Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Низкотемпературный синтез и автоэмиссионные свойства композитных углеродных пленок

Диссертация: Низкотемпературный синтез и автоэмиссионные свойства композитных углеродных пленок
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На основании экспериментальных исследований, проведенных в плазме СВЧ газового разряда низкого давления с использованием различных углеродосодержащих газовых сред, определены диапазоны изменения параметров процесса, обеспечивающих смешанный или раздельный синтез алмазоподобных, графитоподобных и углеводородных полимерных пленочных материалов, в том числе, в виде самоорганизующихся наноалмазных… Читать ещё >

Низкотемпературный синтез и автоэмиссионные свойства композитных углеродных пленок (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Синтез и применение углеродных материалов в электронике
    • 1. 1. Аллотропия углерода получаемого из газовой фазы
    • 1. 2. Использование углеродных материалов в качестве катодов для автоэмиссионных приборов
    • 1. 3. Механизмы самоорганизующегося роста и проводимости структур с квантовыми точками
    • 1. 4. Применение СВЧ газового разряда в магнитном поле для получения углеродных материалов
    • 1. 5. Выводы и постановка задачи
  • 2. Осаждение пленок углерода различных аллотропных модификаций в плазме СВЧ газового разряда
    • 2. 1. Установка для осаждения углеродных пленок в плазме СВЧ газового разряда с магнитным полем и методы исследования полученных покрытий
    • 2. 2. Формирование графитовой фазы углерода при осаждении в ацетиленсодержащих газовых смесях
    • 2. 3. Низкотемпературный синтез пленок углерода различного состава в плазме паров этанола
    • 2. 4. Выводы
  • 3. Влияние параметров осаждения на рост композитных кластерных углеродных пленок
    • 3. 1. Исследование микротопографии поверхности углеродных пленок
    • 3. 2. Влияние величины прокачки рабочего вещества на характер поверхности получаемых покрытий
    • 3. 3. Распределение кластеров по толщине углеродной матрицы
    • 3. 4. Выводы
  • 4. Электронные свойства поверхности углеродных пленок различного состава и структуры
    • 4. 1. Методика экспериментальных исследований диодов на основе нанокластерных углеродных пленок
    • 4. 2. Влияние режима осаждения на автоэлектронные свойства углеродных пленок
    • 4. 3. Влияние легирующей примеси на электронные свойства поверхности углеродных пленок
    • 4. 4. Выводы
  • 5. Разработка электротехнологических методик синтеза композитных углеродных пленок
    • 5. 1. Управление характеристиками углеродных покрытий в процессе их роста
    • 5. 2. Основные технологические параметры в процессе осаждения углеродных пленок
    • 5. 3. Синтез углеродных нанокластерных пленок для покрытия автоэмиссионных катодов
    • 5. 4. Выводы

Актуальность проблемы. Актуальной проблемой современной электроники является разработка устройств нового поколения включающих в себя приборы и устройства эмиссионной вакуумной микроэлектроники, а также плоские катодолюминесцентные информационные экраны использующие автоэлектронную эмиссию. Приборы вакуумной эмиссионной микроэлектроники превосходят полупроводниковые по порогу высокочастотного усиления, устойчивости к температурным и ионизирующим воздействиям, по широте возможных применений к задачам развития электронной техники с экстремальными условиями эксплуатации [1,2].

