Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Моделирование нелинейных СВЧ преобразующих устройств на полевых транзисторах с затвором шотки

Диссертация: Моделирование нелинейных СВЧ преобразующих устройств на полевых транзисторах с затвором шотки
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Для анализа работы СВЧ устройств на полевых транзисторах с затворами Шотки необходимо определить аппроксимации их характеристик, чтобы они совпадали с экспериментальными результатами. Полученные сегодня выражения для выходных ВАХ зачастую не учитывают особенностей планарной конструкции приборов этого типа. Поэтому весьма актуально в настоящее время разработка методов моделирования выходных… Читать ещё >

Моделирование нелинейных СВЧ преобразующих устройств на полевых транзисторах с затвором шотки (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • РАЗДЕЛ 1. Обзор современных методов анализа нелинейных СВЧ устройств
    • 1. 1. Методы анализа нелинейных СВЧ устройств
    • 1. 2. Аппроксимация характеристик нелинейных СВЧ-элементов
    • 1. 3. Виды нелинейностей в устройствах СВЧ
    • 1. 4. Итоги раздела
  • РАЗДЕЛ 2. Анализ преобразующих устройств СВЧ на ПТШ и ДЗПТШ
    • 2. 1. Смесители СВЧ на ПТШ и ДЗПТШ
    • 2. 2. Анализ умножителей СВЧ на ПТШ
    • 2. 3. Итоги раздела
  • РАДЕЛ 3. Вопросы моделирования СВЧ нелинейных устройств на ПТШ
    • 3. 1. Моделирование ВАХ ПТШ и ДЗПТШ с учётом нелинейности объёма полупроводника
    • 3. 2. Метод анализа нелинейного СВЧ-устройства при полигармоническом воздействии
    • 3. 3. Метод расчета нелинейных характеристик преобразователя СВЧ на полевом транзисторе с затвором Шотки
    • 3. 4. Расчет нелинейных характеристик умножителей частоты на ПТШ
    • 3. 5. Моделирование эквивалентных схем СВЧ полевых транзисторов
    • 3. 6. Итоги раздела
  • РАЗДЕЛ 4. Вопросы моделирования преобразующих СВЧ-устройств на ПТШ и ДЗПТШ и их шумовые параметры
    • 4. 1. Моделирование и расчет СВЧ — смесителей на ПТШ и ДЗПТШ
      • 4. 1. 1. Проектирование и расчет резистивного СВЧ смесителя на ПТШ
      • 4. 1. 2. Проектирование и расчет преобразователя СВЧ на ДЗПТШ
    • 4. 2. Моделирование и расчет умножителей СВЧ на ПТШ и ДЗПТШ
      • 4. 2. 1. Моделирование и алгоритм расчета умножителя СВЧ на ПТШ
      • 4. 2. 2. Проектирование умножителей СВЧ на ПТШ и ДЗПТШ
    • 4. 3. Анализ шумовых параметров ПТШ и ДЗПТШ
    • 4. 4. Итоги раздела

Актуальность Нелинейные устройства СВЧ широко применяются во всех современных телекоммуникационных системах. Наибольшее применение в качестве активных нелинейных элементов в таких устройствах нашли полевые транзисторы с барьером Шотки (ПТШ). ПТШ (английская аббревиатура MESFET) обладают рядом преимуществ перед другими типами СВЧ активных элементов. Это малый коэффициент шума, возможность работы на частотах вплоть до 60 гигагерц, высокое входное сопротивление, устойчивость в широком диапазоне частот, простота и технологичность изготовления. Все эти факторы делают ПТШ незаменимыми при проектировании и изготовлении таких СВЧ устройств как усилители, умножители и делители частоты, смесители и генераторы.

Методов анализа нелинейных СВЧ устройств в настоящее время существует множество. Основными на данный момент являются метод гармонического баланса и метод функциональных рядов Вольтерра. Методы машинного анализа СВЧ нелинейных устройств также в основном используют эти два метода.

Метод гармонического баланса, являясь частотным методом, позволяет достаточно полно исследовать нелинейные СВЧ устройства с сильной нелинейностью и определять его передаточные характеристики (коэффициент передачи и др.). Этот метод используется для исследования таких СВЧ нелинейных устройств как умножители, генераторы, смесители. Однако при полигармоническом возбуждении анализ данным методом значительно усложняется и требует значительного увеличения времени для расчетов (особенно при расчете интермодуляционных искажений и уровней сжатия смесителей).

