Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои

Диссертация: Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Автором внесён определяющий вклад в получение основных экспериментальных результатов и доработку методики исследования циркулярной поляризации применительно к ЭЛ структур с КЯ InGaAs/GaAs. Исследования фотои электролюминесценции проведены автором самостоятельно. Планирование экспериментов, обсуждение и анализ результатов проводились совместно с руководителем работы. Постановка ряда экспериментов… Читать ещё >

Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. СПИНОВАЯ ПОЛЯРИЗАЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ В
  • ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ Обзор литературы)
    • 1. 1. Общие принципы создания и регистрации спиновой поляризации в полупроводниковых наноструктурах
      • 1. 1. 1. Виды ферромагнитных инжекторов
      • 1. 1. 2. Способы детектирования спиновой поляризации носителей
    • 1. 2. Светоизлучающие диоды с ферромагнитным инжектором
      • 1. 2. 1. Спиновая инжекция в структурах ферромагнитный металл/полупроводник
      • 1. 2. 2. Особенности формирования границы раздела ФМ металл/полупроводник
      • 1. 2. 3. Модели протекания тока в диодах с контактом Шотгки металл/полупроводник
      • 1. 2. 4. Электролюминесценция прямосмещённых диодов Шотгки
    • 1. 3. Использование ОаМпАэ эмиттера для спиновой инжекции
      • 1. 3. 1. Ферромагнитные свойства ваМпАз
      • 1. 3. 2. Светоизлучающие диоды, содержащие слои ОаМпАэ
    • 1. 4. Особенности МОСГЭ метода изготовления светоизлучающих структур
  • ГЛАВА 2. ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ ПРИ АТМОСФЕРНОМ ДАВЛЕНИИ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ваАэ С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ И КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ
    • 2. 1. Методика МОСГЭ
    • 2. 2. Структуры для исследований электролюминесценции
      • 2. 2. 1. Изготовление светоизлучающих квантово-размерных гетероструктур с ферромагнитным контактом Шотгки №(Со)/ОаАз
      • 2. 2. 2. Изготовление светоизлучающих квантово-размерных гетероструктур, содержащих однородно- или 8-легированные слои СаМпАэ
    • 2. 3. Методы исследования изготовленных гетероструктур
  • ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР 1п (Са)Ав/СаА8 С КОНТАКТОМ ШОТТКИ №(Со, Аи)/СаАв
    • 3. 1. Исследование свойств диодов Шоттки с ферромагнитным контактом
      • 3. 1. 1. Исследование свойств границы раздела ФМ металл/полупроводник
      • 3. 1. 2. Электролюминесценция диодных структур с различным типом контактов
      • 3. 1. 3. Влияние промежуточного слоя в системе №(Со)/ОаАз на ЭЛ структур
    • 3. 2. Исследование эффектов спиновой инжекции дырок в структурах с барьером Шоттки №(Со)/ОаАз и квантовой ямой ЫЗаАБ/ОаАз
      • 3. 2. 1. Спектральные особенности электролюминесценции структур с КЯ, помещенных в сильные магнитные поля
      • 3. 2. 2. Циркулярная поляризация ЭЛ
      • 3. 2. 3. Обсуждение результатов исследований электролюминесценции структур в магнитном поле
    • 3. 3. Циркулярная поляризация излучения структур с разными типами контактов
    • 3. 4. Исследование циркулярной поляризации излучения в структурах при варьировании глубины залегания квантовой ямы
  • ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР Хп^Аэ/СаАв, СОДЕРЖАЩИХ СЛОИ ваАв, ЛЕГИРОВАННОГО АТОМАМИ Мп
    • 4. 1. Свойства р-п переходов, содержащих слой GaMnAs в качестве эмиттера
      • 4. 1. 1. Влияние слоя GaMnAs на люминесцентные и электрические характеристики диодов
      • 4. 1. 2. Характеристики квантово-размерных структур с высокотемпературным слоем GaMnAs
    • 4. 2. Исследование свойств светоизлучающих структур, содержащих низкотемпературные GaMnAs слои
    • 4. 3. Исследование светоизлучающих свойств квантово-размерных гетероструктур, содержащих области, дельта-легированные атомами
      • 4. 3. 1. Исследование электролюминесценции структур с КЯ и 8<�Мп>-легированным слоем
      • 4. 3. 2. Влияние 5<�Мп>-легирования на циркулярную поляризацию электролюминесценции диодов Шоттки Au/GaAs на основе гетероструктур с КЯ

Актуальность темы

.

Исследование эффектов спиновой ориентации и спиновой инжекции носителей заряда в твердотельных системах является одним из наиболее актуальных направлений оптои наноэлектроники, получившим название «спинтроника» [1−3]. В последнее время большое внимание уделяется полупроводниковым структурам спинтроники, что обусловлено не только интересом к изучению фундаментальных свойств системы ориентированных по спину носителей, но и возможностью передачи информации с помощью спиновых состояний. Для реализации прикладного аспекта спинтроники научными группами из разных стран разрабатываются различные конструкции «спиновых транзисторов» и «спиновых светоизлучающих диодов» [1−3]. Спиновый светоизлучающий диод (ССИД) является одним из простейших, но в то же время одним из наиболее эффективных приборов спинтроники. В таком приборе информация передаётся при регистрации циркулярной поляризации электролюминесценции (ЭЛ), которая возникает в результате рекомбинации спин-поляризованных носителей заряда [2].

Существенные перспективы для применения в спинтронике имеют наноструктуры на основе ваЛв, включающие ферромагнитный (ФМ) слой [3]. Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры обладают уникальными свойствами и широко применяются во многих приборах, например, в светоизлучающие диодах и лазерах. Создание ферромагнитного эмиттера в светодиодной структуре значительно расширяет её функциональные возможности за счёт использования «спиновой» степени свободы носителей заряда. Наиболее распространёнными в настоящее время типами ФМ материалов, применяемых в ССИД, являются переходный металл (Бе, Со) и ферромагнитный полупроводник ваМпАз. Основной задачей, решаемой при создании ССИД, является обеспечение эффективной инжекции поляризованных по спину носителей в активную область диода. Решение указанной задачи позволит реализовать прибор, работающий на принципах передачи спиновой информации.

В данной работе исследовались гетероструктуры с квантовыми ямами ХпОаАзЛлаАБ и с квантовыми точками ТпАзАЗаАз, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) при атмосферном давлении, содержащие ферромагнитные металлические (N1, Со) или полупроводниковые (ваМпАз) слои.

Цель и основные задачи работы.

Основной целью работы являлось изготовление и исследование светоизлучающих полупроводниковых квантово-размерных гетероструктур на основе ваАв с ферромагнитным эмиттерным контактом, а также изучение эффектов спиновой инжекции в указанных структурах, помещённых в магнитные поля, методом спектроскопии циркулярно-поляризованной электролюминесценции.

Используемый для изготовления структур метод МОС-гидридной эпитаксии отличается своей простотой и экономичностью, однако возможность его применения для изготовления структур спинтроники практически не изучена. Не рассмотрены в достаточной степени свойства светодиодов, не исследовано взаимное влияние ферромагнитных слоёв и активной области на работу приборов. В связи с этим были определены основные задачи исследования:

1. Разработка конструкции светоизлучающих диодов на основе гетеронаноструктур 1п (Оа)АзЛлаА8, содержащих ферромагнитные слои. Исследование влияния встроенного ферромагнитного слоя на процессы формирования указанных структур.

