Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Рентгенотопографический анализ дефектов структуры монокристаллического карбида кремния

Диссертация: Рентгенотопографический анализ дефектов структуры монокристаллического карбида кремния
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Наиболее перспективными для исследования дефектов структуры карбида кремния являются прямые неразрушающие методы, к которым можно отнести рентгеновские и поляризационно-оптический. Наибольшей чувствительностью к различного рода дефектам в кристалле обладает рентгенотопографический метод, основанный на эффекте аномального прохождения рентгеновских лучей (эффект Бормана). Этот метод, кратко… Читать ещё >

Рентгенотопографический анализ дефектов структуры монокристаллического карбида кремния (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. Современное состояние исследований дефектов кристаллической решетки карбида кремния (обзор литературы)
    • 1. 1. Карбид кремния: основные параметры и характеристики, методы выращивания, области применения
    • 1. 2. Прямые разрушающие методы исследования дефектов структуры монокристаллических полупроводников
    • 1. 3. Рентгенотопографические методы исследования дефектов структуры монокристаллических полупроводников
    • 1. 4. Применение рентгеновских методов для определения политипного состава карбида кремния
    • 1. 5. Исследование дислокаций в кристаллах поляризаци-онно-оптическим методом (метод фотоупругости)
    • 1. 6. Дефекты структуры монокристаллического карбида кремния
    • 1. 7. Выводы и постановка задач диссертационного исследования
  • ГЛАВА. Н. Усовершенствование аппаратуры и рентгеновских методик исследования монокристаллического карбида кремния
    • 2. 1. Аппаратура для рентгенотопографических исследований карбида кремния
    • 2. 2. Определение политипной принадлежности кристаллов карбида кремния
    • 2. 3. Выводы
  • ГЛАВА III. Моделирование бормановского контраста интенсивности от дефектов структуры монокристаллического карбида кремния
    • 3. 1. Метод расчета бормановского контраста интенсивности от дефектов с медленно изменяющимися полями деформаций
    • 3. 2. Расчет бормановского контраста интенсивности от винтовых дислокаций
    • 3. 3. Расчет бормановского контраста интенсивности от краевых дислокаций
    • 3. 4. Расчет бормановского контраста интенсивности от квазиточечных дефектов
    • 3. 5. Выводы
  • ГЛАВА IV. Исследование дефектов структуры монокристаллов и эпитаксиальных слоев карбида кремния
    • 4. 1. Дислокационная структура монокристаллического карбида кремния, выращенного по методу Лели
    • 4. 2. Дефекты структуры монокристаллического карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ
    • 4. 3. Исследование дефектов структуры эпитаксиальных слоев карбида кремния
    • 4. 4. Применение метода фотоупругости для исследования дислокационной структуры карбида кремния
    • 4. 5. Исследование квазиточечных дефектов в монокристаллах карбида кремния
    • 4. 6. Выводы

Высокий уровень, достигнутый современной микроэлектроникой, связан не только с внедрением в производство полупроводниковых приборов и интегральных схем (ПП и ИС) планарной технологии, но и с применением новых полупроводниковых материалов. Одним из перспективных среди алмазоподобных полупроводников является карбид кремния (БЮ). Ряд его уникальных физических свойств — высокие радиационная, механическая и химическая стойкость, теплопроводность, верхний предел рабочих температур приборов на его основе — обусловливает значительный интерес к этому полупроводнику.

Широкое практическое использование карбида кремния в технологии ПП и ИС сдерживается технологическими трудностями получения материала с заданными свойствами и параметрами, а также недостаточной изученностью влияния структурных дефектов на параметры и характеристики приборов. Поэтому исследования структурного совершенства монокристаллов карбида кремния представляют не только научный, но и практический интерес.

Наиболее перспективными для исследования дефектов структуры карбида кремния являются прямые неразрушающие методы, к которым можно отнести рентгеновские и поляризационно-оптический. Наибольшей чувствительностью к различного рода дефектам в кристалле обладает рентгенотопографический метод, основанный на эффекте аномального прохождения рентгеновских лучей (эффект Бормана). Этот метод, кратко называемый методом АПРЛ, получил дальнейшее развитие в работах Л. Н. Данильчука, в которых были выявлены общие закономерности формирования бормановского контраста от дефектов с медленно изменяющимися полями деформаций и предложен ряд новых качественных и количественных методик обнаружения и изучения дефектов. До настоящего времени полная теория рентгенодифракционно-го контраста еще не создана, поэтому результаты, полученные методом АПРЛ, необходимо контролировать и другими независимыми методами. В качестве такого независимого экспрессного и неразрушающего метода может выступать метод поляризационно-оптического анализа (метод фотоупругости).

Для оптических и рентгенотопографических исследований требуется высокое качество поверхности образцов карбида кремния. Высокая твердость этого материала предъявляет жесткие требования к режимам механической обработки (резка, шлифовка, полировка).

Цель работы. Целью данной диссертационной работы является анализ дефектов структуры монокристаллического карбида кремния, полученного различными методами, и его эпитаксиальных слоев различными рентгенотопографическими методами, включая и метод АПРЛ, сопоставление экспериментальных топограмм с теоретически рассчитанными и дальнейшее развитие теории бормановского контраста.

Методы исследования. Основными методами исследования дефектов структуры карбида кремния былирентгенотопографический метод на основе эффекта АПРЛ, метод Ланга, двухкристальная рентгено-топография в геометрии Брэгга, дифрактометрия, поляризационно-оптический анализ (метод фотоупругости), оптическая микроскопия, селективное травление, моделирование на ЭВМ контраста интенсивности от дефектов структуры.

Научная новизна. Диссертационная работа характеризуется следующей научной новизной.

1. Впервые обнаружен и исследован (теоретически и экспериментально) бормановский контраст от винтовых дислокаций в карбиде кремния при распространении волнового рентгеновского поля вдоль осей дислокаций.

2. Теоретически и экспериментально исследован бормановский контраст от краевых дислокаций в карбиде кремния при распространении волнового рентгеновского поля вдоль их осей.

3. Впервые обнаружен, изучен и систематизирован бормановский контраст интенсивности от когерентных включений в кристаллах карбида кремния. На основании теоретического исследования контраста предложен и реализован метод идентификации типов включений.

4. Впервые для дислокаций с осями [0001] в карбиде кремния проведено сопоставление дифракционных изображений, полученных различными рентгенотопографическими методами: методом на основе эффекта АПРЛ, методом Ланга, методом двухкристальной топографии в геометрии Брэгга.

5. Впервые методом поляризационно-оптического анализа обнаружены и исследованы индивидуальные дислокации в карбиде кремния, имеющие различные углы наклона к поверхности (0001) пластин.

Практическая значимость. Результаты проведенных теоретических и экспериментальных исследований структурных дефектов монокристаллов и эпитаксиальных слоев карбида кремния представляют практический интерес для технологов полупроводникового производства и используются в Центре физических исследований Новгородского государственного университета им. Ярослава Мудрого при изучении других полупроводниковых материалов и чтении спецкурсов для студентов физических и инженерных специальностей. Спроектирована и изготовлена сканирующая рентгенотопографическая камера для кососим-метричных, несимметричных и симметричных съемок, позволяющая существенно увеличить информативность метода АПРЛ. Составлены атласы расчетных и экспериментальных рентгенотопографических изображений дефектов при различных условиях дифракции. Разработана программа для IBM PC, позволяющая проводить расчет и построение розеток эффективной деформации и контраста вокруг дефектов. Модернизировано оборудование и оптимизирован режим резки монокристаллов карбида кремния, разработана компьютерная программа статистической обработки результатов измерений толщины пластин.

