Мессбауэровские U-минус центры олова в стеклообразных халькогенидах германия
Диссертация
Представления о существовании U" центров также широко используются в теории кристаллических полупроводников. И. А. Драбкин и Б. Я. Мойжес первыми рассмотрели возможность стабилизации U" центров индия и таллия в халькогепидах свинца. Обширная литература имеется по обнаружению U" центров в кремнии и германии, в карбиде кремния, в соединениях А3В5, в Si02, в НЮ2, ZnO, CdTe и а-бора. А. Г. Никитина… Читать ещё >
Список литературы
- Бордовский Г. А., Марченко А. В. Идентификация U-центров в кристаллических и стеклообразных полупроводниках и полуметаллах методом мессбауэровской спектроскопии // Изд. Наука. СПб. 2010. с. 280 282.
- Anderson P.W. Model for electronic structure of amorphous semiconductors // Physical Review Letters. 1975. V. 34, no. 15, p. 953−955.
- Street R.A., Mott N.F. States in the gap in glassy semiconductors // Physical Review Letters. 1975. V. 35, no. 19, p. 1291−1293.
- Kastner M., Adler D., Fritzsche H. Valence-alternation model for localized gap states in lone-pair semiconductors // Physical Review Letters 1975. V. 37, no. 22, p. 1501−1504.
- Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках // Под ред. Цэндина К. Д. СПб.: Наука. 1996. с. 485−487.
- Серегин П., Бордовский Г. А., Марченко А. В. Мессбауэровские U-мипус центры в полупроводпиках и сверхпроводниках. Идентификация, свойства и применение // LAP. Lambert Academic Publishing.Berlin. 2011. p. 297−299.
- Кастро Арата P.А. Примесные и дефектные U-центры как инструмент исследования халькогенидных структурно-разупорядоченных полупроводников // СПб. Изд. РГПУ. 2011. с. 190−192.
- Бордовский Г. А., Кастро Р. А., Насрединов Ф. С. Природа структурных перестроений стекол Geix.ySnyTex // Известия Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена. Естественные и точные науки 2006. № 6 (15) с. 52−58.
- Бордовский Г. А, Кастро Р. А, Серегин П. П., Добродуб А. А. Свойства и структура стекол (As2Se3)iz (SnSe)zx (GeSe)x и (As2Se3)1.z (SnSe2)z-x (GeSe2)x // Физика и химия стекла. 2006. Т. 32. Вып.З. с. 438−445.
- Бордовский Г. А., Кастро P.A., Серегин П. П., Теруков Е. И. Электрофизические свойства и строение халькогенидных стекол, включающих двухвалентное олово // Физика и техника полупроводников. 2007. Т.41. Вып.1. с.23−26.
- Бордовский Г. А., Кастро P.A., Марченко А.В, Серегин П. П. Термическая устойчивость зарядовых состояния олова в структуре стекол (As2Se3)o.4(SnSe)o.3(GeSe)o.3 // Физика и химия стекла. 2007. т.ЗЗ. Вып.5. с.645−649.
- Бордовский Г. А., Кастро P.A., Марченко А.В, Серегин П. П. Радиационная устойчивость зарядовых состояния олова в структуре стекол (As2Se3)i z (SnSe)07.x (GeSe)x // Физика и химия стекла. 2007. т.ЗЗ. Вып.5. с.650−654.
- Бордовский Г. А., Марченко A.B., Теруков Е. И., Серегин П. П., Лиходеева Т. В. Свойства и структура стекол (As2Se3)i.z (SnSe2)7.x (Tl2Se)x и (As2Se3)i z (SnSe)zx (Tl2Se)x // Физика и техника полупроводников. 2008. т.42. вып.11. с. 1353−1356.
- Бордовский Г. А., Теруков Е. И., Анисимова Н. И., Марченко A.B., Серегин П.Г1. Локальная структура стеклообразных сплавов германий-сера, германий-селен и германий-теллур // Физика и техника полупроводников. 2009. т.43. Вып.9. с. 1232−1236.
- Бордовский Г. А., Немов С. А., Анисимова Ы.И., И.А. Дземидко И.А., Марченко А. В., Серегин П. П. Фотоструктурные перестроения полупроводниковых стекол As-S и As-Se // Физика и техника полупроводников. 2009. т.43. Вып.З. с. 369−371.
- Бордовский Г. А., Дземидко И. А., Марченко А. В., Серегин Г1.Г1. Структура и физико-химические свойства стекол (As2Se3)i.z (SnSe2)^(Tl2Se)4 и (А528е3)12(8п8е)^х (Т128е)х // Физика и химия стекла. 2009. т.35. Вып.4. с. 468−474.
- Марченко А.В. Локальная структура полупроводниковых стекол германий-сера и германий-селен // Физика и химия стекла. 2009. т.35. Вып.З. с.333−341.
- Tsendin K.D. The changing of initial state in a strong electric field and memory effect in chalcogenides // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2007. V. 9, no. 10, p. 3035−3039.
- Bogoslowsky N.A., Tsendin K.D. Nonlinearity of current-voltage characteristics of chalcogenide glassy semiconductors, caused by multiphonon tunnel ionization of negative-U centers // Semiconductors. 2009. V. 43, no. 10, p. 1335−1338.
