Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Получение гетеропереходов теллурид цинка-фосфид индия и исследование их электрофизических свойств

Диссертация: Получение гетеропереходов теллурид цинка-фосфид индия и исследование их электрофизических свойств
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Одним из актуальных направлений современной опто электроники является создание источников излучения в видимой и ближней ИК областях спектра, что связано с необходимостью их использования в индикаторах визуального отображения информации и в системах оптической коммуникации ?7, 8]. Разработка источников электролюминесцентного излучения в заданном спектральном диапазоне идет по пути изготовления… Читать ещё >

Получение гетеропереходов теллурид цинка-фосфид индия и исследование их электрофизических свойств (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРЦЦА ЦИНКА И ФОШЦЦА ИНДИЯ / ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ /
    • 1. 1. Физико-химические и электрические свойства теллурида цинка и фосфида индия, их растворимость и фазовое взаимодействие
    • 1. 2. Получение и исследование свойств гетеропереходов гпТе
    • 1. 3. Получение и исследование свойств гетеропереходов
  • А1 — ШР. ,
  • ВЫВОДЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧ ИССЛЕДОВАНИЯ
  • ГЛАВА. ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ ТЕЛЛУРВД ЦИНКА — ШВДЦ ИНДИЯ
    • 2. 1. Выращивание исходных монокристаллов теллурида цинка и подготовка подложек фосфида индия
    • 2. 2. Изготовление гетеропереходов гпТе — 1пР методом осаждения из газовой фазы в открытой проточной системе
    • 2. 3. Изготовление гетеропереходов гпТе — 1пР методом осаждения из газовой фазы в квазизамкнутом объеме
  • ВЫВОДЫ ПО ВТОРОЙ ГЛАВЕ
  • ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ ZnTe — 1пР
    • 3. 1. Методика проведения электрических измерений
    • 3. 2. Емкостные характеристики и зонные диаграммы гетеропереходов гпТе — 1пР
    • 3. 3. Вольтамперные характеристики и механизм токопрохожде-ния в гетеропереходах гпТе — 1пР
  • ВЫВОДЫ ПО ТРЕТЬЕЙ ГЛАВЕ
  • ГЛАВА 4. ЭЯЕКГРОЛШИНЕСШНЦШ И ЯВЛЕНИЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В
  • ГЕТЕРОПЕРЕХОДАХ ТЕЛЛУРВД ЦИНКА — ФОСФЦЦ ИНДИЯ
    • 4. 1. Методика исследования электролюминесцентных характеристик и переключения
    • 4. 2. Здектролюминесцентные свойства гетеропереходов гпТе — 1пР
    • 4. 3. Явление переключения в гетеропереходах гпТе — 1пР. вывода 1Ю ЧЕТВЕРТОЙ ГЛАВЕ

Перспектива создания новых, а также расширения функциональных возможностей существующих полупроводниковых приборов электронной техники неотъемлемо связана с разработкой технологии изготовления и исследованием гетеропереходов, которые позволяют сочетать как свойства двух материалов одновременно, так и использовать особенности контактных явлении на границе раздела ?1, 2]. Особый интерес к исследованию гетеропереходов возник после создания в 1966;1970 гг. под руководством академика Ж. И. Алферова эффективно инжектирующих структур в системе алюминий-галл ий-мы-шьяк и новых приборов на их основе: лазеров, светодиодов, селективных фотоприемников и др., 4]. Эти исследования явились основой не только для создания и дальнейшего технического совершенствования самых различных дискретных полупроводниковых приборов, но и для оптоэлектроники и интегральной оптики. Совершенствование эпитаксиальной технологии привело к реализации уникальных свойств гетеропереходов и изготовлению на их основе новых многофункциональных устройств с малой потребляемой мощностью [] 5, 6 ]].

Одним из актуальных направлений современной опто электроники является создание источников излучения в видимой и ближней ИК областях спектра, что связано с необходимостью их использования в индикаторах визуального отображения информации и в системах оптической коммуникации ?7, 8]. Разработка источников электролюминесцентного излучения в заданном спектральном диапазоне идет по пути изготовления гетеропереходов на базе широкого класса известных полупроводниковых соединений с различной шириной запрещенной зоны С 9, 10 3 .