Метод функциональных рядов Вольтерра обычно используется для исследования СВЧ устройств со слабой нелинейностью, и, являясь временным методом, позволяет достаточно точно и быстро определять интермодуляционные искажения различных порядков.

Именно поэтому существует необходимость в разработке метода анализа нелинейных СВЧ устройств, позволяющего с достаточной точностью и достоверностью определять как передаточные характеристики этих устройств, так и нелинейные искажения, возникающие при воздействии полигармонических сигналов.

Для анализа работы СВЧ устройств на полевых транзисторах с затворами Шотки необходимо определить аппроксимации их характеристик, чтобы они совпадали с экспериментальными результатами. Полученные сегодня выражения для выходных ВАХ зачастую не учитывают особенностей планарной конструкции приборов этого типа. Поэтому весьма актуально в настоящее время разработка методов моделирования выходных характеристик ПТШ и ДЗПТШ (двухзатворных полевых транзисторов).

Целью работы является разработка метода анализа нелинейных СВЧ устройств, который позволил бы определять как передаточные характеристики нелинейных устройств, так и нелинейные искажения, возникающие в таких устройствах при воздействии полигармонических сигналов, а также приложение этого метода для анализа СВЧ смесителей и умножителей на полевых транзисторах с затвором Шотки.

Для достижения указанной выше цели предлагается решение следующих задач:

— исследование существующих методов нелинейного анализа, пригодных для СВЧ устройств на ПТШ;

— разработка метода анализа наиболее полно описывающего основные характеристики и нелинейные искажения таких СВЧ устройств на ПТШ как смесители и умножители;

— разработка метода моделирования выходных характеристик ПТШ и ДЗПТШ;

— разработка оптимального метода анализа эквивалентных схем ПТШ и ДЗПТШ для СВЧ смесителей и умножителей;

— расчет смесителей и умножителей СВЧ на ПТШ и ДЗПТШ известными методами и разработанным в данной работе, и сравнение полученных результатов;

— анализ и расчет нового типа смесителя на ПТШ, работающего в режиме управляемого сопротивления;

— схемотехнические решения для смесителей и умножителей СВЧ на ПТШ и ДЗПТШ;

— анализ природы шумов в СВЧ полевых транзисторах с барьером Шотки и моделирование шумов в СВЧ ПТШ с двумя затворами с точки зрения волнового подхода;

— анализ влияния режима работы смесителей СВЧ на ПТШ и ДЗПТШ на их шумовые характеристики, а также анализ технических и технологических методов снижения уровня шумов у полевых СВЧ транзисторов.

Содержание работы определили указанные цели и задачи. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и двух приложений. Во введении дается общая характеристика работы, обоснована актуальность темы исследования, сформулированы цель и основные задачи работы, показана ее практическая значимость, дано краткое изложение содержания и сформулированы основные положения, выносимые на защиту.

Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 30 статьях и докладах и обсуждались на:

НТК Интегральная электроника СВЧ. Красноярск 14−16 июня, 1988 г.- ВНТК Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. ТРТУ, 1994 г.- Всерос. НТК с международным участием Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. ТРТУ, 1995 г.- ВМК Современные проблемы электроники и радиофизики СВЧ, Саратов, 1997 г.- XLV НТК ППС, аспирантов и сотрудников ТРТУ. Таганрог, 2000, № 1 (15).- 3-й МНТК «Электроника и информатика XXI век», Зеленоград, 2000 г.- 2-й Всеросс. конф. молодых ученых, С-Петербург, Технич. Университет, 2000 г.- 2-й МНТК «Физика и технические приложения волновых процессов», Самара, 2003 г.- L НТК ППС, аспирантов и сотрудников ТРТУ. Таганрог, 2004 г.- XJLIV НТК ППС, аспирантов и сотрудников ТРТУ. Таганрог, 2004 г.-. 9-й МНТК Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Дивноморское, 12−17 сент., 2004 г.- LI НТК ППС, аспирантов и сотрудников ТРТУ. Таганрог, 2005 г.- XVIII МНТК Математические методы в технике и технологиях, ММТТ-18, Казань, 2005 г.- LII НТК ППС, аспирантов и сотрудников ТРТУ. Таганрог, 2006, № 9 (64).- 10-й МНТК Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Дивноморское, 24−29 сент., 2006 г.- XIX МНК Математические методы в технике и технологиях — ММТТ-19, Воронеж, 2006 г.- МНК Проблемы современной радиотехники, телевидения и связи. Баку, 4−6 июня, 2007 г.

