Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование структурно-морфологических изменений и эмиссионных свойств высокоориентированного пиролитического графита при высокодозовом ионном облучении

Диссертация: Исследование структурно-морфологических изменений и эмиссионных свойств высокоориентированного пиролитического графита при высокодозовом ионном облучении
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы. В первой главе дан аналитический обзор литературы по теме диссертации. Рассмотрены вопросы экспериментального и теоретического изучения закономерностей изменения морфологии и структуры поверхности при ионном облучении, учета накопления дефектов и развивающегося на поверхности материалов… Читать ещё >

Исследование структурно-морфологических изменений и эмиссионных свойств высокоориентированного пиролитического графита при высокодозовом ионном облучении (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Процессы радиационных повреждений углеродных материалов
    • 1. 2. Особенности структуры и свойств углеродных материалов
      • 1. 2. 1. Поликристаллические графиты и стеклоуглероды
      • 1. 2. 2. Высокоориентированный пиролитический графит (ВОПГ)
      • 1. 2. 3. Анизотропия свойств ВОПГ
      • 1. 2. 4. Применения ВОПГ
    • 1. 3. Структурные и морфологические изменения поверхностного слоя углеродных материалов при высокодозовом ионном облучении
      • 1. 3. 1. Поликристаллические графиты
      • 1. 3. 2. Пороговый уровень радиационных нарушений, вызывающих аморфизацию поликристаллических графитов
      • 1. 3. 3. Особенности ионно-индуцированных структурно-морфологических изменений ВОПГ
      • 1. 3. 4. Топографическое подавление распыления ВОПГ при высокодозовом ионном облучении
    • 1. 4. Автоэмиссионные свойства углеродных материалов
    • 1. 5. Цель и задачи исследования
  • Глава 2. Экспериментальное оборудование и методы исследования
    • 2. 1. Оборудование и методика высокодозового ионного облучения материалов
      • 2. 1. 1. Масс-монохроматор ускоренных ионов и экспериментальная камера ионного облучения мишеней
      • 2. 1. 2. Мониторинг высокодозового облучения
    • 2. 2. Подготовка мишеней к эксперименту
    • 2. 3. Оборудование и методы исследования морфологии, состава, структуры и эмиссионных свойств
      • 2. 3. 1. Оптическая, растровая электронная и атомно-силовая микроскопия поверхности
      • 2. 3. 2. Лазерная гониофотометрия отраженного света
      • 2. 3. 3. Дифракционные методы исследования
      • 2. 3. 4. Спектрометрия резерфордовского обратного рассеяния
      • 2. 3. 5. Спектроскопия комбинационного рассеяния света
      • 2. 3. 6. Диодный тестер полевой эмиссии
    • 2. 4. Аналитические и компьютерные методы исследования
      • 2. 4. 1. Моделирование взаимодействия ускоренных ионов с материалами
      • 2. 4. 2. Стационарный уровень первичных радиационных повреждений при высокодозовом облучении
  • Глава 3. Закономерности ионно-индуцированных процессов модифицирования поверхностного слоя ВОПГ
    • 3. 1. Температурные зависимости коэффициента ионно-электронной эмиссии у (7) ВОПГ в циклах нагрева и охлаждения
      • 3. 1. 1. Высокодозовое облучение ионами аргона энергии 30 кэВ
      • 3. 1. 2. Влияние энергии ионов на зависимости у (Т)
      • 3. 1. 3. Влияние угла падения ионов на зависимости у (Т)
      • 3. 1. 4. Влияние сорта ионов на зависимости у (7)
    • 3. 2. Результаты электронно-микроскопических исследований
      • 3. 2. 1. Ионно-индуцированная морфология поверхности в циклах нагрева и охлаждения
      • 3. 2. 2. Влияние температуры облучения на ионно-индуцированную морфологию поверхности
      • 3. 2. 3. Наноконусная морфология при температуре текстурного перехода
    • 3. 3. Результаты структурных исследований дифракционными методами
      • 3. 3. 1. Влияние температуры облучения ВОПГ на дифракцию быстрых отраженных электронов
      • 3. 3. 2. Результаты исследований методом индуцированного протонами рентгеновского излучения
    • 3. 4. Результаты исследований методом спектрометрии резерфордовского обратного рассеяния
      • 3. 4. 1. Глубина измененного слоя в циклах нагрева и охлаждения
      • 3. 4. 2. Температурная зависимость глубины внедрения ионов
      • 3. 4. 3. Влияние энергии ионов на глубину их внедрения
      • 3. 4. 4. Результаты исследований методом POP в геометрии каналирования
  • Выводы по главе 3
  • Глава 4. Пороговые уровни первичных радиационных нарушений, приводящи) к глубокому модифицированию ВОПГ
    • 4. 1. Аналитические и компьютерные расчеты уровня радиационных нарушений при высоких флюенсах ионного облучения углеродных материалов
    • 4. 2. Оценки пороговых уровней радиационных нарушений
  • Выводы по главе 4
  • Глава 5. Автоэмиссионные свойства поверхностного слоя ВОПГ
    • 5. 1. Влияние температуры и геометрии облучения на характеристики полевой эмиссии
    • 5. 2. Результаты исследований поверхности методом спектроскопии комбинационного рассеяния света
  • Выводы по главе 5

Актуальность темы

.

Процессы взаимодействия частиц плазмы с поверхностью материалов являются предметом интенсивных фундаментальных и прикладных исследований, связанных с актуальными задачами ионно-плазменных технологий модифицирования поверхностного слоя материалов и синтеза новых материалов, обеспечения радиационной стойкости материалов, применяемых в космических аппаратах и термоядерных установках, применения ионных пучков для анализа поверхностного слоя материалов [15]. Бомбардирующие ионы и смещенные атомы твердого тела при торможении в упругих и неупругих взаимодействиях приводят к ряду явлений, среди которых накопление и отжиг радиационных дефектов, распыление атомов, эмиссия электронов и фотонов, радиационно-индуцированные диффузия и механические напряжения. Модифицирование структуры и морфологии поверхностного слоя материала приводит к значительным изменениям его физико-химических свойств.

