Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Оптическая колебательная спектроскопия тройного полупроводникового соединения со структурой халькопирита ZnSnP2 и полупроводникового твердого раствора Be х Zn1-x Se

Диссертация: Оптическая колебательная спектроскопия тройного полупроводникового соединения со структурой халькопирита ZnSnP2 и полупроводникового твердого раствора Be х Zn1-x Se
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В современной микрои оптоэлектронике многокомпонентные полупроводниковые соединения и твердые растворы играют важную роль, и дальнейший прогресс этих областей техники во многом связан с созданием новых полупроводниковых материалов и совершенствованием технологий получения многослойных приборных структур на основе твердых растворов, в особенности содержащих слои субмикронного диапазона толщин… Читать ещё >

Оптическая колебательная спектроскопия тройного полупроводникового соединения со структурой халькопирита ZnSnP2 и полупроводникового твердого раствора Be х Zn1-x Se (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

ГЛАВА 1. КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА НА РЕШЁТОЧНЫХ КОЛЕБАНИЯХ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЯХ СО СТРУКТУРОЙ ХАЛЬКОПИРИТА И ТВЁРДЫЕ РАСТВОРЫ НА ОСНОВЕ БИНАРНЫХ СОЕДИНЕНИЙ А2В6 СО СТРУКТУРОЙ СФАЛЕРИТА (ОБЗОР ЛИТЕРАРУРЫ).

1.1. Колебательные спектры полупроводниковых соединений со структурой халькопирита.

1.2. Ве-содержащии полупроводники А2Вб.

ГЛАВА 2. КОЛЕБАТЕЛЬНЫЕ СВОЙСТВА ТВЁРДЫХ РАСТВОРОВ И

ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Колебательные спектры полупроводниковых твердых растворов.

2.2. Процессы упорядочения в полупроводниковых твердых растворах.

2.3. Геометрия рассеяния и правила отбора.

2.4. Экспериментальная установка.

ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРНЫХ СВОЙСТВ ХАЛЬКОПИРИТА гпБпРг.

3.1. Структурные свойства халькопирита 2п8пР2.

3.2. Экспериментальные образцы.

3.3. Динамика кристаллической решётки ZnSnP2.

3.4 Обсуждение Рамановских спектров.

3.5 Спектры ИК.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРНЫХ СВОЙСТВ Ве^щ.^е.

4.1 Исследования полупроводникового твёрдого раствора Вехгп1×8е.

4.2 Фононные моды в Вех2П]х8е.

Актуальность темы

Солнечная энергетика является очень перспективным альтернативным источником энергии. Наряду с уже много лет применяющимися для этих целей полупроводниковыми соединениями на основе материалов А3В5, существует также другой класс полупроводников, обладающий всеми необходимыми для оптоэлектроники в целом и солнечной энергетики в частности свойствами — халькопириты. Ряд соединений, в частности халькопириты класса А2В4С52, такие как 7п8пР2, могут позволить получить ещё более эффективные солнечные батареи, чем при использовании традиционных материалов: АЮаАз/ОаАэ, ГпОаАэ и т. д.

В современной микрои оптоэлектронике многокомпонентные полупроводниковые соединения и твердые растворы играют важную роль, и дальнейший прогресс этих областей техники во многом связан с созданием новых полупроводниковых материалов и совершенствованием технологий получения многослойных приборных структур на основе твердых растворов, в особенности содержащих слои субмикронного диапазона толщин (от 0.1 мкм до десятков А). При разработке и совершенствовании технологий получения таких структур решающее значение имеет контроль структурных (качество кристаллической решётки, наличие структурных модификаций), геометрических (толщина и планарность) и электрофизических (состав, уровни легирования, подвижность носителей) параметров слоев твердого раствора, которые в свою очередь сильно зависят от структурных свойств полупроводника.

Широкие возможности для контроля структурных и физических свойств, а также электрофизических параметров полупроводниковых соединений и твердых растворов полупроводников предоставляет спектроскопия комбинационного рассеяния (КР) света или Рамановская спектроскопия. Благодаря высоким значениям сечения рассеяния света в полупроводниках, в спектрах КР возможно наблюдение линий от эпитаксиальных слоев толщиной несколько десятков ангстрем.

В настоящее время спектроскопия КР широко используется для исследования колебательных и электронных состояний, одночастичных и коллективных возбуждений свободных носителей в эпитаксиальных слоях полупроводников, квантоворазмерных гетероструктурах и сверхрешетках.

