Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Моделирование и оптимизация МДП-структур аналоговых ИС

Диссертация: Моделирование и оптимизация МДП-структур аналоговых ИС
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Современный процесс автоматизированного схемотехнического проектирования ИС предполагает использование как универсального, так и прикладного программного обеспечения (ПО). Универсальное ПО предназначено для решения различных задач схемотехнического и конструкторского проектирования по синтезу, анализу и оптимизации параметров и характеристик схем. Применение таких промышленных САПР для задач… Читать ещё >

Моделирование и оптимизация МДП-структур аналоговых ИС (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ АНАЛОГОВЫХ ИС НА ОСНОВЕ МОДЕЛИРОВАНИЯ И ОПТИМИЗАЦИИ МДП-СТРУКТУР
    • 1. 1. Основные задачи анализа и оптимизации при проектировании аналоговых МДП ИС
    • 1. 2. Системы автоматизированного схемотехнического проектирования аналоговых ИС
    • 1. 3. Цели и задачи исследования
  • 2. МАТЕМАТИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ СХЕМОТЕХНИЧЕСКОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА ОСНОВЕ МДП- СТРУКТУР
    • 2. 1. Состав и структура математического обеспечения моделирования и оптимизации МДП-структур
    • 2. 2. Разработка электрической нелинейной модели для МДП-структуры аналоговых ИС
    • 2. 3. Разработка малосигнальной модели МДП-структуры
    • 2. 4. Модель усилителя с общим истоком
      • 2. 4. 1. Каскад с ОИ и нагрузочным диффузионным резистором
      • 2. 4. 2. Каскад с ОИ и нагрузочным МДП-транзистором
    • 2. 5. Модель усилителя с общим стоком
      • 2. 5. 1. Каскад с ОС и нагрузочным диффузионным резистором
      • 2. 5. 2. Каскад с ОС и нагрузочным МДП-транзистором
    • 2. 6. Модель усилителя с общим затвором
      • 2. 6. 1. Каскад с 03 и нагрузочным резистором
      • 2. 6. 2. Каскад с 03 и нагрузочным МДП-транзистором
    • 2. 7. Модель каскодного усилителя
    • 2. 8. Шумовая модель МДП- структуры
  • 3. АЛГОРИТМИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ МОДЕЛИРОВАНИЯ И ОПТИМИЗАЦИИ МДП-СТРУКТУР
    • 3. 1. Методы оптимизации топологии МДП- структур
    • 3. 2. Общий алгоритм моделирования и оптимизации топологии МДП- структуры
    • 3. 3. Алгоритм оптимизации длины Ь и ширины № канала методом штрафных функций

Актуальность темы

Интегральные схемы (ИС) на основе транзисторов со структурой металлдиэлектрикполупроводник (МДП) получили в настоящее время широкое распространение. Этому способствует ряд существенных особенностей МДП-транзистора такие как, простота технологии изготовления, высокая плотность упаковки в ИС, малое энергопотребление, возможность использования МДП-транзистора как электрически управляемого нагрузочного резистора.

Современный процесс автоматизированного схемотехнического проектирования ИС предполагает использование как универсального, так и прикладного программного обеспечения (ПО). Универсальное ПО предназначено для решения различных задач схемотехнического и конструкторского проектирования по синтезу, анализу и оптимизации параметров и характеристик схем. Применение таких промышленных САПР для задач моделирования и оптимизации МДП-структур при схемотехническом проектировании МДП ИС является неэффективным из-за их универсальности и направленности на решение широкого класса задач. Для решения таких задач требуется разработка специализированного проблемно-ориентированного комплекса, входящего в качестве подсистемы в промышленную САПР ИС.

В большинстве известных работ анализ и оптимизация ИС проводится в основном для цифровых ИС, в то время как вопросу моделирования и оптимизации МДПструктур аналоговых ИС до сих пор не уделялось достаточного внимания в исследованиях и при разработке средств автоматизированного проектирования.

В связи с этим весьма важным является решение вопросов повышения эффективности процесса схемотехнического проектирования МДП ИС путем моделирования и оптимизации МДПструктур.

Таким образом, разработка методов и средств, позволяющих создать на основе промышленных пакетов интегрированный комплекс схемотехнического проектирования аналоговых МДП ИС усилителей, является актуальной задачей.

