Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Люминесцентные свойства гетероструктур Si/SiGe, легированных примесью эрбия

Диссертация: Люминесцентные свойства гетероструктур Si/SiGe, легированных примесью эрбия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Проведен теоретический анализ волноведущих свойств планарных структур Si/Sii-xGex:Er/Si. Показано, что приемлемые значения коэффициента оптического ограничения в данных волноводах достигаются при значительных толщинах слоев Sii-xGex:Er с высоким содержанием германия в них. Так, например, значения Г > 0.8 для ТЕ мод реализуются в волноводных структурах с содержанием германия 10 — 60% при толщинах… Читать ещё >

Люминесцентные свойства гетероструктур Si/SiGe, легированных примесью эрбия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1.
    • 1. 1. 1.2.
  • ГЛАВА 2.
  • ГЛАВА 3.
  • ГЛАВА 4.
  • ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ, ОПТИЧЕСКИЕ И СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ Si: Er, SiGe и SiGe: Er (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)

Люминесценция ионов Ег^ в кремниевых матрицах Оптические свойства гетероструктур Si/SiGe Люминесценция ионов Ег3+ в структурах с гетерослоями SiGe ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР Si/Sii.xGex:Er/Si Метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в атмосфере германа

Условия роста и параметры гетероструктур Si/Sii-xGex:Er/Si Структурный и элементный анализ гетероструктур Si/Sii.xGex:Er/Si Выводы к Главе

ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОСТРУКТУР Si/Sii.xGex:Er/Si, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ СУБЛИМАЦИОННОЙ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ В АТМОСФЕРЕ ГЕРМАНА Методика эксперимента

Люминесцентные свойства структур Si/Sii-xGex:Er/Si, выращенных в различных условиях Оптически активные центры иона Ег3+ в гетероструктурах Si/Sii.xGex:Er/Si

Квантовая эффективность люминесценции гетероструктур Si/Si 1 -xG^x:Er/Si в условиях оптического возбуждения Температурная зависимость фотолюминесценции

Выводы к Главе

ВОЛНОВОДНЫЕ СТРУКТУРЫ Si/Sii-xGex:Er/Si Теоретический анализ планарных и гребенчатых волноводов на основе гетероструктур Si/Sii.xGex:Er/Si Исследование волноводных свойств структур Si/Sii.xGex:Er/Si

ГЛАВА

Актуальность темы

.

Создание эффективного источника излучения на кремнии является одной из приоритетных задач оптоэлектроники. Интенсивные исследования, проводимые в последнее время в этой области, открывают новые возможности и решения в создании светоизлучающих структур на кремнии. Особый интерес здесь представляют структуры кремния, легированного редкоземельной примесью эрбия. Излучательный переход 4Ii3/2->4Ii5/2 иона Ег3+ на длине волны 1.54 мкм совпадает с окном прозрачности кварцевого волокна, что позволяет говорить о перспективах использования структур на основе Si: Er в системах волоконно-оптической связи. К настоящему времени на основе кремния, легированного эрбием, разработан целый ряд приборных структур, работающих в диапазоне температур от 4.2 до 300 К [1]. Кроме того, как показывают результаты теоретического анализа [А1], коэффициент усиления в структурах Si: Er с выделенным типом оптически активных центров может достигать значительной величины, порядка 30 см'1, что позволяет говорить о перспективах создания лазера.

Одним из необходимых условий для создания лазерных структур на основе Si: Er является эффективная локализация излучения в активном слое. Возможным вариантом реализации этого условия может быть использование гетероструктур Si/Sii-xGex:Er/Si с активным волноведущим каналом Sii-xGex, легированным эрбием. Показатель преломления слоев Sii-xGex зависит от содержания германия (X) и составляет nsn-xGex > 3.53 при X > 10% [2], обеспечивая, таким образом, необходимый для формирования эффективного волновода скачок показателя преломления.

К моменту проведения исследований, результаты которых приведены в данной диссертации, было известно лишь незначительное число работ, посвященных изучению люминесцентных свойств легированных эрбием структур с гетерослоями Sii-xGexВ частности, авторы работы [3] показали, что интенсивность эрбиевой фотолюминесценции многослойных, периодических структур Si/Sii-xGex/. значительно возрастает в случае легирования ионами Ег3″ 1″ слоев Sii-xGex. В литературе обсуждалось влияние упругих напряжений, возникающих в структурах Si: Er/Sii-xGex и Sii. xGex:Er/Si на интенсивность фотолюминесценции ионов эрбия [4, 5] и увеличение эффективности электролюминесценции в содержащих слой Si]. xGex светоизлучающих диодных и транзисторных структурах с активным слоем Si: Er [6, 7]. Содержание германия во всех исследовавшихся слоях Sii-xGex не превышало 16.5%. Отсутствовали систематические исследования люминесцентных свойств легированных эрбием слоев Sij. xGex, в том числе с достаточной для волноводного распространения излучения толщиной слоя и содержанием германия в нем.

В данной диссертационной работе изучены люминесцентные свойства структур с легированными эрбием гетерослоями Sii-xGex толщиной до 2.3 мкм и содержанием германия до 30%. Исследованы процессы формирования оптически активных центров иона еЛ вносящих преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции. В исследованных гетероструктурах проведен теоретический и экспериментальный анализ таких важных, с точки зрения оптоэлектронных приложений, характеристик, как волноводное распространение излучения, квантовая эффективность фотолюминесценции и условия достижения инверсной населённости энергетических состояний иона Ег34″ .

Цели работы:

1. Изучение люминесцентных свойств гетероэпитаксиальных структур Si/Sii-xGex:Er/Si. Экспериментальное исследование эффективности эрбиевой фотолюминесценции (ФЛ) и особенностей ФЛ ионов Ег3″ 1″ в слоях Sii-xGex:Er в зависимости от их структурных параметров.

2. Изучение оптически активных центров иона Ег3″ 1″, преобладающих в спектрах низкотемпературной фотолюминесценции структур Si/Sii-xGex:Er/Si. Определение условий их формирования и температурной зависимости интенсивности фотолюминесценции.

3. Проведение теоретического анализа и экспериментальных исследований волноведущих свойств гетероструктур Si/Sii-xGex:Er/Si на длине волны 1.54 мкм.

4. Поиск условий достижения инверсной населенности энергетических уровней иона Ег3″ 1″ при оптическом возбуждении.

Научная новизна работы.

1. Проведено исследование люминесцентных свойств гетероструктур Si/Sii-xGex:Er с содержанием германия до 30%, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) кремния и эрбия из поликристаллических источников в атмосфере германа.