Научные положения, выносимые на защиту.

Сопоставление теоретических и экспериментально полученных методом АПРЛ розеток интенсивности от дефектов структуры карбида кремния, сравнение с данными метода поляризационно-оптического анализа позволяют сформулировать следующие научные положения, выносимые на защиту.

1. Вследствие эффекта поверхностной релаксации напряжений и появления дополнительных компонент смещения атомов на поверхности выхода рентгеновских лучей из кристалла, винтовая дислокация в бН-ЭЮ при распространении волнового рентгеновского поля внутри кристалла вдоль ее оси формирует на рентгенотопограмме, полученной методом АПРЛ, двухлепестковую розетку черно-белого контраста, плоскость антисимметрии которой перпендикулярна отражающим плоскостям.

2. Бормановский контраст от краевой дислокации с вектором Бюр-герса Ъ, ориентированным вдоль направления <Т010>, и плоскостью скольжения {1210} при распространении в кристалле бН-ЭЮ волнового лт Члг рентгеновского поля вдоль ее оси и углах меаду я и Ъ или —^ о о представляет несимметричную четырехлепестковую розетку интенсивности, линия нулевого контраста которой соответствует плоскости скольжения дислокации.

3. В случае §—Ь= 2 краевая дислокация с вектором Бюргерса Ъ=—< 1120> и плоскостью скольжения {1Т00} формирует на рентгенотопограмме шестилепестковую розетку черно-белого контраста, плоскость антисимметрии которой совпадает с плоскостью скольжения дислокации. Розетка формируется как собственным полем дислокации (полем в объеме кристалла), так и релаксационным полем на выходной поверхности кристалла. Теоретическое моделирование контраста от подобной дислокации дает восьмилепестковую розетку.

4. Когерентные включения второй фазы в монокристаллах карбида кремния формируют на топограммах, полученных методом АПРЛ, розетки интенсивности, форма и контраст которых зависят от типа включения («вакансии» или «внедрения»), типа рефлекса и расстояния от дефекта до выходной для рентгеновских лучей поверхности кристалла.

5. Методом фотоупругости в бН-вЮ идентифицируются дислокации, имеющие углы наклона к поверхности (0001) пластин от 40° до 90°.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на следующих конференциях и симпозиумах:

1. Международном научном семинаре «Полупроводниковый карбид кремния и приборы на его основе», г. Новгород, 1995 г.

2. Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов РСНЭ'97, МоскваДубна, 1997 г.

3. I Международном семинаре «Актуальные проблемы прочности» имени В. А. Лихачева и ХХХИ! семинаре «Актуальные проблемы прочности», г. Новгород, 1997 г.

4. Международном научном семинаре «Карбид кремния и родственные материалы», г. Новгород, 1997 г.

5. XXXVI Международной научной студенческой конференции, г. Новосибирск, 1998 г.

6. XXXVII Международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс», г. Новосибирск, 1999 г.

7. Национальной конференции по применению рентгеновского, син-хротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов РСНЗ-99, г. Москва, 1999 г.

8. Научно-практических конференциях профессорско-преподавательского состава Новгородского государственного университета им. Ярослава Мудрого, 1995;1999 гг.

Публикации. По теме диссертации опубликовано и подготовлено к печати 16 работ. Перечень публикаций дан в заключении.

Структура иобъем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы, содержащего 208 наименований, и двух приложений. Объем диссертации 263 страницы, включая 79 рисунков и 3 таблицы.

Основные результаты диссертацонного исследования опубликованы в следующих работах.

1. Окунев А. О., Дружинин И. В., Буйлов А. Н. Определение политип-ного состава монокристаллического вЮ с помощью рентгеновского дифрактометра. — В кн.: Полупроводниковый карбид кремния и приборы на его основе. Тезисы докладов Международного семинара. — Новгород, 1995. — С. 14−15.

2. Данильчук Л. Н., Окунев А. О., Удальцов В. Е., Потапов Е. Н., Ткаль В. А. Рентгенотопографический анализ дефектов структуры монокристаллического карбида кремния. — В кн.: Национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов РСНЭ'97. Тезисы докладов. -Москва — Дубна, 1997. — С. 374.

3. Окунев А. О., Анисимов В. Г., Буйлов АН., Данильчук Л. Н. Рент-генотопографические исследования дефектов структуры монокристаллического карбида кремния. — В кн.: Карбид кремния и родственные материалы. Тезисы докладов международного семинара. — Новгород, 1997.-С. 11−12.

4. Данильчук Л. Н., Кузнецов Г. Ф., Окунев А. О. Рентгенотопографи-ческая идентификация действующих систем скольжения в кристаллах с гексагональной кристаллической решеткой. — В сб.: Научные труды I Международного семинара «Актуальные проблемы прочности» имени В. А. Лихачева и XXXIII семинара «Актуальные проблемы прочности». 15−18 октября 1997 г.-Новгород, 1997. 1.2, Ч. 2. — С. 241−245.

5. Анисимов В. Г., Данильчук Л. Н., Кузнецов Г. Ф., Окунев АО., Ткаль Н. В. Определение размеров кристаллитов в поликристаллических материалах прямыми рентгеновскими методами. — В сб.: Научные труды I Международного семинара «Актуальные проблемы прочности» имени В, А Лихачева и XXXIII семинара «Актуальные проблемы прочности». 1518 октября 1997 г. — Новгород, 1997. 1.2, 4.1. — С. 186−189.

6. Данильчук Л. Н., Окунев АО., Удальцов В. Е., Потапов E.H., Ткаль ВА Рентгенотопографический анализ дефектов структуры монокристаллического карбида кремния. — В сб.: Национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов. Дубна, 25−29 мая 1997 г. Сборник докладов. — Дубна, 1997. Т. 3. — С. 177−188.

7. Данильчук Л. Н., Окунев АО. Исследования дефектов структуры монокристаллического карбида кремния прямыми физическими методами II Вестник Новгородского государственного университета. Серия «Естественные и технические науки». -1998. № 10. — С. 13−18.

8. Окунев АО., Буйлов А. Н., Анисимов В. Г. Рентгенотопографиче-ские исследования дислокаций с осью [0001] в монокристаллах 6H-SiC. -В кн.: XXXVI Международная научная студенческая конференция. — Новосибирск, 1998.

9. Буйлов А. Н., Окунев АО., Анисимов В. Г. Рентгенотопографиче-ское исследование малодислокационного полуизолирующего арсенида галлия. — В кн.: XXXVI Международная научная студенческая конференция. — Новосибирск, 1998.

10. Анисимов В. Г., Окунев А. О., Буйлов АН. Рентгенотопографиче-ские и рентгенодифракгометрические исследования поликристаллических слоев алмаза. — В кн.: XXXVI Международная научная студенческая конференция. — Новосибирск, 1998.

11. Окунев А. О., Буйлов А. Н., Анисимов В. Г. Бормановский контраст интенсивности от включений второй фазы в монокристаллах 6H-SIC. — В кн.: XXXVII Международная научная студенческая конференция «Студент и научно-технический прогресс». — Новосибирск, 1999.

12. Анисимов В. Г., Буйлов А. Н., Окунев А. О. Изучение дефектов упаковки в монокристаллах кремния методом рентгеновской топографии. — В кн.: XXXVII Международная научная студенческая конференция «Студент и научно-технический прогресс». — Новосибирск, 1999.

