Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электронная энергетическая структура соединений AIIIBV, AIVBIV и твёрдых растворов на их основе

Диссертация: Электронная энергетическая структура соединений AIIIBV, AIVBIV и твёрдых растворов на их основе
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В работе впервые проведены расчеты электронной структуры вюртцитных нитридов и карбидов методом ЖП в рамках теории многократного рассеяния, что позволило провести интерпретацию экспериментальных данных по фотоэлектронному и рентгеновскому рассеянию для этих соединений. Метод расчета впервые апробирован для твердых растворов замещения, таких как BXNA1]. X, BxNGajx, AlxNGai. x (х = 0- 0.1- 0.25… Читать ещё >

Электронная энергетическая структура соединений AIIIBV, AIVBIV и твёрдых растворов на их основе (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОСОБЕННОСТИ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ И ЭЛЕКТРОННОЙ Ю СТРУКТУРЫ, ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ И ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ СОЕДИНЕНИЙ AmBv и AivBiv, А ТАКЖЕ ИХ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ
    • 1. 1. Общая характеристика соединений типа АШВУ и AIVBIV и их 10 кристаллическая структура
    • 1. 2. Химические и электронные свойства соединений AmBv и AIVBIV
    • 1. 3. Экспериментальные и теоретические исследования ЭЭС соединений 16 AinBv и A1 Biv в различных модификациях
    • 1. 4. Теоретические и экспериментальные данные возникновения твердых 24 растворов на основе нитрида бора и карбида кремния
    • 1. 5. Выводы по главе. Постановка задачи
  • ГЛАВА. 2.МЕТОДИКА РАСЧЕТА ЭЛЕКТРОННОЙ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ 32 СТРУКТУРЫ БИНАРНЫХ СОЕДИНЕНИЙ ТИПА ВЮРЦИТ И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ
    • 2. 1. Применение метода полного многократного рассеяния в 32 приближении локального когерентного потенциала для расчета ЭЭС соединений типа вюртцит
    • 2. 2. Формирование кластера, распределение атомов по координационным ^ сферам и вычисление констант Маделунга
    • 2. 3. Построение кристаллического потенциала
    • 2. 4. Вычисление фаз рассеяния
    • 2. 5. Вычисление локальных парциальных и полных плотностей 41 электронных состояний
    • 2. 6. Исследования метода на сходимость
  • Выводы по главе
  • ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРОННАЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И 44 РЕНТГЕНОВСКИЕ СПЕКТРЫ НИТРИДА БОРА И КАРБИДА КРЕМНИЯ В РАЗЛИЧНЫХ МОДИФИКАЦИЯХ
    • 3. 1. Электронная структура рассматриваемых кристаллографических 44 модификаций нитрида бора и сравнение с экспериментальным рентгеновским фотоэлектронным спектром
    • 3. 2. Электронная структура и рентгеновские спектры ЗС SiC и 2Н SiC
    • 3. 3. ЭЭС и рентгеновские спектры широкозонных кристаллов A1N, BN
  • ГЛАВА 4. ЭЛЕКТРОННАЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И 63 РЕНТГЕНОВСКИЕ СПЕКТРЫ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ AmBv hA, vBiv
    • 4. 1. Особенности расчета электронной структуры твердых растворов 63 замещения: B,.XNRX, BN,.XRX и Si, xCRx (х=(Ы).75- R=C, О, А1, Ga)
    • 4. 2. ЭЭС и особенности химической связи твердых растворов на основе 65 соединений А3В
      • 4. 2. 1. Твердые растворы замещений BixNRx и BNixRx (R=C, 0, х=(Ы)
      • 4. 2. 2. Структурные и электронные свойства широкозонных 76 полупроводников A1N, BN и их твердых растворов BxAl]. xN (x =0 -й)
      • 4. 2. 3. Электронная энергетическая структура и рентгеновские спектры 89 w-GaN—w-BxGa,.xN^ w-BN (0<�х<1)
      • 4. 2. 4. Электронная структура ряда c-GaN —> с- BxGa,.xN —"¦ c-BN (0<�х<1)
      • 4. 2. 5. ЭЭС и рентгеновские спектры широкозонных полупроводников 101 GaN, A1N и AIN-GaN
      • 4. 2. 6. Электронная структура и эволюция полосы запрещенных энергий в 109 твёрдых растворах AlxGaixN со структурой сфалерита
      • 4. 2. 7. Рентгеновские спектры и ЭЭС азота в твёрдых растворах AlxGaixN
    • 4. 3. Расчет плотностей электронных состояний твердых растворов 118 замещения на основе карбида кремния
      • 4. 3. 1. Расчет плотностей электронных состояний твердых растворов 118 замещения: Sij. xCRx (x=0-K).75- R= С, Al, Ti)
    • 3. 4. Выводы по главе
      • 4. 3. 2. Электронная энергетическая структура широкозонных 126 полупроводниковых кристаллов Al х Si j. xC с малой концентрацией
    • 4. 4. ВЫВОДЫ ПО ГЛАВЕ

Одной из фундаментальных задач физики является описание сред с различного рода нарушениями регулярности. Так, наличие в кристаллической решетке дефектов типа случайного замещения, даже при достаточно малом проценте замещения, затрудняет последовательную постановку задачи расчета электронной структуры в рамках подходов, базирующихся на точной трансляционной симметрии. С другой стороны, по понятным причинам, привлечение чисто феноменологических теорий, равно как и создание «правдоподобных» компьютерных моделей, вряд ли следует считать приемлемым выходом из положения. Компромиссом здесь является нахождение оптимального сочетания первопринципных соображений с модельными допущениями, основанными на опытных данных. Именно такая попытка и делается в настоящей работе. Примененный здесь метод позволяет рассчитывать электронную структуру твердых растворов с произвольным числом замещения, а степень детализации описания — достаточна для уверенного различения разных структурных модификаций одного и того же состава по расчетным электронным распределениям.

Изучаемые в работе бинарные соединения (A1N, GaN, BN, SiC, алмаз и др.) и их твёрдые растворы, с одной стороны, являются наиболее перспективными широкозонными полупроводниками, а с другой — относятся к особо термостойким высокотемпературным соединениям^-4]. Полупроводниковые материалы на их основе представляют в настоящее время большой практический интерес для ряда новых отраслей техники, космической и атомной промышленности, тонких химических технологий и т. д. В частности, такие материалы находят широкое применение при создании высокоэффективных оптических накопителей информации, дисплеев, лазеров для полевых условий, экологических детекторов и пр. Действующие в твёрдых растворах возмущающие факторы, как-то: рассогласование решеток между слоями, деформация слоев в сверхрешётках вследствие спонтанной поляризации и т. п., — могут оказывать существенное влияние на электротехнические характеристики и электронную структуру полупроводников. Поэтому изучение эффектов, обусловленных взаимодействиями на уровне электронной подсистемы твёрдых растворов, является актуальной задачей.

