Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электронная структура и физические свойства соединений d-и f-металлов

Диссертация: Электронная структура и физические свойства соединений d-и f-металлов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Методом ЛППВ выполнен самосогласованный релятивистский расчет электронной структуры и параметров электрон-фононного взаимодействия в моносульфиде лантана. Проведена оценка температуры сверхпроводящего перехода Тс. Систематическое сравнение с аналогичными данными для г. ц. к, лантана позволило установить причины, приводящие к уменьшению Тс при разбавлении лантана серой. На основании проведенного… Читать ещё >

Электронная структура и физические свойства соединений d-и f-металлов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ВВВДЕНИЕ
  • ГЛАВА I. ТЕОРИЯ ФУНКЦИОНАЛА ПЛОТНОСТИ ДЛЯ РАСЧЕТОВ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ
    • 1. 1. Основные положения теории функционала плотности
    • 1. 2. Приближение локальной плотности. Обмен и корреляция в однородной электронной жидкости
    • 1. 3. Релятивистские эффекты в приближении функционала локальной плотности. Скалярно-релятивистское приближение
    • 1. 4. Расчет возбужденных состояний в приближении функционала локальной плотности. Метод переходного состояния Слэтера
    • 1. 5. Метод Х^
    • 1. 6. Применение теории функционала локальной плотности к атомам. Расчет поляризуемостей и квантовых дефектов
  • ГЛАВА II. МЕТОДЫ ЗОННОЙ ТЕОРИИ И ИХ РЕАЛИЗАЦИЯ
    • 2. 1. Формализм и реализация методов ОПВ и МОПВ
    • 2. 2. Реализация метода ППВ
    • 2. 3. Комбинированная схема ППВ-ЛКАО
    • 2. 4. Самосогласование в зонной теории
    • 2. 5. Реализация самосогласованного релятивистского метода ЛШВ
  • ГЛАВА III. ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДОВ ЗОННОЙ ТЕОРИИ ДЛЯ РАСЧЕТОВ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ ПРОСТЫХ, ПЕРЕХОДНЫХ И РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ МЕТАЛЛОВ
    • 3. 1. Расчет зонной структуры ванадия и ниобия методами ШИВ и ПИВ
    • 3. 2. Зонная структура европия
    • 3. 3. Изучение электронной структуры лития методом
    • 3. 4. Влияние-приближения на электронную структуру металлов. ПО
    • 3. 5. Самосогласованная зонная структура и спектр люминесценции в алюминии
  • ГЛАВА 1. У. ЭЛЕКТРОННАЯ ЗОННАЯ СТРУКТУРА И ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ d -МЕТАЛЛОВ С р-ЭЛЕМЕНТАМИ
    • 4. 1. Соединения А^В
    • 4. 2. Роль d-состояний металла при образовании электронной структуры соединений A%
    • 4. 3. Электронная структура и фазовые переходы под давлением в соединении CuC
    • 4. 4. Зонная структура и спектральные свойства соединений AgP, AgCl и AgBr
  • ГЛАВА V. ЭЛЕКТРОННАЯ ЗОННАЯ СТРУКТУРА И ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ f-МЕТАЛЛОВ
    • 5. 1. Электронная структура и фазовый переход полупроводник-металл в монохалькогенидах самария
    • 5. 2. Самосогласованная электронная структура и сверхпроводимость в Las. Сравнение с г. ц.к. лантаном
    • 5. 3. Самосогласованная релятивистская зонная структура и подавление сверхпроводимости в соединении TmS
    • 5. 4. Спин-поляризованная электронная структура и магнитные свойства монохалькогенидов европия
    • 5. 5. Электронная структура соединения с промежуточной валентностью SmBg
  • ГЛАВА VI. СПЕКТРАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ f -МЕТАЛЛОВ
    • 6. 1. Метод расчета спектральных свойств соединений редкоземельных: металлов
    • 6. 2. Спектральные свойства гексаборида самария
    • 6. 3. Спектральные свойства монохалькогенидов самария и европия
    • 6. 4. Спектральные свойства соединения las
    • 6. 5. Рентгеновские ljjj-спектры поглощения в соединениях f -металлов с промежуточной валентностью

Диссертация посвящена теоретическому изучению электронной структуры и обусловленных ею физических свойств соединений dи fметаллов, проведенному на основе теории функционала плотности современными вычислительными методами.

Актуальность темы

Развитие теории твердого тела и вычислительной техники привело к созданию современных методов расчета электронной структуры, на базе которых стало возможным проведение вычислений из первых принципов основных физических характеристик кристаллов. До настоящего времени такие исследования развивались в основном для чистых металлов, что связано в первую очередь с простотой их кристаллической структуры, а также со специфическими свойствами, приводящими к упрощенной модели для эффективного потенциала. В то же время требования, предъявляемые современной техникой, вынуждают проводить фундаментальные исследования соединений с разнообразными физическими свойстваш с целью создания кристаллов с заранее заданными характеристиками. d — и f — Металлы в сочетании с другими элементами образуют практически неограниченное количество соединений с уникальными физико-химическими свойстваш. Экспериментальные исследования таких кристаллов, имеющих сложную электронную структуру, не могут дать однозначных результатов об их электронном строении, что приводит в некоторых случаях к определенным затруднениям при трактовке важных физических свойств. Особенно сильно эти затруднения проявляются при изучении фазовых превращений, происходящих под давлением, спектральных, магнитных и электрофизических свойств соединений fметаллов, что связано с особенностью их электронного строения — наличием одновременно делокализованных и локализованных состояний* В связи с этим особую роль приобретает теоретический расчет электронной структуры и физических свойств исследуемых кристаллов* Такой расчет из первых принципов, основанный на теории функционала плотности, позволяет дать объяснение многим экспериментальным фактам, вскрыв при этом механизм физического явления и установив закономерности его протекания при различных внешних воздействиях, и тем самым способствовать развитию теоретически обоснованного направления в поиске материалов с необходимыми свойствами* Кроме этого, сравнение физических характеристик, полученных теоретически и экспериментально, дает возможность судить о правомерности и общности приближений, заложенных в теорию* Последнее обстоятельство трудно переоценить в связи с наметившимся в самое последнее время существенным сдвигом в решении общетеоретической задачи расчета из первых принципов электронной структуры многочастичных систем (атомов, молекул, кластеров, идеальных кристаллов, кристаллов с дефектами, поверхностей) в рамках единой схемы, основанной на теории функционала плотности*.

Каждый метод зонной теории в силу приближений, которые в нем с неизбежностью заложены, может быть применен лишь к определенному классу веществ* В связи с этим для исследования электронной структуры соединений, обладающих самым разнообразным спектром физических свойств, возникает необходимость разработки комплекса из нескольких методов, которые по своим характеристикам должны дополнять друг друга*.

До настоящего времени зонная теория и теория сильно локализованных состояний развивались, по сути дела, параллельно* Поэтому с теоретической точки зрения очень важной является задача расчета в рамках единого подхода делокализованных и локализованных состояний в твердом теле*.

Дельт работы является расчет из первых принципов в рамках теории функционала плотности электронно! структуры и определяемых ев физических свойств соединений а. — и fметаллов для установления механизма физических явлений и его особенностей при изучении фазовых переходов (структурных и изоструктурных), происходящих под давлением, спектральных, магнитных и электрофизических свойств* При этом на основе созданного комплекса программ, реализующего пять современных методов зонной теории и метод расчета атомных структур, основное внимание уделялось следующим вопросам:

— расчету (при необходимости релятивистскому) атомной и зонной структуры;

— теоретическому распределению электронной зарядовой плотности для выяснения природы химической связи в соединениях;

— построению поверхности Ферми;

— теоретическому расчету оптических, рентгеновских, рентгенои фотоэлектронных спектров;

— изучению электронной структуры и выявлению на ее основе физических механизмов при фазовых переходах, происходящих под давлением;

— вычислению параметров электрон-фононного взаимодействия для теоретической оценки температуры сверхпроводящего перехода и объяснению ее поведения в различных 1фисталлах;

— спин-поляризеванному расчету ферромагнитных структур для объяснения магнитных свойств соединений fметаллов;

— расчету в рамках единого подхода делокализованных и локализованных состояний в соединениях fметаллов и выяснению природы их взаимодействия;

— объяснению с точки зрения реальной электронной структуры явления промежуточной валентности;

— сравнению теории и эксперимента.

