Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Закономерности капиллярного формообразования нитевидных кристаллов кремния

Диссертация: Закономерности капиллярного формообразования нитевидных кристаллов кремния
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация работы. Основные результаты и положения диссертационной работы были представлены и обсуждены на 3-й Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники» (Таганрог, 1996), 1 -й и 2-й Всероссийских конференциях по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (Москва 1996… Читать ещё >

Закономерности капиллярного формообразования нитевидных кристаллов кремния (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. СОСТОЯНИЕ ПРОБЛЕМЫ УПРАВЛЯЕМОГО ВЫРАЩИВАНИЯ НК КРЕМНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ
    • 1. 1. Особенности кристаллизации нитевидных кристаллов по механизму пар-жидкость кристалл (ПЖК)
    • 1. 2. Анализ современных представлений о капиллярном формообразовании НК и кристаллов, получаемых из расплавов
    • 1. 3. Перспективы получения НК с заданной формой и свойствами

Актуальность темы

Нитевидные кристаллы (НК) кремния перспективны для использования в датчиках различных физических величин, поскольку имеют точную кристаллографическую ориентацию оси роста, малые геометрические размеры, специфические свойства. Преобразователи на основе НК находят применение в тех областях промышленности, где необходимы высокая удельная прочность, чувствительность, быстродействие и стабильность параметров. Однако массовое производство данных приборов сдерживается отсутствием управляемых методов их выращивания.

Необычная форма и свойства НК обусловлены уникальным механизмом их образования — пар-жидкость-кристалл (ПЖК). Это единственный известный в природе механизм кристаллизации, при котором в образовании кристалла участвуют одновременно три фазы.

Общие принципы управляемого выращивания НК полупроводников, касающиеся выбора металла-растворителя, химической реакции, температуры процесса, концентраций реагентов и т. д., описаны в работах Е. И. Гиваргизова, Р. Вагнера и постоянно дополняются и уточняются.

Несмотря на многочисленность работ по росту НК кремния, немногие из них посвящены формообразованию, а между тем свойства монокристаллов полупроводников, в том числе и НК, зависят от их формы. Основные физические процессы, определяющие морфологию растущего из расплава кристалла, протекают на стыке трех поверхностей: кристалл-газ, жидкость-газ и кристалл-жидкость. Поэтому образование НК кремния, растущих по механизму ПЖК, происходит при участии капиллярных сил, т. е. сил поверхностного натяжения. В этих условиях форма растущего кристалла тесно связана с формой капли металла-растворителя на периметре смачивания и с величиной угла роста, характеризующего кажущееся равновесие кристаллизующейся системы. Устойчивое равновесие капли возможно только при замкнутом треугольнике сил поверхностного натяжения на границе раздела трех фаз. Поэтому для получения нитевидного кристалла с постоянным поперечным сечением необходимо, чтобы расплав образовывал определенный и постоянный угол с поверхностью растущего кристалла — угол роста. В опубликованных до сих пор работах процессам, протекающим вблизи трехфазной границы, уделялось мало внимания. До сих пор не было получено экспериментальных доказательств постоянства термодинамического угла роста на начальной стадии роста НК. Нет однозначного представления о связи между условиями роста кристаллов и углом роста, влиянии температурных изменений на поперечные размеры нитевидных кристаллов. Неясен механизм образования бесконусных монокристаллических нитей кремния при достижении размеров кристалла г «2 мкм. Нет ответов на многие вопросы, касающиеся механизмов кристаллизации, управления формой и воспроизводимости свойств получаемых кристаллов. Поэтому представляется необходимым подробное изучение процессов формообразования НК на различных стадиях роста, установление взаимосвязи между технологическими параметрами роста и габитусом выращиваемых кристаллов. Установление закономерностей капиллярного формообразования НК кремния на различных стадиях роста позволит уточнить механизм ПЖК — роста и приблизиться к решению задачи получения НК с заданной формой.

Диссертационная работа выполнена в Воронежском государственном техническом университете в рамках комплексных целевых программ Министерства образования РФ ГБ 6.96 «Капиллярное формообразование НК кремния» № госрегистрации 1 960 009 744- ГБ 1.00 «Закономерности структурообразования при росте конденсированных пленок и композиций», подр.2 и 4 «Анализ процессов устойчивого роста НК кремния по ПЖК-механизму», «Построение моделей устойчивого роста НК кремния», № госрегистрации 01.2000.4 719.

Цель работы: Установление закономерностей капиллярного формообразования НК кремния, растущих по механизму пар-жидкость-кристалл, и выработка рекомендаций для получения кристаллов с заданным габитусом.