Выбор в качестве объекта исследования тройного полупроводникового соединения 2п8пР2 с пространственной структурой халькопирита и полупроводникового твердого раствора Ве2п8е обусловлено тем, что они обладают свойствами, делающими возможным их применение в оптоэлектронных приборах. Однако, в настоящее время эти соединения достаточно плохо изучены и исследованы по сравнению с другими л г полупроводниковыми соединениями типа, А В. Структуры на основе 2п8пР2 дают многообещающие возможности в изготовлении солнечных батарей, а твердые растворы ВеХпБе являются возможными кандидатами для использования в качестве активной области полупроводниковых лазеров, излучающих в сине-зелёной области спектра.

Цель работы заключалась, во-первых, в исследовании спектров комбинационного рассеяния света эпитаксиальных слоев со структурой халькопирита гп8пР2- выращенных на подложках ОаАз (001) методом молекулярно-пучковой эпитаксией, во-вторых, в расчете и анализе динамики кристаллической решётки данного халькопирита с помощью модели поляризуемости связей и оболочечной модели, в-третьих, в исследовании структурных свойств полупроводниковых твёрдых растворов Ве7п8е методом КР и ИК-спектроскопии.

Научная новизна и практическая ценность работы заключается в том, что в ней впервые измерены спектры КР от эпитаксиальных плёнок халькопирита 2п8пР2, впервые сделаны расчёты динамики кристаллической решётки на основе метода оболочечной модели и рассчитаны интенсивности фононных линий в спектре КР с использованием модели поляризуемости связей. Сопоставление с экспериментальными данными показали хорошее согласование расчётов с экспериментом. В спектрах КР были зафиксированы линии, соответствующие фононам с симметрией Г^ Г3, Г4 и Г5. Были исследовано влияние условий роста, таких как отношение потока Ъа. и 8п в камере роста и рассогласование с подложкой ваАз на структурные свойства выращиваемых эпитаксиальных плёнок 2п8пР2. Показано, что в зависимости от условий роста, возможны три структурных модификации эпитаксиальных плёнок ZnSn?2 — идеально упорядоченный халькопирит, разупорядоченное тройное соединение со структурой сфалерита и смесь упорядоченной и разупорядоченной фаз.

Продемонстрирована высокая чувствительность метода комбинационного рассеяния света к локальному упорядочению атомов в многокомпонентных-полупроводниковых соединениях. Количественное описание интенсивностей комбинационного рассеяния света мод, полученных с помощью модели поляризуемости связей, открывает новые возможности для использования метода комбинационного рассеяния света в изучении полупроводников с локальным микроскопическим упорядочением.

Исследованы также спектры комбинационного рассеяния для твёрдых растворов Ве,?п1×8е, в которых наряду с уже известным двухмодовым поведением фононного спектра, характерного для тройных твёрдых растворов, обнаружена дополнительная фононная мода Ве8е-типа. Анализ спектра КР и ИК показал что дополнительная мода является колебанием связи Ве-8е внутри кластеров Ве^п^е. В объеме спонтанно упорядоченного твёрдого раствора Ве^п^е находятся области антикластерирования где нарушено спонтанное распределение атомов Ве и Ъп. в катионной подрешётке.

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Спектры комбинационного рассеяния и ИК-отражения показывают, что в эпитаксиальном полупроводниковом соединении 2п8пР2 в зависимости от условий роста, а именно соотношения потоков 8п/2п, наблюдается явление упорядочения или разупорядочения атомов и 8п в металлической подрешётке. В первом случае, при высоком соотношении 8п^п, наблюдается очень небольшое рассогласование параметров решётки 2п8пР2 и подложки ОаАэ, равное -0,02% и эпитаксиальный слой представляет собой идеальный халькопирит. Во втором случае, при низком значении потоков 8п/2п, наблюдается большое рассогласование параметров решётки, равное +0,5% и эпитаксиальный слой содержит только разупорядоченную фазу сфалерита.

2. При низком значении потоков и рассогласовании с подложкой + 0,5% наблюдается образование упорядоченных доменов со структурой халькопирита в разупорядоченном сфалерите. В спектре комбинационного рассеяния наблюдается фононная мода с симметрией Г! на фоне спектра фононов структуры сфалерита. С помощью модели пространственной корреляции на основе анализа ширины спектральной линии фонона с симметрией П определён средний размер домена халькопирита, равный 7 нанометрам.

