Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Создание высокоэффективных теплоотводов на основе поликристаллического алмаза для мощных полупроводниковых приборов

Диссертация: Создание высокоэффективных теплоотводов на основе поликристаллического алмаза для мощных полупроводниковых приборов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Разработана модель для оценки области тепловыделения гетероструктурных транзисторов и расчет параметров области тепловыделения в мощных полевых транзисторах. Предложена конструкция теплоотводящего основания для снижения внутренних напряжений при соединении материалов с разными значениями температурного коэффициента расширения. Предложен метод предварительной резки ростовой пластины. Исследованы… Читать ещё >

Создание высокоэффективных теплоотводов на основе поликристаллического алмаза для мощных полупроводниковых приборов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕПЛОВЫХ ПРОЦЕССОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ
    • 1. 1. Оценка области нелокального тепловыделения в мощных полевых транзисторах
    • 1. 2. Моделирование теплового режима в полупроводниковых приборов с теплоотводами из различных материалов
      • 1. 2. 1. Тепловой режим диодов Шоттки на карбиде кремния
      • 1. 2. 2. Тепловой режим СВЧ транзисторов на основе арсенида галлия
      • 1. 2. 3. Тепловой режим транзисторов на основе нитрида галлия
      • 1. 2. 4. Анализ эффективности использования теплоотводов из поликристаллического алмаза

2.1 Конструкция алмазного теплоотвода 47.

2.2 Получение изделий из пластин поликристаллического алмаза 52.

2.3 Заключение 54 ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ТЕПЛООТВОДОВ НА ОСНОВЕ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АЛМАЗА 55 Введение 55 3.1 Исследование физических процессов при термохимической обработке поверхности поликристаллического алмаза 60.

3.2 Высокоадгезионная теплопроводящая металлизация поликристаллического алмаза 66.

3.3 Обработка поверхности композиционного материала алмаз — карбид кремния — кремний 81.

3.4 Особенности роста пленок на поверхности поликристаллического алмаза 86.

3.5 Заключение 92 ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА МЕТОДОВ КОНТРОЛЯ.

КАЧЕСТВА АЛМАЗНЫХ ПЛАСТИН И ТЕПЛООТВОДОВ 94.

Введение

94.

4.1 Контроль теплопроводности 94.

4.1.1 Измерения теплопроводности при воздействии нестационарного температурного поля 96.

4.1.2 Измерения теплопроводности при воздействии стационарного температурного потока 98.

4.2 Контроль теплового сопротивления 104.

4.3 Контроль адгезии 107.

4.4 Заключение 110 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 111 ЛИТЕРАТУРА 114.

Актуальность темы

Одной из основных задач современной электроники является совершенствование электронной аппаратуры, в том числе уменьшение её массогабаритов при сохранении или достижении более высоких выходных параметров. Схемотехнические решения на базе дискретных корпусированных полупроводниковых элементов, в большинстве своём не изолированных электрически от корпуса, практически не позволяют снизить массогабариты приборов. Существенно уменьшить габариты может позволить использование бескорпусных кристаллов диодов и транзисторов, но при этом возникает проблема отвода тепла, выделяющегося при работе приборов. Дополнительная сложность заключается в том, что кристаллы, как правило, должны быть электрически изолированы от корпуса.

Проблема эффективного отвода тепла при этом решается путём использования в качестве теплоотводящего основания бериллиевой и алюмонитридной керамики, меди, сапфира. С учетом резкого роста мощности современных полупроводниковых приборов теплоотводы на основе меди, бериллиевой керамики, а тем более сапфира не всегда удовлетворяют потребностям отвода тепла от активной области прибора. Поэтому в последнее время все более пристальное внимание разработчиков теплоотводов обращено на поликристаллический CVD-алмаз (CVD: chemical vapor deposition — химическое осаждение из газовой фазы), выращиваемый в плазмохимическом реакторе на основе СВЧ разряда на подложке из кремния.

Интерес к этому материалу вызван его уникальными физико-химическими свойствами и возможностью получения теплоотводящих подложек большой площади. Будучи изолятором, CVD-алмаз обладает существенно более высокой теплопроводностью.

Материал Теплопроводность, Вт/мК ТКЛР, хЮ'6 1/°С.

СУБ-алмаз 2000 1,0.

ВеО-керамика 215 7,6.