Особое место в этой проблеме занимают структуры на основе соединений аЩ^. Эти широкозонные материалы и их твердые растворы обладают высокими люминесцентными свойствами во всем видимом диапазоне спектра [11 — 14]. Исследования электрофизических свойств соединений аЩ^, и в частности теллурида цинка, показали перспективность его применения в микроэлектронике для создания нелинейных оптических фильтров, лазерных экранов, детекторов ядерного излучения и др. 15 — 18]. Однако монополярная проводимость затрудняет получение эффективно излучающих гайопереходов на основе гпТе, ограничивает выбор пар контактирующих материалов среди соединений аЧв^* и препятствует широкому использованию теллурида цинка в оптоэлектронике [ 19 — 22]. Поэтому перспектива создания инжекционных источников света на основе широкозонного гпТе (Её =2,26 эВ при 300 К) связана с изготовлением гетеропереходов между ним и соединениями Для реализации этой задачи подходящим материалом является фосфид индия. Возросший в последние годы интерес к 1пР обусловлен превде всего уникальными свойствами этого соединения, совершенствованием технологии его получения и созданием идеальных гетеропереходов в системе индий-галлий-мышьяк-фосфор. Ширина запрещенной зоны 1пР (Еб =1,35 эВ при 300 К) позволяет изготовлять на его основе источники излучения в спектральном диапазоне, где потери в световолокне являются минимальными С 23 ] .

Незначительное различие в физико-химических параметрах делает пару материалов теллурвд цинка-фосфвд индия перспективной для создания гетероперехода и реализации излучательных свойств контактирующих соединений в единой приборной структуре. Кроме то-V го, исследование гетеропереходов гпТе — 1пР позволит ¡-расширить понимание физических процессов и явлений, происходящих на границе двух разнородных контактирующих полупроводников. Этим определяется актуальность и целесообразность данного исследования.

Цель настоящей работы заключается в получении гетероперехода гпТе-1аР и комплексном исследовании его электрических и элёктролюминесцентных свойств для определения условий осуществления эффективной инжекции неравновесных носителей заряда и оценки перспектив использования данного гетероперехода при создании светоизлучающих диодов.

Научная новизна работы заключается в том, что впервые получен гетеропереход гпТе-1пР и исследованы протекающие в нем физические процессы. Изучены физико-химические закономерности иособенности роста эпитаксиальных слоев теллурвда цинка на подложках фосфида индия в широком интервале температур. Определены области кубического и смешанного (кубического и гексагонального) фазового состава слоев гпТе, Показано, что при определенных температурах на полупроводниковых подложках 1пР происходит химическое взаимодействие компонент конденсата с материалом подложки с образованием ограниченной области твердого раствора контактирующих соединений. Проведено комплексное исследование электрических и электролюминесцентных свойств гетероперехода гпТе — 1пр и установлена зависимость параметров полученных ге-теродиодов от технологических режимов их изготовления. Показано, что методом осавдения из газовой фазы в квазизамкнутом объеме можно получить гетеропереход гпТе — 1пР с плотностью поверхтп —9 у —т ностных состояний на границе 5 «10 см аВ. На основе полученных экспериментальных данных выявлены доминирующие механизмы прохождения тока при различных условиях и построена зонно-энер-гетическая модель исследуемого гетероперехода. Впервые среди гетеропереходов гпТе — аЩ^ в гетеродиоде гпТе — 1пР обнаружено электолюминесцентное излучение в зеленой области спектра, обусловленное квазшежзонной рекомбинацией носителей, инжектированных из материала подложки inp. В исследуемом гетеропереходе обнаружен эффект переключения с памятью, установлена природа этого явления.

Практическая значимость результатов работы обусловлена тем, что разработана технология получения гетеропереходов ZnTe — inP и выявлена корреляция между технологическими условиями осадцения эпитаксиальных слоев ZnTe и электрофизическими свойствами полученных гетеропереходов. Это позволяет прогнозировать создание структур с заданными характеристиками. Установлена возможность изготовления и разработан способ получения электролюминесцентного гетеродиода ZnTe — InP с малой плотное-, тью поверхностных состояний на границе раздела, излучающего в зеленой и ближней ИК-областях спектра. Внешний квантовый выход Я электролюминесценции структуры достигает 2−10. Обнаружение эффекта переключения с памятью позволяет рекомендовать гетеро-диод ZnTe — InP в. качестве активного элемента в переключающих и триггерных устройствах.

Полученные в процессе работы структуры и результаты проведенных исследований переданы и внедрены на одном из предприятий МЭП (см. Приложение).

Диссертационная работа состоит из введения, 4 глав, общих выводов, списка литературы и приложения.

