Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Микроскопические параметры двухэлектронных центров олова в халькогенидах свинца

Диссертация: Микроскопические параметры двухэлектронных центров олова в халькогенидах свинца
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Эти исследования были выполнены в абсорбционном варианте мессбау-эровской спектроскопии. Предельная чувствительность абсорбционной мес-сбауэровской спектроскопии по концентрации изотопа П98п в халькогенидах свинца не превышает 1 ат%, однако, предполагается, что наиболее драматичные изменения в энергетическом спектре примесных атомов олова в халькогенидах свинца происходят при концентрациях олова… Читать ещё >

Микроскопические параметры двухэлектронных центров олова в халькогенидах свинца (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ВВЕДЕНИЕ
  • 1. МЕССБАУЭРОВСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ СОСТОЯНИЯ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ В
  • ХАЛЬКОГЕНИДАХ СВИНЦА (обзор литературы)
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Мессбауэровская спектроскопия
    • 1. 3. Эмиссионная мессбауэровская спектроскопия
    • 1. 4. Физико-химические свойства халькогенидов свинца
    • 1. 5. Примеси в халькогенидах свинца
    • 1. 6. Примесь олова в халькогенидах свинца

3.2. Расчет энергии отдачи 56.

3.3. Эмиссионная мессбауэровская спектроскопия тт3п (Шт8п) 55?

3.4. Эмиссионная мессбауэровская спектроскопия 1195Ь (119т8п) 72.

3.5. Эмиссионная мессбауэровская спектроскопия ll9mmTe (119mSn) 76.

3.6. Выводы 79.

4. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ.

ДВУХЭЛЕКТРОННЫХ ЦЕНТРОВ ОЛОВА С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ КОРРЕЛЯЦИОННОЙ ЭНЕРГИЕЙ В ХАЛЬКОГЕНИДАХ СВИНЦА 81.

4.1.

Введение

81.

4.2. Обнаружение однократно ионизованного состояния центров олова 81.

4.3. Энергетические параметры двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией в PbS 87.

4.4. Ifцентры олова в селениде свинца 92.

4.5.

Заключение

104 Основные результаты 106 Литература 108 Список статей, в которых опубликованы основные результаты диссертационной работы 121.

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность работы.

Легирование полупроводников позволяет в широких пределах менять их электрические и оптические свойства, что открывает возможности их использования в различных областях науки и техники [1]. При замещении электрически активным примесным атомом атома решетки в запрещенной зоне полупроводника образуются энергетические уровни, способные при изменении положения уровня Ферми отдавать (или принимать) электроны. Если примесные атомы при взаимодействии с кристаллической решеткой способны отдавать (или принимать) два электрона, то такие атомы получили название «двухэлектронных центров», а в запрещенной зоне полупроводников образуются два энергетических уровня, разделенных на величину корреляционной энергии И: и = Е2 — Еь (1) где Е] и Е2 — первая и вторая энергии ионизации примесного центра.

Если и < 0, то таким примесным центрам приписан термин «двухэлек-тронные центры с отрицательной корреляционной энергией» (или «и — центры»). Детальный теоретический анализ И — центров провел Дж. Хаббард [2] и поэтому энергия и часто называется «энергией Хаббарда», а представленные, развитые Дж. Хаббардом, широко используются в физике конденсированного состояния [3,4]. В частности, идеология двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в настоящее время используется в физике халькогенидных стеклообразных [5,6] и кристаллических полупроводников [1], обладающих фундаментальным свойством — электрической неактивностью примесных атомов в них.

По-видимому, П. Андерсон [7] первым развил модель и" -центров, как собственных дефектов структурной сетки стекла, для объяснения закрепления уровня Ферми в середине запрещенной зоны легированных халькогенидных стеклообразных полупроводников (предполагалось, что энергия притяжения между электронами на одном атоме (т.е. и < 0) обеспечивается за счет поляронного искажения решетки, хотя позднее К. Д. Цэндин [8, с.34−113] предположил, что одновременно существенную роль может играть гибридизация волновой функции локального состояния с зонными состояниями). Впрочем, первые попытки обнаружить такие центры экспериментальными методами, позволяющими идентифицировать зарядовое и координационное состояния исследуемого атома, не были успешными (см., например, обзорные работы А. Р. Регеля и П. П. Серегина [9,10, 11, с. 294−330]) и только Г. А. Бордовский с сотр. [12 — 16] продемонстрировали эффективное легирование халькогенидных стекол, полученных традиционным методом синтеза из расплава, и объяснили полученные результаты с привлечением представлений о существовании ицентров.

Иная ситуация сложилась в области исследования и — центров в кристаллических полупроводниках. И. А. Драбкин и Б. Я. Мойжес рассмотрели возможность стабилизации 1Гцентров в полупроводниках типа А4В6 [17], а возможность обнаружения парноэлектронных процессов локализации-делокализации в конденсированных средах проанализировал С. П. Ионов [18]. В. И. Кайданов, С. А. Немов и Ю. И!Равич с и — центрами отождествляли также резонансные состояния примеси индия [19−21] и таллия [22] в полупроводниках А1УВУ1. Однако отсутствуют надежные данные об экспериментальном наблюдении и — центров в кристаллических полупроводниках прямыми экспериментальными методами (см., например, [9,10, 11, с. 294−330]). Исключение составляют лишь примесные атомы олова в халькогенидах свинца и их твердых растворах, для которых методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе 1198п такие центры были идентифицированы в большом числе работ [23−39],. предложена модель двухэлектронных донорных центров с отрицательной корреляционной энергией [40,41] и на ее основе Г объяснены все имеющиеся экспериментальные данные по электрическим и оптическим свойствам халькогенидов свинца, легированных оловом [42−63].