АПМ-керамика 200 6.

Медь 400 16,5.

Сапфир 40 8,2.

Использование алмазных подложек в качестве изолирующего теплоотвода позволит поднять мощностные характеристики приборов за счёт уменьшения теплового сопротивления и увеличения предельного тока и рассеиваемой мощности в 1,5. .2 раза.

Помимо имеющихся свойств натурального алмаза (высокая теплопроводность, высокая твёрдость, износостойкость, электрическая изоляция, химическая и радиационная стойкость, наилучшие среди всех материалов параметры оптической и механической прочности), поликристаллический алмаз имеет и свои преимущества: возможность выращивания изделий заданной формы и больших размеров, высокая воспроизводимость физических параметров вследствие тщательного контроля условий роста и чистоты используемых газов.

При создании теплоотводов из алмаза необходимо решить ряд задач, связанных с изучением физических процессов, происходящих на границе металл — алмаз, позволяющих разрабатывать методы обработки алмазной поверхности и применения алмазных теплоотводов в составе полупроводниковых приборов.

Цель работы состояла в исследовании физических процессов при формировании теплоотводов на основе поликристаллического алмаза, позволяющих существенно улучшить и стабилизировать выходные параметры полупроводниковых приборов.

Постановка задачи: для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

— разрабатывалась методика моделирования и расчета параметров области тепловыделения в мощных полевых транзисторах;

— исследовалась конструкция алмазного теплоотводящего основания с целью снижения внутренних механических напряжений на границе соединения материалов с разным значением температурного коэффициента линейного расширения (ТКЛР);

— разрабатывалась методика предварительного профилирования ростовой подложки для последующего разделения алмазной пластины без применения лазерной резки;

— исследовался способ термохимической обработки алмазной поверхности на металлической поверхности при высоких температурах;

— разрабатывалась методика металлизации алмазной поверхности с применением процесса ионного легирования;

— исследовалась возможность роста алмазных пленок на самоорганизованной наноразмерной поверхности;

— разрабатывалась методика измерения теплового сопротивления транзисторов на алмазном теплоотводе, теплопроводности алмазных подложек и адгезии металлических пленок к алмазу;

— с использованием разработанных методик разрабатывались алмазные теплоотводы для импульсных источников питания и предварительных усилителей мощности для АФАР.

Объектом исследования служат мощные полевые транзисторы и теплоотводы на основе поликристаллического алмаза.

Предметом исследования являются пластины поликристаллического алмаза.

Научная новизна. В диссертации впервые получены следующие результаты:

1. Теоретически показано, что из-за интенсивных переходов электронов между слоями, размеры области максимального тепловыделения слабо зависят от параметров гетероструктуры и режима работы мощного полевого транзистора.

2. Предложен теплоотвод выпуклой формы, позволяющий уменьшить внутренние напряжения на границе соединения полупроводникового кристалла и металлизированного алмазного теплоотвода, тем самым повысить надёжность и эффективность конструкции.

3. Предложен способ профилирования ростовой кремниевой пластины путём выполнения разделительных канавок глубиной и шириной величиной, в два раза превышающей толщину готовой алмазной пластины, позволяющий исключить резку алмазной пластины.

4. Исследованы физические процессы при создании металлизации алмазной поверхности, позволяющей улучшить теплопроводящие и адгезионные характеристики.

5. Разработана методика термохимической обработки поверхности алмазных пластин, позволяющая существенно уменьшить длительность шлифовки.

В результате выполнения работы получен ряд новых результатов, на основе которых формулируются следующие.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Интенсивное рассеяние электронов в широкозонном материале приводит к тому, что размеры области тепловыделения традиционных гетероструктурных полевых транзисторов с планарным затвором имеют величину не более 0,5 мкм, слабо зависят от режима работы прибора и параметров гетероструктуры и не превосходят размеров области тепловыделения гомоструктурных полевых транзисторов, что делает гетероструктурные полевые транзисторы более чувствительными к тепловым режимам.

2. Выполнение теплоотводящего основания на основе поликристаллического алмаза выпуклой формы обеспечивает повышение надёжности системы теплоотводящее основание — полупроводниковый кристалл к воздействию смены температур и циклическому изменению мощности.