3. Анализ спектров комбинационного рассеяния и ИК отражения для эпитаксиальных слоёв ZnSnP2 с промежуточным значением рассогласования с подложкой (+0.05%) показывает наличие в исследуемых слоях двух структурных модификаций — упорядоченного халькопирита и разупорядоченного сфалерита. Моделирование спектра ИК отражение с помощью суперпозиции диэлектрических функций позволяет определить состав упорядоченной фазы со структурой халькопирита, равный 40%.

4. Спектры комбинационного рассеяния и ИК отражения показывают, что в твёрдом растворе Ве^п^е, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии, во всём диапазоне состава Ве наблюдается фазовое расслоение на две разные структурные модификации — спонтанно упорядоченный твёрдый раствор Вех7п, х8е и области с выраженным антикластерированием атомов Ве и 7л внутри которых нарушается спонтанное распределение атомов Ве и Ъп в катионной подрешётке.

Основные результаты диссертации опубликованы в пяти печатных работах (список в конце диссертации).

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1) А. М. Mintairov, N. A. Sadchikov. Т. Sauncy, М. Holtz, G. A. Seryogin, S. А. Nikishin, and Н. Temkin. «Vibrational Raman and infrared studies of ordering in epitaxial ZnSnP2» // Physical Review7 B, Vol. 59, N23, pl5197 (1999).

2) A.M. Mintairov, F.C. Peiris, S. Lee, U. Bindley, J.K. Furdyna, S. Raymond, J.L. Merz, V.G. Melehin, N. Sadchikov. «Optical spectra of wide band gap BexZni. xSe alloys» // Физика и техника полупроводников, 1999, том 33, вып. 9.

3) Н. А. Садчиков, «Исследование структурных свойств полупроводникового соединения ZnSnP2 методом колебательной спектроскопии». Сборник трудов 2-ой Международной конференции молодых учёных и специалистов «Оптика 2001», Санкт-Петербург. 16−19 октября 2001 года.

4) НА. Садчиков, «Исследование структурных свойств широкозонного полупроводникового твёрдого раствора BexZnixSe методом оптической спектроскопии». Сборник трудов 2-ой Международной конференции молодых учёных и специалистов «Оптика 2001», Санкт-Петербург. 16−19 октября 2001 года.

5) Исследование структурных свойств полупроводникового соединения ZnSnP2 методом колебательной спектроскопии. Н. А. Садчиков. В кн.: Современные технологии, сб. науч. статей / Под. ред. профессора С. А. Козлова. — СПб: ГИТМО (ТУ). 2001. с. 216−220.

Заключение

.

1).

Исследованы спектры комбинационного рассеяния образцов тройного полупроводникового соединения со структурой халькопирита в виде эпитаксиальных плёнок 2п8пР2 с разной степенью упорядочения, выращенных на подложках ваАэ (001) методом молекулярно-пучковой эпитаксии. В спектрах КР упорядоченных образцов наблюдались оптические фононы Г1 Г3 2Г41у и ЗГ5т-ь с полушириной 2−5 см" 1, близкой к полуширине объёмных кристаллов. 2).

Впервые сделаны расчёты динамики кристаллической решётки со структурой халькопирита с использованием одного из методов оболочечной модели, а именно метода силового валентного поля. Рассчитаны частоты фононов в халькопиритах 7п8пР2, а также дисперсионные кривые для фононов для всей зоны Бриллюэна. Полученные расчётные значения частот фононов почти полностью совпадают с определёнными из эксперимента.

3).

Для разупорядоченного ZnSnP2 со структурой сфалерита, в спектре КР наблюдались слабые по интенсивности и заметно уширенные фононные моды П и Г3 с полушириной 20−30 см" 1. Спектр ИК отражения не содержит фононов с симметрией халькопирита. Присутствие колебательных мод Г1 и Гз в спектре КР ясно указывает на наличие упорядоченной фазы со структурой халькопирита в разупорядоченной матрице со структурой сфалерита. С помощью модели пространственного согласования выяснен тот факт, что в разупорядоченных образцах присутствуют домены со структурой халькопирита размером 7 нм.

4).