Центральной проблемой в создании элементной базы эмиссионной электроники является поиск материалов для надежного и долговечного автоэлектронного катода. Сложность выбора материала обусловлена тем, что необходимо сочетание больших значений электрической прочности с низкой работой выхода электронов и высокой устойчивостью к тепловым воздействиям, пондеромоторным нагрузкам и ионной бомбардировке [3,4]. Как показывает практика, решение этой проблемы возможно путем создания новых наномате-риалов [5,6] и структур на основе углерода, позволяющего образовывать аллотропные модификации с чрезвычайно разнообразными и часто уникальными электрофизическими свойствами [7]. В частности, идеальным материалом для долговечных автоэмиссионных катодов, использующих плазму носителей заряда, является алмазная модификация углерода. Преимущества алмаза заключаются в сочетании высокой дрейфовой скорости носителей тока и электрической прочности кристаллов с высокой теплопроводностью [8,9]. Это позволяет для генерации плазмы использовать сильные электрические поля без опасения, что кристалл разрушится под влиянием импульса тока или выделяющейся в нем теплоты. К тому же поверхность (111) алмаза обладает устойчивым до температуры Т > 900 °C отрицательным электронным сродством, приводящим к снижению работы выхода электронов у катодов с алмазным типом гибридизации связей валентных электронов в атоме углерода. Особые надежды возлагаются на проявление в наноалмазных автоэмиссионных эмиттерах, кроме уже названных традиционных свойств алмаза, присущих массивному кристаллическому состоянию, квантовых эффектов, характерных для низкоразмерных систем [10].

Благодаря широкому диапазону параметров процесса, синтез в плазме СВЧ газового разряда с магнитным полем является одним из перспективных процессов получения различных углеродных материалов для электронной техники [И]. Однако, при получении любой из аллотропных форм углерода в условиях низких давлений, процесс сопровождается, как правило, ростом графитоподобной фазы, который часто является лимитирующей стадией [12]. Поэтому во всех случаях непременно должны соблюдаться оптимальные кинетические условия образования заданной модификации углерода. Исследование условий и механизма синтеза нанои микрокристаллических углеродных пленочных материалов различных аллотропных модификаций при низких давлениях и температурах имеет важное прикладное и фундаментальное значение. В связи с этим интенсивно изучаются взаимосвязи между морфологией частиц и механизмом их развития, поверхностной топографией, электропроводностью и полевой эмиссией [10,13]. Весомый вклад в изучение автоэмиссионных процессов вообще и углеродных материалов в частности, в нашей стране сделали Гуляев Ю. В., Елинсон М. И., Синицин Н. И. и др. видные ученые.

Разработка технологических процессов получения материалов на основе наноразмерных кластеров углерода различных аллотропных модификаций и исследование их электрофизических свойств является актуальной задачей. Ее решение открывает новые возможности в создании перспективных приборов вакуумной СВЧ электроники, плоских экранов работающих на эффекте автоэлектронной эмиссии, а также резонансно-туннельных и одноэлектронных приборов.

Цель работы. Разработка низкотемпературных технологических процессов получения пленок различных аллотропных модификаций углерода, создание на их основе композитных алмазно-графитовых автоэмиттеров.

Основные задачи исследования:

1. Поиск физико-технологических условий синтеза пленочных материалов различных аллотропных модификаций углерода в углеродсодержащей СВЧ плазме с магнитным полем.

2. Исследование и разработка процессов низкотемпературного формирования наноалмазных материалов.

3. Разработка низкотемпературной технологии получения композитных алмазно-графитовых автоэмиссионных материалов. Определение закономерностей влияния параметров процесса получения на автоэмиссионные свойства композитных наноалмазных автокатодов.

Методы исследования. Эксперименты по осаждению углеродных пленок проводились на установке СВЧ вакуумно-плазменного осаждения с магнитным полем. Для определения толщины нанесенного слоя, изучения качества поверхности, величины и поверхностной концентрации кластеров использовались микроскопы: интерференционный МИИ-4, лазерный эллипсометрический ЛЭМ-2М, оптический «Биолам М», сканирующий атомно-силовой и туннельный P4-SPM-MDT. Оптические характеристики измерялись с помощью спектрофотометра СФ-26. Параметры кристаллических решеток нанесенного материала определялись с помощью рентгеноструктурного анализа • на установке ДРОН-З.О. Эмиссионные характеристики материала определялись на диодной структуре в условиях сверхвысокого вакуума.