2. Установление зависимости люминесцентных и электрических свойств диодных структур от параметров ферромагнитных слоев. Определение оптимальных технологических параметров изготовления спинового светоизлучающего диода с высокой эффективность электролюминесценции.

3. Исследование циркулярной поляризации электролюминесценции структур в магнитном поле. Определение эффективности спиновой инжекции из ФМ слоя в активную область диодов. Установление зависимости эффективности спиновой инжекции от таких параметров структур, как вид ФМ слоя, расстояние между ним и активной областью прибора.

Научная новизна работы.

1. Впервые показана возможность эффективной спиновой инжекции дырок в прямосмещенных диодах Шоттки ЩСо)/ОаАз. Из экспериментов на образцах ССИД с различной глубиной залегания КЯ по отношению к границе раздела металлЮаАз определена эффективная длина (~ 80 нм) потери спиновой ориентации дырок в эпитаксиальном слое ваАз.

2. Впервые было установлено, что как эффективность спиновой инжекции из ЩСо) контакта Шоттки, так и эффективность электролюминесценции, определяются свойствами границы раздела ФМ металлАлаАБ, а наибольшая эффективность спиновой инжекции характерна для многослойного металлического контакта, содержащего тонкую промежуточную плёнку Аи между ФМ металлом и полупроводником.

3. Отработана оригинальная комбинированная методика формирования ФМ слоёв ваМпАг для светоизлучающих структур, сочетающая МОСГЭ и лазерное распыление.

4. Впервые была исследована циркулярная поляризация ЭЛ структур, содержащих КЯ 1пСаАз/ОаАз и 8<�Мп>-слой, помещённые в область пространственного заряда барьера Шоттки АиАЗаАБ. Показано, что введение 5<�Мп>-слоя способствует существенному повышению степени циркулярной поляризации ЭЛ от КЯ по сравнению с контрольными образцами.

Практическая ценность работы 1. В работе определены условия формирования диода Шоттки с ФМ эмиттером (толщины соответствующих слоёв, вид структуры и контактов), которые необходимы для получения высокой степени циркулярной поляризации ЭЛ. Отработанная технология изготовления может быть использована при создании светодиодов, выполняющих одну из базовых функций спинтроники: кодирование информации с помощью спиновой ориентации.

2. Полученные результаты исследований могут быть положены в основу дальнейшего развития ССИД, направленного на исследование способов увеличения эффективности спиновой инжекции и повышение рабочих температур.

3. Применённый комбинированный способ изготовления светоизлучающих структур, содержащих слои ОаМпАв, показывает принципиальную возможность формирования ССИД относительно недорогим и производительным методом МОС-гидридной эпитаксии.

4. Показана возможность применения 5<�Мп>-легирования гетероструктур для создания спиновой ориентации дырок в КЯ.

На защиту выносятся следующие основные положения.

1. В гетероструктурах с? пСаАБ/ОаАБ квантовой ямой и контактом Шоттки №(Со), нанесённым на реальную поверхность ваАБ наблюдается эффективная спиновая инжекция дырок из ФМ контакта, которая обусловливает высокое значение степени циркулярной поляризации (Рэл = 20−40% при В = 8.5 Т) излучения. Наблюдаемые локальные минимумы на зависимости степени циркулярной поляризации ЭЛ от магнитного поля обусловлены изменением фактора заполнения уровней Ландау и осцилляциями экранирования неоднородностей потенциала в КЯ.

2. Использование трёхслойного эмиттера Аи/переходный металл/Аи, где верхний слой Аи служит для предотвращения окисления ферромагнитного металла, а нижний — для замедления твердотельной реакции на границе раздела переходный металл/СаАБ, позволяет повысить эффективность электролюминесценции, а также степень циркулярной поляризации ЭЛ светоизлучающего диода с барьером Шоттки.

3. Длина переноса спина дырок в нелегированном GaAs, определённая из измерений циркулярной поляризации ЭЛ на структурах с InGaAs/GaAs квантовыми ямами, составила 80 нм при 1.5 К.

4.

Введение

5<�Мп>-легированного слоя в покровный GaAs на расстоянии 210 нм от квантовой ямы приводит к существенному повышению интенсивности электролюминесценции диодов Шоттки Au/GaAs/InGaAs и к увеличению (до 45%) степени циркулярной поляризации излучения от квантовой ямы по сравнению с образцами без легирования марганцем. Возможный механизм повышения Рэл состоит в увеличении степени спиновой поляризации дырок в КЯ, обусловленном их взаимодействием с близкорасположенными ионами Мп.

Личный вклад автора.

Автором внесён определяющий вклад в получение основных экспериментальных результатов и доработку методики исследования циркулярной поляризации применительно к ЭЛ структур с КЯ InGaAs/GaAs. Исследования фотои электролюминесценции проведены автором самостоятельно. Планирование экспериментов, обсуждение и анализ результатов проводились совместно с руководителем работы. Постановка ряда экспериментов и обсуждение их результатов проведены со с.н.с. НИФТИ ННГУ к.ф.-м.н. Е. А. Усковой (исследование характеристик барьеров Шоттки) и зав.лаб. ЛНЭП ИФТТ РАН д.ф.-м.н. В. Д. Кулаковским (исследования циркулярной поляризации электролюминесценции диодов). Измерения циркулярной поляризации электролюминесценции структур, помещённых в магнитное поле, проведены автором в Институте физики твёрдого тела РАН (г. Черноголовка) совместно с сотрудниками Лаборатории нелинейных электронных процессов к.ф.-м.н. C.B. Зайцевым, A.C. Бричкиным, к.ф.-м.н. A.B. Черненко. Методика измерений циркулярной поляризации ЭЛ доработана совместно с к.ф.-м.н. Н. В. Байдусем. Светоизлучающие структуры изготовлены при участии автора в группе эпитаксиальной технологии НИФТИ ННГУ вед.н.с., к. ф-м.н. Б. Н. Звонковым (выращивание структур) и м.н.с. П. Б. Дёминой (нанесение металлических контактов).

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались на IX, X и XI международных симпозиумах «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 2005, 2006 и 2007 гг.) — 13-м и 14-м и 15-м международных симпозиумах «Nanostructures: Science and technology» (С.-Петербург, 2005 и.

2006 гг., Новосибирск 2007 г.), Международной научной конференции «Тонкие пленки и наноструктуры» (Москва, 2005 г.), XIII конференции «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение» (Нижний Новгород,.

2007 г.), пятой, шестой, седьмой и восьмой всероссийских молодежных конференциях по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (С.-Петербург, 2003, 2004, 2005 и 2006 гг.) — X и XI Нижегородских сессиях молодых учёных (Нижний Новгород, 2005 и 2006 гг.), а также на семинарах физического факультета и НИФТИ ННГУ им. Н. И. Лобачевского.

Публикации.

По материалам диссертационной работы опубликовано 27 научных работ, включая 5 статей (из них 4 входят в перечень ВАК) и 22 публикаций в материалах конференций.

Структура и объём диссертации.

