Влияние облучения на свойства КНИ структур и полевых элементов со встроенным каналом на их основе
Диссертация
Впервые установлено, что кинетика аморфизации слоя кремния КНИ структуры по сравнению с аналогичным процессом в массивном кристалле кремния носит более сложный характер. В частности показано, что нарушение монокристалличности приповерхностной области слоя кремния КНИ структуры наступает при существенно меньших дозах облучения по сравнению с массивными монокристаллами кремния, в то время как доза… Читать ещё >
Список литературы
- Shahidi G. G. SOI technology for Ghz era" // IBM Journal of Research and development. 2002. — Vol. 46, № 2/3. — P. 121−132.
- Cristoloveanu S. Electrical Characterization Techniques for Silicon On Insulator Materials and Devices // Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices. Dordrect-Boston-London: Kluwer Acad. Publ. — 1995. — Ser. 3. -V. 4.-P. 109−132.
- Colinge J. P. Gate-All-Around technology for harsh environment applications" // Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions. Dordrect-Boston-London: Kluwer Acad. Publ. — 2000. — Ser. 2. — V. 58. -P. 167−188.
- Мустафаев Г. А., Маустафаев А. Г. Радиационная стойкость КНИ МОП-транзисторов к накопленной дозе ионизирующего излучения // Нано- и микросистемная техника. 2007. — № 12. — С. 47—49.
- Попов В.П., Французов А. А., Наумова О. В., и др. Создание и исследование свойств радиационно стойких 100 нм КНИ КМОП транзисторов
- Электронный ресурс. //Институт физики полупроводников СО РАН: сайт]. URL: http://www.isp.nsc.ru/newface/index.php?ACTION=result view&id main =15&id sub =79&id sub sub=187 (дата обращения: 25.05.2010).
- Ненашев А.П. Конструирование радиоэлектронных средств: учеб. для радиотехнических спец. вузов. М.: Высшая школа. 1990. 432 с.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн.2. Пер. с англ.2.е перераб. и доп. изд. — М.: Мир, 1984. — 456 с.
- Мордкович В.Н., Приходько П. С. Полевой датчик Холла на основе структур кремний на изоляторе // Автоматизация и современные технологии. — 1998. -№ 5. С. 15−20.
- Hanes М. Н., Argawal А. К., O’Keeffe Т. W. et all. MICROX-an all-silicon technology for monolithic microwave integrated circuits // IEEE Electron Devices Letters. 1993. — Vol. 14. — P. 219−221.
- Русак Т.Ф., Енишерлова-Вельяшева К. JI., Концевой Ю. А. Способ изготовления структур кремний-на-изоляторе // Патент России № 2 173 914. 2001.
- Bruel М. Silicon on insulator material technology // Electronics Letters. 1995. -Vol. 31, № 14.-P. 1201−1202.
- Вавилов B.C., Кекелидзе Н. П., Смирнов JI.C. Действие излучений на полупроводники: учеб. руководство. М.: Наука-Физматлит, 1988. 191 с.
- Клингер М.И., Лущик Ч. Б., Машовец Т. В. и др. Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений // Успехи физических наук.- 1985. Т. 147, № 3. — С. 523−558.
- Вавилов B.C., Челядинский А. Р. Ионная имплантация в монокристаллы кремния: эффективность метода и радиационные нарушения // Успехи физических наук. 1995. — Т. 165, № 3. — С. 347−358.
- Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. М.: Физматгиз, 1963. 264 с.
- Вавилов B.C., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990. 216 с.
- Смирнов Л.С. Физические процессы в облученных полупроводниках. Новосибирск: Наука, 1977. 256 с.
- Кузнецов Н.В., Соловьев Г. Г. Радиационная стойкость кремния. М.: Энергоиздат, 1989. 96 с.
- Винецкий B.JI., Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наукова думка, 1979. 332 с.
- Вавилов B.C., Ухин Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. 310 с.
- Морозов Н.П., Тетельбаум Д. И. Закономерности накопления дефектов при облучении полупроводников легкими ионами // Физика и техника полупроводников. 1980. — Т. 14. — В. 5. — С. 934−938.
