Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Поверхность твердого тела при воздействии молекулярных галогенов

Диссертация: Поверхность твердого тела при воздействии молекулярных галогенов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Помимо утилитарного подхода к взаимодействию галогенов с поверхностью твердого тела как основе перспективных технологий, следует учитывать, что именно галогены представляют собой идеальные модельные газы для изучения общих законов взаимодействия активных газов с поверхностью в контролируемых условиях сверхвысокого вакуума. Несмотря на то, что элементарными активными газами в природе являются… Читать ещё >

Поверхность твердого тела при воздействии молекулярных галогенов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • РАЗДЕЛ I. АНАЛИЗ ПРОБЛЕМЫ, ПОСТАНОВКА ЗАДАЧ И ВЫБОР МЕТОДОВ ИССЛЕДОВАНИЯ
  • Глава 1. 1 Анализ проблемы и постановка задач
    • 1. 1. 1. Выбор объекта исследования
    • 1. 1. 2. Терминология и
  • список сокращений
    • 1. 1. 3. Основные стадии реакции галогенов с металлами
      • 1. 1. 3. 1. Двумерные решетки галогенов на поверхности меди и серебра
      • 1. 1. 3. 2. Структура пленок галогенида на поверхности меди и серебра
      • 1. 1. 4. Взаимодействие галогенов с поверхностью полупроводников
      • 1. 1. 4. 1. Взаимодействие молекулярного хлора с поверхностью 81(100)
      • 1. 1. 4. 2. Взаимодействие галогенов с поверхностью ОаАз (001)
      • 1. 1. 4. 2. 1 Атомные реконструкции ОаАз (001)
      • 1. 1. 4. 2. 2 Адсорбция галогенов на ОаАз (001)

Изучение поверхности твердого тела является одним из наиболее динамично развивающихся направлений в современной физике конденсированного состояния. Начиная с 90-х годов, акцент многих исследований смещается в сторону объектов сверхмалых размеров, таких как двумерные слои, наноструктуры, кластеры. Именно от этих объектов ожидаются новые необычные свойства, способные привести в будущем к прорыву в области техники, компьютеров, химических и биологических технологий. В качестве технологии создания подобных объектов перспективным является использование химических поверхностных реакций, среди которых можно выделить реакцию взаимодействия галогенов с поверхностью металлов и полупроводников. Во-первых, благодаря своей активности, галогены являются идеальными молекулами, способными реагировать с любыми известными веществами. Во-вторых, галогены уже зарекомендовали себя как технологический агент в гетерогенном катализе и микроэлектронике. В-третьих, именно в результате воздействия галогенов на поверхность обнаружены новые физические явления, в частности, гигантское комбинационное рассеяние света, причиной которого является формирование на поверхности металлов объектов размерами 1−10 нм. Также следует отметить, что продукты реакции галогенов с серебром — галогениды серебра представляют собой, по-видимому, одно из самых первых применений наноматериалов в осмысленной деятельности человека — фотографии.

Помимо утилитарного подхода к взаимодействию галогенов с поверхностью твердого тела как основе перспективных технологий, следует учитывать, что именно галогены представляют собой идеальные модельные газы для изучения общих законов взаимодействия активных газов с поверхностью в контролируемых условиях сверхвысокого вакуума. Несмотря на то, что элементарными активными газами в природе являются молекулы кислорода и галогенов, с точки зрения модельных исследований галогены предпочтительнее кислорода, поскольку в случае реакции с кислородом, как правило, получаются очень стойкие оксидные покрытия, а пленки галогенидов, образующиеся при галогенировании металлов, могут быть удалены нагреванием до температур 200−500°С. Благодаря этому поверхность каждый раз может быть легко подготовлена для эксперимента, что играет немаловажную роль для исследований в вакууме. Галогены представляют собой набор сходных по электронной структуре молекул, которые сильно отличаются размерами атомов и химической активностью. Высокая химическая активность, широкий спектр молекул (Бг, СЬ, Вгг и Ь), возможность легко восстанавливать поверхность после реакции делает галогены наиболее удобными модельными объектами для изучения общих закономерностей взаимодействия активных газов с поверхностью твердого тела.

В силу специфики исследования поверхностных явлений механизм любого поверхностного процесса может быть установлен только на основании большой совокупности данных. С методической точки зрения необходимо, чтобы и технологический процесс, и процесс измерения были проведены в одной и той же сверхвысоковакуумной установке без выноса объекта на атмосферу. Указанный подход позволяет получать информацию на разных стадиях процесса и гарантирует достоверность результатов.

В 70-х годах разработка современного сверхвысоковакуумного оборудования и развитие методов электронной спектроскопии стимулировали появление большого количества исследований, посвященных адсорбции галогенов на чистой монокристаллической поверхности металлов. Следует особо отметить пионерские работы Ж. Ровиды с соавторами [1], П. Годдарда и Р. Ламберта [2]. Несколько позднее начались исследования адсорбции галогенов на поверхности кремния и арсенида галлия. Интерес к указанной проблеме поддерживался примерно до конца 80-х годов, когда были использованы возможности электронной спектроскопии и дифракции электронов. Однако ответов на поставленные вопросы о механизме реакции получено не было. Именно тогда стало ясно, что свойства адсорбированных галогенов должны исследоваться на уровне атомной структуры поверхности.

Введение

в 90-х годах сканирующего туннельного микроскопа в практику сверхвысоковакуумных экспериментов позволило для многих систем, многократно исследованных традиционными дифракционными методами анализа структуры поверхности, получить новые данные и снять имевшиеся противоречия в интерпретации результатов.

Работа, результаты которой представлены в диссертации, была начата в середине восьмидесятых годов, причем основной мотивацией являлось отсутствие ответов на вопросы, что и каким образом происходит на поверхности твердого тела при воздействии галогенов. В процессе выполнения работы началась «эра нанотехнологии», что существенно усилило значимость поверхностных химических реакций с участием галогенов, поскольку знание механизмов взаимодействия на атомном уровне должно дать реальный выход для создания технологий атомного конструирования, включающих в себя методы локального травления и осаждения с характерными латеральными размерами структур 1−10 нм.

Основной целью работы являлось изучение механизмов взаимодействия молекулярных галогенов с поверхностью твердого тела на уровне атомных перемещений. Для этого необходимо было разработать подходы к экспериментальному изучению такого сложного динамического объекта как поверхностная химическая реакция, развить методы исследования атомной структуры, электронных и колебательных состояний поверхности и разработать экспериментальное оборудование.

Для экспериментального изучения поверхностных явлений, происходящих при взаимодействии галогенов с поверхностью, был использован подход, при котором технологическое воздействие и процесс измерения структурного и спектрального состояния поверхности производятся в одном вакуумном объеме при остаточном давлении не выше Ю~10 Торр. В качестве поверхности использовались базовые грани монокристаллов наиболее изученных металлов (Си, Ag) и полупроводников (Si, GaAs).

Напуск молекулярных галогенов (CI2, Ь) в виде газа проводился при парциальных 1 2 давлениях 10 -10 Торр, температура поверхности могла изменяться в пределах от 100 до 1100 К.

Были использованы следующие методы измерения:

• электронная оже-спектроскопия с факторным анализом спектров (ЭОС-ФА) и термодесорбционная масс-спектрометрия (ТДМС) для изучения химического состояния поверхности,.

• сканирующая туннельная микроскопия (СТМ) и дифракция медленных электронов (ДМЭ) для изучения кристаллографии, атомной структуры и морфологии поверхности,.

• спектроскопия протяженной тонкой структуры энергетических (ионизационных) потерь электронов (Extended Energy Loss Fine Structure, EELFS) и рентгеновская фотоэлектронная дифракция (РФЭД) для исследования локальной структуры поверхности.

Диссертация состоит из введения, трех разделов в виде 8 глав, заключения и списка литературы. Общий объем работы 224 страницы, включая 85 рисунков, 11 таблиц, 171 источник цитирования.

Основные выводы главы могут быть сформулированы следующим образом:

Установлено, что зародышеобразование и рост пленки Cul на всех исследованных низкоиндексных гранях меди начинается только после формирования насыщенного монослоя йода, которое происходит путем развития структурных фазовых переходов как первого (грань (100)), так и второго рода (все три грани) из соответствующих соразмерных структур: (V3xV3)R30° на Cu (lll), с (2×2) на Cu (lOO) и Си (110). Точная идентификация атомной структуры насыщенных монослоев йода, проведенная в работах [162,167,171], явилась основой при определении атомной структуры и ориентации атомных слоев Cul в плоскости роста для всех исследованных низкоиндексных граней меди.

Установлено, что йодид меди на всех гранях растет послойно, формируя слои гексагональной и/или квазигексагональной симметрии. Основными центрами зародышеобразования являются края атомных ступеней, ориентация которых задает направление роста двумерных островков Cul в плоскости поверхности. Помимо этого на поверхности Cu (lll) обнаружено, что специфическими центрами зародышеобразования йодида меди являются места пересечения доменных стенок в насыщенном монослое хемосорбированного йода на террасах.

Для всех исследованных граней установлено наличие атомно-резкого интерфейса, разделяющего решетки Си и Cul, причем пространственная и электронная структура интерфейса и соответствующего насыщенного монослоя хемосорбированного йода совпадают в пределах точности эксперимента.

Для Cu (lll) установлено, что межатомные расстояния на поверхности пленки совпадают с объемным значением для плоскости (111) в случае у-фазы (или плоскости (0001) в случае Р-фазы) кристалла Cul во всем диапазоне измеренных толщин от 2 до 6 бислоев Cu-I. Происхождение картин муара, наблюдаемых на поверхности пленки разной толщины (2−6 бислоев Cu-I), обусловлено взаимодействием атомных решеток Cul и интерфейса, которые развернуты друг относительно друга на углы 1.5−3.5°.

