pp.7−11.
- J.H. Werner, H.H. Guttler. 'Barrier inhomogeneities at Schottky contacts.' J. Appl. Phys., 1991, v.69, № 3, pp.1522−1533.
- J.H. Werner, H.H. Guttler. 'Transport-properties of inhomogeneous Schottky contacts.' 1991, v. T39, pp.25 8−264.
- R.T. Tung. 'Electron transport at metal-semiconductor interfaces: General theory.' Phys. Rev. B, 1992, v.45, № 23, pp.13 509−13 523.
- K. J. В. M. Nieuwesteeg, M. van der Veen, T. J. Vink, and J. M. Shannon, 'On the current mechanism in reverse-biased amorphous-silicon Schottky contacts. II. Reverse-bias current mechanism', J. Appl. Phys., 1993, v.74, № 4, pp.2581−2589.
- G.H. Parker, T.C. McGill, C.A. Mead, and D. Hoffman, 'Solid-State Electron., 1971, v. ll, pp.201.
- R. F. Broom, 'Doping dependence of the barrier height of palladium-silicide Schottky-diodes', Solid-State Electron., 1971, v.14, pp.1087−1092.
- S. Fujita, S. Naritsuka, T. Noda, A. Wagai and Y. Ashizawa, 'Barrier height lowering of Schottky contacts on AlInAs layers grown by metal-organic chemical-vapor deposition', J. Appl. Phys., 1993, v.73, № 3, pp.1284−1287.
- H.K. Henish, 'Semiconductor contacts an approach to ideas and models, Oxford: Clarendon, 1984.
- M.S. Tyagi, 'Physics of Schottky barrier junctions, Ch.l. of’Metal-semiconductor Schottky barrier junctions and their applications', B.L. Sharma, Ed. New York: Plenum, 1984.
- Ф. Бехштедт, P. Эндерлайн, 'Поверхности и границы раздела полупроводника'. М., Мир, 1990.
- L.B. Freeman and W.L. Dahlke, 'The theory of tunneling into interface states', Solid-State Electron., 1970, v.13, pp. 1483−1503.
- R.N. Hall, 'Electron-hole recombination in germanium', Phys. Rev., 1952, v.87, № 2, p.387.
- W. Schokley and W.T. Read Jr., 'Statistics of the recombination of holes and electrons', Phys. Rev., 1952, v.87, № 5, pp.835−842.
- J. S. Blakemore, 'Semiconductor Statistics', Dover, New York, 1982. Блейкмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках. Под ред. JI. JI. Киренблита. — М., Мир, 1964.
- Н.Н. Tseng and C.Y. Wu, 'The distortion of the interface-state spectrum due to nonequilibrium occupancy of the interface states at the metal-semiconductor interface', J. Appl. Phys., 1987, v.61, № 8, pp.2966−2972.
- C. Y. Chang and S. J. Wang, 'On occupation functions of donor- and acceptor-like interface states in metal-insulator-semiconductor tunnel structures', Solid-State Electron., 1985, v.28, № 12, pp. 1185−1195.
- C. Card and E. H. Rhoderick, 'Studies of tunnel MOS diodes. I. Interface effects in silicon Schottky diodes', J. Phys.: Appl. Phys., 1971, v.4,№ 10, pp.1589−1601.
- L.G. Walker, 'Determination of surface state density in tunnel MOS devices from current-voltage characteristics', Solid-State Electron., 1974, v.17, № 7, pp. 765−767.
- Zs. Horvath, 'Evaluation of the interface state energy distribution from Schottky I-V characteristics', J. Appl. Phys., 1988, v.63, № 3, pp.976−978.
- M. Beguwala and C.T. Crowell, 'Determination of hafnium-p-type silicon Schottky barrier height', J. Appl. Phys., 1974, v.45, № 6, pp. 2792−2794.
- H.H. Tseng and C. Y. Wu, 'A simple technique for measuring the interface-state density of the Schottky barrier diodes using the current-voltage characteristics', J. Appl. Phys., 1987, v.61,№ l, pp. 229−304.
- P. P. Sahay, 'Interface state energy distribution from non-ideal (I — V) characteristics of Ni/n-Si Schottky', Indian J. Phys., 1996, v.70A, № 5, pp.613−618.
- G. Gomila and J.M. Rubi, 'Relation for the nonequilibrium population of the interface states: ffects on the bias dependence of the ideality factor', J. Appl. Phys., 1997, v.81, № 6, pp. 26 742 681.