Сделан расчёт интенсивностей колебательных мод халькопирита на основе модели поляризуемости связей. Это было сделано без и с учётом тетраэдрального напряжения, характерного для структуры халькопирита. Без учёта напряжения, все диагональные компоненты Рамановского тензора для Г1 одинаковы, а для Г3 равны нулю. Напряжение снимает вырождение и приводит к кненулевому значению компонент для Г3. Наиболее чувствительные к этому напряжению коипоненты Рамановского тензора влияют на относительные интенсивности колебательных мод Г! и Г3, что наблюдалось экспериментально.

5).

На основе полученных экспериментальных и теоретических данных от упорядоченных, частично и полностью разупорячоченных эпитаксиальных плёнках халькопирита и с использованием модели пространственного согласования получена методика оценки условий и степени разупорядочения в исследованных образцах. Обнаружено, что для частично разупорядоченного халькопирита ZnSnP2 содержание упорядоченной фазы равно 40% и зависит от отношения потоков Zn и 8п во время эпитаксиального роста.

6).

Проведены исследования твёрдого раствора Вех2п1. х8е (х=0.1−0.8) методом комбинационного рассеяния света и отражательной ИК спектроскопии. В исследованном твёрдом растворе обнаружено четырёхмодовое поведение. Колебательная мода Ь02а Т02а ведёт себя согласно модели МЯЕ1 для спонтанно упорядоченных твёрдых растворов и совпадаёт с рассчитанной фононной модой. Дополнительная колебательная мода Ь02ь Т02ь существенно сдвинута вниз по частоте относительно L02a Т02а. Наличие в спектре линий L02b и Т02ь объясняется присутствием дополнительной структурной фазы в твёрдом растворе. Анализ показал, что эти колебания принадлежат колебаниям связей Be-Se внутри кластеров BenZn4."Se (п=1,2,3).