3. Выполнение канавок шириной, составляющей удвоенную толщину пленки готового изделия и глубиной, превышающей ширину, позволяет получать теплоотводы заданной геометрии без резки алмаза и увеличивать пробивное напряжение между мощным прибором на алмазном теплоотводе и корпусом более чем в два раза.

4. Ионное легирование плёнки кремния, нанесённой на алмаз, ионами аргона дозой в диапазоне 50 — 100 мкКл/см2 с энергией 100 кэВ с последующим высокотемпературным отжигом при 850 °C позволяет исключить образование графитовой плёнки в алмазе, получить высокоадгезионную теплопроводящую металлизацию к алмазу до 60 МПа, уменьшить тепловое сопротивление системы полупроводниковый приборалмазный теплоотвод — корпус в 1,5 раза.

Практическая ценность работы.

Разработана модель для оценки области тепловыделения гетероструктурных транзисторов и расчет параметров области тепловыделения в мощных полевых транзисторах. Предложена конструкция теплоотводящего основания для снижения внутренних напряжений при соединении материалов с разными значениями температурного коэффициента расширения. Предложен метод предварительной резки ростовой пластины. Исследованы процессы термохимической обработки алмазных пластин. Предложен метод металлизации алмазной поверхности. Предложена методика гетероэпитаксиального роста алмазных пленок на наномодифицированных поверхностях, в частности на анодноокисленном алюминии. Предложена методика определения теплопроводности алмазных пластин.

Разработанные процессы разделения, шлифовки и металлизации позволили создать надежные алмазные теплоотводящие подложки.

Применение этих методов позволило на отечественной элементной базе разработать, изготовить и провести поставки:

— первых отечественных транзисторов на алмазном теплоотводе для импульсных источников электропитания;

— алмазных теплоотводов для предварительных усилителей мощности для АФАР X — диапазона частот;

— алмазных теплоотводов для кремниевых СВЧ транзисторов Ь-диапазона;

— алмазных теплоотводов для карбидокремниевых диодов Шоттки.

Публикации. По материалам диссертации автором опубликовано 22 печатные работы, из них 7 работ в журналах по перечню ВАК для защиты кандидатских диссертаций и 5 патентов РФ.

Объём работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы. Работа выполнена на 126 страницах текста, содержит 57 рисунков, 14 таблиц и список литературы из 113 наименований. Содержание и результаты работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В результате проведенной работы были получены следующие основные результаты:

1. Разработан метод расчета формы и размеров области тепловыделения в мощных полевых транзисторах в зависимости от параметров и топологии транзисторной структуры. Метод программно реализован в комплексе программ автоматизированного проектирования «Фортран».

2. Показано, что область тепловыделения рНЕМТ-транзисторов сосредоточена под краем затвора и имеет размеры не более 0,5 мкм, слабо зависит от режима работы прибора и параметров гетероструктуры, что делает гетероструктурные полевые транзисторы более чувствительными к тепловым режимам.

3. Разработана методика и приведены результаты расчёта тепловых режимов приборов с алмазным теплоотводом. С помощью данной методики показано, что алмазный теплоотвод особенно эффективен для приборов с высоким уровнем мощности и достаточно высокой теплопроводностью кристалла прибора.

4. Предложена конструкция теплоотводящего основания на основе поликристаллического алмаза. Показано, что выпуклая форма теплоотвода позволит максимально оптимизировать соотношение ТКЛР материала теплоотводящего основания и полупроводникового кристалла, тем самым значительно снизить напряжения на границе их соприкосновения и повысить механическую прочность и надежность, позволит оптимизировать условия теплопередачи, максимально повысить эффективность отвода тепла.

5. Предложен метод получения образцов из пластин поликристаллического CVD-алмаз необходимой геометрии. Показано, что выполнение на ростовой кремниевой пластине площадок, шириной, составляющей удвоенную толщину пленки готового изделия и глубиной, превышающей ширину, позволит получать готовые изделия, исключая резку алмазной пластины.

Готовые теплоотводы, входящие в состав прибора, полученные данным методом, имеют бортики по всему периметру, что дополнительно позволяет увеличить пробивное напряжение между фланцем и любым из выводов корпуса прибора.