Углеродные материалы (искусственные поликристаллические графиты, пирои стеклоуглероды, углерод-углеродные композиционные материалы) обеспечивают широкий диапазон функциональных свойств, и в радиационных исследованиях они выделяются в отдельный класс материалов [5−7]. Накопленные результаты исследований ионно-индуцированных процессов для углеродных материалов свидетельствуют о необходимости проведения систематических исследований по выявлению роли специфической слоистой структуры и анизотропии этих материалов [7,8]. Особое место среди углеродных материалов занимает высокоориентированный пиролитический графит (ВОПГ), который по своим свойствам является наиболее близким к монокристаллическому графиту. Наряду с известными его применениями в качестве высококачественных монохроматоров рентгеновского излучения и эталонов атомногладкой поверхности для зондовой микроскопии, ВОПГ часто используют в качестве наиболее анизотропного и слоистого углеродного материала при синтезе и исследовании ионно-индуцированных наноструктур, модифицировании физико-химических свойств поверхности, в исследованиях поведения углеродных материалов в радиационных полях различной природы. В частности, известными являются применения ВОПГ при изучении физики треков ионов высоких энергий в материалах, наноструктурирования поверхности многозарядными ионами, поведения углеродных материалов в плазме изотопов водорода и гелия в термоядерных установках.

Изучению процессов ионно-лучевого модифицирования структуры и морфологии поверхностного слоя, их влиянию на эмиссионные характеристики ВОПГ, влияния анизотропии свойств на ионно-индуцированные процессы в углеродных материалах посвящена данная диссертационная работа.

Цели и основные задачи работы.

Целью работы является установление закономерностей и механизмов изменения структуры и морфологии поверхностного слоя ВОПГ при высоких флюенсах и различных температурах облучения ионами средних масс (Аг+, Ые+, 1Г) с энергией порядка десятков кэВ, влияния ионного облучения на автоэмиссионные характеристики ВОПГ.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи.

1. Разработка методик и экспериментальное исследование закономерностей изменения структуры и морфологии поверхности ВОПГ при варьировании геометрии облучения, сорта и энергии ионов, температуры мишени.

2. Аналитические и компьютерные расчеты уровня первичных радиационных нарушений углеродных материалов, характеризующего стационарные условия высокодозового ионного облучения.

3. Экспериментальное исследование влияния ионного облучения на автоэмиссионные характеристики поверхности ВОПГ при различных температурах и углах падения ионов на мишень. Выявление возможностей получения путем ионно-лучевой обработки низковольтной полевой эмиссии ВОПГ и других углеродных материалов.

4. Анализ экспериментально найденных структурно-морфологических изменений и эмиссионных свойств ВОПГ в рамках существующих механизмов и моделей ионно-индуцированных процессов с учетом анизотропии свойств материалов.

Научная новизна работы.

В работе впервые получены следующие результаты.

1. Экспериментально обнаружен эффект глубокого модифицирования ВОПГ высокодозовым облучением ионами аргона при комнатной температуре, который проявляется в виде дефектного кристаллического слоя толщиной, многократно превышающей пробег ионов. Его образование приводит в процессе нагрева ВОПГ к пику на температурной зависимости ионно-электронной эмиссии у (7) при температуре ионно-индуцированного текстурного перехода Ъ «150 °С.

2. Экспериментально обнаружен, в отличие от других углеродных материалов, эффект глубокого модифицирования ВОПГ при высокодозовом облучении ионами аргона в локальной области температур при Г" 250 °C. Эффект проявляется в виде развитой морфологии поверхности со столбчато-игольчатыми элементами высотой ~103 нм и с таким же по глубине проникновением внедрённого аргона. Предполагается, что этот эффект связан с анизотропным диффузионным массопереносом междоузельных атомов углерода.

3. Оба ионно-индуцированных эффекта глубокого модифицирования имеют пороги по энергии ионов. Экспериментально измеренные пороговые значения энергий для ионов аргона использованы для оценки пороговых уровней радиационных нарушений, вызывающих соответствующие эффекты.

4. Исследовано влияние облучения ионами аргона энергии 30 кэВ на полевую эмиссию ВОПГ. Найдено, что к появлению низковольтной автоэлектронной эмиссии приводит ионное облучение при повышенных (7=250 и 400 °С) температурах мишени. Спектры комбинационного рассеяния света показывают влияние на них температуры и геометрии, при которой производилось облучение, и проявляют особенности, коррелирующие с появлением низковольтной полевой эмиссии.

Научная и практическая ценность работы.

1. Выявленные закономерности изменения структуры и морфологии поверхностного слоя ВОПГ важны для решения проблем радиационной стойкости углеродных материалов в условиях высокодозового облучения и переменных температур в термоядерных исследованиях, при решении проблем деградации покрытий и элементов космических летательных аппаратов.

2. Установленные корреляции изменения выхода вторичных электронов со структурно-морфологическими изменениями в материалах, вызываемыми ионным облучением, расширяют возможности ионно-пучковых методов исследования радиационных нарушений и мониторинга состояния облучаемой поверхности.

3. Экспериментально найденные эффекты глубокого ионно-лучевого модифицирования ВОПГ существенно расширяют понимание радиационных процессов в углеродных материалах. Методика и сами значения измеренных пороговых значений энергий эффектов глубокого модифицирования могут быть использованы в исследованиях стойкости углеродных материалов к ионному воздействию.

4. Результаты исследования влияния ионного облучения на автоэмиссионные характеристики поверхности ВОПГ могут быть использованы для получения низковольтных полевых эмиттеров.

5. Разработанный планшетный стенд лазерной гониофотометрии (ЛГФ) с возможностью регистрации пространственных распределений отраженного света расширяет возможности метода ЛГФ для исследования микрогеометрии поверхностей.

Достоверность основных положений и выводов обеспечивается использованием современной аппаратуры, надежных и независимых методов исследования, сравнением с результатами тестированных компьютерных программ моделирования взаимодействия атомных частиц с твердым телом, сравнением и согласием экспериментальных и расчетных данных с литературными, полученными при сопоставимых условиях.

На защиту выносятся следующие положения.

1. Результаты экспериментального исследования структурных и морфологических изменений поверхностного слоя базисной грани (001) высокоориентированного пиролитического графита УПВ-1Т при высоких флюенсах 1018 -1019 ион/см2 облучения ионами аргона с энергиями от 8 до 30 кэВ в интервале температур мишени от комнатной до 400 °C. Вывод о том, что отражающие ионно-индуцированные структурно-морфологические изменения в поверхностном слое ВОПГ температурные зависимости коэффициента ионно-электронной эмиссии у (Т), в отличие от соответствующих данных для поликристаллических графитов, могут различаться при измерении в процессе нагрева и охлаждения.

2. Основным различием зависимостей у (Т) при нагреве и охлаждении ВОПГ является наличие характерного пика при температуре 7t"150°C ионно-индуцированного текстурного перехода в процессе нагрева и его отсутствие на зависимости у (Т) при охлаждении. В условиях облучения при достаточно малых энергиях или достаточно большом угле падания ионов зависимости у (Т) при нагреве и охлаждении становятся близкими.