- G. Gomila, 'Effects of interface states on the non-stationary transport properties of Schottky contacnts and metal-insulator-semiconductor tunnel diodes', J. Phys. D: Appl. Phys., 1999, v.32, № 1, pp.64−71.
- К. Maeda, Н. Ikoma, К. Sato, and Т. Ishida, 'Current-voltage characteristics and interface state density of GaAs Schottky barrier', Appl. Phys. Lett., 1993, v.62, p.2560−2562.
- Y.S. Lou and C.Y. Wu, 'A self-consistent characterization methodology for Schottky-barrier diodes and ohmic contacts', IEEE Trans. Electron Dev., 1994, v.41, № 4, pp.558−566.
- V.I. Strikha, 'Calculation of the V-I characteristics of a pressed contact between a metal and a semiconductor with an oxide surface layer', Radio Eng. Electron. Phys., 1964, v.9, № 4, pp. 552−557.
- R.B. Darling, 'Influence of monoenergetic surface state occupation of holes and electrons on Fermi level pinning of metal-GaAs interfaces', J. Vac. Sci. Tech. A., 1992, v.10, № 4, pp.1035−1040.
- R.B. Darling, 'Current-Voltage characteristics of Schottky barrier diodes with dynamic interfacial defect state occupancy', IEEE Trans. Electron Dev., 1996, v.43, № 7, pp.538−544.
- H. Norde, 'A modified forward I-V plot for Schottky diodes with high series resistance', J. Appl. Phys., 1979, v.50, № 7, pp.5052−5053.
- K. Sato and Y. Yasumura, 'Study of forward I-V plot for Schottky diodes with high series resistance', J. Appl. Phys., 1985, v.58, pp.3655−3657.
- S.K. Cheung and N. W Cheung, 'Extraction of Schottky diodes parameters from forward current-voltage characteristics', Appl. Phys. Lett., 1986, v.49, № 2, pp.85−87.
- T.C. Lee, C.D. Beting, and H.L. Au, 'A systematic approach to the measurement of ideality factor, series resistance and barrier height of Schottky diodes', J Appl. Phys., 1992, v.72, pp.4739−4742.
- A.I. Prokopyev and S.A. Mesheryakov, 'Restrictions of forward I-V methods for determination of Schottky diode parameters', Measurement, 2003, v.33, № 2, pp.135−144.
- A.B. McLean, I.M. Dharmadasa and R.H. Williams, 'Schottky-barrier height determination in the presence of interfacial disorder', Semicond. Sci.Tech., 1986, v. l, № 2, pp.137−142.
- D.Donoval et al., 'A self consistent approach to IV-measurements on rectifying metal-semiconductor contacts', Solid-State Electron., 1989, v.32, № 11, pp.961−964.
- M. Barus and D. Donoval, 'Analysis of I- V measurements on CrSi Schottky structures in a wide temperature range', Solid-State. Electron., 1993, v.36, № 7, pp.969−974.
- D. Donoval, V. Drobny and M. Lusa, 'A contribution to the analysis of the I-V characteristics of the Schottky structures', Solid-State. Electron., 1998, v.42, № 2, pp.235−241.
- Z.L. Horvath, A. Bosacci, S. Franchi et al., 'Electrical behavior of epitaxial Al/n-Alo.25Gao.75 As junctions effect of the composition of undoped AlxGai. xAs caplayer', 1995, v.8−10,959−961.
- C. R. Crowell and V. L. Rideout, 'Normalized thermionic-field (TF) emission in metal-semiconductor (Schottky) barriers', Solid-State. Electron., 1970, v.12, pp.89−105.
- A. Padovani and R. Stratton, 'Field and thermionic field emission in Schottky barriers', Solid-State Electron., 1966, v.9, pp.695−707.
- P. A. Tove, S. A. Hyder and G. Susila, 'Diode characteristics and edge effects of metal-semicodator diodes', Solid-State Electron., 1973, v.16, № 4, pp.513−521.
- P. A. Tove, 'Methods of avoiding edge effects on semiconductor diodes', J. Phys. D: Appl. Phys., 1982, v. l5, pp. 517−536.
- Б.А. Безбородиков, А. Н. Король и Д. И. Шека, 'Влияние краевых эффектов на характеристики планарных диодов с барьером Шотки'. В кн.: Полупроводниковые приборы с барьером Шотки. Сб. научн. тр. Киев: Наукова думка, 1979, с.31−36.
- S. Chand and J. Kumar, 'Evidence for the double distribution of barrier heights in Pd2Si/n-Si Schottky diodes from I-V-Tmeasurements', Semicond. Sci.Tech., 1996, v. ll, № 8, pp.12 031 208.