Результаты исследований вошли составной частью в ряд зарегестрирован-ных в ВНИИТЦ отчетов по научно-техническим работам в рамках гранта Министерства образования РФ «Научные исследования высшей школы в области производственных технологий» по разделу «Электроника», выполненных при участии автора («Квазилинейный анализ и экспериментальное исследование процессов преобразования световых и микроволновых сигналов на объемных и контактных нелинейностях приборов твердотельной электроники СВЧ». Отчет по НИР, гос. Per. № 01.9.80 009 587,инв. № 02.990 006 303, ТРТУ, г. Таганрог, 1999, 77−98с.- «Анализ процессов взаимодействия модулированного света и переменного электрического поля в неоднородных полупроводниковых средах»: Отчеты по г/б НИР № 13 056/2, гос. Per. № 01.2.7 386, гос. Per. № 01.2. 7 386, ч. 1, ч. 2, г. Таганрог, 2000. 2001.), используются в технологических процессах и НИОКРах: — в Азербайджанском Национальном Аэрокосмическом Агенстве в НЙЭР (г. Баку, Азербайджан) — - НИИС (г. Таганрог) — - в учебном процессе ТТИ ЮФУ (в разделах курсов лекций «Материалы и элементы электронной техники», «Цифровые системы оптической связи», «Физика процессов на СВЧ») при подготовке инженеров, бакалавров, магистров и аспирантов по специальностям направления550 700, о чем имеются соответствующие акты внедрения.

Автор приносит благодарность научному руководителю, доктору технических наук, профессору Червякову Г. Г. за постановку темы, постоянное внимание и помощь при выполнении работы.

Во время работы над диссертацией автор неизменно ощущал поддержку и помощь доктора физико-математических наук, профессора Малышева В. А., всего коллектива кафедры радиотехнической электроники ТТИ ЮФУ, сотрудникам которой он выражает свою глубокую признательность и благодарность.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В работе на основе обзора отечественной и зарубежной литературы, показана актуальность разработки метода моделирования нелинейных СВЧ устройств на ПТШ и ДЗПТШ, который позволил бы определять как передаточные характеристики нелинейных устройств, так и нелинейные искажения, возникающие в таких устройствах при воздействии полигармонических сигналов, а также приложение этого метода для анализа СВЧ смесителей и умножителей.

В работе поставлены и решены следующие задачи:

1. Предложен метод моделирования выходных характеристик двухзатворного ПТШ с учетом особенностей переноса заряда в транзисторе планарной конструкции.

2. На основании теоретических и экспериментальных работ разработан метод анализа нелинейного СВЧ устройства при полигармоническом входном сигнале, позволяющий получить явные выражения для комплексных амплитуд токов (напряжений) как функции амплитуд входных воздействий и сравнительно просто вычислить амплитуды комбинационных гармоник отклика нелинейного двухполюсника с характеристикой, аппроксимируемой любой из функций при полигармоническом входном воздействии.

3. Используя возможности предложенного метода анализа нелинейного СВЧ-элемента, описан метод расчета нелинейных характеристик преобразующих устройств СВЧ на ПТШ и ДЗПТШ, который позволяет достаточно просто рассчитать все основные характеристики смесителей и умножителей частоты на полевых СВЧ транзисторах и нелинейные эффекты, возникающие в них при воздействии модулированных сигналов и квазигармонических помех.

4. На основании анализа эквивалентных схем современных полевых транзисторов, предложен метод моделирования эквивалентной схемы СВЧ ПТШ, пригодный для автоматизированных методов расчета.

5. Проведено теоретическое исследование влияния режима работы смесителя СВЧ на ПТШ на его шумовые характеристики.

6. Предложен метод моделирования шумов в СВЧ ПТШ с двумя затворами с точки зрения волнового подхода, включающий в себя несколько этапов.

