Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Механизмы генерации излучения среднего и дальнего инфракрасных диапазонов при продольном транспорте электронов и смешении оптических мод в полупроводниковых микроструктурах А3В5

Диссертация: Механизмы генерации излучения среднего и дальнего инфракрасных диапазонов при продольном транспорте электронов и смешении оптических мод в полупроводниковых микроструктурах А3В5
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

По теме диссертации опубликовано 22 работы, из которых 8 статей в отечественных и зарубежных реферируемых журналах и 14 публикаций в сборниках тезисов докладов и трудов конференций. Результаты диссертационной работы докладывались на семинарах ИФМ РАН, российских и международных конференциях, рабочих совещаниях: V и VI Российских конференциях по физике полупроводников (Нижний Новгород, 10… Читать ещё >

Механизмы генерации излучения среднего и дальнего инфракрасных диапазонов при продольном транспорте электронов и смешении оптических мод в полупроводниковых микроструктурах А3В5 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Моделирование продольного транспорта в квантовых ямах
    • 1. 1. Моделирование продольного транспорта в квантовых ямах с помощью метода Монте-Карло
    • 1. 2. Частоты рассеяния электрона в квантовых ямах
  • Глава 2. Инверсия электронной населенности подзон размерного квантования при продольном транспорте в туннельно-связанных квантовых ямах
    • 2. 1. Инверсия электронной населенности подзон размерного квантования при продольном транспорте в туннельно-связанных квантовых ямах с шероховатой гетерограницей
    • 2. 2. Инверсия электронной населенности Г-подзон в квантовых ямах в условиях междолинного Г-L переноса
    • 2. 3. О возможности экспериментального наблюдения генерации излучения среднего и дальнего ИК диапазонов в структурах с электронной инверсией населенности при продольном транспорте
  • Глава 3. Генерация электромагнитного излучения среднего и дальнего ИК диапазонов при смешении оптических мод в полупроводниковых структурах на основе А3В
    • 3. 1. Механизмы оптической нелинейности в полупроводниках А3В
    • 3. 2. Генерация поверхностного плазмона среднего и дальнего
  • ИК диапазонов в полупроводниковых структурах
    • 3. 3. Генерация излучения среднего ИК диапазона в полупроводниковых структурах с гофрированным волноводом
    • 3. 4. Генерация излучения среднего и дальнего ИК диапазона в полупроводниковых структурах с металлической дифракционной решеткой
    • 3. 5. Генерация излучения среднего и дальнего ИК диапазона в полупроводниковых волноводах на основе GaP

Актуальность темы

.

Несмотря на то, что компактные источники излучения в терагерцовом диапазоне частот, соответствующих длинам волн от 300 мкм до 10 мкм, в настоящее время очень востребованы для различных применений, количество таких источников мало. Освоение этого диапазона, находящегося на стыке СВЧ электроники и лазерной физики, сопряжено с большими трудностями [1 — 4]. По разным причинам здесь не работают ни методы вакуумной и классической твердотельной электроники, ни стандартные схемы квантовой электроники. Так, создание субмиллиметровых ЛБВ и ЛОВ [3] сопряжено с проблемами малой эффективности катодов, сложного согласования электронного пучка с замедляющей системой и больших потерь в вакуумных волноводах, а привлечение плазменных неустойчивостей при баллистическом транспорте в полупроводниках требует пока недостижимого качества субмикронных полевых транзисторов [5]. Для молекулярных (пучковых) мазеров требуются сильное охлаждение и трудно реализуемые высокодобротные микрорезонаторы, а в газоразрядных лазерах инверсия на вращательных переходах, достаточная для генерации, достигается лишь для ограниченного числа линий [4]. Указанного диапазона длин волн не достигают ни диоды Ганна, ни лавинно-пролетные диоды [1]. Попытки возбуждения короткими (фемтосекундными) оптическими импульсами терагерцовых колебаний в холодной плазме, в том числе полупроводниковой, или в дипольных антеннах-фотопроводниках ограничиваются слишком малой эффективностью соответствующих процессов «оптического детектирования» [6 — 8]. В целом доступные источники когерентного терагерцового излучения являются маломощными (от нанодо микроватт, иногда — до ватт), плохо перестраиваемыми и фактически покрывающими лишь отдельные узкие полосы частот.