6. Исследованы физические процессы, происходящие при термохимической обработке алмазной поверхности. Предложен способ обработки, заключающийся в растворении алмаза металлами переходной группы или сплавами этих металлов при температурах выше температуры графитизации. Определен температурный диапазон травления, предназначенный для шлифовки алмазной поверхности. Показано, что обработка данным методом позволит выровнять поверхность и получить шероховатость величиной менее 300 нм.

7. Предложен способ и определен режим термообработки композиционного материала алмаз — карбид кремния — кремний для формирования гладкой поверхности. Предложенный способ позволяет обрабатывать данный материал с высокой производительностью.

8. Предложен способ металлизации алмазной поверхности, позволяющий избежать графитизации алмаза, основным процессом которого является ионное облучение дозой 50. 100 мкКл/см2 и энергией 100 кэВ пленки кремния толщиной 0,07 мкм, нанесённой на алмаз. Экспериментально определена количественная величина адгезии металлизационного покрытия к алмазной поверхности и тепловое сопротивление приборов, в состав которых входит металлизированный алмазный теплоотвод.

9. Проведено исследование возможности роста алмазной пленки на поверхности анодноокисленного алюминия, что позволит выявить закономерности эпитаксиального роста СУБ-алмаза на поверхностях, отличных от алмазных (гетероэпитаксия) и получения поликристаллических слоев алмаза на больших поверхностях. Исследован процесс эпитаксиального роста слоев нитрида галлия на алмазе с целью выращивания слоев нитрида галлия на алмазе с «электронным» качеством слоя, пригодным для реализации приборных структур.

10. Проведены измерения теплопроводности алмазных пластин и теплового сопротивления приборов с алмазным теплоотводом. Предложен способ определения коэффициента теплопроводности, основанный на прохождении теплового потока вдоль композиционного образца на основе исследуемого и эталонного образцов.

