Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Механизмы переноса заряда в приёмниках рентгеновского излучения на основе кремния

Диссертация: Механизмы переноса заряда в приёмниках рентгеновского излучения на основе кремния
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Получены аналитические выражения, описывающие процессы термостимулированной эмиссии электронов с центров рекомбинации (РЦ), с учетом температурных зависимостей коэффициентов захвата. Аналитически и методами математического моделирования проанализированы систематические ошибки, возникающие при определении энергии активации РЦ методом термостимулированной емкости. Показано, что величина этих… Читать ещё >

Механизмы переноса заряда в приёмниках рентгеновского излучения на основе кремния (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. Рекомбинационные центры в р-п-переходах на основе кремния
    • 1. 1. Возможные типы точечных дефектов в кремнии
    • 1. 2. Вакансии и межузельные атомы в в кремнии
    • 1. 3. Кислород и другие примеси в кремнии
    • 1. 4. Анализ методов определения параметров центров рекомбинации
    • 1. 5. Выводы по обзору литературы и постановка задачи исследования
  • ГЛАВА 2. Термостимулированная спектроскопия глубоких центров в рентгеночувствительных приемниках
    • 2. 1. Распределения концентрации примесей вблизи р-п-перехода
    • 2. 2. Результаты емкостных измерений и расчеты профилей концентрации
    • 2. 3. Термостимулированная генерация с глубоких уровней ОПЗ в р-п-переходах
    • 2. 4. Вычисление параметров глубоких уровней с учетом температурных зависимостей коэффициентов захвата электронов
    • 2. 5. Выводы
  • ГЛАВА 3. Распад дивакансии в области пространственного заряда кремниевого р-п-перехода
    • 3. 1. Изменение состава глубоких центров в области пространственного заряда при термостимулированном нагреве
    • 3. 2. Возможные модели термостимулированного распада комплексов в области пространственного заряда
    • 3. 3. Кинетические коэффициенты комплексообразования
    • 3. 4. Определение энергетических параметров, кинетических коэффициентов и модели изменения состава дефектов в области пространственного заряда при термостимулированном нагреве
    • 3. 5. Выводы
  • ГЛАВА 4. Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда рентгеночувствительных приемников. ^
    • 4. 1. Механизмы, формирующие прямую ветвь вольтамперной характеристики. ^
    • 4. 2. Рекомбинационная спектроскопия центров в области пространственного заряда
      • 4. 2. 1. Определение параметров центров рекомбинации по дифференциальному показателю наклона ВАХ
      • 4. 2. 2. Приведенная скорость рекомбинации и, основанные на этом, методы определения параметров центров рекомбинации
      • 4. 2. 3. Метод, основанный на разделении производной приведенной скорости рекомбинации дКпр (и)/ди на составляющие
    • 4. 3. Температурные зависимости коэффициентов захвата центров рекомбинации
    • 4. 4. Рекомбинация с участием многозарядных центров
    • 4. 5. Выводы
  • ГЛАВА 5. Механизмы, определяющие коэффициент полезного действия приемников рентгеновского излучения. ^
    • 5. 1. Коэффициент полезного действия приемника рентгеновского излучения
    • 5. 2. Механизмы, формирующие обратную ветвь вольтамперной характеристики
    • 5. 3. Влияние электрического поля на эмиссию электронов и дырок с рекомбинационных уровней
    • 5. 4. Влияние электрон-фононного взаимодействия на процессы генерации с участие рекомбинационных центров в сильном электрическом поле
    • 5. 5. Анализ путей снижения концентрации центров рекомбинации
    • 5. 6. Выводы