Основные результаты изложены в следующих работах:

1. Цуркан А. Е., Верлан В. И., Ребров С. А. и др. Получение и исследование электрических свойств гетеропереходов на основе znTe — I11P. — В кн.: Физика и химия сложных полупроводников. Кишинев: Штиинца, 1975, с.127−131.

2. Цуркан А. Е., Радауцан С. И., Ребров С. А. и др. Фоточувствительные излучатели света на основе гетеропереходов теллу-рид цинка — фосфид индия. Резюме докл. У Мевд. совещания по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле. Варна (Болгария), 1976, с. 26.

3. Верлан В. И., Ребров С. А., Руссу Э. В. Электролюминесценция гетеропереходов p-ZnTe — n-1пР. В кн.: Полупроводниковые материалы и их применение. Кишинев: Штиинца, 1976, с.81−86.

4. Ребров С. А., Цуркан А. Е., Бореймогорская JI.A. Влияние образования сложных фаз на неустойчивость тока в р-п гетеропереходах ZnTe — inP. — В кн.: Тройные полупроводники и их применение. Тез. докл. Всес. конф. Кишинев: Штиинца, 1979, с. 208.

5. Ребров С. А. Физические процессы в резких гетеропереходах ZnTe — InP. — В кн.: Фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Кишинев: Штиинца, 1980, с.44−56.

6. Цуркан А. Е., Бужор Л. В., Ребров С. А. и др. Получение и исследование сложных оптоэлектронных приборных структур на основе теллурццов и оксидов цинка. — В кн.: Материалы для оптоэлектроники. Тез. докл. Всес. конф. Ужгород, 1980, с. 44.

7. Цуркан А. Е., Верлан В. И., Ребров С. А. и др. Исследование гетеропереходов р — ZnTe — n — InP, полученных эпита.

— 175 ксией из газовой фазы в квазизамкнутом объеме. — В кн.: Получение и исследование новых материалов полупроводниковой техники. Кишинев: Штиинца, 1980, с.129−138.

8. Цуркан А. Е., Ребров С. А. Поверхностные состояния границы m у.

раздела ZnTe — inP. — В кн.: Физика соединений A B. Тез. докл. Всес. конф. Новосибирск, 1981, с.48−49.

9. Ребров С. А. Разработка приборных структур ZnTe — InP для микроэлектроники. Тез. докл. I Респ. научно-практич. конф. Кишинев, 198I, с. 34.

10. Ребров С. А., Цуркан А. Е. Механизм излучательной рекомбинации в гетеропереходах ZnTe — InP. — В кн.: Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах. Тез. докл. Ш Всес. конф., т.П. Одееса, 1982, с.48−49.

11. Радауцан С. И., Ребров С. А., Цуркан А. Е. Влияние поверхностных состояний на границе на электрические и люминесцентные свойства гетероперехода р — ZnTe — n — InP. — В кн.:

П УТ.

Физика и техническое применение полупроводников AB. Тез. докл. У Всес. совещания, т.П. Вильнюс, 1983, с.123−124.

12. Radautsan S.I., Rebrov S.A., Tsurkan А.Е. Some properties of ZnTe-InP heterojunctions. — Phys. Stat. Sol. (a), 1984, v.84, № 2, p. K169-K171.

В заключение считаю своим долгом выразить благодарность: -руководителю работы, доктору технических наук, профессору Сергею Ивановичу Радауцану за предложенную тему и подцержку при выполнении работык.ф.-м.н. Цуркану А. Е. за постоянное внимание и помощь в ходе проведения работы, а также всему коллективу лаборатории полупроводниковых соединений, где проводилась работа,.