Для Cu (lOO) установлено существование четырех типов сверхструктур в пленке Cul, обусловленных взаимодействием атомных решеток Cul и интерфейса. Три из них имеют правильную гексагональную атомную решетку, развернутую на ±5.8°, ±14.4° и ±8.6° по отношению к (110) подложки. Четвертая сверхструктура может рассматриваться как сжатая гексагональная структура, состоящая из линейных областей, разделенных дислокациями несоответствия.

Для Си (110) установлено, что решетка йодида меди в плоскости роста сжата по сравнению с объемным кристаллом Cul (для плоскости (111) в случае у-фазы или плоскости (0001) в случае Р-фазы) и имеет межатомные расстояния 4.22 A, 4.19 A, 4.19 A. Результатом такого сжатия является устранение рассогласования между решетками йодида меди и хемосорбированного монослоя йода в направлении <110>. Обнаруженная сверхструктура, состоящая из сдвоенных полос, интерпретирована в рамках модели доменных стенок.

Глава 11.3 Химические и структурные превращения поверхности серебра при воздействии хлора.

Интерес к исследованиям взаимодействия молекулярного хлора с монокристаллами серебра во многом вызван важной ролью хлорсодержащих молекул в одном из наиболее многотоннажных процессов гетерогенного катализа — реакции эпоксидирования этилена на серебре [172−174]. Небольшие добавки таких молекул в реактор значительно (до 85% [174]) улучшают селективность реакции. Начиная с классических работ Ровиды и др. [1], Годдарда и Ламберта [2], Ту и Блэкли [34], изучение хлорирования низкоиндексных граней серебра в сверхвысоком вакууме проводилось именно с этой точки зрения — понять роль хлора в указанной гетерогенной реакции. В соответствии с общепринятой точкой зрения хемосорбированный хлор является промоутером реакции, а хлорид серебра отравляет серебряный катализатор [172−174]. Поэтому все исследования были направлены на изучение процессов хемосорбции хлора и формирования пленки хлорида серебра. К сожалению, не существует прямых доказательств, подтверждающих вышеуказанное утверждение, более того, не так просто создать условия, когда хлорид серебра адсорбирован непосредственно на чистой поверхности серебра. В работе [175] нами было установлено, что даже в условиях сверхвысокого вакуума при напылении А§ С1 из эффузионной ячейки на поверхность серебра на начальном этапе осаждения происходит разложение А? С1 и образование монослоя хемосорбированного хлора. Рост слоев хлорида серебра становится возможным только начиная со второго атомного слоя, когда хемосорбированное состояние насыщено. В этом смысле роль различных химических состояний хлора в реакции окисления этилена на серебре остается невыясненной.

Другой очень интересной научной проблемой, стимулирующей исследования хлорирования серебра на атомном уровне, являются возможные приложения в нанотехнологиях. Путем контролируемого восстановления наночастиц металла в фоточувствительных слоях хлорида серебра под воздействием электронного или фотонного пучков можно создавать структуры, обладающие одноэлектронным туннелированием при комнатных температурах (см. Гл.И.4). Исходные наночастицы хлорида серебра могут быть получены как адсорбцией молекулярного хлора, так и осаждением хлорида серебра на серебро.

В настоящей главе основной акцент сделан на изучение зародышеобразования хлорида серебра, атомной и локальной структуры хлоридных пленок, образованных в процессе воздействия молекулярного хлора на поверхность Ag (l 11) и А£(100) при разной температуре подложки.

11.3.1 Химическое состояние и морфология поверхности Ад (111) в реакции хлорирования.

Как следует из краткого анализа исследований взаимодействия г. ц.к. металлов с галогенами, проведенного в гл. 1.1, именно процесс хлорирования серебра имеет серьезные отличия от обычного поведения поверхности в ходе подобных реакций. Несмотря на то, что все выводы и интерпретация результатов спектральных исследований поверхности серебра при воздействии хлора, проведенных методами ЭОС и РФЭС, были сделаны одной группой (Баукер и др.) в 1983;87 гг., до недавнего времени практически никто не пытался проверить результаты, хотя интерпретация работ [9−12] не является однозначной.

Процесс хлорирования серебра описывается авторами [9−12] следующим образом. При низкой температуре подложки (Т< 240 К) адсорбция хлора приводит к формированию двумерной пленки хлорида серебра. При нагревании такой поверхности до температуры 300−600 К происходит разрушение AgCl и растворение хлора в объеме серебра. При дальнейшем повышении температуры (650−700 К) хлор выходит из объема кристалла серебра и непосредственно перед десорбцией продуктов реакции хлорид серебра восстанавливается на поверхности. В рамках данной модели [11] адсорбция хлора при комнатной температуре приводит к непосредственному растворению хлора в объеме серебра, оставляя на поверхности монослой хемосорбированного хлора.

Отметим, что созданная при низких температурах подложки двумерная пленка галогенида при нагревании обычно переходит в равновесное состояние либо распадаясь на трехмерные островки (случай роста Странского-Крастанова (Cl/Cu, Br/Ag), либо оставаясь двумерной (случай роста Франка и Ван-дер-Мерве (I/Cu)). В электронных спектрах поверхности разрушение двумерной пленки с образованием трехмерных островков галогенида приводит к уменьшению сигнала адсорбата. Необычным в поведении реакции хлорирования серебра является уменьшение интенсивности ЭОСи РФЭС-линий хлора до уровня монослоя хемосорбированного хлора (интерпретируемое в [9−12] как исчезновение хлорида серебра с поверхности) при одних температурах (300— 600 К), а затем его восстановление (интерпретируемое там же как сегрегация хлорида серебра) при других температурах (650−700 К).

В работах [10,11] был проведен специальный эксперимент, доказывающий по мнению авторов модель растворения хлора в объеме серебра. Сначала проводилась адсорбция хлора на поверхность Ag (110) при низкой температуре (170 К), после чего образец нагревался до температуры 570 К с целью «растворить» хлор в объеме серебра. Затем ионной бомбардировкой с поверхности удалялся монослой хлора, причем температура подложки при травлении была фиксирована, 300 К или 110 К. После ионного травления проводился стандартный линейный нагрев поверхности до температур удаления продуктов хлорирования, в процессе которого записывались интенсивности оже-линий. В случае травления при Т- 300 К требовалось длительное время (30 мин), чтобы снизить отношение т] оже-линий СМг^УУ и AgM^KK до величины 0.38. Отметим, что монослой хлора соответствует т] = 0.8. Нагрев показал, что результатом ионного воздействия являлось отсутствие всплеска интенсивности оже-линии хлора при 650−700 К (кривая а, рис. II.3.1). Наличие всплеска в интенсивности ожеили фотоэлектронных линий при нагревании до 650 К по мнению авторов [9−12] означает появление AgCl на поверхности. Такое поведение температурной кривой объяснялось интенсивной диффузией хлора из объема серебра на поверхность в процессе травления при Т = 300 К, что приводило к постепенному выходу и стравливанию всего растворенного в объеме хлора. В процессе травления при Г=110К отношение 77 быстро снижалось до 0.45 (1.5 мин), и при последующем нагреве термодесорбционная оже-кривая имела характерный всплеск интенсивности Cl при 650−700 К (кривая б, рис. II.3.1). Авторы объяснили наличие пика и соответственно появление AgCl при нагревании отсутствием диффузии хлора из объема в процессе травления при низкой температуре подложки.

Изложенные результаты опытов по травлению хлорированного серебра могут быть непротиворечиво объяснены в рамках модели, принятой для описания поведения большинства систем галоген/металл. Нагрев поверхности серебра, хлорированной при низкой температуре, до 570 К может приводить к формированию трехмерных (3D) островков, окруженных слоем хемосорбированного хлора. При ионной бомбардировке удаление материала происходит послойно и монослой хлора должен быть удален сразу же на первой стадии травления. В случае травления при Г=300 К монослой хлора может восстанавливаться за счет разложения AgCl в островках. На основании данных работы [13] можно предполагать, что такой процесс обеспечивается достаточной скоростью поверхностной диффузии адсорбата при разложении AgCl на Ag и CladsИменно поэтому снижение ?/ до 0.38 происходило столь долго (30 мин). И наоборот, в процессе травления при температуре 110 К диффузия по поверхности отсутствует, монослой не может восстанавливаться за счет притока хлора из островков AgCl, вследствие чего быстро удаляется ионным травлением. В этом случае остаточная величина 77 = 0.45 объясняется сигналом от островков хлорида серебра.

Чтобы объяснить снижение сигнала хлора до уровня монослоя в электронных спектрах при нагревании поверхности, наблюдаемое в работах [9−12], следует сделать допущение, что трехмерные островки являются достаточно крупными и их количество мало. В этом случае (в силу малой глубины анализа в методах электронной спектроскопии) хемосорбированный монослой дает наибольший вклад в оже-сигнал адсорбата, поскольку островки хлорида серебра занимают небольшую площадь поверхности, и заметить разницу в интенсивности линии хлора без анализа формы линии достаточно непросто. В работах [9−12] анализ формы линии в оже-спектрах не проводился, а заметных сдвигов линий в фотоэлектронных спектрах при образовании галогенидов металлов не наблюдается [101].

Таким образом, вопрос о сценарии и механизме химических превращений при взаимодействии хлора с поверхностью серебра остается открытым. Причиной такого положения дел является сложный характер превращений, с одной стороны, и применение недостаточного арсенала экспериментальных методов — с другой. Чтобы получить ответ на поставленный вопрос, необходимо провести детальное изучение химического состояния и морфологии поверхности в ходе реакции. В настоящей главе представлены результаты исследования химического состава поверхности А§-(111), ее морфологии и локальной структуры в реакции хлорирования.

П. 3.1.1 Химическое состояние Ag (lll) в реакции хлорирования.

11.3.1.1.2 Определение оптимальных условии хлорирования.