Кремний является самым распространенным материалом для изготовления различных полупроводниковых приборов. Не составляют исключения и приемники рентгеновского излучения, которые представляют собой высококачественный фотоприемник с нанесенным на лицевую поверхность люминофором, преобразующим рентгеновское излучение в видимое. Качество и эффективность такого приемника складывается из эффективности преобразования одного вида излучения в другое и эффективности приемника оптического излучения. Преобразование рентгеновского излучения исследовано достаточно хорошо и в данной работе не затрагивается. Качество второй ступени преобразования во многом определяется величиной обратного темнового тока. При малых уровнях освещенности к.п.д. прибора обратно пропорционален этой величине. Несмотря на многолетние исследования в этой области, существует еще достаточное количество белых пятен, которые изучены не в полной мере и сдерживают понимание путей совершенствования технологии приборов. Многочисленные предшествующие работы доказали, что обратные вольтамперные характеристики во многом связаны со свойствами рекомбинационных токов в области пространственного заряда. Однако природа центров рекомбинации в большинстве случаев остается дискуссионной. Недостаточно исследовано поведение сложных кислородных комплексов. В то же время кислород является примесью, которая входит в состав кремния в максимальных количествах. Кроме того, он способен создавать целую серию комплексов с вакансией и другими дефектами, образуя центры рекомбинации, которые определяют механизмы переноса носителей заряда в /7-и-переходе. Свойства этих центров известны пока не в достаточной степени. Практически нет сведений о параметрах электрон-фононного взаимодействия, сопровождающего электронные переходы с этих центров. Электрон-фононное взаимодействие усиливает влияние электрических полей и ускоряет процессы термической эмиссии электронов и дырок с центров рекомбинации. В случае квазимолекулярных центров, какие создает кислород в кремнии, без привлечения моделей электронно-колебательных переходов добиться совпадения между экспериментальными и теоретическими результатами невозможно. Несмотря на то, что ведущая роль электрон-фононного взаимодействия на процессы генерации с участием рекомбинационных центров в полупроводниках, была доказана в середине 70-х годов, с тех пор развиваются в основном теоретические модели, да и то ограниченные однокоординатным приближением. В экспериментальных работах определение параметров электрон-фононного взаимодействия практически не встречается. Это, в частности, вызвано ограниченностью возможностей емкостных методов измерений. В подавляющем количестве экспериментальных работ определяют энергию активации глубоких уровней методом нестационарной емкостной спектроскопии. Очень редко приводятся значения коэффициентов захвата носителей и фактически никогда их температурные зависимости. Последние как раз и позволяют найти параметры электрон-фононного взаимодействия. Эти экспериментальные результаты можно получить, анализируя вольтамперные характеристики приборов при прямом смещении. Хотя такие методы есть, но они широким кругом исследователей не используются. В данной работе указанные выше пробелы изучаются и делаются важные выводы для теории и практики полупроводниковых приемников излучения. Тема диссертации актуальна.

Целью работы является анализ механизмов переноса носителей заряда в кремниевых приёмниках рентгеновского излучения и их влияния на коэффициент полезного действия преобразования волновой энергии в электрическую.

Для достижения данной цели решаются следующие задачи:

Анализируются процессы термогенерации носителей заряда с рекомбинационных центров с учетом температурных зависимостей коэффициентов захвата, моделируется возможное влияние этих процессов на результаты измерения термостимулированной емкости и определяются энергии активации основных рекомбинационных центров в кремниевых приемниках излучения.

Выясняется природа необратимых процессов при разогреве ^-«-перехода, находящегося при напряжении обратного смещения, и выявляются центры в них участвующие.

Устанавливаются механизмы, формирующие прямые вольтамперные характеристики ^-«-перехода и методами рекомбинационной спектроскопии определяются параметры ряда центров рекомбинации, включая температурные зависимости коэффициентов захвата. Показывается, что некоторые рекомбинационные центры являются многозарядными.

Устанавливается связь между коэффициентом полезного действия преобразования и величиной обратного тока. Выясняются механизмы, определяющие величину обратного тока, обсуждается природа центров рекомбинации и теоретически рассматриваются условия проведения технологических процессов, которые должны увеличить эффективность приемников излучения.

В работе получены следующие новые научные результаты:

Разработаны модели термостимулированной генерации, учитывающие температурную зависимость коэффициента захвата. Определены условия, при которых систематическая погрешность определения параметров рекомбинационных центров (РЦ) будет минимальна.

Показано, что обнаруженные экспериментально РЦ, так или иначе связаны с присутствием кислорода.

Установлено, что электрическое поле области пространственного заряда (ОПЗ) способствует распаду дивакансии с последующим образованием, А — центров. Получены аналитические выражения, описывающие кинетику изотермического и термостимулированного распада. Определена парциальная свободная энергия распада дивакансии в электрическом поле.

Определены условия, получены аналитические зависимости и новые алгоритмы применения метода рекомбинационной спектроскопии для определения параметров РЦ. Найдены такие важные параметры, как температурные зависимости коэффициентов захвата. Экспериментально и методом математического моделирования показано, что некоторые РЦ являются многозарядными.

Получено выражение для коэффициента полезного действия преобразования волновой энергии в электрическую и показано, что эта величина обратно пропорциональна скорости генерации через РЦ с термическими энергиями активации 0.45 и 0.53 эВ, которые, по-видимому, связаны с многочастичными комплексами вакансии кремния и атомов кислорода.

Экспериментально и аналитически доказано, что генерация, с участием указанных выше РЦ, в силу сильного электрон-фононного взаимодействия, ускоряется в электрическом поле ОПЗ, что связано с эффектом Френкеляпонижением высоты барьера, окружающего ловушку, в электрическом поле.