Показать весь текст

Список литературы

  1. J. С. W. Folmer, J. R. Tuttle, J. A. Tu, and B. A. Parkinson, J.Electrochem. Soc. 132, 1608 1985.
  2. J. L. Shay and J. H. Wernick Ternary Chalcopyrite Semiconduc-torsFergamon, Oxford, 1975.
  3. A. A. Vipolin in Semiconductors A2BaC25, edited by N. A. Goryunova and Yu. A. Valov Soviet Radio, Moscow, 1974, p.52.
  4. M. L. Cohen and J. R. Chelikowsky, Electronic Structure and Optical Properties of Semiconductors, 2nd ed. Springer, Berlin, 1988, p. 161.
  5. F. M. Berkovskii, D. Z. Garbuzov, N. A. Goryunova, G. V. Loshakova, S. M. Ryvkin, and G. P. Shpen’kov, Fiz. Tekh. Poluprovodn.2, 744 1968 @Sov. Phys. Semicond. 2, 618 1968.
  6. G. Seryogin, S. A. Nikishi, S. Froncoeur, H. Temkin, T. D. Sauncy, M. Holtz, N. N. Faleev, A. Mintairov, and B. Parkinsonunpublished.
  7. L. B. Zlatkin, J. F. Markov, A. I. Stekhanov, and M. S. Shur, Phys. Status Solidi 32, 473 1969.
  8. M. Holtz, R. Zallen, O. Brafman, and S. Matteson, Phys. Rev. B37, 4609 1988.
  9. A. M. Mintairov, D. M. Mazurenko, M. A. Sinitsin, and B. S. Yavich, Fiz. Tekh. Poluprovodn. 28, 1550 1994 Semiconductors 28, 866 1994.
  10. M. B. Panish and H. Temkin, Gas Source Molecular Beam? p/tocySpringer, New York, 1993.
  11. R. A. Hamm, D. Ritter, and H. Temkin, J. Vac. Sci. Technol. A12, 2790 1994.
  12. G. A. Seryogin, S. A. Nikishin, H. Temkin, A. M. Mintairov, J. L. Merz, and M. Holtz, Appl. Phys. Lett. 74, 2128 1999.
  13. S. Francoeur, G. A. Seryogin, S. A. Nikishin, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett, to be published.
  14. M. Holtz, M. Seon, O. Brafman, R. Manor, and D. Fekete, Phys.Rev. B 54, 8714 1996.
  15. J. Camassel, L. Artus, and J. Pascual, Phys. Rev. B 41, 5717 1990.
  16. R. A. Evarestov and V. P. Smirnov, Site Symmetry in Crystals, Solid State Sciences, Vol. 108 Springer, Berlin, 1997.
  17. I. P. Kaminow, E. Buehler, and J. H. Wernick, Phys. Rev. B 2, 960 1970.
  18. M. Bettini and A. Miller, Phys. Status Solidi B 66, 579 1974.
  19. M. Bettini, Phys. Status Solidi B 69, 201 1975.
  20. R. M. Martin, Phys. Rev. B 1,4005 1970.
  21. N. Vagelatos, D. Wehe, and J. S. King, J. Chem. Phys. 60, 3613 1974.
  22. P. H. Borcherds and K. Kunc, J. Phys. C 11, 4145 1978.
  23. M. Wolkenstein, C. R. Dokl. Acad. Sci URSS 30, 791 1941.
  24. R. Tubino and L. Piseri, Phys. Rev. B 11, 5145 1973.
  25. S. Nakashima and M. Balkanski, Phys. Rev. B 34, 5801 1986.
  26. A. S. Barker, Jr., J. L. Merz, and A. C. Gossard, Phys. Rev. B 17, 3181 1978.
  27. C. Flytzanis, Phys. Rev. B 6, 1264 1972.
  28. B. Jusserand and M. Cardona, in Light Scattering in Solids V, edited by M. Cardona and G. Guntherodt Springer, Berlin, 1989, p.91.
  29. A. M. Mintairov, P. A. Blagnov, V. G. Melehin, N. N. Faleev, J.L. Merz, Y. Qiu, S. A. Nikishin, and H. Temkin, Phys. Rev. B56, 15 836 1997.
  30. R. Loudon, Adv. Phys. 13, 423 1964.
  31. H. Poulet and J. P. Mathieu, Vibrational Spectra and Symmetry of CrystalsGordon and Breach, New York, 1976.33. M. Holtz unpublished.
  32. The value of the distortion was given by the differences in the d A C and d BC bond lengths subject to the constraint that their sum is A3 Ha.
  33. P. Parayanthal and F. H. Pollak, Phys. Rev. Lett. 52, 1822 1984.
  34. P.N. Keating, Phys. Rev. 145, 637 (1966).
  35. R.M. Park, M.B. Troner, C.M. Rouleau, J.M. DePuydt, Appl. Phys. Lett. 57 (1990)2127.