11. Проведенные исследования по металлизации алмазной поверхности позволили разработать первые отечественные транзисторы на алмазном теплоотводе, алмазные теплоотводы для предварительных усилителей мощности для АФАР X — диапазона частотдля кремниевых СВЧ транзисторов Ь-диапазона и карбидокремниевых диодов Шоттки.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А. Н., Климова А. В., Красник В. А., Ляпин Л. В., Малыщик В. М., Манченко Л. В., Пчелин В. А., Трегубов В. Б. Мощные корпусированные внутрисогласованные транзисторы S-, C-, Х- и Ки- диапазонов длин волн. Радиотехника № 3, 2007 г. С.53−56.
  2. Д.В., Королев А. Н., Климова А. В., Красник В. А., Лапин В. Г., Малыщик В. М., Манченко Л. В., Пчелин В. А., Трегубов В. Б. Язан В.Ю. Мощный твердотельный импульсный усилитель двухсантиметрового диапазона. Радиотехника. № 3. 2007 г. С. 41−42.
  3. В.Г., Лукашин В. М., Петров К. И., Темнов А. М. Полевые транзисторы со смещенным затвором. Электронная техника. Сер.1. СВЧ-техника. 2011. В.3(510). С. 23 28.
  4. Н.А., Лапин В. Г. Лукашин В.М., Петров К. И. Мощный полевой транзистор со смещенным к истоку Т-образным затвором. Радиотехника. № 6. 2011 г. С. 21−24.
  5. Glisson Т.Н., Hauser J.B., Littlejon M.A. et.al. Monte-Carlo simulation of real-space electron transport in GaAs-AlGaAs heterotructures. J.Appl.Phys.1980. V.51.№ 10. P.5445−5449.
  6. В.В., Москалюк В. А. Моделирование гетероструктурных полевых транзистров методом частиц. Электронная техника Сер.1. Электроника СВЧ. 1989. № 2 (416). С.29−36.
  7. Н.А., Рыжий В. И. Микроэлектроника. 1986, т. 15 (6), с. 490−501. Ю. Николаева В. А., Пищалко В. Д., Рыжий В. И., Хренов Г. Ю.,
  8. .Н. Микроэлектроника. 1988. Т. 17 (6). С. 504−510. 11. Чайка В. Е. Техн. Электродинамика. 1985. Вып. 3 № 3, с. 85−91.
  9. Г. З. Квазигидродинамическое моделирование гетероструктурных полевых транзисторов. Радиотехника и Электроника. 2003. Т. 48, № 1. С. 125−128.
  10. А.В., Лукашин В. М., Пашковский А. Б. Поперечный пространственный перенос в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием и границы применимости квазигидродинамических моделей. ФТП 2009, Т.43, В.1. С.113−118.
  11. Shur M. Influence of Nonunifirm Field Distribution on Frequency Limits of GaAs Field Effect Transistors. Electronics Letters. 1976, V.12, № 23. P.615−616.
  12. Кальфа A.A.,.Пашковский А. Б, Тагер A.C. Нелокальные и диффузионные эффекты в полевых транзисторах с субмикронным затвором. Радиофизика. 1985, Т.28. № 12, С. 1583−1589.
  13. А.В. Электронная техника Сер.1. Электроника СВЧ, 1985. № 3 (377). С. 66.
  14. Blotekjar К. Transport Equations for Electros in Two-Valley Semiconductors. IEEE Trans. Electron. Dev., 1970, V. 17 № 1. P. 38−47.
  15. Бонч-Бруевич В. JI., Звягин И. П., Миронов А. Г. Доменная электрическая неустойчивость в многодолинных полупроводниках. М., Наука, 1972. С. 66.
  16. A.A., Пашковский А. Б. Пространственный перенос двумерных электронов в структуре металл AlxGal-xAs-GaAs с селективным легированием. ФТП 1990, Т.24. В.З. С.521−526.
  17. A.A., Пашковский А. Б. Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием. ФТП 1990. Т.24, В.7. С.1187−1189.
  18. A.A., Пашковский А. Б., Тагер A.C. Влияние поперечного пространственного переноса электронов на высокочастотные характеристики гетероструктурных полевых транзисторов с селективным легированием. Микроэлектроника. 1991 (4). Т. 20. С. 383 391.
  19. A.A. Характеристики гетероперехода в гетероструктуре с селективным легированием. ФТП, 1985, т. 16, В.6, с. 1025−1029.
  20. A.A. ФТП. 1986. Т. 20, В.З. С. 468−471.
  21. К. В., Ипполитов В. М., Климова A.B., Пашковский А. Б., Самсонова И.В.Особенности тепловыделения в мощных полевых транзисторах. Радиотехника, 2007 г. № 3. С. 60−62.
  22. П.В., Лукашин В. М., Ратникова А. К., Пашковский А. Б. Оценка области нелокального тепловыделения в мощных гетероструктурных полевых транзисторах. Электронная техника, Сер. 1, СВЧ-техника, 2007, В.4(492). С. 21 24.