13. Буйлов А. Н., Анисимов В. Г., Окунев А. О. Рентгенотопографиче-ский контраст интенсивности структурных дефектов в арсениде галлия. -В кн.: XXXVII Международная научная студенческая конференция «Студент и научно-технический прогресс». — Новосибирск, 1999.

14. Данильчук Л. Н., Окунев А. О. Бормановский контраст изображения дефектов кристаллической решетки 6H-SIC. — В кн.: Национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов РСНЭ-99. Тезисы докладов. — Москва, 1999.

15. Анисимов В. Г., Буйлов А. Н., Окунев А. О., Ткаль В. А. Подготовка монокристаллического карбида кремния для рентгенотопографических исследований. (в печати).

16. Окунев А, О. Рентгенотопографические исследования квазиточечных дефектов в монокристаллах карбида кремния // Вестник Новгородского государственного университета. (в печати).

Автор выражает благодарность научному руководителю профессору Л. Н. Данильчуку, сотрудникам Центра физических исследований Нов. ГУ за поддержку и помощь в проведении исследований.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Применение рентгенотопографического метода, основанного на эффекте АПРЛ для исследования монокристаллов карбида кремния позволило обнаружить ряд закономерностей образования контраста интенсивности в районе отдельных нарушений периодичности решетки, в частности, вокруг индивидуальных дислокаций и когерентных квазиточечных дефектов. Кроме того, показаны большие возможности метода поляризационно-оптического анализа для исследования индивидуальных дислокаций в карбиде кремния. В ходе выполнения диссертационной работы автором были получены следующие основные результаты и выводы.

1. Разработана конструкция сканирующей рентгенотопографи-ческой камеры, позволяющей осуществлять кососимметричные, несимметричные и симметричные съемки, изготовлен ее экспериментальный образец.

2. Теоретически доказано, что бормановский контраст от винтовой дислокации в карбиде кремния при распространении энергии волнового рентгеновского поля вдоль ее оси обусловлен эффектом поверхностной релаксации и появлением дополнительных компонент смещения на поверхности выхода рентгеновских лучей из кристалла.

3. Теоретически показано, что розетка интенсивности от винтовой дислокации в карбиде кремния состоит из двух круглых лепестков с противоположным контрастом, разделенных линией нулевого контраста, параллельной вектору дифракции §. Расположение лепестков определяется знаком дислокации (правовинтовая или левовинтовая) и типом рефлекса (отраженный или прошедший по Борману). Размер розетки определяется модулем вектора Бюргерса дислокации Ъ, длиной зкс-тинкции, А и модулем вектора дифракции §.

4. Теоретически обосновано правило, по которому определяется знак винтовой дислокации в карбиде кремния: на топограмме в отраженном по Борману рефлексе правовинтовая дислокация создает слева, если смотреть вдоль вектора лепесток с положительным черным) контрастом.

5. Теоретически показано, что рентгенотопографический контраст, обусловленный основным полем краевой дислокации в случае, когда вектор дифракции § не лежит в плоскости скольжения, многообразен представляет собой четырехили шестилепестковую розетку) и определяется углом между вектором Бюргерса дислокации Ъ и вектором дифракции Рассчитаны теоретические розетки интенсивности, обусловленные основным полем деформаций вокруг краевых дислокаций при различном взаимном положении векторов Ъ и %.

6. Теоретически показано, что краевая дислокация в карбиде кремния при коллинеарности векторов Ъ и § формирует в общем случае восьмилепестковую розетку интенсивности, линия нулевого контраста которой совпадает с плоскостью скольжения дислокации. Четыре ближних к ядру дислокации лепестка сформированы основным полем деформаций вокруг дислокации, при этом темные лепестки соответствуют зоне сжатия вблизи экстраплоскости. Четыре дальних лепестка обусловлены релаксационным полем деформаций. Контраст от краевой дислокации зависит от ее знака и не зависит от типа рефлекса. Переход отражения ЬШ к отражению ЬкЛ не влияет на контраст розеток. Диаметр розетки определяется величинами Пуассона V. А и коэффициентом.

7. Для кристаллов карбида кремния теоретически изучен и систематизирован бормановский контраст интенсивности от когерентных включений типа «внедрений» и типа «вакансий», зависящий от типа включения, типа рефлекса и расстояния от дефекта до выходной для рентгеновских лучей поверхности кристалла. Рассчитаны теоретические розетки интенсивности от когерентных включений в карбиде кремния.

8. Методами рентгеновской топографии и поляризационно-оптического анализа исследованы дефекты структуры карбида кремния политипа 6Н. Показано, что дислокационная структура бН-ЭЮ, выращенного методом Лели, в значительной мере подобна дислокационной структуре вюрцита.

9. В исследованных монокристаллах карбида кремния, полученных по методу Лели, выявлены два типа дислокационной структуры — плоские дислокационные скопления, лежащие в базисной плоскости (0001), и прямолинейные дислокации, перпендикулярные и наклонные к этой плоскости. При этом для каждого образца был характерен только один из упомянутых типов дислокационной структуры.

10. Экспериментально установлено, что методом АПРЛ в кристаллах карбида кремния выявляются правои левовинтовые дислокации, при этом винтовая дислокация при распространении волнового рентгеновского поля внутри кристалла вдоль ее оси формирует на топограмме двухлепестковую розетку черно-белого контраста, плоскость антисимметрии которой перпендикулярна отражающим плоскостям. Сопоставление экспериментальных изображений винтовых дислокаций с расчетными показало их хорошее соответствие.

11. Экспериментально установлено, что при распространении волнового рентгеновского поля вдоль оси дислокации и углах между векторами | и Ь, равными ~ или —краевая дислокация с вектором Бюр

6 6 герса, ориентированным вдоль направления < 1010 > и плоскостью скольжения {1210} формирует несимметричную четырехлепестковую розетку интенсивности, линия нулевого контраста которой соответствует плоскости скольжения дислокации.

12. Экспериментально установлено, что в случае §—Ь= 2 краевая дислокация с вектором Бюргерса ?=—<1120 > и плоскостью скольже3 ния {1100} формирует шестилепестковую розетку черно-белого контраста, плоскость антисимметрии которой совпадает с плоскостью скольжения дислокации. Сопоставление экспериментальных изображений краевых дислокаций с расчетными показало их хорошее соответствие.

13. Экспериментально установлено, что в случае % Ъ = 1 краевая дислокация с вектором Бюргерса Ъ =—< 1120> и плоскостью скольже3 ния {1100} формирует крестообразную розетку интенсивности, узкие лепестки положительного контраста которой вытянуты вдоль вектора § и перпендикулярно ему.

14. Экспериментально показано, что методом фотоупругости можно идентифицировать в карбиде кремния дислокации, имеющие углы наклона к поверхности (0001) пластин от 40° до 90°.

15. Экспериментально обнаружен и исследован бормановский контраст от микродефектов в карбиде кремния политипа 6Н, выращенного методом Лели. Обнаружены ростовые А±, А~- В+~, В~~- микродефекты и идентифицирована их природа. Сопоставление расчетных изображений дефектов с экспериментально наблюдаемыми на топо-граммах показало их хорошее соответствие.

16. В гомоэпитаксиальных слоях 6Н-ЗЮ выявлены дислокации, обусловленные механическими дефектами подложки (царапинами) и крупными включениями второй фазы, расположенными вблизи ее поверхности.