Диссертация состоит из введения, 4 глав и заключения. Общий объём диссертации составляет 136 страниц, включая 58 рисунков и 6 таблиц. Список цитируемой литературы содержит 135 наименований, список работ автора по теме диссертации — 27 наименований.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Сформулируем основные результаты диссертации: 1. Найдено, что интенсивность электролюминесценции квантово-размерных структур с барьером Шоттки №(Со)ЛЗаА8 ниже (в 5 раз), чем в контрольных.

120 структурах с Аи контактом. Снижение интенсивности ЭЛ обусловлено образованием центров безызлучательной рекомбинации вследствие твердотельной реакции переходного металла и ваАБ на границе раздела.

2. Показано, что введение дополнительных Аи слоев в металлический контакт позволяет управлять эффективностью ЭЛ и степенью циркулярной поляризации ЭЛ структур ОаАзЛпОаАзЛлаАз.

3. С учётом особенностей исследовавшихся диодных структур доработана методика исследования циркулярной поляризации электролюминесценции. Показана возможность наблюдения эффективной спиновой инжекции дырок в структурах с квантовой ямой при прямом смещении барьера Шоттки №(Со)/и-СаАБ. В структурах с ФМ контактом степень циркулярной поляризации ЭЛ имеет сравнительно высокое значение (20 — 40%). В контрольных образцах с немагнитным Аи контактом циркулярная поляризация ЭЛ (до 10% при ЮТ) обусловлена зеемановским расщеплением уровней в КЯ.

4. В исследуемых образцах с барьером Шоттки впервые обнаружены немонотонности в зависимости степени циркулярной поляризации электролюминесценции от магнитного поля, что связано с осцилляциями в экранировании неоднородностей потенциала в КЯ. Показано, что минимумы наблюдаются при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау, когда носители в КЯ не участвуют в экранировании. Такая ситуация сопровождается увеличением спинового рассеяния и уширением линий люминесценции.

5. В структурах с трёхслойным контактом Аи/№/Аи к ОаАэ определена зависимость степени циркулярной поляризации от глубины залегания КЯ. Зависимость РЭл от толщины покровного слоя описывается спадающей экспоненциальной кривой, что обусловлено релаксацией спина дырок при переносе из ФМ контакта к квантовой яме. Оцененная по спаду аппроксимирующей кривой длина переноса спина дырки составляет 80 нм.

6. Установлено, что высокотемпературное выращивание ФМ слоя ОаМпАэ из металлорганических соединений (500−600°С) сопровождается диффузией атомов.

Мп в соседние области СаАэ, что приводит к уширению линии ЭЛ КЯ и к подавлению образования квантовых точек ТпАз/ваАБ.

7. Применение нового комбинированного метода выращивания светоизлучающих структур с использованием МОСГЭ для формирования активной области и лазерного распыления мишени в этом же реакторе для нанесения слоев ФМ полупроводника позволяет понизить температуру процесса до 300−400°С и тем самым минимизировать диффузию Мп в активную область диода.

8. Показано, что применение комбинированного метода выращивания позволяет проводить 5-легирование ваАБ атомами Мп. Для структур с барьером Шоттки и 5<�Мп>-слоем характерна более высокая эффективность электролюминесценции, чем для структур без 8-легирования.

9. Установлено, что введение 5<�Мп>-слоя позволяет существенно повысить степень циркулярной поляризации ЭЛ (до 40 — 45%) по сравнению со структурами без 5-легирования и со структурами с 5<�Ве>-слоем (~ 10% в обоих случаях). Степень поляризации пика излучения КЯ зависит от толщины спейсерного ваАв между 5<�Мп>-слоем и КЯ, а также от содержания 1п в квантовой яме. Объяснение указанных эффектов предполагает определяющее влияние обменного взаимодействия между ионами Мп и дырками на спиновую поляризацию последних в квантовой яме.

Благодарности:

Автор выражает глубокую признательность научному руководителю работы Данилову Юрию Александровичу, а также всем коллегам, принимавшим участие в данном исследовании:

— сотрудникам группы эпитаксиальной технологии (ГЭТ) НИФТИ ННГУ E.H. Звонкову, U.E. Дёминой и Е. А. Усковой за изготовление образцов и обсуждение результатов, О. В. Вихровой за исследование магнитных свойств структур с GaMnAs и обсуждение результатов, Н. В. Байдусю за помощь в разработке экспериментальных методик циркулярной поляризации люминесценции и обсуждение результатов, A.B. Здоровейщеву и П. Б. Дёминой за помощь в экспериментах по спектроскопии фотоэдс, Е. И. Малышевой за измерения на атомно-силовом микроскопе, Н. Б. Звонкову и С. А. Ахлестиной за помощь в организации измерений;

— сотрудникам ИФТТ РАН (г. Черноголовка) проф. В Д. Кулаковскому за помощь в проведении работы и в интерпретации результатов, С. В. Зайцеву, A.C. Бричкину и A.B. Черненко за помощь при измерениях циркулярной поляризации электролюминесценции;

— Е. А. Питиримовой (кафедра ФПиО физического факультета ННГУ) за электронографические исследования;

— сотрудникам ИФМ РАН В. Я. Алёшкину за предоставление программы расчёта уровней в квантовой яме и за помощь при обсуждении результатов, Д. В. Козлову за расчёт дырочных уровней Ландау в магнитном поле;

— сотруднику ФТИ УрО РАН (г. Ижевск) Ф. З. Гильмутдинову за измерение профилей ВИМС.

Работа выполнена при поддержке: РФФИ (гранты № 03−02−16 777, № 05−02−16 624, 07−02−1 153), совместной программы СКОР Ш и Министерства образования РФ (ЯиХО-ОО 1-Ш-06/ВР1 МО 1), Минобрнауки РФ (грант РНП.2.1.1.2741) и программы ОФН РАН «Спин-зависимые эффекты в твердых телах и спинтроника» .

Основные публикации по теме диссертации.

А1. Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металл — квантово-размерный полупроводник In (Ga)As/GaAs на эффективность электролюминесценции / Н. В. Байдусь, П. Б. Демина, М. В. Дорохин, Б. Н. Звонков, Е. И. Малышева, Е. А. Ускова. // ФТП. — 2005. т. 39, в.1. -с.25−30.

А2. Исследование свойств границы раздела Ni (Co)/GaAs в светоизлучающих диодах на основе квантово-размерных гетероструктур In (Ga)As/GaAs / Е. А. Ускова, М. В. Дорохин, Б. Н. Звонков, П. Б. Дёмина, Е. И. Малышева, Е. А. Питиримова, Ф. З. Гильмутдинов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2006. — В. 2. -С. 89−95.

A3. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с контактом Шоттки «ферромагнитный металл/GaAs» / М. В. Дорохин, С. В. Зайцев, В. Д. Кулаковский, Н. В. Байдусь, Ю. А. Данилов, П. Б. Демина, Б. Н. Звонков, Е. А. Ускова // Письма в ЖТФ. — 2006. — Т. 32, в. 24. — С. 46−52.

А4. Electrical spin injection in forward biased Schottky diodes based on InGaAs-GaAs quantum well heterostructures / N.V. Baidus, M.I. Vasilevskiy, M.J.M. Gomes, M.V. Dorokhin, P.B. Demina, E.A. Uskova, B.N. Zvonkov, V.D. Kulakovskii, A.S. Brichkin, A.V. Chernenko, S.V. Zaitsev // Appl. Phys. Lett. — 2006. — V. 89, n. 18. — P. 181 118.