- Bogoslovskij N.A., Tsendin K.D. Electronic-thermal switching and memory in chalcogenide glassy semiconductors // Journal of Non-Crystalline Solids. 2011. V. 357, no. 3, p. 992−995.
- Klinger, M.I., I-Ialper, V., Bas, F. Photostructural changes in glassy semiconductors: Franck-condon and relaxation transitions in negative-U centers // Physica Status Solidi (B) Basic Research. 2002. V. 230, N 1, p. 39−45.
- Savransky S.D., Prokhorov E.F. Dielectric constants and endurance of chalcogenide phase-change non-volatile memory // Materials Research Society Symposium Proceedings. 2006. V. 918, p. 75−77.
- Savransky S.D., Prokhorov, E.F. Dielectric constants and endurance of chalcogenide phase-change non-volatile memory // Materials Research Society Symposium Proceedings. 2006. V. 933, p. 112−114.
- Emelianova E.V., Qamhieh N., Brinza M., Adriaenssens G.J., Kasap S.O., Johanson R.E., Arkhipov V.I. Defect levels and charge carrier photogeneration in amorphous selenium layers // Journal of Non-Crystalline Solids. 2003. V. 326−327, p. 215−218.
- Ginzburg L.P. Influence of charged defects on detection of electron spin resonance in vitreous chalcogenide semiconductors // Semiconductors. 2003. V. 37, no. l, p. 82−87.
- Harrison W.A.Tight-binding theory of phase-change materials // Materials Research Society Symposium Proceedings. 2008. V. 1072, p. 25−26.
- Драбкии И.А., Мойжес Б. Я. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примесей на положительно и отрицательно заряженные состояния // Физика и техника полупроводников (Обзор). 1981. Т. 15. Вып. 4. с.625−648.
- Viscor P., Vedde J. Electrical impedance spectroscopy of silicon surface states // Surface Science. 1993. 287−288 (PART 1), p. 510−513.
- Fearn M., Jefferson J.H., Pettifor D.G. Atomistic study of boron-doped silicon // Materials Research Society Symposium Proceedings. 1996. 408, p. 551 -556.
- Markevich V.P., Murin L.I., Sekiguchi T., Suezawa M. Emission and capture kinetics for a hydrogen-related negative-U center in silicon: Evidence formetastable neutral charge state// Materials Science Forum. 1997. 258−263 (PART 1), p. 217−222.
- Harrison W.A. Diffusion and carrier recombination by interstitials in silicon // Physical Review B Condensed Matter and Materials Physics. 1998. 57 (16), p. 9727−9735.
- Andersen O., Peaker A.R., Dobaczewski L., Nielsen K.B., Hourahine B., Jones R., Briddon P.R., Oberg S. Electrical activity of carbon-hydrogen centers in Si // Physical Review B Condensed Matter and Materials Physics. 2002. 66 (23), art. no. 235 205.
- Vainonen-Ahlgren E., Ahlgren T., Likonen J., Lehto S., Keinonen J., Li, W., Haapamaa J. dentification of vacancy charge states in diffusion of arsenic in germanium // Applied Physics Letters. 2000. 77 (5), p. 690−692.
- Hemmingsson C.G., Son N.T., Ellison A., Zhang J., Janzen E. Negative-U centers in 4H silicon carbide // Physical Review B Condensed Matter and Materials Physics. 1998. 58 (16), R10119-R10122.
- Hemmingsson C.G., Son N.T., Janzen E. Observation of negative-U centers in 6I-I silicon carbide // Applied Physics Letters. 1999. 74 (6), pp. 839−841.
- Pensl G., Frank T., Krieger M., Laube M., Reshanov S., Schmid F., Weidner M. Implantation-induced defects in silicon carbide // Physica B: Condensed Matter.2003. p. 340−342, 121−127.
- Weidner M., Pensl G., Nagasawa Ii., Schoner A., Ohshima T. Negative-U-centers in 4H- and 6H-SiC detected by spectral light excitation // Materials Science Forum.2004. p. 457−460 (I), 485−488.
- Mattausch A., Bockstedte M., Pankratov O. Structure and vibrational spectra of carbon clusters in SiC // Physical Review B Condensed Matter and Materials Physics. 2004. 70 (23), p. 1−15.
- Mattausch A., Bockstedte M., Pankratov O., Steeds J.W., Furkert S., Hayes J.M., Sullivan W., Wright N.G. Thermally stable carbon-related centers in 6Ii-SiC:
- Photoluminescence spectra and microscopic models // Physical Review B -Condensed Matter and Materials Physics.2006. 73 (16), art. no. 161 201.
- Li M.F., Jia Y.B., Yu P.Y., Zhou J., Gao J.L. Negative-U property of the DX center in AixGal-xAs:Si //Physical Review B. 1989. 40 (2), p. 1430−1433.
- Alt H.Ch. Experimental evidence for a negative-U center in gallium arsenide related to oxygen // Physical Review Letters. 1990. 65 (27), p. 3421−3424.
- Neild S.T., Skowronski M., Lagowski J. Signature of the gallium-oxygen-gallium defect in GaAs by deep level transient spectroscopy measurements // Applied Physics Letters. 1991. 58 (8), p. 859−861.
- Alatalo M., Nieminen R.M., Puska M.J., Seitsonen A.P., Virkkunen R. Phosphorus vacancy in InP: A negative-U center // Physical Review B. 1993. 47(11), p. 6381−6384.