— 172 -ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ОБЩИЕ ШВОДО.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Алферов Ж. И, Гетеропереходы в полупроводниковой электронике, — В кн: Физика сегодня и завтра, — Л: Наука, 1973, с.61−89,и *
  2. A.M. Физика твердого тела и её роль в науке и практике. УФН, 1976, т.118, вып.2, с. 193−198.
  3. .И. Полупроводниковые гетероструктуры (Обзор). -ФТП, 1977, T. II, вып. II, с. 2072−2083.
  4. .И. Гетеропереходы в полупроводниках. В кн.: Физические процессы в гетероструктурах и некоторых соединениях АПВ71. Кишинев: Штиинца, 1974, с. 3−5.
  5. Л.С., Сорокин В. К. Тонкие пленки полупроводниковых соединений (Обзор). Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1969, т.5, № 5, с. 822−852.
  6. Л.С., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971, — 480 с.
  7. Адирович Э. И. Основные идеи и перспективы оптоэлектроники
  8. С Обзор). Изв. ВУЗов СССР. Радиоэлектроника, 1968, т. II, к 7, с. 679−694.
  9. A.M. Некоторые итоги и проблемы развития интегральной оптики. Журнал прикладной спектроскопии, 1982, т.37, вып.6, с. 965−971.
  10. Л.М. Светоизлучающие диоды. Электронная техника, сер.2. Полупроводниковые приборы, 1980, вып. 3(138), с. 100-III.
  11. Ю.Сушков В. П. Многоэлементные полупроводниковые индикаторы для отображения информации. Электронная техника, сер.2. Полупроводниковые приборы, 1980, вып. 3(138), с. 3−30.1. ТТ УТ
  12. А.Н. Широкозонные полупроводники АЧ5 и перспективы их применения (Обзор). УФН, 1974, т.13, № I,-г* 'с. 129−155.
  13. Hartman Н., Mash К., Sell В. Wide gap II-VI compounds as electronic material. Curr. Top. Mater. Sci., И982, v.9, p. 1−414.
  14. С.И., Цуркан А. Е. Теллурид цинка. Кишинев: Шти-инца, 1972, — 203 с.
  15. П.Г., Грибковский В. П., Иванов В. А. Стимулированное излучение нелегированного теллурида цинка при однофо-тонном оптическом возбуждении. Журнал прикладной спектроскопии, 1980, т.32, вып.6, с. 1073−1078.
  16. В.П., Зимин Л. Г., Иванов В. А. и др. Теллурид цинка перспективный полупроводниковый материал для опто-электроники. — Минск, 1979, — 4 с.
  17. Э.А., Стойкова В. Г., Усатый А. Н. Экситонная люминесценция в слоях ZnTe на сапфире. Изв. АН МССР, сер. физ.-техн. и матем. наук, вып.1, 1983, с. 63−65.
  18. И.Н., Алесковский В. Б., СимаШкевич А.В. Эпитакси-альные пленки соединений А^В1. Л.: изд-во ЛГУ, 1978, — 311 с.
  19. А.В. Проблемы химии полупроводников. Вестник АН СССР, 1983, вып. З, с. 9−16.
  20. Физика и химия соединений А^В3^/ пер. с англ. под ред. Медведева С. А. М.: Мир, 1970, — 624 с.
  21. А.В. Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединений А%У1. Кишинев: Штиинца, 1980, — 155 с.
  22. Лазеры на гетероструктурах, т.2 / Под ред. П. Г. Елисеева -М.: Мир, 1981, 364 с.
  23. Carides G., Fisher A.G. The phase diagram of zinc telluride. Solid State Comm., 1964, v.2, № 8, p. 217−218.
  24. Radautsan S.I., Tsurkan A.E., Maksimova O.G. The phase diagram of ZnxCd1-xTe solid solution. Phys. Stat. Sol., 1970, v.37, F>1, p. K9-K11.
  25. Kroger F.A. The P-T-Z phase diagram of the system Zink -Tellurium. J. Phys. Chem., 1965, v.69, № 10, p.3367−3369.
  26. Д.Б., Ормонт Б. Ф., Дне дрова В.Г. и др. Выращивание монокристаллов теллурида цинка в термохимически контролируемых условиях. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1976, т.12, № 5, с. 822−825.
  27. Д.Б., Ормонт Б. Ф., Шистер С. С. и др. Исследование ширины области гомогенности теллурида цинка. Известия ЛЭТИ, 1972, вып.16, с. 30−37.