Для решения поставленной задачи потребовалась адаптация программ расчета электронной энергетической структуры (ЭЭС) к материалам со структурой типа вюртцит и нестехиометрическим твердым и сверхтвердым материалам. С этой целью в данной работе использовано кластерное приближение метода локального когерентного потенциала (ПЛКП), отличительной особенностью которого является принципиальная возможность учета локальных искажений кристаллической симметрии. Этот метод впервые был предложен Джиорффи [5,6] для сплавов и успешно развит для неупорядоченных систем [7,8]. Для нового класса соединений со структурой типа вюртцит ZnS и твердых растворов на их основе примененный метод ПЖП ранее не использовался. В ряде случаев полученные расчеты позволяют не только объяснить, но и прогнозировать результаты эксперимента.

Цель работы. Исследование электронной структуры соединений АШВУ и AIVB1V в различных кристаллографических модификациях и твёрдых растворов на их основе.

При этом решались следующие основные задачи:

• Исследовать применимость метода локального когерентного потенциала для соединений AmBv, AIVB1V в различных модификациях;

• Объяснить особенности и форму рентгеновских спектров исследованных соединений на основе рассчитанных локальных парциальных плотностей электронных состояний;

• Исследовать динамику перестройки в электронной энергетической структуре вюртцитных и сфалеритных твердых растворах AIN-GaN, BN-A1N, BN-GaN по мере изменения взаимной концентрации компонент;

• Изучить концентрационные зависимости ширины валентной и запрещенной полос твердых растворов вышеупомянутых систем.

В качестве объектов исследования были выбраны нитриды элементов 3-й группы периодической таблицы: такие как нитриды бора, алюминия, галлия, а также некоторые карбиды элементов 4-й группы, такие как карбид кремния и твердые растворы на их основе. Эти соединения могут существовать в вюртцито-(и>-), сфалерито-(е-) и графитоподобной (h-) модификациях. Исследовано 10 бинарных соединений и более 30 твердых растворов на их основе.

Научная и практическая ценность.

В работе впервые проведены расчеты электронной структуры вюртцитных нитридов и карбидов методом ЖП в рамках теории многократного рассеяния, что позволило провести интерпретацию экспериментальных данных по фотоэлектронному и рентгеновскому рассеянию для этих соединений. Метод расчета впервые апробирован для твердых растворов замещения, таких как BXNA1]. X, BxNGajx, AlxNGai. x (х = 0- 0.1- 0.25- 0.5- 0.7- 0.75- 1), RXB,.XN, RJBN^ (R= С, Ох=0−1) и RxSi,.xC (x = 0.01−0.5- R = С, Al, Ti). Рассчитанные парциальные электронные плотности сопоставлены с рентгеновскими спектрами бора, азота, алюминия, галлия, углерода и кремния в соответствующих бинарных соединениях. В предположении неизменности кристаллографической симметрии решетки, впервые прослежены изменения электронной энергетической структуры при постепенной замене одного из компонентов соединения другим. Впервые доказана применимость расчетов приближения виртуального кристалла для интерпретации электронных спектров твердых растворов (на примере соединения AlxNGai"x).

Впервые в качестве исследуемого объекта рассматривалось не единичное соединение, а диаграмма состава как целое, что позволило качественно расширить классы изучаемых объектов и обеспечить универсальность постановки и серийность получаемых результатов. Впервые получены концентрационные зависимости модуля всестороннего сжатия Во и ширины валентной и запрещенной полос для кубических и вюртцитных кристаллов изученного класса соединений. Полученные результаты дают возможность новой интерпретации экспериментальных рентгеновских спектров для реальных полупроводниковых материалов.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

1. Метод локального когерентного потенциала применим для расчетов электронной структуры широкозонных полупроводников со структурой вюртцита, сфалерита и графита. Метод дает результаты, согласующиеся с экспериментом, и имеет удовлетворительную сходимость по числу атомов в кластере.

2. В ряду «сфалерит — вюртцит — графит» переход от одного представителя к другому сопровождается качественным изменением формы распределения электронных состояний по энергии в валентной полосе, причем во всех рассмотренных случаях в сфалерите доминирует низкоэнергетический пик плотности электронных состояний, тогда как в вюртците — высокоэнергетический пик. В графитоподобной модификации понижение симметрии сопровождается расщеплением спектра валентной полосы на отдельные компоненты.

3. Для твердых растворов системы Al-Ga-N расчеты электронной структуры по методу локально-случайного замещения и расчеты в приближении виртуального кристалла, дают эквивалентные результаты. Однако применение второго из сопоставляемых методов позволяет проводить расчеты для произвольных концентраций компонент, что значительно расширяет спектр соединений, доступных изучению.

4. В исследованных системах Al-Ga-N, B-Ga-N и B-A1-N имеет место нелинейная зависимость ширины запрещенной и валентной полос от концентрации компонент. Отклонение от линейности особенно велико в системе B-A1-N типа вюртцит, где оно достигает ~ 0.9 эВ.

Апробация работы.

Результаты диссертации докладывались и обсуждались на: • ЕМС-17 Seventeenth European Crystallographic Meeting (Lissabon-Portugal, 24−28 Aug. 1997);

• Международной конференции «Новейшие процессы и материалы в порошковой металлургии» (Киев, 1997);

• ЕСМIB: Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology: Bui. of the Czech and Slovak Crystallographic Association. (Praha, 15−20 Aug. 1998);

• XVI научной школе-семинаре «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» (г. Ижевск 15−18 декабря 1998);

• XVIII th IUCr Congress. (Glasgow, Scotland, Aug. 4−13 1999);

• XVII научной школе-семинаре «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь», (г. Екатеринбург, 15−17 сентября 1999);

• 3 rd Russian-German Seminar on Electron and X-Ray Spectroscopy. (Yekaterinburg, 1999);

• XVIII Научная школа-семинар «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь»: программа и тез. докл., 11−14 сент. — Воронеж, 2000.

• XAFS XI The 11th International Conference on X-ray Absorption Fine Structure, Ako Hygo Prefecture (Japan, 26−30 July 2000);

• PM2004 Powder Metallurgy World Congress (17−21 October, Vienna, 2004);

• 8-м международном симпозиуме «Фазовые превращения в твердых растворах и сплавах» (г. Сочи, 12−16 сентября 2005г);

• 2-й международной научно-технической конференции «Исследование разработка и применение высоких технологий промышленности» (г. Санкт — Петербург февраль 2006 г.);

• 9-м международном симпозиуме «Упорядочение в металлах и сплавах» (г. Сочи, 12−16 сентября 2006г);

• 23rd European Ccrystallographic Meeting (Leuven, Belgium, 6−11 Aug.2006).

Личный вклад соискателя.

Лично автором проведены: анализ литературных источников по свойствам объектов исследования для использования в качестве исходных данных в расчетахадаптация комплекса программ расчета электронной плотности соединений со структурой вюртцитвсе расчеты электронной структуры соединений AmBv, AIVBIV и твердых растворов на их основе методом локального когерентного потенциала в приближении многократного рассеяниясоздание вспомогательных интерфейсных элементов визуального контроля построения кристаллической решетки.

Апробация и сравнительное исследование метода расчета электронной энергетической структуры в приближения виртуального кристалла на примере твердых растворов проводились совместно с к.ф.-м.н. Б. В. Габрельяном.