- Bosin Andrea, Fiorentini Vincenzo, Vanderbilt David. Hydrogen, acceptors, and H-acceptor complexes in GaN // Materials Research Society Symposium -Proceedings. 1996. 395, p. 503−508.
- Schmidt T.M., Fazzio A., Caldas M.J. Germanium negative-U center in GaAs. Physical Review B Condensed Matter and Materials Physics. 1996. 53 (3), p. 1315−1321.
- Taguchi A., Kageshima H. Atomic configuration of oxygen negative-U center in GaAs // Materials Science Forum. 1997. 258−263 (PART 2), pp. 873−878.
- Taguchi A., Kageshima II. First-principles investigation of the oxygen negative-U center in GaAs // Physical Review B Condensed Matter and Materials Physics. 1998. 57 (12), R6779-R6782.
- Wang C., Zhang Q.-M. Amphoteric charge states and diffusion barriers of hydrogen in GaAs // Physical Review B Condensed Matter and Materials Physics. 1999. 59(7), 4864−4868.
- Orellana W., Ferraz A.C. Ab initio study of substitutional nitrogen in GaAs // Applied Physics Letters.2001. 78 (9), pp. 1231−1233.
- Gil B., Morel A., Taliercio T., Lefebvre P., Foxon C.T., Harrison I., Winser A.J., Novikov S.V. Carrier relaxation dynamics for As defects in GaN // Applied Physics Letters. 2002. 79 (1), 69−71.
- Gitlin D., Karp J., Moyzhes B. Dangling bonds with «negative Plubbard U»: Physical model for degradation of Si02 gate dielectric under voltage stress // Journal of Applied Physics. 2002. 92 (12), 7257−7260.
- Karp J., Gitlin D., Jeong S., Moyzhes B. Understanding degradation and breakdown of Si02 gate dielectric with «negative Flubbard U» dangling bonds // Journal of Applied Physics. 2004. 95 (5), 2490−2494.
- Moyzhes B., Geballe T.H., Jeong S., Gitlin D., Karp J. Current through Si02 gate oxide and its low frequency fluctuations: Trapping on charged dangling bonds with negative Flubbard U // Journal of Applied Physics. 2005. 97 (7), art. no. 74 104.
- Lee E.-C., Ju II. Mutual deactivation of electrically active F interstitials and O vacancies into fluorine-oxygen-vacancy complexes in Si02 // Physical Review B -Condensed Matter and Materials Physics. 2009. 79 (19), art. no. 193 203.
- Babentsov Y., Franc J., Elhadidy H., Fauler A., Fiederle M., James R.B. Dependence of the Sn0/2+ charge state on the Fermi level in semi-insulating CdTe // Journal of Materials Research. 2007. 22 (11), 3249−3254.
- Никитина А.Г., Зуев B.B. Бистабильные амфотерные центры с обратным порядком электронных уровней в полупроводнике // Физика и техника полупроводников. 2007. т. 41. Вып. 5. с. 549−554.
- Никитина A.F., Зуев В. В. Выявление особенностей локализации электронов на U" центрах в полупроводниках методом термстимулированных токов // Физика и техника полупроводников. 2009. т. 43. Вып. 7. с.869−872.
- Барыгин И.А., Цэндин К. Д. Температурная зависимость концентрации дырок в модели р-металла с U" центрами // Физика и техника полупроводников. 2009. т.51. Вып. 1. с.28−32.
- Барыгин И.А., Капустин А. И., Цэндин К. Д. Параметры модели U" -центров для YBa2Cu307.x по данным эффекта Холла в нормальном состоянии // Письма в журнал технической физики. 2008. т.34. Вып.6. с. 1−7.
- Цэндин К.Д., Барыгин И. А., Капустин А. И., Попов Б. П. Влияние U" -центров на температурную зависимость концентрации носителей в нормальной фазе ВТСП // Письма в журнал технической физики. 2007. т. 105. Вып. 4. с. 788−792.
- Tsendin K.D., Popov B.P., Denisov D.V. Similarity in the superconducting properties of chalcogenides, cuprate oxides and fullendes // Physica C: Superconductivity and its Applications. 2004. 415 (3), 94−102.
- Barygin I.A., Tsendin K.D. Temperature dependence of the hole concentration in the model of a hole metal with negative-U centers // Physics of the Solid State. 2009, V. 51, no. 1, p. 27.
- Baryshev S.V., Kapustin A.I., Bobyl A.V., Tsendin K.D. Temperature dependences of YBa2Cu3C) x and La2, tSrxCu04 resistivity in terms of the negative-U centers model // Superconductor Science and Technology. 2011. V. 24, no. 7, art. 75 026.
- Mitsen K.V., Ivanenko O.M. The possible origin of incommensurate spin textures in HTSC // European Physical Journal B. 2006. V. 52, no. 2, p. 227.
- Mitsen K., Ivanenko O. The common origin of the pseudogap- and 60 K-phases in YBCO // Physica C: Superconductivity and its Applications. 2007. V. 460−462 (SPEC. ISS.), p. 1094.
- Mitsen K., Ivanenko O. On the nature of pseudogap anomalies in HTSC // Journal of Physics: Conference Series. 2009. V. 150, no. 5, art. 52 162.
- Mitsen K., Ivanenko O. Fermi arcs as a visible manifestation of pair level of negative-U centers // Physica C: Superconductivity and its Applications. 2010. V. 470 (SUPPL.l), p. 993.