Данная ситуация крайне неблагоприятна для широкого круга потенциальных приложений терагерцового излучения, включая радары, спутниковую и наземную связь, системы охраны и наведения, трехмерную томографию, диагностику (биохимическую и медицинскую), молекулярную и твердотельную спектроскопию и т. д. [1 — 3]. В этом отношении большие надежды возлагаются на полупроводниковые источники, которые хорошо зарекомендовали себя в оптическом и ближнем инфракрасном (ИК) диапазонах и в последние годы стали активно развиваться также в терагерцовом и дальнем ИК диапазонах. Данная работа посвящена именно этому направлению физики полупроводниковых приборов, потенциально ведущему к созданию компактных, монолитных, эффективных и дешевых генераторов излучения с длиной волны от десятка до сотен микрон.

Стандартные диодные гетеролазеры на межзонных переходах в узкощелевых полупроводниках, например на основе солей свинца типа Pb (S, Se) или Pbi-xSnxTe (Se), оказываются неэффективными в дальнем ИК диапазоне при длинах волн больших 30 мкм вследствие увеличения роли безызлучательной Оже рекомбинации. Даже в среднем ИК диапазоне создание инверсии в них сопряжено с охлаждением до температур жидкого гелия (4,2 К) или азота (77 К) и большой пороговой плотностью тока от долей до десятков килоампер на квадратный сантиметр соответственно, причем стабильность и надежность оставляют желать лучшего [9].

В настоящее время имеется только два типа апробированных полупроводниковых лазеров, показавших эффективность генерации терагерцового излучения (при криогенных температурах). Оба лазера униполярные и основаны на внутризонных (межподзонных) переходах. Первый — это германиевый лазер р-типа в сильных скрещенных электрическом и магнитном полях [10], обеспечивающих импульсную генерацию в субмиллиметровом диапазоне длин волн (70 — 300 мкм), мощность которой, однако, значительна (до ватт) только при гелиевых температурах. Существует также полупроводниковый лазер, работающий на объемном деформированном p-Ge (К ~ 100 мкм) [11]. Характерные размеры кристалла в этих лазерах порядка 1 см, а характерные электрические поля порядка 1 кВ/см. Поэтому для работы таких лазеров необходимо высоковольтное импульсное питание, что, конечно, усложняет работу с ними. Второй — это квантово-каскадный лазер n-типа на таких многоямных или сверхрешеточных гетероструктурах, как AlInAs/GalnAs/InP или AlGaAs/GaAs [12, 13], в котором недавно была достигнута генерация на длинах волн 100 мкм [14], 24 мкм [15] и 16 мкм [16] при температурах меньше 77, 140 и 300 К соответственно. Следует отметить также потенциальные возможности «фонтанного» лазера [17], реализованного пока только в среднем ИК диапазоне, и лазера на переходах в мелких донорных примесях типа Р, Bi, Sb в кремнии [18], генерация которого зарегистрирована лишь в нескольких узких линиях в диапазоне 51−59 мкм при гелиевой температуре. Однако оптическая накачка внешним лазером делает их весьма неудобными для практических применений.

Среди многочисленных, но нереализованных предложений по созданию инверсии на межподзонных терагерцовых переходах отметим, например, возможность междолинных переходов в сложных квантовых ямах в условиях латерального электронного транспорта [19] и варианты структуры с трехуровневыми квантовыми ямами, нижний уровень которых предполагается опустошать либо за счет межзонных индуцированных переходов благодаря одновременной лазерной генерации в ближнем ИК диапазоне [20], либо за счет резонансных оже-процессов [21].

Основные цели диссертационной работы.

Основной целью диссертационной работы является теоретическое исследование механизмов электронной инверсии населенности подзон размерного квантования при продольном транспорте и генерации электромагнитного излучения среднего и дальнего ИК диапазонов при смешении оптических мод в низкоразмерных полупроводниковых структурах на основе А3В5.

Это включает в себя решение следующих основных задач:

• расчет энергий и волновых функций электрона в гетероструктурах InGaAs/GaAs/AlGaAs, вычисление частот рассеяния электронов в этих структурах для основных механизмов рассеяния;

• моделирование методом Монте-Карло транспорта электронов в электрическом поле, направленном вдоль слоев гетероструктуррасчет функций распределения, концентраций электронов на подзонах размерного квантования и средней дрейфовой скорости;

• исследование условий фазового синхронизма для эффективной генерации электромагнитного излучения среднего и дальнего ИК диапазонов при смещении оптических мод в низкоразмерных полупроводниковых структурах на основе А3В5, расчет выходной мощности излучения среднего и дальнего ИК диапазонов.