Диссертационная работа выполнялась в рамках НИР ГБ 96.17 «Исследование и разработка устройств и технологии радиоэлектронных средств» и в соответствии с научным направлением Воронежского государственного технического университета «Системы автоматизированного проектирования и автоматизации производства».

Цель и задачи исследования

Целью работы заключается в разработке моделей, алгоритмов, программного обеспечения комплекса моделирования и оптимизации МДПструктур аналоговых ИС при их схемотехническом проектировании.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи: провести анализ этапов и особенностей схемотехнического проектирования МДП ИС усилителейразработать электрическую, малосигнальную и шумовую модели МДП-транзистора, учитывающие основные процессы происходящие в МДП-структуре, обеспечивающие приемлемую для схемотехнического проектирования точность, а также модели различных схем включения МДП-структуры в том числе каскодного включенияосуществить разработку алгоритмов моделирования и оптимизации топологических параметров МДП-структуры, позволяющих обеспечить встраиваемость в современные промышленные САПР ИСреализовать предложенные модели, алгоритмы и процедуры в программнометодическом комплексе моделирования и оптимизации МДП ИС при ее схемотехническом проектировании.

Методы исследования. При выполнении работы использованы элементы теории системного анализа, автоматизированного проектирования, методы вычислительной математики, математического моделирования и оптимизации, теории полупроводниковых приборов, теории цепей, структурного программирования.

Научная новизна. В результате проведенного исследования получены и выносятся на защиту следующие результаты, характеризующиеся научной новизной: электрическая нелинейная модель, отличающаяся простотой аналитических выражений, не содержащих трансцендентных функций, обладающая приемлемой для моделирования точностью (около 10−15%) и учитывающая эффект модуляции длины канала, управляющее действие подложкималосигнальная модель МДП-транзистора, отличающаяся компактностью математических выражений, учитывающая паразитные сопротивления и емкости, влияющие на частотные свойства транзистора, обеспечивающая точность моделирования 10−15%- модели усилительных каскадов на МДП-транзисторах с различными схемами включения, учитывающие два типа нагрузкидиффузионный резистор и МДП-транзистор, отличающиеся высокой точностью оценки выходных параметров усилителей при меньшей сложности математического описания по сравнению с известнымимодель шумовых свойств МДП-транзистора, полученная на основе малосигнальной модели, отличающаяся учетом шумов не только во входной и выходной цепях, но и дополнительных шумов паразитных сопротивлений, позволяющая оценить минимальный коэффициент шума транзистораалгоритмы и процедуры моделирования и оптимизации топологических параметров МДП-структуры, отличающиеся учетом конструктивных, функциональных, технологических особенностей МДП-структуры, позволяющие получить в результате не только значения оптимизированных параметров, характеристик, но и параметры SPICE модели оптимизированного варианта транзистора для использования в программных пакетах схемотехнического проектирования.

Практическая ценность. На основе предложенных моделей и алгоритмов разработано программное обеспечение комплекса моделирования и оптимизации ИС на основе МДП-структур в процессе схемотехнического проектирования, интегрированного в промышленную САПР OrCAD 9.2, использование которого позволяет сократить временные затраты на проектирование при повышении качества получаемых решений (ИС).

Внедрение результатов работы. Основные положения диссертации в виде автоматизированного программного комплекса внедрены и используются в учебном процессе специальности 200 800 «Проектирование и технология радиоэлектронных средств» ВГТУ и Воронежским заводом полупроводниковых приборов.

Апробация работы. Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях, совещаниях и семинарах:

Всероссийской научно-технической конференции «Современные проблемы радиоэлектроники» (Красноярск, 1999, 2000);

Международной конференции «Системные проблемы качества, математического моделирования, информационных, электронных и лазерных технологий» (Сочи, 2001);

Всероссийской научно-технической конференции «Компьютерные технологии в науке, проектировании и производстве» (Нижний Новгород, 2000).

Публикации. По теме диссертационной работы опубликовано 12 печатных работ. В работах, опубликованных в соавторстве лично соискателю принадлежит в [1] анализ математических моделей МДП-структурыв [2] разработка модифицированной эквивалентной схемыв [3] обоснование выбора целевой функции варьируемых параметровв [4] разработка общего алгоритма моделирования и оптимизации топологических параметров МДП-структурыв [5] компьютерное исследование функции Р (и<-, ип, Фо) — в [6] разработка алгоритма получения семейства статических ВАХ и алгоритма определения выходных параметров в рабочей точке на ВАХв [7] экспериментальное определение коэффициента ш при определении величины модуляции длины каналав [8] получение У-параметров П-образной схемы замещения МДП-структурыв [9] получение выражений, определяющих частотные свойства каскада с ОИв [10] исследование каскада на МДП-транзисторе с.