Для достижения поставленной цели были определены следующие основные задачи: установить на различных стадиях роста НК кремния закономерности капиллярного формообразованияустановить закономерности влияния температуры на изменение формы НК кремния в процессе ростаразработать модель образования бесконусных монокристаллических (нитей кремниявыработать рекомендации по управлению габитусом выращиваемых НК кремния.

Поставленные задачи решались методами: металлографии, просвечивающей и растровой электронной микроскопии, газофазной кристаллизации, равновесной термодинамики.

Научная новизна. В работе получены следующие новые научные результаты:

•экспериментально определена величина термодинамического угла роста 9Р~62° НК кремния для систем Si-Cu и Si-Au и подтверждено его постоянство при образовании конусовидного пьедестала НК кремния;

• получено уравнение для скорости сужения и расширения НК при изменении температуры процесса в интервале 1300−1380 К, связывающее радиус кристалла, угол смачивания и аксиальную скорость роста;

• получено соотношение между радиусом капли R, радиусом кристалла г, термодинамическим углом роста 9Р и максимальным углом наклона поверхности кристалла к оси роста Хо > которое устанавливает зависимость конусности выращиваемых кристаллов от параметров ростового процесса (температуры, скорости роста, радиуса кристалла и др.);

• обнаружено явление радиальной неустойчивости роста кристаллов с поперечными размерами d > 5 мкм;

• показано, что устойчивое равновесие капли на вершине НК, обеспечивающее устойчивость роста кристалла, реализуется при сохранении линейной связи между радиусом капли и радиусом кристалла;

• предложен уточненный механизм ПЖК-роста, в соответствии с которым капля раствор-расплава, находящаяся на вершине НК, снижает барьер зарождения на периметре смачивания.

Практическая значимость работы. В результате проведенного исследования:

1. Разработан и защищен патентом РФ «Способ определения угла роста НК кремния по параметрам конусовидного пьедестала», позволяющий более точно определять величину угла роста.

2. Выработаны рекомендации по управлению габитусом НК кремния, растущих по механизму ПЖК.

3. Номограммы, рассчитанные в рамках модели аксиального роста, позволяют выработать программу габитусного профилирования НК в процессе роста через задание определенных исходных параметров: угла роста, радиуса инициирующей рост капли и радиуса растущего кристалла, температуры роста, аксиальной скорости роста и т. д.

Основные положения, выносимые на защиту:

Образование конусовидного пьедестала на начальной стадии роста в изотермических условиях характеризуется постоянством термодинамического угла роста независимо от радиуса кристалла. Величина угла роста кремния в системе Si-Cu, Si-Au составляет 0Р ~ 62° при температуре роста 1300 К.

Форма нитевидных кристаллов кремния, выращенных по механизму пар-жидкость-кристалл, определяется радиусом капли, радиусом кристалла, углом смачивания, углом роста и скоростью аксиального роста. Установлено, что параметры связаны между собой уравнениями: с1 г-г0 ОГ = V-— СОБф, к г г/К- ~ лА ~ (г/Я) К -, -= собО л/Г+К7.

Образование бесконусных монокристаллических нитей кремния при достижении радиуса НК г «2 мкм связано с влиянием кинетических размерных эффектов. Механизм образования бесконусных монокристаллических нитей кремния заключается в изменении направления смещения трехфазной границы до совпадения с направлением <111> под влиянием эффекта Гиббса-Томсона и размерной гиперболической зависимости скорости роста от радиуса.

Апробация работы. Основные результаты и положения диссертационной работы были представлены и обсуждены на 3-й Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники» (Таганрог, 1996), 1 -й и 2-й Всероссийских конференциях по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (Москва 1996, 2000), 4-й Всероссийской конференции «Перспективные материалы, технологии, конструкции» (Красноярск, 1998), 1-м Всероссийском семинаре «Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении» (Воронеж, 1999).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 16 работ, получен патент на изобретение.

Структура работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы из 134 наименований. Основная часть содержит 142 страницы, в том числе 47 рисунков, 2 таблицы и 2 приложения.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ.

1. Установлены закономерности капиллярного формообразования НК кремния, растущих по механизму ПЖК на различных стадиях роста:

Экспериментально определена величина термодинамического угла роста НК кремния для систем Si-Cu, Si-Au 0Р"62° и подтверждено его постоянство при образовании конусовидного пьедестала НК кремния на начальной стадии роста.

Обнаружено явление радиальной неустойчивости для НК кремния с диаметрами >5 мкм.

Численными методами показано, что образование монокристаллических нитей кремния возможно при достижении радиуса кристалла «2 мкм.