- Конозенко И.Д., Семенюк А. К., Хиврич В. И. Радиационные дефекты в кремнии. Киев: Наукова думка, 1974. 200 с.
- Емцев В.В., Машовец Т. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь, 1981. 248 с.
- ЗО.Окисление, диффузия, эпитаксия /Под ред. Бургера Р., Доиована Р. М.: Мир, 1969. 361 с.
- Lionizing Radiation Effects in MOS Devices & Circuits. /Ed. By Ma T.P. and Dressendorfer P.V., New York: John Wiley and Sons, 1989. 760 p.
- Ausman G.A., McLean F.B. Electron-Hole Pair Creation Energy in Si02 // Appl. Phys. Lett. -1975. Vol. 26, № 4. — P. 173−175.
- Benedetto J.M., Boesch H.E. The relationship between 60Co and 10 keV X-ray damage in MOS devices // IEEE Trans. Nucl. Sci. -1986. NS-33. — P. 13 181 323.
- Huges R.C. Charge-Carrier Transport in Transport Phenomena in Amorphous Si02: Direct Measurement of the Drift Mobility and Lifetime // Phys. Rev. Lett. 1973. — Vol. 30, № 26. — P. 1333−1336.
- Мордкович B.H. Влияние облучения на электрические свойства структуры диэлектрик-полупроводник //Электр. Техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1987. — Вып. 6. — С. 45−56.
- Snow Е. Н., Grove A. S., Fitzgerald P. S. Effects of Ionizing Radiation on Oxidized Silicon Surfaces and Planar Devices // Proc. IEEE. 1967. — Vol. 55, № 7.-P. 1168−1185.
- Влияние ионизирующего излучения на параметры изделий электронной техники. Методические разработки. / Мустафаев Г. А., Тешев Р.Ш.- Нальчик, Каб.- Балк. ун-т, 2004. — 32 с.
- Гуртов В.А. Влияние ионизирующего излучения на свойства МДП приборов // Обзоры по электронной технике. Сер.2. Полупроводниковые приборы. -М.: ЦНТИ «Электроника», 1978. Вып. 14.-С.1−31.
- Герасименко Н. Н., Мордкович В. Н. Радиационные эффекты в полупроводниковых системах // Киев: Препринт КИЯИ-76−25., 1976. -С. 41−48.
- Литовченко В. Г. Шаховстов В. И: Материалы конференции / Международная конференция по радиационной физике полупроводников и родственных материалов. Тбилиси: изд-во Тбил. ун-та., 1980. — С. 262 -271.
- Morosov N. P., Telelbaum D. I. Radiation Defect Formation at Ion Implantationof Semiconductors in the Presence of Force Fields // Phys. Stat. Sol. (a). 1979. — Vol. 51. — P. 629−640.
- Гаврилюк В. К., Макара В. А., Новиков Н. Н. и др. Напряжения в системе Si-Si02 // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. 1977. — Вып. 5. — С. 63−68.
- Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия // Пер. с англ. под ред. Бургера Р., Донована Р. М.: Мир, 1969. 451 с.
- Литовченко В. Г., Горбань А. П. Основы физики микроэлектронных систем металл диэлектрик — полупроводник. Киев: Наукова Думка, 1978. 316 с.
- EerNisse Е. P. Stress in thermal Si02 during growth // Appl. Phys. Lett. 1979. — Vol. 35, № 8. — P. 8−11.
- Jaccodine R. J., Shlegel W. A. Measurement of Strains at Si-Si02 Interface // Journal of Appl. Phys. 1966. — Vol. 37, № 6. — P. 2429−2435.
- Dobson P. S. The effect of oxidation on anomalous diffusion in silicon // Philosophical Magazine. 1971. — Vol. 24. — P. 567−576.
- Вологдин Э. H., Жукова Г. А., Мордкович В. H. Облучение кремния, покрытого окисной пленкой, заряженными частицами низких энергий // Физика и техника полупроводников. 1972. — Т. 6. — Вып. 7. — С. 1306— 1309.