Постановка задачи, анализ результатов и формулировка положений, выносимых на защиту, сделаны совместно с руководителями И. Я. Никифоровым и В. В. Плясовым.

Разработка методики расчета электронной энергетической структуры в приближении локального когерентного потенциала, алгоритм и базовая версия компьютерных программ выполнена сотрудниками группы ИЛ.Никифоровым.

Структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы, который имеет 179 наименований. Общий объем диссертации составляет -152 страниц, она заключает в себе 42 рисунка и 19 таблиц.

Основные результаты и выводы:

1. Программа расчета кристаллического потенциала модифицирована в направлении увеличения допустимого числа атомов в рассчитываемом кластере. Это привело к качественному улучшению совпадения всех расчетных электронных распределений с соответствующими экспериментальными данными, взятыми из литературных источников.

2. Оценен вклад различных координационных сфер в формирование локальных парциальных электронных состояний компонентов исследованных соединений. Установлено минимальное число координационных сфер (около тридцати, что соответствует кластеру, состоящему из 251 атомов), необходимых для достижении согласия с экспериментом, по крайней мере, для подобных соединений.

3.Хорошее соответствие рассчитанных результатов — экспериментальным данным у всех исследованных соединений (АШВУ, A1VBIV) подтверждает применимость метода локального когерентного потенциала для исследования электронной энергетической структуры подобных соединений.

4. Апробация подхода виртуального кристалла, более перспективного для расчетов нестехиометрических соединений, чем метод локально-случайного замещения, продемонстрировала эквивалентность (с точки зрения информативности и разрешения) результатов, полученных в рамках обоих подходов.

5. Благодаря использованию виртуального кристалла, удалось перейти от рассмотрения единичного соединения — к работе с диаграммой состава как целым, т. е. качественно расширить класс рассматриваемых объектов, общность применяемого подхода и серийность получаемых результатов.

6. При обсуждении влияния концентрации раствора на значения ширины ВВП (VB I), и запрещенной полосы (Eg) и модуля всестороннего сжатия (В0) была применена простая оценка степени нелинейности («величина прогиба») зависимости, хорошо согласующаяся с экспериментальными значениями.

7. Установлено, что ВВП соединений типа AmBv сформирована s-, р-, и dсостояниями элемента, А и р-состояниями элемента В (азота).

8. Показано, что при расчете электронной энергетической структуры w-A1N и c-AIN d-состояния учитывать необходимов этом случае зафиксировано хорошее соответствие формы расчетных и экспериментальных электронных спектров.

9. В системе Si^CR* (х = 0.25- R = С, Al, Ti) возникновение заполненных Зё-состояний алюминия и кремния можно связать с понижением энергии d-состояний в карбидной системе кремния.

10. Методом виртуального кристалла проведен расчет концентрационной зависимости электронной структуры твердых растворов: c-Bi.xNRXj c~BNixRx, с-Sij.xCRx (R=C, О) — wи c-BxGa!xNw- и c-AlxGaixNw- и c-BxAli.xN во всем диапазоне концентраций (0<�х<1). Показано, что в дефектных структурах вершина валентной полосы во всех случаях уширена и сдвинута в сторону более высоких энергий, по сравнению с положением в бинарных соединениях.

11. При вычислении парциальных зарядов электронов в ВВП соединений типа AmBv, обнаружено, что в некоторых случаях (например, в c-BxNC^ перенос заряда, при одних значениях х (0< х< 0.75) протекающий от элемента, А — к элементу В, при других значениях (х>0.75) может происходить в обратном направлении (от В — к А), причем третий элемент (С, в данном примереуглерод) во всех случаях выступает в роли донора электронов как для А, так и для В.

