Восстановление данных послойного ВИМС-анализа сверхтонких структур
Диссертация
Естественным выходом из этой ситуации является улучшение функции разрешения, поэтому одним из приоритетных путей развития аппаратных средств ВИМС сейчас является создание сверхъярких низкоэнергетических ионных источников, обеспечивающих разрешение, достаточное для решения задач анализа все более узких распределений. Однако следует отметить, что при всей естественности этот путь потенциально несет… Читать ещё >
Список литературы
- Мейеран Ю.С., Флинн П. А., Каррузерс Дж.Р. Аналитические методы в технологии СБИС. — ТИИЭР, 1987, т. 75, № 7, с. 50−108
- Методы анализа поверхности: Пер с англ./ Под ред. А.3андерны. М.: Мир, 1979, 582 с.
- Werner H.W., Boudewijn P.R. A comparison of SIMS with other techniques based on ion-beam solid interactions. Vacuum, 1984, v. 34, № 1−2, p. 83−101.
- Magee C.W., Honig R.E. Depth Profiling by SIMS depth resolution, dynamic range and sensitivity. — Surf, and Interf. Anal., 1982, v. 4, № 2, p. 35−41.
- Maier M. Depth profiling of microelectronic structures by SIMS and AES. -Vacuum, 1986, v. 36, № 7−9, p. 409−412.
- Criegern R.V., Hillmer Th., Weitzel I. Sensitivity limitations in the analysis of semiconductor devices with Auger electron spectroscopy (AES) and secondary ion mass spectrometry (SIMS) Anal. Chem., 1983, v. 314, p. 293−299.
- Wilson R.G., Stevie F.A., Magee C.W. Secondary Ion Mass Spectrometry. -New York.: John Wiley & Sons. 1989, 852 p.
- Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. -Физика и техника полупроводников 1998, т.32, N1, с. 3−18
- Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры: Пер. с англ. / Под ред. ЛЧенга, К. Плога. М.: Мир, 1989, 584 с.
- Hofmann.S. Quantitative Depth Profiling in Surface Analysis: A Revieu Surf, and Interf. Anal., 1980, v. 2, № 4, p. 148−160.
- Hofer W.O., Liebl H. Depth-Profiling of Cu-Ni Sandwich Sample by Secondary Ion Mass Spectrometry.- Appl. Phys., 1975, № 8, p. 359−360.
- Hofer W.O., Martin P.I. On the Influnce of Reactive Gases on Sputtering and Secondary Ion Emission.-Appl. Phys., 1978, № 16, p. 271−178.
- Chu P.K., Grube S.L. Quantitative Determination of Boron and Phosphorus in Borophosphosilicate Glass by Secondary Ion Mass Spectrometry.-Analytical Chemistry, 1985, v.57, № 6, p. 1071−1074.
- Boudewijn P.R., Akerboom H.W.P., Kempeners M.N.C. Profile distortion in SIMS.-Spectrochemica Acta, 1984, v.39b, № 12, p. 1567−1571.
- Stevie F.A. Secondary Ion Mass Spectrometry-First Microelectronics, Now the Rest of the World.-Surf. Interf. Anal., 1992, v. 18, p. 81−86.
- Смирнов В.К., Симакин С. Г. Особенности послойного анализа тонкопленочных структур методом вторично-ионной масс-спектрометрии при бомбардировке поверхности ионами водорода.- Поверхность, 1991, № 9, с. 146−150.- S3
- Smirnov V.K., Simakin S.G., Potapov E.Y. SIMS depth profiling of metal thin films by different primary ions.-Vuoto 1990, v. XX, № 2, p. 329−333.
- Deline V.R. Analysis of implanted boron profiles across the Si-Si02 interface by secondary ion mass spectrometry.- Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Elsevier Science Publishing Co., Inc., 1984, v. 25, p. 949−954.
- Zinner E. Sputter Depth Profiling of Microelectronic Structures. J. Electrochem. Soc., 1983, v. 130, No 5, p. 199C — 222C
- Wittmaack K. Beam-induced broadening effects in sputter depth profiling. -Vacuum, 1984, v.34, № 1−2, p. 119−137.
- Wittmaack K., Poker D.B. Interface Broadening in Sputter Depth Profiling through Alternating Layers of Isotopically Purified Silicon. Nucl. Instrum. Methods, 1990, v. B47, pp. 224 — 235
- П.Зигмунд в кн. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой под ред. Р. Бериша, Гл. 2, стр 23 98, Москва, «МИР», 1984
- Clegg J. B Depth Profiling of Shallow Arsenic Implants in Silicon using SIMS. Surf. Inteface Anal., 1987, v. 10, pp. 332−337
- Homma Y., Wittmaack K. Comparison of profile tailing of SIMS Analyses of various impurities in silicon using nitrogen, oxygen, and neon ion beams at near-normal incidence // Appl. Phys. A. 1990. Vol. 50. P. 417−424.