Для изучения химических превращений на поверхности серебра в процессе хлорирования желательно выбрать условия, обеспечивающие максимальную скорость реакции с образованием пленки AgCl на поверхности, поскольку априори ясно, что из-за инертности серебра процесс роста хлорида серебра при хлорировании в условиях сверхвысокого вакуума затруднен. Как было отмечено в Гл. 1.1.1, на первой стадии реакции хлорирования металла происходит формирование монослоя хемосорбированного хлора, и лишь затем начинается рост хлорида металла. В данном разделе в качестве критерия скорости образования хлорида серебра будет использован интеграл (или интенсивность) пика сублимации AgCl в спектрах термодесорбции хлорированного А§-(111) и изучена его зависимость от температуры адсорбции молекулярного хлора.

Температура, К.

Рис. 11.3.1. Изменение интенсивности оже-линии хлора в ходе нагрева для хлорированной поверхности А§-(110) (доза С12 ?>= 120 Л) [4]: (я) после травления при Т = 300 К, (б) после травления при Т- 110 К. Чтобы «растворить» хлор в объеме серебра, хлорированная поверхность была предварительно нагрета до 570 К.

Интенсивность, имп/сх 10 201.

Пик сублимации AgCl.

Вначале проанализируем спектр термодесорбции хлорированной поверхности серебра и определим состав и положение пиков десорбции хемосорбированного хлора и хлорида серебра на шкале температур. Как было установлено в работах [9−11], спектр состоит из двух пиков: широкого высокотемпературного пика с максимумом при Г" 750 К, соответствующего десорбции монослоя хлора, и узкого пика при Т" 670 К, связанного с сублимацией AgCl.

Полученные нами термодесорбционные спектры А§-(111), хлорированного при 300 К, показаны на рис. II.3.2. Пик десорбции хемосорбированного хлора, выходящего в виде молекул AgCl (табл. II.6), по сути, представляет собой сублимацию верхнего слоя атомов серебра, связанных с хемосорбированным хлором. Связь между первым и вторым слоями серебра.

X 120 .

01.

Пик десорбции хемосорбированного хлора.

700 900.

Температура, К.

Рис. П. 3.2 Термодесорбционные спектры ослаблена сильным взаимодействием хлор-поверхности Аё (111), хлорированной при.

Т= 300 К: (Д) ион AgCl+ (т/е= 142), сеРебР°> поэтому удаление верхнего слоя атомов.

— 10Л- (?) ион AgCl, В = =2500 Лсеребра, связанного с хемосорбированным (•) ион А&С1 (т/е = 249), ?> = 2500 Л хлором, в виде молекулы А? С1 происходит значительно раньше («620 К), чем сублимация чистого серебра (~ 860 К).

Из табл. II.6 также видно, что по сравнению с пиком десорбции хемосорбированного хлора пик сублимации AgCl имеет дополнительные тяжелые фрагменты Ag2Cl+, Ag2Cl2 и А§ 3С13++. Как было получено в работе [176], основными.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертации представлены результаты сверхвысоковакуумных исследований процессов взаимодействия молекулярного хлора и йода с поверхностью таких металлов как медь и серебро и с поверхностью арсенида галлия и кремния, выбранных в качестве наиболее важных материалов микрои оптоэлектроники. Исследования включают в себя, в частности, изучение атомной структуры поверхности на различных стадиях химической реакции. Показано, что взаимодействие галогенов с металлами подчиняется достаточно жестким закономерностям для всех изученных случаев. В частности, на атомном уровне поняты процессы зародышеобразования и роста новой кристаллической фазы при взаимодействии йода с низкоиндексными гранями меди. Для полупроводниковой поверхности свойства каждой из изученных реконструированных поверхностных структур, GaAs (001)-4×2/c (8×2) и Si (100)-2xl, оказались индивидуальными, что не позволило сделать обобщающих заключений о закономерностях взаимодействия молекулярных галогенов с поверхностью полупроводников. Данный вывод объясняется исключительной сложностью и специфичностью, которыми, как правило, обладают реконструированные поверхности полупроводников (в отличие от металлов). Тем не менее, на промышленно важной грани (100) кремния и арсенида галлия были обнаружен ряд особенностей атомного масштаба, что позволило предложить практические рекомендации по использованию молекулярных галогенов для управления атомными реконструкциями GaAs (OOl) и для формирования наноразмерных структур на поверхности Si (100).

Следует отметить такой важный аспект проведенного исследования как разработка подходов и методов изучения поверхностных процессов. Рассмотренные достаточно простые случаи роста галогенидных пленок на поверхности металлов можно использовать в качестве модельных систем для изучения гораздо более сложных процессов, проходящих при молекулярно-лучевой эпитаксии германия на поверхности кремния и эпитаксии.

AmBv/AiiiBv Использование совокупности методов диагностики поверхности, включая сканирующую туннельную микроскопию, in situ на каждом этапе любого ростового процесса на поверхности является ключом для установления механизмов происходящих событий на атомном уровне.

По результатам работы были сделаны следующие основные выводы: 1 Разработан, создан и применен для изучения реакции галогенирования металлов и полупроводников комплекс методов анализа и методик измерения, специализированных для постадийного исследования поверхностных процессов в условиях сверхвысокого вакуума. Основой комплекса является совмещение технологического воздействия в виде управляемых газовых пучков и измерения атомной структуры, электронных и колебательных спектров поверхности. В качестве методов анализа используются сканирующая туннельная микроскопия, интерференция и дифракция электронов и фотоэлектронов, оже-электронная спектроскопия с факторным анализом, гигантское комбинационное рассеяние света и термодесорбционная масс-спектрометрия.

2 Установлено, что в зависимости от степени покрытия поверхности металла галогены формируют два химических состояния. При покрытии меньше одного атомного слоя на поверхности может существовать только хемосорбированный слой галогена, при толщине покрытия в два и более слоев формируется новое состояние — галогенид металла, причем насыщенный хемосорбированный монослой галогена может выступать в роли интерфейса между поверхностью металла и пленкой галогенида металла. Детально изучены обе стадии процесса для реакций йодирования и хлорирования поверхности меди и серебра.

3 Установлено, что формирование галогенида металла при взаимодействии с молекулярным хлором и йодом является поверхностным процессом без растворения галогена в объеме подложки. Доказано, что процесс хлорирования серебра, в котором ранее предполагалось растворение хлора в объеме серебра, не является исключением, хотя и имеет свои особенности, обусловленные влиянием первичного электронного пучка при использовании электронной спектроскопии.

4 Установлено, что в случае взаимодействия молекулярного йода с основными гранями меди (111), (100) и (110) интерфейс Cul/Cu является атомно-резким и обладает электронным спектром и атомной структурой монослоя хемосорбированного йода, сформированного на первой стадии реакции, а стыковка атомной решетки галогенида с атомной решеткой монослоя йода происходит по атомным рядам, что вызывает соответствующий разворот слоя галогенида относительно базовых направлений на поверхности металла. На атомном уровне описаны процессы зародышеобразования и роста пленок йодида меди на всех базовых гранях кристалла меди.

5 Создана и изучена новая поверхностная система, способная усиливать комбинационное рассеяние света (КРС). Данная система представляет собой поверхность меди или серебра, подвергшуюся сверхвысоковакуумному процессу хлорирования и состоящую из островков хлорида меди или серебра с металлическими кластерами. Показано, что активация поверхности может быть проведена лазерным излучением и/или электронным пучком, в результате чего коэффициент усиления КРС может достигать величины 106. Особенностью системы является высокая температурная стабильность, определяющаяся только термическим разрушением хлоридной матрицы, 420 К для CuCl и 580 К дляА§ С1.

6 Изучено взаимодействие молекулярного хлора с поверхностью Si (100) в диапазоне температур 90−1000 К. Определены продукты реакции и основные закономерности процесса. Установлено, что при низких температурах поверхности (Т < 100 К) реакция хлорирования кремния может проходить только при активации электронами средних энергий (< 2000 эВ), что позволило предложить технологию локального травления поверхности кремния.

7 Экспериментально установлено, что поверхность GaAs (001)-4×2 наиболее адекватно описывается ¿-^-моделью. В то же время обнаружены существенные отличия атомной структуры поверхности от-модели, заключающиеся, в частности, в наличии локализованных зарядов на поверхности, которые являются исходными центрами адсорбции и во многом определяют зародышеобразование монослоя хемосорбированных атомов галогена.

8 Впервые предложена непротиворечивая модель структурных превращений поверхности GaAs в процессе воздействия галогенов, основанная на полученном экспериментальном материале. Выявлены основные закономерности формирования слоя йода на поверхности GaAs (001)-4×2 при адсорбции молекулярного йода, а также изучены структурные переходы поверхности при термической десорбции продуктов химической реакции.

9 Предложена и реализована сверхвысоковакуумная процедура формирования атомно-гладкой поверхности GaAs (OOl) заданной атомной структуры (реконструкции). Процедура основана на селективном удалении атомов галлия и нагревании поверхности до температуры 250−300 К. Установлено, что путем регулирования исходной степени покрытия йодом (0.1 < в < 1.0) поверхности GaAs (001)-4×2 можно получить последовательный ряд структур типа пхб, структуру 2×4, а также другие локальные структуры, обогащенные мышьяком.

БЛАГОДАРНОСТИ.