Научная новизна диссертационной работы.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем:

1. предложен способ создания внутризонной инверсии населенности для усиления электромагнитного излучения дальнего ИК диапазона в гетероструктурах InGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами и одной шероховатой гетерограницей при продольном электронном транспорте;

2. предложен механизм создания внутризонной инверсии населенности для усиления электромагнитного излучения среднего ИК диапазона в гетероструктурах InGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами при продольном электронном транспорте в условиях междолинного Г-L переноса;

3. впервые предложены конструкции лазеров на основе гетероструктуры InGaAs/GaAs/lnGaP, обеспечивающие генерацию двух лазерных мод в диапазоне 1 мкм и разностной моды плазменного волновода в среднем и дальнем ИК диапазонах, а также разностной моды в гофрированном волноводе в среднем ИК диапазоне;

4. впервые предложена структура, в которой происходит генерация излучения разностной частоты среднего и дальнего ИК диапазонов при смешении оптических мод, и вывод излучения осуществляется с поверхности волновода при нанесении на него металлической дифракционной решетки.

Практическая значимость диссертационной работы.

Практическая значимость диссертационной работы заключается в том, что полученные результаты позволили.

1. предложить механизм формирования электронной инверсии населенности и найти условия усиления терагерцового излучения в гетероструктурах InGaAs/ GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами при продольном транспорте в двух случаях: шероховатости одной из гетерограниц и междолинного Г-L переноса;

2. сконструировать структуры, перспективные для генерации излучения разностной частоты среднего и дальнего ИК диапазона.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Наличие одной шероховатой гетерограницы у квантовой ямы, в которой в основном локализована волновая функция электрона второй подзоны, такой, что вероятность рассеяния электрона на шероховатости сопоставима с вероятностью рассеяния на полярном оптическом фононе, приводит к инверсии населенности первой и второй подзон размерного квантования при электронном транспорте в трех туннельно-связанных квантовых ямах в сильном электрическом поле, лежащем в плоскости квантовых ям. Согласно расчетам электронного транс-порта для гетероструктуры AlxGai. xAs/GaAs (х = 0.2, 0.3) инверсия населенности реализуется в поле, превышающим 1.2 кВ/см при температуре 4.2 К и 77 К. Возможный коэффициент усиления излучения с длиной волны 150 мкм в сверхрешетке, содержащей такие квантовые ямы, около 4.3 см" 1 при 77 К.

В условиях междолинного Г-L переноса электронов возникает инверсная населенность между первой и второй подзонами размерного квантования Г-долины при электронном транспорте в двойных квантовых ямах гетероструктуры Alo 4Gao 6As/GaAs/Ino.25Gao 75 As в сильном электрическом поле, лежащем в плоскости квантовых ям. Моделирование электронного транспорта методом Монте-Карло показало, что инверсная населенность этих подзон возникает начиная с полей 4 кВ/см при 77 К и 5.5 кВ/см при 300 К. Возможный коэффициент усиления излучения с длиной волны 12.6 мкм в сверхрешетке, содержащей такие квантовые ямы, порядка 100 см" 1 при 77 К и 20 см" 1 при 300 К.

Эффективная генерация поверхностных плазмонов на разностной частоте в среднем и дальнем ИК диапазонах в резонаторе полупроводникового инжекционного лазера на основе GaAs реализуется при взаимодействии двух фундаментальных ТЕ мод диапазона 1 мкм, обусловленном решеточной нелинейностью. Эффективная генерация достигается за счет выполнения условия фазового синхронизма между волной нелинейной поляризации и поверхностным плазмоном при специальном легировании волновода. Для лазера с шириной волновода 100 мкм рассчитанный коэффициент преобразования в поверхностный плазмон по мощности составляет порядка 10″ 7 Вт" 1 при комнатной температуре.