Установленные закономерности, обусловлены механизмом поддержания устойчивого равновесия капли на вершине НК за счет действия капиллярных сил.

2. Установлены закономерности влияния температуры процесса на изменение формы НК кремния ;

Температурный градиент более «40 К/см в реакционной зоне приводит к изменению направления оси роста НК кремния, угол и направление изгиба не зависит от радиуса кристалла .

Установлено, что скорость сужения или расширения КОС зависит от угла смачивания, скорости аксиального роста, радиуса НК, радиуса капли.

Изменение температуры роста в интервале от 1300 до 1380 К приводит к изменению радиуса капли, радиуса кристалла и термодинамического угла роста и определяет конусность выращиваемых кристаллов.

Г Влияние температуры роста на форму НК кремния связано с изменением термодинамического угла роста.

3. Предложенамодельобразованиябесконусных монокристаллических нитей кремния:

Образование бесконусных монокристаллических нитей кремния связано с влиянием кинетических размерных эффектов при кристаллизации. Механизм образования бесконусных МН заключается в изменении направления смещения трехфазной границы под влиянием эффекта Гиббса-Томсона до совпадения этого направления с направлением <111> и размерной гиперболической зависимости скорости роста НК от радиуса.

4. Разработаны рекомендации по управлению габитусом НК кремния: Для управляемого капиллярного формообразования НК кремния и получения кристаллов в устойчивых режимах необходимо: 1 а) создавать в процессе выращивания начальный конусовидный участок пьедестала кристалла, а угол роста определять по параметрам пьедестала из формулы (2) — б) выбирать материал инициирующей примеси стойкий к хлоридно-водородной среде, стабилизировать температуру процесса и потоки газофазных материалов в реакционной зонев) выращивать НК как можно более тонкими. к.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Монокристальные волокна и армированные ими материалы /Под редакцией А. Т. Туманова.- М. Мир, 1973 — 464 С.
  2. А.А., Гиваргизов Е. И., Богдасаров Х. С. и др. Современная кристаллография. М.: Наука, 1980.- Т.3.-408 С.
  3. Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара.-М.: Наука, 1977. 304С.
  4. С.А., Постников B.C. Нитевидные кристаллы. Воронеж: ВПИ, 1970. 238С.
  5. Наблюдение in situ за ростом НК карбида Si по механизму ПЖК/Портной К. Н, Мукасеев А. А., Исайкин А. С., Уманцев Э. А. // Кристаллография, 1974. Т.19.С.327−329.
  6. Ю.А. Исследование процесса стабильного выращивания систем НК кремния ПЖК-методов и их свойств с целью создания полупроводниковых приборов: Дис. канд физ.-мат.наук.-Л., 1981.-230С.
  7. Н.П., Шуппе Г. Н. /О механизме роста НК// Кристаллография, 1985. Т.30. № 3. С.1245−1248.
  8. Wagner R.S. and Ellis W.C. The Vapor-Liquid-Solid Mechanism of Crystals Growth and its Application to the Silicon // Trans. Met. Soc. AJME., 1965. V.233 № 6. P.1053−1064.
  9. Wagner R.S. and Doherty C.J. Controlled Vapor-Liquid-Solid Growth of Silicon Crystals//J. Electrochem. Soc., 1966.V.113. № 12. P.1300−1305.
  10. Wagner R.S. Defects in Silicon Crystals Growth by the VLS Techhnigue//J.Appl.Phys., 1967. V.38 № 4.P.1554−1560.
  11. Wagner R.S., Doherty C.J. Mechanism of Branching and Kicking dicing VLS Crystals Growth//J.Elektrocher.Soc., 1968. V.115. № 1. P.93−99.
  12. Ю.П., Николаева Е. П. / Рост НК в атмосфере водорода //Изв. АН. СССР. Неорг.матер., 1978. Т.4. № 8. С.1406−1407.
  13. Yomoto Н., Hasiquti R., Kuriyama Y. Morphologies of Cd Crystals grown by VLS mechanism with Sn impurities // J. Cryst. Growth, 1984. V.67.№ 2.P.383−384.
