Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Реальная и доменная структура SBN с примесями металлов Ce, Cr, Eu и Rh

Диссертация: Реальная и доменная структура SBN с примесями металлов Ce, Cr, Eu и Rh
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Кристаллофизика 21-го века", Москва МИСиС (Московский институт стали и сплавов (технологический университет), г. Черноголовка, 2006 г.), «Молодые ученые -2006» (Москва, МИРЭА (Московский Институт Радиоэлектроники и автоматики, 2006 г.)), «Микроэлектроника и информатика — 2007» (Москва (Зеленоград), Московский государственный Институт электронной техники (технический университет), 2007 г… Читать ещё >

Реальная и доменная структура SBN с примесями металлов Ce, Cr, Eu и Rh (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
    • 1. 1. Краткая характеристика физических свойств чистых монокристаллов SBN
    • 1. 2. Дефекты в твёрдых телах
    • 1. 3. Доменная структура кристаллов
    • 1. 4. Кристаллическая структура ниобата бария-стронция (8В1Ч)
    • 1. 5. Дефекты кристаллической структуры и их влияние на физические свойства кристаллов SBN
    • 1. 6. Доменная структура SBN
    • 1. 7. Влияние примесей на физические свойства и реальную структуру
    • 1. 8. Релаксорные свойства
    • 1. 9. Влияние внешних воздействий на перестройку доменной структуры кристаллов вВК
    • 1. 10. Постановка задач
  • ГЛАВА 2. Методика травления
    • 2. 1. Объекты исследования
    • 2. 2. Методы исследования реальной структуры SBN
      • 2. 2. 1. Поляризационно-оптический метод
      • 2. 2. 2. Оптическая микроскопия поверхности (металлографический метод)
      • 2. 2. 3. Метод травления
    • 2. 3. Травление кристаллов SBN
    • 2. 4. Режимы травления
    • 2. 5. Методы атомно-силовой микроскопии
    • 2. 6. Силовая микроскопия пьезоотклика
    • 2. 7. Анализ объектов поверхности с помощью программы «Grain Analysis»
  • ГЛАВА 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И ИХ
  • ОБСУЖДЕНИЕ
    • 3. 1. Влияние примесей
      • 3. 1. 1. Кристаллы SBN легированные Сг
      • 3. 1. 2. Кристаллы SBN легированные Се
      • 3. 1. 3. Кристаллы SBN легированные Ей
      • 3. 1. 4. Кристаллы SBN легированные Rh
  • ГЛАВА 4. Формирование доменной структуры в кристаллах SBN легированных примесями металлов методом АСМ
    • 4. 1. Кристаллы легированные Cr
    • 4. 2. Кристаллы легированные Се
    • 4. 3. Кристаллы легированные Ей
    • 4. 4. Кристаллы легированные Rh

Актуальность темы

Сегнетоэлектрические кристаллы характеризуются наличием в определенном температурном интервале спонтанной поляризованности Р5, наличие которой обуславливает возникновение доменной структуры, нелинейные электрофизические свойства, оптические и электрооптические свойства, которые существенным образом определяют параметры устройств на основе данных материалов и возможности их применения.

В настоящее время известно достаточно много оптических сегнето-электрических кристаллов. Особое место среди них занимают кристаллы твердых растворов ниобата бария стронция 8гхВа1хМЬ2Об (8В1Г), которые относятся к сегнетоэлектрикам-релаксорам. Высокие электрооптические коэффициенты (превышающие электрооптические коэффициенты кристаллов группы дигидрофосфата калия и ниобата лития), высокие пирои пьезоэлектрические коэффициенты и т. д. выдвигают SBN в число весьма перспективных материалов для различных применений.

Широкие практические возможности и удобство для фундаментальных исследований кристаллов 8ВЫ обусловлены, прежде всего, сильной зависимостью оптических и диэлектрических свойств от вводимых примесей. Кристаллы ЭВМ, легированные примесями Се и Сг, широко используются для записи динамической голографии, а также в качестве среды для оптической голографической памяти, поскольку добавление данных примесей приводит к значительному повышению фоторефрактивной чувствительности кристаллов. К примеру, при введении примеси Се обнаружено увеличение фоторефрактивной чувствительности на два порядка, а БВЫ с примесью Сг показывает намного большую скорость отклика фоторефракции, чем кристаллы с другими примесями. В связи с этим исследование влияния примесей Се и Сг на сегнетоэлектрические свойства кристаллов 8ВЫ является весьма перспективным.

Введение

фоторефрактивных примесей смещает точку фазового перехода и интенсифицирует процессы происходящие в кристаллах, а также изменяет внутренние деполяризующие поля в объеме кристалла, которые, в свою очередь, изменяют условия экранирования спонтанной поляризации. В свете вышесказанного представляется интересным и актуальным поиск общих закономерностей влияния фоторефрактивных и других примесей на сегнетоэлектрические свойства кристаллов SBN.