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения, трех приложений и списка литературы.

Основные результаты теории проекционных операторов.

Для каждого неприводимого представления В группы Gfr волнового вектора к можно построить if операторов j* А llX (Rm) Rtn пт fa fal I"-)* где li — размерность jго неприводимого представления, п ftfc) л г л -* — порядок группы %, Jdtn 11 + Т^] - элементы пространственной группы Q. Операторы (П1,1) обладают тремя замечательными свойствами: h л '.

К р^я =21 Pf* х ' (п"е Ф> (П1−3) п1 — Л1 J (П1.4) из которых непосредственно следует, что операторы (П1.1) при любом фиксированном fi дают все функции-партнеры по базису jго неприводимого представления группы Qg, и что всего ij операторов р^л в*®Данном р полностью определяют неприводимое представление В^, так как остальные операторы р^я, () связаны с ними, согласно (П1.2) и (Ш.4), соотношением.

J fj J (Ш-5) ржя.

Практически эти свойства операторов (П1.1) проявляются в хорошо известной теореме Вигнера [252] о факторизации матрицы гамильтониана, составляющей основу использования методов теории групп в зонных расчетах. Согласно этой теореме при построении симметризованных функций достаточно использовать лишь операторы J.

Pi Л ^ ^ = I" 2,)¦ с помощью этих операторов из произвольной функции ^(Т) можно построить ij симметризованных функций (Г), среди которых, вообще говоря, не все функции линейно независимы. Число линейно независимых функций определяется кратностью, с которой данное jое неприводимое представление входит в представление (вообще говоря, приводимое), инлуцил руемое набором взаимно-эквивалентных функций {Rn "? , которое всегда легко построить, если известно как операторы Йп действуют на функцию ^(f) • Тогда число независимых симметризованных функций равно пШ.

П1,6) m-i где X (Rm) и XJ (RM) — характеры соответственно приводимого и неприводимого представлений группы •.

Очевидно, использование в качестве функции-прототипа $ Л эквивалентной ей функции У (Rn 6 чк) не изменяет базиса приводимого представления и его характеров и, кроме тог©-, дает бужквдй pixlf ,.

II.7) р! я i — L i f т га" О я* ^Ilvi^nLittjKjs 5 эе.

Следовательно, при фиксированном Я (например, Л = I), исполь, А * зование функций ^ Rn%(f) вмеето функций (^ - X, 2″ ••• ^) эквивалентно линейному преобразованию базиса, которое не влияет на собственные значения и собственные функции квантово-механического оператора* комбинации плоских волн.

Как было показано, например, в [24] для построения симмет-ризованных функций блоховското типа достаточно рассматривать неприводимые представления точечных груш волновых векторов. Поэтому построение СКПВ можно проводить одним оператором проектирования вида п («Го).

Pi ~ Д^) ^^ Ду ({^ml^Dlofmlr^},.

Ш.8) т=1 где n (QГо) с (т I %Гт} — чистых транс, неприводимого изоморфной группе fe jmiMW порядок точечной в.

Т, волнового вектора Gjyr, группы по подгруппе — матричные элементы jго фактор-группы fc/T ,.

Симметризованные плоские волны имеют вид:

1.9) т где п и ке ФОРТРАН для нами в [ИЗ] • на алгоритмическом язы-группы были опубликованы.

Проблема построения ССГ возникает в зонной теории, если в качестве координатных да ССГ имеют вид 4.

Ш.11).

Здесь сумма no t означает суммирование по атомам данного Sго п I’m' ni — ^ вектора Y5t и ^' связаны между собой следующим образом: = o^i+'S-R, где? — вектор

Til*/ вди. В (П1.12) JJ неприводимые представления полной группы шь.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В заключении сформулируем основные результаты, полученные в диссертации:

1, На основании приближения функционала локальной плотности предложена оригинальная реализация программы самосогласованных релятивистских расчетов атомных структур. Описана схема расчета возбужденных состояний в теории функционала плотности, использующая метод переходного состояния Слэтера. Показано, что теория функционала плотности дает правильный результат в двух предельных случаях: однородного невзаимодействующего электронного газа и сильно взаимодействующих электронов, В приближении функционала локальной плотности для атомов инертных газов проведены вычисления их поляризуемостей, а для щелочных атомов рассчитаны высоковозбужденные ридберговские состояния и квантовые дефекты,.

2, Описан формализм и реализация пяти современных методов зонной теории твердого тела: ОПВ, ЮПВ, ППВ, ППВ-ЖАО и самосогласованного релятивистского ЛППВ. Показано, что при проведении самосогласованных релятивистских вычислений наиболее эффективной является двухступенчатая схема, применение которой позволяет делать расчеты зонной структуры соединений тяжелых? -металлов на ЭВМ среднего класса. Комплекс программ, реализующий эти пять методов, может быть использован для кристаллов с любым видом химической связи,.

3, На примере расчетов электронной структуры простых, переходных и редкоземельных металлов проиллюстрированы возможности методов ОПВ, МОПВ, ППВ и ЛППВ, Показано, что методы МОПВ и ППВ дают количественно совпадающие результаты при использований одного и того же МТ-потенциала. Тщательно исследована зависимость энергетического спектра электронов от МОПВ-параметров и выработаны общие рекомендации по их выбору. Изучено влияние МТ-прибли-жения на электронную структуру всех исследуемых металлов. Методом ЛППВ проведен самосогласованный расчет зонной структуры, алюминия и изучено поведение итерационного процесса при различных схемах самосогласования. Рассчитан спектр люминесценции, возникающей при разрушении алюминиевых проводников МГД-неустойчивостью. В области длин волн от 150 до 300 нм, еще не иеследованной экспериментально, предсказана серия мощных пиков.

4. Методом ОПВ рассчитана электронная структура дифосфида кремния. Теоретически доказано, что данное соединение обладает металлической проводимостью, что находится в согласии с имеющимися экспериментальными данными. Показано, что структура зон вблизи уровня Ферми представляет собой комбинацию dподобных t2g и eg состояний. Построена поверхность Ферми и проведена интерпретация эффекта де Гааза — ван Альфена. Сделан вывод, что металлические свойства у дифосфида 1фемния выражены сильнее, чем у традиционного полуметалла висмута. Получено распределение электронной плотности заряда и определен таким образом характер химической связи в siP2 .

5. Изучена роль локализованных dэлектронов цинка и кадмия при формировании электронной структуры соединений типа Показано, что dсостояния оказывают существенное влияние на состояния валентной зоны и полосы проводимости, в значительной степени определяя важнейшие характеристики полупроводника — ширину запрещенной зоны и эффективные массы электронов и дырок. Проведена подробная интерпретация экспериментальных данных по оптическим, рентгеновским, рентгенои фотоэлектронным измерениям с учетом dсостояний металла в валентной зоне.

6. Исследована электронная структура и фазовые переходы под давлением в хлористой меди. Методом МОПВ рассчитан энергетический спектр электронов CuCi в двух фазах со структурами цинковой обманки и каменной соли и в широких интервалах изменения постоянной решетки, что позволило проследить поведение электронных состояний как при увеличении давления на кристалл хлористой меди, так и при структурном фазовом переходе znS —Naci и сделать при этом качественные выводы об энергетической природе фазовых переходов. Объяснено аномальное поведение удельного электросопротивления в CuCi под давлением и обнаружена непрямая щель (~1,8 эВ) в фазе с решеткой каменной соли. Посчитана гипотетическая величина постоянной решетки, при которой произойо дет «охлопывание» этой щели, равная 5,45 А, Методом ППВ-ЖАО рассчитана электронная структура галогенидов серебра и на ее основе изучены спектральные свойства этих соединений. Показано, что длинноволновый максимум в спектре поглощения хлористого серебра, вопреки сложившемуся мнению о его экситонной природе, формируется при комнатной температуре в основном межзонными переходами,.