A5. Formation of magnetic GaAs: Mn layers for InGaAs/GaAs light emitting quantum-size structures / M.V. Dorokhin, B.N. Zvonkov, Yu.A. Danilov, V.V. Podolskii, P.B. Demina, O.V. Vikhrova, E.I. Malysheva// Int. J. Nanoscience. — 2007. — V. 6, n. 3. — P. 1−4.

A6. Байдусь, Н. В. Электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InAs/GaAs с барьером Шоттки / Н. В. Байдусь, М. В. Дорохин // Пятая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике, Санкт-Петербург, 1 — 6 декабря 2003 г. — Санкт-Петербург: 2003. — с.87.

А7. Влияние границы раздела переходный металл/GaAs на электрические и люминесцентные свойства квантово-размерных гетероструктур InAs/GaAs / М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, Е. И. Малышева, Ю. А. Данилов // Шестая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике. Тезисы докладов, Санкт — Петербург, 6−10 декабря 2004 г. — Санкт — Петербург: Политехи, ун-т, 2004. — С.38.

А8. Электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур с барьером Шоттки Ni (Co, Fe)/GaAs/InAs/GaAs / Е. А. Ускова, М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, Б. Н. Звонков, Е. И. Малышева, Ф. З. Гильмутдинов, Е. А. Питиримова // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы Симпозиума, Нижний Новгород, 25−29 марта 2005 г. — Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2005. — С. 318−319.

А9. Дорохин, М. В. Использование магнитных слоёв GaAs: Mn в светоизлучающих квантово-размерных гетероструктурах In (Ga)As/GaAs / М. В. Дорохин, Ю. А. Данилов // Тезисы Докладов X Нижегородской сессии молодых ученых. Естественнонаучные дисциплины, Нижний Новгород, 17−22 апреля 2005 г. — Нижний Новгород: 2005. — С.22.

А10. Formation of magnetic GaAs: Mn layers for InGaAs/GaAs light emitting quantum-size structures / M.V. Dorokhin, B.N. Zvonkov, Yu.A. Danilov, V.V. Podolskii, P.B. Demina, O.V. Vikhrova // Nanostructures: physics and technology. 13th International Symposium, Proceedings, St Petersburg, Russia, June 20−25,2005. — St Petersburg: Ioffe Institute, 2005. — P. 314−315.

A11. Дорохин, М. В. Исследование свойств границы раздела переходный металл-полупроводник в излучающих квантово-размерных гетероструктурах In (Ga)As/GaAs с барьером Шоттки / М. В. Дорохин, П. Б. Демина, Ю. А. Данилов // Седьмая всероссийская молодежная конференции по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике, Тезисы докладов, Санкт — Петербург, 5 -9 декабря 2005 г. — Санкт-Петербург: Политехн. ун-т, 2005. — С.52.

А12. Особенности инжекционной электролюминесценции квантово-размерных гетероструктур In (Ga)As/GaAs с многослойным контактом Шоттки, содержащим слой переходного металла / М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, Е. А. Ускова, Н. В. Байдусь, Б. Н. Звонков // Материалы Международной научной конференции «Тонкие пленки и наноструктуры», Москва, 22 — 26 ноября 2005 г. — Москва: 2005. — С. 201- 204.

А13. Electrical spin injection in forward biased Schottky diodes based on ferromagnetic metal /InGaAs /GaAs QW heterostructures / N.V. Baidus, M.J.M. Gomes, M.I. Vasilevskiy, M.V. Dorokhin, P.B. Demina, E.A. Uskova, B.N. Zvonkov, V.D. Kulakovskiy, A.S. Brichkin, A.V. Chernenko, S.V. Zaitsev // Workshop on Low-Dimensional Semiconductor Structures: Growth, Properties and Applications, Aveiro, Portugal, January 27−28, 2006. — Aveiro: University of Aveiro, 2006. — P. 43.

A14. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция в диодах Шоттки Co/GaAs на основе гетероструктур с квантовой ямой / М. В. Дорохин, Ю. А. Данилов, П. Б. Дёмина, Е. А. Ускова // XI Нижегородская сессия молодых ученых. Естественнонаучные дисциплины, Нижний Новгород 16−21 апреля 2006 г. Нижний Новгород: 2006. — С.12−13.

А15. Применение ферромагнитных слоёв в излучающих квантово-размерных гетероструктурах In (Ga)As/GaAs / М. В. Дорохин, П. Б. Дёмина, Ю. А. Данилов, В. Д. Кулаковский // Физика и химия высокоэнергетических систем. Сборник материалов II всероссийской конференции молодых учёных, Томск, 4−6 мая 2006 г. — Томск: Томский гос. ун-т, 2006. — С. 396−399.

А16. GaAs-based quantum-size structures, doped by Mn / Yu.A. Danilov, M.J.S.P. Brasil, M.V. Dorokhin, Yu.N. Drozdov, A.L. Gazoto, F. Iikawa, M.V. Sapozhnikov, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov // III Joint European Magnetic Symposia. Book of abstracts and programme, San Sebastian, 26 — 30 June, 2006. — 2006. — P. 108.

A17. Circularly polarized electroluminescence from InGaAs/GaAs quantum well heterostructures with ferromagnetic Schottky contact / M.V. Dorokhin, V.D. Kulakovskii, S.V. Zaitsev, V.Ya. Aleshkin, N.V. Baidus', Yu.A. Danilov, P.B. Demina, E.A. Uskova, B.N. Zvonkov // Nanostructures: physics and technology, 14th International Symposium, Proceedings, St. Petersburg, Russia, June 26−30,2006. — St Petersburg: Ioffe Institute, 2006. — P. 51−52.

A18. Electrical spin injection in light emitting Schottky diodes based on InGaAs /GaAs QW heterostructures / N.V. Baidus, M.I. Vasilevskiy, M.J.M. Gomes, V.D. Kulakovskii, S.V. Zaitsev, M.V. Dorokhin, P.B. Demina, E.A. Uskova and B.N. Zvonkov // 28th International conference on the Physics of Semiconductors, Proc., Wienna, Austria, July 24−28,2006. — 2006 -P. 143.

A19. Свойства ферромагнитных контактов Шоттки в гетероструктурах с квантовыми ямами / М. В. Дорохин, Е. А. Ускова, П. Б. Дёмина, Б. Н. Звонков // Материалы международной научной конференции «75 лет высшему образованию в Удмуртии», Ижевск, 2006. — 2006. -С. 50.

А20. Получение слоев магнитных полупроводников типа (A3,Mn)Bs для приборов спинтроники / О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, М. В. Дорохин, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин // Конференция «Нанотехнологии — производству — 2006». Тезисы докладов, 29 ноября — 30 ноября 2006 г. — Фрязино: 2006. — С. 57−58.

А21. Влияние свойств границы Ni (Co)/GaAs на эффективность спиновой инжекции в структурах с квантовой ямой InGaAs/GaAs / М. В. Дорохин, П. Б. Демина, М. М. Прокофьева, Ю. А. Данилов // Восьмая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике. Тезисы докладов, Санкт-Петербург, 4−8 декабря 2006 г. — Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2006. -С. 19.