  14. Yomoto H., Hasiquti R., Kaneko T. Impurity effect on surface morphology of Cd and Jn Crystals grown by VLS mechanism //J. Cryst. Growth, 1986.V.75 № 2. P.284−288.
  15. Ю.А., Шипулин B.A. /Выращивание регулярных систем НК кремния по механизму ПЖК//В кн.: Электрические и механические свойства металлов и полупроводников. Воронеж, 1978. С.51−53.
  16. Belmonte Т., Bonnetain L., Ginoux J.L. Synthesic of silicon carbide whiskers using the vapor -liquid-solid mechanism in a silicon- rich droplet // J. of Matterials Sci, 1996. V.31P.2367−2371.
  17. H.Yumoto, T. Sako, Y. Cotoh, K. Nishiyama, T. Kaneko Growth mechanism of vapor- liquid-solid (VLS) grown indium-tin oxide (ITO) whiskers along the substrate// J. ofCrustal Growth, 1999.V.203.P.136−140.
  18. S. Hashimoto, A. Yamaguchi Growth of Cr203 whiskers by the vapor- liquid-solid (VLS) mechanism // J. of Matterials Sci., 1996. V.31P.2317−2322.
  19. E.A. Электрическое сопротивление нитевидных кристаллов кремния, выращенных по механизму ПЖК в открытой системе: Дис. канд.тех.наук.Воронеж, 1999. 121 С.
  20. Hollar Williant Е., Kim Jonathan Review of VLS SiC whisker growth technology //Geram. End. and Sci.Proc., 1991. 12. № 7−8. P.979−991.
  21. Закономерности формообразования НК кремния /А.А. Щетинин, А. И. Дунаев, А. А. Долгачев, В. А. Небольсин, А. Ф. Татаренков //Тез. докл. конф. по электрон, матер. Новосибирск, 1992. С.56−57
  22. A.A., Козенков О. Д., Дунаев А. И. / Исследование начальных стадий роста НК кремния через жидкие капли сплава медь-кремний// Изв.вузов. Физика, 1982. № 3. С.111−119.
  23. А.А. Щетинин, О. Д. Козенков, А. И. Дунаев /Начальные стадии роста НК кремния по механизму ПЖК// Воронеж: ВПИ, 1987.17С.
  24. A.A., Козенков О. Д., Дунаев А. И. /Модель начальной стадии роста НК кремния/ / Изв. вузов. Физика, 1989.№ 1. С. 117−119.
  25. A.A., Козенков О. Д., Дунаев А. И. /Модель питания НК из газовой фазы// Моделирование роста кристаллов: Тез.докл. Всесоюз. конф. Рига, 1987.С. 160−162
  26. Механизм роста НК кремния на начальной стадии /A.A. Щетинин, Б. М. Даринский, О. Д. Козенков, В. А. Небольсин // Изв. АН СССР Неорг.матер., 1990.Т.26. № 7. С. 1353−1357
  27. Г. А., Татарченко В. А. /О механизме радиальной периодической неустойчивости и форме начального участка КОС, растущих по ПЖК-механизму //Кристаллография. 1985. Т.30. № 4.С. 772−750.
  28. В.В. О термодинамическом равновесии на линии раздела трех фаз//ФТТ, 1963. Т.5. С. 571−574.
  29. М.И., Воронин Ю. А. Влияние некоторых факторов на рост НК по механизму ПЖК//В кн.: Физико-химические и электрические свойства материалов (металлы-полупроводники) //Воронеж, 1976. С.69−71.
  30. Nanev Christio N. Morphological in stability of polyhedral crystals and Transition to Skeletal growth under diffusion control// Bulg.Ghem.Commeen.-l993.-26., № 1P. 3−31.
  31. Brattrus K. Nonstationar crystal growth Simulation//.!. Appl. Vath.-1992.-52,№ 5.-P. 1303−1320.
  32. Нитевидные кристаллы и тонкие пленки//П. Всес.конф.: Материалы. -Воронеж: ВПИ. -1975. 4.1. — Нитевидные кристаллы. — 466 С.
  33. Нитевидные кристаллы для новой техники/// III Всес.конф.: Материалы. Воронеж: ВПИ. — 1979. -232 С.
  34. A.A., Козенков О. Д. / Конусность НК кремния по механизму ПЖК// Свойства НК и тонких пленок. Межвузовск. сб. Воронеж, 1986. С.18−25.
  35. A.A., Небольсин В. А. /Кинетика аксиального роста НК и роль жидкой фазы// Рост и структура тонких пленок и НК.: Межвуз. сб. науч. трудов. Воронеж, 1989. С.76−83.
  36. Silicon whiskers for mechanical sensors/ Voronin V., Maryamoya J., Zaqanyach Y., Karetnikova E., Kutrtakov A// Sens, and Actutors. 1992. № 1-P.27−33.