Изучение поведения доменной структуры сегнетоэлектрика-релаксора SBN имеет не только прикладной, но и фундаментальный интерес, поскольку наличие нанодоменных состояний во многом определяет его переключательные способности и поведение электрофизических характеристик при внешних воздействиях [1].

Исследованию доменной структуры и процессов переключения в кристаллах SBN посвящено довольно много статей, как в российских, так и в зарубежных изданиях. Это, прежде всего работы Т. Р. Волк, Н. Р. Иванова, В. В. Гладкого [2]. Последние работы Н. Р. Иванова и Т. Р. Волк посвящены непосредственно выявлению доменной структуры кристаллов SBN (3). Известны также работы [4], [5], где приводятся результаты исследования термоиндуцированных процессов переключения в кристаллах SBN с примесями Сг и Сев [6] исследовалось влияние примесей Се и Сг на оптические и сегнетоэлектрические свойства SBN. Наибольший интерес вызывает обнаруженная авторами [7,8] возможность записи в релаксорном сегнетоэлектрике ниобате бария-стронция (SBN) регулярных 1D и 2D микродоменных структур, созданных путем приложения постоянных напряжений к зонду атомно-силового микроскопа.

Интенсивные исследования кристаллов SBN обуславливают необходимость изучения влияния примесей различного рода на физические свойства и реальную структуру, в том числе доменную структуру этого материала. Имеется настоятельная необходимость проведения исследований взаимосвязи нанодоменной структуры и микродоменной структуры в кристаллах-релаксорах. Информация о качественном отличии процессов переключения в SBN и участии квазирегулярных ансамблей изолированных нанодоменов с заряженными доменными стенками в процессе формирования микродоменной структуры сообщалось авторами [9]. Развитие современных методов микроскопии предоставляют широкие возможности подобных исследований, особенно, в комплексе с примененем традиционных методов, таких как химическое травление.

В свете вышесказанного в работе поставлена задача исследования реальной (дефектной и доменной) структуры кристаллов SBN легированных Се, Сг, Ей и Rh методами АСМ, оптической микроскопии в комплексе с методом химического травления.

Научная новизна.

Впервые проведено систематическое исследование доменной и дефектной структуры кристаллов SBN с различной концентрацией примесей Се, Сг, Ей и Rh. Обнаружено значительное влияние типа и величины концентрации примеси на конфигурацию и размерный фактор доменной структуры.

Установлена корреляция параметров процессов импульсного переключения и характерных особенностей поведения доменной структуры, обусловленных введением различных примесей.

Проведено комплексное исследование процессов отжига и поляризации на состояние доменной структуры легированных кристаллов SBN. Обнаружена корреляция поведения доменной структуры SBN и проявления пироэлектрических свойств в тонких приповерхностных слоях кристаллов SBN.

Предложена качественная модель описывающая связь микрои наноразмерной доменной структуры сегнетоэлектрика-релаксора SBN.

Впервые методом АСМ установлена возможность активного воздействия на доменную структуру легированных кристаллов сегнетоэлектриков-релаксоров SBN как на полярных, так и неполярных срезах.

Состояние проблемы в настоящее время, не накоплен материал, позволяющий сделать конкретные выводы по влиянию примесей на реальную структуру, в том числе и доменную структуру этих материалов. Реальную структуру монокристаллов БВТЧ, чистых и с различными примесями, можно выявить с помощью метода травления. В настоящее время информации о травлении кристаллов БВМ в литературе очень мало, поэтому изучение взаимосвязи физических свойств и реальной структуры кристаллов 8ВЫ представляет огромный интерес.

Цель работы и задачи исследования.

Целью данной работы является исследование реальной структуры (дефектной и доменной) монокристаллов сегнетоэлектрика-релаксора 8ВИ с примесями Сг, Се, Ей и Ш1.

Были поставлены следующие задачи:

— выполнить комплексное исследование реальной и доменной структуры монокристаллов сегнетоэлектрика-релаксора 8ВИ с примесями Сг, Се, Ей и Ш1 методами химического травления, оптической и атомно-силовой микроскопии;

— установить основные закономерности изменения структуры кристалла 8ВК в зависимости от введённой примеси и её концентрации на основе проведения комплексного исследование кристаллов 8ВИ легированных Се, Сг, Ей и Щ1 с различной концентрацией примесей;

— установить связь микрои наноразмерной доменной структуры кристаллов 8ВИ чистых и легированных Се, Сг, Ей и ЯЪ с различной концентрацией примесей;

— установить влияние процессов отжига и поляризации на реальную структуру (дефектную и доменную) указанных объектов.

Апробация.

Основные материалы диссертации докладывались на конференциях: Третьей Международной конференции по физике кристаллов.