7. Проведен анализ и расчет нового типа смесителя на ПТШ, работающего в режиме управляемого сопротивления;

8. Проведено моделирование и расчет смесителей и умножителей СВЧ на ПТШ и ДЗПТШ методом, разработанном в данной работе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Е.А. Нелинейные характеристики электрических устройствам., Связь, 2000 г.
  2. B.C. Теория нелинейных электрических цепей., М., Связь, 1972 г.
  3. A.M. Основы расчетов нелинейных и параметрических радиотехнических цепей, М., Связь, 1973 г.
  4. .М. Нелинейные искажения в приемно-усилительных устройствах., М., Связь, 1980 г.
  5. Л.В. Ряды Вольтера-Пикара в теории нелинейных электрических цепей. М., Радио и связь, 1987 г.
  6. С.Г. Моделирование нелинейных радиочастотных схем в системах автоматизации схемотехнического проектирования, http:// www. osp. ru / ар / 1997/02 /.
  7. А.Л., Гурарий М. М., Жаров М. Н. Актуальные проблемы моделирования в системах автоматизации схемотехнического проектирования (под ред. Стемпковского А. Л.). М., Наука, 2003 г.
  8. Л.П., Нелинейные цепи в программах схемотехнического моделирования. Солон-Р, 2002 г.
  9. Ю.Потапов Ю. Н. Microwave Office 2003. Chip News # 8,2003 г.
  10. П.Малышев В. А., Червяков Г. Г., Ганзий Д. Д. Нелинейные микроволновые полупроводниковые устройства. ТРТУ, Таганрог, 2001 г.
  11. В.А. Бортовые активные устройства СВЧ. Л.: «Судостроение», 1990. 264 с: ил.
  12. Г. Г. Избирательный фотоприем. Элементы, параметры, характеристики. ТРТУ, Таганрог, 1999, 75 с.
  13. М.Мовшович М. Е. Полупроводниковые преобразователи частоты (Основы теории и расчета). Л., Энергия, 1974 г.
  14. Клич С. М, Проектирование СВЧ устройств радиолокационных приемников. М: Сов. радио. 1973, 320с.
  15. Д.А., Скрипаль А. В. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ. Саратовский ун-т, 1999. 373 с.
  16. Н.З. Усилители СВЧ на полевых транзисторах, М., Радио и связь, 1987 г.
  17. К.А., Пашинцев Ю. И., Петров Г. В. Применение контакта металл-полупроводник в электронике, М., Радио и связь, 1981 г.
  18. S. Maas and D. Neilson, «Modeling MESFETs for Intermodulation Analysis of Mixers and Amplifiers,» IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. MTT-38, p. 1964,1990.
  19. Maas S.A. A GaAs MesFET balanced mixer with very low intermodulation //IEEE MTT’S Digest.-1987.-P.895−898.
  20. S. A. Maas, «How to Model Intermodulation Distortion,» 1991 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, Digest, p. 149,1991.
  21. Maas S.A. A GaAs MESFET mixer with very low intermodulation, IEEE trans.-1987.-Vol. MTT-35, no.4.-P. 425−429.
  22. A.B., Темнов A.M. Смесители на полевых транзисторах. Электроника СВЧ. Сер. 1, вып. 14. 1989 г.
  23. Thomos S. Howard and Anthony M.Pavio. A distribution 1−2 GHz dual-gate FET mixer/ЛЕЕЕ MTT’S Digest.-1986.-P.329−332.
  24. Tang O.S. A., Attlisso n C.S. A practical raicro-waye travelling-wave MesFET gate mixer/ЛЕЕЕ MTT Digest.-1985.-P.605−608.
  25. Willing H.A., Raucher C. De Santis A technique for predicting large-signal performance of A GaAs//MesFET «MesFET"-IEEE Trans.-1978.-MTT-26-Nol2 .-P. 10 171 022.
  26. Maas S.A. Theory and analysis of GaAs MesFET mixer/ЛЕЕЕ Trans.-1987.-Vol.MTT-32.No 10.-P.1402−1406.
  27. Harrop P. Modelling о an FET mixer. Electronics Letter.-1978.-Vol.14,No 12.-P.369−370.
  28. Medyar A. A fully analitical A.C. large-signal model of the GaAs MesFET for nonlinear network analysis and design//IEEE Trans .-1988.-Vol.MTT-36, Vol. MTT-36, Nol.-P.61−67.
  29. Minasian R.A. Volterra series analysis of MesFFT mixer//Int.J. Electronics.-1981.-Vol.50,No 8.-P.215−219.