Результаты, представленные в диссертации, были получены за период примерно в 20 лет, с 1986 г. по 2006 г. в лаборатории поверхностных явлений Центра естественнонаучных исследований Института общей физики им. А. М. Прохорова, хотя сами исследования в данной области были начаты мною еще в 1981 г. и долгое время не давали никакого реального выхода. Фактически данные исследования были начаты с нуля, поскольку ни я сам, ни те мои коллеги, с которыми я начинал, не имели никакого опыта работы в области физики поверхности. Здесь я хочу с большой благодарностью отметить Валерия Валентиновича Мартынова и Андрея Николаевича Климова, с которыми я осваивал азы эксперимента в физике поверхности. И в дальнейшем, вклад А. Н. Климова в продвижение в область освоения новых методов и создания приборов, таких как сканирующая туннельная микроскопия, гигантское комбинационное рассеяние и др., оказался огромным. Им были написаны многие программные пакеты управления и самих устройств, таких как СТМ, КРС, ОЭС, ТДМС, и процедуры проведения эксперимента с координацией различных методов в процессе измерений. С 1983 года, когда в лаборатории появился Владимир Михайлович Шевлюга, фронт исследований расширился и очень многие результаты, представленные в диссертации, были получены совместно в В. М. Шевлюгой, причем я с благодарностью должен отметить его огромную работоспособность, что привело к созданию новой экспериментальной установки и прорыву в проведении экспериментов. Особую благодарность я приношу моему постоянному соавтору Борису Владимировичу Андрюшечкину. Благодаря оригинальности мышления и настойчивости в достижении цели очень многие научные результаты, представленные в работе, были доведены до логического конца именно им. С появлением в 1990 г. в лаборатории Владимира Юрьевича Юрова стала реальной возможность развития сверхвысоковакуумной сканирующей микроскопии, поскольку Владимир Юрьевич провел основную работу по созданию прототипа СТМ, который затем был развит и тиражирован в качестве серийного прибора ОРТЗОО. Александру Александровичу Веденееву я благодарен за совместную работу при исследовании процессов на поверхности арсенида галлия.

Я благодарю Генриетту Яковлевну Зуеву, под началом которой я работал с 1980 г. по 1997 г. в химической лаборатории, и считаю ее идеальным начальником, поскольку всегда получал от нее только помощь как в организационном плане, так и при возникновении вопросов в области химии.