  23. М.П., Ратникова А. К., Федоров Ю. Ю. Исследование влияния свойств теплоотводов на тепловое сопротивление карбидокремниевых диодов Шоттки. Электроника и электрооборудование транспорта. 2009. № 5−6. С.43−45.
  24. А. Применение карбидокремниевых силовых диодов Шоттки в IGBT инверторах с жестким переключением. Силовая электроника. 2006. № 1. С. 8−12.
  25. А. Полупроводниковые приборы на основе карбида кремния настоящее и будущее силовой электроники. Компоненты и технологии. 2004. № 8. С.40−45.
  26. A.A., Галдецкий A.B., Ипполитов В. М. Моделирование теплового режима мощных транзисторов и МИС и новый метод монтажа кристаллов. Материалы 17 Международной конференции «СВЧ техника и телекоммуникационные технологии», Т.1. 2007 г. С.67−68.
  27. Патент 2 172 538 РФ. Теплопроводная прокладка. Аристов В. Ф., Лапин Е. А., Мудрик И.Ф.- приоритет 20.08.2001 г.
  28. Заявка 93 039 926 РФ. Узел монтажа. Рябовский C.B., Екимов В.В.- приоритет 05.08.1993.
  29. Заявка 94 011 963 РФ. Теплопроводящая прокладка. Щепетов А.П.- приоритет 05.04.1994.
  30. Патент 2 201 659 РФ. Устройство, состоящее из подложки для мощных компонентов электрической схемы и теплоотвода, а также способ изготовления такого устройства. Вебер Б., Хофзэсс Д., Бутшкау В., Дитрих Т., Шифер П.- приоритет 12.06.1998.
  31. Патент 5 954 882 США. Plasma reactor. Wild et al.- приоритет 21.09. 1999 г.
  32. Р. Тонкопленочная технология. М., Энергия, 1972.
  33. Патент 2 407 106 РФ. Мощный полупроводниковый прибор. Духновский М. П., Ратникова А. К., Федоров Ю.Ю.- приоритет от 03.08.2009 г.
  34. ГОСТ В 28 146−89. Испытания мощных полевых биполярных транзисторов.
  35. В.Б., Духновский М. П., Ратникова А. К., Федоров Ю. Ю. Изолирующие теплоотводы на основе CVD-алмаза для силовой электроники. Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника, 2009. Вып. 3 (502). С. 36−40.
  36. К. Введение в качество и надежность МОП ПТ. Силовые полупроводниковые приборы. Пер. с английского под ред. В. А. Токарева. Воронеж. 1995. С. 424−447.
  37. Патент 2 357 001 РФ. Способ получения изделий из поликристаллического пластин алмаза. Духновский М. П., Кудряшов О. Ю., Леонтьев И. А., Ратникова А. К., Федоров Ю.Ю.- приоритет 25.08.2007 г.
  38. В., Телеш Е. Алмазные теплоотводы для изделий электроники повышенной мощности. Силовая электроника, № 3. 2008. С. 120−124.
  39. B.C. Алмаз в твердотельной электронике. Успехи физических наук. Том 167, № 1. 1997. С. 17−22.
  40. May P.W. Diamond Thin Films: A 21-st Century Material. Phil. Trans. R. Soc. bond. A. 358 (2000) P.473−495.
  41. А.И., Шарапежникова Н. И. Активные полупроводниковые приборы на основе алмаза. Обзоры по электронной технике. Серия 1. СВЧ-техника. М., ФГУП «НПП «Пульсар», 2007. С.7−10.
  42. Д.Ф. Алмазные и алмазоподобные пленки. Алмаз в электронной технике: Сб. ст. Отв. ред. В. Б. Квасков. М.: «Энергоатомиздат», 1990. С. 171−175.
  43. Ashfold M.N.R., May P.W. Diamond Chemical Vapour Deposition. Chemistry and Industry (London), № 13. 1997. P. 505−508.
  44. В .Д., Дубицкий Г. А., Кульбачинский В. А., Буга С. Г., Кречетов A.B., Семёнова Е. Е., Кытин В. Г. Поликристаллические алмазные порошки и пленки. Российский химический журнал. Т. XLVIII, № 5. 2004. С.90−96.
  45. В.П., Юхин А. Ф., Ноздрина К. Г., Хапланова З. И., Погорелова Э. В., Непша В. И. Лавинно-пролётный диод миллиметрового диапазона длин волн с алмазным теплоотводом. Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. Вып. 5 (389). 1986. С.41−46.
  46. В.В., Беляева А. К., Баранов В. В., Телеш Е.В., By Зоан Мьен, By Ван Лук, Фан Ван Чыонг. Оптимизация тепловых режимов диодных лазеров. Известия Томского политехнического университета. Том 315. № 4.2009. С. 137−141.
  47. В.В., Гудкова Н. Б., Мицук Е. В., Темнов A.M. Модернизация бескорпусных диодов СВЧ. Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника, 2007. Вып. 1 (489). С. 46−49.