  37. E.A., Щетинин A.A., Попова Е. Е. /Тензометрические датчики на основе НК кремния// Изобретагели-машиностроению, 1998. № 2. С. 40.
  38. Датчики на основе НК кремния / A.A. Щетинин, А. И. Дунаев, A.A. Долгачев, Е. Е. Попова и др. // Метрология, 1991. № 5. С.3−12.
  39. С.А. Релаксационные, упругие и микропластичные свойства НК кремния// Автореф. дисс.канд.физ.- мат.наук. Воронеж, 1982.15 С.
  40. Комбинированный метод выращивания монокристаллов кремния/ В. А. Небольсин, A.A. Щетинин, Т. И. Сушко, Е. Е. Попова //Тез. докл. 1-ой Всероссийской конференции по материаловедению «Кремний-96″, М. С. 15
  41. Морфологические особенности НК кремния на различных стадиях роста/ В. А. Небольсин, Т. И. Сушко, П. Ю. Болдырев, Е. А. Карамзина, Е.Е. Попова// Вестник ВГТУ серия „Материаловедение“. Вып. 1.2. Воронеж, 1997. С. 39−42
  42. О механизме роста НК пар-жидкость-кристалл (ПЖК)/ В. А. Небольсин, А. Н. Корнеева, Т. И. Сушко, А. А. Щетинин // Вестник ВГТУ серия „Материаловедение“. Вып. 1.8. Воронеж, 2000.С.3−8.
  43. Устойчивость роста НК кремния/ В. А. Небольсин, А. А. Щетинин, Т. И. Сушко, Е. А. Карамзина, Е. Е. Попова // Нелинейные процессы и проблемы самоорганизации в современном материаловедении: Тез. докл. Всерос. семинара. Воронеж, 1999. С. 179−181
  44. Yumoto Н., Coton Y., Ygata N./ Homogeneous Nucleation of Fine Cd and Zn crystals grown by VLS mechanism // Mater. Trans. J .M, 1990. V.30. N10. p.741 -747
  45. Yumoto H., Coton Y., Ygata N. Morphological insability of Zn crystal grown by VLP mechanism from Zn Bi monotectic droplets/ /J. Cryst. Growth. 1990. 99. N1−4. Pt. 1. P. 217−221.
  46. Wokulski Z. Peal structure of TiN whiskers// Arch nauki mater., 1991. R.2. N3. P.181−189.
  47. Crustal Structure Change of GaAs and ZnAs Whiskers from Zinc Blende to Wurtzite Type/ Koguchi M., Kakibaxashi H., Yazawa M., Hiruma K, Katsuyama T.// J.J.Appl.Plus. Pt 1. Д992.У.31. N7. P. 2061−2063.
  48. Formation of carbon whiskers by heating with a carbon dioxide laser /Okada Y., Tareuchi K., Yamanashi H., Ushijiama H.// Z. Mater. Sci. Lett., 1992. V. 11. N24 .P. 1715−1717.
  49. Jwanaga H., Kawaguchi M., Motojima S./Growth Mechanisms and Properties of Coiled whiskers of Silicon Nitride and Carbon// J.J. Appl. Plus. V.32,1993. P. 105−115.
  50. В.Г. Материалы будущего. О НК металлов М.: Наука, 1990.192 С.
  51. Tibbetts G. Why a carbon filaments tubular? // J. Crust Growth, 1989. V.68.N3. P632−638.
  52. Jwanaga H., Tomizura A., Tareuchi S./ Five types of inversion twin in vapor-grown GdS needle crystals// Phil. Mag. A., 1991.V. 64 N2. P. 303−309.
  53. C.P. Специфика свойств полупроводниковых микрокристаллов и создание датчиков на их основе// Автореф.дисс.докт.техн.наук.-Херсон, 1994. 41 С.
  54. Г. В. Нитевидные кристаллы. М.: Наука, 1969, 45 С.
  55. Bootsma G.A., Knippenberg W.T., Verspui G./ Growth of SiC Whiskers in the System Si02-C-H2 Nucleated by Jon // J. Cryst. Growth, 1971 .V. 11. P. 297−309.
  56. И.В., Фалькевич Э. С. Управление формой роста кристаллов. М. Наука, 1989. С. ЗОЗ
  57. В.А., Сатункин Г.А./ Исследование капиллярных условий при кристаллизации из расплава сапфировых стержней// Изв. АН СССР. Сер.физич., 1976. Т.40. № 7. С.1488−1491.
  58. А.В. Выращивание кристаллов определенной формы// Изв. АН СССР. Сер.физич., 1969.Т.13. № 12. С. 1946−1953
  59. С.В., Антонов П. И., Степанов А. В. О форме столбов расплава, образующихся при вытягивании кристаллов (изделий) заданной формы / ЖТФД970.Т.40. № 2. С.372−376