2. Определена внешняя и внутренняя квантовая эффективность фотолюминесценции в структурах Si/Sii.xGex:Er/Si при температурах Т = 4.2 К и Т= 77 К.

3. В структурах Si/Sii-xGex'.Er/Si обнаружен новый оптически активный центр иона Ег3″ 1″ -центр Er-Gel. Определены условия формирования данного центра в зависимости от состава твердого раствора Sii-xGex.

4. Экспериментально показано наличие волноводного характера распространения излучения на длине волны 1.54 мкм в структурах Si/Sii.xGex:Er/Si.

5. Показана возможность достижения инверсной населённости уровней ионов Ег3+ в структурах Si/Sij-xGex:Er/Si. Проведены детальные исследования зависимости концентрации оптически активных центров иона эрбия, находящихся в возбужденном состоянии, от плотности мощности оптического возбуждения.

Научная и практическая значимость работы.

Научная значимость полученных результатов заключается в определении основных закономерностей люминесценции эрбиевой примеси в гетероструктурах Si/Sii-xGex:Er/Si с содержанием германия до 30%, выявлении условий формирования оптически активных центров редкоземельной примеси в этих материалах, их взаимодействия с другими примесями и дефектами структуры. Установлено, что при X > 25% в спектре фотолюминесценции структур Si/Sii.xGex:Er/Si доминирует германий-содержащий оптически активный эрбиевый центр Er-Gel, не характерный для легированных эрбием слоев кремния. Определена внутренняя квантовая эффективность ФЛ ионов Ег3+ в структурах Si/Sii-xGex:Er/Si, значение которой достигает 15% при Т= 4.2 К.

Практическая значимость работы заключается в обнаружении таких важных, с точки зрения приборных применений, свойств, как достижение инверсной заселенности уровней иона Ег3+ и волноводное распространение излучения с длиной волны 1.54 мкм в структурах Si/Sii.xGex:Er/Si.

Полученные в работе новые результаты являются важными, как для понимания фундаментальных свойств легированных эрбием кремний-германиевых структур, так и для изучения физических основ их возможных оптоэлектронных приложений.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. В слоях Si/Sii-xGex:Er, выращенных методом сублимационной МЛЭ кремния и эрбия из поликристаллических источников в атмосфере германа, формируются оптически активные центры иона Ег3+, свойства которых зависят от молевого состава твердого раствора и содержания кислорода в нем.

2. Внутренняя квантовая эффективность ФЛ центров иона Ег3″ 1″ в структурах Si/Sii-xGex'.Er при Т = 4.2 К достигает значений, сравнимых с аналогичной величиной для структур Si/Si:Er.

3. В эпитаксиальных слоях Sii-xGex:Er с содержанием германия > 25% формируется оптически активный центр иона Ег3″ 1″, центр Er-Gel, с линиями люминесценции.

6508.1 см" 1, 6481.6 см1, 6468.1 см" 1, 6443.5 см" 1, 6423.8 см" 1, 6333 см" 1, 6303 см" 1, не характерный для легированных эрбием слоев кремния.

4. Степень релаксации гетерослоя Sii. xGex:Er оказывает незначительное влияние на интенсивность люминесценции примеси Ег в условиях оптического возбуждения.

5. При высоких уровнях оптического возбуждения (Рв0Эб > 0.05 Вт/см) в структурах Si/Sii.xGex:Er достигается инверсная заселенность энергетических уровней иона Ег3*.

6. Структуры Si/Sii.xGex:Er/Si с толщиной слоя твердого раствора ~ 1 мкм обеспечивают волноводный характер распространения излучения на длине волны 1.54 мкм.

Апробация результатов работы.

Результаты диссертационной работы опубликованы в 9 статьях в реферируемых научных журналах и сборниках, и докладывались на 15 международных, национальных и всероссийских конференциях и совещаниях: международном совещании НАТО по передовым направлениям исследований в области создания лазера на кремнии (NATO Advanced Research Workshop 'Towards the first silicon laser", Тренто, Италия, 2002 г.) — 32-ой международной школе по физике полупроводниковых соединений (XXXII International School on the Physics of Semiconducting Compounds «Jaszowiec 2003», Яшовец, Польша, 2003 г.) — 12 международном Феофиловском симпозиуме по спектроскопии кристаллов, активированных редкоземельными ионами и ионами переходных металлов (XII Feofilov symposium on spectroscopy of crystals activated by rare-earth and transitional metal ions, Екатеринбург, Россия, 2004 г.) — 11 национальной конференции по росту кристаллов «НКРК-2004» (Москва, Россия, 2004 г.) — 5-ой международной конференции по фотонике, приборам и системам (The 5th International Conference on Photonics, Devices and Systems «PHOTONICS PRAGUE 2005», Прага, Чехия, 2005 г.) — 3-й международной конференции по материалам для передовых технологий и 9-ой международной конференции по передовым материалам (3rd Int. Conference on Materials for Advanced Technologies ICMAT-2005 & 9th Int. Conference on Advanced Materials ICAM-2005, Сингапур, 2005) — международных конференциях Европейского материаловедческого сообщества (E-MRS Spring Meeting, Страсбург, Франция 2004 г., 2005 г., 2007 г., Ницца, Франция, 2006 г.) — 7-ой Российской конференции по физике полупроводников (Звенигород, Россия, 2005 г.) — всероссийском совещании «Нанофотоника 2004» (Н. Новгород 2004 г.) — всероссийских симпозиумах «Нанофизика и наноэлектроника» (Н. Новгород 2005 г., 2006 г., 2007 г.). Результаты работы были представлены на VIII и IX Нижегородской сессиях молодых ученых, а так же обсуждались на семинарах ИФМ РАН и ННГУ.

Публикации.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах [А1-А26]. Полный список опубликованных работ по теме диссертации включает 9 статей в реферируемых научных журналах и сборниках и 17 публикаций в сборниках тезисов докладов и трудов конференций, симпозиумов и совещаний. Список работ приводится в заключительном разделе диссертации.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка публикаций автора и списка цитируемой литературы, содержащего 158 наименований. Объем диссертации составляет 145 страниц, включая 58 рисунков и 2 таблицы.

5.6. Выводы к Главе 5.