- J. Osvald and E. DobroCka, 'Generalized approach to the parameter extraction from 1-V characteristics of Schottky diodes', Semicond. Sci.Tech., 1996, v. ll, № 8, pp.1198−1202.
- J. Osvald, 'Numerical study of electrical transport in inhomogeneous Schottky diodes', J. Appl. Phys., 1999, v.85, № 3, pp.1935−1942.
- Z.J. Horvath, 'Lateral distribution of Schottky barrier height a theoretical approach', Vacuum, 1995, v.46, № 8−10, pp.963−966.
- H.A. Cetinkara, A. Turut, D.M. Zengin, and S. Erel, 'The energy distribution of the interface state density of Pb/p-Si Schottky contacts exposed to clean room air', Appl. Surf. Sci., 2003, v.207, № 1−4, pp. 190−199.
- C.D. Wang, C.Y. Zhu, G.Y. Zhang et al., 'Accurate electrical characterization of forward AC behavior of real semiconductor diode: Giant negative capacitance and nonlinear interfacial layer', IEEE Trans. Electron Dev., 2003, v.50, № 4, pp.1145−1148.
- S.J. Fonash, 'Theory of capacitance and conductance behavior of Schottky-barrier and conducting M-I-S diodes with interface traps', J. Appl. Phys., 1977, v.48, № 9, pp.3953−3958.
- S.J. Fonash, 'A reevaluation of the meaning of capacitance plots for Schottky-barrier-type diodes', J. Appl. Phys., 1983, v.54, № 4, pp.1966−1975.
- P. Muret and A. Deneuville, 'Capacitance spectroscopy of localized states at metal-semiconductor interfaces. I. Theory', J. Appl. Phys., 1982, v.53, № 9, pp.6289−6299.
- P. Muret, 'Capacitance spectroscopy of localized states at metal-semiconductor interfaces. II. Experiments about Ag, Au, and Ni on crystalline (111) Si surfaces', J. Appl. Phys., 1982, v.53, № 9, pp.6300−6307.
- E.M. Vogel, W.K. Henson, C.A. Richter, J.S. Suehle, 'Limitations of conductance to the measurement of the interface states density of MOS capacitors with tunneling gate dielectrics', IEEE Trans. Electron Dev., 2000, v.47, № 3, pp.601−608.
- E. Ayyildiz, C.N.H. Lu and A. Turut, 'The determination of the interface-state density distribution from capacitance-frequency measurements in Au/N-Si Schottky barrier diodes', J. Electron. Mater., 2002, v.31, № 2, pp.119−123.
- B. Cvikl and D. Korosak, 'Interfacial net charge of nonintimate Schottky junctions', J. Appl. Phys., 2002, v.91, № 7, pp.4381−4290.
- S. Kar and W. E. Dahlke, 'Interface states in MOS structures with 20−40 A thick Si02 films on nondegenerate Si', Solid-State Electron., 1972, v.15, pp.221−237.
- S. Sanial and P. Chattopadhyay, 'Effect of exponentially distributed deep level on the current and capacitance of a MIS diode', Solid-State Electron., 2001, v.45, pp.315−324.
- Э. Николлиан и А. Синха, 'Влияние поверхностных реакций на электрические характеристики контактов металл-полупроводник'. В кн.: Тонкие пленки. М. Мир, 1982, с. 484.
- М. Ламперт и П. Марк, 'Инжекционные токи в твердых телах'. М., Мир, 1973, с. 49.
- Дж. Дирнли и Д. Нортроп, 'Полупроводниковые счетчики ядерных излучений', пер. под ред. В. С. Вавилова. М., 1966.
- Ю. К. Акимов и др., 'Полупроводниковые детекторы ядерных частиц'. М., Атомиздат, 1967.
- К. Клайкнехт, 'Детекторы корпускулярных излучений'. М. Мир. 1990.
- К. Группен, 'Детекторы элементарных частиц'. Сибирский хронограф. 1999.
- Л.И. Барабаш и П. Г. Литовченко, 'Роль поверхности в кремниевых детекторах ядерных излучений'. В кн.: Полупроводниковая техника и микроэлектроника, 23. Киев, Наукова думка, 1976, К., с.16−30.
- R.J. Archer, J. Opt. Soc. Am., 1962, v.52, p.970.
- Л. Гумнерова, Б. П. Осипенко, Л. А. Пермякова, H.M. Прахов, 'Кремниевые поверхностно-барьерные детекторы с низкими токами утечки. Препринт ОИЯИ, 1973, 13−7341.
