Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование щелевых линий на основе сегнетоэлектрических и феррит-сегнетоэлектрических слоистых структур

Диссертация: Исследование щелевых линий на основе сегнетоэлектрических и феррит-сегнетоэлектрических слоистых структур
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В течение последних трех десятилетий было выполнено множество исследований в области твердотельной физики и радиоэлектроники, посвященных сегнетоэлектрическим материалам и возможности их применения в РЭС различного назначения. Было показано, что значительным потенциалом для разработки СВЧ управляемых устройств нового поколения обладают гетерост-руктуры и слоистые композиции на основе перовскитных… Читать ещё >

Исследование щелевых линий на основе сегнетоэлектрических и феррит-сегнетоэлектрических слоистых структур (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Управляемые сверхвысокочастотные устройства на основе активных диэлектриков
    • 1. 1. Ферромагнитные пленки
    • 1. 2. Сегнетоэлектрические пленки
    • 1. 3. Управляемые СВЧ устройства на основе сегнетоэлектрических пленок
    • 1. 4. Феррит-сегнетоэлектрические слоистые структуры
  • 2. Электродинамический анализ процессов распространения электромагнитных волн в щелевых линиях
    • 2. 1. Дисперсия электромагнитных волн в щелевых линиях на основе сегнетоэлектрических пленок
    • 2. 2. Затухание электромагнитных волн в щелевых линиях на основе сегнетоэлектрических пленок
    • 2. 3. Многощелевая линия на основе сегнетоэлектрических пленок
    • 2. 4. Расчет планарных фазовращателей на основе многощелевых сегнетоэлектрических структур
    • 2. 5. Согласование щелевой линии с полосковой линией и прямоугольным волноводом
  • 3. Экспериментальные исследования сегнетоэлектрического фазовращателя на основе многощелевой линии
    • 3. 1. Технология формирования слоистых пленочных структур
    • 3. 2. СВЧ характеристики сегнетоэлектрических пленок в широком диапазоне частот
    • 3. 3. Исследования резонаторных структур на основе многощелевой линии
    • 3. 4. Исследования многощелевых отражательных фазовращателей
    • 3. 5. Исследования многощелевых проходных фазовращателей
  • 4. Исследование слоистых структур феррит-сегнетоэлектрик
    • 4. 1. Исследование слоистой структуры феррит-сегнетоэлектрик
    • 4. 2. Электродинамическая модель щелевой линии на основе слоистой структуры феррит-сегнетоэлектрик
    • 4. 3. Численный анализ дисперсионного уравнения для щелевых линий на основе слоистой структуры феррит-сегнетоэлектрик
    • 4. 4. Исследование щелевого управляемого резонатора на основе слоистой структуры феррит-сегнетоэлектрик

По мере возрастания значения сверхвысокочастотных (СВЧ) систем связи, локации и навигации в современном обществе усиливаются требования к их надежности, мобильности, энергопотреблению. Телекоммуникационные сотовые и спутниковые радиотелефонные системы, передвижные навигационные и радарные станции, глобальные и локальные компьютерные сети испытывают потребность в электрически управляемых и недорогих компонентах. Эта потребность может быть обеспечена заменой сложных схем, использующих активные компоненты, на перестраиваемые СВЧ линии на основе пленочных материалов с нелинейными физическими свойствами, таких как сегнетоэлектрики и ферриты.

Один из способов управления параметрами радиоэлектронных компонентов основан на изменении диэлектрической проницаемости компонентов под действием внешнего электрического поля. «Электрический» способ управления отличается высокой скоростью и малыми энергетическими затратами, поскольку перестройка выполняется без протекания токов через управляющие цепи. Свойство управляемости под действием электрического поля сохраняется у некоторых сегнетоэлектриков (СЭ) в широком частотном диапазоне — от низких до сверхвысоких и крайневысоких частот. Это свойство активно используется в СВЧ устройствах для быстрой перестройки амплитудно-частотных и фазо-частотных характеристик (АЧХ и ФЧХ, соответственно).

Среди актуальных тенденций современной СВЧ электроники следует отметить продвижение рабочей частоты устройств в область СВЧ и КВЧ диапазонов, снижение весо-габаритных характеристик и стоимости устройств и систем. Всем указанным тенденциям соответствуют сегнетоэлектрические пленочные компоненты. Вместе с этим, существует ряд сложностей, препятствующих их широкому внедрению в СВЧ устройства различного назначения.

Отмеченные актуальные требования и тенденции развития радиоэлектронных систем определяют очевидную актуальность комплексных радиофизических и физико-технологических исследований, радиотехнических разработок, направленных на создание управляемых СВЧ устройств на основе материалов с нелинейными физическими свойствами.