Использование металлической дифракционной решетки со специально подобранными параметрами позволяет осуществить эффективную генерацию излучения на разностной частоте среднего и дальнего ИК диапазонов при распространении в полупроводниковом волноводе на основе GaAs двух фундаментальных ТЕ мод 1 мкм диапазона. В планарном волноводе с шириной 100 мкм и длиной 1 мм рассчитанный коэффициент преобразования в моду на разностной частоте по мощности составляет порядка 10″ 5 Вт" 1 в окрестности длин волн, соответствующих длине волны оптического фонона (около 36 мкм) при комнатной температуре.

Публикации и апробация работы.

По теме диссертации опубликовано 22 работы [А1 — А22], из которых 8 статей в отечественных и зарубежных реферируемых журналах и 14 публикаций в сборниках тезисов докладов и трудов конференций. Результаты диссертационной работы докладывались на семинарах ИФМ РАН, российских и международных конференциях, рабочих совещаниях: V и VI Российских конференциях по физике полупроводников (Нижний Новгород, 10 — 14 сентября, 2001; Санкт-Петербург, 27 — 31 октября, 2003), Совещаниях «Нанофотоника» (Нижний Новгород, 11 — 14 марта, 2002; 2−6 мая, 2004), IV Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой оптои наноэлектронике (Санкт-Петербург, 3−6 декабря, 2002), 11-ом и 12-ом Международных симпозиумах «Наноструктуры: физика и технология» (Санкт-Петербург, 23 — 28 июня, 2003; 21−25 июня, 2004), 13-ой Международной конференции по динамике неравновесных носителей в полупроводниках (Модена, Италия, 28 июля — 1 августа, 2003), 12-ом Международном симпозиуме по сверхбыстрым явлениям в полупроводниках (Вильнюс, Литва, 22 — 25 августа, 2004), V Международной научно-технической конференции «Квантовая электроника» (Минск, Беларусь, 22 — 25 ноября,.

2004), Симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 25 — 29 марта,.

2005).

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, приложения, списка цитируемой литературы и списка работ автора по теме диссертации. Общий объем диссертации составляет 136 страниц. В диссертации содержится 44 рисунка. Список цитируемой литературы включает 86 наименований. Список работ автора по теме диссертации включает 22 наименований.

Заключение

.

В диссертации получены следующие основные результаты:

1. Предложен способ создания внутризонной инверсии населенности для усиления электромагнитного излучения дальнего ИК диапазона в гетероструктурах InGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами и одной шероховатой гетерограницей. Для создания инверсии населенностей подзон предполагается использовать электронный транспорт в трех туннельно-связанных квантовых ямах в сильном электрическом поле, лежащем в плоскости квантовых ям. Важной особенностью предлагаемой структуры является наличие одной шероховатой гетерограницы. Согласно расчетам электронного транспорта в гетероструктуре AlxGaixAs/GaAs (х=0.2, 0.3), в поле свыше 1.2 кВ/см при Т = 4.2 К и 77 К реализуется инверсная заселенность первой и второй подзон размерного квантования. Возможный коэффициент усиления для излучения с длиной волны 150 мкм в такой структуре 4.3 см" 1.

2. Предложен механизм создания внутризонной инверсии населенности для усиления электромагнитного излучения среднего ИК диапазона в гетероструктурах InGaAs/GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами в условиях междолинного Г-L переноса. Моделирование электронного транспорта методом Монте-Карло показало, что инверсная населенность электронов возникает между первой и второй подзонами размерного квантования Г-долины при электронном транспорте в двойных квантовых ямах гетероструктуры AlxGai. xAs/GaAs/InyGai.yAs в сильном электрическом поле, лежащем в плоскости квантовых ям, начиная с полей 4 кВ/см при 77 К и 5.5 кВ/см при 300 К. Возможный коэффициент усиления излучения с длиной волны 12.6 мкм в сверхрешетке, содержащей такие квантовые ямы, порядка 100 см" 1 при 77 К и 20 см" 1 при 300 К.

3. Рассмотрена генерация излучения на разностной частоте среднего и дальнего ИК диапазонов, которая реализуется при взаимодействии двух фундаментальных ТЕ мод диапазона 1 мкм в резонаторе полупроводникового инжекционного лазера при выполнении условия фазового синхронизма между волной нелинейной поляризации и разностной модой. Взаимодействие фундаментальных мод обусловлено решеточной нелинейностью GaAs. Условие фазового синхронизма выполняется за счет замедления длинноволнового ИК излучения в плазменном и гофрированном волноводах и аномальной дисперсии показателя преломления в области остаточных лучей. Для лазера с шириной волновода 100 мкм рассчитанный коэффициент преобразования в моду на разностной частоте по мощности составляет порядка 10″ 7 Вт" 1 при комнатной температуре.