Особое спасибо я должен сказать Александру Михайловичу Прохорову, который на протяжении более двадцати лет с момента моего появления в Институте в 1980 г. всегда поддерживал меня при выполнении исследований поверхности, особенно в начале, когда было абсолютно непонятно, как изучать поверхность, а тем более такой сложный объект как поверхностные химические реакции. Фактически, Александр Михайлович дал возможность мне реализовать себя в науке.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , Pratesi F., Maglietta M., Ferroni E. 1. LEED study of chlorine chcmi sorption on thesilver (111) surface // Japn.J.Appl.Phys. 1974. — suppl.2 -pt.2. — P. 117−120.
  2. Goddard P.J., Lambert R.M. Adsorption-desorption properties and surface structural chemistry of chlorine on Cu (l 11) and Ag (l 11) // Surf. Sci. 1977. — Vol.67. — P. 180−194.
  3. Lundgren E., Mikkelsen F., Andersen J.N., Kresse G., Schmid M., Varga P. Surface oxides on close-packed surfaces on late transition metals // J. Phys.: Condens. Matter 2006. — Vol. 18. -P. R481-R499.
  4. .В., Ельцов К. Н., Шевлюга В. М. Сканирующая туннельная микроскопияфазовых переходов «соразмерная-несоразмерная структура» в хемосорбированных слоях галогенов"//УФН-2000.-Т. 170. С. 571−580.
  5. Andryushechkin В. V., Eltsov K.N., Shevlyuga V.M. II Atomic scale observation of iodine layercompression on Cu (l 11), Surf. Sci. 2001. — Vol.472. — P.80−88.
  6. BakP. Commensurate phases, incommensurate phases and the devils staircase // Rep. Prog.
  7. Phys. 1982. — Vol. 45. — P. 587−629.
  8. Kern K, DavidR., ZeppenfeldP., et al. Symmetry-breaking commensurate-incommensuratetransition of monolayer Xe physisorbed on Pt (l 11) // Solid State Commun. 1987. — Vol. 62. -P.391−394.
  9. Jones R.G. Halogen adsorption on solid surfaces // Prog. Surf. Sci. 1988. -Vol. 27. — P. 25 160.
  10. Bowker M., Waugh КС. The adsorption of chlorine and chloridation of Ag (l 11) // Surf. Sci.1983.-Vol. 134.-P. 639−664.
  11. Bowker M., Waugh КС., Wolfmdale В., et al. The adsorption of chlorine and chloridation of Ag (100) // Surf. Sci. 1987. — Vol. 179. — P. 254−266.
  12. Bowker M., Waugh КС. Chlorine adsorption and chloridation of Ag (l 10) // Surf. Sci. 1985. -Vol. 155.-P. 1−14.
  13. Bowker M. An XPS investigation of the chloridation of Ag (110) // J. Electron Spectr. Rel. Phenom.- 1986.-Vol. 37.-P. 319−327.
  14. Eltsov K.N., Zueva G.Ya., Klimov A.N., et al. Reversible coverage-dependent Cu + Clads -" CuCl transition on Cu (l 11)/C12 surface // Surf. Sci. 1991. — Vol. 251/252. — P. 753−758.
  15. Benndorf C., Kruger B. Adsorption and reaction of bromine with Ag (l 10) // Surf. Sci. 1985. -Vol. 151.-P. 271−288.
  16. Benndorf C., Kruger B. Adsorption and reaction of bromine with Ag (llO): a photoemission study // Surf. Sci. 1986. — Vol. 177. — P. 515−525.
  17. Sesselmann W., Chuang T.J. Reaction of chlorine with Ag surfaces and radiation effects by X-ray photons and Ar+ ions // Surf. Sci. 1987. — Vol. 184. — P. 374−388.
  18. WuK., Wang D., Deng J., et al. Chlorine on Ag (lll): intermediate coverage case // Surf. Sci.- 1992. Vol. 264. — P. 249−259.
  19. Wu K., Wang D., Deng J., Wei X. An anomalous adsorption curve: CI on Ag (l 11)// Surf. Sci.- 1993.-Vol. 285. P. L522-L524.
  20. Goddard P.J., Lambert R.M. Adsorption-desorption propities and surface structural chemistry of chlorine on Cu (lll) and Ag (lll)// Surf. Sci. 1977. — Vol. 67. — P. 180−194.
  21. Walter W.K., Manolopoulos D.E., Jones R.G. Chlorine adsorption and diffusion on Cu (l 11)// Surf. Sci. 1996,-Vol. 348. P. 115−132.
  22. Westphal D., GoldmannA., JonaF., Marcus P.M. Atomic-structure of Cu (001)-c (2×2)-Cl // Solid State Commun. 1992. — Vol. 44. — P. 685−686.
  23. JonaF., Westphal D., Goldmann A., Marcus P.M. A low-energy electron-diffraction intensity analysis of Cu (001)-c (2×2)-Cl // J. Phys. C (Solid State Phys.) 1983. — Vol. 16. -P. 3001−3010.
  24. Sesselmann W., Chuang T.J. The interaction of chlorine with copper. 1. Adsorption and surface-reaction // Surf. Sci. 1986. — Vol. 176. — P. 32−66.
  25. Richardson N. V., Sass J.K. An angle resolved photoemission—study of the interaction between bromine and a copper (001) surface // Surf. Sci. 1981. — Vol. 103. — P. 496−509.
  26. Kadodwala M.F., Davis A. A., Scragg G., et al. Structural determination of the Cu (l 11)-(V3* vr3) R30° -CI/Br surface using the normal incidence X-ray standing-wave method // Surf. Sci. 1995. — Vol. 324. — P. 122−132.
  27. Jones R.G., Kadodwala M. Bromine adsorption on Cu (l 11) // Surf. Sci. 1997. — Vol. 370. -P. L219-L225.
  28. CitrinP.H., Eisenberger P., Hewitt R.C., Farrell H.H. Surface-EXAFS studies of iodine adsorbed on Cu (l 11), Cu (l 10), and Ag (l 11) single-crystal substrates // J. Vac. Sci. Technol.- 1979.-Vol. 16.-P. 537−537.
  29. CitrinP.H., Eisenberger P., Hewitt R.C. Adsorption sites and bond lengths of iodine on Cu (lll) and Cu (100) from surface extended X-ray absorption fine structure // Phys. Rev. Lett. 1980. — Vol. 45. — P. 1948−1951
  30. DiCenzo S.B., Wertheim G.K., Buchanan D.N.E. Charge state of adsorbate ions—I on Cu (001) // Phys. Rev. B. 1981. — Vol. 24.-P. 6143−6146.
  31. CitrinP.H., Eisenberger P., Hewitt R.C. SEXAFS studies of iodine adsorbed on single-crystal substrates // Surf. Sci. 1979. — Vol. 89. — P. 2810.
  32. Lamble G.M., Brooks R.S., FerrerS., et al. Surface structural determination for weakly ordered and disordered phase of CI on Ag (lll) // Phys. Rev. B. 1986. — Vol. 34. — P. 2975−2978.
  33. Rovida G., Pratesi F., Maglietta M., Ferroni E. LEED study of chlorine chemisorption on the silver (111) surface // Japan J. Appl. Phys. 1974. — Suppl. 2. — Pt. 2. — P. 117−120.
  34. Rovida G., Pratesi F. Chlorine monolayers on the low-index faces of silver // Surf. Sci. -1975.-Vol. 51. -P. 280−282.
  35. Tu Y., Blakely J.M. Chlorine adsorption on silver surfaces // J. Vac. Sci. Technol. 1978. -Vol. 15.-P. 563−567.
  36. Tu Y., Blakely J.M. Chlorine adsorption on the low index surfaces of silver: energetics and structures // Surf. Sci. 1979. — Vol. 85. — P. 276−288.
  37. CitrinP.H., Hamann D.R., Mattheiss L.F., RoweJ.E. Geometry and electronic-structure of CI on the Cu (001) surface // Phys. Rev. Lett. 1982. — Vol. 49. — P. 1712−1715.
  38. KitsonM., Lambert R.M. A structural and kinetic study of chlorine and silver chloride on Ag (100): the transition from overlayer to bulk halide // Surf. Sci. 1980. — Vol. 100. — P. 368−380.
  39. Goddard P.J., Schwaha K., Lambert R.M. Adsorption-desorption properties and surface structural chemistry of bromine on clean and sodium-dosed Ag (lll) // Surf. Sci. 1978. -Vol. 71.-P. 351−363.
  40. Forstmann F., Berndt W., Buttner P. Determination of adsorption site by low-energy electron-diffraction for iodine on silver (111)// Phys. Rev. Lett. 1973. — Vol. 30. — P. 1719.
  41. CitrinP.H., Eisenberger P., Hewitt R.C. Extended x-ray-absorption fine-structure of surface atoms on single-crystal substrates-iodine adsorbed on Ag (l 11)// Phys. Rev. Lett. 1978. -Vol. 41.-P. 309−312.
  42. Farrell H.H., Traum M.M., Smith N. V., et al. Photoelectron diffraction study of I chemisorbed on Ag (l 11)// Surf. Sci. 1981.-Vol. 102.-P. 527−541.
  43. Szalkowski F.J., Somorjai G.A. Simple rules to predict the structure of adsorbed gases on crystal surfaces // J. Chem. Phys. 1971. — Vol. 54. — P. 389−399.
  44. Bardi U., Rovida G. LEED, AES and thermal desorption study of iodine chemisorption on the silver (100), (111) and (110) faces//Surf. Sci. 1983.-Vol. 128.-P. 145−168.
  45. Dicenzo S.B., Wertheim G.K., Buchanan D.N.E. XPS studies of adatom-adatom interactions: I/Ag (l 11) and I/Cu (l 11) // Surf. Sci. 1982. — Vol. 121. — P. 411−420.
  46. Dicenzo S.B., Wertheim G.K., Buchanan D.N.E. Epitaxy of Cul on Cu (lll) // Appl. Phys. Lett. 1982. — Vol. 40. — P. 888−890.
  47. InukaiJ., Osawa Y., Itaya K. Adlayer structures of chlorine, bromine, and iodine on Cu (lll) electrode in solution: In situ STM and ex situ LEED studies // J. Phys. Chem. В 1998. -Vol. 102.-P. 10 034−10 040.
  48. InukaiJ., Osawa Y., Wakisaka M., et al. Underpotential deposition of copper on iodine-modified Pt (l 11): In situ STM and ex situ LEED studies // J. Phys. Chem. В 1998. — Vol. 102.-P. 3498−3505.
  49. Введение в физику поверхности / Оура К, Лифшиц В. Г., Саранин А. А., Зотов А. В., Катаяма М. М.: Наука, 2006. — 490 с.
  50. Напетап D. Surfaces of silicon // Rep. Prog. Phys. 1987. — Vol. 50, — P. 1045−1086.
  51. Jackman R.B., Ebert II., Foord J.S. Reaction mechanisms for the photon-enhanced etching of semiconductors: An investigation of the UV-stimulated interaction of chlorine with Si (100) // Surf. Sci. 1986. — Vol. 176. — P. 183−192.
  52. Szabo A., Farrall P.D., Engel T. Reactions of chlorine with Si (100) and Si (lll): adsorption and desorption kinetics // Surf. Sci. 1994. — Vol. 312. — P. 284−300.
  53. Szabo A., Engel T. Etching of Si surfaces with hot chlorine beams: Translational and vibrational excitation of the incident chlorine particles // J.Vac.Sci.Technol. A 1994. -Vol.12.-P. 648−657.
  54. Szabo A., Farrall P.D., Engel T. Thermal and direct etching mechanisms of Si (100) with a hyperthermal chlorine beam // J. Appl. Phys. 1994. — Vol. 75. — P. 3623−3626.