ОС и нагрузочным резисторомв [11] анализ шумовых свойств транзистора и выражение для оценки минимального коэффициента шума.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка использованных источников, включающего 103 наименования, 6 приложений. Основная часть работы изложена на 141 странице, содержит 48 рисунков и 1 таблицу.

4.3. Основные выводы четвертой главы.

1. На основе предложенной структуры проблемно-ориентированного комплекса моделирования и оптимизации МДП-транзисторов аналоговых ИС, разработанных математических моделей, методов и алгоритмов создано программное обеспечение, позволяющее в комплексе решать задачи.

119 оптимизации МДП-структур при схемотехническом проектировании аналоговых ИС усилителей.

2. Разработанное ПО применялось при оптимизации МДП-структур ИС усилителя низкой частоты К1УС671, внедрено в учебный процесс ВГТУ в виде лабораторного практикума и курсового проектирования по курсу «Конструирование микросхем и микросборок» специальности 200 800 «Проектирование и технология РЭС» дневной и заочной форм обучения, а также прошло экспериментальную проверку и внедрено Воронежским заводом полупроводниковых приборов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Рассмотрены этапы и особенности схемотехнического проектирования ИС, особенности МДП-транзистора как объекта проектирования, проведен анализ существующего математического обеспечения современных промышленных пакетов схемотехнического проектирования ИС, рассмотрены особенности функционирования в них отдельных проблемно-ориентированных подсистем, выполняющих в комплексе схемотехническое проектирование ИС. Определена необходимость разработки математических моделей, алгоритмов и процедур для организации моделирования и оптимизации МДП-структур, а также программного обеспечения. Сделано обоснование выбора в качестве базовой системы для построения интегрированной САПР схемотехнического проектирования ИС промышленного пакета ОгСАБ 9.2.

2. Сформирована структура математического обеспечения процесса моделирования и оптимизации ИС на основе МДПструктур.

3. Предложена электрическая нелинейная модель статических параметров МДП-структуры, учитывающая эффект модуляции длины канала, влияние напряжения, подаваемого на подложку, обеспечивающая точность моделирования около 10−15%, имеющая простой аналитический вид без дробных показателей степени.

4. Предложена малосигнальная модель транзистора, учитывающая паразитные сопротивления и емкости, влияющие на частотные свойства транзистора, обеспечивающая точность моделирования 10−15%.

5. На основе электрической и малосигнальной моделей разработаны модели различных схемных вариантов включения МДПструктуры в усилителе, а также модель каскодного включения, позволяющие оценить выходные параметры усилителя на основе МДП-транзистора.

6. Предложена шумовая математическая модель МДП-транзистора, учитывающая шумы не только во входной и выходной цепях, а также.

121 дополнительные шумы паразитных сопротивлений, позволяющая оценить минимальный коэффициент шума транзистора.

7. Разработан алгоритм моделирования и оптимизации МДПструктур, основанный на методе штрафных функций с уменьшающимся значением параметра штрафа для оптимизации топологических параметров МДП-структуры. Выбран метод покоординатного спуска, применяемый для минимизации штрафной функции.

8. Разработан метод получения параметров SPICE модели, основанный на нелинейной электрической модели МДП-транзистора, позволяющий исследовать усилительные схемы на его основе рядом программ, использующих SPICE модели, в том числе известной программой схемотехнического проектирования Pspice.