Кристаллофизика 21-го века", Москва МИСиС (Московский институт стали и сплавов (технологический университет), г. Черноголовка, 2006 г.), «Молодые ученые -2006» (Москва, МИРЭА (Московский Институт Радиоэлектроники и автоматики, 2006 г.)), «Микроэлектроника и информатика — 2007» (Москва (Зеленоград), Московский государственный Институт электронной техники (технический университет), 2007 г.), «Микроэлектроника и информатика — 2008», (Москва (Зеленоград), Московский государственный Институт электронной техники (технический университет), 2008 г.), «Каргинские чтения», (Тверь, Тверской государственный университет, 2008 г.), ВКС XVIII, (г.Санкт-Петербург, С-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» (2008 г.), «Молодые ученые -2008», (Москва, МИРЭА (Московский Институт Радиоэлектроники и автоматики, 2008 г.), XIV Национальной конференции по росту кристаллов, IV Международная конференция «Кристаллофизика XXI века», посвященная памяти Шаскольской, НКРК-2010, (Москва 6−10 декабря 2010 г.), на XIX Всеросийской конференции по физике сегнетоэлектриков 20−23 июня, BKC-XIX 2011 г., (г. Москва. — 2011 г.).

Практическая значимость.

Кристаллы SBN являются перспективным материалом оптоэлектронной промышленности. Результаты диссертационной работы могут применяться в организациях и на предприятиях выпускающих оптоэлектронные компоненты на основе кристаллов SBN при оценке их качества, поиске путей оптимизации их эксплуатационных параметров, а также при разработке новах применений в качестве основы элементов памяти.

Диссертационная работа выполнена при поддержке грантов: «Проведение дополнительных проблемно-ориентированных фундаментальных экспериментальных и теоретических исследований физических свойств материалов для микрои наноэлектроники». (Роснаука), 2007 г- «Импульсные процессы переключения и реальная структура нанодоменных сегнетоэлектриков-релаксоров с фоторефрактивными примесями», 2009 г., (Минобнауки РФ) — Проект П1937 от 29.11.2009 г. «Импульсные процессы переключения поляризации в модельном кристалле-релаксоре SBN с примесями металлов и способы контроля поляризации сегнетоэлектриков-релаксоров» в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России».

Публикации.

Основные результаты диссертации опубликованы в печатных 18 работах, из которых 5 опубликованы в изданиях, рекомендованных ВАК и приравненных к ним.

Личный вклад автора в разработку проблемы.

Автором получены все основные экспериментальные результаты, выполнены соответствующие расчеты физических параметров, проведена интерпретация экспериментальных данных.

Выбор темы, планирование работы, постановка задач и обсуждение полученных результатов проводились автором совместно с научным руководителем. Исследования импульсных процессов переключения проведены совместно с аспирантом Бурцевым A.B., исследования пироэлектрических свойств проведены под руководством доктора физико-математических наук О. В. Малышкиной.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения, списка цитированной литературы. Общий объем составляет 144 страницы, включая 9 рисунков, 400 фотографий, 6 таблиц. Список цитированной литературы содержит наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

В работе методами оптической и атомно-силовой микроскопии с использованием химического травления, впервые проведено комплексное исследование реальной (доменной и дефектной) структуры монокристалла сегнетоэлектрика-релаксора 8В1ЧГ легированного примесями Сг, Се, Ей и КЪ с концентрацией до 16 000 ррш.

На основе, полученных результатов можно сделать следующие выводы:

1. В кристаллах 8В1Г, чистых и с примесями, на полярных срезах выявлена доменная структура 3-х типов: крупная микроразмерная порядка 100 мкм и более, мелкая микроразмерная как правило лабиринтного типа размером от 0,5 до нескольких мкм в матрице более крупного домена и наноразмерная до 10 нм, проявляющаяся по всей поверхности кристалла независимо от среза. В объеме микроразмерных доменов наблюдается одинаковая, либо преобладающая ориентация наноразмерных доменов. В той или иной степени наблюдаются включения, связываемые с наличием в объеме иной фазы, и дислокационная структура.

2. В кристаллах 8В1Ч[, чистых и с примесями, на неполярных срезах внутри матрицы основного домена проявляется более мелкая периодическая доменная структура в виде полос вытянутых в направлении полярной оси, с периодом, соответствующим размерам лабиринтных микродоменов полярного срез. Проявление указанной структуры говорит о заряженности доменных границ.

3. Обнаружено значительное влияние типа и величины концентрации примеси на конфигурацию микроразмерной доменной структуры. Увеличение концентрации примеси до 8 000 ррш. и более в объеме 8ВМ приводит к формированию зерноподобной структуры, сходной с наблюдаемой в керамике.

4. Установлена корреляция параметров процессов импульсного переключения в кристаллах 8ВМ и характеристик доменной структуры, обусловленная введением различных примесей. Размер области, переключающейся при наблюдении методом Эффекта Баркгаузена, уменьшается при уменьшении характерного размера домена (примесь Сг) и увеличивается при увеличении (примесь Се). Наличию двух типов микродоменных структур соответствует два механизма переключения, фиксируемых ТЭБ и ЭБ. Участие наноразмерных заряженных областей в механизме микроскопического переключения может проявляться в фиксации импульсов переключения нехарактерных для классических сегнетоэлектрических кристаллов.