В течение последних трех десятилетий было выполнено множество исследований в области твердотельной физики и радиоэлектроники, посвященных сегнетоэлектрическим материалам и возможности их применения в РЭС различного назначения. Было показано, что значительным потенциалом для разработки СВЧ управляемых устройств нового поколения обладают гетерост-руктуры и слоистые композиции на основе перовскитных пленок и родственных оксидных слоев [1, 2, 3]. В 1970 году, в результате исследований сегнето-электриков в ВЧ-СВЧ диапазоне, появилась работа Бетэ [4], направленная на применение СЭ кристаллов и керамики в радиотехнических управляемых приборах. Многие лаборатории включились в исследования ВЧ-СВЧ диэлектрических характеристик сегнетоэлектриков. Однако к середине 80-х годов прошлого столетия интерес к сегнетоэлектрическим материалам со стороны радиотехнических компаний и научных лабораторий снизился по причине высоких диэлектрических потерь, а также в связи с открытием высокотемпературной сверхпроводимости в купратах [5]. Возобновление интереса к СВЧ применениям сегнетоэлектриков проявилось вначале 90-х годов, после того как были продемонстрированы возможности формирования сверхпроводниковых высокодобротных микроструктур с сегнетоэлектрическими управляемыми компонентами [6, 7]. Появились работы, отмечавшие, что металооксидные структуры на основе сегнетоэлектрических, сверхпроводниковых и магнитных материалов способны совершить революцию в области РЭС и микроволновых систем [8 — 11]. В настоящее время интерес к комбинированным структурам, включающим управляемые и высокодобротные слои различной физической природы, продолжает развиваться. Одним из недостатков управляемых структур на СЭП является сравнительно узкий диапазон электрической перестройки рабочей частоты.

Традиционно для создания перестраиваемых взаимных и невзаимных управляемых компонентов СВЧ устройств используются магнитно-управляемые материалы, и в наибольшей степени ферриты. «Магнитный» способ управления реализуется посредством изменения напряженности магнитного поля, в которое помещается феррит, в сравнительно широком диапазоне длин волн и скоростей электромагнитных или спиновых волн [12 -14]. Магнитный способ перестройки радиоэлектронных компонентов имеет такие недостатки, как относительно низкая скорость перестройки параметров (микросекунды), значительное энергопотребление, большие габариты магнитных систем.

Электрический" способ управления отличается высокой скоростью (наносекунды), малыми энергетическими затратами, поскольку перестройка выполняется без протекания токов через управляющие цепи, а также малыми габаритами электрических систем [15]. В качестве управляемых сегнетоэлектри-ческих компонентов РЭС могут применяться сосредоточенные элементы (ва-ракторы) и распределенные структуры — линии передачи [16, 17]. Чем выше рат' бочая частота, тем больше возрастает целесообразность применения в РЭС щелевых и копланарных линий передачи на основе сегнетоэлектрических пленок (СЭП) возрастает. Одним из недостатков управляемых структур на основе СЭП является сравнительно узкий диапазон перестройки рабочей частоты (по сравнению с магнитным способом управления) при сохранении параметров затухания электромагнитной волны.

Указанный недостаток может преодолеваться в комбинированных системах, сочетающих сегнетоэлектрические и ферромагнитные слои. В ферромагнетиках могут возбуждаться магнитостатические волны (МСВ), которые имеют ряд преимуществ перед электромагнитными волнами с точки зрения процессов обработки СВЧ сигналов. В качестве ферромагнитной среды для распространения МСВ наиболее целесообразно использовать пленки железо-иттриевого граната ЖИГ — (Y3Fe5Oi2), эпитаксиально выращенные на подложках гадолиний-галиевого гранатаГГГ (Gd3Ga5Oi2) [12, 13, 18,19].

Слоистая структура, состоящая из слоев сегнетоэлектрика, такого как BaxSr!.xTiOi — бария-стронциевый титанат (БСТ), позволяет существенно улучшить эксплутационные параметры приборов, расширить их функциональность, повысить управляемость и предоставить дополнительные возможности управления фазовыми характеристиками и групповым временем задержки. [18, 19]. Повышение управляемости СВЧ устройств включает как расширение диапазона перестройки передаточных характеристик при допустимом изменении параметров устройства (например, уровня потерь, ширины и формы полос пропускания/затухания), так и сокращение времени перестройки характеристик, а также увеличение точности управления эксплуатационными параметрами радиоэлектронного компонента.

Таким образом, формируется актуальная комплексная научно-техническая проблема, включающая радиофизические и физико-технологические аспекты: исследование электродинамики новых СВЧ линий передачи, анализ волновых процессов в слоистых структурах на основе активных диэлектриков, разработку экспериментальных макетов и процессов формирования управляемых СВЧ волноведущих устройств. Указанная проблема определяет цель диссертационной работы:

Исследование процессов распространения электромагнитных волн в щелевых линиях на основе сегнетоэлектрических и феррит-сегнетоэлектрических слоев, а также разработка и изготовление на основании проведенного анализа перестраиваемых устройств СВЧ диапазона, таких как сегнетоэлектрические фазовращатели и феррит-сегнетоэлектрические резонаторы.

Для достижения указанной цели необходимо решить следующие научные задачи.

