Новые технохимические процессы и оборудование жидкостного химического снятия слоев полимеров в планарном микроэлектронном производстве
Диссертация
Результаты обработки экспериментальных и серийных партий пластин, представленные в диссертационной работе, сравнительные показатели качества очищаемой поверхности кремниевых пластин свидетельствуют: а) о полном удалении фоторезистивных пленок с поверхности кремниевых пластин растворами состава: [*aKmH2SC)4 б) о целесообразности и практической осуществимости замены стандартной материалои… Читать ещё >
Список литературы
- J.H. Lee, W.1. Jang, B.O. Choi, H.J. Yoo, S-C. Park «Development of a MESc-compliant cluster tool"//Solid State Technology, 1995, October, p. 93 — 97.
- P. Singer «Meeting Oxide, Poly and Metal Etch Requirements"//Semiconductor international, April 1993, p.50 54.
- P. Singer «The Many Challenges Of Oxide Etching"//Semiconductor international, June, 1997, p. 109 114.
- J.T. Lee «А Comparison of HDP Sources for Polisilicon Etching"//Solid State Technology, August, 1996, p. 63−69.
- Диссертация на соискание ученой степени д.т.н. Киреева В. Ю. «Физико-химические и технологические основы проектирования разработки процессов и оборудования сухого размерного травления функциональных слоев микросхем», М., МИЭТ, 1991 г., 154 с.
- W. М. Lee «А proven sub-micron photoresist stripper solution for post metal and via hole processes"//Solid State Technology, 1998, October, p. 1−16.
- L.H. Kaplan, B.K. Bergin «Residue from Wet Processing of Positive Resist"// Electrochem. Soc., Vol.127, № 2, 1980, p.986.
- Pintchovski, J.B.Price, P.J.Tobin, J. Paley and K. Kobold «Thermal Characteristics of H2S04 -H202 Silicon Wafer Cleaning Solution», // Electrochem.Soc., Vol.126, № 8, 1979, p.1428.
- W.Kern, «The Evolution of Silicon Wafer Cleaning Technology"//Electrochem. Soc., Vol. 197, No.6, p. 1887, 1990.
- К. Yoneda «Wafer Clean Technology for Sub Micron Processing», // Techical Proceeding Semicon Japan, p. 162, 1991.
- Vic Comello «Semiconductor International», p.76, March, 1991.
- К. Skidmore «Reprocess Chemicals at the Fab Line. Recycle chemicals to minimize waste, cut cost and meet federal regulations» //Semiconductor international, July, 1988, p. 1 -6
- Jones, G. Hoffman, W. Yuan «Improved Wafer cleaning with ultra pure Piranha» Microcontamination Conference and exposition, Santa Clara convention center, October 27−30, 1987, p.69−80.
- Патент США № 4 980 032, МКИ5 B01D3/10 /Dobson Jesse С., McCormick Marshall, Dobson Jesse C.- «Distillation method and apparatus for reprocessing sulfuric acid». Alameda Instruments 1пс.-3аявл.12.08.88- Опубл.25.12.90- НКИ 203/40
- Патент США № 5 061 348, МКИ5 B01D3/10 / McCormick Marshall, Dobson Jesse С. «Sulfuric acid reprocessor with continuous purge of second distillation vessel». Alameda Instruments Inc.-Заявл. 15.02.90- Опубл.29.10.91- НКИ 203/40.
- Патент США № 5 032 218, МКИ5 B01D3/10 / Dobson Jesse С.- «Sulfuric acid reprocessor». Alameda Instruments Inc.-Заявл.24.08.89- Опубл. 16.06.91- НКИ 203/40.
- Патент США № 5 225 048, МКИ5 B01D3/10 / Waliace I.Yuan. «Method for concentration of liquids». Athens Corp.,-Заявл.29.01.91- 0публ.06.06.93- НКИ 203/40.
- Патент США № 5 018 855, МКИ5 G01N21/74 / John В. Davison and et al. «Atomic absorption process monitoring». Athens Согр.,-Заявл.26.10.88- Опубл.28.05.91- НКИ 203/40.