- Насрединов Ф.С., Немов C.A., Мастеров В. Ф., Серегин П. П. Мессбауэровские исследования двухэлектропных центров олова с отрицательной корреляционой энергией в халькогенидах свинца (обзор) // Физика твердого тела. 1999. г. 41. Вып.1 I.e. 1897−1917.
- Бордовский Г. А., Немов С. А., Марченко A.B., Серегин П. П., Зайцева A.B. Мессбауэровские U" центры как инструмент исследования бозе-конденсации в полупроводниках // Физика и техника полупроводников. 2008. т.42. вып. 10. с. 1172−1179.
- Теруков Е.И., Марченко A.B., Зайцева A.B., Серегин Г1.П. Двухэлектронные центры германия с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидах свинца // Физика и техника полупроводников. 2007. т.41. Вып. 12. с.1434−1439.
- Немов С.А., Насрединов Ф. С., Серегин П. П., Серегин Н. П., Хужакулов Э. С. Статистика электронов в PbS с U" центрами // Физика и техника полупроводников. 2005. т.39. Вып.З. с.309−312.
- Немов С.А., Насрединов Ф. С., Серегин П. П., Серегин Н. П., Хужакулов Э. С. Энергетические параметры двухэлектроипых центров олова в PbSe // Физика и техника полупроводников. 2005. т.39. Вып. 6. с.669−672.
- Кастро P.A., Немов С. А., Серегин П. П. Обнаружение однократно ионизованного состояния двухэлектронных центров олова с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах PbixSnxS // Физика и техника полупроводников. 2006. т.40. Вып.8. с.927−929.
- Немов С.А., Кастро P.A., Алексеева А. Ю., Серегин П. П., Добродуб A.A. Двухэлектронные центры с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах PbixSn4Se // Физика и техника полупроводников 2006. т.40. Вып.11. с.1335−1337.
- Бордовский Г. А., Марченко A.B., Серегин П. П., Теруков Е. И. Экспериментальное определение пространственного распределения электронных дефектов в решетках La2-xSrxCuCXj и Nd2.xCexCuO, i // Письма в Журнал технической физики. 2008. т.34. Вып. 9. с. 79−85.
- Бордовский Г. А., Теруков Е. И., Марченко A.B., Серегин Г1.П. Идентификация двухэлектронных центров с отрицательной корреляционной энергией в высокотемпературных сверхпроводниках // Физика твердого тела. 2009. т.51. Вып. 11. с.2094−2097.
- Бордовский Г. А., Марченко A.B., Серегин П. П. Заряды атомов в керамиках УВа2Сиз07, YBa2Cui08 и Y2Ba4Cu70i5 // Физика и химия стекла. 2009. т.35. Вып.6.с.135−140.
- Блинов Л.Н. ЭГТР спектроскопия халькогенидных стекол // Физика и химия стекла. 2003. т. 29. вып. 3. с. 203−223.
- Бордовский Г. А., Марченко A.B., Серегин П. П. Влияние аморфизации на локальное окружение атомов в халькогепидах мышьяка // Физика и химия стекла. 2008. т.34. Вып.5. с. 706−711.
- Бордовский Г. А., Марченко A.B., Серегин П. П., Теруков Е. И. Исследование влияния аморфизации на локальную структуру халькогенидов мышьяка // Физика и техника полупроводников. 2009. т.43. Вып.1. с. 7−10.
- Бордовский Г. А., Пемов С. А., Анисимова Н.И., И.А. Дземидко И.А., Марченко A.B., Серегин П. П. Фотоструктурные перестроения полупроводниковых стекол As-S и As-Se // Физика и техника полупроводников. 2009. т.43. Вып.З. с. 369−371.
- Бордовский В.А., Анисимова Н. И., Марченко A.B., Серегин П. П. Влияние облучения на локальное окружение атомов халькогенидов в стеклообразных пленках систем As-S, As-Se и As-S-Se // Физика и химия стекла. 2009. т.35. Вып.1. с. 34−39.
- Мастеров В.Ф., Бондаревский С. И., Насрединов Ф. С., Серегин И. П., Серегин П. П. Антиструктурные дефекты в полупроводниках типа РЬТе // Физика и техника полупроводников. 1999. т.ЗЗ. Вып.7. с. 772−773.
- Мастеров В.Ф., Насрединов Ф. С., Серегин П. П., Серегин Ii.П., Ермолаев A.B. Бондаревский С.И. Положение примесных атомов сурьмы в решетке
- PbS, определенное методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии на изотопе «(JSb (119mSn) // Физика и техника полупроводников. 1999. т.ЗЗ. Вып.8. с.913−915.
- Немов С. А., Серегин П. П., Кожанова Ю. В., Серегин Н. П. Двухэлектронные центры олова, образующиеся в халькогенидах свинца в результате ядерных превращений // Физика и техника полупроводников. 2003. т.37. Вып.12. с.1414−1419.
- Seregin N.P., Seregin P.P., Nemov S.A., Yanvareva A.Yu. Antistructural defects in lead chalcogenides //J.Phys.:Condens.Matter 2003. v. 15. p.7591−7597.