— исследование процессов распространения электромагнитных волн в щелевых СВЧ линиях передачи, включая изопланарные и многощелевые конструкции;

— разработка методик измерений СВЧ характеристик сегнетоэлектрических пленок в широком диапазоне частот (1−100 ГГц). Экспериментальное исследование характеристик сегнетоэлектрических пленок;

— разработка планарных фазовращателей на основе многощелевых сегнетоэлектрических структур и технологического процесса их изготовления;

— анализ волновых процессов в пленочной слоистой структуре феррит-сегнетоэлектрик и в структуре феррит — щелевая линия на основе сегнето-электрической пленки;

— разработка управляемых СВЧ интегральных приборов на волноведущих структурах феррит — щелевая линия на основе сегнетоэлектрической пленки. Научная новизна диссертационной работы определяется следующими результатами, полученными впервые:

1. Созданы оригинальные электродинамические модели и методики численного анализа волновых процессов в щелевых структурах на основе сегнетоэлектрических и феррит-сегнетоэлектрических структур.

2. Исследованы дисперсионные характеристики гибридных электромагнитно-спиновых волн, распространяющихся в структуре феррит-сегнетоэлектрик и структуре феррит — щелевая линия на основе сегнетоэлектрической пленки;

3. Определены условия для эффективной гибридизации щелевой моды в СВЧ линиях передачи на основе структуры феррит — щелевая линия на основе сегнетоэлектрической пленки;

4. Предложены оригинальные конструкции щелевых линий передачи, позволяющих существенно улучшить параметры волноведущих СЭ плеочных структур, используемых в управляемых СВЧ приборах;

5. Экспериментально показана высокая эффективность использования планарных фазовращателей-излучателей на основе СЭ пленки в прямоугольных волноводах;

Экспериментально показана эффективность управления резонансной частотой в структуре сегнетоэлектрическая щелевая линия — пленочный ферритовый резонатор в результате изменения электрического и магнитного полей смещения.

Оценка практической значимости. Практическую ценность работы составляют:

— электродинамическая модель и методика численного анализа процесса распространения гибридных спиново-электромагнитных волн в структуре феррит — щелевая линия на основе сегнетоэлектрической пленки, позволяющая рассчитывать параметры СВЧ устройств на их основе;

— СВЧ фазовращатели — излучатели на основе многощелевой передачи и щелевых линий передачи с экспоненциальным профилем (линии Вивальди), демонстрирующие фазовый сдвиг до 270 градусов при подаче смещающего напряжения до 250 В;

— методики измерения и программы расчета параметров сегнетоэлектрических пленок в широком диапазоне СВЧ-КВЧ;

— СВЧ резонатор на основе структуры феррит — щелевая линия на основе сегнетоэлектрической пленки, продемонстрировавший сдвиг резонансной частоты в 77 МГц при подаче смещающего электрического поля в 5 В/мкм на частотах порядка 6 ГГц;

— методика формирования щелевых линий на основе сегнетоэлектрических пленок и ферритовых слоев.

Материалы диссертации используются в учебном процессе СПбГЭТУ, курсах кафедры физической электроники и технологии.

Результаты диссертационной работы использовались в следующих ор-ганихациях: ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, Холдинговой компании «Ленинец», ОАО «Гириконд», ВНЦ «Государственный Оптический институт им С.И. ВавиловаОАО «Феррит-Домен», ОАО «Светлана», лаборатории микроэлектроники и физики материалов университета г. Оулу (Финляндия), Корейского института науки и техники (KIST, г. Сеул).

Результаты работы реализованы в следующих проектах и грантах: • в проекте Министерства Образования Российской Федерации «Разработка элементной базы и устройств СВЧ радиоэлектроники на основе сегнетоэлектрических пленок» (код проекта: 208.05.05.012);

• в проекте Международного научно-технического центра (МНТЦ — 2896) «Исследование планарных слоистых структур на основе сегнетоэлектрических пленок с целью применения в радиоэлектронных устройствах миллиметрового диапазона длин волн» (01 января 2005 г. — 30 июня 2007);

• в проекте Международного научно-технического центра (МНТЦ -2616) «Миниатюрные перестраиваемые сверхвысокочастотные генераторы» (2004 — 2006);

• в проекте Корейского института науки и техники (KISTАА134/2004) «Управляемый пленочные компоненты на основе сегнтоэлектри-ческих пленок» (2005 — 2007).

Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях, совещаниях и симпозиумах:

Научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава Санкт-Петербургского Государственного Электротехнического Университета (ЛЭТИ) (2002 — 2008), Санкт-Петербург, Россия.

7-th Russia/CIS/Baltic/Japan Symposium on Ferroelectricity (RCBJSF-7), June 24 — 28, 2002, St. Petersburg, Russia.

Международной научно-технической школе-конференции «Молодые учёные — науке, технологиям и профессиональному образованию», 1−4 октября 2002, Москва, Россия.

17-th International Symposium on Integrated Ferroelectrics. April, 2003. Schanghai, China.

IV Международной научно-технической конференции «Электроника и Информатика — 2002», Зеленоград, Россия.

International Symposium on Electrocderamics, June, 2005, Seoul, Korea.