II 4. Рассмотрено использование металлической дифракционной решетки со специально подобранными параметрами, позволяющее осуществить эффективную генерацию излучения на разностной частоте среднего и дальнего ИК диапазонов при распространении в полупроводниковом волноводе на основе GaAs двух фундаментальных мод 1 мкм диапазона. В планарном волноводе с шириной 100 мкм и длиной 1 мм рассчитанный коэффициент преобразования в моду на разностной частоте по мощности составляет порядка 10″ 5 Вт" 1 в окрестности длин волн, соответствующих длине волны оптического фонона (около 36 мкм) при комнатной.

Ф температуре.

В заключение автор считает приятным долгом поблагодарить своего научного руководителя В. Я. Алешкина за интересную предложенную тему, постоянное внимание к работе, терпение и ценные обсуждения полученных результатов. Особую благодарность автор выражает А. А. Андронову и А. А. Афоненко, совместная работа и общение с которыми сделали возможным появление настоящей диссертации. Автор благодарен Е. В. Демидову, Б. Н. Звонкову, В. И. Гавриленко и В. В. Кочаровскому за интересные обсуждения и дискуссии. Автор очень признателен Ю. А. Романову за конструктивную критику диссертационной работы, приведшую к значительному улучшению диссертации.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Van der Weide D. Applications and Outlook for Electronic Terahertz Technology //Optics & Photonics News. 2003. — Vol.14. — No.4. — P.48−53.
  2. О. Принципы лазеров. 3-е изд. М.: Мир, 1990. — 560с.
  3. Knap W. Terahertz emission by plasma waves in 60 nm gate high electron mobility transistors /W. Knap, J. Lusakowski, T. Parenty, S. Bollaert, A. Cappy, V.V. Popov, M.S. Shur //Applied Physics Letters. 2004. — Vol.84. — No. 13. — P.2331−2333.
  4. Ни B.B. Terahertz radiation induced by subband-gap femtosecond optical excitation of GaAs /В. В. Ни, X.-C. Zhang, D.H. Auston //Physical Review Letters. 1991. — Vol.67. -P.2709−2712.
  5. Kersting R. Few-Cycle THz Emission from Cold Plasma Oscillations /R. Kersting, K. Unterrainer, G. Strasser, H.F. Kauffmann, E. Gomik //Physical Review Letters. — 1997. — Vol.79. -P.3038−3041.
  6. Matsuura S. Generation of coherent terahertz radiation by photomixing in dipole photoconductive antennas /S. Matsuura, M. Tani, K. Sakai //Applied Physics Letters. — 1997. Vol.70. -No.5. — P.559−561.
  7. Tacke M. New developments and applications of tunable IR lead salt lasers // Infrared Physics and Technology. 1995. — Vol.36. — No.l. — P.447−463.
  8. Special Issue on Far-infrared Semiconductor Lasers /Edited by E. Gornik, A. A Andronov. //Optical and Quantum Electronics. 1991. — Vol.23. -No.2. — P. S111-S349.
  9. Faist J. Quantum Cascade Laser. /J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, C. Sirtori, A.L. Hutchinson, A.Y. Cho //Science 1994. — Vol.264. — P.553−556.
  10. Kohler R. Terahertz semiconductor-heterostructure laser. /R. Kohler, A. Tredicucci, F. Beltram, H.E. Beere, E.H. Linfield, A.G. Davies, D.A. Ritchie, R.C. Iotti, F. Rossi //Nature. 2002. — Vol.417. — P.156−159.
  11. Williams B.S. Terahertz quantum-cascade laser at A, «100 цш using metal waveguide for mode confinement /B.S. Williams, S. Kumar, H. Callebaut, Q. Hu, J.L. Reno //Applied Physics Letters. -2003. Vol.83. — No. 11. — P.2124−2126.