  55. Gupta P., Coon P., Koehler B.G., George S.M. Desorption product yields following CI2 adsorption on Si (l 11)7×7: Coverage and temperature dependence// Surf.Sci. 1991. — Vol. 249.-P. 92−104.
  56. Gao Q., Dohnalek Z., Cheng C.C., Choyke W.J., Yates J.T.Jr. The adsorption and surface reaction of SiCl4 on Si (100)-(2×1) // Surf. Sci. 1994. — Vol. 302. — P. 1−9.
  57. Mendicino M.A., Seebauer E.G. Adsorption of chlorine on Si (100) // Appl. Surf. Sci. 1993. -Vol.68.-P. 285−290.
  58. Matsuo J., Karahashi K., Sato A., Hijiya S. Study on Chlorine Adsorbed Silicon Surface Using Sofit-X-Ray Photoemission Spectroscopy // Jpn. J.Appl.Phys. 1992. — Vol. 31. -Pt.l.-P. 2025−2029.
  59. Boland J. Manipulating Chlorine Atom Bonding on the Si (100)—(2×1) Surface with the STM //Science- 1993.-Vol. 262.-P. 1703−1706.
  60. Gao Q., Cheng C.C., Chen P.J., Choyke W.J., Yates J.T. Jr. Chlorine bonding sites and bonding configurations on Si (100)-{2xl) // J. Chem. Phys. 1993. — Vol.98. — P. 83 088 323.
  61. DurbinT.D., Simpson W.C., Chakarian V., ShuhD.K., Varekamp P.R., Lo C.W., Yarmoff J.A. Stimulated desorption of Cl+ and the chemisorption of CI2 on Si (111)—7×7 and Si (100)—2×1 // Surf. Sci. 1994. — Vol. 316. — P. 257−266.
  62. Rowe J. E, Margaritondo G., Christman S.B. Chlorine chemisorption on silicon and germanium surfaces: Photoemission polarization effects with synchrotron radiation // Phys. Rev. B- 1977.-Vol.16.-P. 1581−1589.
  63. Whitman L.J., Joyce S.A., Yarmoff J. A., McFeely F.R., Terminello J.A. The chemisorption of chlorosilanes and chlorine on Si (l 11)7×111 Surf.Sci. 1990. — Vol. 232. — P. 297−306.
  64. Aldao C.M., Weaver J.H. II Halogen etching Si via atomic processes. // Progr. Surf. Sci. -2001.-Vol.68.-P. 189−230.
  65. Nakayama K.S., Graugnard E., Weaver J.H. Surface modification without desorption: recycling CI on Si (100)-2xl //Phys. Rev. Lett. -2002. -Vol.88 -P. 125 508 (1−4)
  66. Melloch M., Woodball J., Harmon E. Low-Temperature Grown III-V Materials// Annu. Rev. Mater. Res. 1995. — Vol. 25. — P. 547−600.
  67. Ohno H, A. Shen, F., Matsukura F. (Ga, Mn) As: A new diluted magnetic semiconductor based on GaAs// Appl. Phys. Lett. 1996. — Vol. 69. — P. 363−365.
  68. Larsen P.K., Neave J.H., Van der Veen J.F. GaAs (001)-c (4×4): A chemisorbed structure // Phys. Rev. B 1983. — Vol. 27. — P. 4966^1977.
  69. Biegelsen D.K., Bringans R.D., Northrup J.E., Swartz L.E. Surface reconstructions of GaAs (100) observed by scanning tunneling microscopy// Phys. Rev. B 1990. — Vol. 41. -P. 5701−5706.
  70. Resch Esser U., Esser N., Wang D.T. Surface quality and aton. ic structure of MBE-grown GaAs (100) prepared by the desorption of a protective arsenic layer// Surf. Sci. 1996. — Vol. 352/354.-P. 71−76.
  71. Avery A.R., Holmes D.M., Sudijono J. The Location of Silicon Atoms and the Initial-Stages of Formation of the SI/GaAs (001) Interface Studied by STM // Surf. Sci. 1995. — Vol. 323. -P. 91−101.
  72. Othake A., Koguchi N. Two types of structures for the GaAs (001)-c (4×4) surface// Appl. Phys. Lett. 2003.-Vol. 83.-P. 5193−5195.
  73. Kanisawa K., Osaka G., Hirono S., Inoue N. J. In situ Measurement Method of GaAs Surface Coverage Using Secondary-Electron Intensity// Cryst. Growth 1991. — Vol. 115. — P. 348 351.
  74. Massies J., Etienne P., Dezaly F., Link N. Stoichiometry effects on surface properties of GaAs{100} grown in situ by MBE//Surf. Sci. 1980. — V. 99.-P. 121−131.
  75. LaBella V.P., Krause M.R., Ding Z., Thibado P.M. Arsenic-rich GaAs (OOl) surface structure. // Surf. Sci. Rep. 2005. — Vol. 60. — P. 1−53.
  76. Xue Q.-K, Hashizume T., Sakurai T. Scanning tunneling microscopy of III—V compound semiconductor (001) surfaces// Prog. Surf. Sci. 1997. — Vol. 56. — P. 1−131.
  77. Farrell H.H., Palmstrom C.J. Reflection high energy electron diffraction characteristic absences in GaAs (100) (2*4)-As: A tool for determining the surface stoichiometry // J. Vac. Sci. Technol. B 1990. — Vol. 8. — P. 903−907.
  78. Chadi D.J. Atomic structure of GaAs (100)-(2xl) and (2×4) reconstructed surfaces // Vac. Sci. Technol. A 1987. — Vol. 5. — P. 834−837.
  79. Larsen P.K., Chadi D.J. Surface structure of As-stabilized GaAs (OOl): 2×4, c (2×8), and domain structures // Phys. Rev. B 1988. — Vol. 37. — P. 8282−8288.
  80. Northrup J.E., Froyen S. Energetics of GaAs (100)-(2×4) and -(4×2) reconstructions// Phys. Rev Lett. 1993. — Vol. 71. — P. 2276−2279.
  81. Cerda J., Palomares F.J., Soria F. Structure of GaAs (100) — c (8*2)-Ga // Phys. Rev. Lett. -1995.-Vol. 75.-P. 665−658.
  82. Scala S.L., Hubacek S" J. R. Tucker JR., Lyding J.W. Structure of GaAs (100)-c (8×2) determined by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. B 1993. — Vol. 48. — P. 9138— 9141.
  83. Xue Q.-K., Hashitzume T., Zhou J.M. Structures of the Ga-Rich 4×2 and 4×6 Reconstructions of the GaAs (OOl) Surface // Phys. Rev. Lett. 1995. — Vol. 74. — P. 31 773 180.
  84. Lee S.-H., Moritz W., Scheffler M. GaAs (OOl) surface under conditions of low As pressure: evidence for novel surface geometry // Phys. Rev. Lett. 2000. — Vol.85. — P. 3890−3893.
  85. Tersoff J., Hammann D.R. Theory of the scanning tunneling microscope // Phys. Rev. B -1985.-Vol. 31.-P. 805−813.
  86. Pendry J.B. Reliability factors for LEED calculations // J. Phys. C 1980. — Vol. 13. — P. 937−944.
  87. Kruse P., McLean J.G., Kummel A.C. Localized excess negative charges in surface states of the clean Ga-rich GaAs (100)c (8×2)/4×2 reconstruction as imaged by scanning tunneling microscopy// J. Chem. Phys. 2000. — Vol. 113. — P. 2060−2063.
  88. Simpson W. C, Durbin T.D., Varekamp P.R., Yarmoff J.A. The Grotwh of GaF3 Films on GaAs (llO) at Elevated-Temperatures Studied with Soft X-Ray Photoelectron-Spectroscopy// J. Appl. Phys. 1995. — Vol. 77. — P. 2751−2758.
  89. W.C. Simpson W.C., Varecamp P.R., Shuh D. K, Yarmoff J.A. Soft-X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study of the Reaction of XeF2 with GaAs // J. Vac. Sci. Technol. B 1995. -Vol. 13.-P. 1709−1713.
  90. Varecamp P.R., Simpson W.C., Shuh D.K. Electronic structure of GaF3 films grown on GaAs via exposure to XeF2// Phys. Rev. B 1994. — Vol. 50. — P. 14 267−14 276.
  91. McLean A.B., Terminelo L.J., McFeely F.R. Core-level photoemission investigation of atomic-fluorine adsorption on GaAs (llO) // Phys. Rev. B 1989. — Vol. 40. — P. 1 177 811 785.
  92. Su C, Xi M., Dai Z.-G. Dry etching of GaAs with Cl2: correlation between the surface CI coverage and the etching rate at steady state // Surf. Sci. 1993. — Vol. 282. — P. 357−370.
  93. Ludviksson A., Xu M.D., Martin R.M. Atomic Layer Etching Chemistry of Cl2 on GaAs (100) // Surf. Sci. 1992. — Vol. 277. — P. 282−300.
  94. Sallivan D.J.D, Flaum H.C., Kummel A.C. Competition Between Continuous Etching and Surface Passivation for Cl2 Chemisorption onto GaAs (100) c (8><2), GaAs (100) c (2*8), and GsAs (llO) (lxl) Surfaces//J. Chem. Phys. 1994,-Vol. 101. — P. 1582−1594.
  95. McLean J.G., Kruse P., Guo-Ping J. Anomalous Mobility of Strongly Bound Surface Species: CI on GaAs (m)-c (%*2) II Phys. Rev. Lett. 2000. — Vol. 85. — P. 1488−1491.
  96. Lee S.M., Lee S.-H., Scheffler M. Adsorption and diffusion of a CI adatom on the GaAs (OOl)-c (8*2) surface // Phys.Rev. B 2004. — Vol. 69. — P. 125 317−1 — 125 317−6.
  97. Bharadwaj L.M., Bonhomme P., Faure J. J. Chemically assisted ion beam etching of InP and InSb using reactive flux of iodine and Ar + beam // J. Vac. Sci. Technol. B 1991. — Vol. 9. -P. 1440−1444.
  98. Varecamp P.R., Hakkansson M.C., Kanski J. et al. Reaction of I2 with the (001) surfaces of GaAs, InAs, and InSb. II. Ordering of the iodine overlayer // Phys. Rev. B 1996. — Vol. 54. -P. 2114−2120.
  99. Wang W. K, Simpson W. C, Yarmoff J.A. Passivation versus etching: Adsorption of I2 on InAs (OOl) //Phys. Rev. Lett. 1998. — Vol. 81. — P. 1465−1468.
  100. Pierce D. T. Spin-polarized electron microscopy // Phys. Scr. 1988. — Vol. 38. — P. 291— 296.
  101. LaBella V. P., Bullock D. W., Ding Z., Emery C., Venkatesan A., Oliver W. F., Salamo G. J., Thibado P. M., Mortazav M. Spatially-resolved spin-injection probability for gallium arsenide. // Science -2001, — Vol. 292. P. 1518−1521.
  102. DeCrescenzi M. Structural surface investigations with low-energy backscattered electrons // Surf. Sci. Rep. 1995.-Vol. 21.-P. 89−175.
  103. Д., Сих М. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. М.: Мир, 1987. -600 с.
  104. Т.А. Фотоэлектронная и оже-спектроскопия. М.: Машиностроение, 1981. -431с.
  105. Malinowski E.R., Howery D.G. Factor Analysis in Chemistry. New York: Wiley, 1980.
  106. Gaarenstroom S. W. Application of Auger line-shapes and factor-analysis to characterize a metal-ceramic interfacial reaction // J. Vac. Sci. Technol. 1982. — Vol. 20. — P. 458−461.
  107. SteffenJ., Hofmann S. Use of factor analysis with О KLL Auger spectra to distinguish chemisorption and oxide formation on Ni // Surf. Sci. 1988. — Vol. 202. — P. L607-L611.
  108. Hofmann S., SteffenJ. Factor analysis and superposition of Auger electron spectra applied to room temperature oxidation of Ni and NiCr2iFei2 // Surf. Int. Anal. 1989. — Vol. 14. — P. 59−65.