- Бордовский Г. А., Немов С. А., Марченко A.B., Зайцева A.B., Кожокарь М. Ю., Серегин П. П. Состояние атомов сурьмы и олова в халькогенидах свинца // Физика и техника полупроводников. 2011. т.45. Вып. 4. с. 437−440.
- Бордовский Г. А., Марченко A.B., Серегин П.П., Ali II.М., Гладких П. В., Кожокарь М. Ю. Двухэлектронные центры олова, образующиеся в халькогенидных стеклах в результате ядерных превращений // Физика и химия стекла. 2010. т.36. Вып. 6. с.652−654.
- Бордовский Г. А., Дашина А. Ю., Марченко A.B., Серегин П. П., Теруков Е. И. Примесные центры олова в стеклообразных халькогенидах мышьяка // Физика и техника полупроводников. 2011. т.45. вып. 6. с.801−805.
- Holomb R., Mitsa V., Johansson P. Localized states model of GeS2 glasses based on electronic states of GenSm clusters calculated by using TD-DFT method // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. V. 7. № 4. pp. 18 811 888.
- Chu S.-S., Wang S.-F., Tao H.-Z., Wang Z.-W., Yang H., Lin C.-G., Gong Q.-II., Zhao X.-J. Large and ultrafast third-order nonlinear optical properties of Ge-S based chalcogenide glasses // Chinese Physics Letters. 2007. V. 24. № 3. pp. 727−729.
- Roux S., Jund P. influence of the cooling rate on the glass transition temperature and the structural properties of glassy GeS2: An ab initio molecular dynamics study // Journal of Physics Condensed Matter. 2007. V. 19. № 19. art. no. 196 102.
- Abdel-Aziz M.M. Effect of thallium on the crystallization kinetics of the chalcogenide glasses GeSe2 and GeSe4 // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. 2005. V. 79. № 3. pp. 709−714.
- Singh R., Tripathi S.K., Kumar S. Role of Pb additive in the density of localized states in a-Ge2oSe80 glassy alloy // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2007. V. 9. № 7. pp. 1974−1978.
- Gunti S.R., Asokan S. Thermal and electrical switching studies on Ge20Se80. xBix (1 < x < 13) ternary chalcogenide glassy system // Journal of Non-Crystalline Solids. 2010. v. 356 (33−34). pp. 1637−1643.
- Shaaban E.R., Tomsah I.B.I. The effect of Sb content on glass-forming ability, the thermal stability, and crystallization of Ge-Se chalcogenide glass // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. 2011. pp. 1−8.
- El-Kabany N. Effect of tellurium addition on the optical and physical properties of germanium selenide glassy semiconductors // Vacuum. 2010. v. 85 (1). pp. 5−9.
- Moharram A.M., Abdel-Baset A.M. Structural correlations of Ge20Se80-xTex glasses based on reverse Monte Carlo simulation// Journal of Alloys and Compounds. 2010. v. 508 (1). pp. 37−41.
- Moharram A.M., Hefni M.A., Abdel-Baset A.M. Short and intermediate range order of Ge20Se80. xTex glasses // Journal of Applied Physics. 2010. v. 108 (7), art. no. 73 505.
- Lucas P., King E.A., Doraiswamy A. Comparison of photostructural changes induced by continuous and pulsed laser in chalcogenide glass // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2006. V. 8. № 2. pp. 776−779.
- Golovchak R., Shpotyuk O., Kozyukhin S., Kovalskiy A., Miller A.C., Jain II. Structural paradigm of Se-rich Ge-Se glasses by high-resolution x-ray photoelectron spectroscopy // Journal of Applied Physics. 2009. V. 105. № 10. art. no. 103 704.
- Fayek S.A., Ibrahim M.M. Calorimetric studies on Ge (Sel-xSx)2 chalcogenide glasses // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2010. v. 12 (2). pp. 370−374.
- Zavadil J., Kostka P., Pedlikova J., Ivanova Z.G., Zdansky K. Investigation of Ge based chalcogenide glasses doped with Er, Pr and Iio // Journal of Non-Crystalline Solids. 2010. v. 356(44−49). pp. 2355−2359.
- Zhu J., Dai S.-X., Wang X.-S., Shen X., Xu T.-F., Nie Q.-H. 2.9 jim luminescence properties of Pr3+/Ho3+ codoped Ge-Ga-Se glasses // Acta Physica Sinica. 2010. v. 59 (8). pp. 5803−5807.
- Zhang P.-J., Dai S.-X, Le F.-D., Peng В., Xu T.-F., Nie Q.-Ы., Zhang X.-H. Mid-infrared emission and multiphonon relaxation in Tm3±doped Ge-Ga-Se glasses // Spectroscopy and Spectral Analysis. 2010. v. 30 (6). pp. 1464−1468.
- Zhu J., Dai S.-X., Peng В., Xu T.-F., Wang X.-S., Zhang X.-H. Mid-infrared emission properties of FIo3±doped Ge-Ga-S-Csl glasses // Journal of Inorganic Materials. 2010. v. 25 (5). pp. 546−550.
- Dai S.-X., Peng В., Le F.-D., Wang X.-S., Shen X., Xu T.-F., Nie Q.-H. Mid-infrared emission properties of Dy3±doped Ge-Ga-S-Csl glasses // Acta Physica Sinica. 2010. v. 59 (5). pp. 3547−3553.