Эти исследования были выполнены в абсорбционном варианте мессбау-эровской спектроскопии. Предельная чувствительность абсорбционной мес-сбауэровской спектроскопии по концентрации изотопа П98п в халькогенидах свинца не превышает 1 ат%, однако, предполагается, что наиболее драматичные изменения в энергетическом спектре примесных атомов олова в халькогенидах свинца происходят при концентрациях олова < 0.5 ат% [60,61 ]. В этом случае предпочтительно использовать эмиссионный вариант мессбау-эровской спектроскопии, чувствительность которой может достигать ~ 10″ 7 ат% [64,65]. В частности, эмиссионный вариант мессбауэровской спектроскопии был использован при идентификации двухэлектронных центров германия в халькогенидах свинца [66−71]. Однако при использовании эмиссионной мессбауэровской спектроскопии следует иметь в виду, что образованию мессбауэровского уровня всегда предшествует ядерное превращение материнского изотопа, что может привести к смещению его из нормальных узлов решетки [54,65].

Следует подчеркнуть, что даже для этих случаев вплоть до самого последнего времени отсутствовали параметры микроскопической модели (энергии ионизации Е1 и Е2, корреляционная энергия и, температурная зависимость химического потенциала), что, естественно, ставило под сомнение однозначную интерпретацию мессбауэровских данных. Именно этим обстоятельством объясняется длительная дискуссия о природе примесных центров олова в халькогенидах свинца (см., например, [40,41] и [60,61]).

Наиболее удивительным представляется тот факт, что олово в халькогенидах свинца в принципе не должно быть электрически активной примесью — олово, замещая атомы свинца, является изоэлектронной примесью, которая, как известно, не может образовывать энергетические уровни в запрещенной зоне полупроводника [1].

Таким образом, в настоящее время сложилась ситуация, когда в физике полупроводников, модели, описывающие в них двухэлектронные центры с отрицательной корреляционной энергией, как правило, не имеют прямых экспериментальных доказательств существования таких центров.

Настоящая работа посвящена изучению возможностей эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе 1198п для идентификации нейтральных и ионизованных состояний примесных атомов, образующих двухэлектронные уровни в запрещенной зоне халькогенидов свинца, а также получению информации о микроскопических параметрах двухэлектронных примесных центров с отрицательной корреляционной энергией. Цель работы:

1. Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах 119тт8п (119ш8п^ «98Ь (119т8п) и 1'^ТеС'19т8п) провести идентификацию двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией, вводимых в РЬ8, РЬБе и РЬТе методом ядерной трансмутации.

2. Получить информации о микроскопических параметрах. двухэлектронных примесных центров олова с отрицательной корреляционной энергией, о влиянии этих центров на электрофизические свойства халькогенидов свинца с помощью традиционных методов физики твердого тела.

В качестве объектов исследований были выбраны кристаллические твердые растворы на основе халькогенидов свинца и олова (РЬ]. Х 8пх8, РЬ]х8пх8е и РЬ1×8пхТе), для которых данные мессбауэровской спектроскопии не противоречили образованию атомами олова двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией (хотя и отсутствовали параметры микроскопической модели, что, естественно, ставило под сомнение однозначную интерпретацию мессбауэровских данных).

Для достижения поставленных целей были необходимо решить следующие задачи:

— идентифицировать нейтральное, однократно и двукратно ионизованные состояния примесных двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией образующихся в катионных подрешетках РЬ8, РЬБе и РЬТе после ядерного распада изотопов 119тт8п, 1198Ь и 119тТе;

— идентифицировать зарядовое состояние атомов олова, образующихся в анионной подрешетке РЬБ, РЬБе и РЬТе после ядерного распада изотопов 1198Ь (, 19ш8п) и 119тТе (119т8п);

— продемонстрировать электрическую активность примесных атомов олова, образующихся в халькогенидах свинца в результате ядерных трансмутаций;

— получить информацию о микроскопических параметрах примесных двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца (определить первую и вторую энергии ионизации, температурную зависимость химического потенциалакорреляционная энергия, энергия активации собственной проводимости и их зависимости от концентрации акцепторов и примесных атомов олова).

Научная новизна.

В отличие от предшествующих работ, посвященных исследованию двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в полупроводниках, в настоящей работе впервые:

1. Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах 119тт8п (119т8п), 1198Ь (119т8п) и П9тТе (119т8п) идентифицированы нейтральные [8п]° (им соответствуют ионы 8п2+) и ионизованные [8п]2+ (им соответствуют ионы 8п4+) состояния примесных атомов олова в катионной подрешетке РЬ8 и РЬ8е.

2. Методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах.

119шт8п (1.9т8п)5 ««дцИЭтэд и 119119"^ П0казан0з ЧТ0 атомы олова в халькогенидах свинца:

• являются двухэлектронными донорными центрами с отрицательной корреляционной энергией;

• нейтральное и двукратно ионизованные состояния донорных центров олова имеют одинаковое локальное окружение (в виде правильного октаэдра из атомов халькогена);

• в случае РЬБ энергетические уровни олова лежат в запрещенной зоне, в случае РЬ8е — на фоне разрешенных состояний вершины валентной зоны и в случае РЬТе — глубоко в валентной зоне (и олово не является электрически активной примесью);

3. Определены первая и вторая энергии ионизации двухэлектронных центров олова, температурная зависимость химического потенциала для халькогени-дов свинца, легированных оловом, корреляционная энергия, энергия активации собственной проводимости и их зависимости от концентрации акцепторов и примесных атомов олова.

4. Показано, что зарядовое состояние атомов олова, образующегося в анионной подрешетке РЬ8, РЬБе и РЬТе после ядерного распада изотопов 1198Ь (119т8п) и 119тТе (119т8п), не зависит от положения уровня химического потенциала, и они образуют электрически неактивные антиструктурные дефекты.

Положения, выносимые на защиту:

1. Зарядовое состояние антиструктурного дефекта олова, образующегося в анионной подрешетке РЬ8, РЬ8е и РЬТе после ядерного распада изотопов 1198Ь (119ш8п) и 119тТе (119ш8п), не зависит от пололсения уровня химического потенциала, тогда как центр олова, образующийся после ядерного распада изотопов 119шт8п, П98Ь и 119тТе в катионной подрешетке РЬ8 и РЬ8е, представляет собой двухэлектронный донорный центр с отрицательной корреляционной энергией (нейтральному состоянию центра [Бп]0 соответствует ион 8п2+, а двукратно ионизованному состоянию [8п]2+ соответствует ион 8п4+).