- Zalm P.C., Vriezema C.J. On some factors limiting depth resolution during SIMS profiling. Nucl. Instrum. Methods, 1992, v. B67, pp. 495−499
- Avau D., Vandervorst W. and H.E.Maes Transient Effects During SIMS Depth Profiling with Oxygen Surf. Inteface Anal., 1988, v. ll, pp. 522−528V
- Smirnov V.K., Simakin S.G. N2+ primary ion beam in negative SIMS depth profiling // Proc. of the VIII Intern, conf. on secondary ion mass spectrometry: SIMS VIII. Chichester: Wiley, 1992. P. 491−494.
- Homma Y., Maruo T. Comparison of Beam-induced Profile Broadening Effects of Gallium and Copper in Oxygen-bombarded Silicon Surf. Inteface Anal., 1989, v. 14, pp. 725−729
- Petravic M., Svensson B.G., Williams J.S. On the estimation of depth resolution during sputter profiling. Appl. Phys. Lett., 1993, v. 62(3), No 18, pp. 278 — 280
- Smirnov V.K., Simakin S.G., Potapov E.V., Makarov V.V. SIMS Depth Profiling of Delta-doped Layers in Silicon. Surf. Inteface Anal., 1996, v.24, pp. 469−475
- Wittmaack K., Towards the Ultimate Limits of Depth Resolution in Sputter Profiling: Beam-induced-Chemical Changes and the Importance of Sample Quality Surf. Inteface Anal., 1994, v.21, pp.323 — 335
- Wittmaack K., Assessment of the extent of atomic mixing from sputtering experiments. J. Appl. Phys., 1982, Vol. 53, pp. 4817 -4820
- Смирнов В. К., Потапов Е. В., Симакин С. Г., Макаров В. В. Разрешение по глубине при послойном анализе 5-легированного кремния методом вторично-ионной масс-спектрометрии. Труды ФТИ РАН, 1995, № 9, с. 19 -25
- Смирнов В. К., Симакин С. Г., Макаров В. В., Потапов Е. В. Послоный анализ сверхтонких слоев легирования Ge в кремнии методом вторично-ионной масс-спектроиетрии. Микроэлектроника, 1994, т.23, вып. 5, с. 6169
- Meuris М., Vandervorst W., Jackman J. On the effect of an oxygen beam in sputter depth profiling //J. Vac. Sci. Technol., 1991. Vol. 9, N 3. pp. 1482−1488.
- Badheka R. Van den Berg J.A., Armour D.G., Wadsworth M. Theoretical calculations of the broadening of dilute Si, Al and Be doped 8 layers in GaAs during SIMS depth profiling // Vacuum. 1993. Vol. 44, N 314. P. 331−335.
- Badheka R., Wadsworth M., Armour D.G., Van den Berg J.A., Clegg J.B. Theoretical and Experimental Studies of the Broadening of Dilute Si Spikes in GaAs during SIMS depth profiling. Surf. Inteface Anal., 1990, v. 15, pp. 550 -558.
- Katardjiev I.V., Nobes M.J., Carter G. The Precise Determination of Concentration Distributions using Depth-Sectioning methods.- Surf. Inteface Anal., 1989, v. 14, pp. 572- 574
- Carter G., Katardjiev I.V., Nobes M.J. An Altered Layer Model for Sputter-profiling, .- Surf. Inteface Anal., 1989, v. 14, pp. 194 208
- Alay J., Vandervorst W. XPS analysis of ion-beam-induced oxidation of substrates.- Surf. Interf. Anal. 1992, v.19 p.313−317.
- Beyer G.P., Patel S.B., Kilner J.A. A SIMS study of the altered layer in Si using 18C>2 primaries of various angles of incidence.// Nucl.Instr.Methods B 1994 v.85 p.370−373.
- Pan J.S., Wee A.T.S., Huan C.H.A., Tan H.S., Tan K.L. AES analysis of silicon nitride formation by 10 keV N+ and N2+ ion implantation. Vacuum, 1996, v.47, N12, p. 1495−1499.