- Патент США № 5 236 555, МКИ5 B01D3/14 / Waliace I.Yuan. «Apparatus for concentration of liquids». Athens Согр.,-Заявл.24.10.91- Опубл. 17.08.93- НКИ 203/40.
- Бокарев В.П., Вахрушев М. Ю., Гизатуллин М. Р. «Очистка пластин кремния от органических примесей»//Электронная промышленность, 1993, № 4, с.33−34.
- Алехин А.П., Боков Ю. С., Вьюков JI.A «Фотостимулированная очистка кремниевых пластин от органических загрязнений"//Электронная промышленность, 1994, № 2, с.8−9.
- Kern W. Semiconductor Surface contamination investigated by radioactive tracer techniques//Solid State Technol. 1972. — V.15, № 1−2. — P.34−45.
- Kern W., Puotinem D. Cleaning solutions based on higrogen peroxide for use in silicon semicondutor technology//RCA Rev. 1970, № 6, p. 187−200.
- Kern W. Radiochemical study of semiconductor surface contamination//RCA Rev. 1970. — № 6, p.203−264.
- М.А.Сальников, Л. Г. Корягина, И. Ф. Зубова «Пероксид водорода особой степени чистоты для микроэлектроники» //Электронная промышленность, 1992, № 1, с.77−83.
- Thermal characteristics of the H2SO4-H2O2 silicon wafer cleaning Solution/F. Pintchovsky, J. Prince, P.J.Tobin et all//J.Electrochem. Soc. 1979, 126, № 8, p.1428−1430.
- B.C.Сотников, К. А. Лаврентьев, О. П. Новикова «Применение смеси перекиси водорода с аммиаком для отмывки поверхности кремниевых пластин» //Электронная промышленность, Сер.2 Полупроводниковые приборы, 1975. -Вып. 1(93), с.98−109.
- Удаление фоторезиста в перекисно-аммиачных смесях/ И. Г. Ерусалимчик, А. С. Никонов, И. П. Старшинов и др.//Электронная техника. Сер.2 п/п приборы, 1977, вып.7(117), с.104−107.
- Старшинов И.П. «Состав перекисно-аммиачных смесей для очистки поверхности кремния» //Электронная техника, сер.2. Полупроводниковые приборы. Вып. 1(174), 1985, с.66−71.
- Pintchovski, J.B.Price, P.J.Tobin, J. Paley and K. Kobold «Thermal Characteristics of H2S04-H202 Silicon Wafer Cleaning Solution», J. Electrochem.Soc., Vol.126,8, p. 1428, 1979.
- W.Kern, «The Evolution of Silicon Wafer Cleaning Technology», J. Electrochem. Soc., Vol. 197, N0.6, p. 1887, 1990.
- Диссертация на соискание ученой степени к.х.н. Черновой Е. Е. «Закономерности электрохимической активации водных сред для целей пробоподготовки труднорастворимых соединений к анализу» Томск, ТПУ, 1997. 145 с.
- Диссертация на соискание ученой степени к.х.н. Поспеловой Н. В. «Механизм процессов электрохимического синтеза высших кислородных соединений H2S2Og и 03 на родиевом, иридиевом и платиновом электродах» М., МГУ, 1970. 181 с.
- Раков А.А., Носова К. И., Касаткин Э. В. О механизме совместного электрохимического образования надсерной кислоты, озона и кислорода на платиновом аноде в растворах серной кислоты//Труды IV Совещания по электрохимии. -. М., 1959. с.834−835.
- Диссертация на соискание ученой степени к.х.н. Веренцовой Л. Г. «Адсорбционно-каталитическая активность платины и палладия, электрохимически диспергированных на графит» М., МГУ, 1985.247 с.
- Строганова Н. И, Елфимова Г. И., Машников И. В., Богдановский Г. А. Гетерогенно-каталитический распад Н2С>2. на платинированном графите в растворе метанола.//Ж.прикл.химии.1980.Т.53.С.1635−1637.
- Химия и технология перекиси водорода/под ред. Серышева Г. А. Л., 1984. -200 с.