Проведены исследования кинетики фотолюминесценции структур Si/Si[.xGex:Er/Si при высоких уровнях оптического возбуждения. Показано, что по результатам исследований и анализа кинетики ФЛ можно судить о соотношении концентраций ионов Ег3*, находящихся в основном и возбужденном состояниях. Экспериментально продемонстрирована возможность достижения инверсной населённости энергетических состоянии иона Ег3* в структурах Si/Sii.xGex:Er/Si. Показано, что при плотности мощности возбуждающего излучения ~2 Вт/см2 значение инверсии в исследованных структурах может достигать 4, что соответствует условию нахождения -80% оптически активных ионов эрбия в возбужденном состоянии. Особое внимание было уделено исследованию кинетик ФЛ для различных типов оптически активных центров иона Ег3*, а также изучению зависимостей нарастания и спада сигнала ФЛ центров одного типа, формирующихся в образцах с разными структурными характеристиками. Продемонстрирована зависимость условий экспериментального наблюдения инверсной населенности от типа оптически активных центров иона эрбия и степени совершенства гетероэпитаксиальных структур.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В результате выполненных исследований люминесцентных и волноводных свойств гетероструктур Si/Si ixGex: Ег/Si получены следующие основные результаты:

1. Исследованы люминесцентные свойства гетероэпитаксиальных структур Si/SiuxGex:Er/Si, выращенных методом сублимационной МЛЭ кремния и эрбия из поликристаллических источников в атмосфере германа при Т = 500 °C. Интенсивность сигнала эрбиевой фотолюминесценции в структурах Si/Sii.xGex:Er/Si растет с толщиной активного гетерослоя Sii-xGex:Er. Степень релаксации гетерослоя незначительно влияет на интенсивность сигнала ФЛ редкоземельной примеси.

2. Проведена оценка квантовой эффективности фотолюминсценции исследованных структур. Показано, что внешняя квантовая эффективность ФЛ гетероструктур Si/Sii.xGex:Er/Si достигает 0.28% при Т = 4.2 К и мощности возбуждающего излучения ~ 4 мВт. Полученная величина сравнима с внешней квантовой эффективностью структур Si/Si:Er. Внутренняя квантовая эффективность ФЛ структур Si/Sii-xGex:Er/Si при Т= 4.2 К и мощности возбуждающего излучения ~ 4 мВт достигает величины ~ 15%.

3. В слоях Sii-xGex:Er обнаружен и идентифицирован оптически активный центр иона Ег3+, центр Er-Gel, представленный 7 линиями в спектрах ФЛ с максимумами, соответствующими волновым числам 6508.1 см*1, 6481.6 см" 1, 6468.1 см" 1, 6443.5 см" 1, 6423.8 см" 1, 6333 см'1, 6303 см'1. Формирование данного центра происходит при содержании германия в слоях более 25%.

4. Проведен теоретический анализ волноведущих свойств планарных структур Si/Sii-xGex:Er/Si. Показано, что приемлемые значения коэффициента оптического ограничения в данных волноводах достигаются при значительных толщинах слоев Sii-xGex:Er с высоким содержанием германия в них. Так, например, значения Г > 0.8 для ТЕ мод реализуются в волноводных структурах с содержанием германия 10 — 60% при толщинах волноводного слоя > 1.2 — 0.4 мкм, соответственно. Одномодовый режим в рассмотренных структурах для ТЕ мод реализуется при толщине волноводного слоя < 1.93 мкм, при содержании германия X = 10%, для структур с содержанием германия 60% соответствующая толщина активного слоя составляет 0.57 мкм. Влияние толщины покровного слоя кремния на локализацию мод в волноводном слое существенным образом сказывается в структурах с малым содержанием германия (X ~ 10%).

5. Методом низкокогерентной интерферометрии показан волноводный характер распространения света с длиной волны 1.54 мкм в гетероэпитаксиальных структурах Si/Si,.xGex:Er/Si.

6. Исследована кинетика фотолюминесценции структур Si/Sii.xGex:Er/Si при высоких уровнях оптического возбуждения. Показано, что при импульсном характере возбуждающего излучения времена нарастания и спада сигнала ФЛ зависят от уровня накачки. На основании соотношения этих времен делается вывод о возможности достижения инверсной населённости энергетических состояний иона Ег3* в структурах Si/Si 1 -xGex:Er/Si. При плотности мощности возбуждающего излучения ~2 Вт/см2 около 80% оптически активных ионов эрбия в структуре находится в возбужденном состоянии, что соответствует значению инверсии, равному 4. * *.