17. Проведен детальный анализ рентгенотопограмм, полученных методами Ланга, АПРЛ и двухкристальной топографией в геометрии Брэгга, выявивший большую информативность метода АПРЛ.

18. Определены оптимальные режимы резки монокристаллов карбида кремния и подготовки образцов для рентгенотопографических исследований.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ю.М., Цветков В. Ф. Полупроводниковые соединения А^В^. В кн.: Справочник по электротехническим материалам / Под ред. Корицко-го Ю.В., Пасынкова В. В., Тареева Б. М. — Л.: Знергоатомиздат, 1988. — С. 446−472.
  2. Pandey D., Krishna P. Poiytypism in close-packed structures // Current topics in materials science. Amsterdam: North-Holland. — 1982. — V. 9. — P. 417−491.
  3. A.A., Пецольдт И., Таиров Ю. М. Экспериментальное наблюдение неравновесных фазовых переходов в SiC под влиянием термомеханического воздействия // Физика твердого тела. 1987. — Т. 29, вып. 2. — С. 575−577.
  4. А.А., Сохор М. И., Фельдгун Л. И. Модификационные превращения карбида кремния под действием высокого давления. В кн.: Высокотемпературные карбиды. — Киев.: Наукова думка, 1975. — С. 32−34.
  5. В.Ф., Олейник Г. С., Пилянкевич А. Н. Механизмы структурных перестроек в гексагональном карбиде кремния при высоких давлениях и температурах // Укр. физ. ж. 1988. — Т. 33, № 5. — С. 791−794.
  6. Н.Д., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф., Чернов М. А. Закономерности изменения некоторых свойств естественных сверхструктур на основе карбида кремния // ДАН СССР. 1982. — Т. 262, № 6. — С. 1380−1383.
  7. Р., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф., Чернов М. А. О взаимосвязи параметров решетки политипов SiC со степенью гексагональности // Кристаллография. 1982. — Т. 27, вып. 3. — С. 613−614.
  8. Phillips J.С. Bonds and bands in semiconductors. N.Y.-London: Academia Press, 1973. -288 p.
  9. Карбид кремния. / Под ред. Г. Хениша, Р. Роя. М.: Мир, 1972. 388 с.
  10. М.П. Кристаллография. М.: Высшая школа, 1984. -376 с.
  11. С.Н., Корсакова М. Д., Палагута З. И., Плетюшкин АА Травление кристаллов карбида кремния кубической модификации. В кн.: Карбид кремния (строение, свойства и области применения). — Киев: Науко-ва думка, 1966. — С. 247−264.
  12. GaborT., Stickler R. Chemical etching studies and transmission electron microscopy of silicon carbide // Natyre. 1963. — V. 199, № 4898. — P. 10 541 056.
  13. Faust J.W. The etching of silicon carbide. In: The silicon carbide — a high temperature semiconductor / J.R. O’Connor, J. Smiltens (editors). — N.Y.: Per-gamon Press, 1960. — P. 403−419.
  14. В.Дж. Травление карбида кремния. В кн.: Карбид кремния. — М.: Мир, 1972. — С. 279−289.
  15. Э. Карбид кремния как материал для изоляции продуктов деления ядерного горючего. В кн.: Карбид кремния / Под ред. Хениша Г. и Роя Р. — М.: Мир, 1972. — С. 320−327.
  16. Lely J A Darstellung von Einkristallen von Siliziumkarbid und Beherrschung von Art und Mende der eingebauten Verunshceiniquen // Ber. Deut Ceram. Ges. 1955. — Bd. 32. — S. 229.
  17. Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F. Investigation of growth processes of ingots of silicon carbide single crystals // J. Cryst Growth. 1978. — V. 43, № 2. — P. 209−212.
  18. Ю.М., Цветков В. Ф. Основные принципы выращивания крупных монокристаллов различных политипов карбида кремния // 6-ая Международная конф. по росту кристаллов: Расшир. тез. докл. М.: Наука, 1980.-С. 171−173.
  19. Голайтли ДжП., Боден Л.Дж. Некоторые аспекты разупорядочения в карбиде кремния. В кн.: Карбид кремния / Под ред. Г. Хениша, Р. Роя -М.: Мир, 1972. — С. 328−338.
  20. П.А., Челноков В. Е. Полупроводниковый карбид кремния -технология и приборы (обзор).
  21. Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F. investigation of kinetic and thermal conditions of silicon carbide epitaxial layer growth from the vapour phase // J. Cryst. Growth. 1979. -V. 46, № 3. — P. 403−409.
  22. Ф., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф. // Изв. АН СССР. Сер. неорганические материалы. -1983. — Т. 19. — С. 67.
  23. В.И., Таиров Ю. М., Траваджян М. Г., Цветков В. Ф. Исследование процесса выращивания монокристаллических слитков 6H-SiC из газовой фазы // Изв. АН СССР. Сер. неорганические материалы. — 1978. -Т. 14, № 6.-С. 1062−1066.
  24. Tsvetkov V.F., Glass R.C., Henshall D., Asbury DA and Carter C.H., SiC seeded boule growth. In: International Conference on Silicon Carbide, Ill-nitrides and Related Materials 1997. August 31 — September 5, 1997. -Sweden. — P. 5−6.
  25. Vodakov YuAT Mokhov E.N., Ramm M.G., Roenkov A.D. Epitaxial growth of silicon carbide iayers by sublimation «sandwich method"(l). Growth kinetics in vacuum // Kristal und Technik. 1979. — V. 14, № 6. — P. 729−740.
  26. B.A., Иванов ПА, Коркин И.В., Морозенко Я. В., Попов И. В., Сидорова ТА, Стрельчук A.M., Челноков В. Е. Карбидкремниевые р-n структуры, полученные жидкостной эпитаксией // Письма в Журнал технической физики. -1985. Т. 11, вып. 4. — С. 238−241.
  27. В.Ф., Дмитриев В. А., Емельянова И. В., Иванова Н. Г., Попов И. В., Чернов MA, Циунелис В.Г. //Журнал технической физики. 1986. vr1. Т. 56.-С. 214.
  28. H.S., Glass J.T., Davis R.F. //J. of Appl. Phys. 1988. — V. 64. — P. 2672.
  29. Powell J .A., Larkin D.J., Matus L.G., Choyke W.J., Bradshaw J.L., Henderson LM Yoganathan M., Yang J., Pirouz P. //Appl. Phys. Lett. 1990. -V. 56.-P. 1353 and 1442.
  30. И.В., Сыркин А. Л., Челноков В. Е. Реактивное ионно-плаз-менное травление карбида кремния // Письма в Журнал технической физики. 1986. — Т. 12, вып. 4. — С. 240−243.
  31. J.W., Davis R.F., Wallett Т.М., Bhasin K.B. // J. of Vac. Sci. Techn.-1986.-A4.-P. 590.
  32. Sizov V.E., Vassilevski K.V. Dry etching of silicon carbide with fluorine -containing gas mixtures. В кн.: Полупроводниковый карбид кремния и приборы на его основе: Тез. докл. Международного семинара. — Новгород, 1995. — С. 43−44.
  33. А.Е., Челноков В. Е. Широкозонные полупроводники перспективные материалы длы силовой полупроводниковой электроники. -В кн.: Проблемы физики и технологиии широкозонных полупроводников. — Ленинград, 1979. — С. 197−225.
  34. Полупроводниковый карбид кремния и приборы на его основе. Тезисы докладов международного семинара. Новгород, 1995. — 82 с.