- Фиошин М.Я., Смирнова М. Г. Электросинтез окислителей и восстановителей. Л.: Химия, 1981. — 212 с.
- Vesevovsky V.I., Kasatkin E.V., Yakovleva А.А. et al. Structure of the double layer and Kinetics of anodic proceses at high potentials//Electochim. Acta. 1972. V.17, p.2095−2101.
- Яковлева A.A., Шуб Д.М. Электрокаталитические явления в неорганических системах при высоких анодных потенциалах/ЛПроблемы электрокатализа. М., 1980. — с. 197−233.
- Потапова Г. Ф.- Раков А.А., Касаткина Э. В Исследование состояния поверхности пластины при электролизе растворов серной кислоты в35 18процессе пероксосоединений методом меченых атомов S, О и импенданса. //Электрохимия. 1977. — т.13, вып.8, с.1190−1194.
- Smit W., Hoogland J. The mechanism of the anodic formation of the Peroxodisulfate ion on platinum I. Establishment of the participating anion//Electochim. Acta. 1971. V. 16, № 1, p. 1−10.
- Smit W., Hoogland J. The mechanism of the anodic formation of the Peroxodisulfate ion on platinum II. Time dependance of the anode potential//Electochim. Acta. 1971. V. 16, № 6, p.821−832.
- Smit W., Hoogland J. The mechanism of the anodic formation of the Peroxodisulfate ion on platinum III. Elaboration of experimantal results//Electrochim. Acta. 1971. V. 16, № 7, p.961−980.
- The role defects in the specific adsorption of anion on Pt (111)//RN Ross (Ir) materials sciences division/I.Chim.Chys. 1991. — № 88, p. 1353−1380.
- Казаринов В.Е., Балашова Н. А. О зависимости адсорбции ионов от потенциала платины/Доклады АН СССР. 1964. — т. 157. № 5, с. 1174−1179.
- Гирина Г. П., Казаринов В. Е. О причине изменения электрохимических свойств платины в области анодных потенциаловЮлектрохимия. 1966. -т.2, вып.7. — с.835−836.
- Федотов Н.П., Алабышев А. Ф., Ротинян А. П. и др. Прикладная электрохимия. Л.:Химия, 1967. — 600 с.
- Хаханина Т.П., Карбаинов Ю. А., Чернова Е. Е., Клюева Т. Б. Закономерности процесса электровыделения кислорода на платине из растворов серной кислоты. // Изв. Вузов. Химия и химическая технология.-1991.-№ 9.-С.47−52
- Фиошин М.Я., Смирнова М. Г. Электросинтез окислителей и восстановителей. Л.: Химия, 1981. — 212 с.
- Vesevovsky V.I., Kasatkin E.V., Yakovleva А.А. et al. Structure of the double layer and Kinetics of anodic processes at high potentials//Electochim. Acta. -1972. V.17, p.2095−2101.
- Яковлева А.А., Шуб Д.М. Электрокаталитические явления в неорганических системах при высоких анодных потенциалах/ЛПроблемы электрокатализа. М., 1980. — с. 197−233.
- Патент России № 2 024 993, МКИ5 Н 01 L 21/312 // Хаханина Т. И., Красавина JI.3., Клюева Т. Б., Шмелева Т. Б., Красников Г. Я., Карбаинов Ю. А. «Способ очистки изделий, преимущественно, полупроводниковых пластин"-Заявл. 16.06.92.- Опубл. 15.12.94.Бюл.№ 23.
- Патент России № 2 109 087, МКИ5 С 23 G 1/02, 1/36 // Хаханина Т. И., Клюева Т. Б., Селиванова И. Н., Савельев В. А., Красников Г. Я. «Способ очистки поверхности металлов"-3аявл.21.01.97. Зарегистр в Госреестре изобретений 20.04.98. Бюл.№ 11.
- Патент России № 2 077 788, МКИ5 С 23 G 1/02, 1/36 // Хаханина Т. И., Клюева Т. Б., Семакина O.K., Шулепов И. А., Жуков В. Т. «Способ очистки медной поверхности"-Заявл.07.06.94 г. Зарегистр в Госреестре изобретений 20.04.97. Бюл.№ 10.