  28. Brebrick R.F. Partial pressure in the Cd-Te and Zn-Te systems. J. Electrochem. Soc., 1971, v. 118, № 2, p.2014−2020.
  29. Eckelt P. Energy band structures of cubic ZnS, ZnSe, ZnTe and GdTe. Phys. Stat. Sol., 1967, v.23, p. 307−312.
  30. М.В., Савицкий Ав В. Оптические свойства теллурида цинка. Оптика и спектроскопия, 1966, т.20, № 2, с.297−301.
  31. Marine J., Rodot H. P-n junction formation in ion-implanted ZnTe. Appl. Phys. Lett., 1970, v.17, U°8, p. 352−354.
  32. Fisher A.G., Carides J.N., Dresner J. Preparation and properties of n-type ZnTe. Solid State Comm., 1964, v.2,1, p. 157−159.
  33. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник./ Под общ.ред. А. В. Новосёловой. М.: Наука, 1979, — 339 с.
  34. Л.И., Пашельский А. Я., Колесник Л. И. Полупроводникош увые фосфиды АпВ и твердые растворы на их основе. М.:1. Металлургия, 1974, 231 с-t *
  35. Я.А., Битюцкая Л. А., Попова А. Д. 0 кристаллизации фосфида индия из расплава. Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1967, т. З, № II, с. 1988−1993.
  36. Я.А., Гончаров Е. Г., Битюцкая Л. А. Равновесное давление пара над расплавом твердого раствора фосфида и арсенида индия. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1967, т. З, № 9, с. 1555−1560.
  37. Полупроводниковые соединения aV / Под ред. В.Н.Вигдоро-вича и А. Я. Нашельского. М.: Металлургия, 1967, — 727 с.
  38. Uorris M.Т., Stanley C.R. Substrate temperature limits for epitaxy of InP by MBE. Appl. Phys. Lett., 1979, v. 35, № 8, p. 617−620.- 180
  39. Mahajan S., Bonner W.A., Chin А.К. The haracterization of highly-zinc-doped InP crystals. Appl. Phys., Lett., 1973, v. 35, № 2, p. 165−168.
  40. Shinojama S., Uemura c., Yamamoto A. Growth of dislocation -free undoped InP crystals. Jap. J. Appl. Phys., 1980, v.19″ No 6, p. L331-L334.
  41. Ando H., Susa П., Kanbe H. Carrier density profiles in Zn and Cd diffused InP. Jap. J. Appl. Phys., 1981, v.20,3, P. L197-L200.
  42. Autac S., Schlachetzki A. Shallow and selective diffusion of Zn in indium phosphide. Solid State Electron., 1981, v.24, No 1, p. 57−60.
  43. Cardona M., Shaklee K.L., Pollak P.H. Electroreflectance at a semiconductor electrolyte interface. — Phys. Rev., 1967, v.15, № 3, p. 696−720.
  44. Jim W.M. Solid solutions in the psevdobinary (III-V) -(II-VI) systems and their optical and energy gaps.
  45. J. Appl. Phys., 1969, v.40, № 6, p. 2617−2623.
  46. B.M., Крестовников A.H., Нагиев В. А. и др. Исследование фазового равновесия в квазибинарных системах inP-znTe и inP-CdTe. Электронная техника, сер. 6. Материалы, 1972, вып. 4, с. 127−129.
  47. В.М., Нагиев В. Н., Крестовников А. Н. и др. Фазовые равновесия В КВазИбИНарНЫХ СИСТемаХ InP-ZnTe И InP-CdTe. -Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1973, т.9, № II, с. II83-II89.
  48. Tamura Т., Moriizumi Т., Takahashi К. ZnTe-InAs heterojunc-tions prepared by LPE. Jap, J. Appl. Phys., 1972, Ў¦11 f № 7, p. 1024-Ю31.
  49. Moriizumi Т., Takahashi K. Epitaxial vapor growth of ZnTe on InAs. Jap. J. Appl. Phys., 1970, v.9, № 7, p.849−850.
  50. Ota Т., Kanamori A., Takahashi K. Heterodiodes ZnTe thin films on GaAs, InAs, GaP single crystals prepared by vacuum -deposition epitaxy. Phys. Stat. Sol., 1973, v.17A, № 1, p. K5-K7.
  51. Mitsuhiro N., Kazuo Т., Hiroshi 0. Chemical vapor growth of ZnTe on GaAs by the closed-tube method. Jap. J. Appl. Phys., 1979, v.18, № 10, p. 1909−1914.
  52. Mitsuhiro N., Hiroshi 0., Eiichi J. Vapor growth of zinc telluride by close-tube method. Jap. J. Appl. Phys., 1978, v.17, № 3, p. 571−572.