12. Концентрационные зависимости модуля всестороннего сжатия В0, а также ширин валентной (УВ I) и запрещенных полос (Её) для обеих кристаллографических модификаций заметно отклоняются от линейности, причем величина «прогиба» концентрационных зависимостей Eg (x) и VBI (x) ~ 0.3 + 2 эВ. У сфалеритной модификации это значение примерно в 1.5+2 раза меньше, чем у вюртцитной. Физическая причина обнаруженной нелинейной зависимости, предположительно, связана со сложным характером зависимости перекрывания электронных волновых функций от длины химсвязи.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Synthesis and Properies of Boron Nitride. Edited by J.J. Pouch and Alteroviz // Trans Tech, Aedermannsdirf, Switzerland, 1990. 220 p.
  2. H.B., Оситинская Т. Д., Шульженко А. А. Теплопроводность монокристаллов кубического нитрида бора.// Докл. АН УССР, 1983-Сер.А-10.-с.74−77.
  3. Н.В., Шульженко А. А., Петруша И.А.Поликристаллический сфалеритоподобный нитрид бора высокой теплопроводности.// Сверхтвердые материалы. 1987.- 6. с.3−8.
  4. Я. А. Физическая химия веществ, при высоких давлениях. М. «Высшая школа"1987.-238с.
  5. Gyorffy B.L. Coherent-potential approximation for a non-over- lapping muffin-tin model of random substitutional alloys// Phys.ReV. B: Condensed Matter -1972.- 5,6.-p.23 82−23 84.
  6. House D., Gyorffy B.L., Stocks G.M. The coherent potential approximation for a cluster of nonoverlapping scatterers // J. de Physique (Paris). -1974.- 35, 5.-p.C4−75 -C4−85.
  7. E.B. Электронная структура бинарных неупорядоченных сплавов замещения А1 с Зd-мeтaллaми и Nb-W . Дисс. канд. физ.-мат наук. Ростов н/Д. 1981, 222с.
  8. Н.Ю. Электронная энергетическая структура некоторых алмазоподобных полупроводниковю Дисс. канд. физ.-мат. Наук. Ростов н/Д. 1994, 185с.
  9. Ч. Введение в физику твердого тела. М: Наука, 1978. 791с.
  10. М.П. Кристаллография. М.: Высшая школа, 1984.-375с.
  11. Я.С., Скаков Ю. А., Иванов А. Н., Расторгуев Л. Н. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия.// Металлургия. 1982.-631 с.
  12. А. Квантовая теория кристаллических твердых тел. М.:Мир.1981−574с.
  13. Л.И. Исследование условий получения материалов на основе нитрида бора и алюминия.//Порошковая металлургия.-1966.- l-c.17−22.
  14. Н.А., Шипило В. Б. Электропроводность поликристаллов BNc, j» полученных прямым фазовым превращением из пиролитического нитрида бора.//Порошковая металлургия.-1992.-8.-с.14−18.
  15. JI.H., Романин Ф. Г., Куликова Г. И., Голубева О.Г1. Проблемы и перспективы развития керамики из BN.// Порошковая металлургия -1988.-1,-с.23−31.
  16. А.В., Островская Н. Ф., Пилянкевич А. Н. и др. Кристаллическая структура вюртцита нитрида бора, образующегося при высоких статических давлениях.//Докл. АН СССР.-1976, — 229,2.-С.ЗЗ8−340.
  17. Г. В. Неметаллические нитриды. М.: Металлургия 1969−264с.
  18. Bugrov V., Levinshtein М.Е., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., in Properties of Advanced SemiconductorMaterials GaN, A1N, InN, BN, SiC, SiGe. Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001. p. l-30
  19. Wentorf R.H. Synthesis of the cubic form of boron nitide.//J.Chem.Phys., 1961−34, 3.-p.809−812
  20. Leszczynski, M., H. Teisseyre, T. Suski, I. Grzegory, M. Bockowski, J. Jun, S. Porowski, K. Pakula, J.M. Baranowski, C.T. Foxon, T.S. Cheng. Lattice parameters of gallium nitride.// Appl. Phys. Lett. 1996.-69,1.- p.73−75
  21. Jin-Cheng Zheng, Hui-Qiong Wang, C.H.A.Huan and A.T.S.Wee. The structural and electronic properties of (AlN)x (C2)ix and (AIN)x (BN)i.x // J.Phys.:Condens. Matter 2001- 13-p.5295−5311.
  22. Г. Г. Карбидокремниевые материалы. M. Металлургия 1977.-215с.
  23. , О. (ed.), Semiconductor: group IV elements and III-V compound. Series «Data in science and technology», ed. R. Poerschke, Shpringer -Verlag, Berlin,-1991, p 164.
  24. Д., Крейг Дж. Химия сульфидных минералов. М.: Мир, -1981.576 с.
  25. У., Персонс Т., Общая химия. М: Мир, 1979. 345с.
  26. Дж. Хьюн. Неорганическая химия. Строение вещества и реакционная способность: Пер. с англ. /Под ред. Б. Д. Сепина, Р. А. Лидина.- М.:Химия,-1987. 696с.
  27. В.В., Сафонцева Н. Ю., Никифоров И. Я. Электронная энергетическая структура некоторых алмазоподобных полупроводников: //ФТТ-1994- 36, 2, — с.451−462.
  28. Gamble F.R. Ionicity, atomic radii and structure in the layered dichalcogenides of group VIB, VB and VIB transition metals. // J. Solid State Chem. 1974. — 9. -P.358−367.
  29. И.Н., Гнесин Г. Г., Курдюмов A.B., Карюк Г. Г., Бочко А. В., Семененко Н. П. Сверхтвердые материалы. Киев: Наук.думка.1980.-296с
  30. П.М., Борисанова Н. Ф. Кристаллохимический анализ слоистых Ван-Дер-Ваальсовых структур.// Соврем.проб. Физ.хим.-1973,-7.-с.451−522.
  31. .Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа, -1982.-528с.
  32. Г. В. и др.// Изд. АН СССР. Неорганические материалы, -1966, -т.2, с. 1194.
  33. Cohen M.L. Calculation of bulk moduli of diamond and zinc-blende solids.// Phys.Rev. B,-1993 32,-12,-p.7988−7991.
  34. Agui A., Shin S., Fujisawa M., Tezuka Y., Ishii. T. Resonanant soft-x-ray emmission study in relation to the band structure of c-BN. // Phys. Rev.-1997−55, 4.-p.2073−2078
  35. В.А. Исследование энергетической структуры В и BN методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии. // Из. АН СССР-1967- 31, 6.-с.958−964.
  36. И.И., Зимкина Т. М., Фомичев В. А. ^-спектры бора в диборидах переходных металлов и соединениях LaB6, ВаВ6 и AsB. // ФТТ-1970−12, 1,-с. 172−180.
  37. В.А. Исследование энергетической структуры А1203 и A1N методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии. // ФТТ- 1968−10, 3-С.763−768.
  38. И.И., Фомичев В. А., Виноградов А. С., Зимкина Т. М. Исследование энергетической структуры карбида кремния и нитрида кремния методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии. // ФТТ- 1968−10, 5.-С.35−40.
  39. Muramatsu Y., Kouzuki Н., Motoyama М. Et al В К X-ray Emission Spectra of Hexagonal (h-), Wurz- (w-) and Cubuc (c-) Boron Nitrides Exeited by Undulator Radiation. Photon Factory Activity. Rep. 1994−1995.