  48. В. Корпуса СВЧ-транзисторов на основе полиалмаза и алюмонитридной керамики. Электроника: Наука, Технология, Бизнес. № 4. 2007.Стр.77−78.
  49. В.Г., Конов В.И. CVD-алмазы. Применение в электронике. Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2007. № 4. С.58−67.
  50. А.А., Любченко В. Е., Митягин А. Ю., Поморцев Л. А. Алмаз -перспективный материал для наноэлектроники. Инженерная физика.2003.№ 5. С. 51−58.
  51. Т.И., Клоков А. Ю., Шарков А. И., Хмельницкий Р. А., Гиппиус А. А., Дравин В. А., Ральченко В. Г., Савельев А. В. Болометрический приемник, встроенный в объём поликристаллического CVD-алмаза. Физика твердого тела. 2007. Том.49. Вып.4.С. 621−626.
  52. В.И., Квасков В. Б. Электронные приборы на основе алмаза. Алмаз в электронной технике: Сб. ст./ Отв. ред. В. Б. Квасков. М.: «Энергоатомиздат», 1990. С.22−33.
  53. В.Г., Конов В. И., Леонтьев И. А. Свойства и применения поликристаллических алмазных пластин. Сборник трудов 7-й Международной научно-технической конференции «Высокие Технологии в Промышленности России» МГУ. 2001. С. 246−253.
  54. Патент № 5 711 698 США. Method of synthetic diamond ablation with an oxygen plasma and synthetic diamonds etched accordingly. Rabindra N. Chakraborty et al.- приоритет 27.01.1998
  55. Патент 6 302 768 США. Method for polishing surface of vapor-phase synthesized thin diamond film. Adachi M.- приоритет 16.10. 2001
  56. Патент 2 111 104 РФ. Способ шлифовки и полировки минеральных объектов. Радько Л. В.- приоритет 20.05.1998
  57. Патент 2 369 473 РФ. Способ полирования поверхности поликристаллических алмазов. Ашкинази Е. Е., Ральченко В. Г., Конов В. И., Гершман И. С.- приоритет 29.01.2008
  58. П. П., Григорьева А. С., Ботвин В. В. О термохимических методах обработки алмазов с новых позиций. Наука и техника в Якутии. № 1, 2002. С. 27−29.
  59. М.П., Королев А. Н., Ратникова А. К., Рожков С. Е., Федоров Ю. Ю. Термическая шлифовка пластин CVD-алмаза для теплоотводов мощных полупроводниковых приборов. Электроника и электрооборудование транспорта. № 6. 2008. С.25−28.
  60. А.К. Теплоотводящие подложки на основе поликристаллического CVD-алмаза. Электронная техника. Сер.1. СВЧ-техника. Вып. 3 (510). 2011. С. 76−86.
  61. Патент 5 451 430 США. Method for enhancing the toughness of CVD diamond. Anthony et al.- приоритет 19.09.1995.
  62. Диаграммы состояния двойных металлических систем: Справочник: В ЗТ.: T. l/Под общ. Ред. Н. П. Лякишева. М.: Машиностроение. 1996 г.
  63. ГОСТ 2789–73. Шероховатость поверхности. Параметры, характеристики и обозначения.73 .Методика выполнения измерений параметров шероховатости поверхности при помощи приборов профильного метода.
  64. Патент 6 723 420 США. Thick film paste systems for circuits on diamond substrates. Petkie, Ronald- приоритет 20.04.2004.
  65. Патент 6 114 256 США. Stable metallization for diamond and other materials. Bachli, Andreas, Kolawa et al- приоритет 05.09.2000.
  66. Патент 5 853 888 США. Surface modification of synthetic diamond for producing adherent thick and thin film metallization for electronic packaging. Dutta, Indranath et al- приоритет 29.12.1998.
  67. Патент 5 346 719 США. Tungsten metallization of CVD diamond. Zarnoch, Kenneth P. et al- приоритет 13.09.1994.
  68. Патент 6 348 240 США. Methods for and products of modification and metallization of oxidizable surfaces, including diamond surfaces, by plasma oxidation. Calvert, Jeffrey M. et al- приоритет 19.02.2002.
  69. Ю.М., Ротнер C.M. Поликристаллические алмазы в электронной технике. Алмаз в электронной технике: Сб. ст. Отв. ред. В. Б. Квасков. М.: «Энергоатомиздат», 1990. С. 186−200.
  70. Г. А., Мордкович В. Н., Щербина С. М. Влияние ионной бомбардировки на адгезионные свойства границы раздела металлическая плёнка подложка. Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Вып. 5 (178). 1985. С. 69−72.