- Вологдин Э. Н., Жукова Г. А., Мордкович В. Н. Радиационные повреждения в приповерхностных слоях кремния // Физика и техника полупроводников. -1973. Т. 7. — Вып. 4. — С. 835−836.
- Лысенко В. С., Назаров А. Н. Радиационные дефекты в приповерхностном слое окисленного кремния, имплантированного ионами различных химических примесей// Поверхность. Физика. Химия. Механика. — 1982. -№ 5. -С. 81−88.
- Girii V. A., Kondrachuk А. V., Kornyushin et all. The effect of irradiation on the carrier mobility in inversion layers of MOS structures // Phys. Stat. Sol. (a). -1974. -Vol. 22.-P. 357−362.
- Вавилов В. С., Ухин Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. 196 с.
- Герасименко Н.Н., Двуреченский А. В., Смирнов Л. С. Исследование дефектообразования в облученном ионами кремнии методом ЭПР //Физика и техника полупроводников. -1971. Т.5. — Вып. 9. — С.1700−1703.
- Гаштольд В.Н., Герасименко Н. Н. Двуреченский А.В. и др. Профили дефектов при имплантации ионов в кремний // Физика и техника полупроводников. 1975. — Т. 9, № 5. — С. 835−839.
- Герасименко Н. Н., Кибалина Н. П., Стась В. Ф. Высокоомный приповерхностный слой в кремнии, облученном электронами //Физика и техника полупроводников. -1977. Т.П. -Вып.6. — С. 1216−1218.
- Горячев В. Г., Кузнецов Ю. А., Маренина JI. Н. и др. Радиационные эффекты в полупроводниковых системах // Киев: Препринт КИЯИ-65−25., 1976. -С. 42−48.
- Wang К. L., Lee J. Н., Corbett J. W. Defect distribution near the surface of electron-irradiated silicon // Appl. Phys. Lett. 1978. — Vol. 33. — P. 547−549.
- Герасименко H.H., Двуреченский A.B., Смирнов JI.C. О парамагнитных центрах, образующихся при облучении кремния ионами // Физика и техника полупроводников. 1972. — Т. 6. — Вып. 6. — С. 1111—1113.
- Мордкович В. Н. Влияние радиации на электрические свойства структур Si02-Si // Электронная техника. Сер 2. Полупроводниковые приборы. 1974. -Вып.8. — С. 63−68.
- Girii V. A., Kondrachuk А. V., Kornyushin S. I., Litovchenko V. G. et all. Effect of impurities on the radiation sensitivity of the Si-Si02 interface in MIS structures // Phys. Stat. Sol. (a). 1976. — Vol. 34. — P. K35-K38.
- Барышников Д. А., Жукова Г. А., Мордкович В. П. и др. Механические напряжения в облученной системе Si02- Si // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. — 1982. Вып. 1. — С. 84−89.
- Marguardt С. L., Sigel G. Н. Radiation-Induced Defect Centers in Thermally Grown Oxide Films // IEEE Transactions on Nuclear Science. — 1975. Vol. 22, № 6.-P. 2234−2239.
- Gerasimenko N. N., Tseitlin G. M. Vasilev S. V. Formation of B2-centres during ion irradiation of SiOx layers // Phys. Stat. Sol. (a). 1980. — Vol. 62. -P. K169-K174.
- Милевский Л. С., Гарнык В. С. Разделение первичных радиационных дефектов под действием электрического поля в арсениде галлия // Физика и техника полупроводников. 1979. — Т. 13. — Вып. 12. — С. 2401−2403.
- Vinetskii V. L., Chaika G. Е., Shevchenko Е. S. Charge and potential distribution in dielectric layers of MOS structures under ionization // Phys. Stat. Sol. (a). -1974. Vol. 26. — P. 743−752.
- Brailovskii Yu., Matveeva L. A., Semenova et all. Radiation-stimulated relaxation of internal stresses in heteroepitaxial systems // Phys. Stat. Sol. (a). Vol.66.1. P. K59-K62.