  30. Begemann G., Heoht A, The conversion gain and stability of MesFET gate mixer//In proc.9th European Microwave Conf.(Brighton, England) Sept., 17−20, 1978, P.316−320.
  31. Begemann G., Jacob A. Conversion gain of MesFET drain mixer//Electron Letters.-1979.-Vol.l5,No 18.-P.567−568.
  32. Рисе! E.A., Maas D., Bers R. Perfomance» of GaAs MesFET mixer at X. band/ЛЕЕЕ Trans. MTT.24,-1976,.No 6.-P.351−360.
  33. Ashoka H., Tucker R."Models of operation in DGFET mixer" Electronics letters, 1983.-Vol.19,No 11.P. 428−429.
  34. Harrop P. GaAs mixer: Theory and application//Asta Electronics (France).-1980.-Vol.23,No 4.-P.291−297.
  35. Shur N.S. Analytical model of GaAs MesFET’S//IEEE Trans. Electron devices.-1978.~Vol.ED-25.-P.612.
  36. Begemann G., Jacob A. Conversion gain of MesFET drain mixer//Electron Letters.-1979.-Vol.l5,No 18.-P.567−568.
  37. Steven E. Moore .A dual-qate MesFET mixer usinq simplified experimental design approach //Microwave J.-1987.-Noll.-.P. 195−200 .
  38. C. 12 GHz recivier with self-oscillating dual-gate MESFET mixer//Electronics Letters.-1981.-Vol.17,No 17.-p.617−618
  39. Dual-qate MESFET mixer /Tsironis C. a.o.//IEEE Trans.-1984.-No 8.-P.248.
  40. Tsironis С BRFET a band-rejection FET for amplifier and mixer appllica-tions/ЛЕЕЕ MTT’S Digest-Dallas.-1982.-P.271−273.
  41. Cripp S.C., Nielson 0., Cocrill J. An X-band dual-gate MESFET image rejection mixer//IEEE NTTS Int. Microwave Symp., Washington, 1978, P.300−302 .
  42. Sokolov V., Williams R.E. Development of GaAs monolithic power amplifier in X band // IEEE Trans.-1980.-Vol.ED 27, No 6.-P.1164−1171.
  43. Монолитные сверхширокополосные усилители с распределенным усилением на полевых транзисторах с барьером Шотки: Обзоры по электронной технике. Сер.1, Электроника СВЧ. / В. Г. Алыбин и др. М.: ЦНИИ «Электроника».1987.-Выд.22(1324).
  44. СВЧ- усилители бегущей волны: Обзоры по электронной технике. Сер.1, Электроника СВЧ. / В. Б. Стеркин, B.C. Тяжлов. М-.-ЦНИИ «Электроника», 1988.-Вып.4(1331).
  45. Maas S.A. Microwave mixer Dedham, M.A. Artech House, 1986, P.299−301.
  46. B.H., Кушниренко А. И., Петров Г. В. Аналоговые полупроводниковые схемы СВЧ. М.: Радио и связь, 1986.
  47. А.В., Темнов A.M. Умножители СВЧ на полевых транзисторах. Электроника СВЧ. Сер. 1, вып. 15. 1990 г.
  48. Yamasaki Н. GaAs FET tehnoiogy: A viable approach to millimeter-waves // Moro-wave J. Vol. 25. — June 1982. — P.93 — 105.
  49. Rauschex C. Fregyenoy donblers with GaAs FET // Int. Microwave Symp., IEEE MTT S Digest. — 1982. — P.280 — 282
  50. A 48 GHz GaAs FET MIC Oscillator Doubler / T. Saito. M. Imakuni. T> Sakane. I. Tokumitsu // Int. Microwave Svmn. IEEE MTT — S Digest. -1982.- P. 283 — 285.
  51. Rauscher C. High frequenoy doubler operation of GaAs field — effect Transistors // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. — Vol. MTT -91. No 6. — 1983. — P.462 — 473
  52. Rauscher C. Willing H.A. Simulation of nonleaner microwave FET performance using a quasi static model // IEEE Trans. Microwave Theory Tech. — Vol. MTT -27. Oct. 1979. — P.834 — 840
  53. Camargo B. Sources of non lenearity in GaAs MESFET frequency multioliers // int. Microwave Syap., IEES MTT — S Digest. — 1983. — P. 343 — 345.
  54. И.Х. Умножители и делители частоты. М., Связь, 1966 г.
  55. Dougherty R.N. GaAs FETs formidable in 35 Ghs Circuits // Microwave RF. 1984.-September. P. 131−133.
  56. Шур M. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991.