Практическую значимость имеют следующие результаты работы:

Обоснованы, разработаны и реализованы на практике новые алгоритмы определения параметров центров рекомбинации, в том числе температурные зависимости коэффициентов захвата дырок и электронов на центры захвата и параметры электрон-фононного взаимодействия.

Определены параметры ряда центров рекомбинации в кремниевых приемниках излучения и показана их роль в механизмах, определяющих вольтамперные характеристики р-я-переходов.

Теоретически обоснованы способы снижения концентрации рекомбинационных центров, связанных с присутствием кислорода в кремнии, которые согласованы с технологий изготовления приборов.

На защиту выносятся положения:

Температурные зависимости коэффициентов захвата в области термостимулированной эмиссии электронов не вносят существенных систематических ошибок в найденные энергии термической активации центров рекомбинации.

Дивакансия распадается в электрическом поле области пространственного заряда вблизи 300° К. Образовавшиеся при этом свободные одиночные вакансии захватываются атомами кислорода, образуя А-центры.

Комплексный метод, сочетающий измерение термостимулированной емкости и токовую рекомбинационную спектроскопию, позволяет вычислить с необходимой точностью температурные зависимости коэффициентов захвата на рекомбинационные центры.

Коэффициент полезного действия преобразования волновой энергии в электрическую зависит от концентрации рекомбинационных центров, имеющих энергию термической активации 0.45 и 0.53 эВ. Данные центры, по-видимому, связанны с многочастичными комплексами вакансии кремния с атомами кислорода.

Электрон-фононное взаимодействие играет определяющую роль в величине эффекта Френкеля, приводящего к ускорению эмиссии электронов с центров рекомбинации.

Апробация работы: Результаты работы докладывались на научнотехническом семинаре НПК «Технологический центр» МИЭТ, международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», 2005 (Владимир). По результатам работы опубликовано 6 научных работ, включая оригинальные работы в ведущих научных журналах России и труды международных конференций.

Структура работы: Работа изложена на 135 стр., включает 9 таблиц и 36 рисунков, библиографический список включает 135 работ.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах.

1. Булярский C.B., Басаев A.C. Термостимулированный распад дивакансий в рентгеночувствительных р-г'-п-структурах на основе кремния // Ученые записки Ульяновского государственного университета — 2002 — вып.2(13), стр. 34−37.

2. Булярский C.B., Басаев A.C. Рекомбинационная спектроскопия глубоких центров в рентгеночувствительных p-i-n-приемниках. // Изв. вузов. Электроника. -2003.-№ 3, с. 3−10.

3. Булярский C.B., Басаев A.C. Коэффициенты захвата глубоких центров и обратные токи рентгеночувствительных приемников излучения. // Известия высших учебных заведений, «Поволжский регион», серия Естественные науки -2003 — № 2(5) стр. 141−145, г. Пенза, стр.61−62.

4. Булярский C.B., Басаев A.C. Исследование рентгеночувствительных p-i-n-структур методом термостимулированной спектроскопии глубоких уровней // Изв. вузов. Электроника. — 2005. — № 1, с. 78−82.

5. Булярский C.B., Басаев A.C., Скаляух О. С. Модель термического распада сложных комплексов в кремнии, облученном альфа частицами. //Тезисы докладов Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы», Владимир — 2005,.

6. Булярский C.B., Басаев A.C., Суханов B.C. Температурные зависимости коэффициентов захвата глубоких центров в рентгеночувствительных приемниках излучения. // Изв. вузов. Электроника. — 2005. — № 6, с. 84−88.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Получены аналитические выражения, описывающие процессы термостимулированной эмиссии электронов с центров рекомбинации (РЦ), с учетом температурных зависимостей коэффициентов захвата. Аналитически и методами математического моделирования проанализированы систематические ошибки, возникающие при определении энергии активации РЦ методом термостимулированной емкости. Показано, что величина этих погрешностей невелика и энергии активации определяются с достаточной точностью. Слабые температурные зависимости в области термостимулированной эмиссии электронов подтверждены независимыми токовыми экспериментами.

Определены энергии активации ряда РЦ. Анализ научной литературы показал, что большинство из них связано с присутствием кислорода в кремнии.

2. Показано, что термостимулированные эксперименты сопровождаются изменением состава РЦ в области пространственного заряда (ОПЗ) р-п-перехода. Установлено, что электрическое поле ОПЗ способствует распаду дивакансии в области 300К. Распад дивакансии связан с ионизацией ее в поле и влиянием отрицательной корреляционной энергии системы решеткадефект. Свободные вакансии при этом захватываются атомами кислорода, образуя А-центры. Получены аналитические зависимости для изотермического и термостимулированного распада. На основе этих выражений и экспериментальных результатов вычислена свободная энергия распада дивакансии.