- Boesch H.E. Jr., Taylor T.L., Hite L.R. et all. Time-dependence hole and electron trapping effects in SIMOX buried oxide // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1990. -Vol. 37.-P. 1982−1989.
- Николаев Д.В., Антонова И. В., Наумова O.B'. и др. Накопление заряда в диэлектрике и состояния на границах структур кремний-на-изоляторе при облучении электронами и у-квантами // Физика и техника полупроводников.- 2003. Т.37. — Вып. 4. — С. 443−449.
- Hall Е.Н. On the new action of magnetism on a permanent electric current // Phil. Mag.-1880.-Vol. 10.-P. 301−328.
- Ioannou D.E. Hot carrier reliability of SOI structures // Physical and Technical Problems of SOI Structures, and Devices. — Dordrect-Boston-London: Kluwer Acad. Publ. 1995. — Ser. 3. — Vol. 4. — P.199−210.
- Бублик В.Т., Щербачев К. Д., Комарницкая Е. А. и др. Формирование ансамбля радиационных точечных дефектов в тонких слоях GaAs, легированных ионами Si+, после имплантации и активирующего отжига // Кристаллография. 1999. — т. 44. — № 6. — С. 1106−1112.
- Dane A.D., Veldhuis A., D.K.G. de Boer et all. Application of genetic algorithms for characterization of thin layered materials by glancing incidence X-ray reflectometry // Physica B. -1998. Vol. 253. — P. 254−268.
- Wormington M., Panaccione C., Matney K.M. Characterization of structures from X-ray scattering data using genetic algorithms // Phil. Trans. R. Soc. Lond. A.- 1999. Vol.357. — P. 2827−2848.
- Goldberg D.E. Genetic Algorithms in Search, Optimization and Machine Learning. New York: Addison-Wesley, Reading, 1989. 437 p.
- Halg, В., and R. S. Popovic, «How to Liberate Integrated Sensors from Encapsulation Stress // Sensors and Actuators. 1990. — Vol. A21-A23.- P. 908−910.
- Бараночников М.Л. Микромагнитоэлектроника: В 2 -x т. T.2. / M.: ДМК Пресс, 2002. 691 с.
- Буренков А.Ф., Комаров Ф. Ф., Кумахов М. А., Темкин М. М. Таблицы пространственного распределения ионно-имплантированных примесей. Минск: Изд-во. БГУ, 1980. 352 с.
- Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова 0: Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1981. 368 с.
- Герасименко Н.Н., Мордкович В.Н: Радиационные эффекты в системе полупроводник — диэлектрик // Поверхность. Физика. Химия. Механика. -1987.-№ 6.-С. 5−19.
- Калиткин Н.Н. Численные методы. М.: Наука, 1978. 512 с.
- Горячев В.Г., Коротаева Н. К., Мордкович В. Н. Природа дефектов, образующихся в кремнии при облучении, нейтронами- // Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. — 1978. — Вып. 3. — С. 49—57.
- Чумаков А.И. Действие космической- радиации* на1 интегральные схемы. М.: Радио и связь, 2004. 320 с.
- Stassinopolis Е. et al. Solar flare proton evaluation at geostationary orbit for engineering applications // IEEE Trans. On Nucl. Sci. 1996. — Vol. 43, № 2. -P. 369−382.
- Программа DIODE-2D. Руководство пользователя. M.: ЭНПО СПЭЛС, 1996. 38 с.
- Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. М.: Высшая школа, 1989. 320 с.
- Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е. Р., Скоробогатов П. К. Электронные средства предварительной обработки информации: сб. научных трудов / Под ред. Агаханяна Т. М. М.: Энергоатомиздат, 1990. 107 с.
- Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1971.376 с.
- Бараночников М.Л. Микромагнитоэлектроника: В 2 -х т.: Т. 1 / М.: ДМЕС Пресс, 2001. 544 с.
- Савельев И: В- Курс общей физики: В 5 кн.: Кн. 2 / Электричество и магнетизм: Учебное пособие для втузов. Mi: Астрель/АСТ, 2005. 336 с.
- R.S. Popovich Hall Effect Devices / Second Edition: Bristol: IOP Publishing1. d, 2004.419 р.