  12. Colombelli R. Far-infrared surface-plasmon quantum-cascade lasers at 21.5 цгп and 24 цгп wavelengths /R. Colombelli, F. Capasso, C. Gmachl, A.L. Hutchinson, D.L. Sivco, A.
  13. Tredicucci, M.C. Wanke, A.M. Sergent, A.Y. Cho //Applied Physics Letters. — 2001.
  14. Vol.78. No. 18. — P.2620−2622.
  15. Orlova E.E. Far-Infrared Active Media Based on Shallow Impurity State Transitions in Silicon /Е.Е. Orlova, R.Ch. Zhukavin, S.G. Pavlov, V.N. Shastin //Physica Status Solidi B. 1999. — Vol.210. -No.2. — P.859−863.
  16. Geller C.B. Computational band-structure engineering of III-V semiconductor alloys /С.В. Geller, W. Wolf, S. Picozzi, A. Continenza, R. Asahi, W. Mannstadt, A.J. Freeman, E. Wimmer. //Applied Physics Letters. 2001. — Vol.79. — No.3. — P.368−370.
  17. В.Ф., Левинсон И. Б. Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках. М.: Наука, 1984. — 352с.
  18. Ando Т. Electronic properties of two-dimensional systems /Т. Ando, A.B. Fowler, F. Stern //Reviews of Modem Physics. 1982. — Vol.54. -No.2. — P.437−672.
  19. Madelung O. Semiconductors: Data Handbook. — Springer-Verlag, 2003. 692pp.
  20. Soga T. Electrical properties of GaP on Si grown by metalorganic chemical vapordeposition. /Т. Soga, T. Suzuki, M. Mori, Z.K. Jiang, T. Jimbo, M. Umeno //Journal of Crystal Growth. 1993. — Vol.132. — P.414−418.
  21. Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М.: Наука, 1977.- 368с.
  22. И.М. Численные методы Монте-Карло. М.: Наука, 1973. 311с.
  23. Kurosawa Т. Monte-Carlo calculation of hot electron problems //Journal of the Physical Society of Japan Suppl. 1966. — Vol.21. — P.424−430.
  24. Lebwohl P.A. Monte Carlo simulation of response of a semiconductor to periodicperturbations //Journal of Applied Physics. 1973. — Vol.44. — No.4. — P.1744−1752.
  25. Lebwohl P.A. Direct Microscopic Simulation of Gunn-Domain Phenomena /Р.А. Lebwohl, P.J. Price //Applied Physics Letters. 1971. — Vol.19. — No. 12. — P.530−532.
  26. Glisson Т.Н. Monte Carlo simulation of real-space electron transfer in GaAs-AlGaAs heterostructures /Т.Н. Glisson, J.R. Hauser, M.A. Littlejohn, K. Hess, B.G. Streetman, H. Shichijo //Journal of Applied Physics. 1980. — Vol.51. — No. 10. — P.5445−5449.
  27. З.С. //ФТП 1972. — T.6. — Вып.7. — С. 1380−1382.
  28. Hess К. Negative differential resistance through real-space electron transfer /К. Hess, H. m Morkoc, H. Shichijo, B.G. Streetman //Applied Physics Letters. 1979. — Vol.35. — No.6.1. P.469−471.
  29. Price P.J. Two-Dimensional Electron Transport in Semiconductor Layers //Annals of Physics. 1981. — Vol.133. — P.217−239.
  30. В.Б. Перенос электронов в гетероструктурах с селективным легированием в сильных электрических полях /В.Б. Горфинкель, А. А. Кальфа, Т. И. Солодкая, А. С. Тагер, С. Г. Шофман. //ФТП. 1986. — Т.20. — Вып.5. — С.881−885.
  31. В.Б. Феноменологическая модель динамики разогрева электронов в многодолинных полупроводниках / В. Б. Горфинкель, С. Г. Шофман. //ФТП. — 1985. —1. Т.19. Вып.1. — С.83−87.
  32. Yokoyama К. Monte Carlo study of electronic transport in Ali-xGaxAs/GaAs single-well heterostructures /К. Yokoyama, K. Hess //Physical Review B. — 1986. Vol.33. — No.8. — P.5595−5606.
  33. Yokoyama K. Calculation of warm electron transport in AlGaAs/GaAs single heterostructures using a Monte Carlo method /К. Yokoyama, K. Hess //Journal of Applied Physics. 1986. — Vol.59. — No. l 1. — P.3798−3802.