2. Информация эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах.

П9тш8п (119т8п)5 П98Ь (П9т§ п) ^ 119119™^ ддя сдучая примесных атомов в халькогенидах свинца тождественна информации абсорбционной спектроскопии на изотопе 1198п, однако, эмиссионный вариант спектроскопии дает возможность реализовать вхождение примесных атомов в необычные (антиструктурные) положения решетки.

3. Энергетические уровни двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца могут лежать либо в запрещенной зоне (пример — примесные атомы олова в решетке РЬБ), либо на фоне разрешенных состояний вблизи потолка валентной зоны (пример — примесные атомы олова в решетке кристаллического РЬБе), либо глубоко в валентной зоне (ниже энергетических уровней электрически активных акцепторов) и примесь перестает играть роль электрически активного центра (пример — примесные атомы олова в решетках РЬТе). Положение энергетических уровней таких центров определяется элементным составом полупроводника.

4. Однократно ионизованное состояние двухэлектронного центра олова в халькогенидах свинца может реализоваться либо за счет эффекта его стабилизации при условии малой величины корреляционной энергии и высокой температуры (проявляется для примесных атомов олова в решетке РЬБ), либо в результате электронногообмена между нейтральными и двукратно ионизованными состояниями центра (проявляется для примесных атомов олова в частично компенсированном РЬБе).

Достоверность и обоснованность полученных результатов, научных положений, результатов и выводов диссертационной работы обеспечивались корректностью использованных экспериментальных методик и воспроизводимостью результатов измерений, применением современных методов математической обработки данных, сопоставлением с литературными данными, соответствием экспериментальных результатов модельным представлениям.

Теоретическая значимость работы.

Полученные результаты могут иметь важное значение, как при создании теории двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в полупроводниках, так и при разработке теории высокотемпературной сверхпроводимости, базирующейся на представлениях о существовании двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в высокотемпературных сверхпроводниках. Практическая значимость работы.

Полученные данные необходимы при разработке теоретических основ технологии получения новых материалов с заданным комплексом физико-химических свойств (и, в частности, для получения компенсированных узкозонных полупроводников группы халькогенидов свинца с проводимостью, близкой к собственной). Результаты работы используются в учебном процессе при подготовке студентов и аспирантов в области физики конденсированного состояния на кафедре физической электроники РГПУ им. А. И. Герцена. Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы опубликованы в двух статьях, докладывались и обсуждались на Международной научно-методической конференции «Высокие интеллектуальные технологии и качество образования и науки» (СПб, февраль 2004 г.), Политехническом симпозиуме «Молодые ученые — промышленности Северо-Западного региона» (СПб, декабрь 2004 г.), Международной конференции «Физика в системе современного образования» (СПб, июнь 2007 г.), Международной конференции «Актуальные проблемы современного естествознания» (Калуга, май.

2007 г.) а также докладывались на научных семинарах Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН и кафедры физической электроники Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена. Личный вклад автора. заключается в обосновании целей исследования, выборе объектов исследования, постановке и организации всех этапов исследования, в получении основных экспериментальных данных, обобщении и анализе полученных результатов.

Содержание основных положений, выносимых на защиту, раскрыты в следующих публикациях автора:

1. Seregin N.P., Seregin P.P., Nemov S.A., Yanvareva A.Yu. (Алексеева А.Ю.) Antistructural defects in lead chalcogenides // J.Phys.:Condens.Matter 2003. v.15. p.7591−7597. — 0,4 п.л./0,2 п.л.

2. Немов C.A., Кастро P.A., Алексеева А. Ю., Серегин П. П., Добродуб A.A. Двухэлектронные центры с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах PbbxSnxSe // ФТП 2006. т.40. Вып.11. с.1335−1337. — 0,3 п.л./0,15 п.л.

3. Кожанова Ю. В., Немов С. А., Серегин П. П., Январева (Алексеева А.Ю.) Исследование примеси олова в халькогенидах свинца методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии // Материалы XI Международной научно-методической конференции «Высокие интеллектуальные технологии и качество образования и науки». 2004. Издание СПбГПУ. С. 389. — 0,04 п.л./0,025 п.л.

4. Серегин П. П., Марченко A.B., Кастро P.A., Жаркой А. Б., Алексеева А. Ю. Определение энергетических параметров U-центров в полупроводниках // Труды Международной конференции «Физика в системе современного образования». 2007. Издание РГПУ им. А. И. Герцена. С. 125−126 — 0,14 п.л./0,1 п.л.

5. Бордовский Г. А., Кастро Р. А., Серегин П. П., Алексеева А. Ю. Двухэлек-тронные центры с отрицательной корреляционной энергией как инструмент исследования примесных состояний в халькогенидных стеклообразных полупроводниках // Труды III Международной конференции «Актуальные проблемы современного естествознания» ИНТЕРНАС'2007. Изд. Калужского государственного педагогического университета им. К. Э. Циолковского. 2007. с. 230−231 — 0,16 п.л./ОД п. л Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из раздела Введения, трех глав, раздела Основные результаты, списка литературы из 107 наименований. Работа изложена на 121 странице машинописного текста, содержит 3 таблицы и 28 рисунков.

1. МЕССБАУЭРОВСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ СОСТОЯНИЯ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ В ХАЛЬКОГЕНИДАХ СВИНЦА (обзор литературы).

1.1.

Введение

.

Настоящий раздел посвящен рассмотрению современного состояния проблемы двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца. В первую очередь это относится к исследованиям состояния примесных атомов олова, а также примесных атомов германия. Указанные исследования проводились с использованием мессбауэров-ской спектроскопии и поэтому отдельный параграф посвящен изложению основ мессбауэровской спектроскопии. Кроме того, в отдельных параграфах будут рассмотрены физико-химические свойства халькогенидов свинца, их зонная структура, а также поведение примесных атомов в них.

Основные результаты.

1. Продемонстрирована тождественность информации, получаемой методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах.