7. Методом. ППВ рассчитана электронная структура монохалькогенидов самария. Исходя из реальной зонной структуры, изучена природа изоструктурного (WaCi -—- Naci) фазового перехода полупроводник-металл, происходящего в этих соединениях под давлением, Установлено, что фазовые превращения в монохалькогенидах самария являются результатом конкуренции двух типов взаимодействия: (f, d)-взаимодействия, приводящего к проникновению fполосы в d-подобную зону проводимости и образованию металлических фаз с промежуточной валентностью, и (f, р) — взаимодействия, которое с ростом давления препятствует гибридизации fи d-состояний и образованию металлических фаз. С точки зрения реальной электронной структуры объяснено явление промежуточной валентности и посчитана валентность металлической фазы соединения SmS, равная 2,61, что находится в хорошем согласии с экспериментальными данными. Изучен структурный (ЫаС1 —-CsGi) фазовый переход, происходящий под давлением в соединении SmTe •.

8. Методом ЛППВ выполнен самосогласованный релятивистский расчет электронной структуры и параметров электрон-фононного взаимодействия в моносульфиде лантана. Проведена оценка температуры сверхпроводящего перехода Тс. Систематическое сравнение с аналогичными данными для г. ц.к, лантана позволило установить причины, приводящие к уменьшению Тс при разбавлении лантана серой. На основании проведенного методом ЛППВ самосогласованного релятивистского расчета электронной структуры моносульфида тулия исследованы причины, приводящие к подавлению сверхпроводимости в этом соединении. Показано, что Tms является высокотемпературной Кондо-системой. Объяснен аномальный ход удельного электросопротивления Ems при низких температурах. Теоретически установлено, что валентность атома тулия в Tms равна + 3.

9. Для ферромагнитных монохалькогенидов европия методом ППВ проведен спин-поляризованный расчет электронной структуры. Теоретически полученное значение магнитного момента иона европия в этих соединениях находится в хорошем согласии с экспериментальными данными. Изучена роль (f, р)-взаимодействия при интерпретации магнитных свойств монохалькогенидов европия. Установлено, что это взаимодействие приводит к уменьшению температуры Кюри с ростом атомного номера р-элемента. Выделены три основных вида обменных взаимодействий и качественно оценен вклад каждого из них в обменные интегралы JQI и jq2 и их влияние на температуру Кюри.

Ю, Методом МОПВ выполнен расчет электронной структуры соединения с промежуточной валентностью SmBg. Показано, что в отличие от моносульфида самария дно зоны проводимости у гексаборида самария образовано не, а -, а р-подобными состояниями. Теоретически вычислена валентность в SmB6, равная 2,4.

II. Предложен теоретический метод, позволяющий на основе единой расчетной схемы учитывать одновременно как зонный характер состояния электронов в редких землях, так и их сильную локализацию. В рамках новой методики проведены расчеты и интерпретация оптических, рентгеновских, рентгенои фотоэлектронных спектров большой группы соединений f-металлов. Установлено, что при наличии частично заполненной f-оболочки основные особенности в наблюдаемых спектрах связаны с мультиплетной структурой возбужденных состояний. Особенно сильно этот эффект проявляется в рентгенои фотоэлектронных спектрах. На основе теории функционала плотности проведено теоретическое обоснование использования.