International Student Seminar on Microwave Applications of Novel Physical Phenomena (2006 — 2008), Санкт-Петербург, Россия.

4-th international Conference on Microwave Materials and Their Applications, 12−15 June, 2006, Oulu, Finland.

Международной научно-технической школе-конференции. Молодые ученые — 2006. 14−18 ноября, 2006, Москва, Россия.

19-th International Symposium on Integrated Ferroelectrics. May 8- 11, 2007. Bourdeaux, France.

37-th European Microwave Conference, October 2007, Munich, Germany.

VI Международной научно-технической конференции. Intermatic — 2007. 23 — 27 октября, 2007, Москва, Россия.

XVII Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков. 9−14 июня, 2008, Санкт-Петербург.

Исследования, проведенные в рамках диссертационной работы, позволили сформулировать следующие научные положения:

1. Многощелевая линия на поверхности сегнетоэлектрической пленки, содержащая несколько внутренних полосковых электродов, по затуханию щелевой моды близка к аналогичной по ширине щелевой линии без внутренних электродов, что позволяет в несколько раз снизить управляющее напряжение.

2. Многощелевая СВЧ линия передачи, сформированная на поверхности сегнетоэлектрической пленки титаната бария-стронция, в сочетании с планар-ными экспоненциальными щелевыми элементами согласования (излучателями Вивальди) электродинамически согласована с окружающим пространством в широком диапазоне частот, что позволяет в режиме на проход излучать энергию в Н — плоскости в угле раскрыва 40 — 60 градусов при минимальных потерях мощности сигнала и фазовом сдвиге до 360 градусов.

3. Взаимодействие поверхностной магнитостатической волны в ферромагнитной пленке с основной модой щелевой линии на основе сегнетоэлектрической пленки приводит к волновой гибридизации, позволяющей эффективно управлять дисперсионными характеристиками такой структуры посредством изменения как электрического, так и магнитного полей смещения.

4. Максимальная гибридизация поверхностной магнитостатической и электромагнитной волны щелевой сегнетоэлектрической линии достигается путем уменьшения ширины щели (в интервале 10−50 мкм) и увеличения толщин сегнетоэлектрической и ферромагнитной пленок (более 10 мкм) как результат роста замедления электромагнитной волны в щелевой линии.

Научные материалы диссертационной работы докладывались на конференциях и семинарах различного уровня. По теме диссертации опубликовано 10 научных работ, из них 5 статей (4 статьи опубликованы в научных изданиях, определенных ВАК), 4 доклада в трудах международных и всероссийских конференций и 1 патент. Диссертация состоит из введения, четырех глав с выводами, заключения. Она изложена на 109 страницах машинописного текста, включает 42 рисунка, 8 таблиц, и содержит список литературы из 89 наименований.

Выводы по главе.

В настоящей главе были получены следующие основные результаты.

1. Проведено теоретическое исследование слоистых структур феррит-сегнетоэлектрик с помощью метода полноволнового анализа. Показано соответствие результатов, полученных данным методом, с результатами, полученными ранее другими методами, в том числе и в случае предельных случаев — при отсутствии либо ферритового, либо сегнетоэлектрического слоев.

2. Получено дисперсионное уравнение для щелевой лини с ферритовым и сегнетоэлектрическим заполнением и проведен его численный анализ, показывающий, что взаимодействие магнитостатической волны в ферромагнитной пленке и щелевой моды в линии на основе сегнетоэлектрической пленки приводит к волновой гибридизации, что позволяет эффективно управлять дисперсионными характеристиками посредством электрического и магнитного полей в щелевой линии с ферритовым и сегнетоэлектрическим заполнением.

3. Численный анализ показал, что максимальная гибридизация поверхностной спиновой волны в ферритовой пленке и электромагнитной волны щелевой линии достигается при уменьшении ширины щели и увеличении толщины сегнетоэлектрической и ферромагнитной.

4. Экспериментально показана электрическая и магнитная перестройка резонатора на основе щелевой лини с ферритовым и сегнетоэлектрическим за/ полнением. Полученная в эксперименте электрическая престройка, составила 77 МГц при напряженности управляющего поля 5 В/мкм, а магнитная — 477 МГц при изменении напряженности магнитного поля от 1420 до 1570 Э.

Заключение

.

Проведенные исследования позволили получить ряд новых научных результатов и сформулировать следующие выводы:

1. Численный анализ и экспериментальные исследования показали, что щелевая линия на поверхности СЭ пленки, содержащая несколько внутренних полосковых электродов, по уровню затухания СВЧ щелевой моды близка к щелевой линии без внутренних электродов.

2. Щелевые линии с экспоненциальным профилем (линии Вивальди) позволяют обемпечить согласование многощелевых линий на основе сегнетоэлектрических пленок с прямоугольными волноводами и излучателями в широком частотном диапазоне.

3. Разработана конструкция интегральных проходных волноводно-планарных фазовращателей-излучателей на основе сегнетоэлектрических пленок. На изготовленных макетах экспериментально показан фазовый набег в 250 градусов на частоте 30 ГГц при подаче смещающего напряжения в 250 В. Экспериментально показано, что в //-плоскости угол раскрытия диаграммы направленности составляет порядка 60 градусов на уровне 3 дБ для исследуемой структуры.