5. Процедура отжига (200°С) SBN без наложения электрического поля как правило приводит к измельчению микроразмерной доменной структуры и деполяризации образца. В кристаллах подвергнутых температурным воздействиям на глубине порядка 100 мкм формируется приповерхностный слой с зигзагообразными встречными доменами, что подтверждается отсутствием пироэлектрического отклика при зондировании кристаллов методом TSWM.

6. Впервые исследован процесс переформирования доменной структуры на полярных и неполярных срезах кристаллов SBN с примесями металлов методом АСМ при приложении постоянного напряжения к зонду. Более восприимчивыми к воздействию были кристаллы с примесью Rh. При увеличении концентрации примеси и времени воздействия эффект проявлялся более четко.

7. На неполярных срезах кристаллов при приложении поля наблюдалось движение доменных границ как в боковом, так и в направлении полярной оси. Изменение знака поля на противоположный приводило к практически полному восстановлению первичной доменной структуры. Время релаксации созданных доменных конфигураций составляло до нескольких часов. Изменения конфигурации микроразмерной доменной структуры при внешних полевых локальных воздействиях связано с переполяризацией ансамблей наноразмерных областей.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Т.Р., Иванов Н. Р., Исаков Д. В., Ивлева Л. И., Лыков П. А. Особенности электрооптических свойств кристаллов ниобата бария-стронция и их связь с доменной структурой // Физика твердого тела, 2005, том 47, вып. 2, с. 293−299.
  2. В.В., Кириков В. А., Т.Р. Волк, Исаков Д. В., Иванова Е. С. Особенности сегнетоэлектрических свойств кристаллов Sro.75Bao.25Nb206 Н Физика твердого тела, том: 45, вып: 11, 2003 г. 2067−2073.
  3. Н.Р., Волк Т. Р., Ивлева Л. И. и др. Кристаллография, 2002, т. 47, № 6. с. 1065−1072.
  4. И. Н., Курикова Е. Б., Зазнобин Т. О., Иванов В. В., Педько Б. Б. Процессы импульсного переключения в кристаллах ниобата бария стронция с фоторефрактивными примесями // Вестник ТвГУ серия «Физика» № 4, 2004 г.
  5. H.H., Зазнобин Т. О., Иванов В. В., Муравьева Е. Б., Педько Б. Б. Исследование процессов переключения кристаллов ниобата бария-стронция методом теплового эффекта баркгаузена. // ФТТ, 2006, Т.48, вып. 6, с. 967 968.
  6. И. Л. Влияние примесей церия и хрома на оптические и сегнетоэлектрические свойства кристаллов ниобата бария-стронция. Канд. Дис. Тверь: ТвГУ, 2004 г.
  7. О.В. Атомно-силовая микроскопия сегнетоэлектрических микро-и нанодоменных структур. // Автореферат к диссертации на соискание степени кандидата физико-математических наук. Москва, 2011 г.
  8. Шур В. Я., Шихова В. А., Пелегов Д. В., Иевлев А. В., Ивлева Л. И. Формирование ансамблей нанодоменов при переключении поляризации в монокристаллах Sr0.6iBa0.39Nb2O6:Ce // Физика Твердого Тела, с.2195−2199 ФТТ, том 53, выпуск 11, 2011 г.
  9. Ito Y., Furuhata Y. Phys. Stat. Solidi, 1974, v.23, p.14.
  10. Yamada Т., Iwasaki H., Mizeki N., J.Appl. Phys., 1969, v.40, p.4353.
  11. Ballmann A.A., Brown H. J.Crist. Growth, 1967, v. l, p.311.
  12. Venturini E.L., Spencer E.G., Ballmann A.A. J.Appl. Phys., 1969, v.40, p. 1622.
  13. Boniort Y.Y., Brehm C., Deshpandes G. et al. J.Crist. Growth, 1975, v.30, p.357.
  14. Г. С., Писаревский Ю. В., Сильвестрова И. М. -Кристаллография, 1974, т.19., с. 878.
  15. Spencer E.G., Lenzo P.V., Ballmann A.A. Appl. Phys. Lett., 1966, v.9, p.290.
  16. А.А., Чечкин B.B., Лейченко А. Г. и др. Изв. АН. СССР: Сер. Неорганические материалы. 1977, т. 13, с.2214
  17. Glass A.M. J.Appl. Phys., 1969, v.40, p.4699.
  18. B.B., Десяткова C.M., Ивлева Л. И. и др. Кристаллография, 1974, т. 19, стр. 401.
  19. Ballmann А.А., Brown Н. J.Crist. Growth, 1967, v. l, p.311.