9. Разработано программное обеспечение, позволяющее в комплексе решать задачи оптимизации МДПструктур при схемотехническом проектировании аналоговых ИС усилителей, применялось при оптимизации МДП-структур ИС усилителя низкой частоты К1УС671, внедрено в учебный процесс ВГТУ в виде лабораторного практикума и курсового проектирования по курсу «Конструирование микросхем и микросборок» специальности 200 800 «Проектирование и технология РЭС» дневной и заочной форм обучения, а также прошло экспериментальную проверку и внедрено Воронежским заводом полупроводниковых приборов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Р. Схемные применения МОП- транзисторов: Пер. с англ. / Под ред. М. С. Сонина. М.: Мир, 1970. 192 с.
  2. Полевые транзисторы. Физика, технология и применения: Пер. с англ. / Под ред. С. А. Майорова. М.: Сов. радио, 1971. 376 с.
  3. Е.Л., Ссорин В. Г., Сыпчук П. П. Введение в автоматизацию схемотехнического проектирования. М.: Сов. радио, 1976. 224 с.
  4. Л.Н. Полевые транзисторы. М.: Энергия, 1976. 80 с.
  5. Л., Гришина Л. Полевые транзисторы с изолированным затвором // Радио. 1973. № 11. С. 55−56.
  6. Микроэлектроника / Под ред. Л. А. Коледова. М.: Высшая школа, 1987. 437 с.
  7. П. Физические основы полевых транзисторов с изолированным затвором: Пер. с англ. / Под ред. Г. Г. Смолко. М.: Сов. радио, 1971.263 с.
  8. Р. Теория и применение полевых транзисторов: Пер с англ. М.: Мир, 1970. 192 с.
  9. И.Ф., Игумнов Д. В. Параметры и предельные режимы работы транзисторов. М.: Сов. радио, 1971. 384 с.
  10. В.Д. Применение программ Р-САО и Рэрке для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Общие сведения графический ввод схем. М.:Радио и связь, 1992. Вып.1. 72с.
  11. В.Д. Применение программ Р-САО и Рэрке для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Модели компонентов аналоговых устройств. М.:Радио и связь, 1992. Вып.2. 64с.
  12. В.Д. Применение программ Р-САЭ и Рэрюе для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. Моделирование аналоговых устройств. М.:Радио и связь, 1992. Вып.З. 120 с.
  13. В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств Design Lab 8.0. M.: Солон, 1999. 789 с.
  14. BSIM: Berkley shot-channel IGFET model for MOS transistors BJ. Sheu, D. L. Scharfetter, P.K. Ko, M.C. Jeng // IEEE journal of solid-state circuits August 1987. V. SC-22. P. 558−566.
  15. В.Д. Система схемотехнического моделирования и проектирования печатных плат Design Center (Pspice). M.: CK Пресс, 1996. 272 с.
  16. А.И. Сравнение математических моделей МДП-транзисторов для программ схемотехнического моделирования // Эхлектронная техника. Сер. Микроэлектронные устройства. 1990. Вып.6. С. 34−39.
  17. Энгель B. JL, Диркс Х. К., Майнерцхаген Б. Моделирование полупроводниковых приборов / ТИИЭР. 1983. Т. 71. № 1. С. 14−41.
  18. К.О., Шилин В. А., Яншин А. А. Электрические модели элементов интегральных схем для автоматизации проектирования. М.: Машиностроение, 1979. 92 с.
  19. Физико-топологические модели для автоматизации схемотехнического проектирования полупроводниковых и вакуумных элементов интегральных схем. / В. В. Ермак, К. О. Петросянц, В. А. Шилин, А. А. Яншин М.: Машиностроение, 1980. 60 с.
  20. А.И., Пригожин Г. Я. Математическая модель МДП-транзистора с ионно- легированным каналом малых размеров // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1990.- Вып.2. С.82−90.
  21. Ю.Р., Петросянц К. О., Шилин В. А. Математическое моделирование элементов интегральной электроники. М.: Сов. радио, 1976. 304 с.