- Берлина Т.В. и др. В кн. Каталитические реакции в жидкой фазе, Алма-Ата: Изд-во АН КазССР, 1963, с. ЗЗО
- Петрий О.А., Цирлина Г. А. Современные представления о строении границы раздела платиновые металлы / растворы электролитов // Итоги науки и техники. Сер. Электрохимия / ВИНИТИ.-1991.-34.-C.3 8−43
- Bockris J.O.M., Gamboa-Aldeco М. Adsorption from solution on platinum: an in situ ellipsometric and radiotracer study // J. Electrochem.Soc.-1990.-137, № 3.-C.1650−1660.
- Markovic N., Ross P.N., Faguy P.W. Anion adsorption on Pt from sulfuric acid electrochemistry and fourier transform infrared spectroscopy // J. Electrochem.Soc.-1993.-140, № 6.-C.1638−1641.
- Беренблит B.M., Гуськов B.A., Либеров B.A. В кн. «Пассивность и коррозия металлов. JL: Химия, 1971, вып.67, С.92−128
- Гуськов В.А., Данилова Т. К., Якушева И. П. В кн. «Пассивность и коррозия металлов. Д.: Химия, 1971, вып.67, С.20−36
- Smit W., Hoogland J. The mechanism of the anodic formation of the Peroxodisulfate ion on platinum I. Establishment of the participating anion//Electochim. Acta. 1971. V. 16, № 1, p. 1−10.
- Smit W., Hoogland J. The mechanism of the anodic formation of the Peroxodisulfate ion on platinum II. Time dependance of the anode potential//Electochim. Acta. 1971. V. 16, № 6, p.821−832.
- Smit W., Hoogland J. The mechanism of the anodic formation of the Peroxodisulfate ion on platinum III. Elaboration of experimantal results//Electrochim. Acta. 1971. V.16, № 7, p.961−980.
- The role defects in the specific adsorption of anion on Pt (111)//RN Ross (Ir) materials sciences division/I.Chim.Chys. 1991. — № 88, p. 1353−1380.
- Казаринов В.Е., Балашова Н. А. О зависимости адсорбции ионов от потенциала платины/докл.АН СССР. 1964. — т.157. № 5, с.1174−1179.
- Гирина Г. П., Казаринов В. Е. О причине изменения электрохимических свойств платины в области анодных потенциалов //Электрохимия. 1966. -т.2, вып.7. — с.835−836.
- Хаханина Т.Н., Карбаинов Ю. А., Чернова Е. Е., Клюева Т. Б. Закономерности процесса электровыделения кислорода на платине из растворов серной кислоты // Изв. вузов. Химия и хим. технология.- 1991.-№ 9. С.47−52.
- Хаханина Т.И., Карбаинов Ю. А., Чернова Е. Е., Клюева Т. Б. Влияние поверхностных химических реакций в инверсионной вольтамперометрии на кинетику электродного процесса // Ж. Физической химии.- 1991.- Т. 65. -№ 9. С. 1990−1993.
- Хаханина Т.И., Карбаинов Ю. А., Зуева А. В., Долгушин В. Т. Закономерности формирования окислительной смеси в катодной камере двухкамерного электролизера в процессе электролиза воды // Изв. вузов. Химия и хим. технология.- 1993.-№>8. С.83−88.
- Хаханина Т.И., Карбаинов Ю. А., Зуева А. В., Долгушин В. Т. Закономерности формирования окислительной смеси в анодной камере двухкамерного электролизера в процессе электролиза воды // Изв. вузов. Химия и хим. технология.- 1993.-№ 8. С.88−91.
- Хаханина Т.И., Карбаинов Ю. А., Зуева А. В., Долгушин В. Т. Химические и электрохимические превращения в катодной камере двухкамерного электролизера в процессе электролиза воды // Изв. вузов. Химия и хим. технология.- 1993.-Т.36 -№ 11. С.66−71.
- Первь^зЖ^гй^^^Цгерального директора1. АКТ
- Настоящий акт не может финансовых расчетов.
- Зам. начальника цеха 01 по подготовке производст1. Долгов А.Н.