  34. Artaki M. Transient and steady-state electron transport in GaAs/AlxGaixAs heterojunctions % at low temperatures: The effects of electron-electron interactions /М. Artaki, K. Hess
  35. Physical Review B. 1988. — Vol.37. — No.6. — P.2933−2945.
  36. Н.З. Моделирование переноса электронов в реальном пространстве гетероструктуры GaAs/AlxGai.xAs (для малых и больших значений х) /Н.З. Вагидов, З. С. Грибников, В.М. Иващенко//ФТП. 1990, — Т.24. — Вып.6. — С. 1087−1094.
  37. В.Я. Разогрев электронов и инверсия населенностей в гетероструктурах GaAs/AlAs с квантовыми ямами /В.Я. Алешкин, А. А. Андронов, Е. В. Демидов //Известия Академии 11аук. Серия физическая. — 2000. Т.64. — Вып.2. — С.231 -234.
  38. Dargys A., Kundrotas J. Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP. Science and Encyclopedia Publishers, 1994. — 264pp.
  39. Johnson C.J. Far Infrared Measurement of the Dielectric Properties of GaAs and CdTe at Щ 300 К and 8 К /C.J. Johnson, G.H. Sherman, R. Weil //Applied Optics. 1969. — Vol.8.1. No.8. P.1667−1671.
  40. Gribnikov Z.S. Nonlocal and nonlinear transport in semiconductors: Real-space transfer effects /Z.S. Gribnikov, K. Hess, G.A. Kosinovsky //Journal of Applied Physics. 1995. -Vol.77. -No.4. — P. 1337−1373.
  41. А.В. Осцилляции тока при латеральном транспорте в гетероструктурах GaAs/InGaAs с квантовыми ямами /А.В. Антонов, В. И. Гавриленко, Е. В. Демидов, Б. Н. Звонков, Е. А. Ускова //ФТП. 2005. — Т.39. — Вып.1. — С.53−58.
  42. В.М. Акустоэлектрический домен в пьезополупроводниках: зарождение и свойства //ФТТ. 1997. — Т.39. — Вып.5. — С.835−838.
  43. Balkan N. Current instabilities in GaAs/GaAlAs single and multiple quantum wells /N. Balkan, B.K. Ridley, J.S. Roberts. //Superlattices and Microstructures. — 1989. Vol.5. -No.4. — P.539−544.
  44. Belyanin A.A. Infrared generation in low-dimensional semiconductor heterostructures via quantum coherence /А.А. Belyanin, F. Capasso, V.V. Kocharovsky, VI.V. Kocharovsky, M.O. Scully //Physical Review A. 2001. — Vol.63. — No.5. — P.53 803−53 811.
  45. Belyanin A.A. Resonant parametric generation of infrared radiation on intersubband transitions in low-dimensional semiconductor heterostructures /А.А. Belyanin, F. Capasso,
  46. V.V. Kocharovsky, VI.V. Kocharovsky, D.S. Pestov, M.O. Scully //Nanotechnology 2001.- Vol.12.-P.450−452.
  47. Belyanin А.А. Three-terminal semiconductor laser for wave mixing /А.А. Belyanin, V.V. Kocharovsky, Vl.V. Kocharovsky, M.O. Scully //Physical Review A. 2002. — Vol.65.ф P.53 824−53 828.
  48. В.Я. Генерация разностной моды в полупроводниковых лазерах /В.Я. Алешкин, А. А. Афоненко, Н. Б. Звонков //ФТП. 2001. — Т.35. — Вып. 10. — С. 12 561 260.
  49. Sirtori С. Far-infrared generation by doubly resonant difference frequency mixing in a % coupled quantum well two-dimensional electron gas system /С. Sirtori, F. Capasso, J. Faist,
  50. N. Pfeiffer, K.W. West //Applied Physics Letters. 1994. — Vol.65. — No.4. — P.445−447.
  51. Korsunsky E.A. Generation of continuous-wave terahertz radiation by use of quantum interference /Е.А. Korsunsky, D.V. Kosachiov //Journal of the Optical Society of America B. 2000. — Vol. 17. — No.8. — P. 1405−1411.
  52. Chow W.W., Koch S.W. Semiconductor-Laser Fundamentals: Physics of the Gain Materials.- Springer, 1999. 324pp.
  53. Gmachl C. Recent progress in quantum cascade lasers and applications /С. Gmachl, F. Capasso, D.L. Sivco, A.Y. Cho //Reports on Progress in Physics 2001. — Vol.64. — No. l 1.- P.1533−1601.