  22. Анализ методов моделирования характеристик МДП- транзисторов для машинного проектирования интегральных схем / В. Н. Ильин, B.JI. Коган,
  23. B.А. Лементуев, В. З. Попов // Автоматика и телемеханика АН СССР. 1977. № 2. С. 153−160.
  24. И.П., Маничев В. Б. Системы автоматизированного проектирования электронной и вычислительной аппаратуры. М.: Высш. шк., 1983.272 с.
  25. .В., Русаков С. Г., Савин В. В. Пакет прикладных программ автоматизации схемотехнического проектирования для персональных компьютеров // Микропроцессорные средства и системы. 1988. № 4.1. C. 63−66.
  26. Диалоговые системы схемотехнического проектирования / В. И. Анисимов, Г. Д. Дмитревич, К. Б. Скобельцын и др. Под ред. В. И. Анисимова. М.: Радио и связь, 1988. 288 с.
  27. Диалоговое схемотехническое проектирование в дисплейном классе на мини -ЭВМ/ В. И. Анисимов, П. П. Азбелев, Г. Д. Дмитревич и др. Под ред. В. Д. Разевига. М.: Моск. энерг. ин-т, 1986. 123 с.
  28. В.Н., Коган B.JI. Разработка и применение программ автоматизации схемотехнического проектирования. М.: Радио и связь, 1984. 368с.
  29. Т.Э., Коган А. Г., Тараторин A.M. Персональные ЭВМ в инженерной практике. М.: Радио и связь, 1989. 337 с.
  30. Автоматизация проектирования: сб. науч. тр. / Под ред. В .А. Трапезникова. М.: 1986. Вып.1. 275 с.
  31. Системы автоматизированного проектирования в радиоэлектронике: Справочник / Е. В. Авдеев, А. Т. Еремин, И. П. Норенков, М.И. Песков- Под ред. И. П. Норенкова. М.: Радио и связь, 1986. 386 с.
  32. Г. Г. Персональные компьютеры.-М.: Финансы и статистика, 1989. 208 с.
  33. Т., Шлив П. Система автоматизированного проектирования AutoCAD: Пер с англ. М.: Радио и связь, 1989. 256 с.
  34. А.О., Кузнецова С. А. Наше решение проблемы // EDA Express. 2001. № 3. С. 19.
  35. А.О., Кузнецова С. А., Нестеренко A.B. Проектирование в OrCAD. Киев: Наука и техника, 2001 541 с.
  36. Разевиг В.Д. Design Center для Windows // Монитор- Аспект. 1994. С. 52−58.
  37. В.Д. Система схемотехнического моделирования Micro-Cap IV. М.: Изд-во МЭИ, 1996.
  38. Разевиг В.Д. Design Center 6.2 система сквозного проектирования // PC Week / RE. 1996. № 3. С. 37−39, 42.
  39. В.Д. Моделирование аналоговых электронных устройств на персональных ЭВМ. М.: Изд-во МЭИ, 1991. 162 с.
  40. В.Д. Система проектирования цифровых устройств OrCAD. М.: Солон-Р, 2000. 519 с.
  41. Автоматизация проектирования радиоэлектронных средств / О. В. Алексеев, A.A. Головков, И. Ю. Пивоваров, Г. Г. Чавка- Под ред. О. В. Алексеева. М.: Высш. шк., 2001. 268 с.
  42. В.Д. Система проектирования OrCAD 9.2.- М.: Солон-Р, 2001.
  43. Автоматизация схемотехнического проектирования / В. Н. Ильин, В. Т. Фролкин, А. И. Бутко и др.- Под ред. В. Н. Ильина. М.: Радио и связь, 1987.
  44. Т.М. Основы теории и расчета транзисторных структур в микроэлектронике. В кн.: Микроэлектроника / Под ред. Т. М. Агаханяна. М.: Атомиздат, 1971. Вып 1. С 5−30.
  45. Проектирование СБИС: Пер. с япон. М. Ватанабе и др. М.: Мир, 1988. 304 с.
  46. Д.И., Львович Я. Е., Фролов В. Н. Оптимизация в САПР: Учебник. Воронеж: ВГТУ, 1997. 416 с.
  47. В.Д., Кармазинский, Немчинов В.М. Влияние потенциала подложки на вольтамперные характеристики унитрона со структурой МДП // Изв. вузов СССР. Сер. Радиоэлектроника. 1969. Т. XII. № 5.
  48. .В., Егоров Ю. Б., Русаков С. Г. Основы математического моделирования больших интегральных схем на ЭВМ. М.: Радио и связь, 1982. 168 с.
  49. Reggy V.G., Sah С.Т. Sourse to Drain resistance beyond pinch-off in Metal-Oxide-Semiconductor Transistor (MOST).// IEEE Trans. 1985. ED-12. № 3.
  50. К.А., Кармазинский A.H., Королев M.A. Цифровые интегральные схемы на МДП- транзисторах. М.: Сов. радио, 1971.