3. Теоретически получены и проанализированы аналитические выражения, которые развивают и дополняют, разработанную ранее комплексную методику обработки прямых вольтамперных характеристик (ВАХ), названную рекомбинационной спектроскопией. Найден новый алгоритм преобразования ВАХ, который допускает меньшие погрешности, чем методика производной дифференциального наклона ВАХ. Этим и рядом других методов определены параметры РЦ в приемниках излучения. На основании исследования вольтамперных характеристик при различных температурах вычислены температурные зависимости для коэффициентов захвата электронов и дырок для уровней с энергиями термической активации 0.45 и 0.53 эВ. Эти зависимости позволяют сделать вывод о сильном электрон-фононном взаимодействии, сопровождающем генерационно-рекомбинационные процессы с участием данных центров. Результаты обработки ВАХ хорошо согласуются с данными независимых емкостных измерений, что подтверждает достоверность полученных данных.

4. Экспериментально и теоретически показано, что обратные вольтамперные характеристики приемников излучения обусловлены генерацией носителей заряда с участием уровней 0.45 и 0.53 эВ. При этом зависимость тока от напряжения на начальном участке характеристики обусловлена эффектом Френкеля — понижением высоты барьера, окружающего РЦ в электрическом поле. Показано, что наблюдаемые параметры процессов можно объяснить только на основании представлений о сильном электрон-фононном взаимодействии. Вычислены параметры данного взаимодействия для двух центров, такие как: тепловыделение, энергии чисто электронных переходов электронов и дырок, дисперсия кривых поглощения фотонов. Расчетные характеристики с учетом электрон-фононного взаимодействия хорошо описывают экспериментальные ВАХ. Полученные энергии чисто электронных переходов для дырок объясняют температурные зависимости обратного тока.