  35. Abstracts ECSCRM'98 2nd Europeri Conference on Silicon Carbide and Related Materials. September 2−4, 1998. Montpellier France, 1998.
  36. А. Рост кристаллов и дислокаций. М.: Иностр. литер., 1958. -216 с.
  37. К. Травление кристаллов: теория, эксперимент, применение. М.: Мир, 1990. — 492 с.
  38. Mitchell J.W. Dislocations in crystals of silver halides. In: Dislocations and mechanical properties of crystals. — New York: Wiley, 1957. — P. 69.
  39. Young Jr.F.W., Gwathmey A.T. Development of facets, spirals and etch pits on copper crystals by heating to high temperatures in high vacua 11 J. Appl. Phys. -1960. -V. 31, № 2. P. 225−230.
  40. Booyens H., Basson J.H. The application of elastobirefringence to the study of strain fields and dislocations in ill-V compounds //J. of Appl. Phys. -1980. -V. 51, № 8. P. 4368−4374.
  41. Прямые методы исследования дефектов в кристаллах./ Под ред. А. М. Елистратова. М.: Мир, 1965. -351 с.
  42. П., Николсон Р., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир, 1968. — 574 с.
  43. М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. — 256 с.
  44. Ван Бюрен. Дефекты в кристаллах. М.: Иностр. литер., 1962. -584 с.
  45. Несовершенства в кристаллах полупроводников. Сб. статей / Под ред. Петрова ДА — М.: Металлургия. -1964. — 302 с.
  46. С. Методы прямого наблюдения дислокаций. М.: Мир, 1968.-440 с.
  47. Травление полупроводников. / Под ред. B.C. Хангуловой М.: Мир, 1965.-382 с.
  48. В.Т., Дубровина АН. Методы исследования структуры полупроводников и металлов. М.: Металлургия, 1978. — 272 с.
  49. Л.С. Дислокационная структура полупроводников и методы ее исследования. В кн.: Дислокации и физические свойства полупроводников / Под ред. А. Р. Регеля. — Л.: Наука, 1967. — С. 5−29.
  50. Lang A.R. The projection topograph: a new method in X-ray diffraction microradiography//Acta Cryst -1959. V. 12, № 3. — P. 249−250.
  51. Lang A.R. Studies of individual dislocations in crystals by X-ray diffraction microradiography// J. Appl. Physic. 1959. -V. 30- № 11. — P. 1748−1755.
  52. Authier A. Etude de la distribution des deformations observables sur les topographies par rayous X de cristaux presque parfaits // J. Phys. 1966. — V. 27, № 1−2.-P. 57−60.
  53. Bonse U. X-ray picture of the field of lattice distortions around single dislocations. In: Direct observation of imperfections in crystals. New York -London, 1962. — P. 431−460.
  54. A.M., Шульпина И. Л., Ефимов O.H. Отчет института полупроводников АН СССР под регистрационным номером 27 703 Гос. комитета по делам изобретений и открытий с приоритетом от 24.11.1962 г.
  55. В.Ф. Выявление недекорированных дислокаций в монокристаллах кремния рентгенодифракционным методом. В кн.: Напряжения и дислокации в полупроводниках / - М.: 1962. — С. 61−67.
  56. В.Ф. Камера для рентгенографирования дислокаций в объеме больших кристаллов // Кристаллография. 1963. — Т. 8, № 2. — С. 255−258.
  57. Shulpina J.L., Argunova T.S. Detection of dislocations in strongly absorbing crystals by projection x-ray topography in back reflection // J. Phys. D. -1995. V. 28, № 4A. — P. 47 — 49.
  58. А.Р. Рентгеновская топография методы и интерпретация. — В кн.: Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении / Под ред. Амелинкса С., Геверса, Ван Панде Дж. — М.: 1984. — С. 364−446.
  59. Authier A. Contrast of dislocation images in X-ray transmission topography // Adv. in X-ray Analisis. 1967. — V. 10, № 1. — P. 9−31.
  60. Л.В. О возможностях трансмиссионной рентгеновской топографии при использовании косонесимметричных и кососимметричных съемок//Укр. физ. ж. -1971. -Т. 16, № 1. С. 137−149.
  61. Efimov O.N. Contribution of thermal vibrations to the anomalous transmission of X-rays // Phys. stat. soiidi. 1967. — V. 22, № 2. — P. 297−308.
  62. Borrmann G. Uber Exinktion der Rontgenstrahlen von Quarz // Physik Zeit -1941. Bd. 42, № 9/10. — S. 157−162.
  63. Hirsch P.B. The reflexion and transmission of X-rays in perfect absorbing crystals // Acta Crystallographica. -1952. -V. 5, № 3. P. 176−181.
  64. Laue M. Die Energiesstromung bei Rontgenstrahl Interferenzen im Kristallen // Acta Crystallographica. -1952. — Bd. 5, № 8. — S. 619−625.
  65. Zachariasen W.H. On the anomalous transparency of thick crystals to X-rays // Proc.NAS., USA. 1952. -V. 38, № 4. — P. 378−382.
  66. Laue M. Rontgenstrahlinterferenzen. 3 Aufg. Frankfurt am Mein: Akadem. Verlagsgeselschaft, 1960.
  67. З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. M.: Наука, 1982. -392 с.
  68. В.И., Ревкевич Г. П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. М.: изд. МГУ, 1978. — 277 с.
  69. О.Н. Влияние различного типа нарушений периодичности на аномальное прохождение рентгеновских лучей в монокристаллах германия. Дис. на соискание уч. ст. канд. физ.-мат. наук. — Л., 1964.
  70. Jl.И. Исследование дефектов и их взаимодействия в монокристаллах германия методом аномального прохождения рентгеновских лучей. Дис. на соискание уч. ст. канд. физ.-мат. наук. — Киев, 1966.
  71. Tanner B.K. X-ray diffraction topography. New-York: Pergamon Press, 1976.- 176 p.
  72. А. Контраст изображений в рентгеновской топографии. В кн.: Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении / Под ред. Амелинкса С., Геверса, Ван Панде Дж. — М., 1984. — С. 44670.
  73. Gerold V., Meier F. Der Rontgenographische Nachweis von Versetzungen in Germanium //Zeit Phusik. 1959. — Bd. 155, № 4. — S. 387 394.
  74. Authier A. Observation des dislocations dans le silicium a l’aide des rayons X dans le cas la transmission anomale // J. Phys. Radium. 1960. — V. 21, № 8/9. — P. 655−661.
  75. Borrmann G., Hartwig W., Jrmler H. Schatten von Versetzngslinien im Rontgen-Diagramm // Zeit Naturforsch. 1958. — Bd. 13A, № 5. — S. 423−425.
  76. И.Л. Применение АПРЛ для обнаружения и исследования дефектов в достаточно совершенных кристаллах. В кн.: Рост кристаллов. — М.: Наука, 1965. — Т. 5. — С. 285−299.
  77. Л.И. Исследование дефектов в монокристаллах кремния и германия методами рентгеновской дифракционной топографии. Дис. на соискание уч. степени канд. физ, — мат. наук. — Ленинград, 1968.