  36. K. Ohkawa, T. Karasawa, T. Mitsuyu, Jpn. J. Appl. Phys.30 (1991) LI52.
  37. H.-J. Lugauer, Th. Litz, F. Fischer, A. Waag, T. Gerhard, U. Zehnder, W. Ossau, G. Landwehr, J. Crystal Growthl75/176 (1997) 619.
  38. E. Tournier et al., Mater. Sei. Eng. B43 (1997) 21.
  39. H. Okuyama, T. Miyajima, Y. Morinaga, F. Hiei, M. Ozawa, K. Akimoto, Electron. Lett. 28 (1992) 1798.
  40. Y. Fan, J. Han, L. He, J. Saraie, R.L. Gunshor, M. Hagerott, H. Jeon, V. Nurmikko, G.C. Hua, N. Otsuka, Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 3160.
  41. A. Ishibashi, Y. Mori, J. Crystal. Growth 138 (1994) 677.
  42. J. Petruzzello, T. Marshall, S. Herko, K.W. Haberera, M. Buijs, K.K. Law, T.J. Miller, G.M. Haugen, in: Proc. Int. Symp. on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba, Japan 1996, p. 230.
  43. K.W. Haberern et al., in: Proc. SPIE, Physics and Simula-tion of Optoelectronic Devices, San Jose, 1997.
  44. C. Verie, in: B. Gil, R.-L. Aulombard (Eds.), Semiconductor Heteroepitaxy, World ScientilOc, Singapore, 1995, p. 73.
  45. W. Harrison, in: Electronic Structure and the Properties ofSolids, Dover, New York, p. 176.
  46. M. Stutzmann, priv. communication.
  47. A. Munoz, P. Rodriguez-Hernandez, A. Mujica, Phys.Stat. Sol. B 198 (1996) 439.
  48. D. Friehlinghaus, K. Schroeder, S. Bhngel, to be publ.
  49. M. Ringle, D.C. Grillo, J. Han, R.L. Gunshor, G.C. Hua, A.V. Nurmikko, Inst. Phys. Conf. Series vol. 141, IOP Publishing, 1995, p.513.
  50. A. Waag, F. Fischer, H.-J. Lugauer, T. Litz, T. Gerhardt, J. Nu~rnberger, U. Lunz, U. Zehnder, W. Ossau, G. Land-wehr, Mater. Sei. Eng. B 43 (1997) 65.
  51. B. Roos, C.J. Santana, C.R. Abernathy, K.S. Jones, in: W.W. Gerberich (Eds.), Thin Films: Stresses and Mechanical Properties, Pittsburgh, PA, MRS Symp. Proc., vol, 436, 1996.
  52. J. Han, R.-L. Gunshor, A. Nurmikko, Phys. Stat. Sol. B 187 (1995) 285.
  53. S. Guha, J.M. DePuydt, M.A. Haase, J. Qiu, H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 63 (1993)3107.
  54. A. Ishibashi, M. Ukito, S. Tomiya, in: Proc. Int. Conf. Physof Semiconductors, Berlin, 1996.
  55. V. Pellegrini, R. Atanasov, A. Tredicucci, F. Beltram, C. Amzulini, L. Sorba, L. Vanzetti, A. Franciosi, Phys. Rev. B 51 (1995) 5171.
  56. J. Ding, N. Pelekanos, A.V. Nurmikko, H. Luo, N. Sa-marth, J.K. Furdyna, Appl. Phys. Lett. 57) (1990) 2885.
  57. This gives an upper limit for the Be concentration for the type LPtype II transition.
  58. Th. Walter, A. Rosenauer, D. Gerhtsen, F. Fischer, R. Gall, Th. Litz, A. Waag, G. Landwehr, in: Proc. Microscopy of Semiconducting Materials, Oxford, 1997.
  59. Th. Litz, F. Fischer, H.-J. Lugauer, M. Keim, U. Zehnder, W. Ossau, Th. Gerhard, R. Gall, A. Waag, G. Landwehr, M. Nagelstrasser, H.-P. Steinru-'ck, Th. Walter, D. Gerthsen, Appl. Surf. Sei. 123/124 (1998), in press.
  60. B. Goldenberg, J.D. Zook, R.J. Ulmer, in: Proc. TopicalWorkshop on IILPV Nitrides, Nagoya, Japan, 1995.
  61. T.J. Miller, P.F. Baude, G.M. Hauger, M.A. Haase, D.C.Grillo, F.R. Chien- to be published.
  62. Chang I. F., Mitra S. S. Phys. Rev., vol. cneK 172, N 3, p. 924, 1968.
  63. Genzel L., Martin T. P., Perry С. H. Phys. Stat. Sol. (b), vol. 62, N 1, p. 83, 1974
  64. Chen Y. S., Shockley W., Pearson G. L. Phys. Rev., vol. 151, N 2, p. 648, 1966.
  65. M., Хуанг Кунь Динамическая теория кристаллическая решеток. М., ИЛ, 1958.