5. Получено аналитическое выражение для коэффициента полезного действия преобразования волновой энергии в электрическую. Показано, что его величина уменьшается с ростом концентрации центров рекомбинации 0.45 и 0.53 эВ. Так как эти центры, по-видимому, являются многочастичными комплексами вакансии кремния с кислородом, то обоснована необходимость проведения дополнительных отжигов, призванных образовать преципитаты и уменьшить концентрацию свободного кислорода, а вместе с этим концентрацию рекомбинационных центров. Сформулированы рекомендации к исходному кремнию для получения приборов высокого качества.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. — М: Наука, 1977.
  2. Зи С. Физика полупроводниковых приборов / В двух томах М.: Мир, 1984
  3. К.В. Физика полупроводников М: Энергия, 1971
  4. C.B., Грушко Н. С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М: МГУ, 1995. с. 399.
  5. М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Технология полупроводниковых материалов. М., 1961. с. 230.
  6. В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1977. с. 240.
  7. В.И. Введение в физику полупроводников. М.: Высш. школа, 1975. с. 296.
  8. .И. Диффузия полупроводников. М.: Энергия, 1971
  9. .И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Ленинград: Наука, 1972, — 384 с.
  10. В.В., Машовец Т. В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. -М: Радио и Связь, 1981, -248 с.
  11. В. И. Новые материалы (состояние проблемы и перспективы). М.: МИСИС, 1995. с. 142.
  12. В.И. Беседы о ХТТ и ФТТ. М., 1994. с. 120
  13. Я.И. Кинетическая теория жидкостей. М., 1945
  14. Дж. Физика твердого состояния. М.: Металлургия, 1972. с. 488.
  15. B.C. Киселев В. Ф. Мукашев Б.Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1990, с. 216.
  16. P.A. Термодинамика твердого состояния. М.: Металлургия, 1968, -314 с.
  17. В.Л., Холодарь Г. А. Статическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1969, -230с.
  18. Bulyarskii S.V., 01einikov V.P. Termodynamical Evaluation of Point Defect Density and Impurity Solubility in Compound Semiconductors.// Phys. stat. sol.(b) 141,1987, p. K7-K10.
  19. Ф. Химия несовершенных кристаллов. М.:Мир, 1969, -654 с.
  20. С. В. Фистуль В.И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках. М: Наука. 1997. Глубокие центры в полупроводниках. Кишинев: Штиинца. 1987.121 с.
  21. Милнс.А. Глубокие уровни в полупроводниках. М: Мир. 1987.576 с.
  22. С.В. Глубокие центры в полупроводниках. Кишинев: Штиинца. 1987. 121 с.
  23. B.C., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М: Наука. 1990.211 с.
  24. М.В., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М: Металлургия. 1984. 345 с.
  25. Yip K.L. The latties vacancy in Si and Ge.// Phys. Stat. Solidy (b). 1987. V.66. № 2. P.619−624.
  26. Lois S.G., Schuter M., Chelikowskii L. Self consistent electronic state to reconstructed Si vacancy models.// Phys.Rev.B. 1971. V.3. P.2556−2561.
  27. Watkins G.D., Troxel J.R., Chatteijes A.P., Vacancies and iterstitials in silicon. // In «Defects and Radiation Effects in Semiconductors «- The Institute of Phys. 1979. P. 16−34.
  28. Lindstrom L.G., Dehriein G.S. Mechanism of the enhencement in divacansy production by oxygen during electron irradiation of silicon. //J .Appl.Phys. 1982. Vol.53. P.8686 8690.
  29. Fukata N., Kasuya A., Suezawa M. Formation energy of vacancy in silicon determined by a new quenching metod.//Jap. J.Appl.Phys. 2002. Vol.41. P.567−569.
  30. Chakravarthi S., Dunham S.T. Modeling cluster in ion implanted silicon.// Europhys. Lett. 2002.Vol.47.P.317−325.
  31. Colombo L., Bongiorno A., Diaz de la Rubia T. Formation and binding energy of vacancy clusters in silicon.// Mat.Res.Symp.Proc. 1997.Vol.469. P.205−208.
  32. Colombo L., Bongiorno A. Interaction between a monovacancy and vacancy-clusters in silicon. //Phys.Rev.B. 1998. Vol.58. P.1882- 1891.
  33. F. Bailly. Lattice defects in semiconductors, 231. Univ. of Tokyo Press, Tokyo (1968)
  34. Swalin R.A. Vacancy formation in silicon.// J. Phys. Chem. Sol., 1961. Vol. 18, P. 290 299.
  35. Benneman K.H. Vacancy in silicon. // Phys. Rev. A., 1965. Vol. 137, A1497−1503.
  36. Scholz A., Seeger A. Formation and binding energy vacancy in silicon.// Phys. St. Sol., 1965. Vol. 3, P. 1480 -1489.
  37. T.B. Термодефекты в полупроводниках.// ФТП, 1982. Т. 16, в. 1. С. З-18.
  38. Dannefaer S., P. Mascher and Kerr D., Monovacancy Formation Enthalpy in Silicon.// Phys. Rev. Lett. 1986. Vol. 56, Num 20