А22. Электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих слои GaAs 5-легированные атомами Мп / М. В. Дорохин, П. Б. Демина, М. М. Прокофьева, Ю. А. Данилов // Восьмая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике. Тезисы докладов, Санкт-Петербург, 4−8 декабря 2006 г. — Санкт-Петербург: Изд-во Политехи, ун-та, 2006. -С. 39.

А.23. Прокофьева, М. М. Влияние тонкого промежуточного слоя AlAs на электролюминесценцию квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с контактом Шоттки Ni/GaAs / М. М. Прокофьева, М. В. Дорохин, Ю. А. Данилов // Восьмая всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике. Тезисы докладов, Санкт-Петербург, 4−8 декабря 2006 г. — Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та, 2006. — С. 63.

А24. Исследование эффектов спиновой инжекции носителей заряда из ферромагнитного контакта Шоттки Ni (Co)/GaAs в гетероструктурах с квантовой ямой / М. В. Дорохин, С. В. Зайцев, Н. В. Байдусь, Ю. А. Данилов, П. Б. Демина, Б. Н. Звонков, В. Д. Кулаковский, Е. А. Ускова // Нанофизика и наноэлектроника. XI Международный Симпозиум, Нижний Новгород, 10−14 марта 2007 г. -Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2007. — Т.1. — С. 214−215.

А25. Создание методом МОС-гидридной эпитаксии квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs для исследования эффектов спиновой инжекции / М. В. Дорохин, С. В. Зайцев, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, П. Б. Дёмина, Б. Н. Звонков // XIII конференция «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение», 28−31 мая 2007 г., Нижний Новгород. Тезисы докладов. — 2007. — С.249−250.

А26. Spin injection and depolarization mechanisms in ferromagnetic Schottky diodes / S.V. Zaitsev, M.V. Dorokhin, V.D. Kulakovskii, P.B. Demina, N.V. Baidus', E.A. Uskova, B.N. Zvonkov // Nanostructures: physics and technology, 15th International Symposium, Proceedings, Novosibirsk, Russia, June 25−29,2007. — Ioffe Institute, 2007. — P. 283−284.