  78. Л.Н., Смородина Т. А. Смещение изображения дислокаций при аномальном прохождении рентгеновских лучей. В кн.: Рост кристаллов. — М.: Наука, 1965. — Т. 5. — С. 321 — 326.
  79. Л.Н., Смородина Т. А. Наблюдение полей напряжений вокруг отдельных дислокаций методом АПРЛ // Физика твердого тела. -1965. Т. 7, № 4. — С. 1245−1247.
  80. Л.Н., Никитенко В. И. Прямые наблюдения винтовых дислокаций, перпендикулярных поверхности монокристалла кремния // Физика твердого тела. 1967. — Т. 9, № 7. — С. 2027−2034.
  81. Л.Н. Рентгеновское наблюдение полей деформаций вокруг краевых дислокаций в монокристаллах германия // Физика твердого тела. -1969. Т. 11. — С. 3085−3091.
  82. И.Л., Даценко Л. И. Об изображении линейных дефектов в методе АПРЛ //Укр.Ф.Ж. -1967. Т. 12, № 9. — С. 1474−1482.
  83. Penning P., Polder D. Anomalous transmission of X-rays in elasticaily deformed crystals // Philips Res. Repts. 1961. -V. 16, № 2. — P. 419−440.
  84. Takagi S. Dynamical theory of diffraction applicable to crystals with any kind of small distortion //Acta Cryst -1962. -V. 15, № 10. P. 1311−1312.
  85. Taupin D. Prevision de queloques Images de Dislocations par Transmission des Rayons X (Cas de Laue symetrique) // Acta Cryst. 1967. -V. 23, № 1.- P. 25−35.
  86. В.Л., Чуховский Ф. Н. Проблема изображения в рентгеновской оптике //Укр. физ. ж. 1972. — Т. 107, № 6. — С. 229−265.
  87. Е.А. Теория бормановского дислокационного контраста // Укр. физ. ж 1976. — Т. 21. — С. 709−734.
  88. Э.В., Инденбом В. Л. Рентгеновский дислокационный контраст. В кн.: 4-я Международная школа специалистов по росту кристаллов. Конспект лекций. — Суздаль: АН СССР, 1980. — Ч. 2. — С. 229 249.
  89. Chukhovskii F.N., Stolberg A A. On the dynamical theory of X-ray images of real crystal // Phys. stat. sol. 1970. — V. 41, № 3. — P. 815−825.
  90. Suvorov E.V., Jndenbom V.L., Gorelik O.S., Rusakova J.A., Chamrov V.A., Dislocation contrast in the case of anomalous X-ray transmission // Phys. stat. sol.(a). 1980. -V. 60, № 1. — P. 27−35.
  91. Л.Н.Данильчук. Бормановская рентгеновская топография дефектов в кристаллах с медленно изменяющимися полями деформации Дис. на соискание уч. ст. докт. физ.-мат. наук. — К.: ИМФ АН Украины, 1992. 361 с.
  92. В.Л., Чуховский Р. Н. Геометрическая оптика рентгеновых лучей // Кристаллография. 1971. — Т. 16, № 6. — С. 1101 — 1109.
  93. Р.Н., Штольберг А. А. Динамическое рассение рентгеновских лучей на дислокациях // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1973. — Т. 64, № 3. — С. 1033 — 1041.
  94. Schwuttke G.H. X-ray observations of partial dislocations in epitaxial silicon films//J. Appl. Physic. -1962. -V. 33, № 4. P. 1538−1540.
  95. Patel J.R., Authier A. X-ray topography of defects produced after heat treatment of dislocations free silicon containing oxygen // J. Appl. Physic. -1975.-V. 46, № 1.-P. 118−125.
  96. Authier A., Patel J.R. X-ray topographic determination of the intrinsic or extrinsic nature of stacking fault// Phys. stat. sol.(a). 1975. — V. 27, № 1. -P. 213−222.
  97. Kato N., Usami K., Katagawa T. The X-ray diffraction image a stacking fault // Adv. in X-ray Analisis. 1967. — V. 10, № 1. — P. 46−66.
  98. Authier A. Contrast of the stacking fault on X-ray topographs // Phys. stat sol. 1968. — V. 27, № 1. — P. 77−93.
  99. В.Л., Чуховский Ф. Н. Рентгеновское изображение дефекта упаковки, перпендикулярного поверхности кристалла // Кристаллография. -1974. Т. 19, № 1. — С. 35−41.
  100. В.Л., Слободецкий И. Ш. Рентгеновское изображение дефекта упаковки, перпендикулярного поверхности кристалла // Кристаллография. 1974. — Т. 19, № 1. — С. 42−53.
  101. Indenbom V.L., Slobodetskii I.Sh. image of stacking fault // Phys. stat. sol. (b). 1975. -V. 71, № 2. — P. 751−756.
  102. Э.В., Мухин К. Ю. Секционное изображение дефекта упаковки. В кн.: Материалы IV Совещания по динамическим эффектам рассеяния рентгеновских лучей и электронов. — Ленинград: АН СССР, 1977.- С. 42−45.
  103. Т.А., Данильчук Л. Н. Использование метода АПРЛ для изучения структуры монокристаллического германия при зпитаксиаль-ном наращивании германиевых слоев. В кн.: Ученые записки Петрозаводского университета, 1968. — Т. 16, № 6. — С. 65−73.
  104. А.И., Данильчук Л. Н., Смородина Т. А. Сопоставление метода АПРЛ и химического травления поверхности германия при изучении дефектов упаковки. В кн.: Вопросы радиофизики и спектроскопии. -М.: Сов. радио, 1966. — Вып. 2. — С. 306−310.
  105. А.И., Данильчук Л. Н. Применение методов АПРЛ и химического травления при изучении дефектов упаковки в эпитаксиальных слоях германия. В кн.: Ученые записки Новгородского пединститута, 1967. -Т. 19. -С. 51 -59. ^
  106. А.И., Данильчук Л. Н. Изучение дефектов упаковки в эпитаксиальных слоях германия // Изв. АН СССР. Сер. неорганические материалы. — 1968. — Т. 4, № 10. — С, 1627−1632.
  107. Г. Прямое наблюдение несовершенств в полупроводниковых кристаллах мотодом АПРЛ. В кн.: Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. — М.: Мир, 1965. — С. 223−235.
  108. Chikawa J. X-ray diffraction contrast from impurity precipitates in CdS single crystals//Adv. X-ray Analysis. 1967. — V. 10. — P. 153−158.
  109. H.O., Мелинг В., Шульпина И. Л., Шейхет Э. Г. Выявление и исследование микродефектов в кремнии методами рентгеновской топографии // Физика твердого тела. -1986. Т. 28, № 2. — С. 440−446.
  110. В.М., Крылова Н. О., Инденбом В. Л., Шульпина И. Л. Волновые пакеты и изображения микродефектов в двухкристальной ретгенов-ской топографии II Физика твердого тела. 1986. — Т. 28, № 8. — С. 23 432 351.
  111. В.М., Инденбом В. Л. Рентгенотопографические изображения микродефектов при дифракции по Бреггу // Кристаллография. -1987. Т. 32, № 2. — С. 297−304.
  112. Voloshin А.Е., Smolskii I.L., Kaganer V.M., Indenbom V.L., Rozhanskii V.N. Imaging of microdefects in silicon single crystals by plane wave X-ray topography at asymmetric diffraction // Phys. stat. sol. (a). 1992. — V. 130, -P. 61−73.
  113. И.Л. Исследование дефектов в монокристаллах кремния и германия методами рентгеновской дифракционной топографии. Ав-тореф. дис., представленной на соискание уч. степени канд. физ.-мат. наук. -Ленинград, 1968. -15 с.