  53. H.H., Шефталь H.H. Получение монокристаллических пленок теллурида цинка из газовой фазы. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1972, т.8, № 3, с. 421−423.
  54. Н.Н., Магомедов Н. Н. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов znTe-GaAs • В кн.: Физические процессы в гетеропереходах: Тез. докл. Всес. конф. Кишинев, 1974, с. 52.
  55. К.К., Калинкин И. П., Сергеева Л. А. и др. Исследование роста и структуры монокристаллических пленок халь-когенидов кадмия и цинка. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1970, т.6, № 3, с. 434−440.
  56. И.П., Воронцов М. Д., Муравьева К. К. и др. Эпитак-сиальный рост пленок ZnTe в квазизамкнутом объеме. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1974, т.10, № 12,с. 2210−2213.
  57. И.П. Процессы вакуумной конденсации и свойства1. ТТ УТэпитаксиальных пленок соединений А^В .: Автореф. дисс. доктора хим. наук. Ленинград: Технологический ин-т, 1977, — 42 с.
  58. Л.С. Кристаллографические особенности осаждения теллуридов кадмия и цинка на арсенид и фосфид галлия.- Физич. электроника, 1977, вып.15, с. 86−90.
  59. Ю.З. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме. М.: Советское радио, 1975, — 236 с.
  60. А.Н. Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок. Новосибирск- Наука, СО АН СССР, 1972, — 44 с.
  61. Scjcafumi J. Epitaxy of single crystal thin films ZnTe by MBE method. Jap. J. Appl. Phys., 1976, v.15, № 6,p. 1001−1007.79.
  62. Takafumi J., Shigeru M. Growth rate and sticking coefficient of ZnSe and ZnTe growth by МВБ. Jap. J. Appl. Phys., 1977, v.16, № 2, p. 369−370.
  63. Kitagama P., Mishima Т., Takahashi K. MBR growth of ZnTe and ZnSe. J. Electrochem. Soc., 1980, v.127, № 4,p. 937−943.
  64. Sreedhar А.К., Sharma B.L., Purohit R.K. Efficiency calculations for some p-n and p-p heterojunctions. Phys. Stat. Sol.(a), 1970, v.3, № 3, p. K217-K221.
  65. Wagner S., Shay J.L., Bachmann K.J. et all. p-InP-n-CdS solar cells and photovoltaic detectors. Appl. Phys. Lett., 1975, v.26, № 5, p. 229−230.
  66. Shay J.L., Bachmann K.J., Bettini M. et all. Preparation and properties of InP-CdS solar cells. J. Appl. Phys., 1976, v.47, № 2, p. 614−618.
  67. Coutts Т"J., Lowson K.J. p-InP-n-CdS heterojunctions solar cells. IEEE J. Solid state Electron Dev., 1978, № 2, spec, issue, p. 67−68.
  68. InP CdS фотодиод. Патент США Jfc 672 878 MKM Н OIL 31/04, публ. 2.04.76.
  69. Shay J.L., Wagner S., Phillips J.C. HetегоJunction banddiscontinuities. Appl. Phys. Lett., 1976, v.28, № 1, p. 31−33.
  70. Wagner S., Shay J. L", Bachmann K.J. et all. Electroluminescent p-InP-n-CdS heterodiodes. Appl. Phys. Lett., 1976, v.29, № 7, p. 431−432.
  71. Отжиг полупроводников Ш-Увн^ «улучшающий осавденяе Qds при изготовлении гетеропереходов. Патент США te 718 386 МКМ (Н 01 L 21/205, H 01 L 21/302), дубЛ. 2.08.77.
  72. Bettini M., Bachmann K.J., Shay J.L. Preparation of CdS-InP solar cells by chemical vapor deposition of CdS. -J. Appl. Phys., 1977, v.48, № 4, p. 1603−1606.
  73. Bettini M., Bachmann K.J., Shay J.L. CdS-InP and CdS-GaAs heterojunctions by chemical vapor deposition of CdS.
  74. J. Appl. Phys., 1978, v.49» № 2, p. 865−870.97* Shay J.L., Wagner S., Bachmann K.J. et all. InP-CdS solar cells. IEEE Trans. Electron. Dev., 1977, v.24, № 4, p. 483−486.
  75. Kaminov Y.P., Stulz L.W., Stanley B. I). Sputtering of poly- 186 crystalline InP on GdS and other substrates. J. Vac. Science and Technol., 1977, v.14, № 4, p. 1029−1031.