119шш§ п (119ш8п)5 П9тТе (119ш8п) 0 И^цПйп^ 0 методом абсОРбЦИОННОЙ мессбауэровской спектроскопии на изотопе 1198п для случая примесных атомов олова в халькогенидах свинца (РЬБ, РЬБе и РЬТе). Это свидетельствует о принципиальной возможности использования эмиссионной мессбауэровской спектроскопии для исследования примесных атомов в конденсированных средах.

2. Олово в катионных узлах решеток РЬ8 и РЬ8е играет роль глубокого двухэлектронного донора с отрицательной корреляционной энергией: энергетические уровни центра олова лежат в нижней половине запрещенной зоны РЬ8 и на фоне валентной зоны РЬ8енейтральному состоянию центра [8п]° соответствует ион 8п2+, а двукратно ионизованному состоянию [8п]2+ соответствует ион 8п4+. Олово в решетке РЬТе электрически неактивно.

3. Место локализации примесных атомов сурьмы в решетках РЬ8, РЬ8е и РЬТе зависит от типа проводимости материала: в электронных образцах сурьма локализуется преимущественно в анионной подрешетке, а в дырочных — преимущественно в катионной подрешетке. Зарядовое состояние антиструктурного дефекта олова, образующегося в анионной подрешетке после радиоактивного распада атомов 1198Ь, не зависит от положения уровня Ферми.

4. После радиоактивного распада материнских атомов 119тТе из-за значительной величины энергии отдачи дочерние атомы 1198Ь оказываются в анионных подрешетках РЬ8 РЬ8е и РЬТе. Поэтому большая часть атомов 119т8п после распада 119тТе —" П98Ь —> 119т8п также оказывается в анионной подрешетке, играя роль электрически неактивных антиструктурных дефектов.

5. Олово, образующееся после распада материнских атомов в катионной подрешетке РЬТе, является электрически неактивным центром и его зарядовое состояние не зависит от положения уровня Ферми.

6. Определены первая и вторая энергии ионизации и" -центров для РЬБ, корреляционная энергия и энергия активации собственной проводимости: Еу+Е1=78±2 мэВ, Еу+Е2=132±4 мэВи=-54±-4 мэВ, Ео=207±-2 мэВ;

7. Определена температурная зависимость химического потенциала для твердых растворов РЬ1х.о.ооз8пхМа0,ооз$е (х = 0.01, Еу-Б =-0,36Т+230- х = 0.0075, Еу-Б =-0,24Т+210- х = 0.005, Еу-Б =-0,23Т+210) и РЬЬх. ооозЗп^ао.оозЗе (х = 0.002, Еу-Р =-0,32Т+270- х = 0.0075, Еу-Р =-0,21Т+250- х = 0.005, Еу-Б =-0,14Т+250) (мэВ).

8. Определена зависимость химического потенциала от концентрации олова для твердых растворов РЬо.995-х$пхКао.оо58е Еу-Б =690х+250 и РЬо.997-х8пхМа0.ооз8е Еу-Р =660х+210 (мэВ).

9. Определена зави симость химического потенциала для твердого раствора РЬо.98-у$п0.о2№у8е от концентрации натрия у: Еу-Р =17 000у+160 (мэВ).

10. Определена корреляционная энергия для II" -центров олова в РЬ8е (и=-65±-5 мэВ).

1.7.

Заключение

.

Таким образом, в настоящее время, не смотря на то, что идеология двух-электронных центров с отрицательной корреляционной энергией широко используется в различных областях физики конденсированного состояния, прямыми экспериментальными методами, позволяющими идентифицировать зарядовое и координационное состояние атомов, такие центры обнаружены, не были. Исключение, быть может, составляют примесные атомы олова в халькогенидах свинца, поскольку параметры мессбауэровских спектров не противоречат предположению, что атомы олова, замещая атомы свинца в кристаллической решетке, образуют глубокие двухэлектронные центры с отрицательной корреляционной энергией [23−41]. Однако следует подчеркнуть, что даже для случая примесных атомов олова вплоть до самого последнего времени отсутствовали параметры микроскопической модели, что, естественно, ставило под сомнение однозначную интерпретацию мессбауэровских данных.

Исследования авторов [23−41] были выполнены в абсорбционном варианте мессбауэровской спектроскопии. Однако чувствительность абсорбционной мессбауэровской спектроскопии по концентрации изотопа 1198п в халькоге-нидах свинца не превышает 1 ат%, тогда как предполагается, что наиболее резкие изменения в энергетическом спектре примесных атомов олова в халь-когенидах свинца происходят при концентрациях олова < 0.5 ат% [60,61]. В этом случае предпочтительно использовать эмиссионный вариант мессбауэровской спектроскопии.

Кроме того, эмиссионный вариант мессбауэровской спектроскопии часто является единственным возможным экспериментальным методом исследова.

73 ния весьма тонких эффектов. Вчастности, этот метод на изотопе ве был использован при идентификации двухэлектронных центров германия в халь-когенидах свинца и применения этих центров для исследования процессов бозе-конденсации куперовских пар при переходе полупроводник-сверхпроводник в твердых растворах на основе халькогенидов свинца [6671]. Однако при использовании эмиссионной мессбауэровской спектроскопии следует иметь в виду, что образованию мессбауэровского уровня всегда предшествует ядерное превращение материнского изотопа, что может привести к смещению его из нормальных узлов решетки [54,65]. Поэтому весьма актуальным является сравнение абсорбционных и эмиссионных спектров одного и того же изотопа в одних и тех матрицах, чтобы убедиться, что эмиссионный варианта спектроскопии несут тождественную информацию о формах стабилизации примесных атомов.

Именно поэтому мы поставили перед собой задачу методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопах |19тП18п (119т8п), 1198Ь (П9т8п) и 119тТе (119т8п) провести идентификацию двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией, вводимых в РЬ8, РЬ8е и РЬТе методом ядерной трансмутации, а также получить информации о микроскопических параметрах двухэлектронных примесных центров с отридательной корреляционной энергией, о влиянии этих центров на электрофизические свойства халькогенидов свинца с помощью традиционных методов физики твердого тела.

2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ 2.1. Изотопы Штт8п, 1198Ь (119тБп) и 119тТе (119т8п).