3. Сравнительный анализ структуры и морфологии измененного поверхностного слоя после высокодозового облучения ВОПГ ионами аргона различных энергий при фиксированных температурах мишени из интервала 20 — 400 °C, выбранных по данным мониторинга ионно-индуцированных изменений с помощью измерений зависимостей у (7). Вывод о том, что определяемая методами спектрометрии резерфордовского обратного рассеяния (POP) глубина измененного слоя может на порядок величины превышать характерный пробег ионов в мишени, составляющий в зависимости от энергии ионов 10−40 нм. Эффекты глубокого модифицирования проявляются в узкой области температур при Г" 250 °C и при температурах, близких к комнатной (7~< 7t). Оба эффекта имеют порог по энергии ионов.

4. Глубокое модифицирование при облучении при Т «250 °С приводит к развитой морфологии поверхности со столбчато-игольчатыми элементами высотой, соответствующей глубине внедренного аргона ~103 нм по данным спектрометрии POP, и может быть связан с анизотропным диффузионным массопереносом междоузельных атомов углерода.

5. Глубокое модифицирование при облучении при комнатной температуре приводит по данным спектрометрии POP в геометрии каналирования к дефектному кристаллическому слою толщиной, многократно превышающей пробег ионов. Его образование приводит в процессе нагрева ВОПГ к пику на температурной зависимости ионно-электронной эмиссии у (Т) при температуре ионно-индуцированного текстурного перехода Tt" 150 °C.

6. Компьютерные и аналитические расчеты энергетической зависимости уровня первичных радиационных нарушений v в числе смещений на атом (СНА) при высокодозовом облучении и их использование для оценки пороговых уровней радиационных нарушений для эффектов глубокого модифицирования ВОПГ при комнатной температуре и 7″ «250 °С.

7. Результаты экспериментального исследования влияния облучения ионами аргона энергии 30 кэВ на автоэмиссионные характеристики поверхности ВОПГ и стеклоуглерода. Выводы о том, что к появлению низковольтной автоэлектронной эмиссии приводит облучение при повышенных (7=250 и 400 °С) температурах мишени. Спектры комбинационного рассеяния света показывают влияние на них температуры и геометрии, при которой производилось облучение, и проявляют особенности, коррелирующие с появлением низковольтной полевой эмиссии.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на российских и международных научных конференциях, совещаниях и семинарах: 9-ом Всероссийском семинаре «Проблемы теоретической и прикладной электронной и ионной оптики» (Москва, 2009) — XL и XLII Международных конференциях по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 2010, 2012), XIX и XX Международных конференциях «Взаимодействие ионов с поверхностью» (Москва, 2010, 2011) — III Всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (Н. Новгород, 2010) — 24 International Conferences on Atomic Collisions in Solids (ICACS-24, Krakow, Poland, 2010) — 20 International Conference on Ion Beam Analysis (IBA 20, Itapema, Brasil, 2011) — 9−10 Всероссийских научнотехнических конференциях «Быстрозакаленные материалы и покрытия» (Москва, МАТИ, 2010;2011) — XXXV-XXXVIII Международных молодежных научных конференциях «Гагаринские чтения» (Москва, МАТИ, 2009;2012), 16−18 Международных научно-технических конференциях студентов и аспирантов «Радиотехника, электроника и энергетика» (Москва, МЭИ, 2010;2012), XV конференции «Взаимодействие плазмы с поверхностью» (Москва, МИФИ, 2012), научных семинарах отдела ОФАЯ НИИЯФ МГУ.

Личный вклад Основные научные результаты диссертации получены при определяющем вкладе автора, при личном участии в планировании и проведении экспериментов и обсуждении полученных результатов. Автором разработан планшетный стенд лазерной гониофотометрии, проведены компьютерные и аналитические расчеты уровня первичных радиационных нарушений.

Основные результаты диссертации отражены в работах [9−24].

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы. В первой главе дан аналитический обзор литературы по теме диссертации. Рассмотрены вопросы экспериментального и теоретического изучения закономерностей изменения морфологии и структуры поверхности при ионном облучении, учета накопления дефектов и развивающегося на поверхности материалов при ионно-лучевом воздействии рельефа, оказывающего значительное влияние на коэффициенты физического распыления и ионно-электронной эмиссии. Особое внимание обращено на работы, в которых изучались вопросы взаимосвязи эмиссионных процессов, изменения структуры и морфологии поверхностного слоя ВОПГ, обусловленные бомбардировкой атомарными и молекулярными ионами азота и ионами инертных газов с энергией в десятки килоэлектронвольт. Во второй главе приводится описание экспериментальной аппаратуры, стандартных и разработанных методов исследования, аналитический и компьютерный методы оценки уровня первичных радиационных повреждений в материале с учетом движения границы поверхности при ее распылении. Третья глава посвящена исследованиям ионно-индуцированных процессов, влияющих на морфологию,.

ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ 5.

Изучена автоэлектронная эмиссия грани (100) высокоориентированного пиролитического графита УПВ-1Т и стеклоуглерода СУ-2000 после облучения ионами Аг+ энергии 30 кэВ при различных температурах и углах падения ионов на мишени. Необходимым условием для появления низковольтной АЭЭ поверхности УПВ-1Т является облучение при повышенной температуре,.

Ионное облучение при температурах Т~ 250 и 400 °C приводит к появлению низковольтной АЭЭ с пороговыми значениями напряженности поля от 3 до 17 В/мкм в зависимости от температуры и геометрии облучения. Наименьший порог полевой эмиссии наблюдается после облучения при Т «250 °С и нормальном падении ионов. Ионное облучение стекпоуглерода также приводит к низковольтной АЭЭ его поверхности.

Спектры комбинационного рассеяния света, полученные для пирографита УПВ-1Т до и после ионного модифицирования, показывают сильное влияние на них температуры и геометрии, при которой производилось облучение, и проявляют особенности, коррелирующие с появлением низковольтной полевой эмиссии.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Наиболее существенные научные результаты работы состоят в следующем.

1. Экспериментально исследованы структурные и морфологические изменения поверхностного слоя базисной грани высокоориентированного пиролитического графита УПВ-1Т (ВОПГ) при высоких флюенсах 10 181 019 ион/см2 облучения ионами аргона с энергиями от 10 до 30 кэВ при температуре мишени из интервала от комнатной до 400 °C. Найдено, что отражающие ионно-индуцированные структурно-морфологические изменения в поверхностном слое ВОПГ температурные зависимости коэффициента ионно-электронной эмиссии у (Г), в отличие от соответствующих данных для поликристаллических графитов, могут различаться при измерении в процессе нагрева и охлаждения.