  20. A.A., Чечкин В. В., Лейченко А. Г. и др. Изв. АН. СССР: Сер. Неорганические материалы. 1977, т. 13, с.2214
  21. Рез И. С. Изв. АН СССР: Сер. Физ., 1969, т. ЗЗ, с. 289.
  22. Brice J.C. Rep. Prog. Phys., 1977, v.40, p.567.
  23. .Н. Изв. АН. СССР: Сер. Физ. 1969, т. ЗЗ, с. 227.
  24. Liu S.T., Makiolek R.B. J.Elektr. Mat., 1975, v.4, p.91.
  25. Sakamoto S., Yasaki Т., Appl. Phys. Lett., 1973, v.22, p.429.
  26. Dispanches G., Barrand J.L., Lazennec Y. J. Crist. Growth, 1974, v.23, p.149.
  27. Й. Изв. АН. СССР: Сер. Физ., 1977, т.41, с. 573.
  28. Е.В., Ивлева Л. И., Кузьминов Ю. С. и др. Изв. АН. СССР: Сер. Неорганические материалы. 1975, т.11, с. 875.
  29. Ю.С., Осико В. В. Природа, 1974, № 12, с.28
  30. Dispanches G., Barrand J.L., Lazennec Y. J. Crist. Growth, 1974, v.23, p.149.
  31. B.M., Палатник Л. С. Электронно-микроскопические изображения дислокаций и дефектов упаковки М.: Наука, 1976. 224 с.
  32. Houe P., Townsend D.//J.Phys.D:Appl.Phys. 1995.V.28.P. 1747.
  33. Romero J. Jaque D., Garcia-Sole J., Kaminskii A.A.// Appl. Phys. Lett. 2001. V.78. № 14. P.1961.
  34. M. П. Шаскольская «Кристаллография». M., «Высшая школа», 1976.
  35. В. И. Фистуль «Физика и химия твердого тела». М.: Металлургия, 1995.
  36. П. В. Павлов, А. Ф. Хохлов «Физика твердого тела». Нижний Новгород: изд-во Нижегородского ун-та, 1993.
  37. Современная кристаллография (в четырех томах). Том 4. Физические свойства кристаллов / Шувалов Л. А., Урусовская А. А., Желудев И. С. и др. М.: Наука, 1981. 496с.
  38. Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов, М., «Металлургия», 1974, с. 528.
  39. Н.Р., Волк Т. Р., Ивлева Л. И. и др. Сегнетоэлектрическая доменная структура в кристаллах SBN (статика и динамика) // Кристаллография. -2002. -т.47. -№ 6. -с. 1065−1072.
  40. Marta L., Zaharescu M., Haiduc I. et al. Sintesis of barium and strontium metaniobate by using a presipitation method // 2nd Nat. Congr. Chem. -Bucharest, 1981. Part 1. — 1. — P.235.
  41. И.А. Пьезотехника. M.: Энергия, 1967. — 272С. 43. Кузьминов Ю. С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. — М.: Наука, 1982, 400 с.
  42. Г. А., Боков В. А., Исупов В. А., Крайник H.H., Пасынков P.E., Соколов А. И., Юшин Н.К Физика сегнетоэлектрических явлений. -Л.: Наука, 1985,396 с.
  43. Г. А., Боков В. А., Исупов В. А., Крайник H.H., Пасынков P.E., Шур A.C., Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Л.: Наука, 1971.
  44. М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. -М.: Мир, 1981,736 с.
  45. L.E. «Relaxor ferroelectrics: an overview». // Ferroelectrics. 1994. V.151. P.305−320.
  46. Jamieson P.B., Abrahams S.C., Bernstein J.L. Ferroelectric Tungsten Bronze-Type Crystal Structures. I Barium Strontium Niobate Bao.25Sro.75Nb5O5.78 // J. Chem. Phys. 1968. V.48. P.5048.
  47. A.E., Дорожкин. Л.М., Кузьминов Ю. С. и д.р. Квадратичная оптическая восприимчивость и структура кристаллов BaxSrixNb206 // Кристаллография. 1984. Т. 20. № 6. С. 1094.
  48. Т.С., Максимов Б. А., Верин И. В., Ивлева Л. И., Симонов В. И. Кристаллическая структура монокристаллов Bao.39Sro.6iNb206 // Кристаллография, 1997, Т. 42, № 3, С. 421−426.
  49. Т.С., Максимов Б. А., Верин И. В., Ивлева Л. И., Симонов В. И. Уточнение кристаллическая структуры монокристаллов Sr0.6iBa0.39Nb2O6:Ce // Кристаллография, 1997, Т. 42, № 3, С. 421−426.
  50. М. P., Ryba Е., Smith D. К. A study of positional disorder in strontium barium niobate. // J. Mater. Sei., 1996,31, 6, P. 1435−1443.
  51. Peterson G.E., Bridenbaugh P.M., Green P. J. Chem. Phys., 1967. V.46. P.4009.
  52. И.С. Физика кристаллических диэлектриков. М.: Наука, 1968.
  53. Н.Ф. Канд. Диссерт. Доменная структура кристаллов метаниобата лития, выращенных методом Чохральского. М.: МГУ, 1978.