Lабсорбционной спектроскопии при изучении явления промежуточной валентности.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Pock V. Haherungs methode zur Losung des quantenmechanischen MehrkSrperproblems. — Z. Phys., 1930, v. 61, No 1.- 2, p. 126 148.
  2. Lipari И.О. Hartree-Fock energy bands for krypton. Phys. stat. sol. (b), 1970, v. 40, Ho 2, p. 691 — 699.
  3. Schaefer H.P., III. The electronic structure of atoms and molecules. A survey of rigorous quantum mechanical results. -Reading, Mass.e.a.: Addison-Wesley Publ. Co., 1972. X, 437 p.
  4. Hohenberg P., Kohn W. Inhomogeneous electron gas, Phys. Rev., 1964, v. 136 В, Ho 3, p. 864 — 871.
  5. Kohn W., Sham L.J. Self-consistent equation including exchange and correlation effects. Phys. Rev., 1965, v. 140 A, Ho 4, p. 1133 -И38.
  6. Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. М.: Мир, 1978. — 662 с.
  7. Herman P., Skillman S. Atomic structure calculations. Hew Jersey: Prentice Hall, Englewood Cliffs, 1963. — 421 pp.
  8. Johnson K.H. Scattered-wave theory of the chemical bond. Adv. Quant. Chem., 1973, v. 7, Ho 2, p. 143 — 185.
  9. Дж. Метод X^ . В кн.: Полуэмпирические методы расчета электронной структуры. — М.: Мир, 1980, с. 139 — 171.
  10. Moruzzi V.L., Janak J.P., Williams A.R. Calculated Electronic Properties of Metals. Oxford: Pergamon, 1978. — 188 pp.
  11. Gunnarson 0., Lundqvist B.I. Exchange and correlation in atoms, molecules, and solids by the spin-density-functional formalism. Phys. Rev., 1976, v. В 13, Ho 10, p. 4274 -4298.
  12. Vosko S.H., Wilk L., Nusair M. Accurate spin-dependent electron liquid correlation energies for local spin density calculations: a critical analysis. Can. J. Phys., 1980, v. 58, Ho 8, p. 1200 — I2II.
  13. Koelling D.D., Harmon B.N. A technique for relativistic spin-polarized calculations. J. Phys., 1977, v. С 10, No 16, p. ЗЮ7 3H4.
  14. Takeda T. Scalar relativistic approximation. Z. Phys., 1978, v. В 32, Ho I, p. 43 — 48.
  15. Gollisch H., Fritsche L. Relativistic one-particle equation for electron states of heavy metals. Phys. stat. sol. (Ъ), 1978, v. 86, Но I, p. 145 — 150.
  16. Theophilou A.K. The energy density functional formalism for exited states, J. Phys., 1979, v. С 12, No 24, p. 5419 -5430.
  17. Л., Вуд Дж., Свитендик А. Расчет электронных энергетических зон с помощью симметризованных присоединенных плоских волн. В кн.: Вычислительные методы в теории твердого тела.-М.: Мир, 1975, с. 75 — 163.
  18. Louks T.L. Augmented Plane Wave Method. New York: Behjamin W.A. Inc., 1967. — 150 pp.
  19. Дж. Вычисление блоховских функций. М.: Мир, 1973. -160 с,
  20. Andersen O.K. Linear methods in band theory. Phys. Rev., 1975, v. В 12, No 8, p. 3060 — 3083.
  21. Koelling D.D., Arbman G.O. Use of energy derivative of the radial solution in an augmented plane wave method: applica -tion to copper. J. Phys., 1975, v. P 5, No II, p. 20 412 054.
  22. Herring C. New method for calculating wave functions in crystals. Phys. Rev., 140, v. 57, No 5, p. И69 — И79.
  23. .И., Широковский Б. П. Реализация метода ортогонализо-ванных плоских волн. ШМ, 1971, т. 32, № 5, с. 934 — 946.
  24. Deegan R.A., Twose W. D, Modifications to the orthogonalized-plane-wave method for use in transition metals- electronic band atructure of niobium. Phys. Rev., 1967, v. 164, Ho 3, p. 993 — Ю05.
  25. H. Обобщения релятивистского ОПВ-метода с учетом перекрывающихся и неперекрывающихся орбиталей. Б кн.: Вычислительные методы в теории твердого тела. — М.: Мир, 1975, с. 164 191.
  26. С.И. Применение модифицированного метода ортогона-лизованных плоских волн для расчетов зонной структуры кристаллов. Дис,. канд. физ. — мат. наук. — Воронеж, 1981.148 с.
  27. Slater J.C., Koster G.F.Simplified LCAO method for the periodic potential problem. Phys. Rev., 1954, v. 94, Ho 6, p. 1498 1524.
  28. Mattheiss L.P. Electronic structure of the 3d transition metal monoxides. I. Energy-band results. Phys. Rev., 1972, v. В 5, No 2, p. 290 306.
  29. MacDonald A.H., Pickett W.E., Koelling D.D. A linearised rela-tivistic augnented-plane-wave method utilising approximate pure spin basis functions. J. Phys., 1980, v. С 13, No 13, p. 2675 — 2683.
  30. БД. Фотолюминесценция жидких и твердых веществ. -М.-Л.: ГИТТЛ, 1951. 456 е.
  31. К.Б., Перегуд Б. П. Излучение металлов при электрическом взрыве. ЖТФ, 1971, т. 41, Л 10, с. 2216 — 2225.
  32. М.И., Перегуд Б. П. Люминесценция меди при разрушении проводников с током МГД неустойчивостью. ЖГФ, 1981, т. 51,3, с. 618 627.
  33. Donohue P.O., Siemons W.J., Gillson J.L. Preparation and properties of pyrite-type SiP2 and SiAs2. J. Phys. Chem. Solids. X968, v. 29, Ho 4, p. 807 — 813.
  34. Marcus S.M. Measurement of the de Haas-van Alphen effect in the pyrite structure SiP2. Phys. Letters, 1967, v. 25 A, Ho 6, p. 468 — 469.
  35. Marcus S.M., Donohue P.C. Measurement of the de Haas-van Alphen effect in the pyrite-type structure SiP2. Phys. Rev., 1969, v. 183, Ho 3, p. 668 — 671.
  36. Kunioka A., Ho K.K., Sakai Y. Optical properties of SiAs single crystals. J. Appl. Phys., 1973, v. 44, Ho 4, p. 18 951 896.
  37. Miller L.C.E., Kannerwurf C.R. Optical properties of single crystal silicon arsenide. J. Phys. Chem Solids, 1970, v. 31, Ho 4, p. 849 — 855.
  38. O.B. Расчет зонной структуры некоторых соединений типа методом ортогонализованных плоских волн. Дис. канд. физ. — мат. наук. — Воронеж, 1977. — 147 с.
  39. Э.П. Природа межатомного взаимодействия и закономерности строения энергетического спектра валентных электронов. Дис.. докт. физ.-мат. наук. — Воронеж, 1979.-297 с.
  40. Stukel D.J., Euwema R.H., Collins Т.С., Herman P., Kortum R.L. Self consistent orthogonalized-plane-wave and empiricallyrefined orthogonalized-plane-wave energy-band for cubic ZnS, ZnSe, CdS and CdSe. Phys. Rev., 1969, v. 179, No 3, p. 740 751.
  41. Herman P., Kortum R.L., Kuglin C.D., Shay I. II-VI Semicond. Compounds Intern. Conf. Hew York, 1967, p. 503 — 507.
  42. Cohen M.L., Bergstresser Т.К. Band structures and pseudopoten-tial form factors of the diamond and zinc-blende structures.-Phys. Rev., 1966, v. 141, No 2, p. 789 796.
  43. Chelikowsky J., Chadi D.J., Cohen M.L. Calculated valence-band densities of states and photoemission spectra of diamond and zinc-blende semiconductors. Phys. Rev., 1973, v. В 8, No 6, p. 2786 — 2794.
  44. Pantelides S.T., Harrison W.A. Structure of the valence band of zinc-blende-type semiconductors. Phys. Rev., 1975, v. BII, No 8, p. 3006 — 3021.
  45. Rossler U., Lietz Ш. Band structure of cubic and hexagonal ZnS (APW method). Phys. Stat. Sol. (b), 1967, v. 17, No 2, p. 597 — 604.
  46. Eckelt P. Energy band structures of cubic ZnS, ZnSe, ZnTe, and CdTe (Korringa-Kohn-Rostoker method). Phys. Stat.Sol. (b), 1967, v. 23, No I, p. 307 — 312.
  47. Zunger A., Freeman A.J. Local-density self-consistent energy band structure of cubic CdS. Phys. Rev., 1978, v. B 17, No 12, p. 4850 — 4863.
  48. Н.P., Попова С. В., Русаков А. П. О фазовой диаграмме cuCl • ФТТ, 1975, т. 17, № 9, с. 2772 — 2774.
  49. Н.Б., Кувшинников С. В., Русаков А. П., Семенов М. В. Аномальный диамагнетизм (высокотемпературный эффект Мейснера?) у соединения CuC1. Письма в ЖЭТФ, 1978, т. 27, Ж, с. 37 43.