2. Основным различием зависимостей у (7) при нагреве и охлаждении ВОПГ является проявление характерного пика при температуре 7t"150°C ионно-индуцированного текстурного перехода в процессе нагрева и его отсутствие на зависимости у (7~) при охлаждении. В условиях облучения при достаточно малых энергиях и больших углах падения зависимости у (7) при нагреве и охлаждении становятся близкими.

3. По данным мониторинга ионно-индуцированных изменений с помощью измерений зависимостей у (7~) проведен анализ структуры и морфологии измененного поверхностного слоя после облучения ВОПГ ионами аргона с флюенсом 1018 ион/см2 при фиксированных температурах мишени в интервале 20−400°С и различных энергиях ионов. Найдено, что определяемая методами спектрометрии POP глубина измененного слоя может на порядок величины превышать характерный пробег ионов в мишени (10−40 нм) в отличие от аналогичных данных для менее упорядоченных углеродных материалов. Эффекты глубокого модифицирования обнаружены в узкой области температур при 7"250 °С и при температурах, близких к комнатной (Т< Tt). Оба эффекта проявляют пороговый характер по энергии ионов.

4. Эффект глубокого модифицирования после облучения при комнатной температуре проявляется в спектрах POP, измеренных при направленной ориентации кристалла, в виде дефектного слоя толщиной, многократно превышающей пробег ионов. Аналогом такого процесса, наблюдаемого для других кристаллов, является генерация и движение вглубь кристалла дислокаций за счет радиационно-индуцированных напряжений в облучаемом слое.

5. Эффект глубокого модифицирования после облучения при 7"250 °С проявляется в виде развитой морфологии поверхности со столбчато-игольчатыми элементами высотой, соответствующей глубине внедренного аргона ~ 103 нм, и может быть связан с анизотропным диффузионным массопереносом междоузельных атомов углерода.

6. Для оценки уровня первичных радиационных нарушений v в числе смещений на атом (СНА), приводящих к эффектам глубокого модифицирования ВОПГ, проведены расчеты энергетической зависимости v с учетом движения поверхности из-за распыления. Расчеты с использованием данных моделирования дефектообразования по программе SRIM показали, что пороговые уровни радиационных нарушений v составляют 50 и 65 СНА соответственно для эффектов глубокого модифицирования ВОПГ при комнатной температуре и Г" 250 °C.

7. Исследовано влияние облучения ионами аргона энергии 30 кэВ на полевую эмиссию ВОПГ. Найдено, что к появлению низковольтной автоэлектронной эмиссии приводит ионное облучение при повышенных (7=250 и 400 °С) температурах мишени. Спектры комбинационного рассеяния света показывают влияние на них температуры и геометрии, при которой производилось облучение, и проявляют особенности, коррелирующие с появлением низковольтной полевой эмиссии. Рельеф, развивающийся при нормальном падении ионов на мишень в виде колоний наноразмерных конусов при температуре текстурного перехода 7t=150°C, практически не изменяет характерную низкую полевую эмиссию базисной грани ВОПГ.

8. Для расширения возможностей метода гониофотометрии отраженного света разработан планшетный стенд лазерной гониофотометрии с возможностью регистрации пространственных распределений отраженного света и, соответственно, получения двумерных параметров микрогеометрии поверхности.

Автор признателен многим физикам и коллегам за полезные обсуждения и доброжелательную помощь при работе над материалами диссертационной работы. Прежде всего, хочется выразить благодарность своему научному руководителю д.ф.-м.н. Борисову A.M. за неоценимую помощь и разностороннюю поддержку в течение всей работы в его коллективе, а также д.ф.-м.н. Машковой Е. С. за постоянное внимание, помощь и конструктивную критику.

Особую благодарность хотелось бы выразить заведующему кафедрой «Технология обработки материалов потоками высоких энергий» МАТИ Суминову И. В. и всему коллективу кафедры, в особенности Людину В. Б., Могильной Т. Ю., Семёновой Н. Л. и Андриановой H.H., а также молодому поколению кафедральной лаборатории.

Хотелось бы выразить сердечную благодарность своим соавторам Борисову В. В., Петухову В. П., Виргильеву Ю. С., Куликаускасу Е. А., Парилису Э. С., Питиримовой Е. А., Тимофееву М. А., Шульге В. И. вместе с которыми проводились исследования на разных этапах работы.