  76. Yoshikawa A., Sakai Y. High efficiency n-CdS/p-InP solar cells prepared by close-spaced technique. Sol. State Electron., 1977, v.20, 2, p. 133−137.
  77. Bachmann K.J., Shay J.L. Polycrystalline thin-films InP -CdS solar cells. Appl. Phys. Lett., 1976, v.29, № 2, p. 121−123.
  78. Wagner S., Bachmann K.J., Bettini M. Chemistry and preparation of InP-CdS solar cells. J.Cryst. Growth, 1977, v.39, № 1, p. 128−136.
  79. Л.В., Руссу Э. В., Киторача Л. Д. и др. Солнечные элементы на основе гетеропереходов с р±п-р+ структурой. ЖТФ, 1983, т.53, «I, с. 199−201.
  80. Ю5. Горчак Л. В., Гилан Э. В., Руссу Э. В. и др. InP-CdS гетеро-фотоцреобразователи и их температурные характеристики под АМО. Гелиотехника, 1983, вып.4, с. 10−13.
  81. Ю6. Мехтиев АД., Бадалов А. З., Гусейнов И. А. Фотоцреобразо-ватель на основе Gds-inp гетероструктуры. Письма в ЖТФ, 1983, т.9, № 3, с. 170−173.
  82. Soc., 1963, v.110, p. 53−56. 109. Oldham W.G., Milnes A.G. Interface states in abrupt semiconductor hetero-Junctions. Solid State Electron., 1964, v.7, № 2, p. 153−165.
  83. Hartmann H. Vapor phase epitaxy of II-VI compounds: a Review. J. Cryst. Growth, 1975, v.31, p. 323−322.
  84. С.И., Цуркан А. Е. Получение и исследование люминесцентных свойств фоточувствительннх гетеропереходов на основе теллурида цинка. В кн.: Фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Кишинев: Штиинца, 1980, с.31−40.
  85. А.Е., Верлан В. И., Ребров С. А. и др. Получение И' исследование электрических свойств гетеропереходов на основе ZnTe и inp . В кн.: Физика и химия сложных полуцроводников. Кишинев: Штиинца, 1975, с. I27-I3I.
  86. С.А. Физические цроцессы в резких1 гетеропереходахznTe-inP. В кн.: Фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Кишинев: Штиинца, 1980, с. 44−58.
  87. В.В. Прецизионные регуляторы температуры. М.: Энергия, 1973, — 136 с.
  88. Радауцан С. И, Руссу Э. В. Выращивание и некоторые свойства объемных кристаллов фосфида индия. В кн.: Полупроводниковые материалы для твердотельной электроники. Кишинев: Штиинца, 1982, с. 75−85.
  89. Г. И., Попова Т. О., Руссу Э. В. и др. Химические полирующие травители для фосфида индия. Изв. АН МССР, сер. физ.-техн. и матем. наук, 1983, выпЛ, с. 65−67.
  90. А.Е., Ребров С. А. Поверхностные состояния границы раздела znTe-inP . В кн.: Физика соединений А%у: Тез. докл. Всес. конф. Новосибирск, 1981, с. 48−49.
  91. А.Е., Бужор Л. В., Ребров С. А. а др. Получение и исследование сложных оптоэлектронвых приборных структур на основе теллуридов и оксидов. В кн.: Материалы для оптоэлектроники: Тез. докл. Всес. конф. Ужгород, 1980, с. 44.
  92. Aven М., Segall В. Carrier mobility and shallow impurity states in ZnSe and ZnTe. Phys. Rev., 1963, v.130, № 1, p. 81−91.
  93. Miksis M.G., Mandel G., Morehead P.P. Injection EL in p-type ZnTe. Phys. Lett., 1964, v.11, № 2, p. 202−203.
  94. Watanabe N., Usui S., Kanai Y. Injection luminescence in ZnTe diodes. Jap. J. Appl. Phys., 1964, v.3, № 5,p. 427−428.
  95. Crowder B, L., Hammer W.H. Shallow acceptor states in ZnTe a nd CdTe. Phys. Rev., 1966, v.150, 2, p. 541−545.
  96. B.C. Эмиссионные свойства материалов. Киев: Нау-кова думка, 1970, — 145 с.- 189
  97. Шик А. Я. Вольтамперная и вольтфарадная характеристики реальных гетеропереходов. ФТП, 1980, т.14, вып.9, с. 1728−1737.
  98. Anderson R.L. Experiments on Ge-GaAs heterojunctions. -Solid State Electron., 1962, v.5, № 2, p. 341−348.
  99. Donelly J.P., Milnes A.G. The capacitance of p-n heterojun-ctions including the effects of interface states. IEEE Trans. Electron. Dev.,.1967, v. ED-14, № 2, p. 63−68.