Научная новизна работы:

1. На основании экспериментальных исследований, проведенных в плазме СВЧ газового разряда низкого давления с использованием различных углеродосодержащих газовых сред, определены диапазоны изменения параметров процесса, обеспечивающих смешанный или раздельный синтез алмазоподобных, графитоподобных и углеводородных полимерных пленочных материалов, в том числе, в виде самоорганизующихся наноалмазных кластеров. Показаны различия в механизмах конденсации и большая энергоёмкость процесса образования графитовых пленок по сравнению с алмазоподоб-ными и углеводородными.

2. Впервые построена кинетическая диаграмма полиморфных превращений в углеродных пленках, полученных в СВЧ плазме паров этанола низкого давления, которая связывает влияние температуры подложки и давления паров рабочего вещества на синтез преимущественно алмазоподобного, графитопо-добного, углеводородного полимерного материала.

3. Впервые установлено, что углеводородные пленки, осаждённые из СВЧ плазмы паров этанола низкого давления, представляют собой композитную систему в виде наноалмазных кластеров распределенных в углеводородной матрице. Показано влияние температуры конденсации, степени пересыщения паров этанола и толщины пленки на закономерности самоорганизованого роста наноуглеродных кластеров в углеводородной матрице.

4. Определены диапазоны и исследованы закономерности влияния параметров процесса получения композитных алмазно-графитовых автокатодов в СВЧ плазме паров этанола низкого давления на их автоэмиссионные свойства. Показано, что улучшение эмиссионной способности графитоподобных пленок при поверхностном легировании примесью кадмия эквивалентно улучшению автоэмиссии при увеличении содержания в них наноалмазной фазы. Практическая ценность работы:

1. Технологические режимы СВЧ плазменного осаждения паров этанола низкого давления, обеспечивающие одно или многофазное получение в одной технологической установке алмазоподобных, графитоподобных, углеводородных полимерных пленок, а также композитных углеродных пленок на их основе с широким диапазоном электрофизических свойств и областей применения.

2. Технологические режимы получения нового типа автокатодов на основе композитного наноалмазно-графитового материала, обеспечивающего стабильность эмиссии при амплитуде флуктуации тока ~ 3,5%, с регулируемыми значениями напряженности электрического поля начала автоэлектрон.

2 2 ной эмиссии от 15 до 7 В/мкм и плотности тока от 0,3 мА/см до 3 мАУсм при напряженности поля менее 19 В/мкм.

3. Новая технологическая методика синтеза наноалмазных порошков в углеводородной матрице, исключающей их агрегатирование при длительном хранении, совместимая с обычными технологическими процессами микроэлектронного производства, обладающая возможностями управления их размером и концентрацией, а также непосредственного нанесения наноалма-зов образующихся в углеводородной матрице на любые подложки и детали. На защиту выносятся следующие научные положения:

1. При осаждении в СВЧ плазме с магнитным полем изменение температуры конденсации от 50 до 400 °C и давления паров этанола от 0.05 до 5 Па приводит к изменению кинетических условий роста, достаточных для раздельного или смешанного синтеза алмазоподобных, графитоподобных, углеводородных полимерных пленок.

2. Углеводородные полимерные пленки представляют собой композитные структуры с определенным распределением наноалмазных кластеров по объему матрицы. Кластеры имеют максимальные размеры в приповерхностных слоях и уменьшаются с удалением в глубину от поверхности пленки. Управление размером и концентрацией алмазных кристаллитов в объемной матрице достигается изменением давления паров этанола в плазме и температуры подложки в пределах допускающих образование полимерного углеводородного материала.

3. Композитные алмазно-графитовые пленки получаются осаждением в неравновесной плазме СВЧ газового разряда в магнитном поле паров этанола при температуре подложки в интервале от 200 до 350 °C и давлении плазмооб-разующего газа в диапазоне 0,05 — 0,08 Па. Концентрация наноалмазных кристаллитов в графитовой матрице увеличивается с ростом положительного ускоряющего потенциала на подложкодержателе с синтезируемым материалом.