  50. Rusakov А.P. On the energy band structure and the phase transition in a cuprous chloride crystal. Phys. stat. sol.(b), 1975, v. 72, No 2, p. 503 — 513.
  51. А.А. О возможном механизме высокотемпературной сверхпроводимости. Письма в ЖЭТФ, 1978, т.27, Р4, с.235−238.
  52. Н.И., Алексеев Е. С. Самосогласованная зонная структура CuCl . Письма в ЖЭТФ, 1979, т.30, № II, с. 701 — 704.
  53. Zunger А., Cohen M.L. Electronic structure of CuCl. Phys. Rev., 1979, v. В 20, Ho 3, p. H89 — H93.
  54. Doran H.J., Woolley A.M. The band structure of CuCl. J. Phys., 1979, v. С 12, Ho 8, p. L32I — L324.
  55. Kunz А.В., Weidman R.S. A self-consistent energy band study in CuCl. J. Phys., 1979, v. С 12, Ho 10, p. L37I — L374.
  56. Kleinman L., Mednick K. Energy bands and effective masses of
  57. Ю.П. 4f -Электроны в редких землях: энергетическое положение и влияние на свойства электронов проводимости. В кн.: Электронная структура и физические свойства редких земель иактинидов. Свердловск: УНЦ АН СССР, 1981, с. 50 — 66.
  58. ЭЛ. Физика магнитных полупроводников. М.: Наука, 1979. 432 с. 66. jfc1тт Н. Ф. Переходы металл-изолятор. М.: Наука, 1979. — 344с.
  59. Д.И. Проблема промежуточной валентности. У®-, 1979, т. 129, JS 3, с. 443 — 485.
  60. Hubbard J. Electron correlations in narrow energy bands.1. The degenerate band case. Proc. Roy. Soc., 1964, v. A277,1. Ho 1369, p. 237 259.
  61. И.А., Оскотский B.C. Фазовый переход полупроводникметалл в редко земельных полупроводниках (монохалькогениды самария). У®-, 1978, т. 124, «2, с. 241 — 279.
  62. B.C., Смирнов И. А. Фазовый переход полупроводник-металл в моносульфиде самария. В кн.: Редкоземельные полупроводники. — Л.: Наука, 1977, с. 105 — 145.
  63. Jayaraman A., Harayanamurti V., Buchter Е., Maines R. G. Continuous and discontinuous semiconductor-metal transition in samarium monochalcogenides under pressure. Phys.< Rev. Letters, 1970, v. 25, Жо 20, p. 1430 — 1433.
  64. Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов./ Под ред. Жузе В. П. Л.: Наука, 1973. — 304 с.
  65. Pickett W.E., Freeman A.J., Koelling D.D. Self-consistent linearized augmented-plane-wave study of the electronic structure and superconductivity of fee lanthanum under pressure.-Phys. Rev., 1980. v. В 22, No 6, p. 2695 2715.
  66. И.А. Редкоземельные полупроводники перспективы развития и применение. — Журн. Всесоюзн. хим. общ. им. Д. И. Менделеева, 1981, т. ХХУТ, Л 6, с. 602 — 611.
  67. Э., Фрищлер Б. Валентная и фазовая нестабильности в TmSe и смешанных, кристаллах на его основе. Журн. Всесоюзн. хим. общ. им. Д-И.Менделеева, 1981, т. ХХУТ, Jfe 6, с. 654−664.
  68. Bucher Е., Andres К., di Salvo F.J., Maita J.P., Gossard А.С., Cooper A.S., Hull G.W. Magnetic and some thermal properties of chalcogenides of Pr and Tm and a few other rare earths.-Phys. Rev., 1975, v. В II, No I, p. 500 513.
  69. Lapierre P., Haen P., Coqblin В., Ribault M., Holtzberg P. Pressure effects on the resistivity of TmS. Physica, 1981, v. BCI08, No I — 3, p. 1351 — 1352.
  70. Jaccard D., Sierro J., Bucher E. Thermoelectric power of TmS and TmSe. Solid State Commun., 1979, v. 31, No 10, p. 713 -715.
  71. M., де-Лонг Л., Сейлс Б. Эффект Кондо в сплавах и соединениях. В кн.: Физические свойства соединений на основе редкоземельных элементов. — М.: Мир, 1982, с. 145 — 200.
  72. А.А., Горьков Л. П. К теории сверхпроводящих сплавов с парамагнитными примесями. ЖЭТФ, I960, т.39, $ 6, c. 1781 1796.
  73. A.M., Барабанов А. Ф., Максимов Л. А. Об электросопротивлении металлов с незаполненными f -оболочками. ЖЭТФ, 1978, т. 74, № 6, с. 2220 2233.
  74. А.А. Магнитные редкоземельные полупроводники.
  75. В кн. Редкоземельные полупроводники.-!.:Наука, 1977, с.5−47.
  76. В.А., Иванченко Л. А. Свойства халькогенидов европия. Киев: Наукова думка, 1980. — 92 с.
  77. Cho S.J. Spin-polarized electronic energy-band structure in EuS. Phys. Rev., 1967, v. 157, Ho 3, p. 632−640.
  78. Cho S.J. Spin-polarized energy bands in Eu chalcogenides by the augmented-plane-wave method. Phys. Rev., 1970, v. В I, Ho 12, p. 4589 — 4603.
  79. Bloembergen H., Rowland T.J. Huclear spin exchange in so1. PQ"3 205lids: T1 and T1 ^ magnetic resonance in thallium and thallic oxide. Phys. Rev., 1955, v. 97, Ho 6, p. 1679 -1698.
  80. Anderson P.W. Thery of magnetic exchange interactions: Exchange in insulators and semiconductors. Solid State Physics/Eds. P. Seitz, D. Turnbull, Vol. 14.- Hew York: Academic Press, 1963, p. 99 — 214.
  81. Tarascon J.M., Isikawa Y., Chevalier В., Etourneau J., Ha-genmuller P., Kasaya M. Temperature dependence of the samarium oxidation state in SmBg and SmixLaxB6″ ~ J. Phys. (Prance), 1980, v. 41, Ho 10, p. II4I 1145.
  82. Chasalviel J.-H., Campagna M., Wertheim G.K., Schmidt P.H. Study of valence mixing in SmBg by x-ray photoemission spectroscopy. Phys. Rev., 1976, v. 14, Ho 10, p. 4586 -4592.
  83. Cohen R.L., Eibschiitz M., West K.W. Electronic and magnetic structure of SmBg. Phys, Rev. Letters, 1970, v. 24, No 8, p. 383 — 386.
  84. Menth A., Buchler E., Levinstein H.J., Geballe Т.Н. Configuration of Sm in SmBg. J. Appl. Phys., 1969, v. 40, No 3, p. 1006.
  85. Menth A., Buchler E., Geballe Т.Н. Magnetic and semiconducting properties of SmBg. Phys. Rev. Letters, 1969, v. 22, No 7, p. 295 — 297.
  86. Nickerson J.C., White R.M., Lee K.N., Bachman R., Geballe Т.Н., Hull G. W, Physical properties of SmBg. Phys. Rev., 1971, v. В 3, No 6, p. 2030 2042.
  87. Allen J.W., Batlogg В., Wachter P. Large low-temperature Hall effect and resistivity in mixed-valent SmBg. Phys. Rev., 1979, v. В 20, No 12, p. 4807 — 4813.
  88. Kasuya Т., Kojima K., Kasaya M. Theory and experiment on SmBg.~ In: Valence instabilities and related narrow-band phenomena.-New York, 1977, p. 137 152.
  89. О.Б., Домашевская Э. П. Расчет зонной структуры соединения SiP2 методом ОПВ. ФТП, 1975, т. 9, № 5,с. 1001 1003.
  90. О.В., Домашевская Э. П. 0 расчете зонной структуры кремния методом ОПВ. ФТП, 1975, т. 9, № 5, с. 1036 — 1038.юо.Фарберович О. В., Домашевская Э. П. Зонная структура соединения SiAs2 с решеткой пирита. ФТП, 1975, т. 9, № 8, с. 1618 — 1620.
  91. Farberovich O.V., Domashevskaya Е.Р. Band structure and density of states in SiP2. Phys. stat. sol.(b), 1975, v. 72, No 2, p. 661 — 665.
  92. О.В., Домашевская Э. П. Плотность электронного заряда в соединениях siP2 и siAs2 . ФТП, 1976, т. 10, № 4, е. 763 — 765.
  93. О.В., Домашевская Э. П. Плотность состояния в соединении siP2 со структурой пирита. ФТП, 1976, т.10, & 6, с. 1193 -.1196.
  94. О.В. Поверхность Ферми в соединении siP2 со структурой пирита. ФТП, 1979, т. 13, В 10, с.2010−2012.
  95. О.В., Домашевская Э. П. Расчет зонной структуры соединения SiAs с моноклинной решеткой. ФТТ, 1976, т. 18, Л 10, с. 3126 3128.
  96. С.И., Сербу Н. Н., Лукин А. Н., Киосев В. К., Фарберович О. В. Оптические свойства кристаллов SiAs • ФТП, 1978, т. 12, В I, с. 43 — 47.
  97. Э.П., Маршакова Л. Н., Терехов В. А., Угай Я. А., Фарберович О. В. Строение валентных полос фосфидов и арсе-нидов кремния. В кн.: Химическая связь в кристаллах и их физические свойства. — Минск: Наука и техника, 1976, с .8492.
  98. О.В., Домашевская Э. П., Курганский С. И. Возможные реализации метода ОПВ. В кн.: Методы расчета энергетической структуры и физических свойств 1фиеталлов. — Киев: Наукова думка, 1977, е. 55−61.