На рис. 2.1 приведены схемы распада 119тш8п, 119тТе и «98Ь, а в таблице 2.1. сведены ядерные параметры изотопа 1198п. В работе использовались эмиссионный и абсорбционный варианты мессбауэровской спектроскопии на изотопе 1198п.

При использовании эмиссионной спектроскопии стандартным поглотителем был Са1198п03, который имел поверхностную плотность 0.1 мг/см2 по 1198п. При использовании абсорбционной спектроскопии стандартным источником служил Са119тт8п03. Спектры снимались в интервале температур 80−300 К. Ширина экспериментального спектра источника Са119тш8пОз с поглотителем Са1198пОз при 295 К составляла 0.79± 0.01 мм/с, которая принималась за аппаратурную ширину спектральной линии 1198п.

Изомерные сдвиги абсорбционных спектров приводятся относительно поглотителя Са8пОз, а эмиссионных — относительно источника Са119тт8пОз при комнатной температуре.

Для атома олова внешними (валентными) электронами являются два 5ри два 5з-электрона. В соответствии с этим олово в соединениях проявляет либо нулевую валентность (например, интерметаллические соединения олова, электронная конфигурация олова может быть записана как.

2 2 6 2 6 10 2 6 10 2 2 [ 1 в2 э 2р 3 В 3р 3<1 4р ]4<1 5 В 5р, либо валентность +2 (например, соединение 8пТе — в этом случае олово отдает на образование химической связи два 5р

94″ электрона, и электронная конфигурация иона 8п может быть записана как.

9 9 С 9 /С IП 9 Г | л ^.

1б2 б 2р Зб Зр 3(1 4б 4р ]4с1 5б), либо валентность +4 (например, соединение 8пОг — в этом случае олово отдает на образование химической связи два 5ри два 5Б-электрона, и электронная конфигурация иона 8п4+ может быть записана как [182У2р6Зз2Зр6Зс1 104 824р6]4с110.

119 т.

18 мин 2.1 мин.

119 т сложно эз.

Те дН.

БЬ.

100%.

38 час.

119,.

18 нс З/2 М.

— 1У2(+).

119 шт 119/и 119.