Автор признателен заведующему отдела физики атомного ядра НИИЯФ МГУ д.ф.-м.н. Чеченину Н. Г. за внимание, поддержку и интерес к работе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Распыление под действием бомбардировки частицами. Вып.З. Характеристики распыленных частиц, применения в технике. / Под ред. Р. Бериша и К. Виттмака. — М.: Мир, 1998. — 551 с.
  2. Sputtering by Particle Bombardment. Experiments and Computer Calculations from Threshold to MeV Energies / Eds. R. Behrisch, W. Eckstein Topics Appl. Physics, V. 110, Berlin, Heidelberg: Springer-Verlag, 2007.-470 p.
  3. Л.С., Милееев В. Н., Воронина Е. Н., Галанина Л. И., Маклецов А. А., Синолин В. В. Радиационные воздействия на материалы космической техники // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009. № 3. С. 1−48.
  4. Carter G. The Physics and applications of ion beam erosion. // J.Phys.D: Appl. Phys. 2001. V.34. pp. R1-R22.
  5. Behrisch R. Plasma facing materials for fusion devices // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2010. № 7. С. 5−18.
  6. Ehrhart P., Schilling W., Ullmaier Н. Radiation Damage in Crystals // Encyclopedia of Applied Physics 1996. — v. 15. — p. 429−457.
  7. Burchell, T.D. Radiation Effects in Graphite and Carbon-Based Materials// MRS Bulletin, Vol. 22 (4), 1997, pp. 29−35.
  8. A.M., Виргильев Ю. С., Машкова E.C. Модификация структуры и эмиссионные свойства углеродных материалов при высокодозном ионном облучении // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед.2008. № 1. -с.58−74.
  9. B.C. (Севостьянова), Андрианова Н.Н., Борисов A.M., Немов А. С. Исследование шероховатой поверхности методами лазерной гониофотометрии, зондовой и электронной микроскопии // Приборы. 2008. № 4 (94). С.11−14.
  10. B.C. (Севостьянова), Андрианова H.H., Борисов A.M., Борисов
  11. B.В., Виргильев Ю. С., Машкова Е. С., Тимофеев М. А. Ионно-индуцированная морфология и автоэлектронная эмиссия поверхности высокоориентированного пирографита // Прикладная физика. 2010. № 3.1. C.42−46.
  12. B.C. (Севостьянова), Андрианова H.H., Борисов A.M., Виргильев Ю. С., Куликаускас B.C., Машкова Е. С., Питиримова Е. А. Температурные эффекты в ионно-электронной эмиссии квазикристалла графита // Поверхность. 2011. № 3. С. 18−22.
  13. B.C. (Севостьянова), Борисов A.M., Владимиров Б. В., Петухов В. П., Черных П. Н. Измерение элементного состава углеродных и композиционных керамических материалов методами ИПРИ и POP // Физика и химия обработки материалов. 2011. № 1. С.51−54.
  14. В.П., Борисов A.M., Авилкина B.C. (Севостьянова), Виргильев Ю.С., Черных П. Н. Линии Косселя в угловом распределении рентгеновского излучения, возбуждаемыми протонами в квазикристалле графита // Поверхность. 2011. № 4. С. 19−22.
  15. N.N., Avilkina V.S. (Sevostyanova), Borisov A.M., Mashkova E.S. Temperature effects in high fluence ion modification of HOPG // Nucl. Instrum. Methods in Phys.Res. B. 2012. V.273. P.58−60.
  16. N.N., Avilkina V.S. (Sevostyanova), Borisov A.M., Mashkova E.S., Parilis E.S. The study of graphite disordering using the temperature dependence of ion-induced electron emission //Vacuum. 2012. V.86. P.1630−1633.
  17. Virgil’ev Yu.S. and Kalyagina I.P. Carbon-Carbon Composite Materials // Inorganic Materials, Vol. 40. Suppl. 1, 2004, pp. 33−49.
  18. Я.Б. Эрозия и трансформация поверхности при ионной бомбардировке // Итоги науки и техники. Сер. Пучки заряженных частиц и твердое тело. Т. 7. М.: ВИНИТИ, 1993. — С. 4−53.
  19. Дж., Винйард Дж. Радиационные эффекты в твердых телах.- М.: Изд-во иностр. лит., 1960. 243 с.
  20. Mashkova E.S., Molchanov V.A. Medium-Energy Ion Reflection from Solids, North-Holland, Amsterdam, 1985. 444 p.
  21. Williams J. S., and Poate J. M. (Eds.), Ion Implantation and Beam Processing, Academic Press, New York, 1984.
  22. Besmann T.M., Klett J.W. and Burchell T.D. Carbon composite for a pem fuel cell bipolar plate // MRS Proceedings, 1997, V.496, p.243−248.
  23. Novikov L. S., Panasyuk М. I., and Voronina Е. N. Space Model A New Russian Handbook on Spacecraft/Environment Interaction // AIP Conference Proceedings of ICCMSE, Greek, Rhodes, Vol. 1087, 2009, pp. 637−644.
  24. Niwase К., Tanabe Т. Modification of graphite structure by D+ and He+ bombardment II // Journal of Nuclear Materials, 1991, V.179−181, p. 218 222.
  25. Andrianova N.N., Borisov A.M., Mashkova E.S., Parilis E.S., Pitirimova E.A., Timofeev M.A. Monitoring the structure-phase changes in graphites using temperature regularities of ion-induced electron emission // Vacuum, 2010, V.84, p.1033−1037.
  26. B.C. Основы материаловедения искусственных графитов. М.: Меаллургиздат, 2011. 112с.
  27. А. М., Eckstein W. and Mashkova Е. S. Sputtering and ion induced electron emission of graphite under high dose nitrogen bombardment // Journal of Nuclear Materials, 2002, Vol. 304/1, p. 15−20,
  28. H.H., Бецофен С. Я., Борисов A.M., Виргильев Ю. С., Машкова Е. С., Питиримова Е. А., Семенова Н. Л. Влияние радиционных нарушений на микроструктуру и ионно-электронную эмиссию пиролитических графитов//Поверхность. 2010. № 6. С. 49−54.
  29. А.С. Углерод, межслоевые соединения и композиты на его основе. М.: Аспект Пресс, 1997. — 718с.
  30. A.M., Куликаускас B.C., Машкова Е. С., Экштайн В. Закономерности ионно-электронной эмиссии и распыления графитов при облучении ионами азота // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2002, № 4, с. 19−24.
  31. Искусственный графит. Островский B.C., Виргильев Ю. С., Костиков В. И., Шипков Н. Н. М.: Металлургия, 1986. 272 с.
  32. Свойства конструкционных материалов на основе углерода: справочник / под ред. канд. техн. наук В. П. Соседова. М.: Металлургия, 1975. — 335 с.
  33. Ю.С., Гундорова Н. И., Куроленкин Е. И., Непрошин Е. И., Харитонов А. В. Радиационные эффекты при облучении высокоориентированного пирографита. — Физика и химия обработки материалов, 1982, № 2, с. 3−8.