  99. Farberovich O.V., Kurganskii S.I., Domashevskaya E.P. Problems of the OPW method I. Transition metals. Phys. stat. sol. (b), 1979, v.94, Iff о I, p. 51 — 62.
  100. Farberovich O.V., Kurganskii S.I., Domashevskaya E.P. Problems of the OPW method II. Calculation of the band structure of ZnS and CdS. Phys. stat. sol. (b), 1980, v. 97, Mo 2, p. 631 — 640.
  101. Kurganskii S.I., Farberovich О.V., Problems of the OPW method III. Rare earths. Phys. stat. sol. (b), I981, v. 106, Ко 2, p. 437 445.
  102. С.И., Фарберович О. В., Домашевская Э. П. Зонная структура соединений II. Влияние d -состояний металла. ФТП, 1980, т. 14, № 7, с. 1412 — 1415.
  103. О.В., Акопджанов Р. Г., Курганский С. И., Домашевская Э. П. Теоретическое и экспериментальное изучение зонной структуры соединения cud • ФТТ, 1979, т. 21,1. Ш 10, с. 2935 2940.
  104. С.И., Фарберович О. В. Теоретическое исследование зонной структуры хлористой меди под давлением. ФТТ, 1980, т. 22, № 9, с. 2823 — 2826.
  105. О.В., Тимошенко Ю. К., Бугаков A.M., Домашев-ская Э.П. ШЗВ-ЛКАО энергетические зоны и собственное поглощение кристалла хлорида серебра. ФТТ, 1982, т. 24, J& 2, с. 618 — 621.
  106. Farberovich O.V., Timoshenko Yu.K., Bugakov A.M., Domaahev. * skaya E.P. APW-LCAO energy bands and fundamental absorption in silver chloride crystal. Solid State Commun., 1981, v. 40, No 5, p. 559 562.
  107. Bugakov A.M., Domashevskaya E.P., Latyshev А.Ж., Timoshenko Yu.K., Farberovich O.V. Band structure and spectral properties of AgF, AgOl and AgBr.- In: Defects in insulatingcrystals: Abstracts, Riga, 1981, p. 402 403,
  108. О.В. Зонная структура и фазовый переход полуироводник-металл в соединении Sms . ФТТ, 1979, т. 21, $ 11, е. 3434 — 3440.
  109. О.В. Изучение зонной структуры монохалькогенидов самария под давлением. ФТТ, 1980, т. 22, № 3, с. 669−679.
  110. Farberovich O.V. Band structure and electron-electron interaction in samarium monosulphide, Phys. stat. sol. (b), 1981, v. 104, Ho I, p. 365 — 374.
  111. Farberovich O.V., Vlasov S.V. APW research of europium mono-chalcogenides I. Band structures and electron-electron interaction in ferromagnetic semiconductors, Phys. stat, sol. (b), 1981, v. 105, No 2, p. 755 — 768.
  112. О.В. Электрон-электронное взаимодействие и интерпретация оптических спектров в соединении sms • ФТП, 1981, т. 15, Л 8, с. 1473 — 1478,
  113. С.В., Фарберович О. В. Интерпретация ь3 -спектров поглощения в соединениях редких земель. ФТТ, 1982, т. 24,1. Я 3, с. 941 944.
  114. О.В., Нижникова Г. П., Власов С. В., Домашевская Э. П. Самосогласованная релятивистская зонная структура соединения rEmS в приближении функционала локальной плотности.-ФТТ, 1984, т. 26, В 2, с. 554 556.
  115. С.В.Власов, О, В. Фарберович, Г. П. Нижникова. Электронная структура, электрон-фононное взаимодействие и подавление сверхпроводимости в itas. ФНТ, 1984, т. 10, № 2, с. 157 164.
  116. С.В., Фарберович О. В., Нижникова Г. П. Самосогласованная электронная структура и сверхпроводимость в Las • Сравнение с ГЦК La . ФНТ, 1984, т. 10, № 3, с. 279 — 283.
  117. С.В., Зон Б.А., Ростовцев B.C., Фарберович О. В, Расчеты поляризуемоетей атомов методом локальной спиновой плотности. В кн.: Всесоюзная конференция по теории атомов и атомных спектров: Тез. докл. Всесоюзн. конф., Минск, 1983, с. 77.
  118. Barth von U., Hedin L. A local exchange-correlation potential for the spin polarised case: I. J. Phys., 1972, v. С 5, Ho 13, p. 1629 1648.
  119. Ceperley D.M., Alder B.J. Ground state of the electron gas by a stochastic method. Phys. Rev, Letters, 1980, v. 45, No 7, p. 566 — 569.
  120. Ramana M.V., Rajagopal A.K. Theory of spin polarised inhomo-geneous relativistic electron gas. J. Phys., 1981, v. С 14, No 24, p. 4291 — 4302.
  121. MacDonald A.H., Vosko S.H. A relativistic density functional formalism. J. Phys., 1979, v. С 12, No 15, p. 2977 — 2990.
  122. И.А., Пелетминский С, В. О применении методов квантовой теории поля к исследованию термодинамических свойств газа электронов и фотонов, ЖЭТФ, I960, т, 38, Л 6, е. 1829 1839.
  123. Perdew J.P., Zunger A. Self-interaction correction to density-functional approximations for many-electron systems. -Phys. Rev., I981, v. В 23, No 10, p. 5048 5079.
  124. Slater J.C. A simplication of the Hartree-Pock method. -Phys. Rev., 1951, v. 81, No 2, p. 385 395.
  125. Schwarz K. Optimization of the statistical parameter оL for the free atoms H through Nb. Phys. Rev., 1972, v. В 5,1. No 7, p. 2466 2468.
  126. Schwarz K. Optimized statistical exchange parameters oL for atoms with higher Z. Theor. chim. acta, 1974, v. 34, No 3, p. 225 — 231.
  127. Moore С.Е. Atomic energy levels as derived from analyses of optical spectra. Hew York: Natl. Bur. Stand. (U.S.) Circ., 1949, p. 467.
  128. М.Я., Черепков H.A., Чернышева Л. В. Сечения фотоионизации атомов благородных газов с учетом многоэлектронных корреляций. ЖЭТФ, 1971, т. 60, № I, с. 160 — 174.
  129. Л.П., Манаков Н. Л., Зон Б.А. Теория многофотонных процессов в атомах. М.: Атомиздат, 1978. — 184 с.
  130. .М. Возбужденные атомы. М.: Энергоиздат, 1982.232 с.
  131. С.Г. Вариационные методы в математической физике. -М.: Наука, 1970. 512 с.
  132. Marcus P.M. Variational methods in the computation of energy bands. Int. J. Quant. Chem., 1967, v. IS, p. 567 — 588.
  133. К.С. Численный анализ. Киев: Техника, 1964. -341 с.
  134. Дд.Х. Алгебраическая проблема собственных значений. М.: Наука, 1970. — 564 с.
  135. X., Стори С. Вычислительные методы для инженеров-химиков. М.: Мир, 1968. — 443 с.
  136. Koelling D.D. Self-consistent energy band calculations. -Rep. Prog. Phys., 1981, v. 44, No 2, p. 139 212.
  137. Pratt G.W., Jr. Wave functions and energy levels for Cu+ as found by the Slater approximation to the Hartree-Fock equations. Phys. Rev., 1952, v. 88, Ко 6, p. 1217 — 1224.
  138. Takeda T. Linear methods for fully relativistic energy band calculations. J. Phys., 1979, v. F 9, No 5, p. 815 — 829.
  139. Garbow B.S., Boyle J.M., Dongarra J.J., Moler C.B. Matrix eigensystem routines-EISPACK guide extension. In: Lecture Notes in Computer Science/Eds. G. Goos and J. Hartmanis, Vol.
  140. Berlin: Springer-Verlag, 1977. — 343 pp.
  141. Г. В., Кузнецов E.B., Широковский В. П. Детальное исследование электронного энергетического спектра хрома. -®-М, 1976, т. 41, Л 5, с. 910 919.
  142. Papaconstantopoulos D.A., Anderson J.R., McCaffrey J.W. Self-consistent energy bands in vanadium at normal and reduced lattice spacing. Phys. Rev., 1972, v. В 5, Ho 4, p. 1214 1221.
  143. Anderson J.R., Papaconstantopoulos D.A., McCaffrey J.W., Schirber J.E. Self-consistent band structure of niobium at normal and reduced lattice spacing. Phys. Rev., 1973, v. В 7, Ho 12, p. 5П5 5121.
  144. К., Дарби M. Физика редко земельных соединений. -М.: Мир, 1974. 374 с.
  145. И.Н., Самохвалов А. А., Гижевский Б.А, Исследование электронной структуры Ей и euO методом электронной спектроскопии. ФТТ, 1980, т. 22, № I, с. 246 — 248.
  146. Ham F.S. Energy bands for alkali metals. Phys. Rev., 1962, v. 128, Ho I, p. 82 — 93.
  147. Rudge W.E. Self-consistent augmented-plane-wave method. -Phys. Rev., 1969, v. 181, Ho 3, p. Ю24 Ю32.
  148. B.B., Егоров Р. Ф., Кулакова 3.B., Широковский В. П. Кристаллический потенциал в расчетах электронных спектров металлов. ФММ, 1971, т. 32, № 4, с. 691 — 698.