4. Получено дисперсионное уравнение для щелевой лини с ферритовым и сегнетоэлектрическим заполнением и проведен его численный анализ. Показано, что взаимодействие магнитостатической волны в ферромагнитной пленке и щелевой моды в линии на основе сегнетоэлектрической пленки приводит к волновой гибридизации, что позволяет эффективно управлять дисперсионными характеристиками посредством электрического и магнитного полей в структуре феррит — щелевая линия — сегнетоэлектрическая пленка.

5. Экспериментально показана электрическая и магнитная перестройка резонатора на основе щелевой лини с ферритовым и сегнетоэлектрическим заполнением. Полученная в эксперименте электрическая перестройка, составила 77 МГц при напряженности управляющего поля 5 В/мкм, а магнитная — 477 МГц при изменении напряженности магнитного поля от 1420 до 1570 Э.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Г. А. Физика сегнетоэлектрических явлений / Г. А. Смоленский — Л.:Наука, 1984.-296 с.
  2. М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Глас М. :Мир, 1981. — 736 с.
  3. Сегнетоэлектрики в технике СВЧ/Под ред. О. Г. Вендика. М.: Сов. радио, 1979.-272 с.
  4. Bethe К. On microwave behaviour of nonlinear dielectrics. / K. Bethe // Phillips Res. Repts — 1970. — № 1.
  5. Bednorz J.G. Possible high Tc- superconductivity in the Ba-La-Cu-O system / J.G. Bednorz, K.A. Muller//Z. Phys. B. 1986. -Vol. 63. -N.2, — p. 189−192.
  6. Vendik O.G. High-Tc superconductivity- new applications of ferroelectrics at microwave frequencies / O.G. Vendik, L.T. Ter-Martirosyan, A.I. Dedyk, S.F. Kar-manenko, R.A. Chakalov // Ferroelectrics. 1992. — v.143. — N. l-3. — p. 33−42.
  7. Vendik O.G. Superconductors spur application of ferroelectric films / O.G. Vendik, I.G. Mironenko, L.T. Ter-Martirosyan // Microwaves and RF. 1993. -V.32. — p. 67−70.
  8. Venkatesan T. High-Tc thin films: a forerunner to the metal-oxide revolution / T. Venkatesan, L. Nazar, X.D. Wu, A. Inam // Solid State Technology. 1989. — vol. 31. — N.8 — p. 143−144.
  9. Dionne G. F. Ferrite-superconductor devices for advanced microwave applications / G. F. Dionne, D.E. Oates, D.H. Temme, J.A. Weiss // IEEE Trans, on microwave theoiy and techniques. 1996. V. 43. — p. 1361−1368.
  10. Функциональные устройства обработки сигналов (основы теории и алгоритмы) учебное пособие / под ред. Ю. В. Егорова. — М.:Радио и связь, 1997. -287 с.
  11. Ю.В. Спинволновая электроника. / Ю. В. Гуляев, П. Е. Зильберман // Серия Радиоэлектроника и связь. М.: «Знание». — 1988. — № 6. — 24 С.
  12. А.В. Магнитостатические волны в электронике сверхвысоких частот. / А. В. Вашковский, B.C. Стальмахов, Ю. П. Шараевский. Саратов: Изд-воСГУ, 1992.-312 с.
  13. Mironenko I.G. Principles of Applications and Properties of Ferroelectric Films at Microwaves / I.G. Mironenko //Ferroelectrics. 1976. — Vol. 12. — p.421−421.
  14. B.B. Дисперсионные свойства линий пердачи на основе слоистых диэлектрических структур / В. В. Аванесян, И. Г. Мироненко // Изв. ВУЗов «Радиоэлектроника». 1998. — N.1. — с. 15−20.
  15. И.Г., Иванов А. А. Дисперсионные характеристики щелевой и копланарной линий на основе структур «сегнетоэлектрическая пленка-диэлектрическая подложка» / И. Г. Мироненко, А. А. Иванов // Письма в ЖТФ. -2001.- Т.27. N. 12. — с. 16−21.
  16. Gulyaev Yu.V. Magnetoacoustic echo spectrum of a ferrite dielectric layered strucrure / Yu.V. Gulyaev, Yu.F. Ogrin, N.I. Polzikova, F.Yu. Ogrin, P.W. Haycock // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. — 1994. — v.157/158. — p .482−482.
  17. Ю.М. Монокристаллы ферритов в радиоэлектронике. / Ю. М. Яковлев, С. Ш. Генделев. М.: Сов. радио, 1974. — 360 С.
  18. Xu Zuo. Single crystal hexaferrite phase shifter at Ka band / Xu Zuo, Ping Shi, S. A. Oliver, C. Vittoria // J. of Applied Physicsio 2001. — V. 91. — p. 7622−7623.