  34. Cernusca S., Fursatz М., Winter HP., F.Aumayr. Ion-induced kinetic electron emission from HOPG with different orientation // Europhys. Lett., 2005, V.70 (6), p. 768−774.
  35. Borisov A.M., Mashkova E.S., Nemov A.S., Parilis E.S. Effect of radiation damage on ion-induced electron emission from highly-oriented pyrolytic graphite //Vacuum 2005. V. 80. p. 295−301.
  36. A.M., Виргильев Ю. С., Машкова E.C., Немов A.C., Питиримова Е. А. Угловые и температурные зависимости ионно-электронной эмиссии высокоориентированного пирографита // Поверхность, 2006, № 1, с. 7−13.
  37. О., Яминский И. Высокоориентированный пиролитический графит // Наноиндустрия, 2011, № 6, с.32−33.
  38. Д., Неволин В., Царик К. Формирование наноразмерных графеновых структур фокусированным ионным пучком // Наноиндустрия, 2011, № 5, с.46−50.
  39. Brett A.M.О., Chiorcea А-М. Atomic Force Microscopy of DNA Immobilized onto a Highly Oriented Pyrolytic Graphite Electrode Surface // Langmuir 2003, 19, 3830−3839.
  40. А.Я., Дидейкин А. Т., Царева З. Г., Корытов М. Н., Брунков П. Н., Жуков Б. Г., Розов С. И. Прямое наблюдение изолированных кластеров ультрадисперсного алмаза методом атомно-силовой микроскопии // Письма в ЖТФ. 2006. — т.32, вып.13. — С. 12−18.
  41. Hue V., Bendiab N., Rosman N., Ebbesen Т., Delacour C. and Bouchiat V. Large and flat graphene flakes produced by epoxy bonding and reverseexfoliation of highly oriented pyrolytic graphite II Nanotechnology, 2008, V.19, p.455 601
  42. Banerjee S., Sardar M., Gayathri N., Tyagi A. K., Raj B. Conductivity landscape of highly oriented pyrolytic graphite surfaces containing ribbons and edges // Physical review B, 2005, V. 72, p.75 418.
  43. Lua G., Zangari G. Electrodeposition of platinum nanoparticles on highly oriented pyrolitic graphite Part II: Morphological characterization by atomic force microscopy // Electrochimica Acta, 2006, V.51, p. 2531−2538.
  44. .А. Кинетическая ионно-электронная эмиссия. М.: Энергоатомиздат. 1990. 184с.
  45. Parilis E.S., Kishinevsky L.M., Turaev N.Yu. et al. Atomic Collisions on Solid Surfaces. Amsterdam: North-Holland. 1993. 663p.
  46. A.M., Машкова E.C. Физические основы ионно-лучевых технологий. I. Ионно-электронная эмиссия: учебное пособие. М.: Университетская книга, 2011. 142с
  47. И.Н., Машкова Е. С., Молчанов В. А. //Физика твердого тела. Т.9. 1967. С.1825−1827.
  48. Borisov A.M., Mashkova E.S., Nemov A.S., Parilis E.S. Ion-induced electron emission monitoring the structure transitions in graphite. // Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B. — 2005. — v. 230/1−4. — p. 443−448.
  49. Borisov A.M., Mashkova E.S., Parilis E.S. The sweeping-out-electrons effect in electron emission under molecular ion bombardment // Vacuum, 2002, V. 66, p. 145−148.
  50. Дж. Принципы теории твердого тела. М.: Мир, 1974. 278 с.
  51. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах / Буренков А. Ф., Комаров Ф. Ф., Кумахов М. А., Темкин М. М. М.: Энергоатомиздат. 1985. 248 с.
  52. Avilkina V.S., Andrianova N.N., Borisov A.M., Mashkova E.S., Parilis E.S. Energy and temperature dependences of ion-induced electron emission from polycrystalline graphite // Nucl. Instrum. Meth. В., 2011, V. 269, p. 995−998.
  53. Schilling W., Ullmaier H. Physics of radiation damage in metals, in: Material Science and Technology, R.W. Cahn, P. Haasen, E.J. Kramer (Eds.), Ch.9, VCH, Verlagesgesellschaft mbH, Germany, 1994, pp. 178−241.
  54. Sigmund P.//Appl. Phys. Lett., 1969, V.14, p. 114.
  55. Andrianova N.N., Borisov A.M., Mashkova E.C., Parilis E.C., Virgiliev Yu.S. Ion-induced electron emission monitoring the structure and morphology evolution in HOPG // Nucl.Instrum.Methods in Phys. Res, 2009, V. 267, p.2761−2764.
  56. A.M., Виргильев Ю. С., Машкова E.C., Немов A.C. Распыление высокоориентированного пирографита при высокодозной бомбардировке молекулярными ионами азота // Известия РАН. Серия физическая. 2006. Т.70. № 6. С. 820−824.
  57. Borisov A.M., Mashkova E.S., Nemov A.S., Virgiliev Yu.S. Sputtering of HOPG under high-dose ion irradiation // Nucl.Instrum.Methods in Phys.Res. 2007. V. В 256. pp.363−367.
  58. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Под ред. Р.Бериша. М.: Мир, 1984. 336 с.
  59. Е.П. Структура поверхности и автоэмиссионные свойства углеродных материалов. М.: Издательство МФТИ, 2001
  60. Stepanova A.N., Zhirnov V.V., Bormatova L.V., Givargizov E.I., Mashkova E.S., Molchanov V.A. Field emission from As-grown and ion-beam-sharpened diamond particles deposited on silicon tips // J. de Phisique IV, 1996, p. 103 106.
  61. E.C., Молчанов B.A., Степанова A.H., Гиваргизов Е. И., Муратова В. И. Применение ионной бомбардировки для получения нанометрических острий из нитевидных кристаллов кремния // Поверхность. Физика, химия, механика, 1995, № 2, с.5−12.
  62. Stepanova A.N., Givargizov E.I., Bormatova L.V., Zhirnov V.V., Mashkova E.S., Molchanov V.A. Preparation of ultrasharp diamond tip emitters by ion-beam etching // J. Vac. Sci. Technol. В., 1998, V.16 (2), p.678−680.
  63. А.Л., Чеблуков Ю. Н., Лазарев H.E., Бобков А. Ф., Попов М. О., Бабаев В. П. Исследование поверхностных и объемных дефектов в углероде и кремнии методами автоионной и сканирующей туннельной микроскопии //ЖТФ, 2000, том 70, вып. 3, с.56−61.
  64. B.C., Шешин Е. П. Модификация поверхности автоэмиссионного катода на основе углеродных материалов при бомбардировке ионами средних энергий // Stability and Control Processes SCP, 2005, с.75−83.
  65. А.Т. Автоэмиссионные катоды (холодные эмиттеры) на нанокристаллических углеродных и наноалмазных плёнках (физика, технология, применение) // Конференции и симпозиумы, УФН 2000, Т. 170, № 9, С. 996−999.