Рис. 2.1. Схемы распадов изотопов 11утт8пу 11УтТе и.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.И. Атомы легирующих примесей в полупроводниках (состояние и поведение). Изд. Озон. 2004. 432 с.
  2. Habbard J. Electron correlations in narrow energy bands // Proc.Roy.Soc. 1964. V. A277. P.237−259.
  3. Кастро Арата P.A. Двухэлектронные примесные центры как инструмент исследования халькогенидных стеклообразных полупроводников // Под. ред. Г. А. Бордовского. СПб.: Изд-во РГПУ им. А. И. Герцена, 2006. 126 с.
  4. Essler F.Y.L., Frahm H., Gohmann F., Klumper A., Korepin V. The one-dimensijnal Hubbard model. Cambridge Univ. Press. 2005. 670 p.
  5. A.A., Будагян Б. Г., Вихров С. П., Попов А. И. Неупорядоченные полупроводники. Изд. Высшая школа МЭН. 1995. 352 с.
  6. Дж. Структура, свойства и технология стекла. Изд. Мир. 2006. 288с.
  7. Anderson P.W. Model for the electronic structure of amorphous semiconductors //Phys. Rev. Lett. 1975. V. 34. P.953−955.
  8. К.Д. Примесные и дефектные электронные состояния в легированных ХСП // Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. 1996. СПб.: Наука. 486с.
  9. А.Р., Серегин П. П. Мессбауэровские исследования примесных атомов в полупроводниках (обзор) // ФТП. 1984. Т.18. № 7. С.1153−1172.
  10. П.П. Мессбауэровские исследования атомной и электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников // Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках. 1996. СПб.: Наука. 486 с.
  11. П.П. Применение эффекта Мессбауэра в исследовании стеклообразных материалов // Мессбауэровская спектроскопия замороженных растворов. 1998. М.: Мир. 399с.
  12. Г. А., Кастро P.A. Исследование состояния примесных атомов железа и олова в стеклообразных Ge28.5Pbi5S56.5 и Ge27Pbi7Se56 // Известия РГПУ. 2006. № 1. С.10−15.
  13. Г. А., Кастро P.A., Серегин П. П., Добродуб A.A. Свойства и структура стекол (As2Se3)iz (SnSe)zx (GeSe)x и (As2Se3)i.z (SnSe2)z-x (GeSe2)x // Физ. и хим. стекла. 2006. Т.32. № 3. С.200−210
  14. Г. А., Кастро P.A., Серегин П. П., Теруков Е. И. Электрофизические свойства и строение халькогенидных стекол, включающих двухвалентное олово // ФТП. 2007. Т.41. Вып.1. с.23−26.
  15. Г. А., Кастро P.A., Марченко А. В, Серегин П. П. Термическая устойчивость валентных состояния олова в структуре стекол (As2Se3)o.4(SnSe)o.3(GeSe)o.3 // Физика и химия стекла. 2007 Т.ЗЗ.
  16. Г. А., Кастро P.A., Марченко А. В, Серегин П. П. Радиационная устойчивость валентных состояния олова в структуре стекол (As2Se3)o.4(SnSe)o.3(GeSe)o.3 // Физика и химия стекла. 2007. Т.ЗЗ.
  17. И.А., Мойжес Б .Я. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примесей на положительно и отрицательно заряженные состояния (обзор)//ФТП. 1981. Т.15. Вып. 4. с.625−648.
  18. С.П. Парноэлектронные процессы локализации-делокализации' в* конденсированных средах (обзор) // Изв. АН СССР. Серия физическая. 1985. Т.49. Вып.2. с.310−325.
  19. В.И., Равич Ю. И. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI (обзор)// Успехи физических наук 1985. Т. 145. Вып. 1. с. 51−86.
  20. В.И., Немов С. А., Равич Ю. И. Резонансное рассеяие носителей тока в полупроводниках типа AIVBVI (обзор) // ФТП. 1992. Т. 26. Вып.2. с.201−222.
  21. Ю.И., Немов С. А. Прыжковая проводимость по сильно локализованным примесным состояниям индия в РЬТе и твердых растворах на его основе (обзор) // ФТП. 2002. Т.36. № 1. С.3−23.
  22. С.А., Равич Ю. И. Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности (обзор) // Успехи физических наук. 1998. Т.168. Вып.8. с. 817−842.
  23. Л.В., Зарубо C.B., Насрединов Ф. С., Серегин П. П. Эффект перезарядки атомов олова в твердых растворах Pb.xSnxS. Письма в ЖЭТФ. 1981. т.ЗЗ. Вып. 1. с.14−16.
  24. JI.B., Насрединов Ф. С., Никулин Ю. А., Серегин П. П. Наблюдение методом Мессбауэра перезарядки атомов олова в твердых растворах халькогенидов олова и свинца. ФТТ. 1982. т.24. Вып.6. с. 16 301 634.
  25. Ф.С., Прокофьева JI.B., Зарубо C.B., Курмантаев А. Н., Серегин П. П. Наблюдение двухэлектронного-обмена между центрами олова в твердых растворах Pbi.xSnxSe. Письма в ЖЭТФ. 1983. т.38. Вып.1. с.20−22.
  26. Ф.С., Прокофьева JI.B., Курмантаев А. Н., Серегин П. П. Двухэлектронный обмен между центрами олова в твердых растворах РЬ^ xSnxSe. ФТТ. 1984. т.26. Вып.З. с.862−866.
  27. В.Ф., Насрединов Ф. С., Немов C.A., Серегин П. П. Идентификация одно- и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом мессбауэровской спектроскопии. ФТП. 1996. т. ЗО Вып.5. с.840−851.
  28. В.Ф., Насрединов Ф. С., Немов С. А., Серегин П. П. Исследование одно- и двухэлектронного обмена между нейтральными и ионизованными примесными центрами в полупроводниках методом мессбауэровской спектроскопии. ФТП. 1996. т.ЗО. Вып.5. с.884−893.
  29. В.Ф., Насрединов Ф. С., Немов С. А., Серегин П. П. Локальная симметрия решеток Pbj.xSnxTe в области бесщелевого состояния. ФТТ. 1996. т.38. Вып. 10. с.2973−2977.
  30. В.Ф., Насрединов Ф. С., Немов С. А., Серегин П. П., Иркаев С. М., Мелех Б. Т., Троицкая Н. Н. Нестандартные состояния атомов олова в смешанных халькогенидах серебра и олова со структурой типа NaCl. ФТТ. 1996. т.38. Вып.11. с.3308−3311.
  31. Мастеров В, Ф., Насрединов Ф. С., Немов С. А., Серегин П. П. Двухэлектронные центры олова с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца. Определение энергии Хаббарда. ФТП.1997. т.31. Вып.2. с.291−295.
  32. В.Ф., Насрединов Ф. С., Немов С. А., Серегин П. П., Серегин Н. П. Энергия Хаббарда для двухэлектронных центров олова в твердых растворах PbSbzTez. ФТП. 1999. т.ЗЗ. Вып.7. с.789−790.
  33. Seregin N.P., Nemov S.A., Stepanova T.R., Seregin P.P. Local symmetry and electronic structure of atoms in the PbixSnxTe lattices in the gapless State. Semicond.Sci.Technol. 2003. v.18. p.334−336.