- Е.М. Verbitskaya, V.K. Eremin, А.М. Ivanov, et al., 'Measurement of parameters determined energy and charg losses in silicon ion detectorsYInstrum. Exp. Tech., 1990, P. l, v.33, № 6, pp.1290−1293.
- E.M. Verbitskaya, V.K. Eremin, A.M. Malyarenko, et al., 'Precision semiconductor spectrometry of ions', Semiconductors, 1993, v.27, № 11−12, pp.1127−1136.
- P.G. Litovchenko, W. Wahl, D. Bisello, et al., 'Silicon detectors for gamma-ray and beta-spectroscopy', Nucl. Instrum. Meth. A, 2003, v.512, № 1−2, pp.408−411.
- V.F. Kushniruk, E. Bialkovski, E. Nossrevska, et al., 'Heavy charged particle detectors based on high-resistivity epitaxial silicon layers', Instrum. Exp. Tech., 2000, v.43, № 5, pp.597−601.
- M.G. Gomov, O.M. Grebennikova, Y.B. Gurov, et al., 'Large-area semiconductor-detectors of high-resistance silicon produced by neutron doping', Instrum. Exp. Tech., 1990, v.33, № 3, pp.554−557.
- M.G. Gornov, Y.B. Gurov, S.V. Dovgun, V.G. Sandukovskii, 'Surface-barrier telescope detectors', Instrum. Exp. Tech., 1994, v.37, P. l, № 3, pp.291−295.
- E.D. Klema, 'Preparation of high-resistivity silicon surface barrier detector for use at large reverse bias voltages', Nucl. Instrum. Meth., 1964, v.26, pp.206−209.
- F. Cappelani, Q. Restelli, 'Constructions and considerations of silicon surface barrier detectors', Nucl. Instrum. Meth., 1964, v.25, № 2, pp.230−241.
- P. A. Tove, 'The role of contacts to nuclear radiation detectors', Nucl. Instrum. Meth., 1976, v.133, pp.445−452.
- P. A. Tove, S. A. Hyder and G. Susila, 'Diode characteristic and edge effects of metal-semicodator diodes', Solis-State Electron., 1973, v.16, pp.513−521.
- P. A. Tove, G. Susila and S. A. Hyder,'Reverse diode characteristics of evaporated Au-n-Si', 1974, Solid-State Electron., 1974, v.17, № 4, pp.411−412.
- S. Berg and L. P. Andersson, 'Voltage-dependent reverse current in high resistivity siliicon surface-barrier diodes', Nucl. Instr. Meth., 1974, v.114, № 2, pp.241−244.
- L.P. Andersson, S.A. Hyder, S. Berg, 'Minority carrier injection and resistance modulation in silicon surface-barrier diodes', Nucl. Instr. Meth., 1974, v.114, № 2, pp.237−239.
- G. Fabri, M. Nasini, G. Redalli, 'Non-injecting back-contacts in surface barrier silicon detectors', Nucl. Instr. Meth., 1967, v.53, № 2, pp.337−338.
- P. A. Tove, K. Bohlin and H. Norde, 'Computer modeling of high barrier Schottky diodes applied to study of the accuracy of experimental barrier determination', Surf, sci., 1983, v.132, № 1−2, pp.264−267.
- Ю.Р. Носов, 'Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме'. М. Наука, 1968.
- Н. Norde, 'A modified forward I-V plot for Schottky diodes with high series resistance', 1979, v.50, № 7, pp.5052−5053.
- M.M. Салохина, 'Зависимость токовой характеристики кремниевых поверхностно-барьерных детекторов ядерных излучений от толщины детектора', Краткие сообщения по физике ФИАН, 1998, № 10, С. 3−8.
- М.М. Салохина, 'Неидеальные вольтфарадные характеристики полупроводниковых детекторов ядерных излучений, обусловленных большим последовательным сопротивлением', Краткие сообщения по физике ФИАН, 1998, № 5, С. 17−21.
- M.M. Zhits, О.М. Klimkova, O.R. Niyazova, N.V. Popov, 'Radiation-enhanced diffusion-defect production ratio in y-irradiated silicon detectors', Phys. status solidi (a), 1972, v.10, № 1, K23-K26.
- Т. P. Chen, Т. С. Lee, С.С. Ling, С. D. Beling and S. Fung, 'Current transport and its effect on the determination of the Schottky-barrier height in a typical system: gold on silicon', Solid-State Electron., 1993, v.36, № 7, pp.949−954.