  40. Химическая связь в кристаллах и их физические свойствам Наука и техника,-1976.- т.2 -228с.
  41. Mansour A., Schnatterly S.E. Anisotropy of BN and Be X-ray emission bands// Phis. Rev. B: Coundens. Matter.-1987−36, 17, — p.9234−9240.
  42. В.Ю., Шулепов C.B., Тетерин Ю. А., Баев A.C., Байтингер Е. М. Изучение структуры валентной полосы углеродных материалов методами рентгеновской спектроскопии. //ФТТ.-1983−25,7,-с.1964−1967.
  43. П.Н.Семочкин, И. Б. Боровский. Расчет эмиссионных рентгеновских а-полос К-спктров испускания бора и азота в гексагональном нитриде бора. // ФММ,-1975,-39,3~с.495−500.
  44. E.K.Takahashi, A.T.Lino, А.С. Ferraz, J.R. Leite. Band-structure calcblations of BN by self-consistent variational cellular method. Phys. Rev.B. 1990.-41, 3.-P.1691−1694.
  45. B.B., Алешин В. Г. Зонная структура и рентгеновские эмиссионные спектры кристаллов BN, SiC и BP.// ФТТ.-1970.- 12, 1. -с.59−62.
  46. Ming-Zhu Huang and W.Y. ChingJ. Minimal basis semi-ab initio approach to the band structures of semiconductors. //Phys. Chem. Solids -1985−46, 8,-p. 977−985.
  47. Yong-Nian Xu, W.Y. Ching. Electronic, optical, and structural properties of some wurtzite crystals. // Phys. Rev. B-1993.- 48, 7,-p. 4335−4351.
  48. Monemar, В., Fundamental energy gap of GaN from photoluminescence excitation spectra JI Phys. Rev. В 1974−10-p.676−684.
  49. S. Bloom, G. Harbeke, E. Meier, and I.B. Ortenburgur Reflectance R as a function of photon energy for two temperatures in w-GaN. //Phys.status.solidi b-1974,-66, -p.161−168.
  50. M. Katsikini, E.C. Paloura, T.S. Cheng and C.T. Foxon. Angle Resolved NEXAFS spectra of Hexagonal and Cubic GaN.// J.Phys.IV France -1997−7, C2−1129-C2−1130.
  51. Tourtin, P. Armand, A. Ibanez, G. Tourillon and Philippot.// J.Phys.IV France 1997,-7, C2−975-C2−980.
  52. F. Martin, Ph. Ildefonse, J.L. Hazemann, P.E. Mathe, Y. Noack, O. Grauby, D. Beziat, Ph. de Parseval.// J.Phys.IV France 1997−7, C2−821- C2−827.
  53. R.M.Wentzcovitch, M.L.Cohen, and P.K.Lam. Theoretical study of BN, BP and BAs at high pressures.// Phys.Rev.B. -1987.-36, 11- P.6058−6060.
  54. R.M.Wentzcovitch, K.J.Chang, and M.L.Cohen. Electronic and structural properties of BN and BP. //Phys. Rev В -1986−34,2,-р.1071−1079.
  55. Michael P. Surh, Steven G. Louie, and Marvin L. Cohen. Quasiparticle energies for cubic BN, BP, and Bas. // Phys.Rev.B,-1989−43,.1 l,-p.43~51
  56. Yong-Nian Xu and W.Y. Ching. Calculation of ground-state and optical properties of boron nitrides in the hexagonal, cubic, and wurtzite struktures.// The American Physical Society, -1991, — 44, 15, p.7787−7798
  57. H. Bross and R. Bader. Calculation of the ground state properties of Diamond and cubic Boron Nitride// препринт
  58. Alex Zunger and A.J. Freeman. Ab initio self-consistent of the electronic structure and properties of cubic boron nitride.//Physical review B,-1978, — 17,4,-p. 2030−2042.
  59. П.Г., Ильин И. В., Мохов Е. Н., Храмцов В. А. Электронный парамагнитный резонанс дефектов с метастабильными свойствами в кристалле GaN .//ФТТ-1998.-40, 10, -с.1818−1824.
  60. Ю.А., Мохов Е. Н. Прогресс в выращивании кристаллов и изучении широкозонных полупроводниковых материалов.// ФТТ.-1999. 41, 5, с.822−825.
  61. Е.Н., Лукин С. Н., Громовой Ю. С., Мохов Е. Н. Спектр ЭПР доноров в 6Н SiC в широком температурном интервале // ФТТ.-1998−40,10,-с.1825−1831.
  62. Ya.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Point Defects in Silicon Carbide. //Inst. Phys. Conf. Ser. -1994. -. 137, 3. P. 197−199.
  63. В.И., Шлейзман B.B., СмирновБ.И.Определение модуля упругости эпитаксиальных слоев GaN методом микроиндетектирования // ФТТ, — 2000.-42, 3, -с.428−431.
  64. Rohlfing М., Kruger P., and Pollmann J. Quasiparticle band-structure calculations for C, Si, Ge, GaAs and SiC using Gaussion orbital basis sels.// J Phys.Rev. B. -1993−48, 24, -p.17 791−17 805.
  65. В.П. Елютин, И. В. Блинов, И. И. Горюнова, А. В. Иванов, Ю.Н., Пархоменко. Образование метабильной структуры в ультрадисперсных частицах нитрида бора, получаемого при импульсном нагревании. //Неорган, материалы -1990−26, 5,-с. 978−983.
  66. Haeringen W.V., Junginger M.G. Empirical pseudopotential approach to the band structures of diamond and silicon carbide// Solid States Communs,-1969- 7, 16, -P.1135−1137.
  67. Fomichev V.A. Izv. Akad. T. Researches of energetic structure of BN by soft-x-ray spectroscopy method. // Nauk SSSR. Ser. fiz.-1967−31.-p. 957−967.
  68. Geller S. Coordination Linkage in BN. // Phys. Chem. Solids.-1959.- 10,4-p.340−341.
  69. Christensen, N.E., Gorczyca I. Optical and structural properties of III-V nitrides under pressure. //Phys. Rev. В -1994, 50- p.4397−4415.
  70. М.С., Смирнов В.П.Зонная структура и плотность состояний в гексагональном ВШ/ФТТ-1971−13,11,-с.3289−3294.
  71. Kobayashi, A., Sankey, O.F., Volz, S.M., Dow, J.D., Semiempirical tight-binding band structures of wurtzite semiconductors: BN, A1N, CdS, CdSe, ZnS, and ZnOJ/Phys. Rev. -1983- B28 p. 935−940.
  72. F. Bassani, M. Yoshimine.//Phys. Rev. 1963−20-p.l30−135.
  73. Hoffmann, D.M., Doll, G.L., Ekiund, P.C. Optical properties of pyrolytic boron nitride in the energy range 0.05−10 eV.// Phys. Rev. B- 1984−30, 10,-p.6051−6056.
  74. Ferhat, M., A. Zaoui, M. Certier, H.Aourag. Electronic structure of BN, BP and BAs the Art of Scientifique Computing. // Physica В -1998−252, p.229−236.
  75. Lefebvre P., Allegre J., Gil В., Kavokine A. and Mathieu H. Recombination dynamics of tree and localized excitons in GaN/ Ga 0.93 AI0.07N quantum wells. // Phys. Rev. В 1998.-57,16. — P. R9447-R9450.
  76. W.M. Yim, E.J. Stofko, P.J. Zanzucchi, J.I. Pankove, M. Ettenburg, and S.L. Gilbert.//J. Appl. Phys. 1973−44,-p.292−299.
  77. Teisseyre H., Perlin P., Suski Т., Grzegory I., Porowski S., Jun J., Pietraszko A., Moustakas T.D. Temperature dependence of the energy gap in GaN bulk single crystals and epitaxial layer.//J. Appl. Phys. -1994−76,4 -, p. 2429−2434.