  19. А.Г. Магнитные колебания и волны / А. Г. Гуревич, Г. А. Мелков. -М.: Физматлит, 1993. 464 С.
  20. R.W., Eshbach J.R. // J.Phys.Chem.Solid. 1961. -V. 19. — N.3−3. — p.308−320.
  21. .А. Спинволновые процессы и устройства СВЧ. / Б.А. Калини-кос, Н. Г. Ковшиков, Н. В. Кожусь СПб.: ГЭТУ-ЛЭТИ, 1994. — 92 С.
  22. В.И. Набег фазы поверхностных магнитостатических волн, распространяющихся в неоднородно намагниченных ферритовых пленках и структурах феррит-металл / В. И. Зубков, В. И. Щеглов // Письма в ЖТФ, 1999. — Т. 24.-В. З.-С. 79−83.
  23. Vendilc O.G. Ferroelectric tuning of planar and bulk microwave devices / O.G. Vendik, E.K. Hollmann, A.B. Kozyrev, A.M. Prudan // J. of Supercond. 1999. -V.12 (2). -P.325 — 338.
  24. Sengupta L. Paratek Microwave Inc (Columbia, MD) — the tunable wireless company / L. Sengupta // IEEE Workshop on Microwave Application of Ferroelectric films. Glen Research Center, Ohio Airspace Institute, Cleveland. March 2001.
  25. Seung Eon Moon. Microwave Dielectric Properties for (Pb, La)(Zr, Ti)03 Thin Films on MgO (001) Substrate Grown by Chemical Solution Deposition / Seung
  26. Eon Moon, Min Hwan Kwak, Young-Tae Kim, Han-Cheol Ryu, Su-Jae Lee, Kwang-Yong Kang // Integrated Ferroelectrics. 2004. — V. 77. — P. 37−43.
  27. Г. В. Диэлектрические свойства KTa03: Кристаллы в миллиметровом диапазоне СВЧ / Г. В. Белокопытов, И. В, Иванов, И.Ю. Сыромятников//ФТТ. 1990. — т. 31. -№ 6.-с. 1795−1800.
  28. Jaehoon Park. BZN Thin Film Capacitors for Microwave Low Loss Tunable Applications / Jaehoon Park, Jiwei Lu, Susanne Stemmer, Robert A. York. // Integrated Ferroelectrics. — 2004. vol. 77. — p. 21−26.
  29. Wu H.-D. Doped BSTO thin films for microwave device applications at room tempereture / H.-D. Wu, F.S. Barnes // Intergrated ferroelectrics. 1998. — vol.21.- p.291−304.
  30. Subramanyam G. Microwave Dielectric Properties of Mn: BST and PST Thin-Films / G. Subramanyam, C. Chen, S. Dey // Integrated Ferroelectrics. 2004. -vol.77.-p. 189−197.
  31. Dedyk A.I. Influence of Mg and Mn Doping on the RF-Microwave Dielectric"" Properties of BaxSrl-xTi03 Films / A.I. Dedylc, S.F. Karmanenko, A.A. Melkov, V.I. Sakharov, I.T. Serenkov // Ferroelectrics. 2002. — Vol. 286. — p. 267−278. ."
  32. Feldman С. Formation of thin films of ВаТЮЗ by evaporation / C. Feldman // Rev.Sci.Instr. 1954. — vol.26. — p.463−467.
  33. M.C. Тонкие сегнетоэлектрические пленки Pb(Ti, Zr, Sn)03 / M.C. Лурье // Докл. АН СССР. 1959. — т.128. — № 1. — с.73−74.
  34. Т.Н. Электрические свойства пленочных варикондов с прямоугольной петлей гистерезиса / Т. Н. Вербицкая, Л. М. Александрова, Е. И. Широбокова // Изв. АН СССР. Серия физическая. 1964. — т.29. — с. 2103.
  35. Т.Н. Титанат бария. / Т. Н. Вербицкая М.: Наука, 1972.
  36. .А. Керамические конденсаторные диэлектрики / Б.А. Ротенберг- СПб: Гириконд, 2000. 246 с.
  37. В.П. Физика сегнетоэлектрических пленок / В. П. Дудкевич, Е. Г. Фесенко Ростов: Изд-во РГУ, 1979. — 190 с.
  38. Ю.Я. Пленочные сегнетоэлектрики / Ю. Я. Томашпольский М.: Радио и связь, 1983.- 192 с.
  39. Kozyrev A. Microwave Properties of (Ba, Sr) Ti03 Ceramic Films and Phase-Shifters on their Base / A. Kozyrev, V. Keis, V. Osadchy, A. Pavlov, O.Y. Buslov and L. Sengupta// Integrated Ferroelectrics. -2001. V.33. — P. l89−194.
  40. Barlingay C.K. Observation of sol-gel epitaxial growth of ferroelectric Pb (Nb, Zr, Ti)03 thin film on sapphire / C.K. Barlingay, S.K. Dey // Appl.Phys.Lett. 1991. — vol.61, — p. 1278−1280.
  41. Сегнетоэлектрические пленки и устройства на сверх- и крайне высоких частотах / А. А. Иванов, С. Ф. Карманенко, И. Г. Мироненко, И. А. Назаров, А. А. Семенов. СПб.: ООО «Техномедиа», Изд-во «Элмор», 2007. — 162 с.