  57. В.А. Метод анализа микроволновых нелинейных процессов в объеме полупроводников с переменной эффективной массой носителей заряда всверхрешетках и в приборах на их основе. Известия ВУЗов. Электроника, № 4,1999, с. З -10.
  58. А.Б., Еленский В. Г., Чкалова О. В. СВЧ полевые транзисторы с двумя затворами (полевые тетроды). — Зарубежная радиоэлектроника, 1982, № 6, с. 80—94.
  59. Merabtine N., Khemissi S., Zaabat М., Belgat M., Kenzai С. Accurate numerical modeling the GaAs MESFET current-voltage characteristics. Semiconductor Physics Quantum Electronics. 2004. v. 7, № 4. p. 389−394.
  60. Г. С., Могилевская Jl.Я., Хотунцев Ю. Л. Моделирование на ЭВМ нелинейных устройств на полевых транзисторах с барьером Шотки, Радиотехника и электроника, т. 40,№ 3, 1995 г.
  61. Э.К., Бобрешов A.M., Дыбой А. В. Физико-топологическая модель GaAs полевого транзистора с затвором Шотки с учетом паразитных сопротивлений, Известия вузов, Электроника, № 3, 1999г.
  62. S. Maas, «Theory and Analysis of GaAs MESFET Mixers,» IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. MTT-32, no. 10, p. 1402, Oct., 1984.
  63. H.A., Гаврилов Д. В. Определение параметров физической эквивалентной схемы двухзатворного полевого транзистора Шотки. Известия вузов, Радиоэлектроника, № 11,2004 г.
  64. Э.К., Бобрешов A.M. Определение параметров модели на примере полевого транзистора. Известия вузов, Электроника, № 6, 1999 г.
  65. Л.Г., Липатов А. А. Твердотельные устройства СВЧ в технике связи, М., Радио и связь, 1988 г.
  66. Angelov, Н. Zirath, and N. Rorsman, «A New Empirical Nonlinear Model for HEMT and MESFET Devices,» IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 40, no. 12, p. 2258(1992).
  67. W.R. Curtice and M. Ettenberg, «A Nonlinear GaAs FET Model for Use in the Design of Output Circuits for Power Amplifiers,"IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. MTT-33, 1985, p. 1383.
  68. Maas S. Fixing the Curtice FET Model, www.eltm.ru / store /AWR /Maas MWJ32002.
  69. В.А., Осипов A.M. Моделирование СВЧ транзисторов методом экстраполяции S-параметров. Вестник ВГУ, № 26,2004, с. 74−77.
  70. A.M., Аверина Л. И., Лопатин А. И. Моделирование малошумящего усилителя на НЕМТ-транзисторе, Вестник ВГУ, Сер. Физика и математика, № 1,2001 г.
  71. S.A. Maas, A. Crosmun. Modeling the Gate I/V Characteristic of a GaAs MESFET for Volterra-Series Analysis, IEEE Trans. Microwave Theory Thech., vol.37, no. 7, pp. 1134−1136, July 1989.
  72. J. Pedro, J. Perez. Accurate Simulation of GaAs MESFET Intermodulation Distortion Using a New Drain-Source Current Model. IEEE Trans. Microwave Theory Thech., vol.42, no. 1, pp. 25−33, Jan. 1994.
  73. R. Virk, S.A. Maas. Modeling MESFET s for Intermodulation Analysis in RF Switches. IEEE Microwave and Guided Wave Letters, vol. 4, pp. 376−378, Nov. 1994.
  74. J. A. Garcia, J. C. Pedro, M. L. Fuente, N. B. Carvalho, A. Mediavilla, and A. Tazon, «Resistive FET Mixer Conversion Loss and IMD Optimization by Selective Drain Bias», accepted to the 1999 MTT-S Int. Microwave Symp., Anaheim, June 1999.
  75. S.A. Maas A GaAs MESFET Mixer with Very Low Intermodulation, IEEE Trans, on Microwave Theory and Tech., vol. MTT-35, no. 4, 1987
  76. Ван-дер-Зил А. Шум. Описание, источники, измерение: Пер. с англ./ Под ред. А. К. Нарышкина. М., Связь, 1973.
  77. В., Кулешов В. Н. Шумы в полупроводниковых устройствах. Под ред. А. К. Нарышкина. М., Сов. Радио, 1977.
  78. Г. Г. Нелинейное взаимодействие модулированного света и переменного электрического поля в полупроводниковых фотоприемниках. Докторская диссертация. Таганрог, ТРТУ, 2000 г.