В заключение автор выражает искреннюю признательность и благодарность научному руководителю, профессору З. Ф. Красильнику и М. В. Степиховой за интересную тему, постоянное внимание к работе и всестороннюю поддержку, оказанные при подготовке диссертационной работы. Автор благодарит В. Г. Шенгурова, В. Ю. Чалкова и других сотрудников группы эпитаксиальных технологий НИФТИ ННГУ за предоставленные для исследований образцы и сотрудничество в разработке структур Si/Sii-xGex:Er/Si, выращиваемых методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии из поликристаллических источников в атмосфере гарманаЮ. Н. Дроздова за проведение рентгенодифракционных измерений, Б. Я. Бера за проведение ВИМС-анализа структур Si/Sii.xGex:Er/SiП.А. Шиляева и М. В. Шалеева за АСМ исследования морфологии поверхности изученных в работе гетероструктур. Автор благодарен сотрудникам отдела 120 ИФМ РАН В. В. Иванову и С. С. Уставщикову, а также профессору МГУ В. Ю. Тимошенко и коллективу кафедры общей физики и молекулярной электроники МГУ за плодотворные совместные исследования и обсуждение полученных результатов. Автор выражает признательность сотрудникам отдела 110 ИФМ РАН за плодотворные дискуссии, ценные советы и доброжелательную поддержку в процессе написания диссертационной работы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Shengurov, M.V. Stepikhova, V.Yu. Timoshenko, D.M. Zhigunov // in «Photonics, Devices, and Systems III», Eds. Pavel Tomanek, Miroslav Hrabovsky, Miroslav Miler, Dagmar Senderakova, Proc. of SPIE. 2006. — V. 6180. — P. 61800L1−61800L8.
  2. Публикации в сборниках трудов конференций, симпозиумов и совещаний:
  3. A12. Красильникова, JI.B. Анализ коэффициента усиления и исследование люминесцентных свойств гетероструктур Si/Sii-xGex:Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в газовой фазе / JI.B.
  4. Coffa, S. Silicon-Based Optoelectronics / S. Coffa, L. Tsybeskov // MRS Bulletin. 1998. -V. 23, № 4.-P. 16−19.
  5. Humlicek, J. Properties of Strained and Relaxed Silicon Germanium // ed. by E. Kasper, INSPEC, the Institution of Electrical Engineers, London, U.K. -1995. P. 121−131.
  6. Neufeld, E. Luminescence from erbium- and oxygen-doped SiGe grown by molecular beam epitaxy / E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter, H. Bay, Ch. Buchal, H. Holzbrecher //Thin Solid Films. 1998.- V. 321, iss. 1−2. — P. 219−222.
  7. Ishiyama, T. Enhancing effect of tensile strain on photoluminescence of Er in Si on a SiGe layer / T. Ishiyama, M. Yoshida, Y. Yamashita, Y. Kamiura, T. Date, T. Hasegawa, K. Inoue, K. Okuno // Physica B. 2003. — V. 340−342. — P. 818−822.
  8. Ishiyama, T. Enhancement of photoluminescence at 1.54 цт from Er in strained Si and SiGe / T. Ishiyama, S. Yoneyama, Y. Yamashita, Y. Kamiura, T. Date, T. Hasegawa, K. Inoue, K. Okuno // Physica B. 2006. — V. 376−377. — P. 122−125.
  9. Ni, Wei-Xin. Light emitting SiGe/i-Si/Si:Er:0 tunneling diodes prepared by molecular beam epitaxy / Wei-Xin Ni, Chun-Xia Du, Fabrice Duteil, Galia Pozina, Goran V. Hansson //Thin Solid Films. 2000. — V. 369, iss. 1−2. — P. 414−418.
  10. Du, Chun-Xia. Efficient 1.54 pm light emission from Si/SiGe/Si:Er:0 transistors prepared by differential MBE / Chun-Xia Du, Fabrice Duteil, Goran V. Hansson, Wei-Xin Ni // Materials Science and Engineering B. 2001. — V. 81, iss. 1−3. — P. 105−108.
  11. , H. 1.54-pm luminescence of erbium-implanted III-V semiconductors and silicon / H. Ennen, J. Schneider, G. Pomrenke, A. Axmann // Appl. Phys. Lett. 1983. — V. 43. — P. 943−945.
  12. , И. Б. Электронное строение и свойства координационных соединений / И. Б. Берсукер. // Л.: Химия, 1976. 348 с.
  13. Lea, К. R. The raising of angular momentum degeneracy of f-electron terms by cubic crystal fields / K. R. Lea, M. J. M. Leask and W. P. Wolf// J. Phys. Chem. Solids. 1962. -V. 23.-P. 1381−1405.
  14. Coffa, S. Direct evidence of impact excitation and spatial profiling of excited Er in light emitting Si diodes / S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Pacelli, A. Lacaita // Appl. Phys. Lett.- 1998.-V. 73.-P. 93−95.
  15. Palm, J. Electroluminescence of erbium-doped silicon / J. Palm, F. Gan, B. Zheng, J. Michel, L. C. Kimmerling // Physical Review B. 1996. — V. 54. — P. 17 603−17 615.
  16. Rogers, J. L. Erbium-doped silicon films grown by plasma-enhanced chemical-vapor deposition / J. L. Rogers, P. S. Andry, W. J. Varhue, E. Adams, M. Lavoie, P.B. Klein // J. Appl. Phys. 1995. — V. 78, № 2. — P. 6241−6248.
  17. Andry, P. S. Low-temperature growth of Si: Er by electron cyclotron resonance PECVD using metal organics / P. S. Andry, W. J. Varhue, E. Adams, R. Lavoie, P. B. Klein, R. Hengehold, J. Hunter // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1996. — V. 422. — P. 57.
  18. Markman, M. Excitation efficiency of electrons and holes in forward and reverse biased epitaxially grown Er-doped Si diodes / M. Markman, E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter // Appl. Phys. Lett. 2001. — V. 78. — P. 210−212.
  19. Markman, M. Enchancement of erbium photoluminescence by substitutional С alloying of Si / M. Markman, E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, G. Abstreiter, Ch. Buchal // Appl. Phys. Lett. 1999. — V. 75. — P. 2584−2586.
  20. Eaglesham D. J. Microstructure of erbium-implanted Si / D. J. Eaglesham, J. Michel, E. A. Fitzgerald, D. C. Jacobson, J. M. Poate, J. L. Benton, A. Polman, Y.-H. Xie, L. C. Kimerling // Appl. Phys. Lett. -1991. V. 58, № 24. — P. 2797−2799.