- Cao Y., Dai S., Zhang P., Li Y. Mid-infrared luminescence properties of Yb3+/Ho3+ codoped Ge25Ga5S7o chalcogenide glasses // Journal of the Chinese Ceramic Society. 2010. v. 38 (4). pp. 700−703.
- Zhang P., Dai S., Peng В., Xu Т., Nie Q., Zhang X., Wang X. Near- and mid-infrared spectroscopic properties of Tm3±doped Ge-Ga-S-Csl glasses // Chinese Journal of Lasers. 2001. v. 37 (2). pp. 554−559.
- Фекешгази И.В., Май K.B., Мателешко Н. И., МицаВ.М., Боркач Е. И. Структурные преобразования и оптические свойства халькогенидных стекол As2S3 // Физика и техника полупроводников. 2005. Т.39. Вып. 8. с. 986−999.
- Simdyankin, S.I., Niehaus, Т.A., Natarajan, G., Frauenheim, Th., Elliott, S.R. New type of charged defect in amorphous chalcogenides // Physical Review Letters. 2005. V. 94. № 8. art. no. 86 401, pp. 1−4.
- Popescu M., Sava F., Lorinczi A. A new model for the structure of chalcogenide glasses: The closed cluster model // Journal of Non-Crystalline Solids. 2009. V. 355. № 37−42. pp. 1815−1819.
- Abu-Sehly A.A. Kinetics of the glass transition in As22S78 chalcogenide glass: Activation energy and fragility index // Materials Chemistry and Physics. 2011. v. 125 (3). pp. 672−677.
- Niu Y.-F., Guin J.-P., Abdelouas A., Rouxel T., Troles, J. Durability of an As2S3 chalcogenide glass: Optical properties and dissolution kinetics // Journal of Non-Crystalline Solids. 2011. v. 357 (3). pp. 932−938.
- Shpak I.I., Kranjcec M., Studenyak I.P. Optical constants of electron-irradiated As2S3 chalcogenide glasses // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. V.7. № 4. pp. 2017−2020.
- Golovchak R., Shpotyuk O., Kozdras A., Riley B.J., Sundaram S.K., McCloy J.S. Radiation effects in physical aging of binary As-S and As-Se glasses. // Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. 2011. v. 103 (1). pp. 213−218.
- Iovu M., Andriesh A., Culeac, I. Fluorescence properties of As2S3 glass doped with rare-earth elements // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. V. 7. № 5. pp. 2323−2331.
- Petkov K., Todorov R., Kind M., Tichy L. Effect of thallium on the optical properties and structure of As-S-TI films // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. V. 7. № 5. pp. 2587−2594.
- Babaev A.A., Kamilov I.K., Sultanov S.B., Askhabov A.M., Khokhlachev P.P. Anomalous conductivity in Au-doped chalcogenide glassy semiconductors // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. V. 7. № 4. pp. 20 132 016.
- Petrovic V., Stojanovic N., Slankamenac M.P., Lukic S.R. Amplifying characteristics Er-doped chalcogenide glass As-S-Ge // Hemijska Industrija. 2010. 64(3). pp. 183−186.
- Kozyukhin S., Golovchak R., Kovalskiy A., Shpotyuk O., Jain II. Valence band structure of binary chalcogenide vitreous semiconductors by highresolution XPS // Физика и техника полупроводников. 2011. т.45(4). С.433−436.
- Prasad N., Furniss D., Rowe H.L., Miller C.A., Gregory D.H., Seddon A.B. First time microwave synthesis of As40Se60 chalcogenide glass // Journal of Non-Crystalline Solids. 2010. v. 356 (41−42). pp. 2134−2145.
- Golovchak R., Kozdras A., Shpotyuk O. Optical signature of structural relaxation in glassy Asl0Se90 // Journal of Non-Crystalline Solids. 2010. 356 (2324). pp. 1149−1152.
- Trunov M.L., Lytvyn P.M., Nagy P.M., Dyachyns’Ka O.M. Real-time atomic force microscopy imaging of photoinduced surface deformation in Asx Sel00-x chalcogenide films // Applied Physics Letters. 2010. v. 96 (11). art. no. 111 908.
- Корнева И.П., Синявский Н. Я., Ostafin M., Nogaj В. Спектры ядерного квадрупольного резонанса стеклообразных полупроводников // Физика и техника полупроводников. 2006. т.40. Вып. 9. с.1120−1122.
- Golovchak R., Shpotyuk O., Kozdras A., Vlek M., Bureau В., Kovalskiy A., Jain Ы. Long-term physical ageing in As-Se glasses with short chalcogen chains // Journal of Physics Condensed Matter. 2008. V. 20. № 24. art. no. 245 101.
- Golovchak R., Shpotyuk O., Kozdras A. On the reversibility window in binary As-Se glasses // Physics Letters, Section A: General, Atomic and Solid State Physics. 2007. V. 370. № 5−6. pp. 504−508.
- Kozyukhin, S.A., Kupriyanova, T.A., Vargunin, A.I. Molecular structure of Asx Se.0o-x glasses studied by x-ray spectroscopyio // Inorganic Materials. 2007. V. 43. № 8. pp. 897−900.
- Golovchak R., Kovalskiy A., Miller A.C., Jain H., Shpotyuk O. Structure of Se-rich As-Se glasses by high-resolution x-ray photoelectron spectroscopy // Physical Review В Condensed Matter and Materials Physics. 2007. V. 76. № 12. art. no. 125 208.