- Sigmund P., Gras-Marti A. Distortion of Depth Profiles During Sputtering. -Nucl. Instrum. Methods, 1980, v. 168, pp. 389−394
- Littmark U., Hofer W.O. Recoil Mixing in Solids by Energetic Ion Beams. -Nucl. Instrum. Methods, 1980, v. 168, pp. 329−342
- Andersen H.H. The Depth Resolution of Sputter Profiling. Appl. Phys., 1979, v. 18, pp.131- 140
- Hofer W.O., Littmark U. The Theory of Concentration Depth Profiling by Sputter Etching Springer Ser. Chem. Phys., 1982, v. 19 pp.201−205
- Clegg J.B., Beall R.B. Measurement of Narrow Si Dopant Distributions in GaAs by SIMS. Surf. Inteface Anal., 1989, v. 14, pp. 307−314
- Clegg J.B., Gale I.G. SIMS Profile Simulation using Delta Function Distribution. Surf. Inteface Anal., 1991, v.17, pp. 190 — 196
- Zalm P.C., Vriezema C.J., Gravesteijn D.J., van de Walle G.F.A., de Boer W.B. Facts and Artefacts in the Characterization of Si/SiGe Multilayers with SIMS. Surf. Inteface Anal., 1991, v.17, pp. 556−566- 3t
- Barlow R.D., Dowsett M.G., Fox H.S., Kubiak R.A.A., Newstead S.M. SIMS Response Functions for MBE grown delta layers in Silicon. Nucl. Instrum. Methods, 1992, v. B72, pp. 442−446
- Makarov V.V., Use of Model Depth Resolution Functions for the Deconvolution of Depth Profiling Data. Surf. Inteface Anal., 1993, v.20, pp. 821−826
- Wittmaack K. Effect of surface roughening on secondary ion yields and erosion rates of silicon subject to oblique oxygen bombardment.- J.Vac. Sei. Technol. A 1990, v.8, N3, p.2246−2250.
- Karen A., Okuno K., Soeda F., Ishitani A. A study of the secondary-ion yield change on the GaAs surface caused by the C>2+ ion-beam-induced rippling.- J. Vac. Sei. Technol., 1991, v. A9, № 4, p. 2247−2252.
- Stevie F.A., Kahora P.M., Simons D.S., Chi P. Secondary ion yield changes in Si and GaAs due to topography changes during 02+ or Cs+ ion bombardment. -J. Vac. Sei. Technol., 1988, v. A4, p. 76−80.
- Marton D., Laszlo J., Giber J., Rudenauer F.G. EFSA a new evaluation method of the depth resolution in depth profiling of multilayer structures. -Vacuum, 1985, v.35, No 12, pp. 523 — 526
- Dowsett M.G., Rowlands G., Allen P.N., Barlow R.D. An Analytic Form for the SIMS Response Function Measured from Ultra-thin Impurity Layers. Surf. Inteface Anal., 1994, v.21, pp. 310−315.
- King B.V. and Tsong I.S.T. Deconvolution of Atomic Mixing Effects from SIMS Depth Profiles. Nucl. Instrum. Methods, 1985, v. B7/8, pp. 793−797
- Carter G., Katardjiev I.V., Nobes M.J. The Deconvolution of Sputter-etching Surface Concentration Measurements to Determine Impurity Depth Profiles -Surf. Inteface Anal.,. 1989, v.14, pp. 511- 523
- Herzel F., Ehwald K.H., Heinemann B., Kruger D., Kurps R., Ropke W. and Zeindl H.P. Deconvolution of Narrow Boron SIMS Depth Profiles in Si and SiGe. Surf. Inteface Anal., 1995, v.23, pp. 764−770
- Allen P.N., Dowsett M.G. and Collins R. SIMS Profile Quantification by Maximum Entropy Deconvolution. Surf. Inteface Anal., 1993, v.20, pp. 696−702- 3Z
- Allen P.N. and Dowsett M.G. Maximum Entropy Quantification of SIMS Depth Profiles Behaviour as a Function of Primary ion Energy. — Surf. Inteface Anal., 1993, v.20, pp. 696−702
- Zalm P.C. and de Kruif R.C.M. Problems in the deconvolution of SIMS Depth Profiles using delta doped test structures. Appl. Surf. Sci., 1993, v.70/71, pp. 73−78
- Gautier В., Prost R., Prudon G. and Dupuy J.C. Deconvolution of SIMS Depth Profiles of Boron in Silicon. Surf. Inteface Anal., 1996, v.24, pp. 733−745
- D.P.Chu, M.G.Dowsett and G.A.Cooke Characterization of the noise in secondary ion mass spectrometry depth profiles. J. Appl. Phys. V.80, Issue 12, (1996) pp.7104−7107.