  60. П.И. Изучение капиллярных явлений в процессе роста кристаллов// В кн.: Рост кристаллов. М.: Наука, 1965.Т.6. С.158−160.
  61. П.И. Форма и свойства кристаллов, выращенных из расплава по способу Степанова/В кн.: Рост кристаллов. М.: Наука, 1980. Т. 13. С.171−179
  62. Antonov P.I., Niranorov S.P., Tatarchenko V.A./ The growth of controlled profile crystal by Stepanov S. Method// J.Crywth. Growth, 1977.V.42. P.440−452.
  63. P.J. Antonov / Reiew of factors controlling the growth of shaped crystals// J. Cryst. Growth, 1990. V.104. P. 39−46.
  64. Т., Кориел С., Чалмерс Б. Устойчивость формы кристалла в процессе роста, определяемого формой мениска/ В кн.:Рост кристаллов. М.: Наука, 1980. Т.13. С. 180−190
  65. В.А. Капиллярное формообразование /Получение профильных монокристаллов методом Степанова/ JL: Наука, 1981. С. 202
  66. Влияние природы примесей на скорость аксиального роста РЖ кремния / А. А. Щетинин, Л. И. Бубнов, О. Д. Козенков, А. Ф. Татаренков // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер., 1987.Т.23. № 10. С.1589−1592
  67. А.с. № 1 727 417 Способ получения регулярных систем нитевидных кристаллов кремния/ А. А. Щетинин, В. А. Небольсин, О. Д. Козенков, А.Ф. Татаренков// МКИ С 305 11/06. 1992 г.
  68. Электромеханические, терморезистивные и фотоэлектрические преобразователи на основе НК системы кремний-германий / Р. И. Байцар, С. С. Варшава, Е. П. Красноженов, А. С. Островская // Неорг.матер., 1996.Т.32. № 7. С.789−793
  69. А.А., Небольсин В. А., Щетинин А. А. /Транспорт галия в открытой системе Ga-P-H-О при получении НК фосфида галия// Термодинамика и материаловедение полупроводников: Тез.докл.111 Всесоюз.конф. М., 1986. Т1.С.107−108.
  70. А.С. /Исследование процессов роста НК твердого раствора арсенид-фосфида галлия из газовой фазы// В сб. Рост кристаллов из газовой фазы. Твердофазные превращения.: Тез.докл.УИ Всес. конфер. по росту кристаллов. Т.1. М, 1988. С. 212−213.
  71. И.В., Байцар Р. И., Варшава С. С. Пластичность и хрупкость НК системы кремний-германий// Неорг.матер., 1996.Т.32. № 7. С.789−793
  72. Получение регулярных систем НК кремния / В. А. Небольсин, В. В. Корчагин, O.A. Кордин, Е. Е. Попова, A.A. Щетинин // Межвуз. сб. Физика и технология материалов электронной техники. Воронеж, 1992. С.53−61
  73. A.A., Небольсин В. А., Татаренков А. Ф. Регулярный рост НК кремния//Изв.вузов. Физика, 1996. № 7. С.120−122
  74. В.А., Попова Е. Е., Щетинин A.A. О конусности НК кремния// Физика и технология материалов и изделий электронной техники: Межвуз. сб. науч.трудов. Воронеж, 1994. С.11−20
  75. Р. Рост кристаллов по механизму ПЖК/В кн.: Монокристальные волокна и армируемые ими материалы// Под ред. А. Т. Туманова. М.: Мир, 1973. С.42−117.
  76. В.Н. Выращивание профильных полупроводниковых монокристаллов//М.: Металлургия, 1977. 327С.
  77. Р., Паркер Р. Рост монокристаллов / Пер. с англ. под ред. Чернова A.A. и Лобачева К. С. //М.: Мир, 1974.540С.
  78. .М., Козенков О. Д., Щетинин A.A. О зависимости скорости роста НК кремния от диаметра// Изв. Вузов. Физика, 1986. № 12. С. 18−22
  79. A.A., Небольсин В. А. О температурной зависимости скорости роста НК кремния/ VII Всесоюз. Конф. по росту кристаллов. Тез.докл. М., 1988. Т.1.С.216−217
  80. A.A., Небольсин В.А / Влияние природы инициирующей примеси на кинетику роста НК, получаемых из газовой фазы// Методы получения и анализ высокочистотных веществ: Тез. докл. Y111Всесоюзн. конф. Горький, 1988. С163−164.
  81. Капиллярный механизм формообразования конусных НК кремния /
  82. B.А. Небольсин, Т. Н. Сушко, Е. Е. Попова, П. Ю. Болдырев // Вестник ВГТУ серия „Материаловедение“ Воронеж, 1996. Вып. 1.1. С.80−84