  109. Hugus Z.Z., El-Awady A.A. Determination of number of species present in a system—new matrix rank treatment of spectrophotometric data // J. Phys. Chem. 1971. — Vol. 75. — P. 2954−2960.
  110. ВудрафД., ДелчарТ. Современные методы исследования поверхности. М.: Мир, 1989.-564 с.
  111. Redhead P. A. Thermal desorption of gases // Vacuum 1962. — Vol. 12. — P. 203−211.
  112. G., Rohrer H., Gerber C., Weibel E. 7x7 reconstruction on Si(lll) resolved in real space // Phys. Rev. Lett. 1983. — Vol. 50. — P. 120−123.
  113. Binnig G., Rohrer H. Scanning tunnelling microscopy // IBM J. Res. Dev. 1986. — Vol. 30.-P. 355−369.
  114. SakuraiT., Hashisume Т., Kamiyal, et al. Field ion-scanning tunneling microscopy // Prog. Surf. Sci. 1990. — 1990. — Vol. 33. — P. 3−89.
  115. Besenbacher F. Scanning tunneling microscopy studies of metal surfaces // Rep. Prog. Phys.- 1996.-Vol. 59.-P. 1737−1802.
  116. Eltsov K.N., Shevlyuga V.M., Yurov V.Yu., et al. Sharp tungstem tips prepared for STM study of deep nanostructures in UHV // Phys. Low-Dim. Struct. 1996. — Vol. 9/10. — P. 714.
  117. Eltsov K.N., Shevlyuga V.M., Yurov V.Yu., et al. Sharp tungsten tips prepared for STM study of deep nano structures in UHY // Phys. Low-Dim. Struct. 1996. — Vol. 9/10. — P. 7−15.
  118. Sayers D.E., Stern E.A., Lytle F.W. New technique for investigating non-crystalline structures: Fourier analysis of the extended X-ray absorption fine structure // Phys. Rev. Lett. 1971. — Vol. 27. — P. 1204−1207.
  119. Lee P.A., CitrinP.H., Eisenberger P., Kincaid B.M. Extended X-ray absorption fine strucuture— its strength and limitations as a structural tool // Rev. Mod. Phys. 1981. -Vol. 53.-P. 769−806.
  120. КБ., Ведрииский P.B., Крайзман В. Л., Саченко В.П. EXAFS-спектроскопия — новый метод структурных исследований // УФН. 1986. — Т. 149. -С. 275−324.
  121. Рентгеноспектральный метод изучения структуры аморфных тел: EXAFS-спектроскопия / Кочубей Д. И., Бабанов Ю. А., Замараев К. И. и др. Новосибирск: Наука, 1988.-306 с.
  122. LeapmanR.D., Grunes L.A., Fejes P.L., SilcoxJ. Extended core edge fine structure in electron energy loss spectra // EXAFS spectroscopy, Techniques and Applications. Eds. B.K. Teo and D.C. Joy. New York: Plenum Press, 1981. — P. 217.
  123. De Crescenzi M. Extended energy loss fine structure analysis // CRC Crit. Rev. Solid State Mat. Sci.- 1989. -Vol. 15.-P. 279−325.
  124. Де Бор К. Практическое руководство по сплайнам. М.: Радио и связь. 1985. 304 с. Cook, Jr. J.W. and Sayers D.E. Criteria for automatic EXAFS background removal // J. Appl. Phys. — 1981. — Vol. 52. — P. 5024−5031.
  125. De Crescenzi M" Chiarello G. Surface structure of 3d transition metals // J. Phys. С (Paris). 1985.-Vol. 18.-P. 3595−3614.
  126. Г., Корн Т. Справочник по математике. М.: Наука., 1978. 831с.
  127. . Методы и техника обработки сигналов при физических измерениях. Т. 2. М.: Мир, 1983.-312 с.
  128. Teo В.-К., Lee Р.Н. Ab initio calculations of amplitude and phase functions for extended X-ray absorption fine structure spectroscopy // J. Amer. Chem. Soc. 1979. — Vol. 101. — P. 2815−2832.
  129. McKale A.G., Veal В. W., Paulikas A.P., et al. Improved ab initio calculations of amplitude and phase functions for extended X-ray absorption fine-structure spectroscopy // Ibid. -1988. Vol. 110. — P. 3763−3768.
  130. Hitchcock A., Teng C.H. Fine structure in reflection electron energy loss spectra of Cu and Ni // Surf. Sci. 1985. — Vol. 149. — P. 558−576.
  131. De Crescenzi M. Structural characterization of surfaces by extended energy loss fine structure spectroscopy // J. Vac. Sci. Technol. A. 1987. — Vol. 5. — P. 869−874.
  132. Fadley C.S. The study of surface structures by photoelectron diffraction and Auger electron diffraction // Synchrotron Radiation Research: Advances in Surface Science. N.Y.: Plenum Press, 1990.
  133. Egelhoff, Jr. W.F. X-ray photoelectron diffraction and Auger electron forward scattering: a new tool for surface crystallography 11 Crit. Rev. Solid State Mat. Sci. 1990. — Vol. 16. -P. 213−235.
  134. Fadley C.S., Thevuthasann S., Kaduwela A.P., et al. Photoelectron diffraction and holography: present status and future prospects // J. Electron. Spectr. Rel. Phenom. 1994. -Vol. 68.-P. 19−47.
  135. Chambers S.A. Elastic scattering and interference of backscattered primary, Auger and X-ray photoelectrons at high kinetic energy: principles and applications // Surf. Sci. Rep. -1992,-Vol. 16.-P. 261−331.
  136. Sagurton M., Bullock E.L., Fadley C.S. The analysis of photoelectron diffraction data obtained with fixed geometry and scanned photon energy // Surf. Sci. 1987. — Vol. 182. -P. 287−361.
  137. M.M. Комбинационное рассеяние света и строение вещества // М. Наука, 1981.-320 с.
  138. М. Fleischmann, P.J. Hendra, A.J. McQuillan. Raman spectra of pyridine adsorbed at a silver electrode // Chem. Phys. Lett. 1974. — V.26. — P. 163−166.
  139. Jeanmaire DL, Van Duyne RP. Surface raman spectroelectrochemistry: Part I. Heterocyclic, aromatic, and aliphatic amines adsorbed on the anodized silver electrode // J. Electroanal. Chem. 1977. — Vol. 84. — P. 1−20.
  140. Albrecht MG, Creighton JA. Anomalously intense Raman spectra of pyridine at a silver electrode // J. Am. Chem. Soc. 1977. — Vol. 99. — P. 5215−5217.
  141. Sonnichsen C., Franzl Т., Wilk Т., von Plessen G., Feldmann J. Plasmon resonances in large noble-metal clusters // New Journal of Physics 2002. Vol.4. — P. 93.1−93.8
  142. Jackson J.D. Classical Electrodynamics. New York: Wiley, 1998.
  143. Wagner L.С., Grimley R.T. Study of ionization processes by angular-distribution technique—CuCl system // Int. J. Mass. Spectrom. Ion Proc. 1974. — Vol. 15. — P. 255 265.
  144. Eltsov K.N., Klimov A.N., Yurov V.Yu., Bardi U., .Galeotti M, Shevlyuga V.M., Prokhorov A.M. Surface atomic structure at Cu (100) chlorination observed with scanning tunneling microscopy // Письма в ЖЭТФ 1995 — T.62 — C.444150.
  145. Andryushechkin B.V., Eltsov K.N., Shevlyuga V.M. Domain-wall mechanism ofincommensurate structure formation in chemisorbed halogen layers on Cu (l 11)// Surf. Sei. 2000. — Vol. 470. — P. L63-L68.
  146. Т.А., Френкель Я. И. К теории пластической деформации и двойникования // ЖЭТФ 1938. -Т. 8-С. 1340−1346.
  147. Donohue J. The Structure of the Elements. N.Y.: Wiley, 1974.
  148. Kern K. Symmetry and rotational epitaxy of incommensurate Xe layers on Pt (lll) // Phys.Rev.B 1987 — Vol.35 — P. 8265−8268.
  149. Caputi L.S., Chiarello G., Amoddeo A. Oxygen-covered Ni (110) studied by AES and EELFS // Surf. Sei. 1987.-Vol. 188.-P. 63−69.
  150. Caputi L.S., Jiang S.L., Tucci R., et al. Oxygen-induced relaxation of Ni (lll) // Ibid. -1989. Vol. 211/212. — P. 120−124.
  151. Lee P. A, Beni G. New method for calculation of atomic phase-shifts—application to extended X-ray absorption fine-structure (EXAFS) in molecules and crystals // Phys. Rev. B. 1977. — Vol. 15. — P. 2862−2883.
  152. Andryushechkin B.V., Cerchez V, Eltsov K.N. Structural phase transitions in chlorine monolayer on Cu (l 10) // Abstracts ECOSS 25, Liverpool July, 2008, P. 503−504.
  153. H., Мермин H. Физика твердого тела. M.: Мир. Т. 1. 399 с.
  154. F., Nielsen L.P., Sprunger Р. Т. Surface alloying in heteroepitaxial metal-on-metal growth // Growth and Properties of Ultrathin Epitaxial Layers. Eds. D.A. King, D.P. Woodruff. Vol. 8. Amsterdam: Elsevier, 1997. — P. 207−235.
  155. Wiederholt Т., Brune К, Wintterlin J., et al. Formation of 2-dimensional sulfide phases on Al (lll)—anSTM study//Surf. Sei. 1995. — Vol. 324. — P. 91−105.
  156. Weiss W, Ranke W. Surface chemistry and catalysis on well-defined epitaxial iron-oxide layers // Prog. Surf. Sei. 2002. — Vol. 70. — P. 1−151.
  157. Barth J., BehmR.J., Ertl G. Adsorption, surface restructuring and alloy formation in the Na/Au (l 11) system // Surf. Sei. 1995. — Vol. 341. — P. 62−91.
  158. BelkJ.G., Pashley D.W., Joyce B. A., Jones T.S. Dislocation displacement field at the surface of InAs thin films grown on GaAs (llO) // Phys. Rev. B 1998. — Vol. 58. — P. 16 194−16 201.
  159. GuhaS., Madhukar A, Rajkumar K.C. Onset of incoherency and defect introduction in the initial-stages of molecular-beam epitaxial-growth of highly strained JnxGai vAs on GaAs (lOO) // Appl. Phys. Lett. 1990. — Vol. 57. — P. 2110−2112.
  160. Mo Y.-W., Savage D.E., Swartzentruber B.S., Lagally M.G. Kinetic pathway in Stranski-Krastanov growth of Ge on Si (001) // Phys. Rev. Lett. 1990. — Vol. 65. — P. 1020−1023.
  161. Andryushechkin B.V., Eltsov K.N., Shevlyuga V.M. Atomic scale observation of iodine layer compression on Cu (l 11)// Surf. Sci. 2001. — Vol. 472. — P. 80−88.
  162. Wyckoff R. W.G. Crystal Structures. Vol. I.N.Y., London: Wiley, 1963.
  163. Penner R.M. Hybrid electrochemical/chemical synthesis of quantum dots // Acc. Chem. Res. -2000,-Vol. 33.-P. 78−86.
  164. Patrykiejew A., Sokolowski S., Binder K. Phase transitions in adsorbed layers formed on crystals of square and rectangular surface lattice // Surf. Sci. Rep. 2000. — Vol. 37. — P. 209 344.