4. Увеличение содержания наноалмазных кристаллитов в графитовой матрице улучшает эмиссионные способности композитного алмазно-графитового материала, что эквивалентно улучшению достигаемому при поверхностном легировании исходных графитовых пленок примесью кадмия.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались на 16 международных конференциях и семинарах, в т. ч. «International Vacuum.

Microelectronics Conference" IVMC 1999, 2000, 2002 (Germany, China, France) — «Fullerenes and atomic clusters» IWFAC 97, 99 (St.Petersburg) — «International Vacuum Electron Sources Conference» IVESC 02 (Russia) — 4, 6 — 9 «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Таганрог) — Всероссийской научно-технической конференции «Микрои наноэлектроника 2001» (Звенигород) — Международной межвузовской конференции «Современные проблемы электроники и радиофизики СВЧ» (Саратов, СГТУ) — 2-ой Международной конференции «Углерод: фундаментальные проблемы науки, материаловедение, технологии» (Москва. 2003), а также на научных семинарах Саратовского отделения Института Радиотехники и Электроники РАН.

Публикации. Материалы, отражающие основное содержание работы, изложены в 13 статьях. Результаты работы отражены в отчетах по НИР, имеющих государственную регистрацию, в которых автор являлся ответственным исполнителем.

Структура и объем диссертации

Работа изложена на 118 страницах и состоит из введения, пяти глав, заключения, списка использованной литературы из 130 наименований, имеет 53 рисунка.

Результаты работы могут быть использованы при разработке технологических процессов создания низковольтных автоэмиссионных источников электронов, для применения в производстве плоских телевизионных экранов и элементной базы устройств вакуумной микроэлектроники. Кроме того, результаты работы могут быть использованы при разработке процессов самоорганизованного роста систем квантовых точек, перспективных для применения в резонансно-туннельных и одноэлектронных приборах и устройствах, а также при разработке технологии синтеза наноалмазных порошков.