  149. Laurent D.G., Wang C.S., Callaway J. Energy bands, Compton profile, and optical conductivity of vanadium, Phys. Rev., 1978, v. В 17, Ho 2, p. 455 — 46I.
  150. EliasharH., Koelling D.D. Self-consistent APW calculation of the electronic structure of niobium with a non-muffin-tin potential. Phys. Rev., 1977, v. В 15, Ho 8, p. 3620 -3632.
  151. П.Г., Гегузин И. И., Дадюк В. Н., Коновалов Й. А., Ку-люпин Ю.А., Пилипчак К. Н. Рекомбинационное излучение света молибденом при его бомбардировке медленными электронами .-ЖЭТФ, 1981, т. 80, В 4, с. 1514 1523.
  152. Bannot A., Debever J.M., Hanus J. Cathodoluminescence of copper. Solid State Commun., 1972, v. 10, Wo I, p. 173 -174.
  153. Zivitz M., Thomas E.W. Ionoluminescence of Al, Cu, and Mo: Optical properties of aluminium, Phys. Rev., 1976, v. BI3, Ко 7, p. 2747 — 2761.
  154. Ф., Парравичини Дж.П. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах. М.:Наука, 1982. — 392 с.
  155. Bennett Н.Е., Bennett J.M., Ashley E.J. Infrared reflectance of evaporated aluminum films. J. Opt. Soc# America, 1962, v. 52, Ко II, p. 1245 — 1250.
  156. Л.А. Физические свойства висмута. У®-, 1968, т. 94, * I, с. 3 — 41.
  157. Walter J.P., Cohen M.L. Pseudopotential calculations of electronic charge densities in seven semiconductors. Phys. Rev., 1971, v. В 4, Ко 6, p. 1877 — 1892.
  158. Ley L., Pollak R.A., McFeelly F.R., Kowalczyk S.P., Shirley D.A. Total valence-band densities of states ofHI-V and II-VI compounds from X-ray photoemission spectroscopy. Phys. Rev., v. B9, Ко 2, p. 600 — 621.
  159. Vesely C.J., Hengehold R.L., Langer D.W. UV photoemission meassurements of the upper d levels in the IIB VIA compounds. — Phys. Rev., 1972, v. B5, Ко 6, p. 2296 — 2301.
  160. Vesely C.J., Langer D.W. Electronic core levels of the IIB-VIA compounds. Phys. Rev., 1971, v. B4, Ко 2, p. 451−462.
  161. Shay J., Spicer W.E. Photoemission studies of CdTe. Phys. Rev., 1967, v. 161, No 3, p. 799 — 814.
  162. Cardona M., Harbeke G. Optical properties and band structure of wurzite-type crystals and rutile. Phys. Rev., 1965, v. 137 A, No 5, p. 1467 1476.
  163. Aven M., Marple D.T.F., Segal B. Some electral and optical properties of ZnSe. J. Appl. Phys., 1961, v. 32, No 10, Suppl., p. 2261 — 2265.
  164. Cardona M., Graenaway D.L. Fundamental reflectivity and band structure of CdTe, and HgTe. Phys. Rev., 1963, v. 131,1. No I, p. 98 103.
  165. Cardona M., WeinsteinM., Wolff G.A. Ultraviolet reflection spectrum of cubic CdS. Phys. Rev., 1965, v. 140 A, No 2, P. 633 — 637.
  166. Freeouf J.L. Far-ultraviolet reflectance of II-VT compounds and correlation with Penn-Philips gap. Phys. Rev., 1973, v. В 7, No 8, p. 3810 — 3830.
  167. Cardona M. Optical properties of the silver and cuprous ha-lides. Phys. Rev., 1963, v. 129, No I, p. 69 — 78.
  168. Проблема высокотемпературной сверхпроводимости/Под ред. Гинзбурга В. Л., Киржница Д. А. М.: Наука, 1977. — 400 с.
  169. С. К^ emission and К absorption spectra of chlorine in CuCi. J. Phys. Soc. Japan, 1972, v. 33, No 2, p. 571.
  170. Sugiura C. Chlorine-K-x-ray spectra and electronic band structure of CuCi. Phys. Rev., 1973, v. В 8, No 2, p. 823 826.
  171. Bonelle C. L emission spectra in cuprous chloride. J. Phys, (France), 1967, v. 28, No I, p. 3 — 9.
  172. Goldmann A., Tejeda J, Shevchik N.J., Cardona M. Density of valence states of CuCl, CuBr, Cul, and Agl. Phys. Rev., 1974, v. В 10, p. 4388 4402.
  173. Kono S., Ishii Т., Sagawa Т., Kobayasi T. X-ray photoelect-ron study of the valence band in cuprous halides. Phys. Rev., 1973, v, В 8, No 2, p. 795 — 803.
  174. П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1975. 584 с.
  175. Bassani P., Knox R.S., Fowler W.B. Band structure and electronic properties of AgCl and AgBr. Phys. Rev., 1965, v. 137 A, No 4, p. 1217 1225.
  176. Scop P.M. Band structure of silver chloride and silver bromide. Phys. Rev., 1965, v. 139 A, No 3, p. 934 — 940.
  177. Fowler W.B. Dependence of silver halide energy bands on lattice constant and halogen. Phys, stat. sol. (b), 1972, v. 52, No 2, p. 591 599.
  178. Smith P.V. A tight-binding approach to the electronic structure of the silver halides I. Silver chloride. — J. Phys. Chem. Solids, 1976, v. 37, No 6, p. 581 — 587.
  179. Shy-Yih Wang J., Schlatter M., Cohen M.L. The electronic structure of AgCl. Energy bands, densities of states, and charge densities. Phys. stat. sol. (b), 1976, v. 77, No I, p. 295 — 300,
  180. Tejeda J., Shevchik N.J., Braun W., Goldmann A., Cardona M. Valence bands of AgCl and AgBr: uv photoemission and theory.-Phys. Rev., 1975, v. В 12, No 4, p. 1557 1566.
  181. Mason M.G. Photoelectron spectroscopy studies of the band structures of silver halides. Phys. Rev., 1975, v. В II, No 12, p. 5094 — 5Ю2.
  182. Р.С. Теория экситонов. М.: Мир, 1966. — 219 с.
  183. Murayama К., Morigaki K. f Sakuragi S., Kanzaki Н. Optically detected ESR of the excited states in silver halides. J. Phys. Soc. Japan, 1976, v. 41, Ho 5, p. 1617 — 1624.
  184. Moser P., Ahrenkiel R.K., Lyu S.L. Optical absorption and luminescent emission of the I» center in AgCi. Phys. Rev., 1967, v. 161, Ho 3, P. 897 — 902.
  185. Физика и химия редкоземельных элементов/Под ред. К.Г.Гшнай-дера и Айринга. М.: Металлургия, 1982. — 336 с.
  186. Chatterjee A., Singh А.К., Jayaraman A. Pressure-induced electronic collapse and structural changes in rare-earth rnonochalcogenides. Phys. Rev., 1972, v. В 6, Ho 6, p. 22 852 291.
  187. Kaldis E., Wachter P. The semiconductor-metal transition of the samarium mono-chalcogenides. Solid State Commun., 1972, v. II, Ho 7, p. 907 — 912.
  188. Jayaraman A., Singh A.K., Chatterjee A., Devi S.U. Pressure-volume relationship and pressure-induced electronic and structural transformations in Eu and Yb rnonochalcogenides. -Phys. Rev., 1974, v. B9, Ho 6, p. 2513 2520.
  189. McMillan W. L" Transition temperature of strong-coupled superconductors. Phys. Rev., 1968, v. 167, Ho 2, p. 331 — 344.
  190. Stassis C., Loony C.-K., Zarsthy J. Phonon dispersion curves of fee La. Phys. Rev., 1982, v. В 26, Ho 10, p. 5426−5432.
  191. Allen P.В., Dynes R.C. Transition temperature of strong-coupled superconductors reanalyzed. Phys. Rev., 1975, v. В 12, Ho 3, p. 905 — 922.
  192. Ploquet J., Haen P., Vettier C. Magnetic and valency instabilities in 4f compounds. J. Magn. and Magn Mater., 1982, v. 29, Ho 2, p. 159 168.
  193. Suryanarayanan R. Valence related optical and other studies of Sm and Tm chalcogenides. Phys. stat. sol. (b), 1978, v. 85, No I, p. 9 — 43.
  194. Batlogg B. Dielectric response of mixed-valent TmSe. Phys. Rev., I981, v. В 23, No 4, p. IQ27 — 1838.
  195. Launois H., Rawiso M., Holland-Moritz E., Rott R., Wohlle-ben D. X-ray absorption study of mixed-valence TmSe. Phys. Rev. Letters, 1980, v. 44, No 19, p. 1271 — 1275.
  196. Pickett W., Freeman A.J., Koelling D.D. Local-density-functional approach to the isostructual ^ transition in cerium using the self-consistent linearized-augmented-plane-wave method. — Phys. Rev., 1981, v. В 23, No 3, p. 1266 -1291.
  197. Kasuya T. Energy spectra of magnetic semiconductors: Eu chalcogenides and NiO. J. Appl. Phys., 1970, v. 41, No 3, p. 1090 — 1091.