  54. Г. П., Ивлева Л. И., Катнельсон A.A., Кузьминов Ю. С. -Кристаллография, 1979, т.24, вып.5, с. 1079.
  55. А. Неоднородные металлические твердые растворы. Л.:ИЛ, 1961.
  56. Francombe M. Acta Krist., 1960, v. 13, p. 131.
  57. Megumi K., Negatsuma K., Kashivada Y. et al. J. Mat. Sei., 1976, v. ll, p.1583.
  58. Ю. С., Ниобат и танталат лития материалы для нелинейной оптики. -М.: Наука, 1975.
  59. Cockayne В., Chesswas M., Plant J. G. et. al. J. Mater. Sei., 1969, v. 4, p. 565.
  60. M. Ф., Дрогайцев E. A., Теплицкая T. С. В сб. Монокристаллы и техника.- Харьков: ВНИИ монокристаллов, 1975, в. 5, с. 23.
  61. М. И., Захаров Л. Ю., Морозов Н. А. и др. Микроэлектроника, 1974, т. 3, вып. 5, с. 459.
  62. Ю. Л., Кравченко В. Б., Дудник О. Ф. Пьезо- и сегнетоматериалы и их применение. М.: МДНТП им. Ф. Э. Дзержинского, 1978, с. 86.
  63. Bursiill L.A., Lin P.J. // Phil. Mag. B1986. V.54. P.157.
  64. Fogarty G., Steiner В., Cronin-Golomb M. et al. // J. Opt. Soc. Arn.B.1996. V.13.P. 2636.
  65. Хачатурян AT Л Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. М.: Наука, 1974. С. 384.
  66. М. Ф., Колотий О. Д., Майсов Г. В, Назаренко Б. П. Домены в кристаллах типа ниобата бария-стронция // Известия АН СССР, сер. Неорг. материалы. 1982. — 18, № 6. — С. 1008−1012.
  67. И. С. Симметрия и ее приложения. М.: Атомиздат, 1976. -288с.
  68. Prokert F., Balagurov A.M., Savenko B.N. Investigation on the incommensurate modulated structure of 8го.7Ва0.зМ>2Об by neutron diffraction // Ferroelectrics. -1988. V.79. — P. 307−309
  69. В.А., Мыльникова И. Е. Электрические и оптические свойства монокристаллов сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом // ФТТ. -1961. -Т.З. -С. 841−853.
  70. Balagurov А. М, Savenko B.N., Prokert F. Neutron diffraction studies on phase transition effects on a single crystal of Sr0.7Ba0.3Nb2O6 // Ferroelec-trics. -1988. -V. 79. -P. 153−156.
  71. Grachev V., Malovichko G. EPR, ENDOR and optical-absorption study of Cr3+ centers substituting for niobium in Li-rich lithium niobate crystals // Phys. Rev. B. -2000. v. 12. — p.7779−7782.
  72. Miller R.C., Weinreich. Mechanism for the sidewise motion of 180° domain walls in barium titanate.// Phys. Rev. I960.- v. l 17. — № 6. — p. l460−1466.
  73. Cross L.E. Relaxor ferroelectrics. Tutorial IV. The 9th International Meeting on Ferroelectricity. Seoul, 1997.
  74. Scehneck J, Denoyer F. Incommensurate phases in barium sodium niobate // Phys. Rev., 1981, V. B23, P. 383−388.
  75. Prokert F., Balagurov A.M., Savenko B.N. Investigation on the incommensurate modulated structure of Sro.7Bao.3Nb206 by neutron diffraction // Ferroelectrics, 1988, V. 79, P. 307−309
  76. Savenko B.N. Sangaa D., Prokert F. Neutron diffraction studies on SrxBai х№>20б single crystals with x=0.75, 0.70, 0.61, 0.50 and 0.46 // Ferroelectrics, 1990, V. 107, P. 207−212.
  77. A.B., Бурханов А. И., Узаков Р.Э Доменные процессы в кристалле SrxBai. xNb206 в широком интервале амплитуд низко- и инфранизких частотных полей // Изв. АН СССР, Сер. Физ., Т. 59, № 9, С. 65−67.
  78. Wittier N., Greten G., Kapphan S., Pankrath R., and Seglins J. Dielectric Measurements on SBN: Ce. //Phys. Stat. Sol. (B). 1995. V.189. P. K37-K40.
  79. Neurgaonkar R.R., Oliver J.R., Cory W.K., Cross L.E. and Viehland D. Piezoelectricity in Tungsten Bronze Crystals. // Ferroelectrics. 1994. V.160. P.265−276.
  80. Huang W.H., Viehland D., and Neurgaonkar R.R. Anisotropic glasslike characteristics of strontium barium niobate relaxors // J. Appl. Phys. 1994. V.76(l). P.490−496.
  81. Glass A.M. Investigation of the Electrical Properties of SrixBaxNb06 with Special Reference to Pyroelectric Detection // J. Appl. Phys. 1968. V.40. P.4699−4713.