A27. Magnetic semiconductor (III, Mn) V emitters in circularly polarized light diodes / Yu.A. Danilov, P.B. Demina, M.V. Dorokhin, V.D. Kulakovskii, O.V. Vikhrova, S.V. Zaitsev, B.N. Zvonkov // Euro-Asian Symposium «Magnetism on a nanoscale». Abstract Book. Kazan, 23−26 August 2007. P. 121.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Giant magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr magnetic superlattices / M.N. Baibich, J.M. Broto, A. Fert, F. Nguyen Van Dau, F. Petroff, P. Eitenne, G. Greuzet, A. Freiderich, J. Chazelas //Phys. Rev. Lett. 1988. — V.61. — P.2472−2475.
  2. Semiconductor Spintronics and Quantum Computation / Ed. by D.D. Awschalom, D. Loss, N. Samarth. Berlin, Heidelberg, New York: Springer-Verlag, 2002. — 311 P.
  3. Concepts in Spin Electronics / Ed. by S. Maekawa. New York: Oxford University Press, 2006. — 398 P.4. ?utic, I. Spintronics: Fundamentals and applications /1. Zutic, J. Fabian, S. Das Sarma // Rev. Mod. Phys. 2004. — V.76. — P.323−410.
  4. Оптическая ориентация // под. ред. Б. П. Захарчени, Ф. Майера. Ленинград: Наука (ленингр. отделение). 1989. — 408 С.
  5. Hilton, D.J. Optical orientation and femtosecond relaxation of spin-polarized holes in GaAs / D.J. Hilton, C.L. Lang // Phys. Rev. Lett. 2002. — V.89. — P. 146 601.
  6. , Б.П. Эффект оптической ориентации электронных спинов в кристалле GaAs / Б. П. Захарченя, В. Г. Флейшер, Р. И. Джиоев, Ю. П. Вешунов, И.Б. Русанов//Письма в ЖЭТФ. -1971. Т.13, в.4. — С.195−197.
  7. , А.Г. Спиновая релаксация электронов проводимости в соединениях А3В5 р-типа / А. Г. Аронов, Г. Е. Пикус, А. Н. Титков // ЖЭТФ. 1983. — Т.84,1. B.З.-С.1170−1184.
  8. Fishman, G Spin relaxation of photoelectrons in /"-type gallium arsenide / G. Fishman, J. Lampel //Phys. Rev. B. 1977. — V.16, n.2. — P.820−831.
  9. Schmidt, G. Concepts for spin injection into semiconductor a review / G. Schmidt // J. Phys. D: Appl. Phys. — 2005. — V.38. — P. R107-R122.
  10. Injection and detection of a spin-polarized current in a light-emitting diode / R. Fiederling, M. Kleim, G. Reuscher, W Ossau, G. Schmidt, A. Waag, L.W. Molenkamp //Nature. 1999. — V.402. — P.787−790.
  11. Furdyna, J.K. Diluted magnetic semiconductors / J.K. Furdyna // J. Appl. Phys. -1998. V.64. — P. R29-R64.
  12. Comparative study of spin injection into metals and semiconductors / R.P. Borges,
  13. C.L. Dennis, J.F. Gregg, E. Jouguelet, K. Ounadjela, I. Petej, S.M. Thompson, M.J. Thornton // J. Phys. D: Appl. Phys. 2002. — V.35. — P. 186 — 191.
  14. Таблицы физических величин. Справочник / под. ред. И. К. Кикоина // Москва: Атомиздат. 1976. — С.523−525.
  15. Shmidt, G. Fundamental obstacle for electrical spin injection from a ferromagnetic metal into a diffusive semiconductor / G. Shmidt, D. Ferrand, L.W. Molenkamp // Phys. Rev. B. 2000. — V.62. — P. R4790 — R4793.
  16. Comparison of Fe/Schottky and Fe/Al203 tunnel barrier contacts for electrical spin injection into GaAs / O.M.J, van’t Erve, G. Kioseoglou, A.T. Hanbicki, C.H. Li,
  17. B.T. Jonker, R. Malloiy, M. Yasar, A. Petrou // Appl. Phys. Lett. 2004. — V.84, n.21. — P.4334−4336.
  18. Rashba, E.I. Theory of electrical spin injection: Tunnel contacts as a solution of the conductivity mismatch problem / E.I. Rashba // Phys. Rev. B. 2000. — V.62. -P.R16267.
  19. Zener Model Description of Ferromagnetism in Zinc-Blende Magnetic Semiconductors / T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Gilbert, D. Ferrand // Science.- 2000. V.287. — P.1019−1022.
  20. Electrical spin injection in a ferromagnetic semiconductor heterostructures / Y. Ohno, D.K. Young, B. Beschoten, F. Matsukura, H. Ohno, D.D. Awschalom // Nature V.402. — P.790−792.
  21. High Temperature Ferromagnetism in GaAs-Based Heterostructures with Mn 5 Doping / A.M. Nazmul, T. Amemiya, Y. Shuto, S. Sugahara, M. Tanaka // Phys. Rev. Lett. 2005. — V.95. — P.17 201.
  22. Dietl, T. Origin of ferromagnetism and nano-scale phase separations in diluted magnetic semiconductors / T. Dietl // Physica E. 2006. — V.35. — P.293−299.
  23. Current-induced spin polarization in strained semiconductors / Y.K. Kato, R.C. Myers, A.C. Gossard, D.D. Awschalom // Phys. Rev. Lett. 2004. — V.93, n.17. -P. 176 601.
  24. , П.С. Влияние электрического поля на спин-зависимое резонансное туннелирование / П. С. Алексеев, В. М. Чистяков, И. Н. Яссиевич // ФТП. Т.40, в.12. — С.1436−1442.
  25. Rashba, E.I. Spin currents in thermodynamic equilibrium / E.I. Rashba // Phys. Rev. B. 2003. — V.68. — P.241 315®.
  26. Burkov, A.A. Theory of spin charge coupled transport in a two-dimensional electron gas with Rashba spin-orbit interactions / A.A. Burkov, A.S. Nunez, A.H. MacDonald IIII Phys. Rev. B. 2004. — V.70. — P. 155 308.
  27. Parsons, R.R. Band-to-band optical pumping in solids and polarized photoluminescence / R.R. Parsons // Phys. Rev. Lett. 1969. — V.23, n.20. — P. 11 521 154.
  28. Two-dimensional spin confinement in strained-layer quantum wells / R.W. Martin, R.J. Nicholas, G.J. Rees, S.K. Haywood, NJ. Mason, P.J. Walker // Phys. Rev. B. -1990. V.42., n.14. — P.923 7−9240.
  29. Yu, Z.G. Circularly polarized electroluminescence in spin-LED structures / Z.G. Yu, W.H. Lau, M.E. Flatte // Preprint Cond.mat. 2003. — N.308 220.
  30. Detection of electrical spin injection by light-emitting diodes in top and side emission configurations / R. Fiederlihg, P. Grabs, W. Ossau, G. Schmidt, L.W. Molenkamp // Appl. Phys. Lett. 2003. — V.82, n.13. — P.2160−2163.
  31. Remanent electrical spin injection from Fe into AlGaAs/GaAs light emitting diodes / O.M.J. van’t Erve, G. Kioseoglou, A.T. Hanbicki, C.H. Li, B.T. Jonker // Appl. Phys. Lett. 2006. — V.89. — P.72 505.
  32. Optical, electrical and magnetic manipulation of spins in semiconductors / D.K. Young, J.A. Gupta, E. Johnston-Halperin, R. Epstein, Y. Kato, D.D. Awschalom // Semicond. Sci. Tech. 2002. — V.17. — P.275−284.
  33. Kohda, M. Effect of n±GaAs thickness and doping density on spin injection of GaMnAs/n±GaAs Esaki tunnel junction / M. Kohda // Physica E 2006. — V.32. -P.438−441.
  34. GalnAs/GaAs strained-layer superlattices grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy / A. P. Roth, M. Sacilotti, R. A. Masut, P. J. D’Arcy, B. Watt, G. I. Sproule, D. F. Mitchell //Appl. Phys. Lett. 1986. — V.48, n.21. — P.1452−1455.
  35. Nakanish, T. The growth and characterization of high quality MOVPE GaAs and AlGaAs / T. Nakanish // J. Cryst. Growth. 1984. — V.68. — P.282−294.
  36. Datta, S. Electronic analog of the electro-optic modulator / S. Datta, B. Das // Appl. Phys. Lett. 1990. — V.56. — P.665−667.
  37. Spin-dependent electron transport in NiFe/GaAs Schottky barrier structures / A. Hirohata, Y.B. Xu, C.M. Guertler, J.A.C. Bland // J. Appl. Phys. V.87, n.9. -P.4670−4672.