  78. Suzuki, M, T. Uenoyama, A. Yanase, First-principles calculations of effective-mass parameters of A1N and GaN .//Phys. Rev. B- 1995−52,11,-p. 8132−8139.
  79. Rodriguez-Hernandez, P., M. Gonzales-Diaz, A. Munoz, Electronic and structural properties of cubic BN and BP.// Phys. Rev. В -1995, — 51,11 -p.14 705−14 708
  80. Catellani, A., Posternak, M., Baldereschi, A., Jansen, H.J.F., Freeman, A.J. Electronic interlayer states in hexagonal boron nitride. //Phys. Rev B. -1985−32 p. 6997−6999.
  81. Martin, G., A. Botchkarev, A. Rockett, H. Morkoc, Valence-band discontinuities of wurtzite GaN, A1N, and InN heterojunctions measured by x-ray photoemission spectroscopy, Appl. Phys. Lett. 1996,-68, 8.- p.2541−2543.
  82. Pease R.S. An X-ray study of boron nitride. // Acta cristallogr, 1952.-5,3.-p.356−361.
  83. А.П., Швайко-Швайковский В.Е. Механизм окисления (3-BN // Порошковая металлургия 1992.-8.-С.22−31.
  84. А.А. Кристаллизация алмаза и кубического нитрида бора в системах FeAl-(C, BN, c-BN)// Сверхтвердые материалы,-1991.- 2-С.16−18.
  85. М.С., Сохор М. И., Фельдгун Л. И. и др. Исследование порошков эльбора после термической обработки в нейтрально-восстановительной среде// Тр ВНИИАШ.-1971.-13.-с.6−18.
  86. В.Б., Рудь А. Е., Аниченко Н. Г., Кузьмин B.C., Уголев И. И., Богушевич С. Е. Влияние переходных металлов на ЭПР и свойства сфалеритного нитрида бора // Из. РАН СССР. Неорганические материалы -1991.-27, 7-с. 1440−1445
  87. Г. В., Бурыкина А. Л., Медведева О .А., Корстерук В. П. Взаимодействие нитрида бора с переходными металлами, их боридами и нитридами.//Порошковая металлургия.-1973−131,11.-с50−57.
  88. Walter R.L. Lambrecht and Benjamin Segall. Electronic structure of (diamond C)/(sphalerite BN)(110) interfaces and superlattices.// Phys. Rev. B: 1989−40, 14 -p.9909−9919.
  89. Walter R.L. Lambrecht and Benjamin Segall. Anomalous band-gap behavior and phase stability of c-BN-diamond alloys.// Phys. Rev. B: 1993−47,15-p.9289−9295.
  90. В.Г., Соколов A.H., Шульженко A.A. Состав поверхности нитрида бора. // Сверхтвердые материалы: 1985.-5.-С.12−15.
  91. С.Ю., Оценки параметров нитридов элементов третьей группы: BN, A1N, GaN и InN \ ФТП- 2002−36, 1, — р.45−48.
  92. В.В., Жиляев Ю. В., Мосина Г. Н., Раевский С. Д., Сорокин Л. М., Щеглов М. П. Микроструктура объемного GaN, выращенного на сапфировых подложках с аморфным буфером.// ФТТ- 2000−42, 9,-с.1563−1566.
  93. Лап Chen, Zachary Н. Levine, and. John W. Wilkins. Calculated second-harmonic susceptibilities of BN, A1N and GaN.//Appl. Phys. Lett.- 1995,-66, 9, -p.l 129−1131.
  94. G. Steude, Т. Christmann, B.K. Meyer, A. Goeldner, A. Hoffmann, F. Bertram, J. Christen, H. Amano, and I. Akasaki. // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.-1999- 4S1, -G3.26.
  95. B.H. Бессолов, Ю. В. Жиляев, M.E. Компан, E.B. Коненкова, C.A. Кукушкин, M.B. Меш, С. Д. Раевский, A.JI. Фрадков, В. А. Федирко. //Письма в ЖТФ -2002−28, 23,-с.44−52.
  96. F. Bernardini, V. Fiorentini, D. Vanderbilt.//Phys. Rev. В-1997−56, 16, R10024.
  97. S.-H. Park, S.-L. Chuang. // Appl. Phys. Lett -1998. 73, 3, — 339−346.
  98. R. Oberhuber, G. Zandler, P. Vogl. Appl. Phys. Lett.- 1998−73, 6,-p 818−827.
  99. C.H. Гриняев, A.H. Разжувалов. Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/ GaixAlxN (001)с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта. //ФТТ- 2001−43, 3, с.529−535.
  100. М. Херман. Полупроводниковые сверхрешетки. М.: Мир, 1989, 240с.
  101. P.M. Petroff, J. Gaines, М. Tsuchiya, R. Simes, L. Coldren, H. Kroemer, J. English, A.C. Gossard.// J. Cryst. Growth -1989−95, p. 260−267.
  102. Е.И. Гольдман, А. Г. Ждан.//Письма в ЖТФ-2000−26, 1, с.38−42.
  103. В. Ткач, И. В. Пронишин, A.M. Маханец. Спектр электрона в квантовой сверхрешетке циллиндрической симметрии.//ФТТ- 1998−40,3,-с.557−562.
  104. L.K. Teles, L.M.R. Scolfaro, J.R. Leite, J. Furthmuller, and F. Bechstedt. Spinodal decomposition in BxGaixN and BxAlixN alloys.// Appl. Phys. Lett.- 200 280, 7,-p.l 177−1179.
  105. B.B. Илясов, И. Я. Никифоров. Природа селективного максимума В К-края поглощения и электронная энергетическая структура кристалла ЗСВпо.99. // ФТТ- 2001−43, 2-е. 233−235.
  106. B.C. Lee. Tight-Binding Calculation for the Electronic Structure of the Wurtzite Quaternary Alloy AlxInyGaix"y // J. Korean Physical Society -1999−35, 6.-p.516−519.
  107. В.И.Соколов, В. В. Макаров, Е. Н. Мохов. Линейчатая люминесценция карбида кремния, легированного алюминием // ФТТ-1969,7,-с. 285−292.
  108. Ю.С.Краснов, Т. Г. Кмита, И. В .Рыжиков, В. И. Павличенко, О. Т. Сергеев, Ю. М. Сулейманов ФТТ- 1968−10, 4,-с. 1140−1144.
  109. И.С. Горбань, Ю. А. Маразуев, Ю. М. Сулейманов. Энергетический спектр акцепторов как центров излучательной рекомбинации в карбиде кремния.//ФТП -1967- 4, -с. 612−614.
  110. И.И. Жукова, В. А. Фомичев, А. С. Виноградов, Т. М. Зимкина. Исследование энергетической структуры карбида кремния методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии.//ФТТ-1968,-10, 5,-с.1383−1391.
  111. И.Я., Штерн Е. В. Электронная структура неупорядоченных сплавов замещения Al-Cu в приближении средней t-матрицы // Физ. металлов и металловед. 1979. — 48,4. — с. 679−690.
  112. И.Я. Электронная структура твердых тел и ее исследование на многокристальных рентгеновских спектрометрах: Дис. доктора физ.-мат. наук: 01.04.07, Ростов н/Д, 1982. 354 с.
  113. И.В. Электронная энергетическая структура фуллеритоподобных соединений: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07, Ростов н/Д, 1995. 117 с
  114. Nikiforov I. Ya., Kolpachev А.В. Electronic structure of niobium nitrocarbides //Phys. stat. sol. (b). 1988. — 148, 2. — p. 205−211.
  115. А.Б., Никифоров И. Я. Электронная структура и сверхпроводящие свойства карбонитридов ниобия // ФММ. 1988. — 66, 4- с. 827−830.
  116. .В. Электронная энергетическая структура некоторых полупроводниковых халькогенидов и их твердых растворов: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07, Ростов н/Д, 1999. 153 с.