  198. Lendi K. Spin-polarized OPW-band structure of magnetic semiconductors with application to EuO. Part I, II. Phys, Kondens. later., 1974, v. 17, No 3, p. 189 — 214- 215−231.
  199. Byrom E., Ellis D.E., Freeman A.J. Electronic structure and properties of EuO and Eus in the molecular-cluster approximation. Phys. Rev., 1976, v. В 14, No 8, p. 3558 — 3568.
  200. B.A., Эллис Д. Е., Фримен «Пд.А. Использование Х^-метода дискретного варьирования для расчета октаэдрических кластеров в окисле европия. ФТТ, 1977, т, 19, № 2,с. 409 417.
  201. G.B. Магнетизм. М.: Наука, 1971. — 1032 с.
  202. Lara S., Xavier R.M., Taft С.A. On the origin of the exchange interaction in EuO and EuS. Solid State Commun., 1977, v. 24, No 9, p. 635 — 638.
  203. Xavier R.l. On the magnetic properties of divalent europium compounds. Phys. Letters, 1967, v. 25 A, Ho 3, p. 244 245.
  204. Guntherodt G., Schenes J., Wachter P. Optical constans of the Eu-chalcogenides above and below the magnetic ordering temperatures. J. Appl. Phys., 1970, v. 41, Ho 3, p. 10 831 084.
  205. Guntherodt G., Optical properties and electronic structure of europium chalcogenides. Phys. Kondens. Mater., 1974, v. 18, Ho I, p. 37 — 57.
  206. Griessen R., Landolt M., Ott H.R. A new antiferromagnetic phase in EuSe below I. 8 K. Solid State Commun., 1971, v. 9, Ho 24, p. 2219 — 2222.
  207. Callen H., Moura M.A., Spin structures of europium selenide.-Phys. Rev., 1977, v. В 16, Ho 9, p. 4121 4125.
  208. M.M., Гурин В. Н. Особенности технологии и свойств монокристаллов полупроводниковых гексаборидов РЗМ. Журн. Всесоюзн. хим. общ. им. Д. И. Менделеева, 1981, т. ХХУ1, Л 6, с. 679 — 688.
  209. Й.И. Введение в теорию атомных спектров. М.: Физматгиз, 1963. — 640 с.
  210. Ziegler Т., Rauk A., Baerends E.J. On the calculation of multiplet energies by the Hartree-Fock-Slater method. -Theor. Chim. Acta, 1977, v. 43, Ho 3, p. 261 271.
  211. Lannoo M., Baraff G.A., Schlfiter M. Self-consistent second -order perturbation treatment of multiplet structures using local-density theory. Phys. Rev., 1981, v. В 24, Ho 2,1. P. 943 954.
  212. А.П., Савукинас А. Ю. Математические основы теории атома. Вильнюс: Минтис, 1972. — 480 с.
  213. Д.Т., Смирнов Ю. Ф. Теория оптических спектровионов переходных металлов. М.: Наука, 1977. — 328 с.
  214. Nielson C.W., Koster G.F. Spectroscopic coefficients for thepn, dn and f11 configurations. Cambridge, Massachusetts: The M.I.T. Press, 1964, p. 53 — 64.
  215. Cox P.A., Baer Y., J^rgensen O.K. The coefficients of fractional parentage for ionization of partly filled f shels compared with photoelectron spectra of lanthanide compounds and metals. Chem. Phys. Letters, 1973, v. 22, No 3, p. 433 438.
  216. Chazalviel J.-N., Campagna M., Wertheim G.K., Schmidt P.H., Yafet Y. Electronic structure and 4f-hole lifetime in rare-earth borides. Phys. Rev. Letters, 1976, v. 37, Ho 14, p. 919 922.
  217. В.П., Карин М. Г., Сидорин К. К., Старцев Г. П., Шелнх А.й. Оптические свойства и электронная структура моносульфида самария. ФТТ, 1978, т. 20, М 10, с. 3049 — 3053.
  218. Batlogg В., Kaldis Е., Schlegel A., Wachter P. Electronic structure of Sm monochalcogenides. Phys. Rev., 1976, v. В 14, No 12, p. 5503 5514.
  219. Feinleib J., Scouler W.J., Dimmock J.O., Hanus J., Reed T.B., Pidgeon C.R. Spin-polarized spliting in the temperature -dependent reflectance of EuO. Phys. Rev. Letters, 1969, v. 22, No 25, P. 1385 1388.
  220. Метфессель 3., Маттис Д. Магнитные полупроводники. М.:1. Мир, 1972. 405 с.
  221. Busch G., Guntherodt G., Schoenes J. Optischen Konstanten der Europium-Chalcogenide in der Fundamental Absorption in 300 4,2 K. — Helv. phys. acta, 1969, v. 42, No 7/8,p. 929 931.
  222. Eastman D.E., Holtzberg P., Methfessel S. Photoemissionstudies of the electronic structure of EuO, EuS, EuSe and GdS. Phys. Rev. Letters, 1969, v. 23, No 5, p. 226−229.
  223. Busch G., Cotti P., Munz P. Photoemission from europium chalcogenides. Solid State Commun., 1969, v. 7, No 10, p. 795 — 798.
  224. Mariot J.-M., Karnatak R.C. An electronic structure study of europium chalcogenides by soft X-ray spectroscopy. Solid State Commun., 1975, v. 16, No 5, p. 611 — 614.
  225. T.M. Структура длинноволновых рентгеновских спектров поглощения атомов, молекул, твердых тел: Автореф. дис.. докт. физ.-мат.наук. Ленинград, 1974. — 50 с.
  226. В.П., Карин М. Г., Лукирский Д. П., Сергеева В. М., Ше-лых А.И. Оптические свойства и электронная структура монохалькогенидов лантана и гадолиния. ФТТ, 1980, т. 22, № 9, с. 2669 — 2675.
  227. Beckenbaugh W., Evers J., Guntherodt G., Kaldis E., Wachter P. Non-stoichiometric metals with strongly varying electron concentration: Gd monochalcogenides and LaS. — J. Phys. Chem. Solids, 1975, v. 36, No 4, p. 239 — 248.
  228. В.В., Алешин В. Г. Теоретические основы рентгеновской эмиссионной спектроскопии. Киев: Наукова дзумка, 1974. — 383 с.
  229. Muller J.E., Jepsen О., Wilkins J.W. X-ray absorption spectra: K-edges of 3d transition metals, L-edges of 3d and 4d metals, and M-edges of palladium. Solid State Commun., 1982, v. 42, No 5, p. 365 — 368.
  230. Smrcka L. Soft X-ray transition probability: calculation based on the muffin-tin potential. В КН.: Методы расчета энергетической структуры и физических свойств кристаллов.-Киев: Наукова думка, 1982, с. 53−61.
  231. Gusatinskii A.N., Alperovich G.I., Soldatov A.V. X-ray spectroscopic investigation and calculation of the energy band structure of rare earth raonophosphide and monosulphide.-Phys. stat. sol. (b), 1982, v. 112, Ко 2, p. 599 607.
  232. Э.Е., Елохин C.M., Падерно Ю. Б. Рентгеноспект-ральное исследование гексаборида самария, ФТТ, 1964, т.6, Л 10, с. 2909 — 2912.
  233. Н.Н., Финкельштейн Л. Д., Самсонова Н. Д., Немнонов С. А. Определение концентрации ионов с разным числом £-электронов в сульфидах Се, Sm, Eu и Yb методом l-абсорбционной спектроскопии. Изв. АН СССР, сер. физ., 1976, т. 40, й 2, с. 420 426.
  234. Л.М., Егоров Р. Ф. Построение симметризованных сферических гармоник для решеток с базисом. Свердловск, 1977. — 41 с. — Рукопись представлена Уральским ун-том. Деп. в ВИНИТИ 24 января 1978, № 274−78.
  235. Mattheiss L.F. Energy bands for solid argon. Phys. Rev., 1964, v. 133 A, No 5, p. 1399 — 1403.
  236. Dyakin V.V., Egorov R.F., Shirokovskii V.P. On the problem of construction of the crystal potential. Phys. stat. sol. (b), 1969, v. 36, No 2, p. 447 — 450.
  237. Asano S., Yamashita J. On the self-consistent potential of the band calculation. J. Phys. Soc. Japan, 1971, v. 30, No 3, p. 667 — 674.
  238. Lehmann G., Taut ffi. On the numerical calculation of the density of states and related properties. Phys. stat. sol. (b), 1972, v. 54, No 2, p. 469 — 477.
  239. MacDonald A.H., Vosko S.H., Coleridge P.T. Extensions of the tetrahedron method for evaluating spectral properties of solids. J. Phys., 1979, v. С 12, No 15, p. 2991−3002.
  240. Reser B.I. On the Brillouin zone integration. Phys. stat. sol. (b), 1983, v. 116, No I, p. 31 — 40.
  241. .И., Шайкина О, И. Реализация комбинированного тетра-здрического метода численного интегрирования по зоне Брил-люэна. Свердловск,.1981. — 41 с. — Рукопись представлена ИФМ УВД АН СССР. Деп. в ВИНИТИ 19 февр. 1982, № 777−82.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!