  38. Test of ballistic spin polarized electron transport across ferromagnet/semiconductor Schottky interfaces / A. Hirohata, C.M. Guertler, W.S. Lew, Y.B. Xu, J.A.C. Bland, S.N. Holmes // J. Appl. Phys. V.91, n.10. — P.7481−7483.
  39. , А.Г. Спиновая инжекция в полупроводниках / А. Г. Аронов, Г. Е. Пикус // ФТП. 1976. — Т.10, в.6. — С.1177−1179.
  40. Valet, Т. Theory of perpendicular magnetoresistance in magnetic multilayers / T. Valet, A. Fert // Phys. Rev. B. 1993. — V.48., n.10. — P.7099−7113.
  41. Kikkawa, J.M. Lateral drag of spin coherence in gallium arsenide / J.M. Kikkawa, D.D. Awschalom //Nature. V.37, n.6715. — P.139−141.
  42. Johnson, M. Coupling of electronic charge and spin at a ferromagnetic-paramagnetic metal interface / M. Johnson, R.H. Silsbee // Phys. Rev. B. 1988. -V.37., n.10.-P.5312−5326.
  43. Binasch, G. Enhanced magnetoresistance in layered magnetic structures with antiferromagnetic interlayer exchange / G. Binasch, P. Grunberg, F. Saurenbach, W. Zinn // Phys. Rev. B. -1989. V.39., n.7. — P.4828−4830.
  44. Observation of spin injection at a ferromagnet-semiconductor interface / P.R. Hammar, B.R. Bennet, MJ. Yang, M. Johnson // Phys. Rev. Lett. 1999. V.83, n.l.- P.203−206.
  45. Rashba, E.I. Theory of electrical spin injection: Tunnel contacts as a solution of the conductivity mismatch problem / E.I. Rashba // Phys. Rev. B. 2000. — V.62., n.24. -P.R16267-R16270.
  46. Study of Superconductors by Electron Tunneling /1. Giaever // Phys. Rev. 1961. -V.122, n.4. -P. 1101−1111.
  47. Spin electronics a review / J.F. Gregg, I. Petej, E. Jouguelet, C.L. Dennis K // J. Phys. D: Appl. Phys. — 2002. — V.35. — P.121−155.
  48. Manago, T. Spin-polarized light-emitting diode using metal/insulator/semiconductor structures / T. Manago, H. Akinaga // Appl. Phys. Lett. 2002. — V.81, n.4. — P.694−696.
  49. Bratkovski, A.M. Efficient polarized injection luminescence in forward-biased ferromagnetic-semiconductor junctions at low spin polarization of current / A.M. Bratkovski, V.V. Osipov // Appl. Phys. Lett. 2005. — V.86. — P.71 120.
  50. Efficient electrical spin injection from a magnetic metal/tunnel barrier contact into a semiconductor / A.T. Hanbicki, B.T. Jonker, G. Istkos, G. Kioseoglou, A. Petrou // Appl. Phys. Lett. 2002. — V.80, n.7. — P.1240−1242.
  51. Spin injection and relaxation in ferromagnet-semiconductor heterostructures / C. Adelmann, X. Lou, J. Strand, C.J. Palmstrom, P.A. Crowell // Phys. Rev. B. 2000.- V.71, n.12. P.121 301.
  52. Electrical spin injection in a ferromagnet/tunnel barrier/semiconductor heterostructures / V.F. Mostnyi, J. De Boeck, J. Das, W. Van Roy, G. Borghs, E. Goovaerts, V.I. Safarov // Appl. Phys. Lett. 2002. — V.81, n.2. — P.265−267.
  53. Formation of a body-centered-cubic Fe-based alloy at the Fe/GaAs (001) interface / P. Schieffer, A. Guivarc’h, C. Lallaizon, B. Lepine, D. Sebilleau, P. Turban, G. Jezequel // Appl. Phys. Lett. 2006. — V.89, n. l6. — P. 161 923.
  54. Temperature independence of the spin injection efficiency of a MgO-based tunnel spin injector / G. Salis, R. Wang, X. Jiang, R.M. Shelby, S.S.P. Parkin, S.R. Bank, J.S. Harris // Appl. Phys. Lett. 2005. — V.87. — P.262 503.
  55. Increase in spin injection efficiency of a CoFeZMgO (lOO) tunnel spin injector with thermal annealing / R. Wang, X. Jiang, R.M. Shelby, R.M. Macfarlane, S.S.P. Parkin, S.R. Bank, J.S. Harris // Appl. Phys. Lett. 2005. — V.86, n.5. — P.52 901.
  56. Structural model of III-V compound semiconductor Schottky barriers / B.W. Lee, D. C. Wang, R.K. Ni, G. Xu, M. Rowe // J. Vac. Sci. Tech. 1982. — V.21, n.2. -P.577−591.
  57. Abruptness of semiconductor-metal interfaces / L.J. Brillison, C.F. Brucker, N.G. Stoffel, A.D. Katnani, C. Margaritondo // Phys. Rew. Lett. 1981. — V.46, n.13. -P.838−841.
  58. Systematics of chemical structure and Schottky barriers at compound semiconductor-metal interfaces // L.J. Brillison, C.F. Brucker, A.D. Katnani, N.G. Stoffel, R. Daniels, C. Margaritondo // Surface Science. 1983. — V.132. — P.212−232.
  59. Диффузия Ni, Ga и As в поверхностном слое GaAs и характеристика контакта Ni/GaAs. / В. А. Усков, А. Б. Федотов, Е. А. Ерофеева, А. И. Родионов, Д. Т. Джумакулов // Неорг. Материалы. 1987. — Т.32, в.2. — С. 186−189.
  60. , Э.Х. Контакты металл-полупроводник / Э. Х. Родерик // Москва: Радио и связь. 1982. — 209 С.
  61. Ludeke, R. The formation of interfaces on GaAs and related semiconductors: a reassessment/R. Ludeke// Surface Science. 1983. — V.132. — P.143−168.
  62. Е.А. Низкотемпературная диффузия и ее влияние на электрические характеристики контакта переходный металл полупроводник. / Е.А. Ерофеева//Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10. Горький: ГГУ. — 1984. 225 с.
  63. Atomic interdiffusion at Au-GaAs interfaces studied with A1 interlayers / L.J. Brillison, R.S. Bauer, R.Z. Bachrach, G. Hansson // Phys. Rev. B. 1981. — V.23, n.12. — P.6204−6215.
  64. Electrical study of Schottky barriers on atomically clean GaAs (100) surfaces / N. Newman, M. van Schilfgaarde, T. Kendelewicz, M.D. Williams, W.E. Spicer // Phys. Rev. B. 1986. — V.33, n. 2. — P. l 146−1159.
  65. Interfacial chemistry and Schottky-barrier formation of the Ni/InP (110) and Ni/GaAs (100) interfaces / T. Kendelewicz, M.D. Williams, W.G. Petro, I. Lindau, W.E. Spicer // Phys. Rev. B. 1985. — V.32, n.6. — P.3758−3765.
  66. Epitaxy, overlayer growth, and surface segregation for Co/GaAs (110) and Co/GaAs (100)-c (8×2) / F. Xu, J.J. Joyce, M.W. Ruckman, H.-W. Chen, F. Boscherini, D.M. Hill, S.A. Chambers, J.H. Weaver // Phys. Rev. B. -1981. V.35, n.5. -P.2375−2384.
  67. Процессы твердотельной перекристаллизации в структурах Ni-GaAs, Pd-GaAs / JI.M. Красильникова, И. В. Ивонин, М. П. Якубеня, Н. К. Максимова, Г. К. Арбузова // Изв. Вузов. Физика. 1989. — В.З. — С.60−65.
  68. Yasufumi, Y. Deep-level Luminescence in Ni-diffused GaAs / Y. Yasufumi, A. Kojima, T. Nishino, Y. Hamakawa // Jap. J. Appl. Phys. 1983. — V.22, n.7. -P. 1476−1478.
  69. , В.И. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (физика, технология применение) / В. И. Стриха, Е. В. Бузанева, И. А. Радзиевский // Москва: Сов. радио. 1974. — 248 С.
  70. Card, Н.С. The effect of an interfacial layer on minority carrier injection in forward biased silicon Schottky diodes / H.C. Card, E.H. Rhoderick // Sol. State Electr. -1973. V.16, n.3. P.365−374.
  71. Card. E.H. Studies of tunnel MOS diodes I. Interface effects in silicon Schottky diodes / H.C. Card, E.H. Rhoderick // J. Phys. D. Appl. Phys. 1971. — V.4, n.10. -P. 1589−1602.
  72. Livingstone, A. W. Electroluminescence in forward-biased zinc selenide Schottky diodes / A. W. Livingstone, K. Turvey, J. W. Allen // Sol. State Electr. 1973. -V.16, n.3. — P.351−356.
  73. Ferreira, R «Spin"-flip scattering of holes in semiconductor quantum wells / R. Ferreira, G. Bastard // Phys. Rev. B. -1991. V.43, n.12. — P.9687−9691.