  42. Sigov A.S. Sol-gel films for integrated circuits / A.S. Sigov, K.A. Vorotilov, A.S. Valeev, M.I. Yanovskaya // J. Sol-gel Science and Technology. 1993. — V.l. -P.563−568.
  43. Liang S. Plasma-enhanced metalorganic chemical vapor deposition of SrTi03 and Bai. xSrxTi03 thin films / S. Liang, C. Chern, P. Shi Lu, A. Safari, Y. Lu, В. H. Kear // J. Electron. Mater. 1993. — V. 22. — N.7. — p. 26.
  44. Yu Z. Epitaxial perovskite thin films grown on silicon by molecular beam epitaxy / Z. Yu, J. Ramdani, J.A. Curless and oths. // Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. — 2000. V. 18. — p. 16 531 657.
  45. Shimoyama K. Homoepitaxial Growth of SrTi03 in an Ultrahigh Vacuum with Automatic Feeding of Oxygen from the Substrate at Temperatures as Low as 370 °C / K. Shimoyama, M. Kiyohara, A. Uedono // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. -Vol.41. — Part 1. — L269-L271.
  46. Yoon S.G. Preparation of thin-film (Ba0.5Sr0.5)TiO3 by the laser ablation technique • and electrical properties / S.G. Yoon, J.C. Lee, A. Safari // J.Appl.Phys. 1994. -vol.76. — p. 2999−3002.
  47. Jun-Ki Chung. Stress Controlled Ferroelectric BaSrTiOs Thin Films Prepared on Gd203/SrTi03(001) by a Pulsed Laser Deposition / Jun-Ki Chung, Sang Su Kim, Dong Sik Bae, and oths. // Integrated Ferroelectrics. 2006. — vol. 80. — p.415— 421.
  48. Savva N. Excimer laser patterning of high-Tc superconducting thin films of YBCO / N. Savva, K.F. Williams, G.M. Davis, M.C. Gower // IEEE journal of quantum electronics. 1989. — vol.24. — p. 2399−2402.
  49. Rauch W. DC-magnetron sputtering for microwave applications. / W. Rauch, H. Behner, G. Gieres, G. Solkner, F. Fox, A.A. Valenzuela, E. Gornik // Physica C. -1991.-vol. 198.-p. 389−396.
  50. О.Г. Исследование структуры, состава и морфологии монокристаллических пленок сегнетоэлектриков со структурой перовскита / О. Г. Вендик,
  51. Л.С. Ильинский, А. Д. Смирнов, Г. С. Хижа // ЖТФ. 1983. — т.53. — с. 772 777.
  52. Мухортов Вас.М. Применение наноразмерных пленок титаната бария-стронция для перестраиваемых сверхвысокочастотных устройств / Вас.М. Мухортов, С. И. Масычев, Ю. И. Головко, А. В. Чуб, В. М. Мухортов // ЖТФ. 2006. — том 76. — вып. 10. — с. 106 — 109.
  53. В.М. Формирование доменной структуры под действием деформационных полей в наноразмерных пленках титаната бария-стронция / В. М. Мухортов, Ю. И. Головко, В. В. Колесников, С. В. Бирюков // Письма в ЖТФ. -2004. том 31. — вып. 22. — с. 75 — 80.
  54. В.М. Геометрические эффекты в наноразмерных эпитаксиальных пленках титаната бария-стронция / В. М. Мухортов, В. В. Колесников, Ю. И. Головко, С. В. Бирюков, А. А. Маматов, Ю. И. Юзюк // ЖТФ. 2007. — том 77. -вып. 10.-с. 97−101.
  55. Г. С. СВЧ-фазовращатели и переключатели / Г. С. Хижа, И. Б. Вендик, Е. А. Серебрякова.-М.: Радио и связь, 1983.
  56. И.В. Параметр качества и добротность СВЧ-управляющих устройств на полупроводниковых и сегнетоэлектрических активных элементах / И. В. Барский, О. Г. Вендик, Г. С. Хижа //, Л.:Известия ЛЭТИ. 1986. -вып.374. — с.3−6. •
  57. York R. Tunability an Enabling Technology for Wireless / R. York. — Agile Materials & Technologies Inc., 2002.
  58. Miranda F. A. Design and development of ferroelectric tunable microwave components for Ku- and K-band satellite communication systems / F. A. Miranda, G.
  59. Subramanyam, F.W. Van Keuls, R. Romanofsky, J.D. Warner, and C.H. Mueller // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 2000. — vol. 48. — p. 1181−1189.
  60. А. СВЧ фазовращатель с планарными конденсаторами на основе пленок титаната стронция / А. Козырев, А. Иванов, О. Солдатенков, Е. Гольман, А. Прудан, В. Логинов. // Письма в ЖТФ. 1999. — том 24. — вып. 20. — с. 78−82.