  66. Burstein E. Interaction of Phonons with Photons: Infrared, Raman and Brillouin Spectra. in: Phonons and Phonons Interactions, ed. by T. A. Bak, N. Y. Benjamin, 1964.
  67. Оптические свойства полупроводников под ред. Уиллардсона Р. и Бира А. М., Мир, 1970.
  68. Ч. Введение в физику твердого тела. М., Наука, 1978.
  69. Barker A. S., Loudon R. Rev. Mod. Phys., vol. 44, N 1, p. 18, 1972.
  70. Faust W. L., Henry С. H. Phys. Rev. Lett., vol. 17, N 25, p. 1265, 1966.
  71. Г. M., Ипатова И. П., Рыскин А. И. ФТП, т. 18, вып.1, с. 24, 1984.
  72. Barker A. S., Sievers A. J. Rev. Mod. Phys., vol. 47, N 2, p. SI, 1975.
  73. Elliott R. J., Krumhansl J. A., Leath P. L. Rev. Mod. Phys., vol. 46, N 3, p. 465, 1974
  74. Harada H., Narita S. J. Phys. Soc. Japan, vol. 30, N 6, p. 1628, 1971.
  75. Gorska M., Nazarewicz W. Phys. Stat. Sol. (b), vol. 65, N 1, p. 193, 1974.
  76. Chemg Y. T, Jaw D. H., Jou M. J., Stringfellow G. B. J. Apl. Phys., vol. 65, N 8, p. 3285, 1989.
  77. Francoeur S., Sivaraman G., Qiu Y., Nikishin S., Temkin H. Apl. Phys. Lett., vol. 72, p. 1857, 1998.
  78. Rao E. V. K., Ougazzaden A., Le Belligo Y., Juhel M. Electronic Materials Conference, Paper T4, 1997
  79. Gorunova N., Fedorova N., Zh. Tekh. Fiz., vol. 25, p. 1339, 1955.
  80. Zunger A., Mahajan S. in Handbook on Semiconductors, ed. by Moss T. S., vol. 3, 1994.
  81. A., Alonso R.G., Horner G.S., Froyen S., Hsieh K.C., Cheng K.Y. -Superlattices and Microstructures, vol. 12, p. 57, 1992.
  82. Lu Y.-T., Petroff P., Metiu H. Apl. Phys. Lett., vol. 57, p. 2683, 1990.
  83. McDevitt T.L., Mahajan S., Laughlin D.E., Bonner W.A., Keramidas V.G.in Epitaxial Heteroctructures, Mater. Res. Soc. Symp., Proc. 198, p. 609, 1990.86)
  84. Mackenzie R.A.D., Liddle J.A., Grovenor C.R.M. J. Apl. Phys., vol. 69, p. 250, 1991.
  85. A., Alonso R.G., Horner G.S., Froyen S., Hsieh K.C., Cheng K.Y. -Superlattices and Microstructures, vol. 12, p. 57, 1992.
  86. McDevitt T.L., Mahajan S., Laughlin D.E., Bonner W.A., Keramidas V.G. Phys. Rev. B, vol. 45, p. 6614, 1992.
  87. Zheng F., Walker J. D., Salmeron M. B., Weber E. R. Phys. Rev. Lett, vol. 72, p. 2414. 1994.
  88. Norman A.G., Seong T.Y., Ferguson I.T., Booker G.R., Joyce B.A. J. Semicind. Sci. Technol., vol. 8, p. S9, 1993.
  89. A.M., Muzurenko D. M., Sinitsin M. A., Yavich B. S. -Semiconductors, vol. 28 (9), p. 866, 1994.
  90. Composition Modulation and Ordering in semiconductors, MRS Bulletin, vol. 22, N 7 1997.
  91. Horner G.S., Mascarenhas A., Alonso R.G., Froyen S., Bertness K.A., Olson J.M. Phys. Rew. B, vol. 49, N3, p. 1727−1731, 1993.
  92. Suzuki T., Gomyo A., Iijima S., Kobayashi K., Kawata S., Hino I., Yasa T. Jpn. J. Apl. Phys., vol. 27, N 11, p. 2098−2106,1988.
  93. Kondow M., Minagawa S. J. Apl. Phys., vol. 64., N 2, p. 2053, 1988.
  94. Nozaki C, Ohba Y., Sugawara H., Yasuami S, Nakanishi T. J. Cryst. Growth, vol. 93, p. 406−411, 1988.
  95. Ueda O., Takikawa M., Takechi M., Komeno J., Umebu I. J.Cryst. Growth, vol. 93., p. 418−425, 1988.
  96. Kurtz S., Olson J. R., Kibber A. Apl. Phys. Lett., vol. 54, p. 718, 1990.
  97. Ueno Y., Fujii H., Kobayashi K., Endo K., Gomyo A., Hara A., Kawata S, Yasa T., Suzuki T. Jpn. J. Apl. Phys, vol. 29, p. L1666,1990.
  98. Wirth R., Moritz A., Geng C., Scholz F., Hangleiter A. Apl. Phys. Lett, vol. 69, p. 2225, 1996.