- Makarov V.V. Nature of Noise in SIMS Depth Profiling Data Surf. Inteface Anal., 1999, Vol.27 pp. 801 — 804
- Smirnov V.K., Simakin S.G. N24″ primary ion beam in negative SIMS depth profiling // Proc. of the VIII Intern, conf. on secondary ion mass spectrometry: SIMS VIII. Chichester: Wiley, 1992. P. 491−494.
- Meuris M., De Bisschop P., Leclair J.E., Vandervorst W. Determination of the Angle of Incidence in a CAMECA ims-4f SIMS instrument. Surf. Inteface Anal., 1989, v.14, pp. 739−743
- Г. Вернер Введение в вторично-ионную масс-спектрометрию, в кн. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел: пер. с англ./ под ред. Л. Фирмэнса, Дж. Вэнника и ВДекейсера М.: Мир, 1981, 384 с.
- W.Vandervorst and F.R.Shepherd, Secondary ion mass spectrometry profiling of shallow, implanted layers using quadrupole and magnetic sector instruments.-/. Vac. Sci. Technol. 1987, vol. A5(3), pp. 313−320-М
- J.P.Biersack, Computer Simulations of Sputtering -Nucl. Instrum. Methods 1987, Vol. B27, pp. 21 36
- Смирнов В. К., Курбатов Д. А., Потапов Е. В., Жохов А. В. Локализованные по глубине изменения вторично-ионной эмиссии кремния при бомбардировке поверхности ионами N2+.- Поверхность 1993, № 10, с. 65−73.
- Симакин С.Г., Смирнов В. К., Жохов А. В. Количественный послойный анализ кислорода в кремнии в широком диапазоне концентраций с коррекцией шкалы глубин методом ВИМС при бомбардировке поверхности ионами N2+.-Поверхность, № 10, 1994, с. 65−72.
- Smirnov V.K., Simakin S.G. SIMS depth profiling of implanted layers under N2+ ion borbandment.-Vacuum, 1993, v. 44, № 9, p. 885−887.
- Смирнов B.K., Курбатов Д. А., Потапов E.B. Исследование взаимодействия пучков ионов азота и кислорода с поверхностью кремния.-Известия РАН, 1992, т.56, № 3, с. 71−76.
- Смирнов В.К., Кривелевич С. А., Кибалов Д. С., Лепшин П. А. Структурирование поверхности кремния ионными пучками. Труды ФТИ РАН, 1997, т. 12, с. 62−85
- Elst К., Vandervorst W. Influence of the composition of the altered layer on the ripple formation. J. Vac. Sci. Technol., 1994, vol. A12(6), p.3205−3216
- Vajo J.J., Doty R.E., Cirlin E.H. Influence of 02+ energy flux and fluence on the formation and growth of sputtering-induced ripple topography on silicon. /. Vac. Sci. Technol., 1996, vol. A14(5), p.2709−2720
- Zalar A. Improved depth resolution by sample rotation during Auger electron spectroscopy depth profiling.-Thin Solid Films, 1985, № 124, p. 223−230.1. Sir
- Zalar A. Auger Electron Spectroscopy Depth Profiling During Sample Rotation.-Surf, and Interf. Anal., 1986, v.9, p. 41−46.
- Zalar A. Sample rotation in Auger electron spectroscopy depth profiling.-J. Vac. Technol., 1987, v. A5, № 5, p. 2979−2980.
- Zalar A. AES depth profiling of a new type of multilayer structure composed of Cr/Ni layers of various thicknesses.-Thin Solid Films, 1989, № 181, p. 277−283.
- Cirlin E.H., Vajo J.J. SIMS with sample rotation.-Proc. of the 8-th Internat. Conf. on Secondary Ion Mass Spectrometry. SIMS VTII/Eds. Benninghoven A. et al. Chichester: Wiley. 1992, p. 347−350.
- Makarov V.V. Comment on the possibility of Partial Deconvolution of SIMS Depth Profiles. Surf. Inteface Anal., 1995, v.23, p. 899
- Makarov V.V. and Balashov A.Y. Secondary Ion Energy Distribution Measurement in IMS-3F/4 °F Instruments.- Proc. of the 8-th Internat. Conf. on Secondary Ion Mass Spectrometry. SIMS VIII/Eds. Benninghoven A. et al. Chichester: Wiley. 1992, p. 256−259.
- Alexeyev A.P., Makarov V.V. Nondestructive EPMA Depth Profiling of Buried Oxide/Silicide Layers in Silicon.- Book of Absracts of the 5-th European Workshop on Modern Developments and Applications in Microbeam Analysis, 1115 May 1997, Torquay, U.K.