  21. Polman, A. Incorporation of high concentrations of erbium in crystal silicon / A. Polman, J. S. Custer, E. Snoeks, G. N. van den Hoven // Appl. Phys. Lett. 1993. — V. 62. — P. 507 509.
  22. Serna, R. Segregation and trapping of erbium during silicon molecular beam epitaxy / R. Serna, M. Lohmeier, P. M. Zagwijn, E. Vlieg, A. Polman // Appl. Phys. Lett. 1995. — V. 66, iss. 11.-P. 1385−1387.
  23. Serna, R. Incorporation and optical activation of erbium in silicon using molecular beam epitaxy / R. Serna, J. H. Shin, M. Lohmeier, E. Vlieg, A. Polman // J. Appl. Phys. 1996. -V. 79, iss. 5. — P. 2658−2662.
  24. Favennec, P. N. Optical activation of Er3+ implanted in silicon by oxygen impurities / P. N. Favennec, H. L. Haridon, D. Moutonnet, M. Salvi, M. Gauneau // Jap. J. Appl. Phys. -1990. V. 29, № 4. — P. L524-L526.
  25. Adler, D. L. Local structure of 1.54-pm-luminescence Er3+ implanted in Si / D. L. Adler, D. C. Jacobson, D. J. Eaglesham, M. A. Marcus, J. L. Benton, J. M. Poate, P. H. Citrin // Appl. Phys. Lett. -1992. V. 61. — P. 2181−2183.
  26. Polman, A. Erbium in crystal silicon: optical activation, excitation, and concentration limits / A. Polman, G. N. van den Hoven, J. S. Custer, J. H. Shin, R. Serna, P. F. A. Alkemade // J. Appl. Phys. 1995. — V. 77. — P. 1256−1262.
  27. Coffa, S. Temperature dependence and quenching processes of the intra-4f luminescence of Er in crystalline Si / S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Polman, R. Serna // Phys. Rev. B. -1994.-V. 49. P. 16 313−16 320.
  28. , В. П. Слои кремния, полученные сублимацией в вакууме при температурах 600−1000°С из источников, легированных Р, As, Sb / В. П. Кузнецов, Р. А. Рубцова, Т. Н. Сергиевская, В. В. Постников // Кристаллография. 1971. — Т. 16. -С. 432−436.
  29. , В. П. Получение высоколегированных эпитаксиальных слоев кремния при низких температурах / В. П. Кузнецов, А. Ю. Андреев, Н. А. Алябина // Электрон, пром-сть. 1990. — Т. 9. — С. 57−60.
  30. Przybylinska, Н. Optically active erbium centers in silicon / H. Przybylinska, W. Jantsch, Yu. Suprun-Belevitch, M. Stepikhova, L. Palmetshofer, G. Hendorfer, A. Kozanecki, R. J. Wilson, B. J. Sealy // Phys. Rev. B. 1996. — V. 54. — P. 2532−2547.
  31. Jantsch, W. Erbium related centers in CZ-silicon / W. Jantsch, H. Przybylinska, Yu. Suprun-Belevich, M. Stepikhova, G. Hendorfer, L. Palmetshofer // Materials Science Forum. -1995. V. 196−201. — P. 609−614.
  32. Jantsch, W. Different Er centers in Si and their use for electroluminescence devices / W. Jantsch, S. Lanzerstorfer, L. Palmetshofer, M. Stepikhova, H. Preier // Journal of Luminescence. 1999. — V. 80. — P. 9−17.
  33. , M. В. Оптически активные центры ионов эрбия в кремниевых матрицах : дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07: защищена 07.12.06: утв. 11.05.07 / Степихова Маргарита Владимировна. Н. Новгород, 2006. — 144 с.
  34. , D. Е. Optical spectra and analysis of Er3+ in silicon witn С, О and N impurities / D. E. Wortman, C. A. Morrison, J. L. Bradshaw // J. Appl. Phys. 1997. — V. 82, iss. 5. -P. 2580−2583.
  35. Vinh, N. Q. Observation of Zeeman effect in photoluminescence of Er3+ ion imbedded in crystalline silicon / N. Q. Vinh, H. Przybylinska, Z. F. Krasil’nik, B. A. Andreev, T. Gregorkiewicz // Physica B: Condensed Matter. 2001. — V. 308−310. — P. 340−343.
  36. Vinh, N. Q. Microscopic structure of Er-related optically active centers in crystalline silicon / N. Q. Vinh, H. Przybylinska, Z. F. Krasil’nik, T. Gregorkiewicz // Phys. Rev. Lett. 2003. — V. 90. — P. 664 011−664 014.
  37. Vinh, N. Q. Optical properties of isoelectronic centers in crystalline silicon: PhD Thesis / Nguyen Quang Vinh. Van der Waals-Zeeman Institute, University of Amsterdam, The Netherlands, 2004.-113 p.
  38. Gusev, О. B. Excitation cross section of erbium in semiconductor matrices under optical pumping / О. B. Gusev, M. S. Bresler, P. E. Рак, I. N. Yassievich, M. Forcales, N. Q. Vinh, T. Gregorkiewicz//Phys. Rev. B. 2001. — V. 64. — P. 753 021−753 027.
  39. , M. С. Экситонный механизм возбуждения ионов эрбия в кремнии / М. С. Бреслер, О. Б. Гусев, Б. П. Захарченя, И. Н. Яссиевич // ФТТ. 1996. — Т. 38. — С. 14 741 482.
  40. Ammerlaan, С. A. J. Photoluminescence of erbium-doped silicon: excitation power dependence / C. A. J. Ammerlaan, D. Т. X. Thao, T. Gregorkiewicz, N. A. Sobolev // ФТП. 1999. — T. 33, вып 6. — C. 644−648.
  41. Davies, G. The optical properties of luminescence centres in silicon / G. Davies // Physics Reports. 1989. — V. 176, № 3−4. — P. 83−188.
  42. Yassievich, I. N. The mechanisms of electronic excitation of rare earth impurities in semiconductors /1. N. Yassievich, L. C. Kimerling // Semicond. Sci. Technol. 1993. — V. 8, № 5.-P. 718−727.
  43. Dean, P. J. New Radiative Recombination Processes Involving Neutral Donors and Acceptors in Silicon and Germanium / P. J. Dean, J. R. Haynes, W. F. Flood // Phys. Rev. -1967.-V. 161, iss. 3.-P. 711−729.
  44. Coffa, S. High efficiency and fast modulation of Er-doped light emitting Si diodes / S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo // Appl. Phys. Lett. 1996. — V. 69, iss. 14. — P. 2077−2079.
  45. Franzo, G. Mechanism and performance of forward and reverse bias electroluminescence at 1.54 цт from Er-doped Si diodes / G. Franzo, S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella // J. Appl. Phys. 1997. — V. 81. — P. 2784−2793.