  117. А.А., Никифоров И. Я., Колпачев А. Б., Еабрельян Б. В. Экспериментальное и теоретическое исследование электронной структуры полупроводников CdS, InP, InPS4, CuGaS2, AgGaS2. // ФТТ. 1996. — 38, 8. — c.2347−2362.
  118. У. Теория твердого тела. М.: Мир, 1972. — 616 с.
  119. Г., Шварц Л. Электронная структура сплавов. М.: Мир, 1979. — 200 с.
  120. Stocks G.M., Temmernan W.M., Gyorffy B.L. Complete solution of the Kor-ringa-Konn-Rostoker Coherent-Potential-Approximation Equations: Cu-Ni alloys // Phys. Rev. Lett. 1978. — 41, 5. — p. 339−343.
  121. Дж. Метод самосогласованного поля для молекул и твердых тел. М.: Мир, 1978. — 662 с.
  122. Г. В., Дякин В. В., Широковский В. П. Кристаллический потенциал для кристаллов с базисом // ФММ. 1974. — 38, 6. — С. 949−956.
  123. Herman F., Skillman S. Atomic structure calculations // New Jersey: Prentice Hall: Englwood Cliffs, 1963. 421 c.
  124. Slater J.S. A simplification of Hartree-Fock method // Phys. Rev. -1951. 81, 3. — p.385−390.
  125. Hedin L., Lundqvist B.I. Explicit local exchange correlation potentials // J. Phys. C. -1971. 4, 14. — p. 2064−2084.
  126. B.B., Кучеренко Ю. Н. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронные состояния в неидеальных кристаллах. -Киев: Наукова думка, 1986. 295 с.
  127. Дж. Диэлектрики, полупроводники, металлы. М.: Мир, 1969, 648с.
  128. В .В. О вычислении постоянной Маделунга кристаллов // ФТТ. -1972. 14, 9. — с. 2550−2554.
  129. JI. Квантовая механика. М.: Мир, 1957. — 473 с.
  130. Gyorffy B.L., Stocks G.M. On the CPA in a muffin-tin model potential theory of random substitutional alloys. // J. de Physique (Paris). 1974. — 35, 5. — p. C4−75 -C4−80.
  131. P.B., Новакович A.A. Метод функций Грина в одноэлектронной теории рентгеновских спектров неупорядоченных сплавов. // ФММ.- 1975.-39, /.-с.7−15.
  132. Дж. Теория рассеяния. М.: Мир, 1975. — 566 с.
  133. Г. Математические методы в физике.-М.: Атомиздат, 1970. -712с.
  134. Gyorffy B.L. Coherent-potential approximation for a nonoverlapping muffin-tin model of random substitutional alloys. // Phys. Rev. B. 1972. — 5, 6. — p. 23 822 384.
  135. C.B. Некипелов, А. А. Павлычев. Резонансы формы в рентгеновских спектрах поглощения кристалла гексагонального нитрида бора.//ФТТ-1991- 33, 3, с.896−902.
  136. В.Р. Keller, S.B. Keller, D. Kapolnek, W.-N. Jiang, Y.F. Wu, B.Heying. Optical properties, condensed matter spectroscopy and other interactions oflnGaN/GaN. // J.Electron. Mater.-1995,24.-pl707−1710.
  137. Schulz M., Weiss H. Herausgeber. Landolt-BoErnstein. Zahlenwerten und Funktionen in Naturwis-senschaften und Technik, Neue Serie. Madelung 0. //Berlin, Heidel-berg, New York: Springer-Verlag, 1982, Band 17, Halbleiter.
  138. O.B. Боев, C.E. Кулькова. Электронные и позитронные уровни в гексагональном нитриде бора.// ФТТД992- 34,-с. 2218−2224.
  139. В.В. Физико химические основы создания новых твердых и сверхтвердых инструментальных материалов: дис. д-ра техн. наук: 05.02.01, 05.02.04 / В. В. Илясов — Ростов н/Д, 2000. — 348 с.
  140. Л.Б. Литинский. Электронный спектр гексагонального нитрида ниобия. -Деп. ВИНИТИ № 7592-В88,1988-С.1−20
  141. И.Н., Жураковский Е. А., Василенко Н. Н. Рентгеновская эмиссионная Ка-полоса азота в нитриде циркония предельного состава и в области гомогенности (ZnNx) // Докл. АН СССР.- 1971.-198, 5, — С. 1066−1069.
  142. В.В. Илясов, И. Я. Никифоров, Ю. В. Илясов. Тонкая структура вершины валентной полосы кристалла ЗС BN с нанопорой // ФТТ-2001- 43, 4. С.598−600.
  143. R de Paiva and S.Azevedo. Cubic (BN)XC.X ordered alloys: a first- principles stuctural, electronic and effective mass properties.// J.Phys.: Condens. Matter, 200 618, P.3509−3516
  144. Bugaets O.P., Smekhnov A.A., Kuzenkov S.P. Electron spectroscopy of the surface of diamond and cubic boron nitrid // J. Electr. Spectroscopy.-1994.-68.- P. 713−718.
  145. А.Г. Ляпин, В. В. Бражкин. Корреляции физических свойств углеродных фаз, полученных из фуллерита Сбо при высоком давлении // ФТТ-2002−44, 3.-С.393−397.
  146. W.A. Harrison. Theory of the two-center bond // Phys. Rev. B, 1983−27, 6, p.3592−3598.
  147. B.A., Добротворский A.M., Леко A.B., Эварестов P.A. Теоретическое исследование электронного строения и упругих характеристик алмаза // ФТТ -1996.38, 2. С.482−495.
  148. М. Oestreich.// Nature. 1999−402,-p. 735−737.
  149. А.С. Шулаков, А. П. Брайко, С. В. Букин, В. Е. Дрозд. Рентгеноспектральныц анализ межфазовой границы тонкой пленки А1203, синтезированной на кремнии методом молекулярного наслаивания.// ФТТ-2004−46, 6, р.1111−1121.
  150. Н.Р. Maruska and J.J. Tietjen. The preparation and properties of vapor-deposited single-crystal-line GaN.//Appl. Phys. Lett.- 1969−15,-p. 327−331.
  151. Y.F. Tsay, A. Vaidyanathan and S.S. Mitra. //Phys. Rev. B-1979−19,-p.5422−5427.
  152. J. Serrano, A. Rubio, E. Hernander, A. Munoz, A. Mujica.// Phys. Rev. В -2000- 62, 24,-p. 16 612−16 615.
  153. T. Lei, T.D. Moustakas, R.J. Graham, Y. He, and S.J. Berkowitz. Epitaxial growth and characterization of zinc-blende gallium nitride on (001) silicon // J. Appl. Phys.- 1992, 71, p.4933−4938.
  154. P.H. Кютт, М. П. Щеглов, В. Ю. Давыдов, А. С. Усиков. Деформация слоев в сверхрешетках AlGaN/ GaN по данным рентгено дифракционного анализа.//ФТТ-2004−46, 2, с.353−358.
  155. Э.П. Автореф. докт. дисс. Киев, 1979.
  156. Э.З., Черкашенко В. М., Финкелыптейн Л. Д. Рентгеновские спектры твердых тел. М.: Наука, 1988. — 175с.
  157. А.А. Лебедев, А. М. Стрельчук, Н. С. Савкина, Е. В. Богданова, А. С. Трегубова, А. Н. Кузнецов, Л. М. Сорокин.// Письма в ЖТФ-2002−28,23, с.78−84.
  158. В.Г. Дейбук, Ф. В. Возный, М. Н. Слетов, A.M. Слетов. Особенности оптических свойств твердых растворов AlxGa. xN .//Физика и техника полупроводников.-2002 36,4.-с.420−426.
  159. Bugrov V., Levinshtein М.Е., Rumyantsev S.L., Zubrilov A., in Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, A1N, InN, BN, SiC. John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001. p. 1−30
  160. Rubio, J.L. Corkill, M.L. Cohen, E.L. Shirly and S.G. Louie// Phys.Rev. B.-1993−48,11 810.