  51. Ю.Г., Турецкий A.B. Вольтамперные характеристики и дифференциальные параметры МДП-структур // Проблемы обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2000. С. 170.
  52. An experimental method for determination of the saturation point of MOSFET / G. Boyle, B. Cohn, D. Pederson, J. Solomon // IEEE jornal of Solid State Circuits. 1984. V. 19. № 19.
  53. B.C., Степаненко И. П., Яворская Р. Я. Дифференциальные параметры МДП- транзистора в области насыщения. Изв. вузов СССР. Сер. Радиоэлектроника. № 3. 1971.
  54. A.B., Крюков Ю. Г. Вольтамперные характеристики МДП-структур // Современные проблемы радиоэлектроники: Сб. науч. тр. / Под ред. A.B. Сарафанова. Красноярск: 2000. С. 160.
  55. Е.Ф., Мирошниченко С.И. Y-параметры полевых МОП транзисторов с индуцированным каналом. // Электронная техника. Сер IV. Микроэлектроника. 1969. Вып 4.
  56. JT.C. Технологические методы изготовления МДП-транзисторов. // Зарубежная электроника. 1972. № 1.
  57. И.В., Сорокин A.B. Современные методы моделирования полевых МОП-транзисторов в диапазоне температур 4.240 К. Зарубежная электронная техника. 1991. № 8.
  58. В.Д., Хорохина Л. Н., ЮсовЮ.П. Работоспособность МДП-приборов при воздействии ионизирующих излучений в реальных условиях эксплуатации // Зарубежная электронная техника. 1991. № 1−2.
  59. А.П., Малышев И. В. Эквивалентные схемы интегрального транзистора для практических расчетов частотных характеристик полупроводниковых интегральных схем. В кн.: Микроэлектроника. М.: Сов. радио, 1971. Вып. 4. С 315−325.
  60. Ю.Г., Турецкий A.B. Модели МДП-структур и их характеристические проводимости // Элементы и устройства микроэлектронной аппаратуры: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 1999. С. 91.
  61. В.Л. Популярные микросхемы КМОП: Справочник. -М.: Изд-во Ягуар, 1993. 64 с.
  62. В.Н., Шилков В. М. Расчет интегральных усилителей на МДП- транзисторах // Микроэлектроника: Сб. науч. тр. / Под ред. A.A. Васенкова 1973. Вып. 6.
  63. B.C., Красник Е. К., Овсянников Е. К. К вопросу о методике разработки электрофизической модели МДП-транзистора и ее экспериментального исследования // Электронная техника. Сер. 6. Микроэлектроника, 1973. № 4. С. 21−28.
  64. Э.Р. О канонической форме записи выражений, описывающих вольт-амперные характеристики МДП-транзистора / Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. М.: 1976. Вып 1. С 310 312.
  65. Ю.Р., Петросянц К. О., Шилин В. А. Модели компонентов для машинного проектирования ИС. // Зарубежная электронная техника. 1972. Вып. 6. 59 с.
  66. Э.Р. Анализ динамического инвертора с резистивно-емкостной связью на МДП- транзисторах. В. кн.: Микроэлектроника. М.: Сов. радио, 1971. Вып. 4. С 315−325.
  67. А.Н., Парфенов В. П. Эквивалентная схема транзистора МДП. // Электронная техника. Сер. 6. Микроэлектроника. 1971. Вып 5 (31). С. 107−114.
  68. Д., Мейер Ч., Гамильтон Д. Анализ и расчет интегральных схем: Пер с англ.- Под ред. Б. И. Ермолаева М.: Мир, 1969. Ч. 1. 370 с.
  69. И.П. Анализ простейших усилительных каскадов на МДП- транзисторах // Микроэлектроника. Под ред. Лукина Ф. В. 1969. Вып. 3 С. 35−41.
  70. И.П., Зайцев Б. Д. Усилительные схемы на МОП-транзисторах с учетом нелинейных искажений. // Изв. вузов СССР Сер. Радиоэлектроника. 1973. № 4.
  71. И.П., Худыкина В. М. Анализ и расчет однотактных каскадов на МДП-транзисторах с учетом нелинейных искажений. Изв. вузов СССР, Радиоэлектроника, 1973, № 4.
  72. И.П. Статический анализ простейшего дифференциального каскада на МДП-транзисторах. Сб. Микроэлектроника. Под ред. Лукина Ф. В. М.: 1971. № 5.