Выражаю глубокую признательность за осуществление рентгеноструктур-ного анализа сотрудникам кафедры неорганической химии СГУ д.х.н. С. П. Муштаковой и Н. Н. Былинкиной, а также сотрудникам ФГУП «НПП «Алмаз» д.ф.-м.н. Ю. А. Григорьеву и Г. А. Рехену за проведение экспериментов по автоэмиссии.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Fursey G.N., Field emission in vacuum microelectronics // Plenum Publishing corporation, New York. USA. 2002.
  2. З.Ф., Новиков A.B. // УФН. 2000. T.70 № 3.
  3. Sitar Z., Collazo R., Schlesser R. Field emission from carbon materials // ITM-FEECM 2001, 2−4 July 2001, Moscow. Russia.
  4. .В., Макуха В. И., Шешии В. П. // Электронная техника, сер.1. Электроника СВЧ. 1984. № 10. С. 44.
  5. А.Л., Шешин Е. П., Протасенко В. В. и др. // ЖТФ. 1996. Т.66. Вып.7. С. 156.
  6. T.W., Ajayan P.M. // Nature. 1992. Vol. 358. P.220.
  7. Алмаз в электронной технике: Сб.ст. / отв. ред. В. Б. Квасков. // М.- Энергоатомиздат. 1990.
  8. А.Н., Павловский И. Ю., Волков А. П. Автоэлектронная эмиссия в графитоподобных пленках // ЖТФ. 2001. Том.71. Вып. 11.
  9. А.П., Кулакова И. И. Поликонденсация углеродсодержаших молекул и некоторые аспекты теории химического синтеза алмаза. // Вест. Моск. Ун-та. Сер.2. Химия. 1993. Т.34, № 6.
  10. Zhirnov V.V., WojakG.J. etal. //J.Vac.Soc. A. 1997. Vol.15. P.560.
  11. Harris P.J.F. // Carbon nanotubes and related Structures: New materials for the 21st Century. N.Y., 1999.
  12. H.JI. Общая химия. // JI. Химия. 1985.
  13. A.M., Кудрявцев Ю. П. Алмаз, графит, карбин- аллотропные формы углерода // Природа. 1969.№ 5. С.37−44.
  14. Kroto H.W., Heatb J.R., O’Brien S.C. et al. // Nature. 1985. V.318. P. 162−163.
  15. Л.A. // Природа. 1997. № 1. C.96−99.
  16. Terms concerned with carbon as chemical element and its reactivity // Proc. 5th London Int. Carbon Graphite Conf. (sept. 18−22 1978). 1979. V.3. P. 103−108.
  17. R.B., Evsyukov S.E., Koga Y. // Carbon. 1997. V. 35. P.1654−1658.
  18. Ман Л.И., Малиновский Ю. А., Семилетов C.A. // Кристаллография. 1990. T.35. С.1029−1039.
  19. В.И. Переходные формы углерода // Структурная химия углерода и углей / Ред. В. И. Касаточкин. М, 1969. С.7−16.
  20. F., Rubin Y. // Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 1992. V.31. P. 1101−1123.
  21. F. //Nature. 1994. V.369. P.199−207.
  22. Fullerenes. Chemistry, Physics, and Techology / Ed. Kadich K.M. 2000.
  23. R.C. // Phil. Trans. Roy. Soc. London. Ser. A Phys. Sci. Eng. 1993. V.343. P.53−62.
  24. Р.Б., Евсюков C.B. Аллотропия углерода. // Природа. 2003. № 8.
  25. R.L., Hoffmann R. //J. Am. Chem. Soc. 1989. V.lll. P.810−819.
  26. Д.В., Лаврентьев A.B., Варшавская И. Г. и др. Осаждение алмазоподобных пленок из газовой фазы // ДАН СССР. 1988. Т.300. С.629
  27. А.П., Кулакова И. И., Скворцова В. Л. // Усп. Химии. 1993. Т.62. С. 99.
  28. Lin Т., Loh К.Р., Wee A.T.S., Shen Z.X., Lin J., Lai C.H., Gao Q.J., Zhang T.J. // Diamond Relat. Matter. 2000. Vol.9. P. 1703
  29. M., Polini R., Sessa V. // J. Appl. Phys. 1991. Vol.70. P.7573.
  30. Liu H., Dandy D.S. // Diamond Relat. Mater. 1995. Vol.4. P. l 173.