  46. Priolo, F. Excitation and nonradiative deexcitation processes of Er3+ in crystalline Si / F. Priolo, G. Franzo, S. Coffa and A. Camera // Phys. Rev. B. 1998. — V. 57, № 8. — P. 44 434 455.
  47. Chen, T. D. The temperature dependence of radiative and nonradiative processes at Er-0 centers in Si / T. D. Chen, M. Platero, M. Opher-Lipson, J. Palm, J. Michel, L. C. Kimerling // Physica B. 1999. — V. 273−274. — P. 322−325.
  48. Lanzerstorfer, S. Photo- and electroluminescence of erbium-doped silicon / S. Lanzerstorfer, M. Stepikhova, J. Hartung, C. Skierbiszewski, W. Jantsch // ICDS 19, Aveiro, July 1997, Mater. Sci. Forum. 1997. — V. 258−263. — P. 1509−1514.
  49. , D. Т. X. Photoluminescence of erbium-doped silicon: Excitation power and temperature dependence / D. Т. X. Thao, C. A. J. Ammerlaan, T. Gregorkiewicz // J. Appl. Phys. 2000. — V. 88, № 3. — P. 1443−1455.
  50. Franzo, G. Room-temperature electroluminescence from Er-doped crystalline Si / G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Camera // Appl. Phys. Lett. 1994. — V 64, iss. 17. — P. 2235−2237.
  51. Шмагин, В. Б. Электролюминесценция ионов ЕгЗ+ в режиме пробоя диодной структуры p±Si/n-Si:Er/n±Si / В. Б. Шмагин, Д. Ю. Ремизов, С. В. Оболенский, Д. И. Крыжков, М. Н. Дроздов, З. Ф. Красильник // ФТТ. 2005. — Т. 47, вып. 1. — С. 120 123.
  52. Du, Chun-Xia. Room temperature 1.54 pm light emission of erbium doped Si Schottky diodes prepared by molecular beam epitaxy / Chun-Xia Du, Wei-Xin Ni, Kenneth B. Joelsson, G6ran V. Hansson // Appl. Phys. Lett. 1997. — V. 71, iss. 8. — P. 1023−1025.
  53. Du, С.-Х. Si/SiGe/Si:Er:0 light emitting transistors prepared by differential molecular-beam epitaxy / С.-Х. Du, F. Duteil, G. V. Hansson, W.-X. Ni // Appl. Phys. Lett. 2001. -V.78.-P. 1697−1699.
  54. Vinh, N.Q. Spectroscopic characterization of Er-1 center in selectively doped silicon / N. Q. Vinh, M. Klik, B. A. Andreev, T. Gregorkiewicz // Materials Science and Engineering B.-2003.-V. 105.-P. 150−152.
  55. Przybylinska, H. Microscopic Structure of Er-Related Optically Active Centers in Si / H. Przybylinska, N. Q. Vinh, B. A. Andreev, Z. F. Krasilnik and T. Gregorkiewicz. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2003. — V. 770. — P. 1711−1717.
  56. Dargys, A. Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP / A. Dargys, J. Kundrotas. Vilnius: Science and Encyclopedia Publishers, 1994. — 264 p.
  57. Физика полупроводниковых лазеров / Ред. X. Такумы. Москва: Мир, 1989. — 310 с.
  58. Pogossian, S. P. Analysis of high-confinement SiGe/Si waveguides for silicon-based optoelectronics / S. P. Pogossian, L. Vescan, and A. Vonsovici // J. Opt. Soc. Am. A. -1999.-V. 16.-P. 591−595.
  59. , М. Введение в теорию оптических волноводов / М. Адаме, редакция д. ф-м.н. И. Н. Сисакяна. Москва: Мир, 1984. — 512 е.
  60. Namavar, F. Optical waveguiding in Si/Si 1-XGeX/Si heterostructures / F. Namavar, R. A. Soref// J. Appl. Phys. -1991. V. 70. — P. 3370−3372.
  61. Temkin, H. Ge0.6Si0.4 rib waveguide avalanche photodetectors for 1.3 pm operation / H. Temkin, A. Antreasyan, N. A. Olsson, T. P. Pearsall, J. C. Bean // Appl. Phys. Lett. 1986. -V. 49.-P. 809−811.
  62. Temkin, H. GeXSil-X strained-layer superlattice waveguide photodetectors operating near 1.3 pm / H. Temkin, T. P. Pearsall, J. C. Bean, R.A. Logan and S. Luryi // Appl. Phys. Lett. 1986. -V. 48.-P. 963−965.
  63. Yang, Z. Effect of Ge concentration on the propagation characteristics of SiGe/Si heterojunction waveguides / Z. Yang, B. L. Weiss, G. Shao, F. Namavar // J. Appl. Phys. -1995.-V. 77. P. 2254−2257.
  64. Pogossian, S. P. High-confinement SiGe low-loss waveguides for Si-based optoelectronics / S. P. Pogossian, L. Vescan, A. Vonsovici // Appl. Phys. Lett. 1999. — V. 75. — P. 14 401 442.
  65. Rickman, A. G. Silicon-on-insulator optical rib waveguide loss and mode characteristics / A. G. Rickman, G. T. Reed, F. Namavar // J. Lightwave Technol. 1994. — V. 12. — P. 1771−1776.
  66. Lee, К. K. Effect of size and roughness on light transmission in a Si/Si02 waveguide: experiments and model / К. K. Lee, D. R. Lim, H.-C. Luan, A. Agarwal, J. Foresi, L. C. Kimerling//Appl. Phys. Lett. 2000. — V. 77. — P. 1617−1619.
  67. Liu, Y. M. Deeply-etched singlemode GeSi rib waveguides for silicon-based optoelectronic integration / Y. M. Liu, P. R. Prucnal // Electron. Lett. 1992. — V. 28. — P. 1434−1435.
  68. Schuppert, B. Integrated optics in silicon and SiGe-heterostructures / B. Schuppert, J. Schmidchen, A. Splett, U. Fischer, T. Zinke, R. Moosburger, K. Peterman // J. Lightwave Technol. 1996. — V. 14. — P. 2311−2323.
  69. Lea, E. Characteristics of photoelastic waveguides in SiGe/Si heterostructures / E. Lea, B. L. Weiss // Electron. Lett. 1997. — V. 33. — P. 292−293.
  70. Soref, R. A. Optical waveguiding in a single-crystal layer of germanium silicon grown on silicon / R. A. Soref, F. Namavar, J. P. Lorenzo // Opt. Lett. 1990. — V. 15. — P. 270−272.
  71. Splett, A. Low loss optical rigde waveguides in a strained GeSi epitaxial layer grown on silicon / A. Splett, J. Schmidtchen, B. Schuppert, K. Petermann, E. Kasper, H. Kibbel // Electron. Lett. 1990. — V. 26. — P. 1035−1037.
  72. Pesarcik, S. F. Silicon germanium optical waveguides with 0.5 dB/cm losses for singlemode fibre optic systems / S. F. Pesarcik, G. V. Treyz, S. S. Iyer, J. M. Halbout // Electron. Lett. 1992. — V. 28. — P. 159−160.