  39. Van Vechten J.A. Defect formation in silicon. //1974. Phys. Rev. В 10,1482−1493.
  40. Van Vechten J.A., J. Electrochem. Soc. 122,419 (1975)
  41. Van Vechten J.A., in Handbook on Semiconductors, edited by S.P. Keller (North-Holland, Amsterdam, 1980), Vol. 3, Chap. 1
  42. Watkins G.D. and Corbett J.W., Vacancy formation in silicon. // Phys. Rev. 1964. Vol. 134, A1359- 1365.
  43. Y. Bar-Yam and E. Sun, J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47, P. 3776−3786.
  44. F.J. Demond, S. Kalbitzer, H. Mannsperger, and H. Damjantschitsch, // Phys. Lett. 1983. Vol. 93A, 503−511.
  45. Watkins G.D., in International Conference on Lattice Defects in Semiconductors, Freiburg, Germany, 1974 (IOP, London, 1975), p. 1
  46. Seeger A. and Chik K.P., Vacancy migration in silicon. //Phys. Status Solidi. 1968. Vol.29, P. 455−462.
  47. Chantre A., Kechouane M., and Bois D., Diffusion of vacancy in silicon. // Physica 1983. Vol. 116B, 547−551
  48. Tan T. and Gosele U., //Appl. Phys. 1985. Vol. A 37,1−12.
  49. Van Vechten J.A. Vacancy in silicon // Phys. Rev. В 33, 2674 (1986).
  50. .Н., Абдулин X.A., Горелкинский Ю. В., Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии. // УФН. 2000. Т.170. № 2. С.143−155.
  51. Gohnson W.L., Shankey O.G., Dow G.P., Deep level assotiated with impurities and bond centered interstitial site in silicon. // Phys.Rew. B. 1984. Vol.30. P.2070−2079.
  52. К.Д., Литовченко Н. М., Скрыль С. Н. Рекомбинационные центры в термообработанном кремнии.// Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1985. № 7. С.58−67.
  53. К., Фишер Г. Время жизни в кремнии и его влияние на работу кремниевых фотоэлементов.// Сб. Преобразование солнечной энергии. Вопросы твердого тела. -М: Энергоиздат 1982. 154 с.
  54. Babich V.M., Baran N.P., Budak А.А. On the properties of the termodonors -II in Cz: Si crystal high carbon content. // Phys. Stat. Sol.(a). 1984.Vol.86 № 2. P. 679−685.
  55. К.Д., Ильгишин B.A., Литовченко H.M. О рекомбинационных свойствах кремния, содержащего кислород.//ФТП 1979. Т. 13. № 10. С. 1927−1932.
  56. Schmalz К., Gaworzenskii P., Krisch F. Deep level in Czohralski p-Si to head treatment at 600 to 900 C. // Phys. Stat. Sol.(a) 1984. Vol.81. № 2. P.165−175.
  57. Melsi A., Coursell E., Zundel T. Process indused and gold acceptor in silicon. // Phys.Rew.B. 1984. Vol 36. P, 8049 -8063.
  58. Feichtinger H., Macler R. Dynamishe Untersuchung von landzey thasth ellen in detertempen Silizium.// Acta Phys. Austria. 1979. Vol.51. P.185−193.
  59. P.P., Сережкин Ю. Н. Температурная зависимость захвата электронным центром закалки в кремнии.// ФТП. 1984. Т.18. № 3. С.417−419.
  60. Kaiser W. Fricch R. Oxygen recombination centers. // Phys Rew. 1958. Vol.112. P. 1546−1554.
  61. Nolzlein K., Pensl G. Trap spectrum of the New oxygen donor. // Appl.Phys. 1984.Vol. A34. P.155−167.
  62. Shmaltz K. Gamorzenckii P. On the donor activity of Oxygen in Silicon // Phys. Stat Sol.(a) 1981. Vol 81. P.151−160.
  63. Hwang J.M., Shroter D.K. Recombination Properties of oxygen presipitated silicon. //J.Apll Phys. 1986. Vol.59. P.2476−2486
  64. B.M., Блецкан Н. И., Венгер Е. Ф. Кислород в монокристаллах кремния. Киев: Интерпресс ЛТД. 1997.239 с.
  65. К.Д., Литовченко Н. М., Птицын В. Ю. Рекомбинационные характеристики «очувстляющих» центров в кремнии.// Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1987. № 11. С.59−67.
  66. К.Д., Литовченко Н. М. Некоторые особенности изменения времени жизни в термобработанном, содержащем кислород кремнии.// Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1987. № 11. С.59−67.
  67. Fuller C.S., Doluden F.P. Recombination Properties of oxygen presipitated silicon. // J.Appl.Phys. 1988. Vol.29. P.1264−1271.
  68. К.П., Умаров T.A., Ходжаев М. Д. О природе термического центра с уровнем 0ю41 эВ в кремнии.// Изв. ВУЗОВ. Физика. 1984. № 10. С.243−247.
  69. Xie .V.M., Vu Y.Y., Wang K.L. Deep level defect study of moleculyar beam epitaxial grown silicon film.// Appl.Phys.Lett. 1986. Vol 48. P.287−295.
  70. Lemke H. Strosstelllenrectioner bei Au-dotierrten Silliziumkristallen. // Phys. Stat Sol. 1985. Vol A92. P. 139−247.
  71. Tulach L., Frank N., Pina B. Gold and residual impurities in silicon. // Phys.Stat.Sol.(a) 1986. Vol. 95. K87−89.
  72. C.B., Светухин B.B. Физические основы управления дефектообразованием в полупроводниках. Ульяновск: Издательство Ульяновского государственного университета. 2002. 385 с.