  31. A.M., Schauer R., Weidner B. // Diamond Relat. Mater. 1998. Vol.7. P.205.
  32. С.А., Слезов В. В. Дисперсионные системы на поверхности твердых тел // СПб. Наука. 1996.
  33. S., Semoto К., Nakamura N., Kimura Т. // Diamond Relat.Mater. 1997. Vol.6. P.1047.
  34. Jiang X., Schiffmann K., Westphal A., Klages C.-P. // Appl.Phys.Lett. 1993. Vol.63. P. 1203.
  35. M. И. Ненакаливаемые катоды. // M. 1974.
  36. F.S., Osnorn A.R., Williams J. // Nature. 1972.Vol. 239. P.96.
  37. Lea C. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1973. Vol. 6. P.1105.
  38. F.S., Osborn A.R., Williams J. // J. Phys. D: Appl.Phys. 1973. Vol. 7. P.2105.
  39. Углеродные волокна / под ред. С.Симамурыю. М.- Мир, 1987
  40. М.И., Васильев Г. Ф. // РиЭ. 1957. Т. 2. № 3. С. 126.
  41. Spindt С.А. A thing-film field emission cathode // J. of Appl. Phys. 1968. v.39. 6. P.3504.
  42. A.Jl., Бобков АФ. и др. // Препринт ИТЭФ. № 25−98. М., ИТЭФ. 1998.
  43. М.П., Бушуев Н. А., Винник В. В., Григорьев Ю. А. и др. // Высокие технологии путь к прогрессу. Сб. раб. Саратов. 2003. С. 159.
  44. Gulyaev Yu.V., Sinitsyn N.I., Torgashov G.V. et al. // J. Appl. Surface Science. 1997. № 3. P. 145.
  45. C.A., Симонов C.B. и др. Влияние микротопографии и режима осаждения на автоэмиссионные свойства графитоподобных углеродных пленок. // ПЖТФ. 2002. том 28. выпуск 23.
  46. А.В., Смирнов Б. М. // УФН. 1995. Т.165. № 9. С. 977.
  47. Fishbine В.Н., Miglionico C.J., Hacket К.Е., Hendricks K.J. Graphene nanotube cold emission electron sources // Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 1994. Vol.349.
  48. Gulyaev Yu.V., Chermozatonskii L.A., Kosakovskaya Z.Ya. et al. // 7th Intern. Vacuum Microelectronics Conf. (IVMC-94). Grenoble, 1994. Revue «Le Vide, les Couches Minces». Supplement au N 271. Mars-Avril. 1994. P.322.
  49. Chernozatonskii L.A., Kosakovskaya Z.Ya., Gulaev Yu.V., Sinitsyn N.I. et al. // J. Vac. Sci. Technol. 1996. Vol. В14. N 3. P.2080.
  50. Bonard J.-M., Croci M., Klinke C., Kurt R. et al. Carbon nanotube films as electron field emitters // Carbone. 2002. Vol.40.
  51. Ю.В., Синицин Н. И., Жбанов А. И. и др. // Инженерная физика. 2004. № 1.
  52. Р. Эмиттеры с отрицательным электронным сродством. // М. Госэнергоиздат. 1973.
  53. Himpsel F. J .е.а.// Phys. Rev. В. 1979. V. 20, N 2. Р.624−627.
  54. Schorr A.J.// Proceed, of Intern. Conf. Chicago. October, 1969.
  55. Strong H.M., Wentorf R.H.// J. Phys. Chem. 1971. V. 75. P. 1838.
  56. Г. Б., Безруков Г. Н., Клюев Ю. А., Налетов A.M., Непша В. И. Природные и синтетические алмазы // М. Наука. 1986. С. 221.
  57. Zhu W., Kochanski G.P., Seibles L. Defect-enhanced electron field emission from chemical vapor deposited diamond // Journal of Applied Physics. 1995. Vol.78. № 4. p.2707−2711.
  58. Karabutov A.V., Konov V.I., Pimenov S.M. et al. // J. de Physique IV. Colloque 5. 1996. Vol.6. P.113.
  59. J. // Thin Solid Films. 1997. Vol.296. P.6I.
  60. А.Ф., Давыдов Е.В.и др. // ЖТФ. 2001. Т.71. в.6. С. 95.
  61. . И. // Физика и техника полупроводников. 1998. том 32. № 1.