- Кастро P.А., Бордовский Г. А., Грабко Г. И. Исследование процессов переноса и накопления заряда в слоях As2Se3, полученных разными методами // Физика и химия стекла. 2009. Т. 35. № 1. С. 54−57.
- Бордовский Г. А., Кастро Р. А. Кластерная структура модифицированных слоев стеклообразного As2Se3 // Известия Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена. 2002. № 2 (4). С. 17−22.
- Castro R.A., Bordovsky G.A., Bordovsky V.A., Anisimova N.I. Correlation between bismuth concentration and distribution of relaxators in As2Se3(Bi)x layers // Journal of Non-Crystalline Solids. 2006. V.352. № 9−20. P. 1560−1562.
- Кастро P. А., Аписимова Н. И., Бордовский Г. А., Грабко Г. И. Диэлектрические свойства модифицированных слоев As2Se3(Bi)x // Физика твердого тела. 2009. Т. 51. № 6. С. 1062−1064.
- Iovu M.S., Kamitsos E.I., Varsamis C.P.E., Boolchand P., Popescu M. Raman spectra of AsxSe10o-x glasses doped with metals // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2005. V. 7. № 3. pp. 1217−1221.
- Кастро P.А., Грабко Г. И. Исследование диэлектрических процессов в аморфных пленках (As2Se3)ixBix // Физика и техника полупроводников. 2011. т.45(5). С.622−624.
- Аписимова Ы.И., Бордовский Г. А., Грабко Г. И., Кастро Р. А. Особенности механизма переноса заряда в структурах на основе тонких слоев триселенида мышьяка, модифицированных висмутом // Физика и техника полупроводников. 2010. т.44(8). С. 1038−1041.
- Trnovcova V., Furar I. Physical properties of vitreous As2Se3 doped with lead // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2010. v. 12 (10). pp. 2092−2096.V
- Kozmidis-Petrovic A.F., Lukic S.R., Strbac G.R. Calculation of non-isothermal crystallization parameters for the Cul5(As2Se3)85 metal-chalcogenide glass // Journal of Non-Crystalline Solids. 2010. v. 356 (41−42). pp. 2151−2155.
- Chen G., Jain II., Vlcek M., Ganjoo A. Photoinduced volume change in arsenic chalcogenides by band-gap light // Physical Review В Condensed Matter and Materials Physics. 2006. V. 74. № 17. art. no. 174 203.
- Любин B.M., Клебанов A.B. Новые результаты фундаментальных и прикладных исследований халькогенидных стеклообразных полупроводников // Известия Российского государственного педагогического университета им. А. И. Герцена. Физика. 2006. 6(15). С. 143−151.
- Тверьянович А.С., Борисов Е. Н., Волобуева О., Мамедов С. Б., Михайлов М. Д. Фотоиндуцированное просветление стеклообразных пленок Ga-Ge-S(Se) // Физика и химия стекла. 2006. т. 32. № 6. с. 930−935.
- Shpotyuk O.I., Golovchak R.Ya., Jain PI., Kozdras A. Radiation-induced physical ageing of the structure of an arsenic-selenide glass // Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2007. V. 68. № 5−6. pp. 901−905.
- Yang G., Jain IT., Ganjoo A., Zhao D., Xu Y., Zeng PI., Chen G. A photostable chalcogenide glass // Optics Express. 2008. V. 16. № 14. pp. 10 565−10 571.
- Marquez E., Jimenez-Garay R., Gonzalez-Leal J.M. Light-induced changes in the structure and optical dispersion and absoiption of amorphous Asi (0S2oSe.io thin films // Materials Chemistry and Physics. 2009. V. 115. № 2−3. pp. 751−756.
- Focsa C., Nemec P., Ziskind M., Ursu C., Gurlui S., Nazabal V. Laser ablation of AsxSeioo-x chalcogenide glasses: Plume investigations // Applied Surface Science. 2009. V. 255. № 10. pp. 5307−5311.
- Коломиец Б. Т., Назарова Т. Ф. Стеклообразные полупроводники. К вопросу о роли примеси в проводимости стеклообразных полупроводников // Физика твердого тела. 1959. M.-JL: Изд. АН СССР. С.22−25
- Мотт Н. Электроны в неупорядоченных структурах // М. Мир, 1969.
- Губанов А. И. Квантовоэлектронная теория аморфных проводников // М. Л. Изд. АН СССР, 1963.
- Cohen М.Н. Fritzsche Н., Ovshinsky S.R. Simple band model for amorphous semiconducting alloys //Phys. Rev. Lett. 1969. V. 22. P. 1065.
- Аморфные и поликристаллические полупроводники // Ред. Хейванг В., М., Мир, 1987
- Bishop S. G., Strom U., and Taylor P. С. Optically induced metastable paramagnetic states in amorphous semiconductors // Phys.Rev. B. 1977, V. 15, p. 2278.
- Аморфные полупроводники // Ред. Бродски M. 1982.
- Бордовский Г. А., Марченко A.B., Серегин П. П. Влияние аморфизации на локальное окружение атомов в халькогенидах мышьяка // Физика и химия стекла. 2008. т. 34. Вып. 5. с. 706−711.
- Бордовский Г. А., Марченко A.B., Серегин П. П., Теруков Е. И. Исследование влияния аморфизации на локальную структуру халькогенидов мышьяка // Физика и техника полупроводников. 2009. т. 43. Вып. 1. с. 7−10.