  100. Шик А.Я., Шмарцев Ю. В. 0 влиянии состояний на границе раздела на свойства гетеропереходов. ФТП, 1980, т. 14, вып. 9, с. 1724−1727.
  101. Шик А.Я., Шмарцев Ю. В. Физические явления в неидеальныхгетеропереходах A%y- si. В кн.: Физика соединений1. Ш У ~
  102. АШВ'- Тез. докл. Всес. конф. Новосибирск, 1981, с. 20−21.
  103. Shik A.Y., Shmartsev Y.V. On the theory of non-ideal hete*-rojunctions. Phys. Stat. Sol.(a), 1981, v.64, № 2,p. 723−734.
  104. Ruyven L.Y., Papenhuijren Y.M.P., Verhoeven A.C.Y. Optical phenomena in Ge-GaP heterojunctions. Solid State Elect». ron., 1965, v.8, № 8, p. 631−640.
  105. O.B. Получение и исследование электрофизических свойств гетеропереходов zn Cd1 Te-insb(inAs).: Автореф. jC I Jtдисс.. канд.физ.-шт.наук. Кишинев: Ин-т прикладной физики АН MCGP, 1984, — 16 с.
  106. A.M., Сенокосов Э. А. Электропроводность пленок znse в сильных электрических полях. В кн.: Материалы докл. У1 научно-яехнич.конф. политехнич. ин-та: Кишинев, 1970, с. 63.- 190
  107. Hovel H.J., Milnes A.G. Electrical characteristics of n-ZnSe-p-Ge heterojunctions. Int. J. Electron., 1968, v.25, № 2, p. 201−208.
  108. Popov A.S., Trifonova E.P. N-p heterojunctions CdSnAs2 -InP. Phys. Stat. Sol.(a), 1980, v.58, № 2, p. 679−684.
  109. Rihen A.R., Feught D.L. Electrical transport in nGe -pGaAs heterojunctions. Int. J. Electronics, 1966, v.20, № 6, p. 583−589.
  110. Nathan M.J., Morgan Т.К., Bruns G. High energy emission in GaAs electroluminescent diodes. Phys. Rev., 1966, v, 146, 2, p. 570−574.
  111. Фок M.B. Развитие представлений о механизме электролюминесценции. -Изв. АН СССР, сер. физическая, 1981, т.45, № 2, с. 376−379.
  112. В.И., Ребров С. А., Руссу Э. В. Электролюминесценция гетеропереходов znTe-inp . В кн.: Полупроводниковые материалы и их применение. Кишинев- Штиинца, 1976, с. 81−86.
  113. С.И., Цуркан А. Е., Ребров С. А. Фоточувствительные излучатели света на основе гетеропереходов теллурид цинка фосфид индия. — В кн.: Резюме докл. 5 Мевд.совещ. по фотоэлектрич. и оптич. явлениям в твердом теле. Варна (Болгария), 1976, с. 26.
  114. С.А., Цуркан А. Е. Механизм излучательной рекомбинации в гетеропереходах znTe-inP . В кн.: Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах, ч. П: Тез. докл. III Веес. конф. Одесса, 1982, с. 48−49. «
  115. Radautsan S.I., Rebrov S.A., Tsurkan A.E. Some properties of ZnTe-InP heterojunctions. Phys. Stat. Sol.(a), 1984,2, p. K169-K171.
  116. O.A., Цуркан A.E., Бореймогорская I.A. Влияние образования сложных фаз на неустойчивость тока в р-п гетеропереходах ZnTe-InP . В кн.: Тройные полупроводники и их применение: Тез. докл. Всес. конф. Кишинев, 1979, с. 208.
  117. O.A. Разработка приборных структур ZnTe-InP для микроэлектроники. В кн.: Тез. докл. I Респ. науч.-цракта ч. конф. Кишинев, 1981, с. 24.
  118. Н.Ф. Измерение параметров приборов оптоэлектроники. -М.: Радио и связь, 1981, 365 с.
  119. В.В., Чиркин Л. К., Шинков А. Д. Полупроводниковые приборы. М.: Высшая школа, 1961, — 431 с.
  120. Верещагин И, К. Электролюминесценция кристаллов. М.: Наука, 1974, — 280 с.
  121. Н.И., Федченко А. Н., Цыркунов Ю. А. Исследование влияния толщины электролюминесцентных пленок на некоторые их характеристики. Журнал прикладной спектроскопии, 1981, т.35, вып.2, с. 292−298.
  122. A.A., Глазов В. М., Белоусов П. С. Неупорядоченные сплавы на основе селена и явления переключения в них. -Обзоры по электронной технике, сер.6, Материалы. М.: ЦНИИ Электроника, 1979, вып.3,(626), — 56 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!