  66. В.Г., Хвостов В В., Гусева М. Б., Савченко Н. Ф., Белоконева Ю Г. Высокоэффективный холодный катод на основе углеродного волокна // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2007, № 5, с.89−96.
  67. В.В., Бабаев В. Г., Гусева М. Б., Савченко Н. Ф., Стрелецкий O.A., Коробова Ю. Г., Александров А. Ф. Эмиссионные свойства линейно-цепочечного углерода // Нанотехнологии: разработка, применение, 2010, № 1, т.2, с. 80−87.
  68. Н., Горнев Е., Орлов С., Красильников А., Свечкарёв К., Яфаров Р. Наноалмазографитовые автоэмиттеры для интегральных автоэмиссионных элементов // Наноиндустрия, 2011, № 5, с.36−39.
  69. А., Шешин Е., Щука А. Наноструктурные углеродные материалы в катодолюминесцентных источниках света // Электроника: Наука, Технология, Бизнес, 2007, № 6, С. 94−101.
  70. А.Н., Павловский И. Ю., Волков А. П. Автоэлектронная эмиссия в графитоподобных пленках // Журнал технической физики, 2001, Т.71, Вып.11, С. 89−95.
  71. Ю.А., Шалаев П. Д., Бурцев A.A. и др. Исследование вакуумных автоэмиссионных микродиодов с изменяющимся зазором// Нано- и микросистемная техника. 2008- 7, с. 47−51.
  72. Matsumoto Т., Mimura Н. Intense electron emission from graphite nanocraters and their application to time-resolved X-ray radiography // Applied physics letters, 2004, V. 84, №. 10 p. 1804−1806.
  73. Г. Н., Петрик В. И., Новиков Д. В. Низкопороговая автоэлектронная эмиссия из углеродных нанокпастеров, полученных методом холоднойдеструкции графита // Журнал технической физики, 2009, том 79, вып. 7. С. 122- 126.
  74. A.C., Негров Д. В., Рауфов A.C., Шешин Е. П. Применение автоэмиссионного катода из терморасширенного графита для формирования элемента дисплейной матрицы // ТРУДЫ МФТИ. 2010. -Том 2, № 1(5) С.33−36.
  75. A.C., Рауфов A.C., Шешин Е. П. Формирование наноструктурированной поверхности автокатода из углеродной фольги // Международный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология» № 3 (83) 2010 с. 30- 33.
  76. С., Лейченко А., Шешин Е., Щука А. Плоские дисплейные экраны на основе автоэмиссионных катодов // Устройства отображения информации, 2008, № 7 (131), С.21−25.
  77. В., Павлов Г., Шешин Е. Катодолюминесцентные автоэмиссионные источники света и их изготовление // Наноиндустрия, 2011, № 5, с.14−16.
  78. С.Ю., Шаныгин В. Я., Яфаров Р. К. Исследование автоэмиссионного диода с тангенциальным токоотбором из тонкоплёночного наноалмазографитового эмиттера // Письма в ЖТФ, 2011, том 37, вып. 11, с.91−98.
  79. Р.К. Получение наноалмазных композиционных материалов в плазме микроволнового газового разряда низкого давления / Письма в ЖТФ, 2006, том 76, вып. 1, с.42−48.
  80. Е. С., Молчанов В. А. Рассеяние ионов средних энергий поверхностями твердых тел. М.: Атомиздат, 1980. — 255 с.
  81. Л. Н. Вакуумная техника. М.: В. Школа, 1990.-207 с.
  82. В.К. Зондовые технологии в электронике. М.: Техносфера, 2005. 152с.
  83. Р. Ф. Физические принципы электронной микроскопии. Введение в просвечивающую, растровую и аналитическую электронную микроскопию: монография / Р. Ф. Эгертон- пер. с англ. С. А. Иванова. М.: Техносфера, 2010. — 300 с.
  84. О., Мешков Г., Яминский И. Визуализация атомной решетки графита: идеи для практикума // Нанотехнологии и образование, 2011, № 1, с.52−54.
  85. А. Ю., Латышев С. В., Семина В. К., Степанов А. Э., Суворов А. Л., Федотов A.C., Чеблуков Ю. Н. Влияние облучения ионами криптона с энергией 305 МэВ на высокоориентированный пиролитический графит. // Письма в ЖТФ, 2000, Т. 26, вып. 17, с. 1−5.
  86. Takahiro К., Zhang К., Rotter F., Schwen D., Ronning С., Hofsass H., Krauser J. Morphological change of carbon surface by sputter erosion // Nucl. Instrum. Methods in Phys.Res. B, 2007, V. 256, p. 378−382.
  87. Niwase К., Tanabe T. Modification of graphite structure by D+ and He+ bombardment- Il //Journal of Nuclear Materials, 1991, V.179−181, p.218−222.
  88. A.C. Оптика шероховатой поверхности. П.: Машиностроение, 1988. — 191с.
  89. И.В. Лазерные приборы для контроля, диагностики и управления: Учеб. Пособие. М.: «МАТИ» -РГТУ им. К. Э. Циолковского, 2001. — 156 с.
  90. Л. Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. М.: Мир, 1989. — 344 с.
  91. Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности. -М.: Мир, 1989. 568 с.
  92. С.С., Расторгуев Л. Н., Скаков Ю. А. Рентгенографический и электроннооптический анализ. М. «Металлургия», 1970, — 366 с.
  93. Я.С., Скаков Ю. А., Иванов А. Н., Расторгуев Л. Н. Кристаллография, ренгенография и электронная микроскопия. М.: «Металлургия». 1982. — 632с.
  94. В.В., Ракова Е. В., Тихонова А. А., Толстихина А. Л. Электронография как метод исследования поверхностных слоев и тонких пленок // Итоги науки и техники. Сер. Пучки заряженных частиц и твердое тело. Т. 3. М.: ВИНИТИ, 1990. — с. 98−155.
  95. М. Введение в физику поверхности. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2000. 256с.
  96. Н.Н., Аброян И. А. Диагностика поверхности с помощью ионных пучков. Л.: Изд-во Л ГУ, 1971. — 160 с.
  97. К.К., Чеченин Н. Г. Спектрометрия обратного рассеяния при исследовании поверхности твердых тел // Итоги науки и техники. Сер. Пучки заряженных частиц и твердое тело. М.: ВИНИТИ, 1990. — т.1. -с.35−93.
  98. В.Т., Васильев М. А. Методы и приборы для анализа поверхности материалов. Справочник. Киев: Наукова думка, 1982. -399 с.
  99. А.Ф., Чеченин Н. Г., Бедняков A.A. др. Оборудование и методы, используемые в НИИЯФ МГУ для модификации и контроля свойств полупроводников и других материалов. Препринт НИИЯФ МГУ-88−55/76. 1988. 24 с.
  100. A.M., Востриков В. Г., Куликаускас B.C., Романовский Е. А., Серков М. В. Влияние водорода на энергетические спектры обратно рассеянных протонов. Известия РАН. Серия физическая. 2006. — т.70, № 8. — с. 1210−1212.