  61. О.Ю. Интегральные сегнетоэлектрические фазовращатели мм диапазона длин волн на основе периодических структур / О. Ю. Буслов, В.IT. Кейс,
  62. A.Б. Козырев, И. В. Котельников, П. В. Кулик. // ЖТФ. 2004. — том 74. -вып. 9. — С. 89−94.
  63. А. Волноводно-щелсвой 60 GHz фазовращатель на основе (Ba, Sr) Ti03 сегнетоэлектрической пленки / А. Козырев, М. Гайдуков, А. Гагарин, А. Тумаркин, С. Разумов. // Письма в ЖТФ. 2001. — том 28. — вып. 6. -С. 51−56.
  64. Schaubert & Shin. A parameter study of stripline-fed Vivaldi notch-antenna arrays // IEEE Trans, on Antennas and Propagation. May, 1999. — Vol. 47. — N. 4. -p. 879−886.
  65. Weem et al. Vivaldi antenna arrays // Antennas and Propagation Society International Symposium. July, 2000. — Vol.1. — p. 174−177.
  66. А.Б. 60 GHz фазовращатель на основе (Ba, Sr) Ti03 сегнетоэлектрической пленки / А. Б. Козырев, А. В. Иванов, О. И. Солдатенков, А. В. Тумаркин, С. В. Разумов, С. Ю. Айгунова // Письма в ЖТФ. 2001. — том 27. — вып. 23.-С. 16−21.
  67. Kozyrev A. Microwave Properties of (Ba, Sr) Ti03 Ceramic Films and Phase-Shifters on their Base / A. Kozyrev, V. Keis, V. Osadchy, A. Pavlov, O. Buslov and L. Sengupta // Integrated Ferroelectrics. 2001. — V.33. — p. 189−194.
  68. Acikel B. A New High Performance Phase Shifter Using Bax SrixTi03 Thin Film /
  69. B. Acikel, T.R. Taylor, P.J. Hansen, J.S. Speck, R.A. York. // Microwave and Wireless Components Letters, IEEE. July, 2001. — pp. 237−239,
  70. Demidov V. E. Dipole-exchange theory of hybrid electromagnetic-spin waves in layered film structures / V. E. Demidov, B. A. Kalinikos, P. Edenhofer // Journal Of Applied Physics. 2001. — V.91. — N. l 1. — P. 10 007−10 016.
  71. B.E. Электрическая перестройка дисперсионных характеристик спиновых волн в слоистых структурах металл-сегнетоэлектрик-феррит-сегнетоэлектрик-металл / В. Е. Демидов, Б. А. Калиникос // ПЖТФ. — 1999. — т. 24.-вып. 21.-с. 86−93.
  72. Р. Аналитические методы теории волноводов / Р. Миттра, С. Ли. -М.:Мир, 1973. 328 с.
  73. Ф.М. Методы теоретической физики. Т.1. / Ф. М. Морс, Г. Фешбах. -М., ИЛ, 1958.- 931 с.
  74. Meixner J. The behavior of electromagnetic fields at edges / J. Meixner // IEEE Trans. 1972, AP 20 July. — p. 442−416.
  75. В.Б., Вербицкая Т. Н., Зильберман П. Е., Казаков Г. Т., Тихонов В. В. Распространение магнитостатических волн в феррит-сегнетоэлектрической структуре // Письма в ЖТФ, 1986, т. 12, с.454−457.
  76. В.Б., Вербицкая Т. Н., Гуляев Ю. В., Зильберман П. Е., Мериакри С. В., Огрин Ю. Ф., Тихонов В. В. Гибридные электромагнитно-спиновые волны в контактирующих слоях феррита и сегнетоэлектрика. И. Эксперимент // РиЭ, 1990, т.35, вып.2, с.320−324.
  77. И.С. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений / И. С. Градштейн, И. М. Рыжик М.: Физматгиз, 1961.1. Публикации автора
  78. Б1. Пат. 2 336 609 РФ. Щелевая линия / И. Г. Мироненко, С. Ф. Карманенко, А. А. Иванов, А. А. Семенов, П.Ю. Белявский- опубл. 20.10.2008. Бюллетень № 29.
  79. БЗ. Белявский П. Ю. Исследование диэлектрических свойств тонких пленок сегнетоэлектриков с помощью щелевого резонатора / П. Ю. Белявский, А. А. Семенов // Материалы Международной научно-технической школы-конференции, часть 1. 2006. — с. 68−71.
  80. Б4. Белявский П. Ю. Управляемый фазовращатель на основе многощелевой линии передачи / П. Ю. Белявский, А. А. Иванов, М. Ф. Иванова, А. А. Семенов. // Известия ЛЭТИ. Радиоэлектроника, публикация в 2008 г.
  81. Б7. Белявский П. Ю. Слоистый феррит-сегнетоэлектрический резонатор с электрическим и магнитным управлением / П. Ю. Белявский, А. А. Никитин, С. Ф. Карманенко, А. А. Семенов // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». 2008. — Вып. 6. -С. 24−28.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!