  79. М.Р. Определение параметров рассеяния и шумовых параметров полевого транзистора с двумя затворами Шотки.
  80. Pucel R.A., Statz Н., Noise characteristics of gallium arsenide field-effect transistors. IEEE Trans., 1974, v. ED-21, no. 9, pp. 549−562.
  81. Liechi C.A. Performance of dual-gate GaAs MESFET s as gain controlled low noise amplifier and high-speed modulators. IEEE Trans., 1975, v. MTT-23, no. 6pp. 461 469.
  82. C. // IEEE Trans. 1982. V. MTT-30. № 9. P. 243.
  83. B.B., Пронич O.P. Моделирование шумов в полевом транзисторе с барьером Шотки с двойным затвором на основе температур шумовых волн. Радиотехника и электроника, т. 49, № 10,2004, с. 1276−1280.
  84. М. // ШЕЕ Trans. 1994. V. МТТ-42. № 2. Р. 243.
  85. M.W. // IEEE Trans. 1989. V. МТТ-37. № 9. P. 1340.
  86. А4. Осадчий Е. Н. Преобразователи СВЧ на двухзатворных полевых транзисторах (ДЗПТ) Матер. Всерос. НТК Интегральная электроника СВЧ. Красноярск 14−16 июня, 1988, с. 113.
  87. А7. Осадчий Е. Н., Базарницкий Ю. Б. Алгоритм расчета СВЧ-смесителей на полевых транзисторах. Матер. ВНТК Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. ТРТУД994, с. 78.
  88. А8. Осадчий Е. Н., Кротов В. И. Анализ влияния магнитного поля на характеристики СВЧ-транзисторов. Матер. Всерос. НТК с международным участием Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. ТРТУ, 1995, с. 68.
  89. All. Червяков Г. Г., Осадчий Е. Н., Супрунова Е. Ф., Желтобрюхов П. В. Фотоприемные устройства на полевых фототранзисторах для оптических каналов связи. Материалы 3-й МНТК «Электроника и информатика XXI век», Зеленоград, 2000, с. 378.
  90. А12. Осадчий Е. Н., Желтобрюхов П. В., Кораблин Н. В., Сухоруков А. Ю. Фотор’ези-стивные приборы для избирательного приема амплитудно-модулированного света. Материалы 2-й Всеросс. конф. молодых ученых, С-Петербург, Технич. Университет, 2000, с. 167.
  91. А15. Осадчий Е. Н., Гарнакерьян А. А. Параметры фототранзисторов. Материалы VI ВНТК студентов и аспирантов. Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления. Таганрог, 2002, с. 208.
  92. А16. Данилов А. Н., Червяков Г. Г., Осадчий Е. Н. Выходные характеристики двух-затворного ПТШ. Материалы 2-й МНТК «Физика и технические приложения волновых процессов», Самара, 2003, с. 357
  93. А17. Осадчий Е. Н., Караваев С. В, О возможности преобразования частоты с усилением резонансными туннельными диодами. Известия ТРТУ. Таганрог, 2004, № 8 (43) с. 101.
  94. А18. Караваев С. В., Малышев В. А., Осадчий Е. Н. Условие повышенного усиления при преобразовании частоты на X-диодах. Известия ТРТУ. Таганрог, 2004, № 8 (43) с. 97−98.
  95. А19. Данилов А. Н., Червяков Г. Г., Осадчий Е. Н. Моделирование выходных характеристик двухзатворного полевого транзистора Шотки. Известия ТРТУ. Таганрог, 2004, № 1 (36) с. 91−95.
  96. А20. Караваев С. В., Осадчий Е. Н. О возможности преобразования частоты с усилением резонансными туннельными диодами. Матер. 9-й МНТК Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Дивноморское, 12−17 сент., 2004, с. 105.
  97. А21. Караваев С. В., Малышев В. А., Осадчий Е. Н. Условие повышенного усиления при преобразовании частоты на X-диодах. Матер. 9-й МНТК Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Дивноморское, 12−17 сент., 2004, с.106−107.
  98. А23. Осадчий Е. Н., Супрунова Е. Ф., Червяков Г. Г. Влияние режима работы ПТШ на шумовые параметры фотоприемника. Матер. 9-й МНТК Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Дивноморское, 12−17 сент., 2004, с.112−113.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!