  114. М.Я. Исследование дефектов структуры кристаллов полупроводников, образующихся при выращивании., пластической деформации и термообработке. Автореф. дис., представленной на соискание уч. степени канд. физ.-мат. наук. — Киев, 1971. -25 с.
  115. Л.Н. Ростовые включения второй фазы в кремнии, выращенном по методу Чохральского. В кн.: Расширенные тезисы 6-й Международной конференции по росту кристаллов. — М.: АН СССР, 1980.-Т. 4.-С. 294.
  116. Л.Н. О природе A-кластеров в бездислокационном кремнии, выращенном по методу Чохральского. В кн.: Тезисы докладов IV Всесоюзного совещания по дефектам структуры в полупроводниках. -Новосибирск: АН СССР, 1984. — Ч. 1. — С. 28.
  117. Л.Н. Бормановский контраст интенсивности от когерентных включений второй фазы в монокристаллах полупроводников. В кн.: Тезисы второго совещания по Всесоюзной межвузовской комплексной программе „Рентген“. — Ереван: изд. ЕГУ, 1987. — С. 40−41.
  118. Bedynska Т., Bubakova R., Sourek Z. Comparison between experimental and theoretical dislocation image for the Bragg case // Phys. stat sol. (a). -1976.-V. 36, № 2. P. 509−516.
  119. Sourek Z., Bubakova R. Deformation by stress relaxation at the edge dislocation // Phys. stat. sol. (a). -1982. -V. 70. P. 641−648.
  120. Gronkowski J. X-ray diffraction contrast of the dislocation image in the Bragg case // Phys. stat soi. (a). 1980. -V. 57. — P. 105−112.
  121. Bonse U. Zur rontgenographischen. Bestimmung des Typs einzelner Versetzungen in Einkristallen // Zeit. Phys. 1958. — Bd. 153, № 2. — S. 278 296.
  122. У. Рентгеновское изображение поля нарушений решетки вокруг отдельных дислокаций. В кн.: Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. — М.: Мир, 1965. — С. 184−204.
  123. Kaganer V.M., Mohung W. Characterization of dislocations by double crystal X-ray topography in back reflection // Phys. stat sol. (a).- 1991. V. 123.-P. 379−392.
  124. В.Л., Поляк Б. И., Голубничая A.A., Россихина Г. С. Полуколичественный фазовый анализ политипов карбида // Заводская лаборатория. 1989. — Т. 55, № 7. — С. 53−55.
  125. Ruska J., Gauckless L.J., Lorenz J. et al. Quantitative calculation of SiC polytypes from measurements of X-ray diffraction peac intensites // J. Nat. Sei. 1979. -V. 14, № 8. — P. 2013.
  126. Н.И. Изучение фазового состава SiC-керамики на дифрак-тометре ДРОН-УМ2 // Известия ЛЭТИ. 1991. Вып. 433. С. 71−74.
  127. Wallace С.А. The study of polytypism in silicon carbide by X-ray diffraction topography // Z. fur kristallographie. 1968. — Bd. 126. — S. 444 459.
  128. Baronnet A. Some aspects of polytypism in crystals // Prog. Crystal Growth Characterisation. -1378. -V. 1. P. 151−211.
  129. Mitchell R.S. Application of the Laue photograph to the study of polytypism and sintaxic coalexence is silicon carbide // The American Mineralogist. -1953. V. 38, № ½. — P. 60−67.
  130. Choyke W.J., Yoganathan M., Carter C. Jr. Comparison of experimental Laue transmission and reflection patterns for 4H, 6H, 15R, and 3C SiC H Springer Proceedings in Physics. -1992. V. 56. — P. 165−182.гнч
  131. И.Н. и др. Карбид кремния, свойства и области применения. К.: Науксва думка, 1975. — 110 с.
  132. Dudley М., Huang W., Wang S., Powell JA, Neudeck P., Fazi C. White-beam Synchrotron topographic analysis of multi-polytype SiC device configurations // J. Phys. D. 1995. — V. 28, № 4 A. — P. 56−62.
  133. Kelly J.F., Barnes P., Fisher G. R. The use of synchrotron edge topography to study poiytype nearest neighbour relationships in SiC // Radiat. phys. and chem. 1995. — V. 45, № 3. — P. 509−522.
  134. Dressler L., Goetz K., Krausslich J. X-ray examination of SiC monocrystals // Phys. stat sol. (a). 1995. — V. 148, № 1. — P. 81−88.
  135. Н.Ф., Заславский А. И., Спиридонова H.B. Дифрактометри-ческое определение политипных модификаций карбида кремния // Аппаратура и методы рентгеновского анализа. 1973. — Вып. 12. — С. 136−144.
  136. .И., Цветков В. Ф., Чернов М. А. Рентгеновский дифракто-метрический фазовый анализ политипных структур карбида кремния // Кристаллография. 1982. — Т. 27, № 3. — С. 610−612.
  137. В.Л., Томилозский Г. Е. Макроскопические краевые дислокации в кристалле корунда. Кристаллография. -1957. — Т. 2. № 1. — С. 190−194.
  138. В.И., Осипьян Ю. А. Влияние дислокаций на оптические, электрические и магнитные свойства кристаллов. В кн.: Проблемы современной кристаллографии. -М.: Наук, 1975. — С. 240.
  139. Л.Н., Никитенко В. И. Прямые наблюдения винтовых дислокаций, перпендикулярных поверхности монокристалла кремния // ФТТ. 1967. — Т. 9, № 7. — С. 2027−2034.
  140. Nikitenko V.J., Dedukh L.H. Application of the photoelasticity method to the investigation of stresses around individual dislocations and their influence on crystal properties // Phys. Stat Sol. (a). -1970. Bd. 3. — P. 383−392.
  141. S. // Nature. -1951. -V. 168. P. 431.
  142. Gevers R. t Amelinckx S. t Dekeyser W. // Naturwiss. 1952. — Bd. 39. -S. 448.
  143. R. //Journ. Chim. Phys. 1953. — V. 50. — P. 321.
  144. R. //Nature. 1953. -V. 171. — P. 171.
  145. F.H. // Phil. Mag. 1952. — V. 43. — P. 1210.
  146. Hamilton D.R. Interferometric determination of twist and poiytype in silicon carbide whiskers II J. Appl. Phys. 1960. — V. 31, № 1. — P. 112−116.
  147. Trickett E.A., Griffiths L.B. Decoration of dislocations in a-SiC by copper //J. Appl. Phys. 1964. -V. 35,.№ 12. — P. 3618.
  148. Amelinckx S., Strumane G., Webb W.W. Dislocations in silicon carbide // J. Appl. Phys. 1960. -V. 31, № 8. — P. 1359−1370.
  149. Tomita T. X-ray study of dislocations in SiC crystals // J. Phys. Soc. Japan. -1965. -V. 20, № 6. P. 1087.
  150. Ohta K., Tomita Т., Watanabe T. X-ray micrographic study of silicon carbide crystals // Japan. J. Appl. Phys. 1965. — V. 4, № 9. — P. 652−660.
  151. И.Н., Кравец B.A. Определение степени совершенства монокристаллов SiC рентгеновскими методами. В кн.: Карбид кремния (строение, свойства и области применения). — Киев: Наук. Думка, 1966. -С. 12−16.
  152. И.Н., Кравец В. А. К вопросу о дефектах в a-SiC. В кн.: Карбид кремния (строение, свойства и области применения). — Киев: Наук. Думка, 1966. — С. 17−29.
  153. М.И., Футергенлендер С. И. Рентгеновское исследование структурных несовершенств в тонкопластинчатых кристаллах a-SiC // Кристаллография. 1971. — Т. 16, № 5. — С. 961−965.