  99. Greger E, Gulden K. H, Riel P, Dohler G. H. Apl. Phys. Lett, vol. 68, p. 2383, 1996.
  100. Cghoquette K. D, Schneider R. P, Lott J. A. Opt. Lett, vol. 19, p. 969, 1994.
  101. Greger E" Riel P, Moser M, Kipenberg T, Koesel P, Dohler G. H. Apl. Phys. Lett, vol. 71, p. 3245, 1997.
  102. Wolkenstein M. Compt. Rend. Acad. Sci. URSS, vol. 32, p. 185,1941.
  103. Go S" Bilz H, Cardona M. Phys. Rev. Lett, vol. 34, p.580, 1975.
  104. Go S, Bilz H, Cardona M. Light Scattering in Solids, ed. by Balkanski M, p.377 1976.
  105. Lopez-Cruz E, Cardona M, Martinez E. Phys. Rev. B, vol. 29, p. 5774, 1984.
  106. Jusserand B, Paquet D, Regreny A. Superlattices and Microstructures, vol. 1, p.61 1985.
  107. Verleur H. W, Barker A. S. Phys. Rew, vol. 149, p. 715, 1966.
  108. Yamazaki S, Ushirokava A, Katoda T. J. Apl. Phys, vol. 51, p. 3722, 1980.
  109. Mintairov A. M, Temkin H. Phys. Rev. B, vol. 55, p. 5117,1997.
  110. Tubino R., Piseri L. Phys. Rev. B, vol. 11, p. 5145, 1973.
  111. Nakashima S., Balkanski M. Phys. Rev. B, vol. 34, p. 5801, 1986.
  112. Barker A. S., Mertz J. L" Gossard A. C. Phys. Rev. B, vol. 17, p. 3181, 1978.
  113. Jusserand В., Cardona M. in Light Scattering in Solids V, ed. by Cardona M. and Gintherodt G., p.91, 1989.
  114. Flytzanis C. Phys. Rev. B, vol. 6, p. 1264, 1972.
  115. Armstrong J.R., Bloembergen N., Ducuing J., Pershan P. S. Phys. Rev., vol. 127, p. 1918, 1962.
  116. International Tables for X-ray Crystallography, 1952.
  117. Poulet H., Mathieu J.P. Vibration Spectra and Symmetry of crystals, 1976.
  118. Cardona M. in Light Scattering in Solids, ed. by Cardona M. and Gintherodt G., p. 19, 1982.
  119. Qiu Y., Nikishin S. A., Temkin H., Elyukhin V. A., Kudriavtsev Yu. A. Apl. Phys. Lett., vol. 70, p. 2831, 1997.
  120. Jusserand В., Sapriel J. Phys. Rev B, vol. 24, p. 7194, 1981.
  121. В. И. Введение в экспериментальную спектроскопию М., Наука, 1979.
  122. Anastassiadou A., Raptis Y. S., Anastassakis Е. J. Apl. Phys., vol. 60, N 8, p. 2924,1986.
  123. Kawamura H., Tsu R., Esaki L. Phys. Rev. Lett., vol. 29, N 20, p. 1397, 1972.
  124. Talvar D. N., Vandervyver M. Phys. Rev B, vol. 40, p. 9779, 1989.
  125. Kakimoto K., Katoda T. Apl. Phys. Lett., vol. 40, p.826, 1982.
  126. J.Geurts, V. Wagner, B. Weise, J.J.Liang, H. Lugauer, A. Waag, G. Landwerh, R. Kruse, BexZni. xSe Compounds and BeTe/ZnSe superlattices:1.ttice dynamics and dielectric properties.
  127. O. Pages, M. Ajjoun, J.P. Laurenti, D. Bormann, C. Chauvet, E. Tournie, J.P. Faurie. Applied Physical Letters, vol.77, N4, 519 (2000).
  128. A. Waag, F. Fischer, H.J. Lugauer, Th. Litz, J. Laubender, U. Lunz, U. Zehneder, W. Ossau, T. Ferhardt, M. Moller, G. Landwehr. Appl. Phys. Lett., 70, 280 (1997).
  129. J. Gutowski, N. Presser, G. Kudlek. Phys. St. Sol. (a), 120, 11 (1990).
  130. J.P. Faurie, V. Bousquet, P. Brunet, E. Tournie. J. Cryst. Growth, 184/185,11 (1998).
  131. B. Hennion, F. Moussa, G. Pepyand, K. Kunc. Phys. Lett. A, 36, 377 (1971).
  132. A.M. Mintairov, H. Temkin. Phys. Rev. B, 55, 5177 (1977).
  133. A.M. Mintairov, P.A. Blagnov, V.G. Meiehin, N.N. Faleev, J.L. Merz, Y. Qiu, S.A. Nikishin, H. Temkin. Phys. Rev. B, 56, 15 836 (1997).
  134. Jun-Jih Liang. Raman scattering by phonons in wide band gap II-VI compounds, heterostructures and interfaces, Ph.D. Thesis, Wuerzburg University, 2000.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!