  73. С.В., Грушко Н. С. Физические принципы функциональной диагностики р-п-переходов с дефектами. Кишинев: Штиинца. 1992. 256 с.
  74. С.В. Глубокие центры в полупроводниках. Кищинев: Штиинца. 1987. 126 с.
  75. Sah С.Т., Noyce R., Shockley W. Carrier generation and recombination in p-n-junction characteristics. // Proc. IRE 1957. Vol.45. P.1228−1241.
  76. Sah C.T., Forbs. A. Thermal and optic emission and cross section of electrons and holes at impurity centers in semiconductors from foto and dark junction current capacitance experiment. // Sol. State. Electron. 1970. Vol.13. P.758−789.
  77. А. Глубокие центры в полупроводниках. М: Мир. 1978. 506 с.
  78. Buehler N.G. Impurity centers in p-n-junction determined from shifts in the thermally stimulated current and capacitance responds with heating rate. // Appl. Phys. Lett. 1972. Vol.20. P. 193−195.
  79. Sah C.T., Forbs. A., Chan W.W. Thermally stimulated capacitance in p-n-junction. // Appl. Phys. Lett. 1972. Vol. 20. P 347−348.
  80. Л. С. Емкостные методы исследования полупроводников. М: Наука. 1972. 125 с.
  81. Н.С., Гуткин А. А. Применение фотоемкостного метода для исследования электрон-фоннонного взаимодействия при ионизации глубоких центров в фосфиде индия, легированного железом.// ФТП. 1975. Т.9. С.58−63.
  82. В.И., Эфрос Ф. Л. Емкость р-п-переходов с глубокими примесями. // ФТП. 1967. Т.1.С. 1693−1698.
  83. И.М., Мазурик Н. Е. Действие примесного света на емкость р-п-перехода. //ФТП 1969. Т.З. С. 374−379.
  84. С.В., Радауцан С. И. Определение параметров глубоких рекомбинационных центров с помощью модифицированного метода термостимулированной емкости.//ФТП. 1981. Т. 15. С.1443−1446.
  85. Lang D.V. Fast capacitance transient apparatus: Application ZnO and О centers in GaPp-n-junction. //J.Appl.Phys. 1974. Vol.45.P.3014−3022.
  86. Bone Nielsen K., Dobaxzewski L. Piezoscopic deep level transient spectroscopic studies of the silicon divacancy. // Phys.Rev. B. 2002. Vol.65. P.113−119.
  87. Bone Nielsen K., Dobaxzewski L., Goscinski K. Deep level associated with vacansy-hydrogen complex investigate by Laplace transform DLTS. // 1999. Physica В 272−274. P. 167−171.
  88. Eiche C., Maer D., Weese J., Comment on inverse problem for the nonexponential deep level transient spectroscopy. //J.Appl. Phys. 1994. Vol. 75. P. 1242−1249.
  89. Dobaxzewski L., Andersen O., Rubaldo L. Saddle point for oxygen re-orientation in the vicinity of a silicon vacancy.// Phys.Rev. B65. 2002. P. 1765 -1771.
  90. Peaker A.R., Terry J., Khann P.Y.Y., Rubaldo L. Vacancy related defect in ion implanted Silicon. //Mat. Science and Engen. 2000. B71. P.143−151.
  91. C.B., Грушко H.C., Сомов А. И., Лакалин А. В. Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора.// ФТП. 1997. Т.31. С.1146−1150.
  92. С.В., Грушко Н. С., Лакалин А. В. Две методики определения энергии активации глубоких уровней из анализа тока рекомбинации в области пространственного заряда р-п перехода.// Заводская лаборатория. 1997. Т.63. С.25−30.
  93. С.В., Грушко Н. С., Лакалин А. В., Дифференциальные методы определения параметров глубоких уровней по рекомбинационным токам р-п перехода. // ФТП. 1998. Т.32. С. 1193−1196.
  94. С.В., Воробьев М. О., Грушко Н. С., Лакалин А. В. Определение параметров глубоких уровней по дифференциальным коэффициентам вольтамперных характеристик.// ЖТФ. 1999. № 5. С.22−27.
  95. С.В., Воробьев М. О., Грушко Н. С., Лакалин А. В. Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней в GaP светодиодах. // ФТП. 1999. Т.ЗЗ. № 6. С.733−727.
  96. Cindro V., Kramberger G., Mikuz M., Zontar D. Bias dependent annealing of radiation Damage in Neutron — irradiatiated silicon p±n-n±diodes.// University of Luiblyana. 1999.
  97. К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М: Мир. 1984. с.482
  98. Otder R., Wagner P. Infra-red Absobtion of Termal Donors in Silicon.// Mat. Res. Soc. Symp.Proc. 1983. V.14. P.171−175.
  99. Baranskii P.I., Babich V.M., Baran N.P. et all. The effect of Heat Treatment on Compensated Cz-Silicon.//Phys. stat. sol.(a) 1984.V.82.N3. P.533−536.
  100. B.B., Машовец T.B. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. -М: Радио и Связь, 1981, -248 с.
  101. С.В., Амброзевич А. С., Светухин В. В., Джабраилов Т. А. Влияние кислородных преципитатов на рекомбинационные характеристики кремния. Письма в ЖТФ. 2001.Т.27. вып. 5. С.77−81.
  102. .Н., Фбдулин Х. А., Горелкинский Ю. В. Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии.//УФН 2000. Т. 170. С.143−155.