  154. А.С., Шульпина И. Л. Дефекты роста в полупроводниковых кристаллах карбида кремния // ФТТ. 1972. — Т. 14, № 9. — С. 26 702 674.
  155. Ю.М., Хлебников И. И., Цветков В. Ф., Чернов М. А. О влиянии азота на образование структурных нарушений в монокристаллах карбида кремния // Кристаллография. 1976. — Т. 21, № 2. — С. 425 — 426.
  156. .И. Дислокационная структура монокристаллических слитков карбида кремния // Изв. ЛЭТИ. Научные труды. Ленингр. электро-техн. ин-т им. В. И. Ульянова (Ленина). -1983. Вып. 322. С. 61−64.
  157. Н.И., Карачинов В. А., Таиров Ю. М., Тишер X., Цветков В. Ф. Анизотропия дислокационной релаксации в системе затравка-монокристалл бН-SiC // Кристаллография. 1987. — Т. 32, № 2. — С. 526 527.
  158. А.Н., Бритун В. Ф., Кравец В. А. Прямое наблюдение движения дислокаций в карбиде кремния // ФТТ. 1982. — Т. 24, № 5. — С. 1508−1510.
  159. В.Ф. Эволюция реальной структуры кристаллов SiC в процессах роста, пластической деформации и фазовых превращений. Ав-тореф. дис. на соискание уч. ст. канд. физ.-мат. наук. — Киев: ИПАН УССР, 1985.-22 с.
  160. В.Ф., Олейник Г. С., Пилянкевич А. Н. Механизмы структурных перестроек в гексагональном карбиде кремния при высоких давлениях и температурах // Укр. физ. ж. 1988. — Т. 33, № 5. — С. 791−794.
  161. А.Н., Бритун В. Ф., Котко В. А. Энергия дефектов упаковки в карбиде кремния // Укр. физ. ж. 1988. — Т. ЗЗ, № 7. — С. 1085−1088.
  162. Griffiths L.B. Defect structure and poiytypism in silicon carbide // J. Phys. and Chem. Solids. 1966. -V. 27, № 1. — P. 257−266.
  163. Stevens R. Defects in silicon carbide //J. Mater. Sci. 1972. — V.7, № 5. -P. 517−521.
  164. А.С., Мохов Е. Н., Шульгина И. Л. Движение дислокаций в кристаллах карбида кремния, вводимых механическими повреждениями поверхности // ФТТ. 1990. — Т. 32, № 8. — С. 2311−2315.
  165. А.С., Мохов Е. Н., Шульпина И. Л. Генерация и движение дислокаций при механических повреждениях поверхности карбида кремния//ФТТ. 1994. — Т. 36, № 1. — С. 132−136.
  166. Dudley Michael, Wang Shaoping, Huang Wei, Carter Calvin H., Tsvetkov Valeri F., Fazi Christian. White-beam synchrotron topographic studies of defects in 6H-SiC single crystals // J. Phys. D. 1995. — V. 28, № 4A. — P. 63−68.
  167. С.Ф., Валах М. Я., Киселев B.C., Сергеев O.T., Скороход М. Я. Исследование структурного совершенства кристаллов а-карбида кремния // Металлофизика и новейшие технологии. 1995. — Т. 17, № 7. -С. 46−51.
  168. Р.Н., Мохов Е. Н., Трегубова А. С. Деформация решетки и совершенство слоев карбида кремния, легированных алюминием и бором //ФТТ. -1981. -Т. 23, № 11. -С. 3496−3499.
  169. А.С., Шульпина И. Л. О рентгеновском изображении дефектов упаковки в зпитаксиаяьных пленках карбида кремния. В кн.- Материалы IV совещания по динамическим эффектам рассеяния рентгеновских лучей и электронов. Л.: 1977. — С. 75−78.
  170. Powell A.R., Wang S» Fechko G" Baba-AII N., Brandes G.R. Sublimation growth of 50 mm diameter SiC wafers. In: International conference on silicon carbide. Ill-nitrides ana related materials. — Stockholm: 1997.-P. 9−10.
  171. Barth H., Hosemann R. Use of parallel beam transmission method for the X-ray examination of crystal structure // Zeit. Naturforsch. 1958, — V. 13 A, № 4.-P. 792.
  172. Gerold V., Meier F. Der Rontgenographische Nachweis von Versetzungen in Germanium // Zeit. Physik. 1959. — Bd. 155, № 4. — S. 387 394.
  173. Ю.М. Эффективность использования трубки БСВ-10 (БСВ-11) в методе Ланга // Аппаратура и методы рентгеновского анализа. -1970. Вып. VI. С. 16−20.
  174. Renninger М. Beitrage zur doppeldiffraktometrische kristall -Topographie mit Rontgenstrahlen. I. Methodik und Ergebnisse typischer Art // Z angew. Phys. 1965. — Bd. 19, № 1. — S. 20−23.
  175. Л.Н.Данильчук. Исследование дислокационной структуры монокристаллов и пленок с решеткой типа алмаза методом аномального прохождения рентгеновских лучей. Дис. на соискание уч. ст. канд. физ.-мат. наук. — Новгород, 1967.177 с.
  176. В.Г., Новаков АГ. Прецизионные измерения решетки на совершенных монокристаллах с помощью эталона // Заводская лаборото-рия. 1972. № 3. — С. 303−304.
  177. Л.Н., Окунев АО. Исследования дефектов структуры монокристаллического карбида кремния прямыми физическими методами // Вестник Новгородского государственного университета. Серия «Естественные и технические науки». -1998. № 10. С. 13−18.
  178. Ж.Фридель. Дислокации М.: Мир, 1967. — 626 с.
  179. E.H.Joffe. A dislocation at free surface // Phil. Mag. 1961. -V. 6, № 69, -P. 1147−1150.
  180. А.Ю.Белов, ВАЧамров. О влиянии поверхности на упругие поля и электронно-микроскопические изображения наклонных дислокаций // Металлофизика. -1987. Т. 9, № 3, — С. 68−78.
  181. Д.Хирт, И.Лоте. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972. — 599 с.
  182. S.J.Shaibani, P.M.Hazzledine. The displacement and stress fields of a general dislocation close to a free surface of an isotropic solid // Phil. Mag.(A). -1981. -V. 44, № 3. P. 657−665.
  183. M. Браун Л. Дифракционный контраст, обусловленный сферически симметричными полями деформации. В кн.: Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. — М.: Мир, 1965, — С. 89−108.
  184. Л.Н., Калошкин З. П., Королев H.A., Игнашева A.B., Ску-това М.С. Применение методов неразрушающего контроля для обнаружения микровключений в кремнии // Микроэлектроника. 1978. — Т. 7, № 4. — С. 377−380.
  185. Н.И., Левчук Б. И., Макаров В. В., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф. Влияние механической обработки на структуру поверхности монокристаллов карбида кремния // Физика и химия обработки материалов. -1986, № 4.-С. 69−71.
  186. Концевой ЮА, Литвинов Ю. М., Фаттахов ЭА Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982.-240 с.
  187. В.Г., Буйлов А. Н. Окунев А.О., Ткаль В. А. Подготовка монокристаллического карбида кремния для рентгенотопографических исследований (в печати).
  188. В.В., Васильева Т. В. Данилова B.C., Ткаль Н. В. Исследование режимов резки монокристаллического SiC. В кн.: Полупроводниковый карбид кремния и приборы на его основе: Тез. докладов. — Новгород, 1995. — С. 43.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!