  54. Flytzanis C. Infrared dispersion of second-order electric susceptibilities in semiconductingcompounds //Physical Review B. 1972. — Vol.6. — No.4. — P. 1264−1290.
  55. Физические величины: Справочник. /Под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. — М.: Энергоатом издат, 1991. 1232с.
  56. А.А. Новые схемы полупроводниковых лазеров и освоение терагерцового диапазона /А.А. Белянин, Д. Деппе, В. В. Кочаровский, Вл.В. Кочаровский, Д. С. Пестов, М. О. Скалли //УФН. 2003. — Т. 173. — Вып.9. — С. 1015−1021.
  57. Tokuda Y. Widely separate wavelength switching of single quantum well laser diode by injection-current control /Y. Tokuda, N. Tsukada, K. Fujiwara, K. Hamanaka, T. Nakayamaф //Applied Physics Letters. 1986. — Vol.49. — No.24. — P.1629−1631.
  58. Chen T.R. Second quantized state oscillation and wavelength switching in strained-layer multiquantum-well lasers /T.R. Chen, Y. Zhuang, Y.J. Xu, B. Zhao, A. Yariv, J. Ungar, S. Oh //Applied Physics Letters. 1992. — Vol.60. — No.24. — P.2954−2956.
  59. Kim J.K. Epitaxially-stacked multiple-active-region 1.55/mi lasers for increased differentialefficiency /J.K. Kim, E. Hall, O. Sjolund, L.A. Coldren //Applied Physics Letters. 1999. -Vol.74. — No.22. — P.3251 -3253.
  60. Ozden I. A dual-wavelength indium gallium nitride quantum well light emitting diode /I. Ozden, E. Makarona, A.V. Nurmikko, T. Takeuchi, M. Krames //Applied Physics Letters. -2001. Vol.79. — No. 16. — P.2532−2534.
  61. Malyarchuk V. Uniformity tests of individual segments of interband cascade diode laser Nanostacks® /V. Malyarchuk, J.W. Tomm, Ch. Lienau, M. Behringer, J. Luft //Journal of Applied Physics. 2002. — Vol.92. — No.5. — P.2729−2733.
  62. Berger V. Nonlinear phas matching in THz semiconductor waveguides /V. Berger, C. Sirtori //Semiconductor Science and Technology. 2004. — Vol.19. — P.964−970.
  63. С.М. Генерация суммарной гармоники в полупроводниковых лазерах ф InGaP/GaAs/InGaAs с составным резонатором /С.М. Некоркин, А. А. Бирюков, К.В.
  64. , В.Я. Алешкин, С.В. Морозов, Вл.В. Кочаровский. //Материалы симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 25−29 марта 2005. — Т.2 С.443−444.
  65. Л.Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика: Учебное пособие. В 10 т. — Т. VIII. Электродинамика сплошных сред. — М.: Наука, 1992. 664с.
  66. Blakemore J.S. Semiconducting and other major properties of gallium arsenide //Journal of Applied Physics. 1982. — Vol.53. — No. 10. — P. R123-R181.
  67. M. 980-nm aluminum-free InGaAsflnGaAsPflnGaP GRIN-SCH SL-QW lasers % /М. Ohkubo T. Ijichi, A. Iketani, T. Kikuta //IEEE Journal of Quantum Electronics. 1994.- Vol.30. No.2. — P.408−414.
  68. Ferrini R. Optical functions of InGaP/GaAs epitaxial layersfrom 0.01 to 5.5 eV /R. Ferrini, G. Guizzetti, M. Patrini, A. Parisini, L. Tarricone, B. Valenti //The European Physical Journal B. 2002. — Vol.27. — P.449−458.
  69. Р.А. Периодические волноводы. М.: Фазис, 2002. — 438с.
  70. В.П. Метод задачи Римана-Гильберта в теории дифракции и распространения электромагнитных волн. — X.: Издательство Харьковского Университета, 1971. 400с.
  71. Ward L. The optical constants of bulk materials and films. — IOP Publishing Ltd, 1994. — 294p.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!