  161. Q. Guo, A. Yoshida. Jpn. Temperature dependence of the energy gap in GaN bulk single crystals and epitaxial layer.//J. Appl. Phys.-1994−76,4-p.2453−2459.
  162. W. R. L. Lambrecht, K. Kim, S. N. Rashkeev, and B. Segall. Electronic and optical properties of the group-Ill nitrides, their heterostructures and alloys.// Mat. Res. Soc. Symp. Proc. -1996- 395, p. 455−466.
  163. Bechstedt F. and Sole Del. Energy gap and optical properties of AlxGai XN // Phys.Rev. B. -1988- 38, p.7710 -7716.
  164. Ferhat M. and Bechstedt F. Gap bowing and Stokes shift in In xGaj. XN alloys: First-principles studies. //Phys.Rev. B. 2002−65, 75 213−1-75 213−9.
  165. Gavrilenko V.I. and Wu R.Q. Quasiparticle band structure of A1N and GaN. //Phys.Rev. В.- 2000−11 -61,4, -2632.
  166. С.А., Колобова K.M. .Рентгеновские спектры, электронная структура и свойства металлических соединений.//ФММ- 1966−22, 5,-с. 680 690.
  167. А.С., Некипелов С. В., Павлычев А. А. Резонансы формы в рентгеновских спектрах поглощения кристалла гексагонального нитрида бора.// ФТТ,-199,-33,3,с. 896−899.
  168. Martin G., Strife S., Botchkarev A., Agarwal A., Rockett A., Morkoc H., Lambrecht W.R.L., Segal B. Valence-band discontinuity between GaN and A1N measured by x-ray photoemission spectroscopy// Appl. Phys. Lett. 1994. — 65, 5. -P. 610−612.
  169. Dmitriev, A. V, Oruzheinikov, A.L. Radiative recombination rates in GaN, InN, A1N and their solid solutions., in Ill-Nitride, SiC, and DiaMOtld Materials for
  170. Electronic Devices. Eds. Gaskill D. K, Brandt C.D. and Nemanich R J., Material Research Society Symposium Proceedings, Pittsburgh, PA. -1996−423, p. 69−73.
  171. B.B., Алёшин В. Г. Электронная спектроскопия. К., 1983.-287с.
  172. J.H. // J. Electron Spectr. Et Relat. Phenomena-1976.- 8, — P.129−132.
  173. M.Cardona and L.Ley. Photoemission in Solids. //Springer-Verlag, Part 1 and 2, edited by Berlin, 1978.
  174. L.-C. Duda, C.B. Stagarecu, J. Downes, K.E. Smith, D. Korakakis, T.D. Moustakas, J. Guo, J. Nordgren. Density of states, hybridization, and band-gap evolution in AlxGat. xN alloys.// Phys.Rev. В -2002−66,4, — p. 1928−1932.
  175. Ueno M., Onodera A., Shimomura 0., Takemura K. // Phys.Rev.B.-1992.-45.-P.10 123−10 130
  176. L.E. Ramos, J. Furthmuller, F. Bechstedt, L.M.R. Scolfaro and J.R. Leite. Ab initio theory of native defects in alloys: application to charged N vacancies in AlxGal xN//J. Phys. Condens. Matter -2002−14, p. 2577−2589
  177. Bernard J.E., Zunger A. Electronic structure of ZnS, ZnSe, ZnTe, and their pseudobinary alloys. // Phys. Rev. В.- 1987. 36, 6. — p.3199 — 3228.
  178. Tzu-fanf Huang and S. James, Jr. Harris. Growth of epitaxial AlxGa}xN films by pulsed lasser deposition. // Appl. Phys. Lett.- 1998−72, 10, -p.l 158−1162.
  179. ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНО В РАБОТАХ:
  180. В.В., Жданова Т. П., Никифоров И .Я. Электронная энергетическая структура и рентгеновские спектры кристаллов GaN и BxGaj.xN.// ФТТ, — 2006.- 48, 4.-С.614−622.
  181. В.В., Жданова Т. П., Никифоров И. Я. Рентгеновские спектры и электронная структура алюминия в вюртцитных кристаллах A1N и BxAli"xN.// ФТТ-2006.-48,2.- С. 199−201.
  182. В.В., Жданова Т. П., Никифоров И. Я. Электронная энергетическая структура и рентгеновские спектры широкозонных кристаллов A1N и BN и их твердых растворов BXA1,.XN. // ФТТ.2005, — 47,49, — С.1559−1566.
  183. В.В., Жданова Т. П., Никифоров И. Я., Илясов А. В., Ольховой М. М., Виткалова С. В. Электронная энергетическая структура широкозонных полупроводниковых кристаллов А1х Sii-X С.// ЖСХ-2005.- 46,5,-с.830−835.
  184. В.В., Жданова Т. П., Никифоров И. Я. Структурные и электронные свойства широкозонных полупроводников A1N, BN и их твердых растворов ВХА1. XN.// ЖСХ-2005.-.46, 5,-с.822−829.
  185. Илясов В. В, Жданова Т. П., Никифоров И. Я. Электронная энергетическая структура и рентгеновские спектры политипов нитрида бора // ФТТ-2003.- 45, 5, -с. 777−784.
  186. Ilyasov V.V., Zhdanova Т.Р., Nikiforov I.Ya., Ilyasov A.V. Electronic Structure X-ray Spectra and of the System SiC-(Al, Ti, C).// Phys. stat. sol. (b) -2002.- 229,3, — p. l 1 871 190.
  187. Т.П., Илясов B.B., Никифоров И. Я. Особенности электронная структура и рентгеновские спектры нитрида бора в сфалеритной и вюртцитной модификациях.//ФТТ-2001 .-.43,8.-С.1388−1391.
  188. Т.П., Илясов В. В., Никифоров И. Я., Илясов А.В Рентгеновские спектры и электронная структура твердых растворов на основе ЗС SiC и BN // ЖСХ-2001.-.42, 1,-с.120−131.
  189. Т.П., Илясов В. В., Никифоров И. Я. Рентгено фотоэлектронные спектры и электронная структура на основе кубического нитрида бора.//ЖСХ-2000.-41,6.-С.1149−1154
  190. Т.П., Илясов В. В., Никифоров И. Я., Илясов А. В. Электронная структура и природа химической связи в политипах карбида кремния 2Н, ЗС SiC. Сходство и различия.// Журнал Химическая физика и мезоскопия-2000−2, 2,-c.l99−204.
  191. Т.П., Илясов В. В., Никифоров И. Я. Рентгеновские спектры и электронная структура нитрида бора в различных кристаллографических модификациях //ЖСХ-1998.-39, 6, с.1083−1087
  192. Zhdanova T.P., Ilyasov V.V. Electronic structure of Boron Nitride Bases Solid Solutions \ Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology: Bui. -Praha, 1998. Vol.5,В: ECM-18 posters — abstracts
  193. Nikiforov I. Ya, Ilyasov V.V., Zhdanova T.P., Ilyasov Ya.V. Structural change in cubic boron nitride/diamond alloyW Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology. Bui. Praha, 1998. — Vol.5,B: ECM-18 posters — abstracts
  194. Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь": программа и тез. докл., 11−14 сент. Воронеж, 2000
  195. Nikiforov I. Ya, Ilyasov V.V., Zhdanova T.P. Study of Electronic Properties of «CBN/A1N» System// PM-2004 Powder Metallurgy World Congress, 17−21 Oct.- Vienna, 2004
  196. Nikiforov I. Ya, Ilyasov V.V., Zhdanova T.P. Structural change wide-gap semiconductor in reconstructive phase transitions: A1N, BN and BxAli. xN solid solutions.// 23rd European Ccrystallographic Meeting, Leuven, Belgium 6−11 Aug.2006.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!