  82. Viehland D., Xu Z. and Huang W.-H. Structure-property relationships in strontium barium niobate. I. Needle-like nanopolar domains and the metastably-locked incommensurate structure // Philos. Mag. A. 1995. V.71(2). P.205−217.
  83. Povoa J. M., Moreira E. N., Garcia D., Spinola D. U. P., Do Carmo C. G. V., Eiras J. A. Phase transition and dielectric characteristics of tungsten bronze relaxors. // J. Korean Phys. Soc., 1998, 32, febr., Pt 3, Suppl. P. S1046-S1047.
  84. Viehland D., Wuttig M. and Cross L.E. The Glassy behavior of relaxor ferroelectrics // Ferroelectrics. 1991. V.120. P.71−77.
  85. Oliver J.R., Neurgaonkar R.R., and Cross L.E. A thermodynamic phenomenology for ferroelectric tungsten bronze 8го.бВао.4№>20б (SBN:60). // J. Appl. Phys. 1988. V.64(l). P.37−47.
  86. Neurgaonkar R.R. and Cory W.K. Progress in photorefractive tungsten bronze crystals. // J. Opt. Soc. Am. B. 1986. Vol.3. No.2. P.274−282.
  87. .А., Леванюк А. П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. -М.: Наука. Физматлит, 1995. 304 с.
  88. А.И., Шильников А. В., Узаков Р. Э. Влияние внешних воздействий на релаксационные явления в монокристалле Sr0.75Ba0.25Nb2O6 // Кристаллография, 1997, Т. 42, № 6, С.1069−1075.
  89. Прокерт Ф, Савенко Б. Н., Сангаа Д. Нейтро-дифракционное излучение SrxBaixNb206 монокристаллов // Сооб. ОИЯИ, Дубна, 1989.
  90. Прокерт Ф, Балагуров A.M., Бескровный А. И., Савенко Б. Н., Сангаа Д. Исследование размытого фазового перехода в кристаллах SrxBai. xNb206 с помощью рассеяния нейтронов // Сооб. ОИЯИ, Дубна, 1990.
  91. С.А. Сегнетоэластические кристаллы: основные свойства, влияние дефектов. М:., «Наука», Природа, 2002, № 6 • (1042), с.22−26.
  92. Буш А. А., Чечкин В. В., Лейченко А. И. и др. Исследование монокристаллов барий стронциевых ниобатов // Изв. АН СССР: Сер. Неорган, материалы, 1997, Т. 13, № 12, С. 2214−2219.
  93. Й. Оценка и контроль оптических дефектов в ниобате бария-стронция // Изв. АН СССР: Сер. физ. 1977. Т.41. № 3. С. 573−560.
  94. Uzakov R.H., Burkhanov A.I., Shilnikov A.V. The influence of the thermal and electrical prehistory on physical properties of relaxor SBN. // J. Korean Phys. Soc., 1998, 32, P. S1016-S1018.
  95. Trubelja M. P., Ryba E., Smith D. K. A study of positional disorder in strontium barium niobate. // J. Mater. Sci., 1996,31, 6, P. 1435−1443
  96. Neurgaongar R.R., Cory W.K., Oliver., Khoshnevisan M. Ferroelectrics tungsten bronze crystals and their photorefractive applications // Ferroelectrics, 1990, V.102, P. 3−12.
  97. Я. А. Фотоиндуцированные процессы при записи элементарных голографических решеток в фоторефрактивных сегнетоэлектриках НБС:Се и керамике ЦТСЛ. // Канд. Дис. Рига, НИИФТТ, 1986.
  98. Neurgaonkar R.R., Oliver J.R., Cory W.K., Cross L.E. and Viehland D. Piezoelectricity in Tungsten Bronze Crystals. // Ferroelectrics. 1994. V.160. P.265−276.
  99. Landolt-Bornstein. Numerical Data and functional relationships in Science Technology.// New Series, Group III: Crystal and related Substances, Subvolume a: Oxides. Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg.-N.-Y., 1981, vol/16/28a. P.149.
  100. Volk Т., Woike Th., Doerfler U., Pankrath R., Ivleva L. and Woehlecke M. Ferroelectric phenomena in holographic properties of strontium-barium niobate crystals doped with rare-earth elements. // Ferroelectrics. 1997. V.203. P.457−470.
  101. Zhang P.L., Zhong W.L., Song Y.Y., Chen H.C. Tb-Doped SBN Single Crystals//Ferroelectrics. 1993. V. 142. P. 115−119.
  102. Neurgaonkar R.R. and Cory W.K. Progress in photorefractive tungsten bronze crystals. // J. Opt. Soc. Am. B. 1986. Vol.3. No.2. P.274−282.