  83. Kelton K.F. Crystal nucleation in liquids and glasess// Solid state Phys.: Adv.Res. and Appl. V.45. Boston ets., 1990. P.75−177.
  84. Pillet G. A. Stabilization of needle-crystals by the Gibbs-Thompson effect// Commun. Math.Phus., 1991.140, № 2. P.241−247.
  85. С.Ю. Влияние примеси на соотношение Гиббса-Томсона для ступени на поверхности кристалла// Кристаллография. 1992.Т.37, № 1.1. C.26−33
  86. Liu Iunmin Lamellar eutectic stable growth// Acta met. et mater. 1990. V.38, № 9. P.1625−1630.
  87. Lowen H. Critical behavior of crystal growth velocity// Europhys. Lett., 1991. 16, № 2. P. 195−200.
  88. Liu Zi-Kui. /Morphological stability of growing particles and maximum growth rate principle// J.Appl.Phys., 1992.V. 71. N 10. P.4809−4813.
  89. Влияние сил поверхностного натяжения на морфологию осадков, конденсируемых по методу ПЖТ/ В. Н. Грибков, А. А. Мукасев, Э.П.
  90. , А.С. Исайкин // В сб.: Нитевидные кристаллы и тонкиепленки. 4.1 Воронеж, 1975. С.46−51
  91. В.В., Бизинская Е. А. /Морфология роста ПЖТ кристаллов с позиции теории капиллярности Гиббса// там же. С.50−57
  92. Е.И., Чернов А.А ./ Скорость роста НК по механизму ПЖК и роль поверхностной энергии// Кристаллография, 1975. Т.20. Вып.1. С. 147−153к
  93. В.А., Сушко Т. И., Щетинина О. А. / Релаксационные явления на межфазной границе при капиллярном формообразовании монокристаллических нитей кремния// Релаксационные явления в твердых телах: Тез. докл. международной конф. Воронеж, 1995. С. 15
  94. A.A., Небольсин В. А. / Термодинамическое равновесие на трехфазной границе раздела при кристаллизации высокосовершенных НК кремния// Тез.докл. по конф. по химии высокочистых вещество-Новгород, 1995. С.81
  95. Устойчивость роста НК кремния / В. А Небольсин, А. А Щетинин., Т. Н. Сушко, Е. И. Натарова // Неорг. матер. 2000. Т.36 № 5 .С. 1−3
  96. Е.Л., Маврин О. И. /Влияние примесей на процесс кристаллизации нитевидных монокристаллов твердого раствора кремний-германий// Журн.физ.химии, 1977.Т.1. Вып.3. С.723−725
  97. A.A., Дунаев А. И., Федоров Ю.П./ Модель образования НК с примесной структурой// Физика и химия конденсированных сред: Сб.науч.тр.- Воронеж: ВПИ.-1980.- С.83−88
  98. Исследование условий питания НК кремния, растущих в реакторе с горячими стенками/ В. А. Небольсин, Б. М. Даринский, Е. Е. Попова, A.A. Щетинин //Изв. Вузов. Физика. 1995. № 10. С.21−25
  99. А.Ф. Исследование роста и некоторых свойств НК кремния: Дис.канд.физ.-мат.наук.-Воронеж, 1975. 167С.
  100. А.Ф., Панов A.B., Ходунов И. В. Особенности процесса роста НК в проточной системе// Нитевид. кристаллы для новой техники: Тез.докл. Всесоюз. конф. Воронеж: ВПИ, 1979. С.61−64
  101. Чувствительные элементы на основе НК кремния /Щетинин А. А, Дрожжин А. И., Дунаев А. И. и др. / Новые приборы. Метрологическое обеспечение испытаний ГТД, — М.: ЦИАМ, 1979. № 17. С. 18−26
  102. Эмиссионные свойства многоострийных кремниевых автокатодов, получаемых методом ПЖК/ Гиваргизов Е. И., Кулешова Г. Г., Лифшиц И. Е. и др.// Нитевидные кристаллы для новой техники: Матер. 111 Всесоюз. конф. Воронеж: ВПИ, 1979.С.128−133
  103. A.A., Дунаев А. И. и др. /Выращивание НК кремния в проточной системе с использованием цинка и олова// Тез.докл. V Между нар. конф. по росту кристаллов, 1980. М. С.85−91
  104. A.A., Дунаев А. И., Козенков О. Д. Исследование скорости роста РЖ кремния в проточной системе// ЖТФ, 1982.Т.53. С. 1416−1418
  105. Выращивание регулярных систем НК кремния/ Щетинин A.A., Дунаев А. И., Небольсин В.А.и др.// Физика кристаллизации. Тверь: ТГУД994. Вып. 1.6. С.43−50.