  74. Zener, C. Interaction between the d shells in the transition metals / C. Zener // Phys. Rev. 1951. — V.81, n.3. — P.440−444.
  75. Wolff, P.A. Polaron-polaron interactions in diluted magnetic semiconductors / P.A. Wolff, R. N. Bhatt, A. C. Durst // J. Appl. Phys. 1996. — V.79, n.8. — P.5196−5198.
  76. Berciu, M. Interaction Between the d Shells in the Transition Metals / M. Berciu, R.N. Bhatt // Phys. Rev. Lett. 2001. — V.87, n.10. — P. l07203.
  77. Mn Interstitial Diffusion in (Ga, Mn) As / K.W. Edmonds, P. Bogusawski, K.Y. Wang, R.P. Campion, S.N. Novikov, N.R.S. Farley, B.L. Gallagher, C.T. Foxon, M. Sawicki, T. Dietl, M.B. Nardelli, J. Bernholc // Phys. Rev. Lett. 2004. — V.92. -P.37 201.
  78. Nazmul, A.M. Ferromagnetism and high Curie temperature in semiconductor heterostructures with Mn 5-doped GaAs and p-type selective doping / A.M. Nazmul, S. Sugahara, M. Tanaka // Phys. Rev. B. 2003. V.67. — P.241 308.
  79. Electrical and Optical Control of Ferromagnetism in III-V Semiconductors Heterostructures at the High Temperature (-100K) / A.M. Nazmul, S. Kobayashi, S. Sugahara, M. Tanaka//Jap. J. Appl. Phys. 2004. — V.43. — P. L233.
  80. Шик, А. Я. Полупроводниковые структуры с 8-слоями / А. Я. Шик // ФТП. -1992. Т.26, В.7.-С.1161−1181.
  81. Слабая локализация и межподзонные переходы в 8-легированном GaAs / Г. М. Миньков, С. А. Негашев, О. Э. Рут, А. В. Германенко, В. В. Валяев, B.JI. Гуртовой // ФТП. 1998. — Т.32, в.12. — С.1456−1460.
  82. , В.И. Управление характером токопереноса в барьере Шоттки с помощью 8-легирования: расчет и эксперимент для Al/GaAs / В. И. Шашкин, А. В. Мурель, В. М. Данильцев, О. И. Хрыкин // ФТП. 2002. Т.36, в5. — С.537−542.
  83. Electroluminescence from a forward-biased Schottky barrier diode on modulation Si 8-doped GaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures / A. Babinski, P. Witczak, A. Twardowski, J.M. Baranowski // Appl. Phys. Lett. 2001. — V.78, n.25. — P.3992−3994.
  84. Полупроводниковые лазеры с длиной волны 0,98 мкм с выходом излучения через подложку / Н. Б. Звонков, Б. Н. Звонков, А. В. Ершов, Е. А. Ускова, Г. А. Максимов / Квантовая электроника. 1998. — Т.25, в.7. — С.622−624.
  85. , В.Я. Конкуренция мод, неустойчивость и генерация вторых гармоник в двухчастотных InGaAs/GaAs/InGaP лазерах / В. Я. Алешкин, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, Вл.В. Кочаровский // ФТП. 2005. — Т.39, в.1. — С.171−174.
  86. Фотоэлектрические свойства гетероструктур InAs/GaAs с квантовыми точками / Б. Н. Звонков, И. Г. Малкина, Е. Р. Линькова, В. Я. Алешкин, И. А. Карпович, Д. О. Филатов // ФТП. 1997. — Т.31, в. 9. — С. 1100−1105.
  87. Mn-doped InAs self-organized diluted magnetic quantum-dot layers with Curie temperatures above 300 К / M. Holub, S. Chakrabarti, S. Fathpour, P. Bhattacharya, Y. Lei, S. Ghosh // Appl. Phys. Lett. 2004. — V.85. — P.973−975.
  88. Свойства слоев GaSb: Mn, полученных осаждением из лазерной плазмы / Ю. А. Данилов, Е. С. Демидов, Ю. Н. Дроздов, В. П. Лесников, В. В. Подольский // Нанофотоника. Материалы совещания, Нижний Новгород. 2004. — С. 187 190.
  89. Анодные окисные пленки на поверхности полупроводников группы А3В5 / И. Н. Сорокин, В. З. Петрова, Ю. Д. Чистяков, Н. Р. Аигина, Л. Е. Гатько // ЦНИИ Электроника. 1979. — 56 С.
  90. Травление полупроводников / пер. с англ. под ред. С. Н. Горина // Мир, М. -1965.-382 С.
  91. , Л.А. Электронография поверхностных слоев и пленок полупроводниковых материалов / Л. А. Жукова, М. А. Гуревич // Москва: Металлургия. 1971. — 176 С.
  92. Фотоэлектрическая диагностика квантово-размерных гетероструктур. Учебное пособие / И. А. Карпович, Д. О. Филатов // Нижний Новгород: изд. ННГУ. 1999. — 80 С.
  93. Blakemore, J.S. Semiconducting and other major properties of gallium arsenide / J.S. Blakemore // J. Appl. Phys. 1982. — V.53, n.10. — P. R123-R181.
  94. Low-temperature grown III-V materials / M.R. Melloch, J.M. Woodall, E.S. Harmon et al. // Ann. Rev. Mater. Sci. -1995. V.25. — P.547−600.
  95. , Ю.А. Оптическое поглощение в ионно-имплантированном арсениде галлия / Ю. А. Данилов // Поверхность. Физика, химия, механика. -1995. В.5. — С.27−29.
  96. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение // под ред. Ф. П. Кесаманлы, Д. Н. Наследова. М.: Наука. 1973.
  97. Исследование процесса заращивания нанокластеров InAs/GaAs / Н. В. Байдусь, Б. Н. Звонков, Д. О. Филатов, Ю. Ю. Гущина, И. А. Карпович, А. В. Здоровейщев // Поверхность. 2000. — В.7. — С.75−77.
  98. Effective spin injection in Au film from Permalloy / J.-H. Ku, J. Chang, H. Kim, J. Eom // Appl. Phys. Lett. 2006. — V.88. — P. 172 510.
  99. , И.В. Излучательная рекомбинация двумерных электронов с неравновесными дырками в кремниевых структурах металл-диэлектрик-полупроводник. / И. В. Кукушкин, В. Б. Тимофеев // ЖЭТФ. 1987. — Т.92, в.1. -С. 258−277.
  100. , И.В. Плотность состояний двумерных электронов / И. В. Кукушкин, С. В. Мешков, В. Б. Тимофеев // УФН. 1988. — Т. 155, в.2. — С.219−264.124. http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GalnAs/basic.html
  101. Мелкие акцепторы в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в магнитном поле / В. Я. Алёшкин, А. В. Антонов, Д. Б. Векслер, В. И. Гавриленко, И. В. Ерофеева, А. В. Иконников, Д. В. Козлов, О. А. Кузнецов, К. Е. Спирин // ФТТ. 2005. — Т.47, в.7. — С.74−79.
  102. , А.А. Проявление размерного квантования в широких легированных ямах / А. А. Шерстобитов, Г. М. Миньков // ФТП. 2001. — Т.35, в.6. — С.754−757.
  103. Ilegems, М. Optical and electrical properties of Mn-doped GaAs grown by molecular-beam epitaxy / M. Ilegems, R. Digle, L.W. Rupp Jr. // J. Appl. Phys. -1975. V.46, n.7. — P.3059−3065.
  104. Физика полупроводниковых приборов // С. Зи. Т.1. Перевод с англ. 2-е перераб. и доп. изд. — М.: Мир. — 1984. С.52−53.
  105. Magnetic and optical properties of Mn-including InAs dots grown by metalorganic molecular beam epitaxy / Y.K. Zhou, H. Asahi, J. Asakura, S.
  106. Okumura, К. Asami, S. Gonda // J. Cryst. Growth. 2000. — v.221, n.1−4. — P.605−610.
  107. Nagahara, S. High-temperature growth of Mn-irradiated InAs quantum dots / S. Nagahara, S. Tsukamoto, Y. Arakawa // J. Ciyst. Growth. 2007. V.301−302. -P.797−800.
  108. Оптические свойства легированных кремнием слоёв GaAs (100), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, А. В. Гук, Г. Б. Галлиев, В. А. Страхов, Н. Г. Яременко // ФТП. 1998. -Т.32, в.9. — С.1060−1063.
  109. Sanvito, S Ferromagnetism and metallic state in digital (Ga, Mn) As heterostructures / S. Sanvito // Phys. Rev. B. 2003. — V.68, n.5. — P.54 425.
  110. , Б.И. Локализация электронов в магнитном поле / Б. И. Шкловский, А. Л. Эфрос // ЖЭТФ. 1973. — т.64. — С.2222−2231.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!