  73. Lareau, R. D. Waveguided electro-optical intensity modulation in a Si/GeXSil-X/Si heterojunction bipolar transistor / R. D. Lareau, L. Friedman, R. A. Soref // Electron. Lett. -1990.-V. 26.-P. 1653−1655.
  74. Stoica, T. Misfit dislocations in finite lateral size Sii-xGex films grown by selective epitaxy/T. Stoica, L. Vescan//J. Cryst. Growth, iss. 1−2. 1993. — V. 131. — P. 32−40.
  75. Soref, R. A. Large single-mode rib waveguides in GeSi-Si and Si-on-Si02 / R. A. Soref, J. Schmidtchen, K. Petermann // J. Quantum Electron. -1991. V. 27. — P. 1971−1974.
  76. Rickman, A. Low-loss planar optical waveguides fabricated in SIMOX material / A. Rickman, G. T. Reed, B. L. Weiss, F. Namavar // Photon. Technol. Lett. 1992. — V. 4. — P. 633−635.
  77. Schmidtchen, J. Low-loss singlemode optical waveguides with large cross section in silicon-on-insulator / J. Schmidtchen, A. Splett, B. Schuppert, K. Petermann, G. Burbach // Electron. Lett. -1991. V. 27, iss. 16. — P. 1486−1488.
  78. Gad, M. A. Loss measurements of Er-doped silicon-on-insulator waveguides / M. A. Gad, J. H. Evans-Freeman, N. Cinosi, J. Sarma // Materials Science and Engineering B. 2003. -V. 105.-P. 79−82.
  79. Dismukes, J. P. Lattice parameter and density in silicon-germanium alloys / J. P. Dismukes, L. Ekstrom, R. J. Paff//J. Phys. Chem. 1964. — V. 68. — P. 3021−3027.
  80. Braunstein, R. Intrinsic optical absorption in germanium-silicon alloys / R. Braunstein, A. R. Moore, F. Herman // Phys.Rev. 1958. — V. 109. — P. 695−710.
  81. Weber, J. Near-band-gap photoluminescence of Si-Ge alloys / J. Weber, M. I. Alonso // Phys. Rev. B. 1989. — V. 40. — P. 5683−5693.
  82. Krishnamurthy, S. Generalized Brooks' formula and the electron mobility in SiXGel-X alloys / S. Krishnamurthy, A. Sher, A.-B. Chen // Appl. Phys. Lett. 1985. — V. 47. — P. 160−162-
  83. Krishnamurthy, S. Band structures of SixGel-x alloys / S. Krishnamurthy, A. Sher, A.-B. Chen // Phys. Rev. B. 1986. — V. 33. — P. 1026−1035.
  84. Kasper, E. Group IV Compounds / E. Kasper, F. Schaffler // In Semiconductors and Semimetals. Academic Press, Boston, ed. by P.Pearsell. -1991. V. 33. — P. 233−307.
  85. Paul, D. J. Si/SiGe heterostructures: from material and physics to devices and circuits / D. J. Paul // Semicond. Sci. Technol. 2004. — V. 19. — P. R75-R108.
  86. Matthews, J. W. Defects in epitaxial multilayers. Preparation of almost perfect multilayers / J. W. Matthews, A. E. Blakeslee // J. Cryst. Growth. 1976. — V. 32. — P. 265 -273.
  87. People, R. Indirect band gap of coherently strained GexSil-x bulk alloys on <001) silicon substrates / R. People // Phys. Rev. B. 1985. — V. 32. — P. 1405−1408-
  88. People, R. Indirect band gap and band alignment for coherently strained SixGel-x bulk alloys on germanium (001) substrates / R. People // Phys. Rev. B. 1986. — V. 34. — P. 2508−2510.
  89. Van de Walle, C. G. Theoretical calculations of heterojunction discontinuities in the Si/Ge system / C. G. Van de Walle, R. M. Martin // Phys. Rev. B. 1986. — V. 34. — P. 5621−5634.
  90. Lang, D. V. Measurement of the band gap of GexSil-x/Si strained-layer heterostructures / D. V. Lang, R. People, J. C. Bean, A. M. Sergent // Appl. Phys. Lett. 1985. — V. 47. — P. 1333−1335.
  91. Dutartre, D. Excitonic photoluminescence from Si-capped strained Sii-xGex layers / D. Dutartre, G. Bremond, A. Souifi, T. Benyattou // Phys. Rev. B. -1991. V. 44. — P. 1 152 511 527.
  92. Shiraki, Y. Fabrication technology of SiGe hetero-structures and their properties / Y. Shiraki, A. Sakai // Surface Science Reports. 2005. — V. 59. — P. 153−207.
  93. Handbook of optical constants of solids / E. D. Palik ed. Orlando: Academic Press, 1985. — 119c
  94. Neufeld, E. Photo- and electroluminescence characterization of erbium doped SiGe / E. Neufeld, A. Sticht, K. Brunner, H. Riedl, G. Abstreiter, H. Holzbrecher, H. Bay // J. Vac. Sci. Technol. B. -1998.- V. 16. P. 2615−2618.
  95. Duteil, F. Er/O doped Sil-XGeX alloy layers grown by MBE / F. Duteil, С.-Х. Du, K. Jarrendahl, W.-X. Ni, G. V. Hansson // Optical Materials. 2001. — V. 17. — P. 131−134.
  96. Ishiyama, T. Photoluminescence of Er in strained Si on SiGe layer / T. Ishiyama, S. Nawae, T. Komai, Y. Yamashita, Y. Kamiura, T. Hasegawa, K. Inoue, K. Okuno // J. Appl. Phys. 2002. — V. 92, № 7. — P. 3615−3619.
  97. Tolomasov, V. A. Heteroepitaxy of Sii-xGex layers on Si (100) substrates from atomic Si and molecular GeH4 beams / V. A. Tolomasov, L. K. Orlov, S. P. Svetlov, R. A. Rubtsova,
  98. A. D. Gudkova, A. V. Komaukhov, A. V. Potapov, Y. N. Drozdov // Crystallography Reports. 1998. — V. 43, №. 3. — P. 493−498.
  99. Svetlov, S. P. A Sublimation Silicon Molecular-Beam Epitaxy System / S. P. Svetlov, V. G. Shengurov, V. A. Tolomasov, G. N. Gorshenin, V. Yu. Chalkov // Instruments and Experimental Techniques. 2001. — V. 44, № 5. — P. 700−703.
  100. , А. Н. Давление паров химических элементов / А. Н. Несмеянов. Москва: АН СССР, 1961.-396 с.
  101. Svetlov, S. P. A Device for Sublimation Molecular Beam Deposition of Erbium-Doped Silicon Films / S. P. Svetlov, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov // Instruments and Experimental Techniques. 2000. — V. 43, № 4. — P. 564−566.
  102. Wilson, R. G. Secondary ion mass spectrometry: a practical handbook for depth profiling and bulk impurity analysis / R. G. Wilson, F. A. Stevie, C. W. Magee.- New York, John Wiley and Sons, 1989. 300 p.
  103. Fuster, P. F. X-Ray scattering from semiconductors / P. F. Fuster. London: Imperial College Press, 2000. — 287 p.