  71. A.M. Ионная имплантация в полупроводники со сверхпрочной ковалентной связью. Алмаз в электронной технике: Сб. ст. Отв. ред. В. Б. Квасков. М.: «Энергоатомиздат», 1990. С. 211−227.
  72. Патент 2 285 977 РФ. Металлизированная пластина алмаза и способ её изготовления. Духновский М. П., Крысов Г. А., Ратникова А.К.- приоритет 21.03.2005 г.
  73. М.П., Крысов Г. А., Ратникова А. К. Металлизация пластин из искусственного CVD-алмаза. Электронная техника. Серия 1. СВЧ-техника. Вып. 1(494).2008. С. 3−7.
  74. Ф.Ф. Ионная имплантация в металлы. М.: «Металлургия», 1990.
  75. А.Ф., Комаров Ф. Ф., Кумахов М. А., Тёмкин М. М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей. Минск: Изд-во БГУ, 1980.
  76. ГОСТ 28 840–90. Машины для испытания материалов на растяжение, сжатие и изгиб. Общие технические требования.
  77. Патент 2 131 805 РФ. Способ получения поликристаллического изделия. Гордеев С. К., Жуков С. Г., Данчукова Л. В., Экстрем Т.- приоритет 20.06.1999.
  78. Патент 2 151 126 РФ. Конструкционный материал. Гордеев С. К., Жуков С. Г., Данчукова Л. В., Экстрем Т.- приоритет 20.06.2000.
  79. Патент № 2 206 502 РФ. Композиционный материал. Гордеев С. К., Данчукова Л. В., Экстрем Т., Клоуб К.- приоритет 27.10.2002.
  80. Патент 4 339 304 США. Method of treating diamond. Grigoriev, et al- приоритет 13.07.1982.
  81. Патент 2 402 509 РФ. «Способ обработки поверхности детали из композиционного материала алмаз-карбид кремния кремний». Духновский М. П., Федоров Ю. Ю., Ратникова А. К., Гордеев С. К., Корчагина С.Б.- приоритет 26.05.2009.
  82. М.П., Веденеев A.C., Гудков В. А., Ратникова А. К., Рыльков В. В., Федоров Ю. Ю., Бугаев A.C. Наноструктурированные слои анодного оксида алюминия на изолирующих подложках. Радиотехника и электроника. Том 56. № 12. 2011. С. 1−5.
  83. М.П., Петров К. П., Ратникова А. К., Федоров Ю. Ю., Кудряшов О. Ю., Леонтьев И. А., Михальченков А. Г., Темирязева М.П.
  84. May P.W., Tsai H.Y., Wang W.N., Smith J.A. Deposition of CVD-diamond onto GaN. Diam. Relat. Maters. 15 (2006). P. 526−530.
  85. Georgakilas A., Tsiakatouras G., Ajagunna A.O., Tsagaraki K., Androulidaki M. High quality (0001) GaN films grown on diamond substrates by molecular beam epitaxy, ibid, paper K4. P. 445−446.
  86. Dreumel G.W.G. van, Bohen Т., Buijnsters J.G., Meulen J.J. ter, Hageman P.R., Enckevort W.J.P. van, Vlieg E. Oriented growth of GaN on diamond substrates, ibid, paper MP 18. P. 130−131.
  87. A.A., Дьяконов Л. И., Говорков A.B., Козлова Ю. П., Малахов С. С., Марков А. В., Меженный М. В., Павлов В. Ф., Поляков А.Я.,
  88. ЮЗ.Ивакин Е. В., Суходолов A.B., Ральченко В. Г., Власов A.B., Хомич A.B. Измерение теплопроводности поликристаллического CVD-алмаза методом импульсных динамических решеток. Квантовая электроника. Т.32. Вып. 4. 2002. С. 367−372.
  89. Ю4.Ральченко В. Г., Савельев A.B., Попович А. Ф., Власов И. И., Воронина C.B., Ашкинази Е. Е. Двухслойные теплоотводящие диэлектрические подложки алмаз нитрид алюминия. Микроэлектроника. Том 35. № 4. 2006. С. 243−247.
  90. А.Ю., Аминев Д. Ф., Шарков А. И., Ральченко В. Г., Галкина Т. И. Тепловые параметры слоев и границ раздела в структурах кремний на алмазе. Физика твердого тела. Том 50. Вып. 12. 2008. С.2167−2173.
  91. А.Н., Павловский И. Ю., Окуши X. Ватанабе X. Влияние структурных особенностей на теплопроводность поликристаллических алмазных пленок. Физика твердого тела. Том 40. № 7. 1998. С. 1221−1225.
  92. Патент 2 149 388 РФ. Способ контроля теплофизических характеристик материалов // Клебанов М. Г., Фесенко А.И.- приоритет 10.08.1996.
  93. ОСТ 11 0944−96. Методы измерения теплового сопротивления транзисторов, основанные на косвенных способах измерения температуры (раздел 5, методы 4,5,6).
  94. Л.И., Плохов A.B. Исследование структуры и физико-механических свойств покрытий. Новосибирск: «Наука». 1986.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!