  101. Elman B.S., Braunstein G., Dresselhaus M.S., Venkatesan Т. Retention of impurities in ion implanted graphite // Nuclear instruments and methods in physics Research, 1985, B7/8, p.493−496.
  102. В.П., Самцов М. П., Некрашевич Е. М. Влияние термического отжига на спектральные свойства электролитически осаждённых углеродных пленок//Журнал технической физики, 2000, том 70, вып. 7, с.92- 95.
  103. А.Т., Seleznev B.V., Suetin N.V., Timofeev M.A. // Proc. Applied Diamond Conf. 11. Suppl. (Gaithersburg: NIST5692, 1995)
  104. В. Компьютерное моделирование взаимодействия ионов с твердым телом. М.: Мир, 1995. — 319 с.
  105. Й.П. Машинное моделирование распыления // В кн.: Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел: Сб. статей 1986 1987гг./ Сост. Е. С. Машкова. — М.: Мир, 1989. — 349 с. 133. www.SRIM.org
  106. Lindhard J., Nielsen V., Scharff M. Approximation method in classical scattering by screened Coulomb field // Dan. Vid. Selsk. Mat. Fys. Medd, 1968, V. 36, № 10, p.1 -32.
  107. Ф.Ф. Ионная имплантация в металлы. М.: Металлургия, 1990. 216 с.
  108. Н.Н., Борисов A.M. Моделирование дефектообразования в материалах при высоких флуенсах ионного облучения // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед., 2008. № 3. С. 23−26.
  109. Kido У., Kamamoto J. Universal expressions of projected range and damage distributions // Appl. Phys. Lett. 1986. V. 48. P.257 259.
  110. Andrianova N.N., Borisov A.M., Mashkova E.S., Nemov A.S., Parilis E.S. The effect of crystalline structure on molecular effect in ion-induced electron emission //Vacuum. 2008. V.82. P.906−910.
  111. J.T., Trammell G.T., Hannon J.P. // Phys. Rev. B. 1985. V. 31. P. 743.
  112. V., Flagmeyer R. // Phys. Status Solidi. A. 1974. V. 26. P. 1.
  113. V., Ascheron C. //Cryst. Res. Technol. 1984. V. 19. № 9. P. 1231.
  114. Soder В., Roth J., and Moller W. Anisotropy of ion-beam-induced self-diffusion in pyrolytic graphite // Physical Review B, 1988, V.37 No2 p. 815−825.
  115. D.J. Bacon, A.S. Rao. The structure of graphite bombarded with light, gaseous ions. Journal of Nuclear Materials 91 (1980) 178−188.
  116. H.H., Борисов A.M., Машкова E.C. Распыление высокоориентированного пирографита ионами аргона энергии 30 кэВ // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исслед. 2009. № 4. С.77−81.
  117. А.Н., Шаркеев Ю. П., Козлов Э. В., Рябчиков А. И. Эффекты дальнодействия в ионно-имплантированных металлических материалах. Томск: Изд-во НТЛ, 2004. — 328 с.
  118. Friendland Е., Le Roux Н. and Malherbe J.В. Deep radiation damage in copper after ion implantation // Rad. Eff.Lett. 1986. — V.87. — P. 281 — 292.
  119. J. // Material Science and Engineering, 2002, R 37, p.129−281.
  120. E.M., Векессер H.A., Ковалев И. Н. и др. Структура многослоевых углеродных нанотрубок, полученных химическим осаждением из газовой фазы // Неорганические материалы, 2011, том 47, № 3, с. 301−305.
  121. В.Д. Методы оценки чистоты и характеризации свойств углеродных нанотрубок// ФИП, PSE, том 7, № 4, стр. 351−373.
  122. Д.В., Булатов М. Ф., Булатова А. Н. Исследование структурного совершенства мультиграфена, синтезированного методом крекинга углеродсодержащего газа // Инжиниринг дефектов в полупроводниках и наноматериалах, 2011, № 2, стр. 61.
  123. Filik J. Raman spectroscopy: a simple, non-destructive way to characterise diamond and diamond-like materials // Spectroscopy Europe, 2005, V.17, № 5, p.10−17.
  124. McConnell M.L., Dowling DP., Pope C., Donnelly K., Ryder A.G., O’Connor G.M. High pressure diamond and diamond-like carbon deposition using a microwave CAP reactor // Diamond and Related Materials, 2002, V.11, p. 1036−1040.
  125. Ban M., Ryoji M., Hasegawa T., Mori Y., Fujii S., Fujioka J. Diamond-like carbon films deposited by electron beam excited plasma chemical vapor deposition // Diamond and Related Materials, 2002, V.11, p. 1353−1359.
  126. Suzuki M., Watanabe T., Tanaka A., Koga Y. Tribological properties of diamond-like carbon films produced by different deposition techniques // Diamond and Related Materials, 2003, V.12, p.2061−2065.
  127. Dumitru G., Romano V., Webera H.P., Pimenov S., Kononenko T., Hermann J., Bruneau S., Gerbig Y., Shupegin M. Laser treatment of tribological DLC films // Diamond and Related Materials, 2003, V.12, p. 1034−1040.
  128. Liu J., Yao H.J., Sun Y.M., Duan J.L., Hou M.D., Mo D" Wang Z.G., Jin Y.F., Abe H., Li Z.C., Sekimura N. Temperature annealing of tracks induced by ion irradiation of graphite // Nucl. Instrum. Methods in Phys. Res B, 2006, V. 245(1), p. 126−129.
  129. Niwase K. Irradiation-induced amorphization of graphite // Phys. Rev. B, 1995, V.52, p.15 785−15 798.
  130. Meguro T., Yamaguchi Y., Fukagawa H., Takai H., Hanano N., Yamamoto Y., Kobashi K., Ishii T. Nanoscale modification of electronic states of HOPG by the impact of HCI // Nuclear instruments and methods in physics Research B, 2005, V. 235, p.431−437.
  131. Niwase K. Raman Spectroscopy for Quantitative Analysis of Point Defects and Defect Clusters in Irradiated Graphite // International Journal of Spectroscopy, 2012, V.2012, p. 197 609−197 623.
  132. Asari E., Kawabe T., Kitajima M., Nakamura K.G. Thermal relaxation of ionirradiation damage in graphite// Physical review B, 1993, V.47, № 17, p.11 143−11 148.
  133. Cataldo F. A Raman study on radiation-damaged graphite by y-rays // Letters to the editor / Carbon, 2000, V.38, p.623 -641.
  134. Yoshida M., Tanabe T., Ohno N., Yoshimi M., Takamura S. High temperature irradiation damage of carbon materials studies by laser Raman spectroscopy // Journal of Nuclear Materials, 2009, V.386−388, p.841−843.
  135. Chen Z.Y., Zhao J.P., Yano T, Yoneda V., Sakakibara J. Observation of sp3 bonding in tetrahedral amorphous carbon using visible Raman spectroscopy // J. Appl. Phys., 2000, V.88, № 5, p.2305−2308.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!