  103. C.B., Светухин В. В., Приходько О. В. Моделирование неоднородной по объему преципитации в кремнии. // ФТП 1999. Т.ЗЗ. 1234−1242.
  104. Т.А., Байшелашвили З. В. Энергия миграции вакансий в кристаллах кремния р-типа.
  105. В.И. Физика полупроводниковых приборов. Издательство томского университета. 1989. 341 с.
  106. C.B., Грушко Н.С. ЖЭТФ
  107. В.Б., Лебедев A.A., Мамадалимов А. Т. и др. Исследование параметров уровней железа в n-Si емкостными методами. // ФТП. 1980. Т. 14. № 10. С.2050
  108. Shocley W., Read W.T., Statistics of the recombination of holes and electrons.// Phys. Rev. 1952. Vol.87. P.835−842.
  109. B.B., Калинин Б. Н., Царенков Б. В. Неклассический термоинжекционный ток в GaP р-п структурах. // ФТП. 1983. Т.17. С.599−606.
  110. В.В., Стусь Н. М., Смирнова H.H., Филаретова Г. М., Федоров JIM., Сидоров В. Г. Неклассический термоинжекционный ток в InAsSbP/InAs р-п структурах. // ФТП. 1986. Т.20. С.762−765.
  111. В.В., Петрович.ИЛ., Царенков Б. В. Ток, обусловленный рекомбинацией через пятизарядный центр в слое объемного заряда (GaAl) As p-n структур.//ФТП. 1981. Т.15. С.2152−2158.
  112. В.В., Киселев К. В., Петрович И. Л., Царенков. Б.В., Ток, обусловленный рекомбинацией через многоуровневый (многозарядный) центр в слое объемного заряда р-п структуры.// ФТП. 1984. Т.18. С.1852−1857.
  113. В.В., Киселев К. В., Петрович И. Л., Царенков Б. В. Скорость рекомбинации через многоуровневый (многозарядный) центр.// ФТП. 1984. Т.18. С.902−912.
  114. Baranskii P.I., Babich V.M., Baran N.P. et all. The effect of Heat Treatment on Compensated Cz-Silicon.//Phys. stat. sol.(a) 1984.V.82.N3. P.533−536.
  115. И. В. Сережкин Ю.Н. Лавинный пробой р-п-переходов в полупроводниках. Л: Наука. 1980. 230 с.
  116. A.C., Шлыгин П. Н. Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя с глубокими центрами. // ФТП. 1989. Т.23. С. 1164−1172.
  117. В.И. Физика полупроводниковых приборов. Томск: издательство Томского университета. 1989.334 с.
  118. Е.В., Валле В. М., Воронков В. Б. Влияние глубоких уровней на пробивное напряжение диодов. ФТП. 1986. Т.20. С. 1870 1876.
  119. .В., Козлов В. А., Лебедев A.A. Влияние примеси никеля на на пробивное напряжение высоковольтных диодов. Препринт ФТИ им. Иоффе. № 1235. 1988 г.
  120. В.И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников. М: Металлургия. 1984.430 с.
  121. Я.И. Предпробойные явления в изоляторах и электронных полупроводниках.// ЖТФ. 1938. Т.91. С 23−19−2331.
  122. С.Ф. О термополевой ионизации глубоких центров в слое объемного заряда в полупроводниках.// ФТТ.1972. Т. 14.171−174.
  123. С.Ф. Об эффекте Френкеля при термополевой ионизации глубоких центров в слое объемного заряда в полупроводниках. ФТТ. 1974. Т.16. С.804−806.
  124. C.B. Грушко Н. С., Гуткин A.A. Полевые зависимости термической ионизации глубоких центров в слое объемного заряда барьеров Au-n-InP. // ФТП. 1975. Т.9. С.287−291.
  125. C.B., Грушко Н. С., Жуков A.B. Использование форм-функции оптического элекронно-колебательного перехода для вычисления полевой зависимости скорости безызлучательного перехода. Оптика и спектроскопия, 2000, т.88, в. З, с.415−418.
  126. C.B., Грушко Н. С., Жуков A.B. Полевая зависимость скорости термической эмиссии дырок с комплекса VGaSAS в арсениде галлия.// ФТП, 2000, т.34, в.1, с.41−45.
  127. Ewells С.Р. Density functional modelling of point defect in semiconductors. 2000. bookbook.filesthesis.htm.
  128. Craven R. Internal gettering in Czohralski silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. -1985. V.36. — P.159−171.
  129. В.И., Гулидов Д. Н., Миляев В. А., Никитин В. А. О возможности оценки качества внутреннего геттера неразрущающими бесконтактными методами // Микроэлектроника. 1988. — Т. 17. — Вып.1. — С. 19−23.
  130. Borghesi A., Pivac В., Sassella A., Stella A. Oxygen precipitation in silicon // J. Appl. Phys. 1995. — V.77. — No.9. — P.4169−4244.
  131. Е.Д., Соколов В. И., Шапиро И. Ю. Влияние дефектной структуры кремниевых пластин на формирование внутреннего геттера и параметры границы раздела Si-Si02 // Микроэлектроника. -1991. Т.20. — Вып.4. — С.392−396.
  132. Vanhellemont J., Claeys С.A. Theoretical Study of the Critical Radius of Precipitates and its Application to Silicon Oxide in Silicon // J. Appl. Phys. 1987. — V.62. — No.9. -P.3960−3967.
  133. Главный конструктор по микросистемам, к.т.н.1. Галушков А.И.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!