  62. V.V. // Phys. St. Sol. (a). 1970. 1. P. 199.
  63. Tsu R., Esaki L. // Appl. Phys. Lett. 1973. 22. P.562.
  64. Zh.I. // Proc. of Nobel Symposium 99, Arild, Sweden, June 4−8, 1996 Physica Scripta 1996. 68. P.32.
  65. H.H., Устинов B.M., Щукин B.A. // Физика и техника полупроводников. 1998. том 32. № 4.
  66. K.J. // IEEE J. Quant. Electron., 1988. QE-24. P.523.
  67. Sotomayor C.M., Wang F.D., Ledentsov N.N., Tang Y-S. // Proc. SPIE — The International Society for Optical Engineering. 1994. v.2141. P.2.
  68. Optical properties of Low Dimensional Semiconductors, ed. by Abstreiter G., Aydinli A., Leburton J.-P. // NATO ASI Series. Series E: Applied Sciences (Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, The Netherlands, 1997) v.344.
  69. А.И., Онущенко A.A. // Письма ЖЭТФ. 1981. 34. C.363.
  70. Ustinov V.M., Egorov A.Yu., Maximov M.V., Kop’ev P. S., Alferov Zh.I. et.al. // Proc. 22nd Int. Conf. Phys. Semicond, Vancouver, Canada, August 1994, ed. by D.J. Lockwood (World Scientific, Singapore) v. 3, P. 1855.
  71. Esaki L., Tsu R. // IBM J. Res. Dev. 1970. 14. P.61.
  72. H. // Synergetics. Springer. Berlin—Heidelberg. 1997.
  73. J.W. // Trans. Met. Soc. 1968. 242. P. 166.
  74. А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов // М. Наука. 1974.
  75. В.И., Паршин А. Я. // ЖЭТФ. 1980. 79. С. 257.
  76. А.Ф., Косевич Ю. А. //ЖЭТФ. 1981. 81. С. 1435.
  77. С. //Phys. Rev. 1951. 82. Р.87.
  78. А.Ф. // Письма ЖЭТФ. 1980. 32. С. 2654.
  79. Марченко В.И.//Письма ЖЭТФ. 1981. 33. С. 397.
  80. V.A. // Proc. 23rd Int. Conf. Phys. Semicond., July 22−26, 1996, Berlin, Germany, ed. by M. Scheffler, R. Zimmermann (World Scientific, Singapore) v. 2, P. 1261.
  81. Д., Платова И. П., Леденцов Н. Н., Копьев П. С., Малышкин В. Г., Щукин В. А. // УФН. 1997. 167. С. 552.
  82. D., Wickham L.K. // Mater. Res. Soc. Symp. Pro. 1991. 202. P.555.
  83. C., Zangwill A. // Surf. Sci. 1993. 293. P. 123.
  84. D.E., Cerullo M. // Phys. Rev. Lett. 1990. 64. P.1943.
  85. Mo J.-W., Savage D.E., Swartzentruber B.S.,. Lagally M.G. // Phys. Rev. Lett. 1990. 65. P. 1020.
  86. .И., Берт H. А.// ФТП. 1996. 30. C.351.
  87. Технология тонких пленок под ред. Л. Майселла, Р. Гленга М. Сов. Радио. 1977. стр. 330.
  88. Minn S.S. J.Rech.Centre // Natl. Rech. Sci. Lab., Bellevue Paris. 1960. № 51. P.131.
  89. C.A., Webb M.B. // J.Appl.Phys. 1962. № 33. P.74.
  90. R.M. // Nature. 1964. № 204. P.35.
  91. И.Л., Лундин В. В. и др. // УФН. 2000. 171.8. С. 857.
  92. Д.В., Дерягин Б. В., Варшавская И. Г., Семенова-Тян-Шанская А.С. Кристаллизация алмаза// М. Наука. 1984.
  93. Badzian A.R., De Vries R.S. // Mat. Res. Bull. 1988. Vol. 23. P.385−400.
  94. De Vries R.S. // Am. Rev. Mater. Sci. 1987. Vol. 17. P.181.
  95. P.K., Назаров A.A. // Письма в ЖТФ. 1994. Т.20. Вып.12. С.62
  96. Практикум по волновой электронике и микроэлектронике. / Ред. акад. Ю. В. Гуляев. Ч. II и III: Физика и технология современной микроэлектроники. Саратов: Изд-во СГУ. 2000.
  97. Н.Н., Муштакова С. П., Олейник В. А., Яфаров Р. К. и др. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 6. С. 43−47.