  103. Т. О. Термоиндуцированные процессы переключения в ниобийсодержащих фоторефрактивных сегнетоэлектриках ниобате лития и ниобате бария стронция: Дис. .канд. физ.-мат. наук. Тверь: ТвГУ, 2005. -137С.
  104. В.В., Кириков В. А., Нехлюдов С.В, Т. Р. Волк, Л. И. Ивлева. Поляризация и деполяризация релаксорного сегнетоэлектрика ниобата бария-стронция. // Физика твердого тела, том: 42, вып: 7, 2000 г. 1296−1302.
  105. В.В., Кириков В. А., Пронина Е. В., Волк Т. Р., Панкрат Р., Велеке М. Аномалии медленной кинетики поляризации релаксорногосегнетоэлектрика в температурной области размытого фазового перехода. // Журнал «Физика Твердого Тела», 2001
  106. Д. В. Исаков, Т. Р. Волк, Л. И. Ивлева. Исследования сегнетоэлектрических свойств кристаллов ниобата бария-стронция методом генерации второй гармоники. // Физика твердого тела. 2009. — Т. 51, вып. 11.-С. 2199−2206
  107. Т.Р.Волк, Л. В. Симагина, Р. В. Гайнутдинов, Е. С. Иванова, Л. И. Ивлева, С. В. Митько. Исследование сегнетоэлектрических свойств кристаллов ниобата бария-стронция методом сканирующей зондовой микроскопии. // ФТТ, 2011, том 53, выпуск 12
  108. Р. В. Гайнутдинов, Т. Р. Волк, А. Л. Толстихина, Л. И. Ивлева Создание микродоменов в атомном силовом микроскопе в сегнетоэлектрических кристаллах ниобата бария-стронция. // ФТТ том86 вып.4,с.299.
  109. Т.Р., Иванов Н. Р., Исаков Д. В., Ивлева Л. И., Лыков П. А. Особенности электрооптических свойств кристаллов ниобата бария-стронция иих связь с доменной структурой // ФТТ, 2005, том 47, выпуск 2, Стр. 293.
  110. В. Я. Шур, В. А. Шихова, Д. В. Пелегов, А. В. Иевлев, Л. И. Ивлева. Формирование ансамблей нанодоменов при переключении поляризации в монокристаллах 8го. б1Вао.з9№>2Об-Се. // Физика Твердого Тела, том 53, выпуск 11, рр. 2195−2199 ФТТ, 2011.
  111. L. Kislova, A.B. Kutsenko, S.E. Kapphan, B.B. Pedko, R. Pankrath, V.A. Trepakov, Variation of doping-dependent properties in photorefractive SrxBai xNb206: Cr, Ce+Cr Crystals // RAD. Eff. And Def. In Solids. 2002, 157,1033.
  112. И. В. Выпускная квалификационная работа специалиста, 2004 г.
  113. B.JI. Основы сканирующей зондовой микроскопии // Нижний Новгород, 2004. 110 С.
  114. С.С. Выпускная квалификационная работа специалиста, 2005.
  115. С.С.Маркова, Б. Б. Педько, И. В. Румянцева ТГУ, кафедра сегнето- и пьезоэлектриков. (Вестник ТвГУ. Серия «Физика», 2005. Выпуск 2.с.98−104.)"Исследование реальной структуры кристаллов SBN с фоторефрактивными примесями методом травления.
  116. Malyshkina O.V., Movchikova A.A.- Ped’ko B.B., Boitsova K.N., Sorokina I.I. Polarization Distribution and Domain Structure in SBN Crystal Doped by Eu or Rh // Ferroelectrics. 2010. V.398. P.64−70.
  117. O.B., Мовчикова А. А., Маркова С. С., Педько Б.Б.Пироэлектрический эффект и доменная структура в беспримесном кристалле SBN и SBN спримесью Сг. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, С.86−89.
  118. В.М. Эффект Баркгаузена как метод исследования сегнетоэлектрических кристаллов // Изв. АН СССР. Сер.физ. — 1967. — т.31. — № 7. — с. 1171−1174.
  119. А.В., Зазнобин Т. О., Юпатов А. Н., Котрова К. Н. Термически индуцированные скачкообразные импульсные процессы в кристаллениобата бария-стронция с примесями металлов// Физика твердого тела. 2009, Т 51, № 7, С. 1407−1409.
  120. А.В., Зазнобин Т. О., Каппхан С., Панкрат Р. Особенности термоиндуцированного импульсного переключения кристаллов Бго^Вао^^гОб с примесями Се, Сг, Ей, и Шг. // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2009, № 2, С. 21—23.
  121. Т. О. Термоиндуцированные процессы переключения в ниобийсодержагцих фоторефрактивных сегнетоэлектриках ниобате лития и ниобате бария стронция: Дис. .канд. физ.-мат. наук. Тверь: ТвГУ, 2005. -137С.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!