  165. Rowland R.S., Taylor R. Intermolecular nonbonded contact distances in organic crystal structures: comparison with distances expected from van der Waals radii // J. Phys. Chem. -1996.-Vol. 100.-P. 7384−7391.
  166. Andryushechkin B.V., Eltsov K.N., Shevlyuga V.M., Bardi I J., Cortigiani B. Structural transitions in chemisorbed iodine layer on Cu (100) // Surf. Sci. 2002. — Vol.497. — P. 59−69.
  167. Brune H. Microscopic view of epitaxial metal growth: nucleation and aggregation // Surf. Sci. Rep. 1998.-Vol. 31.-P. 121−229.
  168. Bauer E., van der Merwe J. H. Structure and growth of crystalline superlattices: from monolayer to superlattice // Phys. Rev. B. 1986. — Vol. 33. — P. 3657−3671.
  169. Nakakura C.Y., Altman E.I. Scanning tunneling microscopy study of halide nucleation, growth, and relaxation on singular and vicinal Cu surfaces // Surf. Sci. 1999 — Vol. 424. — P. 244−261.
  170. Andryushechkin B.V., Eltsov K.N., Shevlyuga V.M. Cul growth on copper surfaces undermolecular iodine action: influence of the surface anisotropy in the iodine monolayer // Surf. Sci.-2004 Vol.566 — P.203−209.
  171. Д1.Веденеев А. А., Ельцов К. Н. Использование молекулярного йода для управления атомной структурой поверхности GaAs (OOl)// Нанотехника. 2006. — № 7. — С. 20−26.
  172. Д2 .Андрюшечкин Б. В., Ельцов КН., Черкез В. В. Эпитаксиальный рост полупроводниковых пленок при взаимодействии металлов с галогенами. Атомная структура Cul на поверхности Си (110). //Письма в ЖЭТФ. 2006. — Т.83. -С. 195−200.
  173. ДЗ.Веденеев А. А., Ельцов КН. Атомная структура поверхности GaAs (001)-c (8×2) и места адсорбции атомов йода при малой степени покрытия// Письма в ЖЭТФ. 2005. — Т. 82.-С. 46−51.
  174. Д4.В.У. Andryushechkin, K.N. Eltsov, V.M. Shevlyuga. Cul growth on copper surfaces under molecular iodine action: influence of the surface anisotropy in the iodine monolayer. //Surface Science. 2004. -V.566. -P.203−209.
  175. Д5.В.У.Andryushechkin, K.N.Eltsov, V.M.Shevlyuga. Atomic scale study of Cul film nucleation on copper under molecular iodine action. //e-J. Surf. Sci. Nanotech. -2004. V.2 -P.234−240.
  176. Д6.Труды ИОФАН, том 59: Химическое состояние и атомная структура поверхности г. ц.к. металлов в реакции взаимодействия с галогенами. Под ред. В. И. Конова, К. Н. Ельцова. М.: Наука, 2003, 185 С.
  177. Д7.В.У. Andryushechkin, K.N. Eltsov, V.M. Shevlyuga. Halide nucleation and growth on monocrystalline copper surface // Physics of Low-Dimensional structures. 2003.- V.3−4. -P. 1−20.
  178. Д8.А. А. Веденеев, B.M. Шевлюга, К. Н. Ельцов, В. П. Чалый, Ю. В. Погорельский, А. Н. Алексеев, Д. М. Красовицкий, А. П. Шкурко. Способ изготовления полупроводникового лазерного диода.// Патент № PCT/RU2003/104. Заявка № 2 002 124 486/28(25 924) -2002.
  179. Д9.В.У. Andryushechkin, R.E.Baranovsky, K.N.Eltsov, V.M.Shevlyuga. Atomic structure of Cul layers on Cu (lll). //Physics of Low-Dimensional structures. -2001. -V.ll/12. -P.187−200.
  180. Д10. B.V. Andryushechkin, K.N.Eltsov, A.N.Klimov, V.V.Martynov, V.M.Shevlyuga. Local structure of SERS-active centers at Ag (lll) surface chlorinated in UHV. //Physics of Vibrations.-2000.-V.8.-P. 16−20.
  181. Д11. B.V. Andryushechkin, K.N.Eltsov, V.M.Shevlyuga, V.Yu.Yurov. Direct STM observation of surface modification and growth of AgCl islands on Ag (lll) upon chlorination at room temperatures.// Surface Science. -1999. -V.431 P.96−108.
  182. Д12. B.V. Andryushechkin, K.N.Eltsov, V.M.Shevlyuga. Atomic structure of silver chloride formed on Ag (l 11) surface upon low temperature chlorination. //Surface Science. -1999. -V.433−435- P.109−113.
  183. Д13. B.V. Andryushechkin, K.N.Eltsov, V.M.Shevlyuga, C. Tarducci, B. Cortigiani, U. Bardi, A.Atrei. Epitaxial growth of AgCl layers on the Ag (100) surface. //Surface Science. —1999— V.421- P.27−32.
  184. Д14. Б. В. Андрюшечкин, К. Н. Ельцов, В. В. Мартынов. Бистабильность поверхности Ag (lll) при сверхвысоковакуумном напылении AgCl. //Поверхность. -1999. № 8-С.47−57.
  185. Д15. Б. В. Андрюшечкин, К. Н. Ельцов, В. М. Шевлюга, В. Ю. Юров. Применение Фурье-анализа СТМ-изображений для определения структурных параметров адсорбированных слоев. //Поверхность. 1999. -№ 7- С. 30−34.
  186. Д16. Б. В. Андрюшечкин, К. Н. Ельцов, В. М. Шевлюга, В. Ю. Юров. Прямое наблюдение островков AgCl в реакции хлорирования Ag (lll) методом сканирующей туннельной микроскопии. //Поверхность. -1999. -№ 7. С. 23−29.
  187. Д17. Б. В. Андрюшечкин, К. Н. Ельцов, В. М. Шевлюга, В. Ю. Юров, А. Н. Климов, В. В. Мартынов. Химическое состояние поверхности и локальная структура поверхности металлов при хлорировании. //Поверхность. -1998. № 2. — С.87−92.
  188. Д18. К. Н. Ельцов, В. М. Шевлюга, В. Ю. Юров, А. Н. Климов. Сверхвысоковакуумный сканирующий туннельный микроскоп. Калибровка сканера и подготовка игл in situ. //Поверхность. 1998. -№ 2. — С.5−11.
  189. Д19. К. Н. Ельцов. Поверхностные химические реакции и их применение для нанотехнологии. //Вестник Академии наук. -1997.-Т. 67.-С. 985−994.
  190. Д22. B.V.Andryushechkin, K.N.Eltsov and V.M.Shevlyuga. Local structure determination for surface chlorination with EELFS. //Physica B. -1995. V. 208/209. -P.471−473.
  191. Д23. B.V. Andryushechkin, K.N.Eltsov. Local structure of thin AgCl films with EELFS. //Physics of Low-Dimensional structures. -1995. V. 2/3. — P. 127−132.
  192. Д24. B.V. Andryushechkin, K.N.Eltsov, V.V.Martynov. AES factor analysis study of Ag (l 11) chlorination. //Physics of Low-Dimensional structures. -1995- V. 6 P. 1−10.
  193. Д25. B.V. Andryushechkin, K.N. Eltsov. Local structure of a copper surface chlorinated at a low temperature. //Surface Science. 1992. -V. 265. P. L245-L247.
  194. Д27. K.N.El'tsov, G.Ya.Zueva, A.N.Klimov, V.V.Martynov and A.M.Prokhorov. Reversible coverage-dependent Cu + CI —> CuCl transition on Cu (l 11)/СЬ surface. //Surface Science. -1991-V. 251/252.-P. 753−758.
  195. Д28. K.N. El’tsov, G.Ya. Zueva, A.N. Klimov, V.V. Martynov and A.M. Prokhorov. Surface-enhanced Raman scattering observed on chlorinated Cu (l 11). //Chem. Phys. Lett. -1989. -V. 158.-P. 271−273.
  196. Grant R.B., Lambert R.M. A single-crystal study of silver-catalyzed selective oxidation and total oxidation of ethylene // J. Catalysis 1985. — Vol. 92. — P. 364−375.
  197. Grant R.В., Harbach C.A.J., Lambert R.M., et al. Alkali-metal, chlorine and other promoters in the silver-catalyzed selective oxidation of ethylene // J. Chem. Soc. Farad. Trans. 1987. — Vol. 83. — Pt. 7. — P. 2035−2046.
  198. Campbell С. T. Chlorine promoters in selective ethylene epoxidation over Ag (lll). A comparison with Ag (l 10) // J. Catalysis 1986. — Vol. 99. — P. 28−38.
  199. .В., Ельцов КН., Мартынов В. В. Бистабильность поверхности Ag(lll) при сверхвысоковакуумном напылении AgCl // Поверхность -1999. № 8-С.47−57.
  200. WagnerL.С., GrimleyR.T. Study of ionization processes by angular-distribution technique—AgCl system // J. Phys. Chem. 1972. — Vol. 76. — P. 2819−2828.1.l Джеймс Т. Теория фотографического процесса. JL: Химия, 1980. 672 с.
  201. Andryushechkin B.V., Eltsov K.N., Shevlyuga V.M., Yurov V.Yu. Atomic structure of saturated monolayer on Ag (l 11) surface // Surf. Sci. 1998. — Vol. 407. -P. L633-L639.
  202. Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. М.: Физматгиз, 1961. 863 с.
  203. Cabrera N., MottN.F. Theory of the oxidation of metals // Rep. Prog. Phys. 1948. — Vol. 12.-P. 163−184.
  204. Nie S., Emory S.R. Probing Single Molecules and Single Nanoparticles by Surface-Enhanced Raman Scattering // Science 1997. — Vol.275. — P. 1102−1106.
  205. Kneipp K., Y. Wang, Kneipp H., Perelman LT, Itzkan I., Dasari R.R., Feld M.S. Single Molecule Detection Using Surface-Enhanced Raman Scattering (SERS) // Phys. Rev. Lett. -1997.-Vol. 78.-P. 1667−1670.
  206. Surface Enhanced Raman Scattering, eds. R.K.Chang and T.E.Furtak, Plenum Press, NewYork, 1982.
  207. Pettinger В., Philpott M.R., Gordon J.G. Contribution of specifically adsorbed ions, water, and impurities to the surface enhanced Raman spectroscopy (SERS) of Ag electrodes // J. Chem. Phys. 1981. Vol.74. — P. 934−940.
  208. Ertuk U., Pockrand L., Otto A. Surface enhanced Raman scattering from pyridine on copper inUHV // Surf.Sci. 1983. — Vol. 131. — P. 367−384
  209. Fukumoto Т., Nakashima S., Tabuchi K., Mitsuishi A. Temperature Dependence of Raman Spectra of Cuprous Halides // Phys.Stat.Sol. (B) 1976. — Vol. 73. — P. 341−351.
  210. Stietz F., Elbe A., Meister G., Schaefer J.A., Goldman A. Atomic chemisorption of chlorine on Ag (llO) studied by high-resolution electron energy loss spectroscopy // Surf.Sci. 1996. Vol. 365.-P. 278−284.
  211. Wu K., Wang D., Deng J. et al. Chlorine on Ag (lll): the intermediate coverage case // Surf.Sci. 1992. — Vol.264. — P. 249−259.
  212. Zutic I., Fabian Ja., Sarma D. Spintronics: fundamentals and applications // Rev.Mod.Phys. 2004. Vol.76 — P.351−410.
  213. Xu, Y.Y. Sun, Y.G. Li, Y.P. Feng A.T.S. Wee, A.C.H. Huan. .//Phys.Rev.B 2004 — Vol.70−81 313.
  214. Ohtake A, Kocan P, Seino K. Ga-rich limit of surface reconstructions on GaAs (OOl): Atomic structure of the (4×6) phase// Phys. Rev. Lett. 2004. — Vol.93. — 266 101.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!