  98. С.Ю., Былинкина Н.Н, Муштакова С. П., Яфаров Р. К. Осаждение углеродных пленок различного фазового состава в плазме газового СВЧ-разряда с ЭЦР // Письма в ЖТФ. 1996. Т.22. Вып.21 С.88−93.
  99. С.Ю., Сысуев С. В., Яфаров Р. К. Формирование алмазоподобной фазы в условиях преимущественного осаждения неалмазного углерода в плазме газового СВЧ-разряда с ЭЦР.// Письма в ЖТФ. 1998. т.24. 4. С.25−31.
  100. А.Н., Суздальцев С. Ю., Яфаров Р. К. Влияние технологических параметров на структуру и морфологию поверхности углеродных пленок // ЖТФ. 2000. Т.70. Вып.5. С.133- 135.
  101. С.А., Суздальцев С. Ю., Яфаров Р. К. Формирование неалмазной фазы углерода в плазме микроволнового газового разряда с электронным циклотронным резонансом // Письма в ЖТФ. 2000. Том 26. вып. 18. С.78−84.
  102. С.Ю., Яфаров Р. К. Кинетика роста алмазоподобных пленок в плазме микроволнового газового разряда // Письма в ЖТФ. 2001. Том 27. вып. 15. С.77−83.
  103. С.В., Суздальцев С. Ю., Яфаров Р. К. Влияние легирующей примеси на электронные свойства поверхности углеродных пленок // ПЖТФ. 2002. том 28. вып. 14.
  104. А.А., Суздальцев С. Ю., Яфаров Р. К. Тонкая структура углеводородных пленок, полученных в плазме микроволнового газового разряда низкого давления // ПЖТФ. 2003. том 29. вып. 15.
  105. С.Ю., Яфаров Р. К. Микротопография и автоэмиссионные свойства углеродных пленок, полученных в плазме микроволнового газового разряда // ФТТ. 2004. том 46. вып.2.
  106. Ю.В., Яфаров Р. К. Микроволновое ЭЦР вакуумно -плазменное воздействие на конденсированные среды в микроэлектронике (физика процессов, оборудование, технология) // Зарубежная электронная техника. 1997. № 143. С.77−120.
  107. Guliaev Yu.V., Karasyov S.A., Suzdaltsev S.Yu., Yafarov R.K. Microtopogra-phy for nanocrystal carbon films synthesized in the microwave plasma of acetylene-containing gaseous atmospheres // IVMC'2000. China. Guangzhou. 2000.
  108. В.Л., Любимова A.K. // Докл. АН СССР. 1952. Т.86. С. 909.
  109. .В., Федосеев Д. В. Рост алмаза и графита из газовой фазы // М. 1977.
  110. А.Р., Льюис Ф. А. Графит и его кристаллические соединения // М. Мир. 1965. С. 185.
  111. Н.Л. Общая химия. // Л. Химия. 1985.
  112. Е.А., Компанией Т. Н. // ЖТФ. 2001. Т.71. Вып.2. С.111−116.
  113. Powder Diffraction File Data Cards, Inorganic section, JCPDS, Swarthmore, Pennsylvania. USA. 1987.
  114. А.П., Кулакова И. И., Скворцова В. Л. // Усп. Химии. 1993. Т.62. С. 99.
  115. Л.М., Трунов В. К. Рентгенофазовый анализ // М. 1973.
  116. С.Ю., Яфаров Р. К. Новый ЭЦР СВЧ-источник плазмы с продольно-поперечным вводом энергии // Тезисы докладов на 3 Международной конференции «Микроэлектроника и информатика» Зеленоград. 1997. С.4−5.
  117. С.Ю., Сысуев С. В., Яфаров Р. К. Микроструктура и морфология алмазоподобных углеродных пленок при ЭЦР плазменном осаждении // Тезисы докладов на 3 Международной конференции «Микроэлектроника и информатика. Зеленоград. 1997. С. 159−160.
  118. Ю.М., Цветков В. Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. М.: Высшая школа, 1990. С. 424.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!