  73. Усилители с полевыми транзисторами / Под ред. И. П. Степаненко М.: 1980. 192 с.
  74. A.B., Шишкин В. М. Моделирование характеристик схемы усиления на МДП-транзисторах с общим истоком и нагрузочным диффузионным резистором / Вестник ВГТУ Сер. Радиоэлектроника и системы связи выпуск 4.1 Воронеж. 2001. С. 111.
  75. A.B., Шишкин В. М. Моделирование характеристик схемы усиления на МДП-транзисторах с общим стоком и нагрузочным резистором / Элементы и устройства микроэлектронной аппаратуры: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж. 2001 г. С. 55.
  76. В.И., Завадовский А. З., Крюков Ю. Г. Оптимизация транзисторных каскодных усилителей на базе микросборок и интегральных схем. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1985. 132 с.
  77. Д.Б. Моделирование источников шума с помощью программы Spice // Электроника. 1991. № 16. С. 68−69.
  78. И.В. Шумы электрических цепей. (Теория.) М.: Связь, 1975.352 с.
  79. У.Р. Основные понятия и методы теории шумов в радиотехнике. М.: Сов. радио, 1977. 103 с.
  80. Г., Адлер Р. Теория линейных шумящих цепей. Изд-во иностр. лит., 1963. 56 с.
  81. Н.С. Шумовые параметры радиоприемных устройств. JL: Энергия, 1969. 168 с.
  82. Н. М. Генераторы шума и измерение шумовых характеристик. М.: Энергия, 1988. 215 с.
  83. О.Ю., Турецкий A.B. Моделирование шумовых характеристик аналоговых схем на МДП-транзисторах // Проблемы обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: ВГТУ, 2002. С. 10.
  84. М. Введение в методы оптимизации: Пер. с англ. М.: Наука, 1977. 344 с.
  85. В.Н. Основы автоматизации схемотехнического проектирования. М.: Энергия, 1979. 391 с.
  86. У.И. Нелинейное программирование: Пер с англ. М.: Сов. радио, 1973. 311 с.
  87. А., Мак-Кормик Г. Нелинейное программирование. М.: Мир, 1972. 240 с.
  88. Д.И. Поисковые методы оптимального проектирования. -М.: Сов. радио, 1975. 216 с.
  89. В.И., Каган Б. М. Методы оптимального проектирования.- М.: Энергия, 1980. 160 с.
  90. В.П., Курейчик В. М., Норенков И. П. Теоретические основы САПР.- М.: Энергоатомоиздат, 1987. 400 с.
  91. Ю.Г., Турецкий A.B. Алгоритмизация проектирования МДП-структур аналоговых ИС // Проблемы обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: 2000. С. 10.
  92. Машинный расчет интегральных схем: Пер. с англ.- Под ред. К. А. Валиева, Г. Г. Казенова. М.: Мир, 1971. 407 с.
  93. А.И. Основы автоматизации проектирования Киев: Техника, 1982. 295 с.
  94. Я.Е., Фролов В. Н. Теоретические основы конструирования, технологии и надежности РЭА: Учеб. пособие для вузов.- М.: Радио и связь, 1986. 192 с.131
  95. P.B. Оптимизация электронных схем на ЭВМ. -Киев: Техника, 1980. 224 с.
  96. A.B., Крюков Ю. Г. Этапы проектирования МДП-структур аналоговых интегральных схем // Современные проблемы радиоэлектроники: Сб. науч. трудов / Под ред. A.B. Сарафанова. Красноярск: 2000. С. 158.
  97. .Л., Петухов В. Н. Новые транзисторы: Справочник.- М.: Солон. Микротех, 1994. 272 с.
  98. Фаронов B.B. Delphi 5. Учебный курс. М.: Нолидж, 2000. 608 с.
  99. A.B. Автоматизированный комплекс моделирования и оптимизации МДП-структур // Проблемы обеспечения надежности и качества приборов, устройств и систем: Межвуз. сб. науч. тр. Воронеж: 2002. С. 15.
  100. Справочник по интегральным микросхемам. / Под общ. ред. Б. В. Тарабрина. М.: Энергия, 1977. 548 с.
  101. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы / C.B. Якубовский, Л. И. Ниссельсон, В. Н. Кулешова и др.- Под ред. C.B. Якубовского. М.: Радио и связь, 1989. 496 с. 1. Параметры SPICE моделей
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!