  104. , Д.К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер. СПб.: Наука, 2002. — 274 с.
  105. , Ю. Н. Рентгеновская дифрактометрия эпитаксиальных гетероструктур с большим рассогласованием периодов решеток / Ю. Н. Дроздов // Известия РАН, сер. физическая. 2005. — Т. 69, № 2. С. 264−268.
  106. Shengurov, V. G. Erbium Vaporization from Silicon in Vacuum / V. G. Shengurov, S. P. Svetlov, V. Yu. Chalkov, A. G. Meshkov // Inorganic Materials. 2003. — V. 39, № 2. — P. 93−95.
  107. Chen, L. P. Boron incorporation in Sii-xGex films grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition using Si2H6 and GeH4 / L. P. Chen, С. T. Chou, G. W. Huahg, W. C. Tsai, C. Y. Chang // Appl. Phys. Lett. 1995. — V. 67. iss. 20. p. 3001−3003.
  108. Ohtani, N. Surface hydrogen effects on Ge surface segregation during silicon gas source Molecular Beam Epitaxy / N. Ohtani, S. Mokler, M. H. Xie, J. Zhang, B. A. Joyce // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. — V. 33, № 4. — P. 2311−2316.
  109. Sakai, A. Ge growth on Si using atomic hydrogen as a surfactant / A. Sakai, T. Tatsumi // Appl. Phys. Lett. 1994. — V. 64, iss. 1. P. 52−54.
  110. Weber, J. Near-band-gap photoluminescence of Si-Ge alloys / J. Weber, M. I. Alonso // Phys. Rev. B. 1989. — V. 40. — P. 5683−5693.
  111. Fukatsu, S. Time-resolved D-band luminescence in strain-relieved SiGe/Si / S. Fukatsu, Y. Mera, M. Inoue, K. Maeda, H. Akiyama, H. Sakaki // Appl. Phys. Lett. 1996. — V. 68. — P. 1889−1891.
  112. Kveder, V. V. Photoluminescence studies of relaxation processes in strained Sil-xGex/Si epilayers / V. V. Kveder, E. A. Steinman, H. G. Grimmeiss // J. Appl. Phys. 1995. — V. 78. — P. 446−450.
  113. Tilly, L. P. Near band-edge photoluminescence in relaxed Sil xGex layers / L. P. Tilly, P. M. Mooney, J. O. Chu, F. K. LeGoues // Appl. Phys. Lett. — 1995. — V. 67. — P. 24 882 490.
  114. Souifi, A. Effect of rapid thermal annealing on the photoluminescence properties of SiGe/Si heterostructures / A. Souifi, T. Benyattou, G. Guillot, G. Bremond D. Dutartre, P. Warren // J. Appl. Phys. 1995. — V. 78. — P. 4039−4045.
  115. Bremond, G. Photoluminescence and electrical characterization of SiGe/Si heterostructures grown by rapid thermal chemical vapour deposition / G. Bremond, A. Souifi, T. Benyattou, D. Dutartre // Thin Solid Films. 1992. — V. 222. — P. 60−68.
  116. Tanaka, K. Photoluminescence spectra of deformed Si-Ge alloy / К. Tanaka, M. Suezawa, I. Yonenaga// J. Appl. Phys. 1996. — V. 80. — P. 6991−6996.
  117. Shum, K. Dislocation-related photoluminescence peak shift due to atomic interdiffusion in SiGe/Si / K. Shum, P. M. Mooney, J. O. Chu // Appl. Phys. Lett. 1997. — V. 71. — P. 10 741 076.
  118. Binetti, S. Optical properties of oxygen precipitates and dislocations in silicon / S. Binetti, S. Pizzini, E. Leoni, R. Somaschini, A. Castaldini, A. Cavallini // J. Appl. Phys. 2002. -V. 92. — P. 2437−2445.
  119. King, 0. Impurity-related photoluminescence from silicon at room temperature / O. King, D. G. Hall // Phys. Rev. B. 1994. — V. 50. — P. 10 661−10 665.
  120. Mooney, P. M. Strain relaxation and dislocations in SiGe/Si structures / P. M. Mooney // Mat. Sci. Eng. -1996. V. R17. — P. 105−146.
  121. Kohler, R. SiGe/Si layers early stages of plastic relaxation / R. Kohler, H. Raidt, W. Neumann, J-U. Pfeiffer, H. Schafer, U. Richter // Journal of Phys. D: Appl. Phys. — 2005. -V. 38.-P. 319−327.
  122. Haynes, J. R. Experimental observation of the excitonic molecule / J. R. Haynes // Phys. Rev. Lett. 1966. — V. 17, iss. 16. — P. 860−862.
  123. Vouk, M. A. An investigation of the recombination radiation from the electron-hole condensate in intrinsic silicon / M. A. Vouk, E. C. Lightowlers // J. Phys. C: Solid State Phys. -1975. V. 8. — P. 3695−3702.
  124. Hammond, R. B. Temperature dependence of the electron-hole-liquid luminescence in Si / R. B. Hammond, Т. C. McGill, J. W. Mayer // Phys. Rev. B. 1976. — V. 13, iss. 8. — P. 3566−3575.
  125. Properties of Silicon. EMIS Datareviews Series 4. London: IEE, 1988. — P. 72−79.
  126. А. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов / А. Абрагам, Б. Блини. М.: Мир, 1973. — Т. 1,2. — 651,349 с.
  127. , В. Я. Физика квантовых низкоразмерных структур / В. Я. Демиховский, Г. А. Вугальтер. М.: Логос, 2000. — 248 с.
  128. , М. Введение в теорию оптических волноводов / М. Адаме. М.: Мир, 1984. -512 с.
  129. Serna, R. Incorporation and optical activation of erbium in silicon using molecular beam epitaxy / R. Serna, J. H. Shin, M. Lohmeier, E. Vlieg, A. Polman, P. F. A. Alkemade // J. Appl. Phys. 1996. — V. 79, iss. 5. — P. 2658−2662.
  130. Polman, A. Erbium implanted thin film photonic materials / A. Polman // J. Appl. Phys. -1997.-V. 82, iss. l.-P. 1−39.
  131. Takahei, K. Energy transfer in rare-earth-doped III-V semiconductors / K. Takahei, A. Taguchi // Mater. Sci. Forum. -1992. V. 83−87. — P. 641−652.
  132. АСМ атомно-силовая микроскопия,
  133. ВИМС метод масс-спектрометрии вторичных ионов,
  134. ИФМ институт физики микроструктур Российской академии наук, 1. РАН
  135. МЛЭ молекулярно-лучевая эпитаксия,
  136. НИФТИ Нижегородский исследовательский физико-технический институт при
  137. ННГУ Нижегородском государственном университете,
  138. РД метод рентгенодифракционного анализа, 1. ФЛ фотолюминесценция, 1. ЭЛ электролюминесценция,
  139. HL горячие линии фотолюминесценции (hot lines)
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!