  34. C.A., Кожанова Ю. В., Серегин П. П., Серегин Н. П., Шамшур Д. В. Локальная симметрия и электронная структура атомов олова в решетках (Pbi xSnx) izIn2Te. ФТП 2003. т.37. Вып.9. с.1085−1086.
  35. Ф.С., Немов С. А., Мастеров В. Ф., Серегин П. П. Мессбауэровские исследования двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционой энергией в халькогенидах свинца (обзор) // ФТТ. 1999. Т.41. № 11. С.1897−1917.
  36. С.А., Серегин П. П. Модель двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца. Термоэлектрики и их применения. Доклады VII Межгосударственного семинара. РАН. СПб. 2000. с. 148−152.
  37. JI.B., Виноградова М. Н., Зарубо С. В. Легирующий эффект олова в твердых растворах PbbxSnxSe и Pb!.xSnxS. ФТП 14, 2201−2204 (1980).
  38. С.В., Никулин Ю. А., Гуриева Е. А., Прокофева Л. В., Равич Ю. И., Виноградова М. Н., Жукова Т. Б. Энергия двухэлектронных примесных состояний олова в твердых растворах PbjxSnxSe с малым х. // ФТП 16, 1892−1894(1982).
  39. Л.В., Зарубо C.B., Виноградова М. Н., Никулин Ю. А., Гарцман К. Г. Об энергетическом спектре примесных состояний Sn и Ge в твердых растворах на основе халькогенидов свинца. // ФТП 16, 2136−2140 (1982).
  40. А.Н., Гуриева Е. А., Нефедов О. Г., Прокофьева Л. В. Особенности спектров поглощения р- PbSe с изовалентными примесями замещения. // ФТП 18, 1723−1726 (1984).
  41. Е.А., Прокофьева Л. В., Равич Ю. И., Зарубо C.B., Гарцман К. Г. Особенности рассеяния дырок изовалентной примесью олова в PbSe, приводящие к сильному снижению подвижности. // ФТП 19, 1746−1749 (1985).
  42. Прокофьева Л, В., Вейс А. Н. О природе разновалентных состояний примесей IV группы в халькогенидах свинца. // ФТП 19. 941−944 (1986).
  43. А.Н., Прокофьева Л. В. Исследование резонансных состояний, связанных с собственными дефектами в р- PbSe. // ФТП 20, 160−161 (1986).
  44. А.Н., Прокофьева Л. В. Энергетические уровни, связанные с собственными дефектами в электронном сульфиде свинца. // ФТП 21, 743 746 (1987).
  45. Л.В., Жумаксанов Ш.М, Майлина Х. Р. Исследование механизма изовалентно-акцепторного легирования PbSe методом эффекта Зеебека.//ФТП 21, 310−313 (1987).
  46. Ю.И., Константинов П. П., Майлина Х. Р., Прокофьева Л. В. Переменная валентность в твердом растворе Pbi.xSnxSe (х=0.15), легированном натрием. // ФТП 23, 1576−1580 (1989).
  47. Г. Т., Земсков Б. Г., Константинов П. П., Прокофьева Л. В., Уразбаева К. Т. Роль дефектов в акацепторном легировании полупроводников типа РЬТе с элементами I группы. // ФТП 26, 358−367 (1992).
  48. Г. Т., Гуриева Е. А., Константинов П. П., Максимова Н. В., Прокофьева JI.B. К вопросу об ионизации изоэлектронной примеси олова в разбавленном растворе Pbi.xSnxSe:Na. // ФТП 29, 1388−1395 (1995)
  49. Г. Т., Ведерников М. В., Гуриева Е. А., Прокофьева JI.B., Равич Ю.И: Концентрация дырок и термоэлектрическая эффективность твердых растворов PbixSnxTe (Te) // ФТП. 2000, Т.34. № 8. С. 935−939.
  50. А.Н., Суворова H.A. Энергетический спектр Pb0)995-xSn0.005NaxSe по данным оптического поглощения. // ФТП 29, 278−285 (1995).
  51. А.Н., Суворова H.A. Особенности процесса дефектообразования в PbUxSnxSe (х < 0.06) // ФТП, 1998, том 32, № 4, 445−449.
  52. Г. Т., Ведерников М. В., Гуриева Е. А., Прокофьева JI.B., Равич Ю. И. Концентрация" дырок и термоэлектрическая эффективность, твердых растворов PbixSnxTe(Te) // ФТП. 2000- Т.34. № 8. С. 935−939.
  53. Ю.И., Константинов^ П.П., Майлина Х. Р., Прокофьева JI.B. Переменная валентность в твердом растворе Pbi. xSnxSe (х=0.15), легированном натрием. // ФТП 23, 1576−1580 (1989).
  54. Г. Т., Земсков Б. Г., Константинов П. П., Прокофьева Л. В., Уразбаева К. Т. Роль дефектов в акацепторном легировании полупроводников типа РЬТе с элементами’I группы. // ФТП 26, 358−367 (1992).
  55. Г. Т., Гуриева* Е.А., Константинов П. П., Максимова Н. В., Прокофьева JI.B. К вопросу об ионизации изоэлектронной примеси олова в разбавленном растворе PbixSnxSe: Na. // ФТП 29, 1388−1395 (1995)
  56. Г. Т., Ведерников М. В., Гуриева Е. А., Прокофьева JI.B., Равич Ю. И. Концентрация дырок и термоэлектрическая эффективность твердыхрастворов PbixSnxTe(Te) // ФТП. 2000^ Т.34. № 8. С. 935−939.
  57. А.Н. Оптическое поглощение в (Pb0.78Sn0.22)i-x InxTe // ФТП. 2002. Т.36.№ 2. С.183−186.
  58. П.П., Нистирюк И. В. Применение эмиссионной мессбауэровской спектроскопии в физике полупроводников. Кишинев. Изд. Штиница. 1982.
  59. П.П. Физические основы мессбауэровской спектроскопии. Изд.СПбГПУ. 2002. 168 с.
  60. С. А., Мастеров В. Ф., Насрединов Ф. С., Серегин П. П. Электрическая активность изоэлектронной примеси германия в PbS. Термоэлектрики и их применения. Доклады пятого межгосударственного семинара. СПб. 1997. с.42−45.
  61. С.А., Серегин П. П., Иркаев С. М., Серегин Н. П. Положение примесных атомов мышьяка в решетке РЬТе. ФТП 2003. т.37. Вып.З. с.279−281.
  62. С.А.Немов, П. П. Серегин, В. П. Волков, Н. П. Серегин, Д. В. Шамшур. Наблюдение бозе-конденсации куперовских пар в полупроводниковых твердых растворах (PbixSnx)i2In/Te. ФТП 2004. т.38. Вып.2. с. 190−193.
  63. Е.И., Хужакулов Э. С. Мессбауэровское исследование двухэлектронных донорных центров германия в PbSe // ФТП. Т.39. Вып. 12. с. 1417−1419.
  64. Е.И., Хужакулов Э. С. Электронный обмен между нейтральными и ионизованными центрами германия в PbSe // ФТП. Т.39. Вып. 12. с. 14 201 422.
  65. Н.Х., Шелимова Л. Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений А1УВУ1. М. Наука. 1975. 195с.
  66. Ю.И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца РЬТе, РЬ8е, РЬЭ. М. Наука. 1968. 383с.