- Бордовский Г. А., Немов С. А., Анисимова Н.И., И.А. Дземидко И.А., Марченко A.B., Серегин П. П. Фотоструктурные перестроения полупроводниковых стекол As-S и As-Se // Физика и техника полупроводников. 2009. т. 43. Вып. 3. с. 369−371.
- Бордовский Г. А., Анисимова Н. И., Марченко A.B., Серегин П. П. Влияние облучения на локальное окружение атомов халькогенидов в стеклообразных пленках систем As-S, As-Se и As-S-Se // Физика и химия стекла. 2009. т. 35. Вып. I.e. 34−39.
- Бордовский Г. А., Теруков Е. И., Анисимова Н. И., Марченко A.B., Серегин П. П. Локальная структура стеклообразных сплавов германий-сера, германий-селен и германий // Физика и техника полупроводников. 2009. т. 43. Вып. 9. с. 1232−1236.
- Марченко A.B. Локальная структура полупроводниковых стекол германий-сера и германий-селен // Физика и химия стекла. 2009. т. 35. Вып. З.с. 333−341.
- Блохип М. А., Методы рентгеноспекгральных исследований // М., 1959.
- Лосев Н. Ф., Количественный реитгеноспекгральный флуоресцентный анализ//М., 1969.
- Плотников Р. И., Пшеничный Г. А., Флуоресцентный рентгенорадиометрический анализ // М., 1973.
- Физические основы рентгеноспектрального локального анализа, пер. с англ. // М., 1973.
- Лосев Н. Ф., Смагунова А. Н., Основы рентгеноспектрального флуоресцентного анализа // М., 1982.
- Рентгенофлуоресцентный анализ, Под ред. X. Эрхардта, пер. с нем., // М., 1985.
- Рентгенофлуоресцентный анализ, под ред. н. Ф. Лосева, // Новосиб., 1991.
- Серегин П.П. Физические основы мессбауэровской спектроскопии // Изд. СПбГПУ. СПб. 2002.169с.
- Murad Е., Cashion J. Mossbauer Spectroscopy of Environmental Materials and Their Industrial Utilization // Kluwer Academic. 2004.
- Ovchinnikov V.V. Mossbauer analysis of the atomic and magnetic structure of alloys// Cambridge International Science Publishing. Cambridge, UK. 2006.
- Chen Y.-L., Yang D.-P. Mossbauer Effect in Lattice Dynamics // Wiley-VCH Verlag. 2007.
- Gutlich P., Bill E., and Trautwein A.X. Mossbauer spectroscopy and transition metal chemistry // Fundamentals and applications. Springer-Verlag. Berlin, Heidelberg. 2011.
- Бордовский Г. А., Савинова H.A., Серегина JI.H. Аномальное зарядовое состояние примесных атомов олова в полупроводниковом стекле // Физика твердого тела. 1985. Т.27. № 12. с. 3104−3106.
- Бордовский Г. А., Кастро Р. А. Состояние атомов железа и олова в стеклообразных полупроводниках Ge28.5Pi5S56.5 и Ge27Pi7Se56 // Физика и химия стекла. 2006. Т. 32. Вып.З. с. 431−437.
- Кастро Р.А. Исследование состояния примесных атомов железа и олова в стеклообразных Ge28 5Pbi5S565 и Ge27Pbi7Se56 // Известия Российского государственного педагогического университета имени А. И. Герцена. Физика. 2006. № 6(15). с.43−52.
- Бордовский Г. А., Кастро Р. А., Теруков Е. И. Примесная проводимость стеклообразных полупроводников Ge28 5Pbi5S56.5 и Ge27Pb.7Se56 // Письма в журнал технической физики. 2006. Т.32. Вып.21. с. 1−6.
- Adler D., Ioffa E.J. Electronic structure of amorphous semiconductors // Phys. Rev. Lett. 1976. V.36. N 20, p. 1197.
- Г. А. Бордовский, П. В. Гладких, И. В. Еремин, A.B. Марченко, П. П. Серегин, H.H. Смирнова, Е. И. Теруков. Рентгенофлуоресцентный анализ халькогенидных стекол As-Ge-Se // Письма в Журнал технической физики. 2011. т. 37. Вып.6. с.15−20.
- Г. А. Бордовский, П. В. Гладких, М. Ю. Кожокарь, A.B. Марченко, П. П. Серегин, Е. И. Теруков. Примесные центры олова в стеклообразных халькогенидах германия // Физика и техника полупроводников. 2011. т.45. Вып.10. с. 1399−1404.
- Материалы докладов на конференциях
- П.В. Гладких. Аитиструктурные дефекты в стеклообразных и кристаллических халькогенидных полупроводниках // Труды конференции по физике и астрономии для молодых ученых Санкт-Петербурга и северо-запада. Санкт-Петербург. 2010 г. с. 121−122.
- В.А. Бордовский, П. В. Гладких, И. А. Дземидко, М. Ю Кожокарь, A.B. Марченко, A.B. Николаева, Т. Ю. Рабчанова, A.B. Погудина, П. П. Серегин,
- Е.И. Теруков. Определение состава бинарных халькогенидных стекол методом рентгенофлуоресцентного анализа // Труды VII Международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники». СПб. 2010. с.59−60.