  106. Пат.№ 2 658 840 Франция, МКИс3° B29/62,M01Jl/30. Способ регулируемого выращивания игольчатых кристаллов и их использование в качестве точечных катодов/ Изоб. стран мира.1994.№ 4
  107. В. А. Небольсин, А. А. Щетинин, Е. А. Карамзина, Т.И. Сушко/ Электросопротивление НК кремния// Неорг. матер., 1995.Т.31. № 8. С.1007−1009.
  108. Theoretical model of crystal growth shaping process / V.A. Tatarchenko, V.S. Uspenski, E.V. Tatarchenko, J.Ph. Nabot, T. Duttar, B. Roux// J. Cryst Growth, 1997.V.180. N 3−4. P. 615−626.
  109. Ю.Мудров A.E. Численные методы для ПЭВМ на языках бейсик, фортран и паскаль. Томск: МП’ТАСКО», 1991. 272 С.
  110. А.Г., Тихонов A.B., Федоров В. В. Курс методов оптимизации. М.:Наука, 1986. 328 С.
  111. В.А. Устойчивый рост кристаллов. М.:Наука, 1988.239 С. 1130 постоянстве угла роста НК кремния/ В. А. Небольсин, A.A. Щетинин, Т. И .Сушко, П. Ю. Болдырев // Неорг. матер., 1996. Т.32. № 8. С. 1−4.
  112. Пат. № 2 111 293 Способ определения угла роста РЖ полупроводников МПК6С30В29/07 // В. А. Небольсин, A.A. Щетинин, Т. И. Сушко, П, Ю Болдырев (РФ) — Воронеж.гос.техн.ун-т (РФ). Зарегистрировано в гос. реестре изобретений 20.05.98 г.
  113. Определение угла роста кремния нитевидной формы/В.А. Небольсин., А. А. Щетинин, Т. И. Сушко, Е. А. Барамзина, Е.П. Ендальцев// Тез.докл.2-й Всерос. конференции по проблемам материал. «Кремний-2000», M., 2000, С. 15
  114. Влияние примесей бора на изменение удельного сопротивления НК кремния/ А. А. Щетинин, В. В. Корчагин, Е. П. Новокрещенова, П. Ю. Болдырев / Физика и технология материалов электронной техники: Сб. науч. тр.: Воронеж, 1994. С. 64−68
  115. В.А., Сушко Т. И., Корчагин В. В. /Скорость изменения радиуса НК кремния при капиллярном формообразовании// Вестник ВГТУ, Серия «Материаловедение». Воронеж, 1996. С. 85−89
  116. Wu H.F., Perrotta A.J., Feiglison R.S./ Mechanical characterization of the single crystal a A1203 fibers growing by laser — neated pedestde technigue// light Metal Agi., 1991. V. 49. N 3−4. P. 97−98.
  117. Математическая энциклопедия//Под ред. Виноградова И. М. M.: Сов. энциклопедия, 1982. 470 С.
  118. Образование монокристаллических нитей кремния / В. А. Небольсин, A.A. Щетинин, Т. И. Сушко, Е. Е. Попова, Е. И. Натарова // Вестник ВГТУ, серия. Материаловедение. Вып. 1.4. Воронеж, 1998.С. 39−42
  119. В.В. /Массоперенос на поверхности кристалла вблизи трехфазной границы с расплавом и его влияние на форму растущего кристалла//Кристаллография, 1978. Т.23. № 2. С. 64−68
  120. Г. А., Татарченко В. А., Цейтлин E.H. /Связь угла роста с формой боковой поверхности растущего кристалла// Кристаллография, 1979. Т. 24. Вып. 1.2. С. 134−142
  121. В.В., Соколов И. А., Кузнецов Г. Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1982. 352 С.
  122. .Д., Горюнов Ю. В. Физико-химические основы смачивания и растекания. М.: Химия, 1976. 231 С.
  123. ИО.Джейкок М., Парфит Д. Химия поверхностей раздела фаз. М.: Мир, 1984. 269 С.
  124. В.Р. Технология полупроводникового кремния. М.: Металлургия, 1969. 336 С.
  125. J. Bloem, De Moor a.u. Epitaxial Growth of Silicon by CVD in a Hot-Wall Furnace//J.Electrochem.Soc. 1985. V.132. № 8. P.1973−1980.
  126. Wand H., Fischman G. Role of liquid droplet surface diffusion in the VLS whisker growth mechanism// J.Appl.Phys., 1994. Vol.76,№ 3, P.1557−1562.
  127. Процессы реального кристаллообразования. Коллектив авторов. Под редакцией академика Н. В. Белова. М.:Наука, 1977. 23С. end
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!