  67. С.А., Прошин В. И., Нахмансон С. М. Влияние добавок 1п на кинетические коэффициенты в твердых растворах (РЬг8П.2)о.95Се0.о5Те // ФТП. 1998, Т.32. №Ю. С.1190−1192.
  68. С.А., Гасумянц В. Э., Прошин В. И., Равич Ю. И., Потапова Д. А. Проводимость с переменной длиной прыжка по примесным состояниям' 1п в твердом растворе Pbo.7sSno.22Te// ФТП. 2000. Т.34. № 8. С.926−928.
  69. Ю.И., Немов С. А. Прыжковый перенос в твердых растворах (РЬо.78 $По.22)1-х1пх Те при дополнительном легировании// ФТП. 2001. Т.35. № 2. С. 164−170.
  70. С.А., Потапова Д. А., Равич Ю. И., Ханин С. Д. Плотность локализованных состояний в твердых растворах (РЬо.78 $По.22)о.951по.о5Те// ФТП. -2001. Т.35. № 10 С.1197−1199.
  71. А.Н., Ерков В. Г., Климов А. Э., Молодцова Е. Л., Супрун С. П., Шумский В. Н. Токи инжекции в узкозонном диэлектрике РЬ^пДе^п)// ФТП. 2005. Т.39. № 5. С.563−568.'
  72. Д.Е., Демин В. Н., Иванчик И. И., Хохлов Д. Р. Неустойчивость БХ-подобных примесных центров в РЬТе(Оа) при отжиге // ФТП. 2000. Т.34. № 10. с.1194−1196.
  73. .А., Богоявленский В. А., Рябова Л. И., Васильков В. Н. Особенности фотопроводимости тонких эпитаксиальных слоев п-РЬТе(Оа) // ФТП. 2001. Т.35. № 5. С.524−527.
  74. Е.П., Зверева Е. А., Скипетрова Л. А., Волкова О. С., Слынько Е. И. О стабилизации уровня Ферми в сплавах на основе теллурида свинца, легированных галлием // ФТП. 2002. Т.36. № 1. С.37−40.
  75. . А., Прядун В. В., Рябова JI. И., Хохлов Д. Р. Импеданс твердых растворов на основе теллурида свинца, легированного галлием // ФТП. — 2004. Т.38. № 3. С.293−295.
  76. Е.П., Зверева Е. А., Волкова О. С., Голубев A.B., Моллаев А. Ю., Арсланов Р. К., Слынько В. Е. Электронные и структурные переходы в сплавах PbixGexTe:Ga под давлением // ФТП. 2004. Т.38. № 10. С.1199−1202.
  77. С.А., Осипов П. А. Примесь Bi в PbSe // ФТП. 2001. Т.35. № 6. С.731−733.
  78. В.А., Гаврикова Т. А., Ильин В. И., Немов С. А., Савинцев П. В. Влияние примеси висмута на концентрацию носителей тока в эпитаксиальных слоях PbSe: Bi: Se//ФТП. 2001. Т.35. № 11. С.1311−1315.
  79. А.Н.Мурин, С. И. Бондаревский, В. В. Джурша, В. А. Тарасов. ХВЭ. 6, 494 (1972).
  80. П.П., Сивков В. П., Насрединов Ф. С., Картенко Н. Ф., Васильев JI.H., Бахтияров А. Ш. Механизм влияния примесных атомов золота на электрические и оптические свойства стеклообразных селенидов мышьяка. ФТП. 1976. т. 10. Вып.7. с.1325−1329.
  81. .И., Джафаров Т. Д., Кудоярова В. Х., Насрединов Ф., Серегин П. П. Исследование диффузии и зарядового состояния примесей-1 и VIII групп в стеклообразных сульфиде и селениде мышьяка. В кн.: Аморфные полупроводники-78. ЧССР. 1978. с. 166−169.
  82. Ф.С., Серегин П. П., Васильев JI.H. Механизм влияния примеси платины на электрические свойства стеклообразного селенида мышьяка. Физика и химия стекла. 1979. т.5. Вып.З. с.324−328.
  83. В.Х., Насрединов Ф. С., Серегин П. П. Исследование состояния примесных атомов кобальта, введенных в стеклообразный сульфид мышьяка при синтезе и при диффузионном легировании. Физика и химия стекла. 1982. т.8. Вып.З. с.350−352.
  84. Seregin P.P., Nasredinov F.S. Study of Gold and Platinum Impurity Atom State in Vitreous Arsenic Selenide. Phys.stat.sol.(a). 1982. v.70. N2. p.769−775.
  85. Seregin P.P., Regel A.R., Andreev A.A., Nasredinov F.S. A Study of Local Structure of Chalcogenide Vitreous Semiconductors and of State of Impurity
  86. Atoms in Them by Means of Mossbauer and Electron Spectroscopies. Phys.stat.sol.(a). 1982. v.74. N2. p.373−394.
  87. Ф.С., Серегин П. П., Андреев A.A., Ермолаев A.B., Штотцель X., Коттвитц А. Электронный обмен между ионизованными и нейтральными центрами железа в модифицированном железом аморфном селениде германия. ФТТ. 1983. т.25. Вып.5. с.1528−1530.
  88. В.Л., Любин В. М., Насрединов Ф. С., Нистирюк П. В., Приходько О. Ю., Серегин П. П. Механизм примесной проводимости стеклообразного селенида мышьяка, модифицированного железом. ФТП.1983. т.17. Вып.2. с.353−356.
  89. П.П., Коньков О. И., Нистирюк П. В. Эффект Мессбауэра напримесных атомах золота и платины в стеклообразных полупроводниках. В кн.: Физические методы исследования твердого тела. Свердловск. Изд. Свердловского гос. ун-та. 1983. с.55−58.
  90. Ф.С., Подхалюзин В. П., Серегин П. П., Чирнер Х.У.,.Рентч Р., Борн Т. Природа электрической неактивности примесных атомов железа в полупроводнике 1п2Тез. ФТП. 1986. т.20. Вып.7. с. 1166−1173.
  91. Ф.С., Саидов Ч. С., Серегин П. П., Тураев Э. Ю. Природа электрической неактивности примесных атомов олова и железа в стеклообразных и кристаллических сплавах системы галлий-теллур. Физика и химия стекла. 1987. т. 13. Вып.5. с.696−701.
  92. Nasredinov F.S., Masterov V.F., Saidov Ch.S., Seregin P.P., Troitskaya N.N., Tschirner H.U. Nature of the electrical inactivity of tin and iron impurity atoms in In2Te3 and Ga2Te3. Phys.stat.sol.(a). 1988. v. 107. N1. p.291−298.
  93. Seregin P.P., Andreev A.A. Mossbauer effect as applied to investigations of glassy materials. In: Mossbauer spectroscopy of frozen solutions. Ed. Vertes A., Nagy D.I. Academiai Kiado. Budapest. 1989. p.377−439.
  94. Turaev E.Yu., Seregin P.P., Nasredinov F.S. Tin and Iron Impurity Atom States in Modified As2Se3 Films. Phys.stat.sol.(b). 1990. v.161. N1. p.287−292.
  95. C.A., Серегин Н. П. Локальная структура примесных центров цинка в халькогенидах свинца и твердых растворах PbixSnxTe. ФТП. 2002 т.36.Вып.8.с.914−916.
  96. Seregin N.P., Nemov S.A., Stepanova T.R., Seregin P.P. Local symmetry and electronic structure of atoms in the PbbxSnxTe lattices in the gapless state. Semicond.Sci.Technol. 2003. v. 18. p.334−336.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!